JPH07253765A - 液晶アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
液晶アクティブマトリクス表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＦＴがオフ状態にある時の液晶画素の印加電
圧波形が温度や光によって下降あるいは上昇することに
よって引き起こされる直流電圧成分及び実効電圧の変動
を低減し高品質で高信頼性の液晶アクティブマトリクス
表示装置を提供すること。 【構成】液晶マトリクス表示装置に温度又は／及び光検
出手段と信号電圧補正手段を設置し、前記検出手段環境
情報単独もしくは信号電圧の振幅値との組合せによって
前記信号電圧の正極側電圧と負極側電圧の振幅を同時も
しくは独立に可変する。また、前記信号電圧の正極側電
圧と負極側電圧の振幅の可変量を異ならせる。
圧波形が温度や光によって下降あるいは上昇することに
よって引き起こされる直流電圧成分及び実効電圧の変動
を低減し高品質で高信頼性の液晶アクティブマトリクス
表示装置を提供すること。 【構成】液晶マトリクス表示装置に温度又は／及び光検
出手段と信号電圧補正手段を設置し、前記検出手段環境
情報単独もしくは信号電圧の振幅値との組合せによって
前記信号電圧の正極側電圧と負極側電圧の振幅を同時も
しくは独立に可変する。また、前記信号電圧の正極側電
圧と負極側電圧の振幅の可変量を異ならせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶アクティブマトリ
クス表示装置にかかわり、特に温度や光の外的要因によ
る画質劣化や信頼性の低下を防止できる液晶アクティブ
マトリクス表示装置を提供するにある。
クス表示装置にかかわり、特に温度や光の外的要因によ
る画質劣化や信頼性の低下を防止できる液晶アクティブ
マトリクス表示装置を提供するにある。
【０００２】
【従来の技術】液晶をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で駆
動して画像を表示する液晶アクティブマトリクス表示装
置は、パーソナルコンピューターやワードプロセッサな
どの表示部に幅広く使用されつつある。図２０に示した
ように、液晶アクティブマトリクス表示装置は、液晶ア
クティブマトリクスパネル１００，信号駆動回路１１２
及び走査駆動回路で構成されている。さらに、液晶マト
リクスパネル１００は、信号線１０１〜１０３，走査線
１０４〜１０７が交差するように形成され、交差部が１
画素になる。
動して画像を表示する液晶アクティブマトリクス表示装
置は、パーソナルコンピューターやワードプロセッサな
どの表示部に幅広く使用されつつある。図２０に示した
ように、液晶アクティブマトリクス表示装置は、液晶ア
クティブマトリクスパネル１００，信号駆動回路１１２
及び走査駆動回路で構成されている。さらに、液晶マト
リクスパネル１００は、信号線１０１〜１０３，走査線
１０４〜１０７が交差するように形成され、交差部が１
画素になる。
【０００３】１画素は、ＴＦＴ１０８，液晶画素１０９
及び蓄積容量１１０で構成されている。ＴＦＴ１０８の
ゲート端子１０８ａは走査線１０５に、ドレイン端子10
8bは信号線１０１に、さらにソース端子１０８ｃは蓄積
容量１１０及び液晶画素109にそれぞれ接続されてい
る。
及び蓄積容量１１０で構成されている。ＴＦＴ１０８の
ゲート端子１０８ａは走査線１０５に、ドレイン端子10
8bは信号線１０１に、さらにソース端子１０８ｃは蓄積
容量１１０及び液晶画素109にそれぞれ接続されてい
る。
【０００４】なお、液晶画素１０９の明るさは、ＴＦＴ
のソース電圧Ｖｓとコモン電極111に加えられるコモン
電圧Ｖｃｏｍの電圧差（＝Ｖｓ−Ｖｃｏｍ）によって決
まる。
のソース電圧Ｖｓとコモン電極111に加えられるコモン
電圧Ｖｃｏｍの電圧差（＝Ｖｓ−Ｖｃｏｍ）によって決
まる。
【０００５】図示していないが、走査線１０４と１０５
の間に補助線を設け、蓄積容量110の一方の端子をこの
補助線に接続する場合もある。また、場合によっては蓄
積容量１１０が省略されることもある。
の間に補助線を設け、蓄積容量110の一方の端子をこの
補助線に接続する場合もある。また、場合によっては蓄
積容量１１０が省略されることもある。
【０００６】次に、図２０に示した液晶アクティブマト
リクス表示装置の駆動波形例を図２１に示す。時間ＴＬ
の間にＴＦＴは、オン状態になり正極性及び負極性の信
号電圧Ｖｄが液晶１０９に書き込まれる。時間ＴＬ以外
では、ＴＦＴはオフ状態になるために書き込まれた電圧
は保持される。
リクス表示装置の駆動波形例を図２１に示す。時間ＴＬ
の間にＴＦＴは、オン状態になり正極性及び負極性の信
号電圧Ｖｄが液晶１０９に書き込まれる。時間ＴＬ以外
では、ＴＦＴはオフ状態になるために書き込まれた電圧
は保持される。
【０００７】ところで、ＴＦＴなどのアクティブ素子に
より液晶駆動する液晶アクティブマトリクス表示装置
は、アクティブ素子を使用しない表示装置と比較して液
晶駆動電圧に直流電圧が重畳しやすい欠点を有してい
る。例えば、図２０に示したTFTのゲート端子１０８ｂ
とソース端子１０８ｃ間の寄生容量のためにＴＦＴをオ
ン状態からオフ状態にするとき、すなわち走査電圧Ｖｇ
の立ち下がり時にソース電圧Ｖｓが走査電圧Ｖｇに引き
込まれてΔＶｓだけ低下する。
より液晶駆動する液晶アクティブマトリクス表示装置
は、アクティブ素子を使用しない表示装置と比較して液
晶駆動電圧に直流電圧が重畳しやすい欠点を有してい
る。例えば、図２０に示したTFTのゲート端子１０８ｂ
とソース端子１０８ｃ間の寄生容量のためにＴＦＴをオ
ン状態からオフ状態にするとき、すなわち走査電圧Ｖｇ
の立ち下がり時にソース電圧Ｖｓが走査電圧Ｖｇに引き
込まれてΔＶｓだけ低下する。
【０００８】このため、例えば特開昭59−119328号に記
載されているようにコモン電圧Ｖｃｏｍを信号電圧Ｖｄ
の中心電圧ＶｃよりもΔＶｓだけ低く設定して液晶に直
流電圧が印加されないようにする駆動法が取られてい
た。これによって、液晶の劣化を防止でき信頼性の高い
表示装置を実現できる。また、残像などが発生しない高
品質の表示が可能になる。
載されているようにコモン電圧Ｖｃｏｍを信号電圧Ｖｄ
の中心電圧ＶｃよりもΔＶｓだけ低く設定して液晶に直
流電圧が印加されないようにする駆動法が取られてい
た。これによって、液晶の劣化を防止でき信頼性の高い
表示装置を実現できる。また、残像などが発生しない高
品質の表示が可能になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】我々は、ＴＦＴを形成
したマトリクスパネルの信号線と走査線に所定の電圧を
印加し、この時のソース電圧Ｖｓの電圧波形を精密に測
定した。この結果、ソース電圧Ｖｓは、図２２に示した
ような波形となっていることが判った。
したマトリクスパネルの信号線と走査線に所定の電圧を
印加し、この時のソース電圧Ｖｓの電圧波形を精密に測
定した。この結果、ソース電圧Ｖｓは、図２２に示した
ような波形となっていることが判った。
【００１０】ソース電圧Ｖｓは、従来課題となっていた
走査電圧Ｖｇに起因したΔＶｓの変動に加えて、ＴＦＴ
がオフ状態になっている期間でも変動することが明らか
となった。環境条件及び駆動条件を変え、この変動電圧
を詳細に測定した結果、信号電圧Ｖｄが正極性のとき
と負極性のときでは１フレーム時間（ＴＬ）内での変動
量が異なる（ΔＶ１≠ΔＶ２）こと、変動量ΔＶ１，
ΔＶ２は、周囲温度及び周囲光に依存しこれらが上昇す
ると増加すること、信号電圧の振幅値に依存すること
が判った。なお、前述した実験結果の中で、周囲光が上
昇すると変動量が増加するのは、ＴＦＴの半導体層に光
があたりＴＦＴのドレイン端子とソース端子間のリーク
電流、すなわちＴＦＴのオフ電流には起因しないことを
確認している。
走査電圧Ｖｇに起因したΔＶｓの変動に加えて、ＴＦＴ
がオフ状態になっている期間でも変動することが明らか
となった。環境条件及び駆動条件を変え、この変動電圧
を詳細に測定した結果、信号電圧Ｖｄが正極性のとき
と負極性のときでは１フレーム時間（ＴＬ）内での変動
量が異なる（ΔＶ１≠ΔＶ２）こと、変動量ΔＶ１，
ΔＶ２は、周囲温度及び周囲光に依存しこれらが上昇す
ると増加すること、信号電圧の振幅値に依存すること
が判った。なお、前述した実験結果の中で、周囲光が上
昇すると変動量が増加するのは、ＴＦＴの半導体層に光
があたりＴＦＴのドレイン端子とソース端子間のリーク
電流、すなわちＴＦＴのオフ電流には起因しないことを
確認している。
【００１１】ＴＦＴがオフ状態の時にソース電圧が変動
する現象は、ＴＦＴがオン状態になったときに半導体膜
中または、半導体膜中とゲート絶縁膜の界面などに捕獲
されたキャリアが、ＴＦＴがオフ状態になると放出され
るために起こるものである。キャリアが捕獲及び放出さ
れる量および時定数は、周囲温度や周囲光の光量に依存
するため、これらの環境条件によってソース電圧の減衰
時定数が異なり最終的に保持期間中の変動量ΔＶ１，Δ
Ｖ２が変化する。
する現象は、ＴＦＴがオン状態になったときに半導体膜
中または、半導体膜中とゲート絶縁膜の界面などに捕獲
されたキャリアが、ＴＦＴがオフ状態になると放出され
るために起こるものである。キャリアが捕獲及び放出さ
れる量および時定数は、周囲温度や周囲光の光量に依存
するため、これらの環境条件によってソース電圧の減衰
時定数が異なり最終的に保持期間中の変動量ΔＶ１，Δ
Ｖ２が変化する。
【００１２】半導体層がａ−Ｓｉやｐ−ＳｉのＴＦＴは
前記した特性を有するために、液晶パネルを組み込んだ
表示装置の温度や外部光の条件によって、液晶に直流成
分が重畳して液晶の劣化が起こる。さらに、残像現象が
発生する。なお、蓄積容量１１０の有無にかかわりなく
ソース電圧が変動し、さらに、蓄積容量１１０が半導体
層を含む構造にした場合は、しない場合と比較して若干
変動量は大きくなることが判っている。
前記した特性を有するために、液晶パネルを組み込んだ
表示装置の温度や外部光の条件によって、液晶に直流成
分が重畳して液晶の劣化が起こる。さらに、残像現象が
発生する。なお、蓄積容量１１０の有無にかかわりなく
ソース電圧が変動し、さらに、蓄積容量１１０が半導体
層を含む構造にした場合は、しない場合と比較して若干
変動量は大きくなることが判っている。
【００１３】従来の駆動法は、走査電圧Ｖｇが立ち下が
るときのソース電圧の変動を補正して液晶印加電圧に重
畳する直流電圧を低減する駆動であるために、ＴＦＴが
オフ状態にあるときの保持期間中におけるソース電圧の
変動に起因する直流成分を低減することができない。こ
れによって、信頼性が高く高品質の表示装置の実現が困
難であった。
るときのソース電圧の変動を補正して液晶印加電圧に重
畳する直流電圧を低減する駆動であるために、ＴＦＴが
オフ状態にあるときの保持期間中におけるソース電圧の
変動に起因する直流成分を低減することができない。こ
れによって、信頼性が高く高品質の表示装置の実現が困
難であった。
【００１４】本発明の目的は、液晶をＴＦＴの様なアク
ティブ素子で駆動するアクティブマトリクス駆動装置に
おいて、特に保持期間中の液晶印加電圧の変動を補正
し、直流電圧成分を補償して高品質の表示装置を提供す
ることにある。
ティブ素子で駆動するアクティブマトリクス駆動装置に
おいて、特に保持期間中の液晶印加電圧の変動を補正
し、直流電圧成分を補償して高品質の表示装置を提供す
ることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】アクティブ素子又は／及
び蓄積容量の半導体層の温度又は／及び前記半導体層に
入射する光量に応じて信号電圧の正極側及び負極側の振
幅を可変する。さらには、前記した温度及び光量と液晶
の励起状態すなわち信号電圧の振幅に応じて信号電圧の
正極側及び負極側の振幅を可変する。
び蓄積容量の半導体層の温度又は／及び前記半導体層に
入射する光量に応じて信号電圧の正極側及び負極側の振
幅を可変する。さらには、前記した温度及び光量と液晶
の励起状態すなわち信号電圧の振幅に応じて信号電圧の
正極側及び負極側の振幅を可変する。
【００１６】このために、温度及び光量の変化を検出す
る検出手段を液晶アクティブマトリクスパネルの内部も
しくは外部に設け、前記検出手段の検出情報に基づい
て、振動電圧の正極電圧及び負極電圧の振幅を可変す
る。この時、信号電圧の可変は、正極側と負極側で同時
又は独立にすると共にこの可変量を異ならせる。
る検出手段を液晶アクティブマトリクスパネルの内部も
しくは外部に設け、前記検出手段の検出情報に基づい
て、振動電圧の正極電圧及び負極電圧の振幅を可変す
る。この時、信号電圧の可変は、正極側と負極側で同時
又は独立にすると共にこの可変量を異ならせる。
【００１７】
【作用】信号電圧の正極電圧及び負極電圧の振幅の振幅
を温度又は／及び光量に応じて可変することによって、
ＴＦＴがオフ状態にある時のソース電圧の下降及び上昇
による画素電圧の直流電圧の変動及び実効電圧の変動を
低減できる。
を温度又は／及び光量に応じて可変することによって、
ＴＦＴがオフ状態にある時のソース電圧の下降及び上昇
による画素電圧の直流電圧の変動及び実効電圧の変動を
低減できる。
【００１８】
【実施例】図１に本発明による液晶アクティブマトリク
ス表示装置の全体の構成例を示す。表示装置は、液晶マ
トリクスパネル１，走査駆動回路２，信号駆動回路３，
制御回路４，画像電圧発生手段５，補正情報発生手段６
及びコモン電圧発生回路７の各部品で構成される。
ス表示装置の全体の構成例を示す。表示装置は、液晶マ
トリクスパネル１，走査駆動回路２，信号駆動回路３，
制御回路４，画像電圧発生手段５，補正情報発生手段６
及びコモン電圧発生回路７の各部品で構成される。
【００１９】液晶マトリクスパネル１は、信号線１ａ，
１ｂと走査線１ｃ，１ｄがストライプ状に形成され、交
差部にＴＦＴ１ｅと液晶画素１ｆが配置されている。液
晶画素１ｆは、ＴＦＴを介して１水平ライン毎に線順次
駆動されて駆動される。この時の駆動タイミングは、従
来の駆動と同一であるために詳細については省略する。
１ｂと走査線１ｃ，１ｄがストライプ状に形成され、交
差部にＴＦＴ１ｅと液晶画素１ｆが配置されている。液
晶画素１ｆは、ＴＦＴを介して１水平ライン毎に線順次
駆動されて駆動される。この時の駆動タイミングは、従
来の駆動と同一であるために詳細については省略する。
【００２０】信号駆動回路３は、制御回路４からのデー
タ信号ＤＡＴＡ及び画像電圧発生手段５からの画像電圧
ＶＤに基づき信号電圧Ｖｄを発生する。この信号電圧Ｖ
Ｄの振幅値によって液晶画素１ｆの明るさが決まる。ま
た、走査駆動回路２は、制御回路４からのタイミング信
号ＴＩＭＩに基づき、ＴＦＴを線順次駆動するための走
査電圧Ｖｇを発生する。
タ信号ＤＡＴＡ及び画像電圧発生手段５からの画像電圧
ＶＤに基づき信号電圧Ｖｄを発生する。この信号電圧Ｖ
Ｄの振幅値によって液晶画素１ｆの明るさが決まる。ま
た、走査駆動回路２は、制御回路４からのタイミング信
号ＴＩＭＩに基づき、ＴＦＴを線順次駆動するための走
査電圧Ｖｇを発生する。
【００２１】画像電圧発生手段５は、前記信号駆動回路
３に供給する画像電圧ＶＤを発生する。この画像電圧Ｖ
Ｄの値は、補正情報発生手段６からの補正情報ＶＣＭに
基づき決定される。補正情報発生手段６は、周囲温度や
周囲光の環境条件に応じて補正情報ＶＣＭを発生する。
３に供給する画像電圧ＶＤを発生する。この画像電圧Ｖ
Ｄの値は、補正情報発生手段６からの補正情報ＶＣＭに
基づき決定される。補正情報発生手段６は、周囲温度や
周囲光の環境条件に応じて補正情報ＶＣＭを発生する。
【００２２】最後に、コモン電圧発生回路７は、液晶画
素１ｆの一方の端子に印加するコモン電圧Ｖｃｏｍを発
生する。
素１ｆの一方の端子に印加するコモン電圧Ｖｃｏｍを発
生する。
【００２３】なお、画像電圧発生手段５は、信号駆動回
路３や走査駆動回路２に内蔵させても良く、その設置場
所については特に限定しない。さらに、補正情報発生手
段６は、液晶マトリクスパネル１の内部、すなわち画素
のＴＦＴ付近に形成するか、もしくは液晶マトリクスパ
ネル１の外部に設置しても良く、特に限定しない。ま
た、ＴＦＴ１ｅは、ａ−Ｓｉ，ｐ−Ｓｉなどの薄膜トラ
ンジスタが都合が良いが、単結晶ＭＯＳトランジスタ等
でも良く特に限定しない。また、蓄積容量はの有無につ
いては特に限定しない。さらに、本発明は、選択スイッ
チ回路１１が半導体層を含む構造の液晶マトリクスパネ
ルにも当然のことながら適用される。
路３や走査駆動回路２に内蔵させても良く、その設置場
所については特に限定しない。さらに、補正情報発生手
段６は、液晶マトリクスパネル１の内部、すなわち画素
のＴＦＴ付近に形成するか、もしくは液晶マトリクスパ
ネル１の外部に設置しても良く、特に限定しない。ま
た、ＴＦＴ１ｅは、ａ−Ｓｉ，ｐ−Ｓｉなどの薄膜トラ
ンジスタが都合が良いが、単結晶ＭＯＳトランジスタ等
でも良く特に限定しない。また、蓄積容量はの有無につ
いては特に限定しない。さらに、本発明は、選択スイッ
チ回路１１が半導体層を含む構造の液晶マトリクスパネ
ルにも当然のことながら適用される。
【００２４】以下、図１に示した各部の詳細な実施例を
説明する。図２は、温度等の環境変化に対する信号電圧
の補正手段の一実施例を示したものである。この信号電
圧補正回路は、温度等によるソース電圧の変動を補正す
る機能を有する。そこで、この機能を説明する前に、液
晶アクティブマトリクスパネルを駆動したときのソース
電圧変動を簡単に説明する。
説明する。図２は、温度等の環境変化に対する信号電圧
の補正手段の一実施例を示したものである。この信号電
圧補正回路は、温度等によるソース電圧の変動を補正す
る機能を有する。そこで、この機能を説明する前に、液
晶アクティブマトリクスパネルを駆動したときのソース
電圧変動を簡単に説明する。
【００２５】図３は、液晶アクティブマトリクスパネル
を駆動したときのソース電圧Ｖｓの波形を示したもので
ある。信号電圧Ｖｄは、センター電圧ＶＤＣを基準とし
て正側の振幅値がＶＤＨ，負側の振幅値がＶＤＬの波形
である。信号電圧Ｖｄの極性は、フレーム毎（約１／６
０秒）か、１水平走査時間毎又は、複数の水平時間毎に
反転される。一方、走査電圧Ｖｇは、フレーム毎にＴＦ
Ｔ１ｅをオン状態にして前述した信号電圧Ｖｄを液晶画
素１ｆに書き込む。
を駆動したときのソース電圧Ｖｓの波形を示したもので
ある。信号電圧Ｖｄは、センター電圧ＶＤＣを基準とし
て正側の振幅値がＶＤＨ，負側の振幅値がＶＤＬの波形
である。信号電圧Ｖｄの極性は、フレーム毎（約１／６
０秒）か、１水平走査時間毎又は、複数の水平時間毎に
反転される。一方、走査電圧Ｖｇは、フレーム毎にＴＦ
Ｔ１ｅをオン状態にして前述した信号電圧Ｖｄを液晶画
素１ｆに書き込む。
【００２６】この結果、ＴＦＴがオフ状態となる保持期
間中のＴＦＴ１ｅの出力電圧すなわち、ソース電圧Ｖｓ
は、正極側ではＶＤＨをピークとして下降していく。ま
た、負極側では、ＶＤＬから、上昇もしくは下降してい
く。前述した、保持期間中の正極側及び負極側のソース
電圧の変動の状態は、ＴＦＴのサイズ，蓄積容量値，蓄
積容量の構造等に依存するが、温度や光量が上昇して半
導体層等に捕獲又は放出される度合いが大きくなるほど
上昇又は下降の速度が大きくなる。
間中のＴＦＴ１ｅの出力電圧すなわち、ソース電圧Ｖｓ
は、正極側ではＶＤＨをピークとして下降していく。ま
た、負極側では、ＶＤＬから、上昇もしくは下降してい
く。前述した、保持期間中の正極側及び負極側のソース
電圧の変動の状態は、ＴＦＴのサイズ，蓄積容量値，蓄
積容量の構造等に依存するが、温度や光量が上昇して半
導体層等に捕獲又は放出される度合いが大きくなるほど
上昇又は下降の速度が大きくなる。
【００２７】図２は、前述した特性を有する液晶アクテ
ィブマトリクスパネルの信号電圧の補正回路の一実施例
である。この補正回路例は、補正情報発生手段６，信号
電圧源回路群８，演算回路群１０及び選択スイッチ回路
１１で構成されており、図３に示したソース電圧Ｖｓの
正極側及び負極側の変動を独立して補正する機能を有す
る。
ィブマトリクスパネルの信号電圧の補正回路の一実施例
である。この補正回路例は、補正情報発生手段６，信号
電圧源回路群８，演算回路群１０及び選択スイッチ回路
１１で構成されており、図３に示したソース電圧Ｖｓの
正極側及び負極側の変動を独立して補正する機能を有す
る。
【００２８】補正情報発生手段６は、センサ手段６ａと
補正電圧発生回路６ｂからなる。このうちセンサ手段６
ａは、液晶パネル周辺又は内部の温度や光量を検出する
素子等で構成される。これらの検出素子は、一方のみで
も良く特に限定しない。また、補正電圧発生回路６ｂ
は、センサ手段６ａの検出量ＶＣＭに基づき補正電圧Δ
ＶＤＨ及びΔＶＤＬを発生する。
補正電圧発生回路６ｂからなる。このうちセンサ手段６
ａは、液晶パネル周辺又は内部の温度や光量を検出する
素子等で構成される。これらの検出素子は、一方のみで
も良く特に限定しない。また、補正電圧発生回路６ｂ
は、センサ手段６ａの検出量ＶＣＭに基づき補正電圧Δ
ＶＤＨ及びΔＶＤＬを発生する。
【００２９】ここで、補正電圧発生回路６ｂの具体的な
動作例を図４に示す。図４（ａ）は、温度が最低の０℃
で補正電圧を最小にし、温度の上昇に伴って正極側では
補正電圧を大きく、逆に負極側では小さくしていく例で
ある。図示していないが、逆に温度が最大の６０℃で補
正電圧を最小にし、温度の下降に伴って正極側では補正
電圧を小さくし、逆に負極側では大きくしても良い。図
４（ｂ）は、温度が中間の３０℃で補正電圧が最小にな
るようにし、ここから温度が上昇あるいは下降すると補
正電圧を変化させるようにした例である。なお、補正電
圧の温度範囲は０〜６０℃にとらわれることなく任意で
良い。また、補正電圧を最小にする温度も特に限定する
ものでなく任意で良い。
動作例を図４に示す。図４（ａ）は、温度が最低の０℃
で補正電圧を最小にし、温度の上昇に伴って正極側では
補正電圧を大きく、逆に負極側では小さくしていく例で
ある。図示していないが、逆に温度が最大の６０℃で補
正電圧を最小にし、温度の下降に伴って正極側では補正
電圧を小さくし、逆に負極側では大きくしても良い。図
４（ｂ）は、温度が中間の３０℃で補正電圧が最小にな
るようにし、ここから温度が上昇あるいは下降すると補
正電圧を変化させるようにした例である。なお、補正電
圧の温度範囲は０〜６０℃にとらわれることなく任意で
良い。また、補正電圧を最小にする温度も特に限定する
ものでなく任意で良い。
【００３０】信号電圧源回路群８は、少なくとも２種類
の信号電圧レベルを発生する。この回路は、液晶の明る
さを決める電圧を発生するものであるが、２以上の電圧
を発生させるようにすると多階調表示の駆動制御できて
都合が良い。本実施例では、２つの信号電圧源回路８ａ
と８ｂによりＶＤＬＨ０とＶＤＨ０の２つの信号電圧レ
ベルを発生する。
の信号電圧レベルを発生する。この回路は、液晶の明る
さを決める電圧を発生するものであるが、２以上の電圧
を発生させるようにすると多階調表示の駆動制御できて
都合が良い。本実施例では、２つの信号電圧源回路８ａ
と８ｂによりＶＤＬＨ０とＶＤＨ０の２つの信号電圧レ
ベルを発生する。
【００３１】演算回路群１０は、複数の演算回路からな
るが本実施例では演算回路１０ａと演算回路１０ｂの２
つである。この演算回路は、信号電圧源回路群８からの
信号電圧レベルＶＤＨ０及びＶＤＬ０と補正情報発生手
段６からの補正電圧ΔＶＤＨ及びΔＶＤＬを加算して出
力する。また、選択スイッチ回路１１は、演算回路群１
０からのＶＤＨとＶＤＬを極性反転信号Ｍに同期して交
互に切り替えて、信号駆動回路に供給する階調電圧ＶＢ
を発生する。
るが本実施例では演算回路１０ａと演算回路１０ｂの２
つである。この演算回路は、信号電圧源回路群８からの
信号電圧レベルＶＤＨ０及びＶＤＬ０と補正情報発生手
段６からの補正電圧ΔＶＤＨ及びΔＶＤＬを加算して出
力する。また、選択スイッチ回路１１は、演算回路群１
０からのＶＤＨとＶＤＬを極性反転信号Ｍに同期して交
互に切り替えて、信号駆動回路に供給する階調電圧ＶＢ
を発生する。
【００３２】前述した信号電圧補正回路で得られた階調
電圧ＶＢは、信号駆動回路に入力された後、所定のタイ
ミングで出力される。この時の信号駆動回路の構成例を
図５に示す。階調電圧Ｖｂは、信号駆動回路１２の複数
の階調電圧入力線１２ｃ〜１２ｅの１本に入力される。
入力された階調電圧は、データ信号ＤＡＴＡの内容に応
じてスイッチ回路１２ａ〜１２ｂで選択される。この信
号駆動回路の出力が、液晶マトリクスパネルの信号線１
３ｄに印加する信号電圧Ｖｄになる。
電圧ＶＢは、信号駆動回路に入力された後、所定のタイ
ミングで出力される。この時の信号駆動回路の構成例を
図５に示す。階調電圧Ｖｂは、信号駆動回路１２の複数
の階調電圧入力線１２ｃ〜１２ｅの１本に入力される。
入力された階調電圧は、データ信号ＤＡＴＡの内容に応
じてスイッチ回路１２ａ〜１２ｂで選択される。この信
号駆動回路の出力が、液晶マトリクスパネルの信号線１
３ｄに印加する信号電圧Ｖｄになる。
【００３３】図６に信号駆動回路で発生した信号電圧Ｖ
ｄの波形例を示す。図６（ａ）は、液晶パネルの全面の
明るさを同じにする場合の信号電圧Ｖｄの波形例であ
る。信号電圧Ｖｄのレベルは、正極側でＴ３＜Ｔ＜２＜
Ｔ１＜Ｔ０と温度の上昇に伴ってセンター電圧ＶＤＣを
基準として高くし、逆に負極側では低くなる。また、図
６（ｂ）は、信号電圧の極性を１水平走査毎に反転した
場合の波形例であり、温度に対する電圧のレベルは、図
６（ａ）と同様に変化する。そして、この信号電圧Ｖｄ
は、走査電圧ＶｇのタイミングによってＴＦＴ１３ａを
介して液晶画素１３ｂに書き込まれる。図示していない
が、この結果、ソース電圧Ｖｓの平均値は、温度にかか
わりなく一定になる。これに伴って、コモン電圧とＶｃ
ｏｍ間の電圧差、すなわち液晶画素に印加される電圧の
直流電圧成分は、温度にかかわりなく一定にできる。当
然のことながら、センサ回路の検出対象が光の場合でも
本実施例は適用できる。この場合、信号電圧のレベルの
変化は、光量が増加すると正極側では、センター電圧Ｖ
ＤＣを基準として高くなり、負極側では低くなる。図２
に示した補正電圧回路の変形例を図７に示す。図２と同
一部品には、同じ番号で記載してある。この回路は、信
号電圧の正極側の補正のみを行うためのものである。こ
のため、補正情報発生手段６は、正極側のみの補正電圧
ΔＶＤＨＨを発生する。この補正電圧は、演算回路１０
ａに入力されて、正極側信号電圧レベルＶＤＨ０に加算
される。以降の動作は前述したのと同様であるので説明
は省略する。この実施例の補正電圧ΔＶＤＨＨを図４に
示した正極側と負極側の補正電圧のΔＶＤＨ及びΔＶＤ
Ｌの差に等しくすると都合が良い。なお、信号電圧に重
畳させる補正電圧は、ドレイン電圧Ｖｄのセンター電圧
ＶＤＣを基準として説明したが、コモン電圧を基準とし
ても良く特に限定しない。
ｄの波形例を示す。図６（ａ）は、液晶パネルの全面の
明るさを同じにする場合の信号電圧Ｖｄの波形例であ
る。信号電圧Ｖｄのレベルは、正極側でＴ３＜Ｔ＜２＜
Ｔ１＜Ｔ０と温度の上昇に伴ってセンター電圧ＶＤＣを
基準として高くし、逆に負極側では低くなる。また、図
６（ｂ）は、信号電圧の極性を１水平走査毎に反転した
場合の波形例であり、温度に対する電圧のレベルは、図
６（ａ）と同様に変化する。そして、この信号電圧Ｖｄ
は、走査電圧ＶｇのタイミングによってＴＦＴ１３ａを
介して液晶画素１３ｂに書き込まれる。図示していない
が、この結果、ソース電圧Ｖｓの平均値は、温度にかか
わりなく一定になる。これに伴って、コモン電圧とＶｃ
ｏｍ間の電圧差、すなわち液晶画素に印加される電圧の
直流電圧成分は、温度にかかわりなく一定にできる。当
然のことながら、センサ回路の検出対象が光の場合でも
本実施例は適用できる。この場合、信号電圧のレベルの
変化は、光量が増加すると正極側では、センター電圧Ｖ
ＤＣを基準として高くなり、負極側では低くなる。図２
に示した補正電圧回路の変形例を図７に示す。図２と同
一部品には、同じ番号で記載してある。この回路は、信
号電圧の正極側の補正のみを行うためのものである。こ
のため、補正情報発生手段６は、正極側のみの補正電圧
ΔＶＤＨＨを発生する。この補正電圧は、演算回路１０
ａに入力されて、正極側信号電圧レベルＶＤＨ０に加算
される。以降の動作は前述したのと同様であるので説明
は省略する。この実施例の補正電圧ΔＶＤＨＨを図４に
示した正極側と負極側の補正電圧のΔＶＤＨ及びΔＶＤ
Ｌの差に等しくすると都合が良い。なお、信号電圧に重
畳させる補正電圧は、ドレイン電圧Ｖｄのセンター電圧
ＶＤＣを基準として説明したが、コモン電圧を基準とし
ても良く特に限定しない。
【００３４】このように本実施例では、信号電圧の両極
側で同時に補正電圧を重畳させるか、もしくは正極又は
負極のいずれか一方に重畳させても良く特に限定しな
い。また、２フレームで液晶の印加電圧の直流成分を低
減するのではなく、場合によっては３フレーム以上で直
流成分を低減あるいは、実効電圧の変動を低減できるよ
うにしても良い。例えば、図８に示した信号電圧Ｖｄの
実施例の様に４フレーム内で正極側をＶＤＨ１，ＶＤＨ
２に設定し、負極側の電圧をＶＤＬ１，ＶＤＬ２に設定
する。これによって、フレーム毎の信号電圧の正負の振
幅の変化を小さくできることから、フリッカーの低減や
補正電圧の絶対値を小さくできて補正回路の小型化や低
電力化の点で有利である。
側で同時に補正電圧を重畳させるか、もしくは正極又は
負極のいずれか一方に重畳させても良く特に限定しな
い。また、２フレームで液晶の印加電圧の直流成分を低
減するのではなく、場合によっては３フレーム以上で直
流成分を低減あるいは、実効電圧の変動を低減できるよ
うにしても良い。例えば、図８に示した信号電圧Ｖｄの
実施例の様に４フレーム内で正極側をＶＤＨ１，ＶＤＨ
２に設定し、負極側の電圧をＶＤＬ１，ＶＤＬ２に設定
する。これによって、フレーム毎の信号電圧の正負の振
幅の変化を小さくできることから、フリッカーの低減や
補正電圧の絶対値を小さくできて補正回路の小型化や低
電力化の点で有利である。
【００３５】我々がＴＦＴパネルのソース電圧Ｖｓ波形
を詳細に測定した結果、信号電圧の振幅を大きい時、す
なわちソース電圧Ｖｓの振幅が大きくなるほど保持期間
中の変化が大きくなることが判った。すなわち、ソース
電圧の変化幅が大きくなるにつれてソース電圧の変化が
顕著になる。また、信号電圧が正極側と負極側では変化
幅は異なり、正極側＞負極側であった。
を詳細に測定した結果、信号電圧の振幅を大きい時、す
なわちソース電圧Ｖｓの振幅が大きくなるほど保持期間
中の変化が大きくなることが判った。すなわち、ソース
電圧の変化幅が大きくなるにつれてソース電圧の変化が
顕著になる。また、信号電圧が正極側と負極側では変化
幅は異なり、正極側＞負極側であった。
【００３６】図３に記載したソース電圧Ｖｓの保持期間
中の変化が温度や光の環境条件に依存する他に前述した
ように信号電圧の振幅に依存する。この課題を解決する
ための本発明の第２の実施例を図９に示す。
中の変化が温度や光の環境条件に依存する他に前述した
ように信号電圧の振幅に依存する。この課題を解決する
ための本発明の第２の実施例を図９に示す。
【００３７】図９は、信号駆動回路に入力する画像電圧
すなわち階調電圧ＶＢ１〜ＶＢ８を発生するものであ
り、画像電圧発生手段１５，補正電圧発生回路１６，信
号電圧源回路１７及び演算回路群１８により構成されて
いる。また、補正電圧発生回路１６には、補正情報発生
手段１９で発生させた補正情報が入力される。
すなわち階調電圧ＶＢ１〜ＶＢ８を発生するものであ
り、画像電圧発生手段１５，補正電圧発生回路１６，信
号電圧源回路１７及び演算回路群１８により構成されて
いる。また、補正電圧発生回路１６には、補正情報発生
手段１９で発生させた補正情報が入力される。
【００３８】信号電圧源回路１７は、液晶の明るさを決
める信号電圧レベルＶＲ１〜ＶＲ８を発生する。本実施
例では、図１０に示したように液晶の明るさを少なくと
も８レベルに設定するために８個の階調電圧を発生する
ものであるが、発生する階調電圧数は特に限定するもの
でない。なお、階調数を８階調としたときの信号電圧の
波形例を図１２に示す。図は液晶パネル全面を同一明る
さにして、コモン電圧Ｖｃｏｍを一定、フレーム毎に電
圧の極性を反転する場合の波形例である。なお、コモン
電圧Ｖｃｏｍは一定でなくフレーム毎又はラインごとに
極性を反転して交流化した場合でも本発明は適用でき
る。
める信号電圧レベルＶＲ１〜ＶＲ８を発生する。本実施
例では、図１０に示したように液晶の明るさを少なくと
も８レベルに設定するために８個の階調電圧を発生する
ものであるが、発生する階調電圧数は特に限定するもの
でない。なお、階調数を８階調としたときの信号電圧の
波形例を図１２に示す。図は液晶パネル全面を同一明る
さにして、コモン電圧Ｖｃｏｍを一定、フレーム毎に電
圧の極性を反転する場合の波形例である。なお、コモン
電圧Ｖｃｏｍは一定でなくフレーム毎又はラインごとに
極性を反転して交流化した場合でも本発明は適用でき
る。
【００３９】補正電圧発生回路１６は、補正情報発生手
段１９により得られた補正電圧Ｖseを任意のステップ幅
で分割して信号電圧レベル数だけ出力する。本実施例で
は、ＶＳ１〜ＶＳ８の８個の補正電圧を発生する構成と
したが、発生する電圧数を信号電圧レベルよりも少なく
しても良く、出力数は特に限定しない。出力数を少なく
すると回路構成や制御法の簡素化を図ることができる。
演算回路群１８は、補正電圧発生回路１６と信号電圧源
回路１７で得られた信号電圧レベルＶＢ１〜ＶＢ８とを
加算等の演算処理して出力する。
段１９により得られた補正電圧Ｖseを任意のステップ幅
で分割して信号電圧レベル数だけ出力する。本実施例で
は、ＶＳ１〜ＶＳ８の８個の補正電圧を発生する構成と
したが、発生する電圧数を信号電圧レベルよりも少なく
しても良く、出力数は特に限定しない。出力数を少なく
すると回路構成や制御法の簡素化を図ることができる。
演算回路群１８は、補正電圧発生回路１６と信号電圧源
回路１７で得られた信号電圧レベルＶＢ１〜ＶＢ８とを
加算等の演算処理して出力する。
【００４０】演算回路群１８で得られた階調電圧ＶＢ１
〜ＶＢ８は、信号駆動回路に入力される。この時の信号
駆動回路の構成例は、図５に記載した回路と同一であ
る。この回路において階調電圧入力線１２ｄ，１２ｅは
少なくとも８本であり、各入力線には前記した階調電圧
が入力される。
〜ＶＢ８は、信号駆動回路に入力される。この時の信号
駆動回路の構成例は、図５に記載した回路と同一であ
る。この回路において階調電圧入力線１２ｄ，１２ｅは
少なくとも８本であり、各入力線には前記した階調電圧
が入力される。
【００４１】図９のより詳細な１実施例を図１１に示
す。図９と同一部品には同一符号で記載してある。演算
回路群１８は、演算回路１８ａ〜１８ｈで構成されてい
る。また、補正電圧発生回路１６は、１６ａ〜１６ｈの
抵抗により構成されている。
す。図９と同一部品には同一符号で記載してある。演算
回路群１８は、演算回路１８ａ〜１８ｈで構成されてい
る。また、補正電圧発生回路１６は、１６ａ〜１６ｈの
抵抗により構成されている。
【００４２】信号電圧源回路１７の詳細は省略するが、
例えば補正電圧発生回路１６のような抵抗分圧回路や場
合によってはＤ／Ａ（Digital／Analog)変換等によって
所定のレベルを発生させることができる。補正電圧発生
回路１６は、補正情報発生手段１９で得られた電圧Ｖｓ
ｅを抵抗１６ａ〜１６ｈで抵抗分圧して各信号電圧レベ
ルに対応させた補正電圧Ｖｓ１〜Ｖｓ８を発生する。抵
抗１６ａ〜１６ｈの分割比は、信号電圧レベルに応じて
決められるものであり特に限定するものでない。
例えば補正電圧発生回路１６のような抵抗分圧回路や場
合によってはＤ／Ａ（Digital／Analog)変換等によって
所定のレベルを発生させることができる。補正電圧発生
回路１６は、補正情報発生手段１９で得られた電圧Ｖｓ
ｅを抵抗１６ａ〜１６ｈで抵抗分圧して各信号電圧レベ
ルに対応させた補正電圧Ｖｓ１〜Ｖｓ８を発生する。抵
抗１６ａ〜１６ｈの分割比は、信号電圧レベルに応じて
決められるものであり特に限定するものでない。
【００４３】図１１に記載した補正電圧発生回路１６の
他の実施例を図１３に示す。図１３（ａ）は、Ｄ／Ａ変
換回路２０により補正電圧Ｖｓ１〜Ｖｓ８を発生する構
成例である。Ｄ／Ａ変換回路２０に入力する信号は、信
号電圧レベルに応じた電圧をディジタル化したデータ信
号ＣＤＡＴＡと補正情報発生手段１９でえられた情報を
ディジタル化したデータ信号ＴＤＡＴＡである。また、
信号電圧が正極側と負極側では、ソース電圧の変動量が
異なることから極性信号切り替え信号Ｍによって極性に
よる補正量を異ならせると都合が良い。
他の実施例を図１３に示す。図１３（ａ）は、Ｄ／Ａ変
換回路２０により補正電圧Ｖｓ１〜Ｖｓ８を発生する構
成例である。Ｄ／Ａ変換回路２０に入力する信号は、信
号電圧レベルに応じた電圧をディジタル化したデータ信
号ＣＤＡＴＡと補正情報発生手段１９でえられた情報を
ディジタル化したデータ信号ＴＤＡＴＡである。また、
信号電圧が正極側と負極側では、ソース電圧の変動量が
異なることから極性信号切り替え信号Ｍによって極性に
よる補正量を異ならせると都合が良い。
【００４４】また、図１３（ｂ）は、メモリ２１とＤ／
Ａ変換回路２２とにより補正電圧発生回路を構成した実
施例である。メモリ２１には、環境条件と信号電圧レベ
ル及び極性切り替え信号Ｍに応じた情報が記憶されてお
りこの内容に応じたディジタル信号ＭＤＡＴＡが出力さ
れる。Ｄ／Ａ変換回路２２は、ＭＤＡＴＡを補正電圧Ｖ
ｓ１〜Ｖｓ８に変換する。この場合、メモリ２１にＴＦ
Ｔのサイズや蓄積容量の異なる液晶パネルの条件を記憶
させておく異によって汎用性のある補正回路とすること
ができる。極性切り替え信号Ｍは、図１３（ａ）と同様
にＤ／Ａ変換回路２２に入力する構成にしても良い。
Ａ変換回路２２とにより補正電圧発生回路を構成した実
施例である。メモリ２１には、環境条件と信号電圧レベ
ル及び極性切り替え信号Ｍに応じた情報が記憶されてお
りこの内容に応じたディジタル信号ＭＤＡＴＡが出力さ
れる。Ｄ／Ａ変換回路２２は、ＭＤＡＴＡを補正電圧Ｖ
ｓ１〜Ｖｓ８に変換する。この場合、メモリ２１にＴＦ
Ｔのサイズや蓄積容量の異なる液晶パネルの条件を記憶
させておく異によって汎用性のある補正回路とすること
ができる。極性切り替え信号Ｍは、図１３（ａ）と同様
にＤ／Ａ変換回路２２に入力する構成にしても良い。
【００４５】なお、図１３（ａ)，(ｂ）に記載したＣＤ
ＡＴＡやＴＤＡＴＡをＣＰＵ等から制御することによっ
て補正電圧の設定が容易になり仕様の異なるパネルに対
応できる表示装置を構成できる。さらに、ＴＦＴの駆動
条件やＴＦＴの特性等が変化したときに補正電圧を任意
でかつ簡単に行うことができ付加価値の高い表示装置を
実現できる。
ＡＴＡやＴＤＡＴＡをＣＰＵ等から制御することによっ
て補正電圧の設定が容易になり仕様の異なるパネルに対
応できる表示装置を構成できる。さらに、ＴＦＴの駆動
条件やＴＦＴの特性等が変化したときに補正電圧を任意
でかつ簡単に行うことができ付加価値の高い表示装置を
実現できる。
【００４６】階調電圧ＶＢ１〜ＶＢ８を発生する回路の
実施例を図１４に示す。図は、図１１に記載した補正電
圧発生回路１６と演算回路群１８の両方の機能を有する
回路例である。感温素子２３の一方の端子には、例えば
サーミスタ等のように温度が上昇すると抵抗値が低下す
る素子を用いる。前記、感温素子２３に２４ａ〜２４ｈ
の抵抗をカスケードに接続して各接続点から階調電圧Ｖ
Ｂ１〜ＶＢ８を取り出す。波形歪を低減する上から、こ
れの電圧をバッファ回路を経由して信号駆動回路に供給
すると都合が良い。
実施例を図１４に示す。図は、図１１に記載した補正電
圧発生回路１６と演算回路群１８の両方の機能を有する
回路例である。感温素子２３の一方の端子には、例えば
サーミスタ等のように温度が上昇すると抵抗値が低下す
る素子を用いる。前記、感温素子２３に２４ａ〜２４ｈ
の抵抗をカスケードに接続して各接続点から階調電圧Ｖ
Ｂ１〜ＶＢ８を取り出す。波形歪を低減する上から、こ
れの電圧をバッファ回路を経由して信号駆動回路に供給
すると都合が良い。
【００４７】感温素子２３の他方の端子には、スイッチ
回路２６を接続する。スイッチ回路２６には、信号電圧
の正極側の最大電圧のＶＰを入力する。また、サーミス
タの他方の端子にもスイッチ回路２５を接続する。この
スイッチ回路２５には、負極側の最大電圧（絶対値）の
ＶＰを入力する。前記したスイッチ回路２５とスイッチ
回路２６は、極性切り替え信号Ｍ及び反転回路２７によ
り得られたＭの逆位相信号によって交互にオン，オフ状
態になる。
回路２６を接続する。スイッチ回路２６には、信号電圧
の正極側の最大電圧のＶＰを入力する。また、サーミス
タの他方の端子にもスイッチ回路２５を接続する。この
スイッチ回路２５には、負極側の最大電圧（絶対値）の
ＶＰを入力する。前記したスイッチ回路２５とスイッチ
回路２６は、極性切り替え信号Ｍ及び反転回路２７によ
り得られたＭの逆位相信号によって交互にオン，オフ状
態になる。
【００４８】スイッチ回路２６がオン状態の時の階調電
圧は正極にある。この時、温度が上昇すると感温素子２
３の抵抗値が低下するために階調電圧ＶＢ１〜ＶＢ８の
正極側のレベルは上昇する。上昇電圧量すなわち補正電
圧は、階調電圧によって異なり階調電圧の振幅が大きい
ほど大となる。これによって、信号電圧レベルが高くな
ると補正電圧も大きくなり本発明の目的を達成できる。
圧は正極にある。この時、温度が上昇すると感温素子２
３の抵抗値が低下するために階調電圧ＶＢ１〜ＶＢ８の
正極側のレベルは上昇する。上昇電圧量すなわち補正電
圧は、階調電圧によって異なり階調電圧の振幅が大きい
ほど大となる。これによって、信号電圧レベルが高くな
ると補正電圧も大きくなり本発明の目的を達成できる。
【００４９】また、スイッチ回路２５がオン状態の時の
階調電圧は負極にある。本実施例では、負極側の補正は
省略している。このため、前述した正極の補正によりソ
ース電圧の変動を補償し液晶印加電圧の直流成分を低減
している。本実施例に捕らわれることなく感温素子とス
イッチ回路の組合せによって正極側のみでなく負極側の
補正も当然のことながら行うことができる。
階調電圧は負極にある。本実施例では、負極側の補正は
省略している。このため、前述した正極の補正によりソ
ース電圧の変動を補償し液晶印加電圧の直流成分を低減
している。本実施例に捕らわれることなく感温素子とス
イッチ回路の組合せによって正極側のみでなく負極側の
補正も当然のことながら行うことができる。
【００５０】なお、感温素子２３と単独で温度検出を行
うのではなく、抵抗等の他の素子と組合せや感温素子を
複数用いて温度検出を行っても良い。また、感温素子
は、液晶パネル表面等のパネル外部及びパネル内部に形
成しても良く特に限定しない。また、ａ−Ｓｉやｐ−Ｓ
ｉ等の光や温度によって抵抗が変化する素子を用いても
良い。
うのではなく、抵抗等の他の素子と組合せや感温素子を
複数用いて温度検出を行っても良い。また、感温素子
は、液晶パネル表面等のパネル外部及びパネル内部に形
成しても良く特に限定しない。また、ａ−Ｓｉやｐ−Ｓ
ｉ等の光や温度によって抵抗が変化する素子を用いても
良い。
【００５１】前述した階調電圧発生回路により温度や光
の環境条件と液晶の明るさに応じた信号電圧レベルに対
応した補正を行うことができるために液晶印加電圧の直
流電圧の低減や実効電圧の変動を抑えることができる。
の環境条件と液晶の明るさに応じた信号電圧レベルに対
応した補正を行うことができるために液晶印加電圧の直
流電圧の低減や実効電圧の変動を抑えることができる。
【００５２】図１に示した補正情報発生手段６に含まれ
る温度及び光検出素子の具体的な一実施例を図１５に示
す。図１５（ａ）に記載したように、センサ素子２９
は、液晶マトリクスパネル２８の内部に形成され、ここ
で得られた温度や光の環境情報は、センサパッド３０，
３１を介してセンサ引出し端子３２，３３に出力され
る。図１５（ｂ)，(ｃ）にセンサ素子２９のより具体的
な実施例を断面図で示す。図１５（ｂ）において、３
４，３５は液晶マトリクスパネルを構成する基板、３６
は液晶、３７，３８はセンサパッド、３９は半導体膜、
４０はゲート絶縁膜である。なお、液晶３６，絶縁膜４
０は必ずしも必要ではないが、液晶アクティブマトリク
スパネルを製作する時に画素部と同時に形成できるため
にあると都合が良い。図１５（ｃ）は、センサ素子の他
の実施例であり、基板３４及び基板３５側から入射され
る光を遮光膜４２及び４１で遮光できる構造である。
る温度及び光検出素子の具体的な一実施例を図１５に示
す。図１５（ａ）に記載したように、センサ素子２９
は、液晶マトリクスパネル２８の内部に形成され、ここ
で得られた温度や光の環境情報は、センサパッド３０，
３１を介してセンサ引出し端子３２，３３に出力され
る。図１５（ｂ)，(ｃ）にセンサ素子２９のより具体的
な実施例を断面図で示す。図１５（ｂ）において、３
４，３５は液晶マトリクスパネルを構成する基板、３６
は液晶、３７，３８はセンサパッド、３９は半導体膜、
４０はゲート絶縁膜である。なお、液晶３６，絶縁膜４
０は必ずしも必要ではないが、液晶アクティブマトリク
スパネルを製作する時に画素部と同時に形成できるため
にあると都合が良い。図１５（ｃ）は、センサ素子の他
の実施例であり、基板３４及び基板３５側から入射され
る光を遮光膜４２及び４１で遮光できる構造である。
【００５３】また、図１６は、センサ素子の他の実施例
である。図中に記載した部品で図１５と同一部品には同
一符号で記載してある。図１６（ａ）は、基板３５から
半導体膜３９への光を遮光するために、基板３５の内側
に遮光膜４３を形成した実施例である。さらに、図１６
（ｂ）は、基板３４及び基板３５側から半導体膜３９へ
の光を遮光するために基板３４の内側に遮光膜４４と基
板３５の内側に遮光膜４３を形成した実施例である。
である。図中に記載した部品で図１５と同一部品には同
一符号で記載してある。図１６（ａ）は、基板３５から
半導体膜３９への光を遮光するために、基板３５の内側
に遮光膜４３を形成した実施例である。さらに、図１６
（ｂ）は、基板３４及び基板３５側から半導体膜３９へ
の光を遮光するために基板３４の内側に遮光膜４４と基
板３５の内側に遮光膜４３を形成した実施例である。
【００５４】図１５（ｃ）及び図１６（ｂ）の実施例
は、半導体膜３９への光が遮断されるために温度のみを
検出する素子に適している。また、図１５（ｂ）及び図
１６（ａ）は、少なくとも一方の基板から光が半導体層
に入るために光量を検出する素子に適している。
は、半導体膜３９への光が遮断されるために温度のみを
検出する素子に適している。また、図１５（ｂ）及び図
１６（ａ）は、少なくとも一方の基板から光が半導体層
に入るために光量を検出する素子に適している。
【００５５】なお、液晶パネル内に形成する素子は、図
１５及び図１６に記載した実施例の組合せ及び単独でも
良く特に限定しない。また、単独及び複数の素子をパネ
ル内に組み込んだ時には、１個の素子で温度及び光量を
検出もしくは複数の素子で検出しても良く特に限定しな
い。さらには温度又は光のみを検出しても良い。複数の
素子を液晶パネル内に形成する場合は、パネル内の任意
の位置に設置しても良く特に限定しないが、バックライ
トに内蔵されているランプ付近等の温度が高い部分と比
較的低い部分にセンサ素子をそれぞれ設置しこれらの検
出量の平均値もしくは場所に応じて補正電圧を変化させ
ると都合が良い。特に後者の場合、縦方向の画素を駆動
する時の信号電圧の補正は、線順次走査のタイミングに
合わせて補正電圧を変化させる。横方向の補正は、信号
駆動回路を複数に分割し、分割した信号駆動回路単位で
補正電圧を異ならせる。または、図面には記載していな
いが、信号電圧がアナログ信号でこの信号を信号駆動回
路で逐次サンプリングして出力する駆動装置の場合は、
信号電圧を時間と共に漸次増加あるいは減少させること
によって縦方向あるいは横方向の補正が可能となる。
１５及び図１６に記載した実施例の組合せ及び単独でも
良く特に限定しない。また、単独及び複数の素子をパネ
ル内に組み込んだ時には、１個の素子で温度及び光量を
検出もしくは複数の素子で検出しても良く特に限定しな
い。さらには温度又は光のみを検出しても良い。複数の
素子を液晶パネル内に形成する場合は、パネル内の任意
の位置に設置しても良く特に限定しないが、バックライ
トに内蔵されているランプ付近等の温度が高い部分と比
較的低い部分にセンサ素子をそれぞれ設置しこれらの検
出量の平均値もしくは場所に応じて補正電圧を変化させ
ると都合が良い。特に後者の場合、縦方向の画素を駆動
する時の信号電圧の補正は、線順次走査のタイミングに
合わせて補正電圧を変化させる。横方向の補正は、信号
駆動回路を複数に分割し、分割した信号駆動回路単位で
補正電圧を異ならせる。または、図面には記載していな
いが、信号電圧がアナログ信号でこの信号を信号駆動回
路で逐次サンプリングして出力する駆動装置の場合は、
信号電圧を時間と共に漸次増加あるいは減少させること
によって縦方向あるいは横方向の補正が可能となる。
【００５６】また、図１５（ｃ）に記載した遮光膜４２
及び、図１６（ｂ）に記載した遮光膜４２は、カラーフ
ィルター等からなる基板３４に形成したＢＭ（ブラック
マスク）膜と兼用しても良い。図１６に記載した遮光膜
４３は、ＴＦＴのゲート電極膜と兼用しても良い。さら
に、図１５，図１６に記載したセンサパッド３７及び３
８は、ＴＦＴのドレイン電極及びソース電極と兼用して
も良い。
及び、図１６（ｂ）に記載した遮光膜４２は、カラーフ
ィルター等からなる基板３４に形成したＢＭ（ブラック
マスク）膜と兼用しても良い。図１６に記載した遮光膜
４３は、ＴＦＴのゲート電極膜と兼用しても良い。さら
に、図１５，図１６に記載したセンサパッド３７及び３
８は、ＴＦＴのドレイン電極及びソース電極と兼用して
も良い。
【００５７】また、図１５及び図１６に示した半導体膜
３９としては、ａ−Ｓｉやｐ−Ｓｉなどが良いが特に限
定しない。
３９としては、ａ−Ｓｉやｐ−Ｓｉなどが良いが特に限
定しない。
【００５８】温度等の環境条件に応じて信号電圧を補正
する実施例を図１７に示す。図１と同一部品には同じ符
号で記載してある。図１５及び図１６に記載したセンサ
素子２９の抵抗値を抵抗／電圧変換回路４５により電圧
ＶＣＭに変換する。変換された、ＶＣＭは補正情報とし
て画像電圧発生手段５に入力される。画像電圧発生手段
５の具体例は、図２，図９で説明したので詳細について
は省略する。なお、センサ素子２９は、図１５及び図１
６の実施例以外に感温体又は／及び感光体であれば良く
特に限定しない。また、抵抗／電圧変換回路４５や画像
電圧発生手段５を液晶パネル内に形成しても良い。これ
によって、画素部を形成するプロセスと同時に前記した
回路形成できるために駆動装置の簡素化や表示装置の小
型，軽量化の点で都合が良い。なお、これらの回路は、
ａ−Ｓｉやｐ−ＳｉＴＦＴ及びＭＯＳトランジスタ等で
構成しても良く特に限定しない。
する実施例を図１７に示す。図１と同一部品には同じ符
号で記載してある。図１５及び図１６に記載したセンサ
素子２９の抵抗値を抵抗／電圧変換回路４５により電圧
ＶＣＭに変換する。変換された、ＶＣＭは補正情報とし
て画像電圧発生手段５に入力される。画像電圧発生手段
５の具体例は、図２，図９で説明したので詳細について
は省略する。なお、センサ素子２９は、図１５及び図１
６の実施例以外に感温体又は／及び感光体であれば良く
特に限定しない。また、抵抗／電圧変換回路４５や画像
電圧発生手段５を液晶パネル内に形成しても良い。これ
によって、画素部を形成するプロセスと同時に前記した
回路形成できるために駆動装置の簡素化や表示装置の小
型，軽量化の点で都合が良い。なお、これらの回路は、
ａ−Ｓｉやｐ−ＳｉＴＦＴ及びＭＯＳトランジスタ等で
構成しても良く特に限定しない。
【００５９】温度等の環境条件に応じて信号電圧を補正
する他の実施例を図１８に示す。図中の部品で図１７と
同一部品には同じ符号で記載してある。センサ素子４８
は、表示画素部と同一パターンもしくは表示画素部のＴ
ＦＴのチャンネル幅Ｗ，チャンネル長Ｌ及び画素面積等
を任意のスケールでスケールアップもしくはスケールダ
ウンした構成とする。このセンサ素子には、表示画素を
駆動するのと同一条件の走査電圧Ｖｇ及び信号電圧Ｖｄ
を入力するか、もしくは振幅及び周期を任意に設定して
も良く、駆動条件については特に限定しない。
する他の実施例を図１８に示す。図中の部品で図１７と
同一部品には同じ符号で記載してある。センサ素子４８
は、表示画素部と同一パターンもしくは表示画素部のＴ
ＦＴのチャンネル幅Ｗ，チャンネル長Ｌ及び画素面積等
を任意のスケールでスケールアップもしくはスケールダ
ウンした構成とする。このセンサ素子には、表示画素を
駆動するのと同一条件の走査電圧Ｖｇ及び信号電圧Ｖｄ
を入力するか、もしくは振幅及び周期を任意に設定して
も良く、駆動条件については特に限定しない。
【００６０】バッファ回路４９には前記センサ素子４８
すなわちソース電圧Ｖｓが入力される。この後、バッフ
ァ回路４９の出力電圧Ｄ１は、補正電圧発生回路５０に
より補正情報すなわち補正電圧Ｄ１を発生する。補正電
圧発生回路５０の詳細については省略するが、例えば検
出したソース電圧を積分回路等で構成した平均化回路に
より平均レベルを求めこれを補正電圧とする。さらに
は、信号電圧ＶｄとＤ１との電圧差ΔＶ１及びΔＶ２を
差動増幅回路等で求めこれを補正電圧とする。
すなわちソース電圧Ｖｓが入力される。この後、バッフ
ァ回路４９の出力電圧Ｄ１は、補正電圧発生回路５０に
より補正情報すなわち補正電圧Ｄ１を発生する。補正電
圧発生回路５０の詳細については省略するが、例えば検
出したソース電圧を積分回路等で構成した平均化回路に
より平均レベルを求めこれを補正電圧とする。さらに
は、信号電圧ＶｄとＤ１との電圧差ΔＶ１及びΔＶ２を
差動増幅回路等で求めこれを補正電圧とする。
【００６１】温度等の環境条件に応じて信号電圧を補正
する他の実施例を図１９に示す。図中の部品で図１８と
同一部品には同じ符号で記載してある。
する他の実施例を図１９に示す。図中の部品で図１８と
同一部品には同じ符号で記載してある。
【００６２】ソース電圧Ｖｓが減衰量によって、センサ
素子４８が画素５１に信号電圧を書き込む時の電流が異
なる。このことから、本実施例は、液晶画素の充放電電
流が減衰量ΔＶ１およびΔＶ２に依存することから、前
記充放電電流を検出することによって補正電圧を求める
ものである。充放電電流は、抵抗５３と差動増幅回路５
４で構成した減衰電圧検出回路５２で検出する。検出さ
れた電圧ＶａのＶｓ１及びＶｓ２を基にして補正電圧を
発生する。なお、センサ素子４８は、画素部と独立に設
けないで表示画素部に接続された信号線に流れる電流を
検出しても良い。
素子４８が画素５１に信号電圧を書き込む時の電流が異
なる。このことから、本実施例は、液晶画素の充放電電
流が減衰量ΔＶ１およびΔＶ２に依存することから、前
記充放電電流を検出することによって補正電圧を求める
ものである。充放電電流は、抵抗５３と差動増幅回路５
４で構成した減衰電圧検出回路５２で検出する。検出さ
れた電圧ＶａのＶｓ１及びＶｓ２を基にして補正電圧を
発生する。なお、センサ素子４８は、画素部と独立に設
けないで表示画素部に接続された信号線に流れる電流を
検出しても良い。
【００６３】本発明の変形例として図２および図１１に
記載した補正電圧回路を図１に記載した信号駆動回路３
もしくは走査駆動回路２に内蔵させても良い。さらに、
前記回路を集積化すると表示装置が簡素化できる。
記載した補正電圧回路を図１に記載した信号駆動回路３
もしくは走査駆動回路２に内蔵させても良い。さらに、
前記回路を集積化すると表示装置が簡素化できる。
【００６４】本発明は、温度や光に対する信号電圧の変
動を補正して液晶印加電圧の直流電圧及び実効電圧の変
動を小さくできる。このため特に、これらの条件の変化
が大きいプロジェクター装置や屋外で使用する頻度の高
いポータブル型装置に用いる液晶表示装置に最適な駆動
法である。
動を補正して液晶印加電圧の直流電圧及び実効電圧の変
動を小さくできる。このため特に、これらの条件の変化
が大きいプロジェクター装置や屋外で使用する頻度の高
いポータブル型装置に用いる液晶表示装置に最適な駆動
法である。
【００６５】
【発明の効果】本発明によって液晶印加電圧に重畳する
直流成分を低減できるために残像やフリッカーなどの画
質低下を低減でき液晶の劣化も防止できるために、高品
質で信頼性の高い表示装置を実現できる。
直流成分を低減できるために残像やフリッカーなどの画
質低下を低減でき液晶の劣化も防止できるために、高品
質で信頼性の高い表示装置を実現できる。
【００６６】また、アクティブ素子駆動特有の液晶印加
電圧の不安定さを解決できるために、液晶ディスプレイ
の製品の適用範囲を拡げることができる。特に、温度や
光量の環境条件の変化が大きい屋外で使用されるポータ
ブル機器やプロジェクターにおいて、表示品質が高く寿
命の高い表示装置を実現できる。
電圧の不安定さを解決できるために、液晶ディスプレイ
の製品の適用範囲を拡げることができる。特に、温度や
光量の環境条件の変化が大きい屋外で使用されるポータ
ブル機器やプロジェクターにおいて、表示品質が高く寿
命の高い表示装置を実現できる。
【００６７】また、蓄積容量を小さくしても液晶印加電
圧の不安定さを解決できるため、液晶パネルの画素の開
口率を高くできる。これによって、バックライトの電力
を低減できることから低消費電力で明るい表示装置を実
現できる。さらには、蓄積容量を除去しても高品質の表
示が可能なことから高歩留まりの表示装置を実現できる
ばかりか、画素ピッチが短いワークステーション対応の
高精細表示に適した表示装置を実現できる。
圧の不安定さを解決できるため、液晶パネルの画素の開
口率を高くできる。これによって、バックライトの電力
を低減できることから低消費電力で明るい表示装置を実
現できる。さらには、蓄積容量を除去しても高品質の表
示が可能なことから高歩留まりの表示装置を実現できる
ばかりか、画素ピッチが短いワークステーション対応の
高精細表示に適した表示装置を実現できる。
【００６８】さらには、半導体層を有する蓄積容量を具
備した液晶パネルにおける液晶印加電圧の不安定さも解
決できるために、特にホト工程を低減した高歩留まり簡
略構造の液晶アクティブマトリクスパネルを使用した装
置の表示品質の向上及び高信頼性化を実現できる。
備した液晶パネルにおける液晶印加電圧の不安定さも解
決できるために、特にホト工程を低減した高歩留まり簡
略構造の液晶アクティブマトリクスパネルを使用した装
置の表示品質の向上及び高信頼性化を実現できる。
【図１】本発明による液晶アクティブマトリクス表示装
置全体の構成例。
置全体の構成例。
【図２】信号電圧の補正手段の第１の実施例。
【図３】ソース電圧の波形例。
【図４】図２に記載した補正手段における補正電圧の一
実施例。
実施例。
【図５】信号駆動回路の一実施例。
【図６】本発明による信号駆動回路の出力例。
【図７】補正電圧の発生回路の変形例。
【図８】補正電圧の変形例。
【図９】信号電圧の補正手段の第２の実施例。
【図１０】図９に記載の補正手段を対象とした液晶駆動
電圧状態例。
電圧状態例。
【図１１】補正電圧発生回路の一実施例。
【図１２】図１１で得られる信号電圧レベル例。
【図１３】補正電圧発生回路の一実施例。
【図１４】信号電圧発生回路の一実施例。
【図１５】温度／光検出段の一実施例。
【図１６】温度／光検出段の一実施例。
【図１７】本発明による表示装置例。
【図１８】本発明による表示装置例。
【図１９】本発明の変形例。
【図２０】公知の液晶アクティブマトリクス表示装置の
構成例。
構成例。
【図２１】図２０の駆動波形例。
【図２２】図２０の駆動波形例。
１，１３，２８…液晶マトリクスパネル、１ａ，１ｂ，
１３ｄ…信号線、１ｃ，１ｄ，１３ｃ…走査線、１ｅ，
１３ａ…ＴＦＴ、１ｆ，１３ｂ，５１…液晶画素、２…
走査駆動回路、３，１２…信号駆動回路、４…制御回
路、５…画像電圧発生手段、６，１９…補正情報発生手
段、６ａ…センサ手段、６ｂ，１６，５０…補正電圧発
生回路、７…コモン電圧発生回路、８…信号電圧源回路
群、８ａ，８ｂ，１７…信号電圧源回路、１０，１８…
演算回路群、１０ａ，１０ｂ…演算回路、１１…選択ス
イッチ回路、１２ｃ〜１２ｅ…階調電圧入力線、１５…
画像電圧発生手段、１６ａ〜１６ｈ，２４ａ〜２４ｈ，
５３…抵抗、２０，２２…Ｄ／Ａ変換回路、２１…メモ
リ、２３…感温素子、２５，２６…スイッチ回路、２７
…反転回路、２９，４８…センサ素子、３０，３１，３
７，３８…センサパッド、３６…液晶、３２，３３…セ
ンサ引出端子、３４，３５…基板、３９…半導体膜、４
０…ゲート絶縁膜、４１，４２，４３，４４…遮光膜、
４５…抵抗／電圧変換回路、４９…バッファ回路、５２
…減衰電圧検出回路、５４…差動増幅回路。
１３ｄ…信号線、１ｃ，１ｄ，１３ｃ…走査線、１ｅ，
１３ａ…ＴＦＴ、１ｆ，１３ｂ，５１…液晶画素、２…
走査駆動回路、３，１２…信号駆動回路、４…制御回
路、５…画像電圧発生手段、６，１９…補正情報発生手
段、６ａ…センサ手段、６ｂ，１６，５０…補正電圧発
生回路、７…コモン電圧発生回路、８…信号電圧源回路
群、８ａ，８ｂ，１７…信号電圧源回路、１０，１８…
演算回路群、１０ａ，１０ｂ…演算回路、１１…選択ス
イッチ回路、１２ｃ〜１２ｅ…階調電圧入力線、１５…
画像電圧発生手段、１６ａ〜１６ｈ，２４ａ〜２４ｈ，
５３…抵抗、２０，２２…Ｄ／Ａ変換回路、２１…メモ
リ、２３…感温素子、２５，２６…スイッチ回路、２７
…反転回路、２９，４８…センサ素子、３０，３１，３
７，３８…センサパッド、３６…液晶、３２，３３…セ
ンサ引出端子、３４，３５…基板、３９…半導体膜、４
０…ゲート絶縁膜、４１，４２，４３，４４…遮光膜、
４５…抵抗／電圧変換回路、４９…バッファ回路、５２
…減衰電圧検出回路、５４…差動増幅回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 雅彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 三島 康之 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 河内 玄士朗 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (21)
- 【請求項１】少なくとも、複数の信号線及び複数の走査
線と，前記信号線及び走査線に接続されたアクティブ素
子と，一方の端子が前記アクティブ素子に接続され他方
の端子がコモン線に接続された液晶画素とからなる液晶
アクティブマトリクスパネルと，前記信号線及び走査線
に印加する信号電圧及び走査電圧を発生する駆動装置と
で構成されて画像を表示する液晶アクティブマトリクス
表示装置において、前記信号電圧の正極側及び負極側の
振幅を温度又は／及び光量の変化に対して独立又は／同
時に可変させたことを特徴とする液晶アクティブマトリ
クス表示装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、温度又は／及び光量の
変化に対する前記信号電圧の正極側及び負極側の可変量
を異ならせたことを特徴とする液晶アクティブマトリク
ス表示装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、前記信号電圧の振幅の
可変量を正極側＞負極側としたことを特徴とする液晶ア
クティブマトリクス表示装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、温度又は／及び光量の
上昇に伴って前記信号電圧の正極側電圧と前記コモン電
圧間の電位差が大きくなることを特徴とする液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置。 - 【請求項５】少なくとも、複数の信号線及び複数の走査
線と，前記信号線及び走査線に接続されたアクティブ素
子と，一方の端子が前記アクティブ素子に接続され他方
の端子がコモン線に接続された液晶画素とからなる液晶
アクティブマトリクスパネルと，前記信号線及び走査線
に印加する信号電圧及び走査電圧を発生する駆動装置と
で構成されて画像を表示する液晶アクティブマトリクス
表示装置において、前記液晶画素の透過光量もしくは液
晶画素の透過光量を決める信号電圧の振幅値と温度又は
／及び光量の変化に応じて前記信号電圧の正極側及び負
極側の振幅を独立又は／同時に可変させることを特徴と
する液晶アクティブマトリクス表示装置。 - 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、前記信号電圧の正極側
及び負極側の可変量を異ならせたことを特徴とする液晶
アクティブマトリクス表示装置。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、前記信号電圧の振幅の
可変量を正極側＞負極側としたことを特徴とする液晶ア
クティブマトリクス表示装置。 - 【請求項８】特許請求の範囲第５項記載の液晶アクティ
ブマトリクス表示装置において、前記信号電圧の振幅の
増大に伴って温度又は／及び光量の変化に対する可変量
を大きくすることを特徴とする液晶アクティブマトリク
ス表示装置。 - 【請求項９】少なくとも、複数の信号線及び複数の走査
線と，前記信号線及び走査線に接続されたアクティブ素
子と，一方の端子が前記アクティブ素子に接続され他方
の端子がコモン線に接続された液晶画素とからなる液晶
アクティブマトリクスパネルと、前記信号線及び走査線
に印加する信号電圧及び走査電圧を発生する駆動装置と
で構成されて画像を表示する液晶アクティブマトリクス
表示装置において、温度及び／もしくは光量を検出する
環境条件検出手段と前記環境条件検出手段の検出情報に
基づき前記信号電圧の正極側及び／もしくは負極側の電
位を同時／もしくは独立に可変する信号電圧補正手段と
を具備したことを特徴とする液晶アクティブマトリクス
表示装置。 - 【請求項１０】特許請求の範囲第９項記載の液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置において、前記信号電圧補正手
段は、信号電圧の正極側及び負極側の可変量を異ならせ
る機能を具備したことを特徴とする液晶アクティブマト
リクス表示装置。 - 【請求項１１】特許請求の範囲第１０項記載の液晶アク
ティブマトリクス表示装置において、前記信号電圧補正
手段は、前記信号電圧の振幅の可変量を正極側＞負極側
とする機能を具備したことを特徴とする液晶アクティブ
マトリクス表示装置。 - 【請求項１２】特許請求の範囲第９項記載の液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置において、前記信号電圧補正手
段は、前記信号電圧の振幅の増大に伴って温度又は／及
び光量の変化に対する可変量を大きくする機能を具備す
ることを特徴とする液晶アクティブマトリクス表示装
置。 - 【請求項１３】特許請求の範囲第９項記載の液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置において、前記信号電圧補正手
段を集積化して前記液晶アクティブマトリクスパネルの
近傍に設けたことを特徴とする液晶アクティブマトリク
ス表示装置。 - 【請求項１４】特許請求の範囲第９項記載の液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置において、前記信号電圧補正手
段を前記信号電圧を発生する信号駆動回路又は／もしく
は前記走査電圧を発生する走査駆動回路の内部に集積化
したことを特徴とする液晶アクティブマトリクス表示装
置。 - 【請求項１５】特許請求の範囲第９項記載の液晶アクテ
ィブマトリクス表示装置において、前記環境条件検出手
段は、前記液晶アクティブマトリクスパネルの内部に設
けたことを特徴とする液晶アクティブマトリクス表示装
置。 - 【請求項１６】特許請求の範囲第１５項記載の液晶アク
ティブマトリクス表示装置において、前記環境条件検出
手段は、前記アクティブ素子を形成するプロセスと同時
に形成したことを特徴とする液晶アクティブマトリクス
表示装置。 - 【請求項１７】特許請求の範囲第１６項記載の液晶アク
ティブマトリクス表示装置において、前記環境条件検出
手段は、半導体層の抵抗変化もしくは前記液晶画素の電
圧変化を検出するようにしたことを特徴とする液晶アク
ティブマトリクス表示装置。 - 【請求項１８】特許請求の範囲第１項及び第９項記載の
液晶アクティブマトリクス表示装置において、前記アク
ティブ素子はａ−ＳｉＴＦＴもしくはｐ−ＳｉＴＦＴで
あることを特徴とする液晶アクティブマトリクス表示装
置。 - 【請求項１９】特許請求の範囲第１８項記載の液晶アク
ティブマトリクス表示装置において、前記アクティブ素
子に含まれる半導体層を有するコンデンサーが交流的に
前記液晶画素と並列に接続されたことを特徴とする液晶
アクティブマトリクス表示装置。 - 【請求項２０】特許請求の範囲第１８項記載の液晶アク
ティブマトリクス表示装置において、前記コンデンサー
は、前記液晶画素の一方の端子と走査線との間に形成さ
れたことを特徴とする液晶アクティブマトリクス表示装
置。 - 【請求項２１】光学系と液晶アクティブマトリクスパネ
ルと液晶アクティブマトリクスパネルを駆動する駆動装
置からなり、前記液晶アクティブマトリクスパネルに表
示される画像を拡大してスクレーン上に拡大するプロジ
ェクター及びパーソナルコンピューター及びモニターに
おいて、特許請求の範囲第１項及び第９項記載の構成と
したことを特徴とする画像機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381094A JPH07253765A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 液晶アクティブマトリクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381094A JPH07253765A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 液晶アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07253765A true JPH07253765A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12674106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4381094A Pending JPH07253765A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 液晶アクティブマトリクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07253765A (ja) |
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