TWI248099B - Chip-type solid electrolytic capacitor and method of producing the same - Google Patents

Chip-type solid electrolytic capacitor and method of producing the same Download PDF

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TWI248099B TW093117002A TW93117002A TWI248099B TW I248099 B TWI248099 B TW I248099B TW 093117002 A TW093117002 A TW 093117002A TW 93117002 A TW93117002 A TW 93117002A TW I248099 B TWI248099 B TW I248099B
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1248099 九、發明說明: 本專利申請案主張先前日本申請案JP 2003 - 1 70428號 之優先權,其內容倂合在本文做爲參考文獻。 (一) 發明所屬之技術領域 本發明揭示一種晶片型固態電解電容器,使用閥金屬 (valve metal)之燒結體做爲陽極構件(anode member),及其 製造之方法;更明確地,一種具有大容量及低等效串連電 阻(下文簡稱爲ESR)之晶片型固態電解電容器,及其製造 方法。 (二) 先前技術 在固態電解電容器中,以陽極構件之電解氧化所獲得 氧化物層,使用做爲介電板件。陽極構件包含所謂閥金屬 之諸如鋁、鉅.、鈮、鈦、飴及锆的燒結體,允許形成密緻 及非常絕緣性之氧化物層。 通常,上述之固態電解電容器之製造方法,包含下列 步驟:以閥金屬之燒結體的電化學陽極氧化來形成氧化物 層,做爲陽極構件;形成陰極層及連結到其陰極端;及連 接陽極端到陽極引線,因而獲得電容器。例如,氧化鎂使 用爲陰極層。爲了進一步改善頻率特性,開發一種固態電 解電容器,其中導電性聚合物(conductive polymer)使用做 爲陰極層,使得E S R減少。 參照第1 A及1 B圖,來說明典型習用晶片型固態電解 電容器。如第1A及1B圖所示,固態電解電容器包含:電 容器元件1、陽極引線2、陰極端3及陽極端6。電容器元 1248099 件1包含陽極構件7、氧化物層8及陰極層9。陽極引線2 自陽極構件7來引出。上述組件封裝在以樹脂模塑所形成 封包樹脂1 0內。 如第1 A圖所示,陽極引線2以氧化物層8和陰極層9 來絕緣。如第1 B圖所示,陰極端3及陽極端6大致形成順 著封包樹脂10之形狀,使得適用於表面黏著(surface mounting) 〇 具有適用於表面黏著之此種結構的晶片型固態電解電 容器具有體積小、電容大及頻率特性優越,而且廣泛地使 用在CPU等的電源供給電路。然而,因此CPU之作業頻率 變得愈高,所以愈多需求在電源供給電路之雜訊特性改善 ,以及可允許漣波電流之增加。結果,需要ESR進一步降 低之電容器。 進一步,一種安裝CPU之裝備,正開發成更小體積及 更強功能。因而,不僅必需同時滿足較低E S R之需求以及 小體積、大電容及薄厚度之需求。 大致上,如果多數電容器並聯連接,總電容(Ct〇tai)及 總 ESR(ESRt()tal)產生如下·· C t 〇 t a 1 = C 1 + C 2 + *·· +Cn (1) l/ESRt〇tai=l/ESRi + l/ESR2+··· + l/ESRn (2) 在此,Ci及ESRi表示分別在第i項電容器(在1及n 之間的自然數)的電容及ESR ° 因此,以並聯地連接具有第I A圖所示形狀之多數電容 器元件,電容將增加,而E S R降低。這也適用到固態電解 1248099 電容作爲傳輸線雜訊濾波器(transmission line noise filter) 之情形。 曰本專利申請案公報第200 1 -284 1 92號(參考文獻 揭示一種並聯地連接多數電容器之第一習用技術。特定地 ,具有第1 A圖所示結果之多數電容器元件的陽極引線,連 接到包含引線框架之陽極端。至少一個電容器元件之陰極 層連接到包含引線框架之陰極端。 參照第2圖,來說明參考文獻1所揭示多數電容器元 件之連接。在附圖中,兩個電容器元件經由包含引線框架 之陰極端3c,以使用銀膏(silver paste)來相互地連接。陽 極引線2 d分別地連接到包含引線框架之陽極端6的相對表 面。 本發明者開發第二習用技術做爲參考文獻所揭示第一 技術之進一步改良。本發明所揭示第二習用技術是日本專 利申請案第2003-106565號(尙未公告)之主題。在第二習用 技術中,多數電容器元件以下述方式來連接。平板狀陽極 端提供有至少一個縫隙,而且以縫隙細分成多數部分,其 在垂直於陽極端之平面的方向中彎曲形成分支部(branched portion)。電容器元件之陽極引線分別個別地連接到陽極端 的分支部。 參照第3圖,來說明第二習用技術所揭示多數電容器 元件之連接。在第3圖中,兩個電容器元件相互地連接。 陽極引線2a及2c分別地自電容器元件la及lc來引出。 陰極端3d插置在電容器元件la及lc之間。陽極引線2a 1248099 及2c連接到陽極端6a。 如第3圖所示,陽極端6a具有平板狀形狀,而且具有 以縫隙細分端部成爲兩部分,其在第3圖垂直方向中彎曲 來形成分支部。各陽極引線2a及2c自電容器元件la及lc 之側表面來引出,而且定位在鄰接側表面之端部。電容器 元件la及1 c積疊,使得陽極引線2a及2c相互地分離。 電容器元件la及lc經由陰極端3d來連接。因此,在 各電容器元件之表面上所形成陰極層(未圖示)連接到陰極 端3d。在參考文獻2中,陽極引線2a及2c以上述方式來 連接到陽極端6a,使得避免以焊接所形成溶核(nuggets)間 或銅焊(brazing)所形成焊縫(fillet)間之干擾,以及抑制在 接合強度之變動。 然而,在上述參考文獻中所示技術中,電容器元件幾 乎是個別及分離地接合到陰極端。電容器元件之表面條件 不均勻。進一步,所施加來接合電容器元件及陰極端之導 電黏著劑量不均勻。二個電容器元件分別地以導電黏著劑 來個別地連接到陰極端之相對表面。因此,在電容器元件 及陰極端間之接合強度之不均勻或變動容易發生。例如, 在一個電容器元件及陰極端間的接合強度會在管理標準之 內,而在另一電容器元件及陰極端間之接合強度不會符合 標準。結果,接合強度之變動難於抑制。這會導致固態電 解電容器做爲最後成品之特性的變動。 (三)發明內容 本發明之目的在提供一種晶片型固態電解電容器,其 1248099 包含以並聯地連接之多數電容器元件,使得符合電容增加 變動。 本發明之另一目的在提供一種製造上述晶片型固態電 解電容器之方法。 爲了獲得上述目的,考慮在電容器元件之接合表面間 所插置陰極端的形狀。結果,提出本發明。 根據本發明,提供一種晶片型固態電解電容器,包括 多數電容器元件,其各具有包含閥金屬燒結體之陽極構件 、介電質氧化物層、在介電質氧化物層上所形成陰極層及 連接到陽極構件之陽極引線,電容器元件並聯地相互電氣 連,其中陰極層經由平板狀陰極端相互地面對,陰極層具 有相互接合之正對表面,陽極引線連接到陽極端,陰極端 提供有通孔(through hole)或凹口(cutout),形成在接觸陰極 層之部分處。 根據本發明,電容器元件以充塡接合劑在各陰極層及 陰極端間之介面處及在通孔或凹口內來相互地接合。 根據本發明,對應電容器元件之陽極引線在垂直於電 容器元件之接合表面的方向中相互地間隔開。 根據本發明,陽極端具有多數分支部在數量上至少等 於電容器元件之數量。陽極引線在垂直於電容器元件之接 合表面的方向中相互地間隔開,而且個別地連接到分支部 根據本發明,提供一種製造晶片型固態電解電容器之 方法,包含下列步驟:在燒結閥金屬所獲得陽極構件上來 1248099 形成介電質氧化物層及陰極層;以連接陽極引線到陽極構 件來產生電容器元件;以陰極層相互相面對,而經由具有 通孔及凹口之至少其一的陰極端,來積疊多數電容器元件 :在各合電容器元件及並聯地電氣連接電容器元件。 根據本發明,本方法進一步包含下列步驟:配置對應 電容器元件之陽極引線,使得陽極引線在垂直於電容器元 件之接合表面的方向中相互地間隔開;及在電容器元件上 配置其對應之陽極引線,使得包含陽極引線之中心線及垂 直於接合表面的平面沒有相互重疊。 在根據本發明之晶片型固態電解電容器中,在電容器 元件之接合表面間所插置的陰極端提供有通孔或凹口,形 成在所要接觸電容器元件之部分處。具有本結構,以接合 劑所直接地連接之電容器元件的接合表面變寬。結果,因 爲陰極端之插置所以接合強度的變動抑制。 在陰極端內所形成通孔或凹口顯示改良接合之錨定效 用的功能,使得不僅接合強度之變動減少,而且接合強度 本身也改善。如此,本發明具有效用在降低晶片型固態電 解電容器之特性變動以及改善可靠性。 (四)實施方式 現在參照附圖來說明本發明。 參照第4圖,根據本發明之其一實施例的晶片型固態 電解電容器,包含兩個電容器元件la及lc。陽極引線2a 及2c自電容器元件la及lc來引出,而且連接到陽極端6a 。陰極端3a提供有通孔4a。電容器元件ia及ic使用接合 -10- 1248099 劑5來相互地接合。 各電容器元件la及lc基本上和第 。在此’將說明關於組使用爲閥金屬情 電容器的典型方法。首先,鉬線安置在 鉬粉模塑成模塑體。模塑體以預定溫度 式中’分別地獲得具有陽極引線2a及2 陽極引線2a及2c自陽極構件7之側表 位在其一端處。燒結是在真空大氣中實 其次,陽極構件7除了鉅線之外, 而形成第1A圖之氧化鉅層8。具有氧化 之陽極構件7,浸泡在硝酸鎂溶液中, 氧化物層8。結果,以熱分解來形成二 成以石墨或銀所製成之陰極層9。如此 件1 a及1 c。 如果導電性聚合物,諸如聚硫代苯 聚吡咯鹽(polypyrrole)使用爲陰極層9 則ESR容易降低。在此,鉬使用爲閥金 使用鈮、鋁、鈦或其類同物。 如此所獲得兩個電容器元件1 a及1 積疊,使得陽極引線2a及2c在離心位 個電容器元件1 a及1 c以使用接合劑5 著劑來相互地接合。陰極端3 a提供有通 容器元件la及lc所接觸之位置處。 以使用具有上述結構之陰極端,電ί 1 Α圖所示結構相同 形之製造固態電解 模具之空腔內,而 來燒結。在上述方 c之陽極構件7。各 面來引出,而且定 施。 經過陽極氧化,因 鉅層8形成在其上 使得硝酸鎂附著到 氧化鎂。然後,形 ’獲得各電容器元 (polythiophene)或 來替代二氧化鎂, 屬。替代性地,可 c經由陰極端3 a來 置處相互遠離。兩 諸如焊劑或導電黏 孔4 a,形成在各電 容器元件1 a及1 c -11" 1248099 之接合表面直接地連接在通孔4a處,如第4B圖所示。因 此,可改善接合強度,而且降低接合強度之變動。以使用 具有第4A圖所不分支部之陽極端6a及以配置如第4A圖 所示陽極引線2 a及2 c來獲得之效用,完全地和上述相同 〇 在此,陰極端3 a提供具有圓形形狀之通孔4 a。然而, 通孔4 a之形狀不限定在圓形形狀。替代通孔,也可形成凹 口。進一步,可形成通孔及凹口兩者。參照第7A至7C圖 ,將說明各種形狀之通孔及凹口。在第7A圖,通孔具有正 方形形狀。在第7B圖中,具有正方形形狀之凹口形成在長 側。在第7 C圖中,具有正方形形狀之凹口形成在短側。在 第7D圖中,具有三角形形狀之凹口形成在短側。在第7E 圖中,具有三角形形狀之凹口形成在長側。在第7 F圖中, 具有弧形形狀之凹口形成在短側。在第7 G圖中,具有弧形 形狀之凹口形成在長側。通孔或凹口可依電容器元件之形 狀而適當地設計。 參照第5 A及5 B圖,根據本發明另一實施例之晶片型 固態電解電容器包含三個電容器元件1 a、1 b及1 c。如第 5 A及5B圖所示,陽極引線2a、2b及2c分別地連結在附 圖之最左側位置、中心位置及最右側位置。當三個電容器 元件la、lb及lc積疊時,陽極引線2a、2b及2c在垂直 於電容器元件1 a、1 b及1 c之接合表面的方向中相互地間 隔開,而且定位使得包含陽極引線2a、2b及2c之中心線 及垂直於接合表面的三個平面沒有重疊。包含陽極引線2a -12- 1248099 、2 b及2 c之中心線及垂直於接合表面的三個平面相互地 平行,而且大致等間隔。 陽極_ 6 b以兩個縫隙來細分二個部分。在這二個部分 中,在相對端處之兩個部分在附圖之垂直方向中向上及向 下彎曲。如此,形成三個分支部。陽極引線2a、2b及2c 分別地連接到陽極端6b之分支部,使得以焊接及銅焊之互 擾(mutual interference)抑制。 另一方面,如第5B圖所示,陰極端3b在附圖之垂直 方向中分支。分支部分別地提供正方形通孔4b及4c。電 容器元件la及lb之接合表面直接地在通孔4b處來連接, 而電容器元件lb及lc之接合表面直接地在通孔4c處來連 接。具有本結構,可改善接合強度,而且降低接合強度之 變動。參照第5 c圖,圖示形狀修改之陰極端3 b,。明確地 ’陰極端3b’具有寬度縮小之分支部,而且可自單片平板狀 材料來形成。 在三個或以上之電容器元件接合的情形中,陰極端不 需要具有如第5B圖所示之分支部。電容器元件提供有陰極 層做爲外層,因此,在所要接合電容器元件之陰極層中的 電氣連接,以使用導電接合劑來確保,其很容易地來一體 地結合陰極層。然後,陰極端可連結到一體結合之陰極層 〇 參照第6圖,電容器元件之陰極層9以導電接合劑5 來接合,而且連接沒有任何分支部之陰極端3 c。陰極端3 c 具有通孔4 d。 -13- 1248099 如第6圖所示,電容器元件之陰極層9以接合劑5電 氣地連接,因此,陰極端3 c不需要分支,而且簡單地連接 到第6圖所示最底部電容器元件之底表面。替代性地,陰 極端3 c可插置在間電容器元件及最底部電容器元件之間 。在本情形中,在陰極端3 c所形成通孔4d也在陰極層9 及陰極端3 c間之接合,提供錨定效用。如此,連接之可靠 性可改善。 爲了驗證改善接合強度之效用,實施實驗測試如下文 。製備如第4A圖所示包含二個電容器元件相互接合之固態 電解電容器1 00個樣品,及如第4 A圖所示相同結構但陰極 端沒有通孔或凹口之比較樣品1 0 0個。對於這些樣品來取 得接合強度之平均値及標準差(standard deviation)。結果, 如比較陰極沒有通孔的這些樣品,則其陰極具有通孔之樣 品,即以本發明之方法來接合的兩個電容器元件,獲得平 均値增加3 5 %,而標準差降低4 1 %。 如上所述’根據本發明在包含多數電容器元件並聯地 連接之晶片型固態電解電容器中,其可抑制電容器元件之 接合強度變動,增加平均接合強度、降低特性變動、及確 保高可靠度。 雖然本發明已連同其數個較佳實施例來表示及說明, 但是擅於本技術者容易理解本發明不限定在上述說明,而 是可以各種其他方式來改變及修改,而沒有脫離如申請專 利範圍所說明之本發明的精神及範圍。 -14- 1248099 器 容 電 用 使 所 中 器 容 電 解 ιρτ 態 固 用 習 型 月奥。 i曰疋示 單圖圖 簡 A 面 式1剖 圖第之 ) 件 S 元 弟1B圖是包含第ία圖所示電容器元件之固態電解電 容器之透視圖示。 第2圖是根據第一習用技術之多數電容器元件相互地 連接的透視圖示。 第3圖是根據第二習用技術之多數電容器元件相互地 連接的透視圖.示。 第4A圖是根據本發明實施例之兩個電容器元件相互地 接合的晶片型固態電解電容器部分透視圖示。 第4 B圖是第4 A圖所示晶片型固態電解電容器的側視 圖示。 第5A圖是根據本發明另一實施例之包含三個電容器元 件的晶片型固態電解電容器部分透視圖示。 第5B圖是第5A圖所示晶片型固態電解電容器之陰極 端透視圖示。 第5 C圖是陰極端之修改例的透視圖示。 第6圖是陰極層以陰極端來連接而沒有任何分支部之 實例的圖示。 第7A圖是正方形通孔之圖示。 第7B圖是在長側所形成正方形凹口之圖示。 第7 C圖是在短側所形成正方形凹口之圖示。 第7D圖是在短側所形成三角形凹口之圖示。 1248099 第7E圖是在短側所形成三角形凹口之圖示。 第7F圖是在短側所形成弧形凹口之圖示。 第7 G圖是在長側所形成弧形凹口之圖示。 主要元件符號說明 1 電容器元件 2 陽極引線 3 陰極端 6 陽極端 7 陽極構件 8 氧化物層 9 陰極層 10 封包樹脂 -16-

Claims (1)

1248099 十、申請專利範圍: 1 . 一種晶片型固態電解電容器,包括多數電容器元件各具 有包含閥金屬燒結體之一陽極構件、一介電質氧化物層 、一在該介電質氧化物層表面上所形成之陰極層、及一 連接到該陽極構件之陽極引線,該電容器元件相互並聯 電氣連接,其中: 該陰極層經由平板形陰極端來相互地面對; 該陰極層具有相互地接合之正對表面; 該陽極引線連接到該陽極端;以及 該陰極端提供有通孔或凹口,形成在所要接觸該陰 極層之部分處。 2 .如申請專利範圍第1項之晶片型固態電解電容器,其中: 該電容器元件以充塡接合劑在各該陰極層及該陰極 端間的介面處、及在該通孔或凹口內,來相互地接合。 3 .如申請專利範圍第1或2項之晶片型固態電解電容器, 其中: 對應該電容器元件之陽極引線在垂直於該電容器元 件之接合面的方向中相互地間隔開。 4 .如申請專利範圍第3項之晶片型固態電解電容器,其中: 該陽極端具有多數分支部,至少數量等於該電容器 元件之數量; 該陽極引線在垂直該電容器元件之接合表面的方向 中相互地間隔開,而且個別地連接到該分支部。 5 . —種製造晶片型固態電解電容器之方法,包含下列步驟: -17- 1248099 在燒結閥金屬所獲得陽極構件上來形成介電質氧化 物層及陰極層; 以連接該陽極引線到該陽極構件來產生電容器元件; 經由具有通孔及凹口之至少其一的陰極端,使得多 數該電容器元件和相互面對之陰極層來積疊; 在各該陰極層及該陰極端間之介面處、及在該通孔 及/或凹口內,充塡接合劑;以及 接合該電容器元件,而且並聯地電氣連接該電容器 元件。 6 ·如申請專利範圍第5項製造晶片型固態電解電容器之方 法,其中進一步包含下列步驟: 配置對應該電容器元件之陽極引線,使得該陽極引 線在垂直於該電容器元件之接合表面的方向中相互地間 隔開。 7 .如申請專利範圍第5或6項製造晶片型固態電解電容器 之方法,其中該通孔具有圓形形狀、正方形形狀或多邊 形形狀。 -18·
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191466A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tdk Corp コンデンサ
US7419084B2 (en) * 2004-11-24 2008-09-02 Xerox Corporation Mounting method for surface-mount components on a printed circuit board
CN102299886B (zh) 2004-12-23 2017-09-12 韩国电子通信研究院 用于在无线通信系统中生成和发送帧的装置及方法
KR101117041B1 (ko) * 2005-05-13 2012-03-19 사가 산요 고교 가부시키가이샤 적층형 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법
US7468882B2 (en) * 2006-04-28 2008-12-23 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
KR100887453B1 (ko) * 2007-02-21 2009-03-10 삼화콘덴서공업주식회사 Smd형 세라믹 디스크 커패시터
KR100944749B1 (ko) * 2007-11-30 2010-03-03 삼화콘덴서공업주식회사 Smd형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
US8125769B2 (en) 2010-07-22 2012-02-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
CN102347137B (zh) * 2010-07-29 2014-04-02 禾伸堂企业股份有限公司 电容器结构及其制造方法
US8259436B2 (en) 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8514550B2 (en) * 2011-03-11 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive
KR101278507B1 (ko) 2011-05-24 2013-07-02 주식회사 엘지화학 전극 구조체 강도를 개선한 이차 전지
US8741214B2 (en) * 2011-10-17 2014-06-03 Evans Capacitor Company Sintering method, particularly for forming low ESR capacitor anodes
US8837166B2 (en) * 2011-10-28 2014-09-16 Hamilton Sundstrand Corporation Vertically mounted capacitor assembly
WO2014116843A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Kemet Electronics Corporation Solid electrolytic capacitor and method of manufacture
JP7008182B2 (ja) * 2016-09-29 2022-01-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサ
CN107958786A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 钰邦电子(无锡)有限公司 堆叠型固态电解电容器封装结构及其制作方法
TWI616914B (zh) * 2016-10-14 2018-03-01 鈺邦科技股份有限公司 堆疊型固態電解電容器封裝結構及其製作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2973499B2 (ja) * 1990-09-13 1999-11-08 松下電器産業株式会社 チップ型固体電解コンデンサ
JPH0757971A (ja) * 1993-08-11 1995-03-03 Mitsubishi Materials Corp 複合セラミックコンデンサ
EP0650193A3 (en) 1993-10-25 1996-07-31 Toshiba Kk Semiconductor device and method for its production.
JP3755336B2 (ja) * 1998-08-26 2006-03-15 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2001006986A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2001126958A (ja) 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Aic Inc チップ形固体電解コンデンサ
JP3945958B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6501270B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 Siemens Vdo Automotive Corporation Hall effect sensor assembly with cavities for integrated capacitors
US6343044B1 (en) * 2000-10-04 2002-01-29 International Business Machines Corporation Super low-power generator system for embedded applications
JP2003017368A (ja) * 2001-07-02 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP4472277B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-02 Necトーキン株式会社 チップ型固体電解コンデンサ

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