KR100944749B1 - Ｓｍｄ형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 하여 정전 용량을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 옆면 방전을 최소화하여 세라믹 자체의 절연 내력보다 구조적 특징으로 인해 내전압이 감소되는 현상을 방지할 수 있는 SMD형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 세라믹 소재를 고온에서 소결하여 형성되며, 내부를 관통하도록 중공이 형성된 세라믹 소자; 상기 중공의 일면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 내부 전극; 상기 세라믹 소자의 외주면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 외부 전극; 상기 중공에 삽입되어 상기 내부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 내부 전극 단자; 상기 외부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 외부 전극 단자; 및 상기 세라믹 소자의 외주면과 상기 내부 전극 및 외부 전극을 절연시키기 위하여, 상기 세라믹 소자, 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자의 일부를 감싸도록 몰딩하는 몰딩재를 포함하는 SMD형 세라믹 커패시터를 제공한다. 또한 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.
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Description

ＳＭＤ형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법{SMD Type Ceramic Capacitor And Manufacturing Process of the same}
본 발명은 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 하여 정전 용량을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 옆면 방전을 최소화하여 세라믹 자체의 절연 내력보다 구조적 특징으로 인해 내전압이 감소되는 현상을 방지할 수 있는 SMD형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 세라믹 디스크 커패시터(ceramic disk capacitor)의 구성을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 일 실시형태에 따른 세라믹 디스크 커패시터의 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래의 세라믹 디스크 커패시터(1)는 레이디얼(Radial), 즉 리드(lead)형으로 세라믹 디스크(2), 전극부재(3), 리드단자(4) 및 수지(5)로 구성된다. 여기서 수지(5)는 에폭시나 페놀이 사용된다.
세라믹 디스크(2)의 양측면에 각각 전극부재(3)가 형성되며, 각각의 전극부재(3)에 리드(4)가 설치된다. 리드(4)가 설치되면 세라믹 디스크(2)를 보호하기 위해 수지재질을 이용하여 세라믹 디스크(2)를 밀봉하여 종래의 세라믹 디스크 커패 시터(1)를 조립하게 된다.
종래와 같은 세라믹 디스크 커패시터는 인쇄회로기판에 형성된 홀(hole)에 삽입되어 실장됨으로써 별도의 자삽 설비가 필요할 뿐만 아니라, 전체적으로 부품의 실장 높이를 증가시키게 된다. 부품의 실장 높이가 증가되는 종래의 세라믹 디스크 커패시터를 전기 및 전자제품에 사용하는 경우에 전기 및 전자제품을 경박단소화시키기 어려운 문제점이 있다. 또한, 종래의 세라믹 디스크 커패시터는 평탄한 세라믹 디스크를 둘러싸고 있는 수지의 두께가 일정하지 않아 고압 제품 제작시 내압 불량이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 도 2와 같은 SMD(Surface Mount Device)형 구조로 개선된 세라믹 커패시터가 개발되었다.
도 2는 종래 SMD형 세라믹 커패시터의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 SMD형 세라믹 커패시터는, 세라믹 소재로 이루어진 유전체(10)의 양면에 부착된 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12)과, 상기 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12)의 일측에 각 일단이 연결된 제 1리드(13)와 제 2리드(14), 그리고 상기 유전체(10)의 측면과 상기 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12) 등을 절연시켜 주기 위해 에폭시와 실리카가 주성분인 EMC(Epoxy Molding Compound)소재로 이루어진 몰드(15)로 구성된다.
여기서, 상기 몰드(15)는 상기 제 1리드(13)와 제 2리드(14) 사이에 인가되는 고전압에 의해 발생될 수 있는 플래쉬 오버(flash over) 현상을 방지하면서 각 구성 요소간의 조립성을 부여하며 고온, 내습과 같은 환경적 신뢰성을 보완하여 주 는 기능을 가지고 있다.
그런데, 상기 세라믹 커패시터에 고전압이 인가될 경우 상기 몰드(15)에 의해 절연 성능이 향상되었음에도 불구하고, 상기 몰드(15)의 여러 종류의 요인으로 인하여 절연이 파괴되어 커패시터가 파괴되는 문제점이 발생할 수 있다.
이때, 절연 파괴의 요인 중 대표적인 것으로 충분한 절연성 확보를 위해 양 리드간의 거리를 확보하지 못하는 것이 가장 큰 이유이다. 이는 기판에 실장되는 소자들의 밀집도 향상을 위해 소자 크기를 충분하게 확보할 수 없기 때문이다.
이러한 문제점을 개선하기 위해 종래에는 상기 몰드(15)의 두께나 폭을 최대한 확장하거나, 각 리드간의 표면 거리를 연장시키기 위해 도 3(동일 참조번호는 도 2의 설명과 같다)의 일례와 같이 몰드(15)의 일면에 톱니 형태 또는 반원형태의 요철부(15a)를 형성하여 패키징하거나, 양면의 각 단부에 배리어를 형성함으로써 절연성을 높였다.
그런데, 이와 같은 상기 몰드(15) 구조로 변경하게 되면, 몰드(15)의 표면이 평탄하지 못하므로 후 공정 작업(표면실장 공정)을 원활하게 진행할 수 없게 되는 문제점을 야기시킬 수 있는 문제점이 있다. 이때, 발생할 수 있는 문제점으로는 제품 구별을 위해 실시하는 마킹 표시의 공간적 제한 및 제품 실장을 위해 에어핀셋을 사용시 진공이 되지 않아 작업성이 떨어지는 등의 문제점이 나타날 수 있다.
또한, 고압용 커패시터의 절연 파괴의 요인으로 상기 몰드(15)의 표면에 형성되는 마크(용량 및 제조업체 등의 표시)를 형성하는 도중에 발생되는 크랙 등의 표면 결함(defect)으로 인하여 절연이 파괴되는 문제점이 있다.
일반적으로 커패시터의 정전 용량은 대향하는 전극 사이에 삽입된 유전체의 면적에 비례하여 증가한다. 상기한 도 1 내지 도 3에 도시된 종래 커패시터는 유전체의 양측면에 대향 전극이 배치되어 있는 구조를 가지고 있어 단위 체적당 대향 전극의 면적이 작고, 외부 전극단자의 구조가 복잡한 성형 작업을 거쳐야 하는 문제가 있다.
또한, 내부의 대향 전극이 유전체 보다 작은 구조를 가지고 있어 도전성 페이스트를 사용한 딥-코팅(dip coating) 공정으로 형성할 때 전극의 은넘침으로 인한 내전압 불량이 발생할 가능성이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 하여 정전 용량을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 옆면 방전을 최소화하여 종래 세라믹 커패시터에서와 같이 세라믹 자체의 절연 내력보다 구조적 특징으로 인해 내전압이 감소되는 현상을 방지하는 SMD형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 제조공정이 단순하고, 내부 전극 및 외부 전극을 도전성 페이스트를 사용한 딥-코팅 방법을 사용할지라도 양단부의 표면 연마를 통해 전극을 분리시켜 내전압 불량 없이 커패시터 소자를 제조할 수 있는 SMD형 세라믹 커패시터 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 세라믹 소재를 고온에서 소결하여 형성되며, 내부를 관통하도록 중공이 형성된 세라믹 소자; 상기 중공의 일면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 내부 전극; 상기 세라믹 소자의 외주면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 외부 전극; 상기 중공에 삽입되어 상기 내부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 내부 전극 단자; 상기 외부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 외부 전극 단자; 및 상기 세라믹 소자의 외주면과 상기 내부 전극 및 외부 전극을 절연시키기 위하여, 상기 세라믹 소자, 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자의 일부를 감싸도록 몰딩하는 몰딩재를 포함하는 SMD형 세라믹 커패시터를 제공한다.
바람직하게는, 상기 세라믹 소자는 육면체 형태로 형성되며, 사각형의 단면을 가지는 중공이 내부를 관통하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 세라믹 소자는 원통형으로 형성되며, 원형의 단면을 가지는 중공이 내부를 관통하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자는 수회 절곡되어 형성되며, 그 말단은 각각 상기 몰딩재의 외측을 향하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 내부 전극 및 외부 전극은 각각 아연(Zn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 주성분으로 포함하는 도전성 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰딩재는 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 과립의 세라믹 원료를 세라믹 소자의 내부를 관통하는 중공이 형성된 형태로 성형한 후 고온에서 소성하여 중공형 세라믹 소자를 형성하는 단계; 상기 세라믹 소자의 외측면을 도전성 재료로 코팅한 후 소성하는 단계; 상기 세라믹 소자의 양측면을 연마하여 중공 내부에 코팅된 내부 전극과 세라믹 소자의 외주면에 코팅된 외부 전극을 분리시키는 단계; 전도성의 내부 전극 단자를 상기 중공 내부로 삽입하여 상기 내부 전극 위에 부착하고, 전도성의 외부 전극 단자를 상기 세라믹 소자의 외주면에 형성된 상기 외부 전극과 평행하게 부착하는 단계; 및 몰딩재를 사용하여 상기 세라믹 소자와 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자의 일부를 감싸도록 몰딩하는 단계를 포함하는 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 세라믹 소자의 소성 온도 범위는 1000℃ 내지 1500℃ 사이인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 세라믹 유전체 원료로는 대표적으로 BaTiO3계, BaO-NdO-TiO계, CaTiO3-SrTiO3계 및 MgTiO2-CaTiO3계 세라믹 재료 중 적어도 하나로 이루어지며, 유전율 3 내지 20,000 사이의 범위를 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 세라믹 소자는 육면체 또는 원통형 형태로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 내부 전극 및 외부 전극은 도전성가지는 아연(Zn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 주성분으로 포함하는 도전성 페이스트를 상기 세라믹 소 자에 코팅한 후 소결하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰딩재는 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터는 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 하여 정전 용량을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 옆면 방전을 최소화하여 종래 세라믹 커패시터에서와 같이 세라믹 자체의 절연 내력보다 구조적 특징으로 인해 내전압이 감소되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 이와 같은 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터는 단자와 몰딩재 사이의 거리가 멀어 내전압 특성이 우수하며, 제조공정이 간단하고 단자 형상이 단순하여 제조 비용 및 시간을 절감할 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작성의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 SMD형 세라믹 커패시터의 사시도, 도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 커패시터의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터는, 세라믹 소재를 고온에서 소결하여 형성된 세라믹 소자(100), 상기 세라믹 소자(100)를 관통하도록 형성된 중공(101)의 일면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 내부 전극(110), 상기 세라믹 소자(100)의 외주면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 외부 전극(120), 상기 중공(101)에 삽입되어 상기 내부 전극(110)과 전기적으로 연결되는 전도성의 내부 전극 단자(111), 상기 외부 전극(120)과 전기적으로 연결되는 전도성의 외부 전극 단자(121), 및 상기 세라믹 소자(100)의 외주면과 상기 내부 전극(110) 및 외부 전극(120)을 절연시키기 위하여, 상기 세라믹 소자(100) 및 내외부 전극 단자(111, 121)의 소정부를 몰딩하는 몰딩재(130)를 포함한다.
바람직하게는 상기 몰딩재(130)는 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용할 수 있다.
여기서, 상기 몰딩재(130)는 상기 내부 전극 단자(111)와 외부 전극 단자(121) 사이에 인가되는 고전압에 의해 발생될 수 있는 플래쉬 오버(flash over) 현상을 방지하면서 각 구성 요소간의 조립성을 향상시키고 고온, 내습과 같은 환경적 신뢰성을 보완하여 주는 기능을 가진다.
한편, 상기 내부 전극 단자(111)와 외부 전극 단자(121)는 수회 절곡되어 형성되며, 그 말단은 각각 상기 몰딩재(130)의 외측을 향하도록 형성됨으로써 상기 내부 전극 단자(111) 및 외부 전극 단자(121) 사이의 간격이 협소하기 때문에 발생될 수 있는 플래쉬 오버 현상을 방지하여 SMD형 세라믹 커패시터의 내전압 특성을 개선함으로써 제품의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 소자의 형상을 도시한 도면이다.
도 6a를 참조하면, 본 발명의 세라믹 소자(100)는 육면체 형태로 형성되어 세라믹 소자(100)를 관통하도록 형성되는 중공(101) 역시 사각형의 단면을 갖도록 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는 도 6b에 도시된 바와 같이 원통형의 세라믹 소자(100)를 사용할 수도 있다. 이 경우 세라믹 소자(100)를 관통하는 중공(101) 역시 원형의 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
원통형으로 형성된 세라믹 소자(100) 대신 육면체로 이루어진 세라믹 소자(100)를 사용할 경우 상기 몰딩재(130)가 육면체로 이루어짐에 따라 동일한 공간에서 원통형으로 이루어진 세라믹 소자(100)에 비해 세라믹 소자(100)의 표면적을 최대한 넓게 활용할 수 있어 정전용량을 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 내부 전극 단자(111)와 외부 전극 단자(121)는 각각 금속인 아연(Zn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 등을 포함하는 도전성 재질로 형성되며 각각의 형상은 세라믹 소자(100)의 형상에 따라 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 소자(100)가 도 6a에서와 같이 직육면체인 경우 상기 내부 전극 단자(111)와 외부 전극 단자(121)는 내부 전극(110) 및 외부 전극(120)과 접촉하는 접촉부가 사각형으로 형성될 수 있다. 반대로 도 6b에 도시된 바와 같이 원통형으로 형성된 세라믹 소자(100)를 사용할 경우 상기 내부 전극 단자(111)와 외부 전극 단자(121)는 내부 전극(110) 및 외부 전극(120)과 접촉하는 접촉부가 원형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 세라믹 소자(100)가 직육면체인 경우 상기 내부 전극 단자(111) 는 내부 전극(110)과 접촉하는 접촉부(111a)가 도 7a와 같이 접촉면적을 넓게 하기 위하여 내부 전극(110)의 대향한 상측면 및 하측면과 접촉하도록 분지된 구조로 형성될 수 있다. 동일하게 세라믹 소자(100)가 원통형인 경우 상기 내부 전극 단자(111)는 내부 전극(110)과 접촉하는 접촉부(111b)가 도 7b와 같이 원통형으로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 세라믹 커패시터는 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 하여 정전 용량을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 옆면 방전을 최소화하여 종래 세라믹 커패시터에서와 같이 세라믹 자체의 절연 내력보다 구조적 특징으로 인해 내전압이 감소되는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 커패시터 제조방법을 살펴보면 아래와 같다.
먼저, 과립의 세라믹 원료를 이용하여 중공(101)이 형성된 직육면체 형태로 성형하여 1000℃ 내지 1500℃ 범위 내의 온도에서 소성한 후, 상기 중공(101) 내부에 내부 전극(110)을 형성하고, 직육면체 외주면에 외부 전극(120)을 형성한다. 물론, 상기 소성 과정을 통하여 제조되는 세라믹 소자가 직육면체 형태로 이루어지는 경우 각 모서리는 곡면으로 이루어지는 것이 바람직하며, 직육면체 외에도 원통형으로 형성될 수 있다.
상기 세라믹 원료로는 BaTiO3계, BaO-NdO-TiO계, CaTiO3-SrTiO3계 및 MgTiO2-CaTiO3계 세라믹 재료 중 적어도 하나를 사용할 수 있으며, 3 내지 20,000 사이 범위의 유전율을 가지는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 내부 및 외부 전극(110, 120)은 아연(Zn), 은(Ag) 및 구리(Cu) 등을 포함하는 도전성 분말 재료 중 적어도 하나를 주성분으로 포함하고, 세라믹 소자(100)와의 접착을 위해 글래스 분말을 또한 포함하는 도전성 페이스트를 세라믹 소자(100)에 코팅한 후 소결하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 다수의 세라믹 소자(100)를 도전성 페이스트가 담긴 용기에 넣어 딥-코팅(dip-coating) 방식으로 일괄적으로 코팅할 수 있어 코팅공정이 단순하게 이루어질 수 있다.
이후, 상기 중공(101) 외부로 넘친 내부 전극(110) 및 세라믹 소자(100)의 외주면 밖으로 넘친 외부 전극(120)을 제거하기 위하여 상기 세라믹 소자(100)의 양면을 연마한다.
종래 세라믹 커패시터는 제조 공정상 전극의 은넘침으로 인한 내전압 불량이 발생할 가능성이 있으나, 본 발명의 경우 은전극을 동시에 코팅할 수 있고, 양단부 표면 연마를 통해 커패시터 소자의 내부 전극(110) 및 외부 전극(120)을 형성함으로 내전압 불량 가능성을 없앨 수 있다.
이후, 상기 세라믹 소자(100)의 내측 및 외측에 형성된 도전성 전극면에 단자를 부착한다. 보다 상세히, 상기 내부 전극(110)에는 내부 전극 단자(111)를 상기 중공(101) 내부로 삽입하여 부착하고, 외부 전극(120)에는 외부 전극 단자(121)를 상기 세라믹 소자(100)의 외주면과 평행하게 부착한다.
이후, 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용하여 상기 세라믹 소자(100)와 내부 전극 단자(111) 및 외부 전극 단자(121)의 일부를 감싸도록 성형한다.
상기한 바와 같이 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터는 세라믹 소자의 내부에 중공부를 형성하고 중공부와 그 외측면에 각각 대향하는 전극면을 형성함에 의해 종래의 유전체의 양측면에 대향 전극면이 형성된 구조에 비하여 단위 체적당 대향 전극의 면적을 크게 할 수 있어 단위 체적당 정전 용량을 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 상기한 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터 제조공정에서는 딥-코팅 방법으로 내부 전극과 외부 전극을 동시에 배치방식으로 형성할 수 있어 생산성을 높일 수 있다.
상기한 본 발명의 SMD형 세라믹 커패시터는 단자와 몰딩재(130) 사이의 거리가 멀어 내전압 특성이 우수하며, 단자 형상이 단순하여 제조 비용 및 시간을 절감할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래 일 실시형태에 따른 세라믹 디스크 커패시터의 사시도.
도 2는 종래 다른 실시형태에 따른 세라믹 커패시터의 단면도.
도 3은 종래 또 다른 실시형태에 따른 세라믹 커패시터의 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 디스크 커패시터의 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 커패시터의 단면도.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 소자의 형상을 도시한 사시도.
도 7a 및 도 7b는 각각 도 6a 및 도 6b에 도시된 세라믹 소자의 내부전극과의 접촉에 사용되는 내부 전극 단자를 도시한 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
100 : 세라믹 소자 101 : 중공
110 : 내부 전극 111 : 내부 전극 단자
111a : 접촉부 111b : 접촉부
120 : 외부 전극 121 : 외부 전극 단자
130 : 몰딩재

Claims (11)

  1. 세라믹 소재를 고온에서 소결하여 형성되며, 내부를 관통하도록 중공이 형성된 세라믹 소자;
    상기 중공의 일면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 내부 전극;
    상기 세라믹 소자의 외주면에 전도성 물질을 코팅하여 형성되는 외부 전극;
    상기 중공에 삽입되어 상기 내부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 내부 전극 단자;
    상기 외부 전극과 전기적으로 연결되는 전도성의 외부 전극 단자; 및
    상기 세라믹 소자의 외주면과 상기 내부 전극 및 외부 전극을 절연시키기 위하여, 상기 세라믹 소자, 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자의 일부를 감싸도록 몰딩하는 몰딩재를 포함하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 소자는 육면체 형태로 형성되며, 사각형의 단면을 가지는 중공이 내부를 관통하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 소자는 원통형으로 형성되며, 원형의 단면을 가지는 중공이 내부를 관통하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자는 수회 절곡되어 형성되며, 그 말단은 각각 상기 몰딩재의 외측을 향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 내부 전극 및 외부 전극은 각각 아연(Zn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 도전성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 몰딩재는 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용하는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 소재는 BaTiO3계, BaO-NdO-TiO계, CaTiO3-SrTiO3계 및 MgTiO2-CaTiO3계 세라믹 재료 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터.
  8. 과립의 세라믹 원료를 세라믹 소자의 내부를 관통하는 중공이 형성된 형태로 성형한 후 고온에서 소성하여 중공형 세라믹 소자를 형성하는 단계;
    상기 세라믹 소자의 외측면을 도전성 재료로 코팅한 후 소성하는 단계;
    상기 세라믹 소자의 양측면을 연마하여 중공 내부에 코팅된 내부 전극과 세라믹 소자의 외주면에 코팅된 외부 전극을 분리시키는 단계;
    전도성의 내부 전극 단자를 상기 중공 내부로 삽입하여 상기 내부 전극 위에 부착하고, 전도성의 외부 전극 단자를 상기 세라믹 소자의 외주면에 형성된 상기 외부 전극과 평행하게 부착하는 단계; 및
    몰딩재를 사용하여 상기 세라믹 소자와 내부 전극 단자 및 외부 전극 단자의 일부를 감싸도록 몰딩하는 단계를 포함하는 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 세라믹 소자는 육면체 또는 원통형 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 내부 전극 및 외부 전극은 각각 아연(Zn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 도전성 페이스트를 상기 세라믹 소자에 코팅한 후 소결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 몰딩재는 에폭시와 실리카를 포함하는 EMC 몰딩재를 사용하는 것을 특징으로 하는 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.
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