TWI244806B - Terminal having surface layer formed of Sn-Ag-Cu ternary alloy formed thereon, and part and product having the same - Google Patents

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1244806 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 (產業上之利用區域） 本發明係關於一種以廣泛的連接作爲目的而使用在電 氣、電子製品或半導體製品或者是汽車等之端子（例如連 、 接器端子、繼電器端子、滑動開關端子、銲錫端子等）， ~ 更加詳細地說’關於一種特別適用在分別要求銲錫性和接 觸可靠性等之用途上之端子及具有該端子之零件（例如連 鲁 接器、繼電器、滑動開關、電阻、電容器、線圈、基板等 )、以及具有該零件之製品（例如半導體製品、電氣製品 、電子製品、太陽能電池、汽車等）。 【先前技術】 、 在半導體製品、電氣製品、電子製品、太陽能電池、 汽車等之各種製品，作爲導通電氣之手段係可以列舉：使 用由導電性基體所成之端子而進行銲錫或接觸之方法。 n 此種端子係例如正如日本特開平1 - 2 9 8 6 1 7號公報所 揭示的，通常以對於導電性基體之表面改善銲錫性或者是 改善耐腐蝕性，來作爲目的，進行藉由Au、Ag、Pd、Cii 、Ni、In、Sn及Sn - Pb合金等之金屬而被覆其背面。即 使是在這些金屬中，也在考慮成本等之時，一般係最常使 用S η及S η - P b合金，此外，作爲其被覆方法係大多採用 % 電氣電鍍法。 但是，在單獨地對於S η進行電氣電鍍之狀態下，在 - 4 (2) 1244806 此種表面被覆層中，產生巨大之柱狀單結晶，這個成爲原 因而助長鬚晶之產生。在產生鬚晶時，成爲電氣短路之原 因，因此，要求防止其產生。 作爲防止此種鬚晶產生之一種手段，向來係嚐試對於 合金進彳了合金化、也就是使用 Sn—Pb合金等，但是，pb 係正如眾所皆知，成爲有毒金屬，因此，由環境之考量來 看的話，限制其使用。 因此’嚐試開發藉由電氣電鍍來形成用以取代s n 一 Pb合金之各種Sn系合金之方法。例如Sn — Cii合金係在 Sn: 99.3質量％、Cu: 0.7質量％，熔點成爲最小（227 °C )，顯示良好之銲錫性，但是，Cii之含有量變少，因 此，無法有效地防止鬚晶（柱狀結晶）之產生。_相對於此 ，在增加Cii之含有量時，熔點係急劇地上升，因此，銲 錫性呈惡化。 像這樣，並不知道：藉由同時成立鬚晶產生之防止和 良好之銲錫性（也就是低熔點）之S η系合金之電氣電鍍 所造成之形成。 此外，以僅單純地接合前述端子者，來作爲目的，將 S η系合金使用在銲錫浸漬或乳膏銲錫等之熔融銲錫，有 使用由Sn、Ag、Cu所成之合金來作爲此種Sn系合金之 狀態發生。 但是，進行此種使用者之S η系合金係例如正如日本 特開平5 - 5 0 2 8 6號公報所揭示的，不過是藉由僅對於Sn、 A g、CII之各種金屬（或者是對於這些各種金屬進行熔融 (3) (3)1244806 混合所得到之錠塊）進行熱熔融（熔融銲錫）而顯示接合 作用，無法控制其塗敷厚度，因此，在該端子上，無法變 薄至1 0 0 μιη以下之厚度並且均勻地進行塗敷。 像迨樣’如果無法成爲變薄之厚度並且均勻地進行塗 敷的話’則不僅是缺乏外觀性狀之穩定性，並且，也成爲 電氣短路之原因。而且，容易產生針孔等，惡化耐腐蝕性 〇 此外’在曰本特開200卜1 64 3 96號公報，揭示關於施 行錫-銀-銅三元系合金電鍍之連接器等之端子。但是， 在該公報’並無詳細地檢討由錫一銀一銅三元系合金電鍍 所成之層之結晶狀態或熔點，因此，無法藉由該公報所掲 示之方法而充分地防止鬚晶之產生，並且，也無法得到良 好之銲錫性。此外，該公報所揭示之方法，其特徵爲··在 電鍍浴中，含有特定之硫化合物；企圖藉此而防止對於該 電鍍浴中之銅化合物之錫電極之析出。但是，爲了提高該 電鍍浴中之銅化合物之濃度，因此，也必須提高硫化合物 之濃度，可能由於這樣而摧毀該電鍍浴之各種成分之平衡 。因此，無法在電鍍浴中，使用高濃度之銅化合物，無法 提高錫一銀-銅三元系合金電鍍膜中之銅濃度，所以，會 有所謂無法得到低熔點之電鍍膜之問題點發生。 此外，在日本特開2 0 0 1 - 2 6 8 9 8號公報，記載：就一 起使用水溶性錫鹽和水溶性銅鹽以及水溶性銀鹽之錫-銀 -銅三元系合金電鍍而言，變得籠統。但是，即使是在該 公報，並無詳細地檢討由錫-銀-銅三元系合金電鍍所成 -6- (4) (4)1244806 之層之結晶狀態或熔點，因此，即使是藉由該公報所揭示 之方法，也無法充分地防止鬚晶之產生，也無法得到良好 之銲錫性。 【發明內容】 本發明係有鑒於前述現狀而完成的，其目的係提供一 種同時成立鬚晶之防止發生及良好之銲錫性並且由具有變 薄且均勻厚度之表面層之導電性基體所成之端子。 本發明之端子，其特徵爲：在導電性基體上之整個面 或部分，藉由電氣電鍍而形成由錫一銀一銅三元合金所成 之表面層。 前述錫一銀一銅三元合金，其特徵爲：以錫：70〜 99·8質量％、銀：〇·ΐ〜15質量％、銅：（^〗〜；^質量％之 比率所構成，其熔點係2 ；! 〇〜2 3 〇 t；，並且，比起前述表面 層僅藉由錫所形成之狀態，還以微小之粒狀結晶狀態所形 成。 前述端子係可以是連接器端子、繼電器端子、滑動開 關_子或鲜錫端子之其中任何一種。 本發明之零件係具有前述端子之零件，可以是連接器 、繼電器、滑動開關、電阻、電容器、線圈或基板之其中 任何一種。 本發明之製品係具有前述端子之製品，可以是半導體 製品、電氣製品、電子製品、太陽能電池或汽車之其中任 何一種。 -Ί - (5) 1244806 前述表面層係最好是在共存至少2種以上之螯合劑之 條件下而形成，前述螯合劑係更加理想是至少包含無機系 螯合劑和有機系螯合劑。 本發明之端子之製造方法，係最好是包含在前述導電 性基體上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成由前述錫一 銀-銅三元合金所成之前述表面層之製程；前述製程係實 施在共存至少2種以上之螯合劑之條件下。 前述螯合劑係最好是至少包含無機系螯合劑和有機系 螯合劑。 本發明之端子係在前述之構造、特別是導電性基體上 之整個面或部分’ f昔由電氣電鑛，而形成由錫一銀-銅三 元合金所成之表面層，因此，成功地達到同時成立鬚晶之 防止發生及良好之婷錫性，並且，使得表面層之厚度變薄 且均勻。 本發明之前面敘述及其他之目的、特徵、局面和優點 係由關連於附件之圖式所理解之本發明之關係到之以下之 詳細說明，來明白地顯示。 【實施方式】 <端子> 本發明之端子，其特徵爲：在導電性基體上之整個面 或部分，藉由電氣電鍍而形成由錫-銀一銅三元合金所成 之表面層。 此種端子係爲了能夠發揮以後面敘述之零件或製品作 (6) 1244806 爲目的之功能，因此，包含例如藉由銲錫而呈電氣地進行 導通者或者是藉由接觸而呈電氣地進行導通者。此外，此 種端子係可以適合使用在要求高度之耐腐蝕性或外觀性狀 之穩定性之用途上。 作爲此種端子之具體例係可以列舉例如連接器端子、 繼電器端子、滑動開關端子、銲錫端子等，在用途上，可 以列舉例如電阻端子、電容器端子、線圈端子等。 此外，在此種端子’也包含電路基板之電路（配線部 )、凸塊、通孔等，同時，也包含扁平電纜、電線、太陽 能電池之引線部等。 <導電性基體> 構成本發明之端子之導電性基體係如果是使用在電氣 、電子製品或半導體製品或者是汽車等之用途上之向來習 知之導電性基體的話，則也可以使用任何一種。 如果在表面至少具有例如銅（C u )、磷青銅、黃銅、 鈹銅、駄銅、鋅白銅（C u、N i、Ζ η )等之銅合金系素材、 鐵（F e ) 、F e - N i合金、不銹鋼等之鐵合金系素材、其他 之鎳系素材等之金屬的話，則即使是任何一種，也包含在 本發明之導電性基體。因此，也包含例如各種基板上之銅 圖案等。像這樣，作爲本發明之導電性基體係可以列舉在 由各種金屬或聚合物薄膜或者是陶瓷等之所成之絕緣性基 體上形成金屬層（也就是各種電路圖案）等，來成爲適當 之例子。 (7) (7)1244806 此外，作爲本發明之理想之導電性基體係可以列舉在 前述導電性基體上之整個面或部分形成S η層者。在使用 此種導電性基體之狀態下，由錫-銀-銅三元合金所成之 表面層係至少形成在該錫層上之整個面或部分。 像這樣，在使用於導電性基體上之整個面或部分形成 錫層之基材時，具有抑制成本變低並且由於所謂鬚晶產生 之防止和低熔點之實現之觀點而得到所謂相同於直接在導 電性基體上形成本發明之錫-銀-銅三元合金薄膜之狀態 下之同樣效果之優點。這個係由於使用在本發明之由錫一 銀-銅三元合金所成之表面層之形成上之錫化合物、銀化 合物和銅化合物比較昂貴，因此，能夠大幅度地減低此種 化合物之使用量之緣故。因此，特別是必須在大面積之部 位形成由錫一銀-銅三元合金所成之表面層之狀態或者是 必須形成由錫-銀一銅三元合金所成之表面層之厚度變厚 之狀態下，有利於使用形成此種錫層之基材。 此外，此種錫層係最好是藉由電氣電鍍而形成於導電 性基體上，特別是使得錫成爲陽極而進行電氣電鍍係有利 於成本方面。此種錫層係通常可以具有0 . 1〜8 0 μηι之厚度 而形成在導電性基體上。 此外，此種導電性基體之形狀係不限定在例如帶狀者 等之平面者，也包含例如沖壓成形品之立體者，可以是其 他之任何一種形狀者。 〈表面層> -10 - (8) 1244806 本發明之表面層係藉由電氣電鍍而形成在前述導電性 基體上之整個面或部分，由錫一銀-銅三元合金所成。 該錫一銀-銅三元合金係除了極微量之不可避免之不 純物之混入以外，僅藉由錫、銀和銅之3種金屬所構成。 在此，.在錫一銀-銅三元合金，錫之配合比率係最好是7 0 〜9 9 · 8質量％，更加理想是其上限成爲9 7質量％、甚至 最好是9 5質量％，其下限係8 0質量％、更加理想是9 〇 質量％。在錫之配合比率未滿7 0質量％之狀態下，會有 熔點變得過度高而無法顯示良好之銲錫性之狀態發生。此 外，在錫之配合比率超過 9 9.8質量％時，鬚晶之產生係 變得顯著。 此外，銀之配合比率係最好是0. 1〜1 5質量％，更加 理想是其上限成爲1 2質量％、甚至最好是8質量％，其 下限係0.5質量％、更加理想是]質量％。在銀之配合比 率未滿0. 1質量％之狀態下，鬚晶之產生係變得顯著。此 外，在銀之配合比率超過1 5質量％時，會有熔點變得過 度高而無法顯示良好之銲錫性之狀態發生。 此外，銅之配合比率係最好是〇. 1〜1 5質量％，更加 理想是其上限成爲1 2質量％、甚至最好是8質量％，其 下限係0 · 5質量％、更加理想是1質量％。在銅之配合比 率未滿0. 1質量％之狀態下，鬚晶之產生係變得顯著。此 外，在銅之配合比率超過1 5質量％時，會有熔點變得過 度高而無法顯示良好之銲錫性之狀態發生。 此種錫-銀-銅三元合金係最好是藉由具有前述配合 -11 - (9) 1244806 比率而使得其熔點成爲2 0 0〜2 6 0 °C，更 爲240 °C、甚至最好是230 °C，其下限β 想是2 1 5 °C。藉由顯示此種範圍之熔點 性。特別理想之熔點係2 1 0〜2 3 (TC。 像這樣，藉由利用錫-銀一銅三元 層，而同時成立鬚晶產生之防止和良好 低熔點）。特別是如果比較圖1和圖2 地顯示，在成爲藉由電氣電鍍所造成並 元合金所成之表面層之使用FIB裝置之 之第1圖，存在許多之微小結晶，相對 錫之電氣電鍍所造成之表面層之剖面之 圖，存在巨大之柱狀結晶，顯示這個係 因。 此外，此種表面層係藉由電氣電鍍 以使得厚度變薄並且均勻，同時，能夠 。此外，在藉由電氣電鍍以外之方法而 法將錫一銀-銅三元合金，形成爲第1 晶粒子狀。 接著，正如本案所示，在藉由微小 表面層時，存在於結晶粒子間之空隙之 成爲對於結晶粒子之不純物，在銲錫時 ’進行熔融，而更加提高銲錫性。 相對於此，並非電氣電鍍，在藉由 形成由錫-銀-銅三元合金所成之表面 ί加理想是其上限成 S爲2 1 0 °C、更加理 而顯示良好之銲錫 合金，來構成表面 之銲錫性（也就是 的話，則正如明白 且由錫一銀一銅三 剖面之顯微鏡相片 地，在成爲僅藉由 顯微鏡相片之第2 成爲鬚晶產生之原 而形成，因此，可 自由地控制其硬度 形成表面層時，無 圖所示之微小之結 之結晶粒子而形成 各種添加劑係作用 ，藉由在更加低溫 銲錫熔融或重熔而 層時，內部構造係 -12- (10) (10)1244806 並非微小之結晶粒子狀而形成爲塊狀，因此，無法期待良 好之銲錫性。並非僅有這個，不容易控制表面層之厚度本 身’無法形成變薄且均勻厚度之表面層，因此，成爲電氣 短路或針孔之原因。此外，在導電性基體呈複雜形狀之狀 態下，無法涵蓋該導電性基體之表面整個區域而均勻地形 成表面層，並且，也有成爲放入導電性基體整體之塊狀之 狀態發生。 正如本案，可以藉由利用電氣電鍍來形成表面層，而 消除正如前面敘述之缺點。 <端子之製造方法> 本發明之端子之製造方法，其特徵爲：包含在前述導 電性基體上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成由前述錫 -銀-銅三元合金所成之前述表面層之製程；該製程係實 施在共存至少2種以上之螯合劑之條件下。 此外’本發明之細子之製造方法係除了前述製程以外 ’也可以包含前處理製程或基底層形成製程等。以下，更 加具體地進行說明。 <前處理製程> 首先，可以在本發明之端子之製造方法，在前述導電 性基體上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成由前述錫一 銀〜銅三元合金所成之表面層之製程之前，包含對於該導 電性基體進行前處理之前處理製程。 -13- (11) 1244806 該前處理製程係以前述表面層之密合性變高並且無_十 孔產生而穩定地形成，來作爲目的，進行前處理製程。導 電性基體係在對於磷青銅等之金屬進行壓延之狀態下，該 前處理製程變得特別有效。 也就是說，此種前處理製程係可以藉由至少對於形成 前述導電性基體之表面層之部分，來作用pH値5以下2 酸（酸處理）而進行前處理製程。此外，本發明之前處王里 製程係最好是包含：在水溶液浸漬前述導電性基體之第i 洗淨處理；在水溶液中電解前述導電性基體之第2洗、淨M 理；以及，使得pH値5以下之酸作用於前述導電性基體 之酸處理。 更加具體地說，首先藉由在塡充水溶液之槽，浸漬g 述導電性基體，而進行第1洗淨處理，重複地進行數次水 洗。 在此，第1洗淨處理之水溶液之P Η値係最好是〇. 〇 j 以上，更加理想是適合以pH値9以上之鹼性，來進行處 理。此外，在特定其pH値之範圍時，其上限成爲1 3 .8、 更加理想是]3.5，另一方面，其pH値之下限成爲9.5、 更加理想是1 0。在p Η値未滿0.0 1或者是p Η値超過丨3 . 8 時，導電性基體之表面係過度地粗化或劣化，因此，變得 不理想。 此外，僅限定於成爲前述pH値之範圍，使用之驗係 並無特別限定，例如可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧 化鈣、螯合劑、界面活性劑等之寬廣範圍者。此外，第] -14 - (12) 1244806

洗淨處理之水溶液之溫度係2 0〜9 0 °C、最好是4 〇〜6 0 °C 〇 接著，進行以前述導電性基體作爲電極而電解於水溶 液中之第2洗淨處理，再度重複地進行數次之水洗。藉此 而在前述導電性基體之表面，產生氣體，藉由利用該氣體 所造成之氧化還原作用和利用氣體之氣泡所造成之物理作 用，而更加效率良好地除去導電性基體表面之污染。 在此，第2洗淨處理之水溶液之pH値係最好是Q . 0 1 以上，更加理想是適合以pH値9以上之鹼性，來進行處 理。此外，在特定其pH値之範圍時，其上限成爲13.8、 更加理想是13.5，另一方面，其pH値之下限成爲9.5、 更加理想是10。在pH値未滿0.01或者是pH値超過13.8 時，導電性基體之表面係過度地粗化或劣化，因此，變得 不理想。 此外，僅限定於成爲前述pH値之範圍，使用之鹼係 並無特別限定，例如可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧 化鈣、螯合劑、界面活性劑等之寬廣範圍者。 此外，作爲前述電解條件係可以成爲液溫20〜90°C、 最好是30〜60°C、電流密度0.1〜20A/dm2、最好是2〜 8 A / dm2、電解時間0 . 1〜5分鐘、最好是0.5〜2分鐘。 此外，導電性基體係可以成爲陽極和陰極之其中任何一種 ，也能夠在處理中，依序地切換陽極和陰極。 然後，可以藉由在含有硫酸、鹽酸、過硫酸銨、過氧 化氫等之酸之槽，浸漬該導電性基體，對於該導電性基體 -15- (13) (13)1244806 之表面來作用酸，而進行酸處理（活化處理）。 在此，酸之pH値係最好是6以下，更加理想是其pH 値之上限成爲4 · 5、更加理想是3，另一方面，其p Η値之 下限成爲0.0 0 1、更加理想是0 · 1。在pH値超過6時，無 法進行充分之活化處理，此外，在p Η値未滿0.0 0 1 .時， 導電性基體之表面係過度地粗化或劣化，因此，變得不理 想。 此外’在前述含有酸之槽浸漬該導電性基體之浸漬時 間係最好是0.1〜1 0分鐘，更加理想是其上限成爲5分鐘 、更加理想是3分鐘，另一方面，其下限成爲〇. 5分鐘、 更加理想是1分鐘。在浸漬時間未滿0 · 1分鐘之狀態下， 無法進行充分之活化處理，此外，在超過1 0分鐘時，導 電性基體之表面係過度地粗化或劣化，因此，變得不理想 〇 此外，在該導電性基體於聚合物薄膜上呈電路狀地形 成由銅或銅合金所成之銅層之狀態下，並無進行前述第1 及第2洗淨處理，也可以僅進行藉由酸所造成之處理（酸 處理）。由於藉由利用鹼所造成之洗淨處理而防止聚合物 薄膜呈惡化之緣故。此外，也可以在該狀態下，使得藉由 酸所造成之處理（酸處理）採用相同於前面敘述之同樣條 件。 像這樣，可以藉由對於導電性基體之表面，來進行前 處理，而不產生針孔，使得前述表面層具有均勻且強力之 密合力，來形成於導電性基體上。 -16- (14) (14)1244806 <基底層形成製程> 在本發明之端子之製造方法，可以接著於前述之前處 理製程，來實施基底層形成製程。此種基底層形成製程係 正如導電性基體例如成爲SUS或鐵之狀態所示，有效於不 容易密合在表面層之素材之狀態下。也可以在本發明，即 使是在像這樣形成基底層之狀態下，也得到所謂在導電性 基體上之整個面或部分形成表面層之表現，該方面限定於 藉由金屬來構成該基底層，該基底層解釋成爲導電性基體 本身。 作爲此種基底層係可以例如在導電性基體成爲SUS之 狀態下，藉由以鎳：0. 1〜5μΐΉ、最好是0.5〜3μηι之厚度 ，來進行電氣電鍍而形成基底層。此外，在導電性基體成 爲黄銅之狀態下，可以藉由以相同於前面敘述之同樣厚度 ，來電氣電鍍鎳或銅，而形成基底層。 此種基底層之形成係特別是在導電性基體成爲黄銅之 狀態下，有效於用以防止包含於該黄銅之鋅擴散至表面層 而妨礙銲錫性。 <形成表面層之製程> 可以在對於導電性基體之整個面或部分直接或經過前 述之前處理製程及/或基底層形成製程後，藉由進行電氣 電鍍而形成由錫-銀一銅三元合金所成之表面層。 g亥表面層係適合最好是藉由〇 . 1〜1 Q 〇 μ m之厚度所形 -17 - (15) (15)1244806 成’更加理想是其上限成爲1 2 μηι、甚至最好是8 μηι，其 下限成爲〇.5_、甚至最好是15_。 lit ’作爲前述電氣電鍍之條件係可以使用電鍍液（ 包含以錫化合物作爲金屬錫之5〜90g/l、最好是20〜 6 〇 g / 1、以銀化合物作爲金屬銀之〇 .丨〜1 〇 g / I、最好是 0.5〜5g/l、以銅化合物作爲金屬銅之〇1〜5g/1、最好 是0.5〜3g/l、有機酸5〇〜2〇〇g/i、最好是 、無機系螯合劑2〜50g/l、最好是5〜sog/!、有機系螯 合劑2〜50g/ 1、最好是5〜30g/ ：[、以及其他少量之添加 劑），液溫1 〇〜8 0 °C、最好是2 0〜4 0 °C、電流密度0.1〜 30A/dm2、最好是 2 〜25A/dm2。 在此，前述所謂錫化合物係至少包含錫之化合物，例 如可以列舉例如氧化亞錫、硫酸亞錫、各種有機酸之錫鹽 等。前述所謂銀化合物係至少包含銀之化合物，例如可以 列舉例如氧化銀、各種有機酸之銀鹽等。前述所謂銅化合 物係至少包含銅之化合物，例如可以列舉例如硫酸銅、氯 化銅、各種有機酸之銅鹽等。 此種錫化合物、銀化合物和銅化合物係特別最好是分 別含有共通之陰離子來作爲離子隊之可溶性鹽。可以藉此 而相結合於無機系螯合劑和有機系螯合劑間之倂用，能夠 極爲有效地防止由電鑛浴來分離及析出銀和銅。例如作爲 此種陰離子係可以列舉：來自於硫酸根離子、硝酸根離子 、磷酸根離子、氯化物離子、氟化氫酸離子等之無機酸之 陰離子、或者是正如甲烷磺酸陰離子或乙烷磺酸陰離子、 -18 - (16) 1244806 來自於甲烷磺酸、乙烷磺酸、丙烷磺酸、苯磺酸、 酸、烷基芳基磺酸、烷醇磺酸、甲酸、乙酸、丙酸 、安息香酸、苯二甲酸、草酸、己二酸、乳酸、檸 丙二酸、琥珀酸、酒石酸、蘋果酸等之有機酸之陰 此外，正如前面敘述，該形成表面層之製程係 共存至少2種以上之螯合劑之條件下。也就是說， 果不使用該螯合劑的話，則由電鍍液來分離及析出 ，不容易藉由電氣電鍍而形成要求之配合比率之錫 銅三元合金，來作爲表面層之緣故。 此外，由於使用至少2種以上者來作爲螯合劑 於用以防止銀之分離析出之螯合劑之種類和適合於 止銅之分離析出之螯合劑之種類相互地不同之緣故 也就是說，作爲適合於用以防止銀之分離析出 劑係可以列舉無機系螯合劑，另一方面，作爲適合 防止銅之分離析出之螯合劑係可以列舉有機系螯合》 在此’此種所謂無機系螯合劑係由無機化合物 繁合劑，例如可以列舉聚合磷酸鹽系螯合劑、縮合 系整合劑、鋁鹽系螯合劑、錳鹽系螯合劑、鎂鹽系 、金屬氟配位化合物系螯合劑（例如（TiF2# ) OH SiF2 J OH等）之類。 此外’所謂有機系螯合劑係由有機化合物所成 劑’例如可以列舉氰基三乙酸、乙烯二胺四乙酸、 二胺五乙酸、羥基乙烯二胺三乙酸、乙三甲基乙醯 、月桂基二乙酸、卜啉類、酞菁類等。 苯酚磺 ί、丁酸 〖檬酸、 離子。 :實施在 由於如 銀和銅 ―銀― 係適合 用以防 〇 之螯合 於用以 所成之 磷酸鹽 螯合劑 )^ ( 之螯合 二乙烯 偏酯鹽 -19 - (17) (17)1244806 並且，明白地顯示：在以相對於該銀化合物之銀1質 量份而成爲1質量份以上、3 0 0質量份以下之比率來配合 該無機系螯合劑並且以相對於該銅化合物之銅1質量份而 成爲1質量份以上、2 0 0質量份以下之比率來配合有機系 螯合劑之狀態下，能夠一直有效地防止銀及銅之分離析出 。在無機系螯合劑之前述比率未滿1質量份之狀態下，分 離及析出銀，在其比率超過3 00質量份時，破壞電鍍浴本 身之平衡，凝集及析出有機系螯合劑等。另一方面，在有 機系螯合劑之前述比率未滿1質量份之狀態下，分離及析 出銅，在其比率超過3 0 0質量份時，破壞電鍍浴本身之平 衡，凝集及析出無機系螯合劑等。 無機系螯合劑相對於銀之比率係最好是其上限成爲 2 〇 〇質量份、更加理想是1 5 0質量份，其下限成爲3質量 份、更加理想是4質量份。此外，有機系螯合劑相對於銅 之比率係最好是其上限成爲1 5 0質量份、更加理想是1 3 0 質量份，其下限成爲2質量份、更加理想是3質量份。 像這樣，本發明之端子之製造方法，其特徵爲··包含 在前述導電性基體上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成 由前述錫-銀-銅三元合金所成之前述表面層之製程；前 述製程係實施在共存至少2種以上之螯合劑之條件下。接 著，其特徵爲：前述螯合劑係至少包含無機系螯合劑和有 機系螯合劑。 可以藉此而極爲有效地防止在電鍍浴中分離及析出銀 或銅，同時，並無含有前述日本特開2 0 〇 b I 6 4 3 9 6號公報 -20- (18) (18)1244806 所記載之硫化合物，因此，可以在電鍍浴中，含有高濃度 之銅化合物或銀化合物。因此，可以容易在前述之由錫一 銀一銅三元合金所成之表面層，來提高銅或銀之濃度，所 以，能夠提供所謂2 1 0〜2 3 (TC之極爲低之熔點之表面層。 此外，本發明之電鍍浴係除了前述各種化合物以外， 還可以包含各種添加劑。作爲此種添加劑係並無特別限定 ，可以使用向來習知之任意之添加劑，例如可以列舉聚乙 二醇、聚氧化伸烷基萘酚、芳香族羰基化合物、芳香族磺 酸、骨膠等。 在則述電鑛浴’作爲陽極係最好是使用錫、錫合金或 非溶性極板，其中，特別最好是使用非溶性極板。由於可 以藉由使用非溶性極板而相結合於前述無機系螯合劑和有 機系螯合劑之倂用，極爲有效地防止來自電鑛浴之銀和銅 之分離析出、特別是對於陽極之取代現象之緣故。因此， 能夠以高濃度，來含有電鍍浴中之銀化合物及銅化合物， 能夠提高由錫一銀-銅三元合金所成之表面層之銀和銅之 含有比率，因此，可以極爲有效地同時成立鬚晶產生之防 止和良好之銲錫性（低熔點）。 在此，所謂非溶性極板係指例如藉由Pt、Ir、Ru、Rh 、或這些之任何2種以上而塗敷由Ti所成之電極表面者 。即使是在這些當中，可以藉由使用在由Ti所成之電極 表面塗敷Pt者而更加有效地防止前述取代現象，因此， 可以成爲特別適當之例子。 此外，作爲用以實施前述電氣電鍍所使用之電鍍裝置 -21 - (19) 1244806 係並無特別限定，但是1例如最好是藉由使用滾筒電鍍裝 置、吊掛電鍍裝置或連續電鍍裝置之其中任何一種而實施 。可以藉由使用這些裝置而效率極爲良好地製造本發明之 丄山 7 _子° 在此，所謂滾筒電鑛裝置係分別一個一個地電鍍端子 之裝置，所謂連續電鍍裝置係一次連續地電鍍複數個端子 ~ 之裝置，此外，所謂吊掛電鍍裝置係位處於前述兩者之中 間而具有中規模之製造效率之裝置。這些裝置係在電鍍業 φ 界所淸楚知道之裝置，構造本身也僅限制於習知者，還可 以使用任何一種。 <零件〉 本發明之零件係具有前述端子。例如可以列舉：連接 ~ 器、繼電器、滑動開關、電阻、電容器、線圈、使用作爲 基板等之電氣零件、電子零件、半導體零件、太陽能電池 零件、汽車零件等，但是，並非僅限定於這些，並且，可 __ 以是該其他之形狀。 <製品〉 本發明之製品係具有前述端子。例如可以列舉半導體 製品、電氣製品、電子製品、太陽能電池、汽車等，但是 ^ ，並非僅限定於這些。 - [實施例] -22- (20) (20)1244806 以下’列舉實施例而更加詳細地說明本發明，但是， 本發明係並非限定於這些。 <實施例1 > 首先’使得作爲導電性基體之壓延加工成爲厚度 0.3mm、幅寬30mm之帶狀磷青銅，沖壓加工成爲連接器 之形狀’在將成爲連續狀連接器端子狀者來切割成爲長度 10 0m後，捲繞於捲筒上。接著，將該捲筒安裝於連續電 鍍裝置之送出軸上。 接著’藉由在塡充含有液溫4 8它之氫氧化鈉之水溶液 (使用ESCREEN30(奧野製藥工業公司製）5〇g/l、pH 値1 2.5 )之前述連續電鍍裝置之浸漬浴，連續地浸漬前述 導電性基體1分鐘，而進行第1洗淨處理。然後，進行數 次之水洗。 接著，在前述連續電鍍裝置之pH値成爲鹼性之電解 槽（使用NC RESTALL(奧野製藥工業公司製）i〇〇g/l 、p Η値1 3 · 2來作爲氫氧化鈉水溶液），在藉由以經過前 述第1洗淨處理之導電性基體，來作爲陰極，在液溫5 0 °C '電流密度5 A / d m2之條件下，進行1分鐘之電解而進行 第2洗淨處理後’再度重複地進行5次之水洗。 接著，藉由將像這樣洗淨處理過之導電性基體，浸漬 在塡充pH値0.5之硫酸之液溫3(TC之活化槽1分鐘，而 對於導電性基體之表面，進行藉由作用酸之酸所造成之酸 處理。然後，重複地進行3次之水洗。 -23- (21) (21)1244806 接著，對於經過前述處理之導電性基體，實施形成由 Ni所成之基底層之基底層形成製程。也就是說，藉由在前 述連續電鍍裝置之電鍍浴，塡充Ni電鍍浴（含有硫酸鎳 2 4 0 g / 1、氯化鎳 4 5 g / I、硼酸 4 0 g / 1 )，在液溫 5 5 °C、 pH値3.8、電流密度4A / dm2之條件下，進行5分鐘之電 氣電鍍，而形成由N i所成之基底層。然後，進行3次之 水洗。 接著，正如前面敘述，實施藉由對於形成基底層之導 電性基體來進行電氣電鍍而形成由錫一銀一銅三元合金所 成之表面層之製程。也就是說，藉由使用形成基底層之導 €丨生基體’作爲fe極’使用在由T i所成之電極表面塗敷 Pt者，作爲陽極，在前述連續電鍍裝置之電鍍浴，塡充含 有錫-銀一銅三元合金電鍍浴（甲烷磺酸、商品名稱·· METAS-AM、Euken 工業公司製）nog/!、錫：6〇g//1、 銀：3g/ 1、銅：2g/ 1、無機系螯合劑（聚磷酸鉀（kh ) n + 2Pn〇3n+I (分卞量· 5 7.1+8011、n=5 〜11)、商品名稱： FCM-A、FCM公司製）15§/丨、有機系螯合劑（四萘基卜 啉、商品名稱：F C Μ - B、F C Μ公司製）1 〇 g / ]、添加劑（ 聚乙一酵、商品名稱：Fcm_c、FCM公司製；但是，就添 加劑而言，可以任意地取代習知之添加劑（例如聚氧化伸 烷基奈酚、方香族羰基化合物、芳香族磺酸、骨膠等）。 )^ 〇 C c /M ’在液溫3 5 c、p Η値0 · 5、電流密度8 A / d m2 之條件下，進行2分鐘之電氣電鍍，而形成由錫一銀一銅 一凡合金所成之表面層。然後，在進行4次之水洗後，在 -24- (22) (22)1244806 進行藉由空氣所造成之水分除去後’藉由以7 〇 °C之熱風， 來進行2分鐘之乾燥，而得到本發明之端子。 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 〇 m之地 點和90m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係1.1 ’由錫 -銀-銅三元合金所成之表面層之厚度係。並且， 其表面層係極爲均勻之微小粒狀之結晶狀態。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：93質量％、銀：4·2質量％、銅：2.8質量％。此 外，該表面層之熔點係227 t，顯示良好之銲錫性。 接著，該端子係即使是在高溫高濕槽（60 °C、濕度90 % )保持2 0 0 0小時，也並無觀察到鬚晶之產生。也就是 說，可以得到同時成立鬚晶產生之防止和良好之銲錫性（ 也就是低熔點）之端子。 <實施例2 > 除了爲了取代在實施例1所使用之錫-銀-銅三元合 金電鍍液而採用含有錫-銀-銅三元合金電鍍浴（前述之 METAS-AM、Euken 工業公司製）ll〇g/l、錫·· 60g/I、 銀：3.4g / 1、銅：1 .2g / 1、無機系螯合劑（前述之 FCM-A、FCM公司製）15g/I、有機系螯合劑（前述之FCM-B 、FCM公司製）l〇g/l、添加劑（前述之 FCM-C、FCM 公司製）3 Occ/ I以外，其他係全部相同於實施例1，得到 本發明之端子。 -25- (23) 1244806 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 Om之地 點和9 Om之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係1 . 1 μηι，由錫 一銀—銅三元合金所成之表面層之厚度係3.5μπι。並且， 其表面層係極爲均勻之微小粒狀之結晶狀態。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：93.6質量％、銀：4.7質量％、銅：1.7質量％。此 外，該表面層之熔點係2 1 7 °C，顯示良好之銲錫性。 接著，該端子係即使是在高溫高濕槽（6 0 °C、濕度9 0 % )保持2 0 0 0小時，也並無觀察到鬚晶之產生。也就是 說，可以得到同時成立鬚晶產生之防止和良好之銲錫性（ 也就是低熔點）之端子。 <實施例3 > 除了爲了取代在實施例1所使用之錫-銀-銅三元合 金電鑛液而採用含有錫-銀-銅二兀合金電鍍浴（前述之 METAS-AM、Eukeii 工業公司製）nog/!、錫：6〇g/l、 銀：3.8g/ 1、銅：1.2g/ 1、無機系螯合劑（前述之FCM-A、FCM公司製）15g/l、有機系螯合劑（前述之FCM-B 、FCM公司製）l〇g/l、添加齊^ (前述之 FCM-C、FCM 公司製）3 0 c c / 1以外，其他係全部相同於實施例1，得到 本發明之端子。 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 Om之地 點和9 0 m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 -26- (24) ^4<ιδ〇6 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係].]μη，由錫 \銀一銅二兀合金所成之表面層之厚度係3.5μηι。並且， 其表面層係極爲均勻之微小粒狀之結晶狀態。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 舄錫：93質量％、銀：5.3質量％、銅：1.7質量％。此 外，該表面層之熔點係22 8 °C，顯示良好之銲錫性。 接著，該端子係即使是在高溫高濕槽（6 (TC、濕度9 0 % )保持2 0 0 0小時，也並無觀察到鬚晶之產生。也就是 說，可以得到同時成立鬚晶產生之防止和良好之銲錫性（ 也就是低熔點）之端子。 <比較例1 > 除了爲了取代在實施例1所使用之錫一銀一銅三元合 金電鍍液而採用含有錫-銀二元合金電鍍浴（前述之 METAS-AM、Euken 工業公司製）110g/l、錫：60g/l、 銀：3.3g/l、無機系螯合劑（前述之FCM-A、FCM公司 製）15g/l、添加劑（前述之FCM-C、FCM公司製）30cc / 1以外，其他係全部相同於實施例1，得到端子。 就像樣得到之子而固’在由端邊開始至1 〇 Π1之地 點和9 0 m之地點，進行取樣，在使用FIΒ裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係1 . 1 μηι，由錫 一銀二元合金所成之表面層之厚度係3 . 5 μηι。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：9 6.0質量％、銀：4.0質量％。此外，該表面層之 -27 - (25) 1244806 熔點係2 2 7 °C。 該端子之表面層係顯示相同於實施例1之端子之表面 層之同樣熔點，但是，在高溫高濕槽（6 (TC、濕度9 0 % ) 保持2 0 0 0小時時，產生鬚晶。也就是說，在此種二元合 金使用於表面層之端子，在其表面層之熔點變低時，產生 _晶，因此，無法同時成立鬚晶產生之防止和良好之銲錫 性（也就是低熔點）。 <比較例2 > 除了爲了取代在實施例1所使用之錫-銀-銅三元合 &電鍍液而採用含有錫-銅二元合金電鍍浴（前述之 MET AS-AM ' Euken 工業公司製）ll〇g/l、錫：60g/I、 銅：0.7g/l、有機系螯合劑（前述之FCM-B、FCM公司 製）l〇g/l、添加劑（前述之FCM-C、FCM公司製）30cc /]以外，其他係全部相同於實施例1，得到端子。 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 0 m之地 點和90m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係].1 μηι，由錫 一銅二元合金所成之表面層之厚度係3 . 5 μηι。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：9 9.3質量％、銅·· 〇 . 7質量％。此外，該表面層之 熔點係2 2 7 °C。 該端子之表面層係顯示相同於實施例]之端子之表面 層之同樣熔點，但是，在高溫高濕槽（60°C、濕度90% ) -28- (26) (26)1244806 保持3 0 0小時時’產生鬚晶。也就是說，在此種二元合金 使用於表面層之端子’在其表面層之熔點變低時，產生鬚 晶，因此，無法同時成立鬚晶產生之防止和良好之銲錫性 (也就是’低熔點）。 <比較例3 > 除了爲了取代在實施例1所使用之錫一銀一銅三元合 金電鍍液而採用含有錫-銀二元合金電鍍浴（前述之 METAS-AM、Euken 工業公司製）110g/l、錫：60g/l、 銀：6.0g/l、無機系螯合劑（前述之FCM-A、FCM公司 製）2g/l、添加劑（前述之 FCM-C、FCM公司製）30cc / 1以外，其他係全部相同於實施例1，得到端子。 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 0 m之地 點和90m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係1 . 1 μπι，由錫 一銀二元合金所成之表面層之厚度係3 . 5 μηι。 此外，在使用Ε Ρ Μ Α而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：9 3 .6質量％、銀：6.4質量％。此外，該表面層之 熔點係2 5 7 t。 不論是否該端子之表面層係錫之含有率相同於實施例 2之端子之表面層，其熔點係也變高成爲4 〇 °C ’使得銲錫 性變差。 <比較例4 > -29- (27) (27)1244806 除了爲了取代在實施例1所使用之錫-銀-銅三元合 金電鍍液而採用含有錫-銅二元合金電鍍浴（前述之 METAS-AM、Euken 工業公司製）110g/l、錫：60g/]、 銅：6.0g/l、有機系螯合劑（前述之FCMUB、FCM公司 製）15g/l、添加齊彳（前述之FCM-C、FCM公司製）30cc / 1以外，其他係全部相同於實施例1，得到端子。 就像這樣得到之端子而言，在由端邊開始至1 0 m之地 點和90m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，由鎳所成之基底層之厚度係1 . 1 μπα，由錫 一銅二元合金所成之表面層之厚度係3 . 5 μηι。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定表面層之合金比率時，成 爲錫：9 3 · 6質量％、銅：6 · 4質量％。此外，該表面層之 熔點係2 8 7 °C。 不論是否該端子之表面層係錫之含有率相同於實施例 2之端子之表面層，其熔點係也變高成爲7 (TC，使得銲錫 性變差。 <比較例5 > 對於相同於實施例1所使用之同樣之導電性基體，將 具有相同於實施例]所使用之錫一銀一銅三元合金之同樣 組成之錫-銀-銅三元合金之錠塊，進行熔融銲錫，來形 成表面層。 但是，該表面層係具有1 〇 〇 μηι以上之厚度，並且，其 厚度係極爲不均勻。另一方面，在其表面層之厚度成爲 -30 - (28) (28)1244806 1 00 μηι以下時，產生許多之針孔而使得耐腐蝕性變差。 <實施例4 > 首先’使得作爲導電性基體之壓延加工成爲厚度 0.3 m m、幅寬3 0 m m之帶狀銅，沖壓加工成爲連接器之形 狀，在將成爲連續狀連接器端子狀者來切割成爲長度 1 0 0 m後，捲繞於捲筒上。接著，將該捲筒安裝於連續電 鍍裝置之送出軸上。 接著，藉由在塡充含有液溫4 8 °C之氫氧化鈉之水溶液 (使用 ESCREEN30(奧野製藥工業公司製）50g/l、PH 値1 2.5 )之前述連續電鍍裝置之浸漬浴，連續地浸漬前述 導電性基體】分鐘，而進行第1洗淨處理。然後，進行數 次之水洗。 接者’在則述連繪電鑛裝置之p Η値成爲驗性之電解 槽（使用 NC RESTALL (奧野製藥工業公司製）i00g/ ：! 、p Η値]3.2來作爲氫氧化鈉水溶液），在藉由以經過前 述第1洗淨處理之導電性基體，來作爲陰極，在液溫5 0 °C 、電流密度5A/ dm2之條件下，進行〗分鐘之電解而進行 第2洗淨處理後’再度重複地進行5次之水洗。 接著，藉由將像這樣洗淨處理過之導電性基體，浸漬 在塡充pH値〇 · 5之硫酸之液溫3 (TC之活化槽1分鐘，而 對於導電性基體之表面，進行藉由作用酸之酸所造成之酸 處理。然後’重複地進行3次之水洗。 接著，實施藉由對於經過前述處理之導電性基體進行 - 31 - (29) 1244806 電氣 將經 之電 用錫 充甲 SBS pH f[ 氣電 電性 電鍍 面層 ，作 爲陽 合物 鹽） 螯合 0.5、 電鍍 面層 成之 燥， 電鍍而形成由錫所成之錫層之步驟。也就是說，藉由 過前述處理之導電性基體，浸漬在前述連續電鍍裝置 鍍浴，使用該導電性基體本身，作爲陰極，同時，使 ，作爲陽極，接著，在該連續電鍍裝置之電鍍浴，塡 烷磺酸錫鹽3 5 0 g / 1、添加劑（商品名稱：METAS-、 Euken 工業 （股） 公司製 ） 50c/c， 在液溫 35°C 、 Ϊ 〇 . 5、電流密度4 A / d m 2之條件下，進行2分鐘之電 鍍，而在該導電性基體上，形成錫層。 接著’正如前面敘述，實施藉由接著將形成錫層之導 基體浸漬在前述連續電鍍裝置之電鍍浴並且進行電氣 而在則述錫層上形成由錫-銀-銅二元合金所成之表 之步驟。也就是說，藉由使用形成錫層之導電性基體 爲陰極，使用在由鈦所成之電極表面塗敷p t者，作 極’接者’在則述連續電鍍裝置之電鍍浴，塡充錫化 (甲丨兀磺酸錫鹽）2 6 0 g / 1、銀化合物（甲院擴酸銀 1〇g / 1、銅化合物（甲烷磺酸銅鹽）2.5g / 1、無機系 片 Ί (水 酸绅（KH) n + 2Pn〇3n+]、分子量：57. 1+80 Π =5〜1 1 ) 1 0 0 g / 1、有機系螯合劑（四萘基卜啉）2 5 g 添加劑（聚乙二醇）30cc/ 1，在液溫3(TC、pH値 電流密度4A/ dm2之條件下，進行〇·5分鐘之電氣 而在錫層上，形成由錫-銀一銅三元合金所成之表 °然後，在進行4次之水洗後，在進行藉由空氣所造 水分除去後，藉由以7 0 °C之熱風，來進行2分鐘之乾 TO在導電性基體上，形成錫層，得到在該錫層上形成 -32 - (30) 1244806 由錫一銀-銅三元合金所成之表面層之本發明之端子。 就像這樣得到之端子而言’在由端邊開始至1 0m之地 點和9 0m之地點，進行取樣，在使用FIB裝置而切割剖面 來測定厚度時，錫層之厚度係4 μηι ’由錫-銀一銅三元合 金所成之表面層之厚度係1 μπι，並且’其表面層係變得均 勻。 此外，在使用ΕΡΜΑ而測定由錫-銀-銅三元合金所 成之表面層之合金比率時，成爲所謂錫：9 6質量％、銀： 3.6質量％、銅：0.4質量％之含有比率。此外，該由錫一 銀-銅三元合金所成之表面層之熔點係2 1 5 t，顯示良好 之銲錫性。此外，該由錫-銀-銅三元合金所成之表面層 係比起單獨藉由錫所形成之薄膜，還藉由微小粒狀之結晶 狀態（粒徑：1〜3μπι )所形成。 接著，該由錫-銀-銅三元合金所成之表面層係即使 是在高溫高濕槽（6 (TC、濕度9 0 % )保持2 0 0 0小時，也 並無觀察到鬚晶之產生。也就是說，可以得到同時成立鬚 晶產生之防止和良好之銲錫性（也就是低熔點）之由錫-銀-銅三元合金所成之表面層。 詳細地說明本發明，但是，這個係僅用於例舉，並非 成爲限定，企圖明確地理解：發明之精神和範圍係僅藉由 附件之申請專利範圍而受到限定。 【圖式簡單說明】 第]圖係由錫-銀-銅三元合金所成之表面層之剖面 -33- (31)1244806 之顯微鏡相片。 第2圖係僅由錫所成之表面層之剖面之顯微鏡相片。

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Claims (1)

1244806

十、申請專利範圍 1 . 一種端子，其特徵爲：係在導電性基體上之整個面 或部分錯由電氣電鍍而形成由錫一銀—銅三元合金所成之 表面層之端子，前述錫-銀-銅三元合金係以錫：7 〇〜 99.8質量％、銀：0.1〜15質量％ '銅：0.1〜15質量％之 比率所構成，其熔點係2 1 0〜2 3 0 °C，並且，比起前述表面 層僅藉由錫所形成之狀態，還以微小之粒狀結晶狀態所形 成。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之端子，其中，前述 端子係連接器端子、繼電器端子、滑動開關端子或銲錫端 子之其中任何一種。 3 . —種零件，其特徵爲：具有申請專利範圍第1項所 記載之端子。 4 .如申請專利範圍第3項所記載之零件，其中，前述 零件係連接器、繼電器、滑動開關、電阻、電容器、線圈 或基板之其中任何一種。 5 . —種製品，其特徵爲：具有申請專利範圍第1項所 記載之端子。 6.如申請專利範圍第5項所記載之製品’其中’前述 製品係半導體製品、電氣製品、電子製品、太陽能電池或 汽車之其中任何一種。 7 .如申請專利範圍第1項所記載之端子，其中，前述 表面層係在共存至少2種以上之蜜合劑之條件下而形成。 8 .如申請專利範圍第7項所記載之端子’其中’前述 -35 - 1244806 (2) 螯合劑係至少包含無機系螯合劑和有機系螯合劑。 9 . 一種端子之製造方法，其特徵爲：係申請專利範圍 第1項所記載之端子之製造方法，包含在前述導電性基體 上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成由前述錫-銀-銅 三元合金所成之前述表面層之製程；前述製程係實施在共 存至少2種以上之螯合劑之條件下。 1 0 .如申請專利範圍第9項所記載之端子之製造方法 ，其中，前述螯合劑係至少包含無機系螯合劑和有機系螯 合齊IJ。