TWI244085B - Optical recording medium and the manufacturing method thereof, optical recording method, optical regeneration method, optical recording device, and optical regenerating device and optical record regeneration device - Google Patents

Description

1244085 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光記錄媒體及其製造方法、光記錄方法 光再生方法、光記錄裝置、以及光再生裝置及光記錄再 生裝置之相關技術。 【先前技術】 作為¥知之光記錄媒體而具有例如聲頻用、使用於遊戲 私式等之例如 CD (Compact Disc)或 DVD (Digital Versatile Disc)等 、光莱亦即再生專用之所謂ROM (Read Only Memory)型光 碟。 如此之光記錄媒體之資訊記錄，其厚度之方向或軌道寬 巾田方向又任意一項，係作為物理形狀變化而記錄之記錄部 例如形成有凹凸坑洞或蛇行導引溝，且能光學性地以高 SNR(汛唬雜晋比）而讀取此類記錄部的資訊之狀態，而覆蓋 著由A1膜等所組成之反射膜。 且有施以如此之物理形狀變化的記錄部之光學記錄媒體 、係例如藉由射出成型而在塑膠基板之成型的同時，亦形 成兒錄部，或例如在塑膠基板上，藉由2P法（光學聚合物產 生去）而形成記錄部，而具有能量產且廉價地製造之優點。 …^此，在此種光記錄媒體當中，具有正規的路徑以外之 " 亦即未獲得著作權者之允許而施以複製之問題。 此外，由於該光記錄媒體係採取非接觸性地讀取之方式 且P使重覆使用亦幾乎不產生特性劣化，故中古品係被 作為新品而販售等，不依循正規之路徑而進行販售，而同 84042 1244085 為了月苹決上述之問％ 製造方法、光記錄方：：光月係提供-光記錄媒體及其 光再生裝置及光記錄再生裝；生:;::：記錄裝置、以及 記錄媒體之構成相對應之心；係猎由和再生專用之光 ，且能進扞上、成、、…冓成及製造万法而能廉價地製造 寺 、〈代碼或標記等新的資訊之追加記錄的同 時，耶具有能進行安定之記錄的極佳特性。 【發明内容】 、本發〜明〈光記綠媒體係具有資訊層，其係具備在至少厚 y、：向或軌道九巾田方向之任意-個方向，形成有因物理 形狀變化而產生之資彳 ^ 、 少一 、 〃 ^记錄邯《反射膜，而反射膜係能進 〃、…、记錄而產生之追加記錄之構成，且由電氣電阻率為 2〇阶咖以上且9〇阶_下之^合金或Cu合金所組成者。 本务明之一光記錄媒體之製造方法，係具有： 、在土 ·少厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形 成有因物理形狀變化而產生之資訊記錄部之基體上，形成 由兒氣電阻率為20 μΩχιη以上且90 μΩχηι以下之A1合金或Cu 合金所構成之反射膜之步驟；以及 在该反射膜進行因熱記錄而產生之資訊的追加記錄之步 驟0 本發明之另外的光記錄媒體之製造方法，係具有： 在土少厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形 成有因物理形狀變化而產生之資訊記錄部之基體上，形成 由電氣電阻率為30 ^.cm以上且9〇 以下之A1合金或Cu 合金所構成之反射 膜之步驟； 84042 l244〇85 在该反射膜上形成保護膜之步驟；以及 此後在反射膜進行因熱記錄而產生之資訊的追加記錄之 步驟。 本發明之光記錄方法，係具有具備在至少厚度之方向或 軌道覓幅方向之任意一個方向，形成有因物理形狀變化而 產生之資訊記錄邵之反射膜之資訊層，且反射膜係對由電 氣電阻率為20 μΩ.αη以上且9〇 ^.cm以下之Μ合金或Cu合金 所構成之光記錄媒體，使反射膜產生變質，並依據使該反 射率產生變化之熱記錄而進行資訊之追加記錄者。 本喬明之光再生方法，係具有具備在至少厚度之方向或 軌道：i巾田方向之任意一個方向，形成有因物理形狀變化而 產生 < 資訊記錄部之反射膜之資訊層，且反射膜係由電氣 電阻率為20 μΩ.επι以上且90 以下之A1合金或Cu合金所 構成，.並對在反射膜上藉由使反射率產生變化之熱記錄而 貝她這加記錄之光記錄媒體，予以照射雷射光，並藉由因 ，、返回光之反射率變化而產生之微小變化而進行追加記錄 之再生者。 本發明之光記錄裝置係具有資訊層，其係具備在至少厚 度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形成有因物理 形狀變化而產生之資訊記錄部之反射膜，並具備光記錄機 構，其係相對於反射膜係具有由電a電阻率為⑼⑽⑽以上 且9〇μΩχιη以下之A1合金或“合金所組成之構成而形成之光 兄錄媒體，該光記錄機構係對光記錄媒體具有因應於追加 記綠資訊而進行調變之雷射光之照射機構，並藉由該雷射 84042 -10- 1244085 反射率產生變 光之照射而使反射膜產生變質，且藉由 化之熱記錄而進行追加記錄者。 本發明之光再生裝置係具有資訊 奋、、二* 巧” 口凡層，其係具備在至少厚 度炙万向或軌道寬幅方向之任奇一 ^ ^ ^ a 個万向，形成有因物理 形狀，交化而產生之資訊記錄部之 操 „ ·,, 丨心反射嗅，並具備光再生機 構’其係相對於反射膜係具有由電氣電阻率為琴⑽以上 且9〇μΩ·_Τ《Α1合金所組成之構成而形成之光記錄媒體 ，该光再生機構係具有： 再生—光照射機構，其係將再生光予以照射於光記 :以及 、 檢測機構，其係檢測來自反射膜之返回光，· 並將來自檢測機構之檢測輸出之微小變化作為追加記錄之 再生訊號者。 本發明之光記錄再生裝置係具有資訊層，其係具備在至 少厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形成有因 物理开V狀芰化而產生之資訊記錄部之反射膜，纟具備光記 錄再生機構，其係相對於反射膜係具有由電氣電阻率為2〇 μΩ cm以上且9 〇μΩχΐΏ以下之A1合金或Cu合金所組成之構成 =形成又光記錄媒體，且該光記錄再生機構係對光記錄媒 體具有因應於追加記錄資訊而進行調變之雷射光之照射機 構並藉由該雷射光之照射而使反射膜產生變質，且藉由 使琢反射率產生變化之熱記錄而進行追加記錄，光 生機構係具有： / 再生光照射機構，其係將再生光予以照射於光記綠媒體 84042 1244085 ;以及 檢測機構，其係檢測來自反射膜之返回光； 並將來自檢測機構之檢測輸出之微小變化作為追力、 之再生訊號：#。 、、、、加記錄 根據上述之本發明之光記錄媒體之構成，則在具有擔壬 例如因凹凸坑洞或蛇行導引溝等而產 吕 心貝成爻物理形狀 變化之資訊記錄部，並覆蓋反射膜而形成之光記綠媒骨“ 中，不會導致任何膜數等之增加，並藉由僅選定該反= 心材料一(A1合金或Cu合金）和電氣電阻率而能形 < 追加記= 區域。據此’ ~能不導致製造步驟數之增加，而能和習： 之再生專用之光記錄媒體相同地，量產性且廉價地進㈣ 根據上述之本發明之—光記錄媒體之製造方法，則藉由 在基體.上形成將材料和電氣電阻率予以選擇之反射膜，並 在該反射膜進行追加記錄，即能在無導致膜數等之增加或 製造步驟數之增加之狀態下，而能和習知之再生專用之光 記錄媒體相㈣’量產性且廉價地進行製造的同時，亦藉 由在反射膜之電氣電阻率為20叫.咖以上且9〇叫謂以下: 範圍内予以選定之措施’而能以較低之記錄功率進行記錄 ’且能抑制記錄功率之變動而在反射膜進行安定之記錄。 一根據上逑之本發明之另外的光記錄媒體之製造方法，則 藉由在基體上形成將材料和電氣電阻率予以選擇之反射膜 且在反射膜上形成保硬膜，並於反射膜進行追加記錄， P月匕在典導致數等之增加或製造步驟數之增加之狀態下 84042 -12- 1244085 f “口〈再生專用之光記錄媒體相同地，量產性且 廉價地進行製造的 、一 座1丑 上 ’亦猎由在反射膜之電氣電阻率為 能以較低之記錄功 、仃圮紅，且能抑制記錄功率之變動 而在反射膜進行安定之記綠。 又 根據上述之本获日日 明之光記錄媒體：使η *法，則藉由對上述之本發 變化之熱記錄而進行^^生㈣並因使該反射率產生 功桌^、 〃、汛〈追加記錄，即能以較低之記錄 的膜严㈣錄的同時，亦藉由例如控制反射膜之成膜時 =力：:控制記錄功率之變動。據此，即能使往反射 射膜“進行。此外，亦能簡潔地進行往反 射腠又追加記錄。 、：據上述之本發明之光再生方法，則具有上述之本發明 體之構成，並對因使該反射率產生變化之熱記 且心她…己錄之光記錄媒體’照射雷射光於反射膜， ，由因該返回光之反射率變化而產生之微小變化而進行 之再生’即能藉由本發明之光記綠媒體而使往反 己綠係、Η而進行，故能獲得充分之CNR(載體 2訊比）之再生訊號。此外，亦能簡潔地進行追加記錄之 舟生。 ^之本發明之光記錄裝置、光再生裝置、以及光記錄 。裝i，係對上述之本發明之光記錄媒體而藉由具備光 记綠機構、光再生機構、以及光記綠再生 二匕从 丁仅 < 措施’而 此作成和習知之裝置相同之簡便之構成。 84042 -13- 1244085 【實施方式】 、本發明係具有資訊層，其係具備至少厚度之方向或軌道 寬幅方向之任意-個方向’开j成有因物理形狀變化而產生 之資訊記錄部之反射膜，且反射膜係能進行因熱記錄而產 生^追加記錄之構成，且係由電氣電阻率為20 ^cm以上且 90pD.Cm以下之A1合金或Cu合金所組成之光記錄媒體。 此外，本發明係在上述光記綠媒體當中，添加有選自至 少 Ti、Si、Cu、A卜 Fe、w、Cr、〇、Ar、Mg、几之】種以上 之元素—於A1合金或Cu合金之構成。 此外，本發明係在上述光記錄媒體當中，其追加記錄之 1己錄區域係設置於具有施以物理形狀變化之資訊記錄部之 s己綠區域内或外之構成。 此外’本無明係在上述光冗錄媒體當中，在反射膜之上 形成有保護膜之構成。 此外，本發明係在上述光記錄媒體當中，進而作成反射 膜之電氣電阻率為30 μΩ.αη以上且9〇 μΩ.cm以下之構成。 本發明係光記錄媒體之製造方法為具有： 在土：>厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形 成有因物理形狀變化而產生之資訊記錄部之基體上，形成 由電氣電阻率為20 μΩ.αη以上且90 μΩ.αη以下之A1合金或以 合金所構成之反射膜之步驟；以及 在孩反射膜進行因熱記錄而產生之資訊的追加記錄之步 驟。 此外’本發明係在上述光記錄媒體之製造方法當中，於 84042 -14 - l244〇85 心丁資訊的追加記錄之步驟之後，在上述反射膜上形成保 護膜。 本發明係光記錄媒體之製造方法為具有： 、在至少厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向，形 成有因物理形狀變化而產生之資訊記錄部之基體上，形成· =兒氣電阻率為30 以上且90 μΩ.αη以下之A1合金或Cu 合金所構成之反射膜之步驟； · 在該反射膜上形成保護膜之步驟；以及 · 此後「在反射膜進行因熱記錄而產生之資訊的追加記錄之 步驟。 本發明係具有具備在至少厚度之方向或軌道寬幅方向之 任思一個方向’形成有因物理形狀變化而產生之資訊記錄 邵足反射膜之資訊層，且反射膜係對由電氣電阻率為 以上且90⑷.cm以下之A1合金或Cu合金所構成之光記 綠媒體，使反射膜產生變質，並依據使該反射率產生變化 之熱記錄而進行資訊之追加記錄之光記錄方法。 · 此外，本發明係在上述光記錄方法當中，光記綠媒體係 具有在反射膜上形成有保護膜，且反射膜之電氣電阻率為 · 30μΩ·οιη以上且9〇μΩ.οιη以下之構成。 二 本發明係具有具備在至少厚度之方向或軌道寬幅方向之 任意一個方向，形成有因物理形狀變化而產生之資訊允錄 部之反射膜之資訊層，且反射膜係由電氣電阻率為2〇二 以上且90μΩ·αη以下之Α1合金或Cu合金所構成，並對在反射 膜上藉由使反射率產生變化之熱記錄而實施追加記錄之光 84042 15 1244085

此外，本發明係在上述光再生方法當中 並I皆由因其返回光之反射率 追加記錄之再生之光再生方 光記錄媒體係 在反射膜上形成有保護膜之構成。 ，、 此外纟無明係在上述光再生方法當中，光記錄媒體係 進而作成反射膜之電氣電阻率為3〇 μΩ·⑽以上且9〇阶咖以 下之構成。 邮^發〜明芡記錄媒體，係能使用於CC^DVD等之光記錄媒 、亦即本务明係具有在光碟狀、卡片狀之基板或薄膜等 、土板上作為土少厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一 個物理形狀變化而進行資訊記錄，記錄所謂資料資訊等之 本體的·資訊之資訊記錄部，亦即具有11〇％部且覆蓋而形成 反射膜之資訊層之光記錄媒體，特別是該反射膜係能進行 因熱記錄而產生之追加記錄之構成，並作成由電氣電阻率 為20 μΩτηι以上且9〇 μΩ··以下之A1合金或Cu合金所組成之 構成。 孩反射膜係能作成由A1合金或Cu合金所組成之單層構造。 圖1係作為本發明之一實施形態，而表示光記錄媒體之概 略構成圖（侧面圖）。該光記錄媒體S係對再生專用之光碟之 所謂CD而使用本發明者。 該光記錄媒體S係在例如由聚碳酸鹽（PC)樹脂所構成之透 月基板1之一主要表面，藉由凹凸坑洞或蛇行之導引溝而預 84042 -16- !244〇85 先記憶資訊’並於其上(圖"系形成為下側)形成 。進而反㈣3之透明基板1係在其相反侧形成有保護膜:: 亦即’在返明基板!和反射膜3之界面，藉由凹凸

蛇行導引溝而構成凹凸之資訊層（資訊記錄部）2。丨S 透明基板1係例如藉由射出成形等之塑膠 等而形成。 、及"法 反射膜3係以成膜之容易度而藉由賤鍍法，—般係藉由電 磁濺鍍法而予以成膜。 作為—保謾膜4係例如使用紫外線硬化性之樹脂。繼之，萨 由破轉塗敷法等而將紫外線硬化性樹脂塗敷於反射膜3的表 面上之後，藉由紫外線之照射，使樹脂硬化而形成保護膜4。 資訊層2係例如在圖2或圖3能分別表示一部份之概略平面 圖之狀態，資料資訊等係作成如圖2之因厚度方向之變形而 產生^凹凸坑洞12P而形成之習知之記錄部，或如圖3之因 軌=見幅万向之變形’而形成有作為蛇行導引溝而形成 、^^知之貝訊$己錄部12而構成。 此類資訊記錄部12，亦即凹凸坑洞12p或蛇行導引溝 '、、藉由使用具有分別相對應之坑洞或溝之印模並藉由射 出成型而和基板丨之成型同時地形成於該一主要表面之方法 或在透明基板1上例如在塗敷紫外線硬化樹脂之後，將具 有斤而之J几洞或溝之印模予以壓製而使其硬化之方法（所謂 2P法）等，為藉由通常之製作方法而形成。 進而在本實施形態之光記錄媒體S當中，係在讀取來自 兒綠部12之資料資訊等、習知之記錄時，不僅具有反射其 84042 -17- 1244085 讀取用光之功能，亦將反射膜3作為追加記錄之記錄層而使 用。亦即曰由遠反射膜3而構成追加記錄區域者。 該追加記錄區域係因應於追加記錄之目的，而作成上述 之凹凸坑洞12P或蛇行導引溝12G之資訊記錄部12内的同時 ，亦能作成該習知之資訊記錄部12之形成區域外。 將追加記錄區域作成資訊記錄部12之記錄區域内時，係 設置於該習知之物理形狀變化之最短週期部以外較為理邦、。 亦即，如圖2所示，資訊記錄部12係採取依據凹凸坑洞 12P的敢狀之記錄形態時，係在凹凸坑洞12p之最短凹凸間距 部以外當中，於該凹部或凸部之坑洞部、或其間距間等形 成追加記錄部12A。 此外’如圖3所示，資訊記錄部12係由蛇導引溝i2G而構 成時，係能在該軌道寬幅方向之來回變化之週期之最短週 期部以外之例如蛇行導引溝12G内形成追加記錄部12A。 在圖2和圖3 g中，LS係表示用以形成追加記綠部pa之 雷射光之光點。 又，該追加記錄用之雷射光係使用較再生用之雷射光更 大的強度而予以集光之雷射光。 在將追加記錄區域作成習知之資訊記錄部12之記錄區域 外時，係亦於習知之資訊記錄部12之記錄區域外設置凹凸 均洞或蛇行導引溝，並亦可於該處形成追加記錄區域。 例如圖4所7F，作為習知之資訊記錄部12而預先形成之凹 凸坑洞12P《外，可將形成有追加用之導引溝13G之區域 作為追加記錄區域13,並於該追加記綠區域13内進行雷射 84042 -18- 1244085 知、射又記錄而形成追加記錄部13A。 此類圖2〜圖4之任音之一個悴 U個“，當由截面圖觀剛時， 二，。圖5所示，藉由雷射光之照射而在反 份形成可進行記錄之追加記錄部ί2Α。 起3〈_邵 錄=、在圖5#中，雖僅在由雷射光之射人侧而觀剛時之記 :曰尤凸邯形成有追加記錄區域]2Α，但，亦可 记紅層2尤凹部、或記錄層2凸部和凹部之雙方形 万、 錄區域12Α之狀態。 ^成道加記 此外，為了猎由反射膜3而構成追加記錄區域以 射膜3係使用藉由例如因兩 J反 .γ"丄 田射先知、射而產生之熱記錄而使相 士貝取用光〈反射率產生變化之材料。 7為如此之反射膜3之材料’係列舉如A1合金或Cu合金。 繼精由特別將反射膜3作成在ai合金或 自至少 Ti、Si、CU、A1、- — Ar、Mg、Tb= 有該選擇之元素)之組成，而使反射膜3形 成/、有通5 t這加記錄之電氣電阻率。 此處，有關於金屬，而中A你、苦+ 和熱傳導率k之間，因為^成下料之倒數之電氣電阻率p 為系成乂下逑 < 韋德曼弗南茲式之關 係，故得知電氣電阻率和熱料率係形成反比例。 k=LT/p (1) 其中 ’ L = 2.5x 1〇·8 wn/V2 工 π 义 a k而％為洛倫茲因數之常數，且 (K)係絕對溫度。 1 繼之，將集光用光照射於如Ai、Ag、Au、_ 較高之反射膜時，其膜之㈤ /皿又上升係大約反比例於熱傳導 84042 -19- Ϊ244085 率。 Q此，溫度上升係比例於電 高之材料，愈能以較低的 、，且電氣電阻率愈 权低的功率進行記錄。 上卞I i由於A1單體或CU單體係電氣電阻率為較低，私 圮〈式（1)而熱傳導率係變大， :一文由 該今轉# t 0易於放煞，若未拇士 己紅功率時，則難以進行記錄。 q大 ，万'此點’如上逑在A1合金或Cu 、Cu、AI、Fe、w、 /。有選自 Tl、Si w Q 〇、Ar、Mg、丁匕之 ’即能省由所含有之元素， 上U素時 齑+阳t ^Ai早胆或Q早體更提高Jt電 乳电阻率’且能以更小之記錄功率而進行記錄。 1 Λ1此外，由在該A1合金或Cu合金至少含有選自Ti、Si、Cu 、心W、Cr' 〇、&、Mg、丁…種以上之元素之材料 所構成之反射膜3之電氣電阻率’理想上係作成2〇阳啦以 上，更理想則作成3〇^.cm以上9〇叫·咖以下。 該反射膜3之電氣電阻率，係因反射膜3之膜厚d或合金之 組成、特別是含有合金之元素的種類及其含有率而產生變 化。 、塵之，反射膜3之成膜步驟，係使用由八丨或八⑻合金等期 望之組成之材料而形成之濺鍍耙、或各構成元素之單體和 構成其合金之複數個濺鍍耙，在既定之真空度以下將濺鍍 槽内予以排氣之後，再進行濺鍍處理。 藉由濺鍍法而將該反射膜3予以成膜時，依據濺鍍耙之種 類而改變含有A1合金或Cu合金之金屬元素之種類或含有率。 此外，藉由以濺鍍法而使反射膜3成膜時之到達真空度或 84042 -20- 1244085 濺鍍氣體之壓力 之含有率。 而改變已成膜之反射膜中 之氧0或氬Ar 、因此:亦可依據錢鍍耙之種類、到達真空度麵鍍氣Γ 之種類等，而改變已成膜之反射膜3之電氣電阻率。把 進而在孩反射膜3之成膜步驟當中，藉由控制錢鍵之 或時間，即能控制反射膜3之膜厚。 據此，即能控制反射膜3之膜厚，且能在反射膜3獲 望之電氣電阻率。 繼之，若能如上述將反射膜3予以成膜而製作絲錄媒體 S，而且作為反射膜3之材料而使用較廉價之八丨合金時，則 能以和習知之再生專用之光記錄媒體（職光碟相同程 度（廉價成本而提供可進行追加記錄之光記錄媒體。 此處’將本實施形態之光記錄媒體之記錄部阳口追加記 錄部12A之再生訊號輸出波形予以表示於圖6。如圖6所示， 相對於圖中以實線所示之例如凹凸坑洞之記綠部12之再生 訊號之輸出，而追加記錄部12A之再生訊號之輸出係如圖中 虛線所示，依據追加記錄部12A之反射率的變化，亦即根據 反射率之增加或減少而進行微小之變化（pS),因此，藉由 檢測出該微小變化pS，即能將該微小之檢測輸出作成^加 記錄之再生訊號。 該追加圮錄《訊號，實際上係低密度，且頻帶域係偏低。 此外，例如在進行追加記錄時，將相同的訊號予以記綠 於追加記錄區域之複數個處所，而進行該複數個處所之再 生等’係此使用和通常之記錄邵12之再生方法相異之再生 84042 1244085 方法而進行安定之追加記綠之再生。 此處，將添加各種雜質於八丨之八丨合金作為反射膜3而予以 成膜而製作光記綠媒體s，並調整其特性。 首先，作為透明基板丄係在射出成形之聚碳酸鹽樹脂，使 用形成有軌道間距1.6_、深度％㈣之連續導引溝者。 繼之，在該透明基板1±，係藉由電磁㈣法而將添加各 種雜質於A1之A1合金作為反射膜3而予以成膜。 繼《，對該A1合金膜予以照射雷射光，而進行相當於上 述之追-加記錄之記錄。 此後，將雷射光予以照射於反射膜3之記錄區域而 生處理。 此時，使用於記錄和再生之光學系統，係作成波長撕職 、對物透鏡之開口值ΝΑ=0·50、線速度48m/s。此外，在記 錄當中.’作成頻率2 MHz、訊錄脈衝工作比4〇%。 繼之，作為反射膜3之特性的測定係進行如下之側定。 首先，使用頻ΐ普分析器而測$以分解頻帶區域寬幅％ KHz而記錄於反射膜3之訊號之CNR。 田 此外，藉由4端子法而測定反射膜3之電氣電阻率。 又，記錄功率係因應於反射膜3之合金組成，而適當地在 35 mW以下之範圍内進行變更。 首先，將反射膜3之組成作成AI合金之(原子％), 而使反射膜3的膜厚產生變化時、改變到達真空度時、〆 改變濺鍍之氬氣體（Ar)之壓力時之記錄功率、cnr、反二= 之電氣電阻率之測定值表示於表1。 、吴 84042 -22- 1244085 氣體壓力產生變動時，其記綠功率和電氣 大致形成直線。 千〈W係係 、因此’將成膜後之反射膜3之電氣電阻率予以監 該值作成固而藉由易於控制之條件例如回饋於膜厚^ ，則有關於膜厚以外之變動要因，亦經由膜予7 以吸收，並可控制記錄特性之變動。 予工1而予 又’在到達真空度係未充分低時，—般 Π已濺鍍之膜中，因此，在反射膜3之電氣電阻率Si 同時1減低用以進行記錄所必須之記綠功率。升的 另-万面’因改變濺鍍氣體之氬氣體壓力而使膜之 域造屋生變化，以及合金之情形時係膜組 特別是在氨氣體壓力為較高時，作為雜質 而猎由我或風寺<取入’而在反射膜3之電氣電阻率上升 同時，评減低用以進行記錄所必須之記錄功率。 、 繼又，添加各種元素於A1合金的同時，亦 變更反射膜3之材料組成而製作光記錄媒體，且：：：：並 錄媒體當中，測定其CNR為3〇dB之 各個先§己 。將測定結果表示於表2。 知功率和電氣電阻率 45Γ/壬意一項材料組成中，其反射膜3之膜厚係全部作成 表2 材料組成（at%)

電氣電阻率 (μΏ· cm) 反射率（％)

84042 -25 - 1244085 A196.6T13.4 23 82 A196.0T14.0 29 81 A194.9T15.1 28.2 41 80 Αΐ93.όΤΐ6.4 26.2 46 76 Al87.5Sll2.5 一 27 77 AI86.5SI13.5 31.5 37 73 AI81S119 24.6 77 71 Al97.iTb2.9 細 26 75 Al94.9Tb5.i 30.5 37 73 Al96.7Fe3.3 義 25 70 AUjFe” 29.7 44 70 Al93.iFe6.9 24.5 83 61 A191FC9 19.3 110 55 Αΐ9ΐ.5〇Γ8.5 24.0 88 65 Al93.8W6.2 22.5 82 62 AI86CU14 27.7 48 74 A174.4CU25.6 23.5 79 60 Al9〇.6Ti51Cu4.3 25.5 51 72 A182.0T14.7CU133 24.5 69 70 Al94.〇Ti5.iFe〇.9 23.8 63 72 Al93.6Ti5>iFei.3 21.5 77 71 Al86.〇Mg8.8Ti46Fe〇i6 30.8 33 76 Al83.6Mg9.6Ti5.iFei.7 25.5 58 73 Al84.6Mg9.6Ti5 iFe〇 7 27.3 43 75 84042 -26- 1244085 由表2而得知，雜；士 、 冰/、足種類係較不受影響，隨 加κ增大而電氣電阻率即增加。 七貝的添 此外’以表2之4士黑备甘 ^ ^ 〜果為基準，在橫軸取其電氣電 _其記錄功率而予以描繪之圖，表示於圖δ。率’在 由圖8而得知，電氣電阻率為％叫⑽以上時匕 讀以下之記錄功率（可獲得助之⑽）而進 ^以35 但是，如表2所示’由於在電氣電阻率之增加的 :=·低，故過度的電氣電阻率之增加，係二=反 先碟再-生裝置之互難之點（反料過低時 既存< 再生裝置係無法進行訊號檢測）具有問題。 子《光碟 Q此’理想上係反射率為6〇%以上，亦即電 作成90μΩχΓη以下較為理想。 *甩阻率係 、面在工廠出貨前之光記錄媒體（光碟二 ⑽編號等之資訊時，亦可在形成保護膜4以前進行=錄光 耔以和表2相同之條件（材料組成、膜厚），:…不 ^莫4之光碟進行記錄時之結果，予以表示於表3王未形成保

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84042 -28- 1244085 在表中雖μ $，_，μ > 錄時之CNR ,係較# σ .豕力率而進行記 .成有保護膜4之後再進行吃錄祛工 升數肋。此係可視 。'豕時而上 反射膜3之界面之化僅^輯因熱而屋生變化，且和 ^ ^ 土板又形狀係（無關反射膜3之材料幼&、 α 4而產生變形之功效亦重疊。 才科.'·且成） 此外，將表3之結果，在橫抽取 其記錄功率予以描綸 、尼卩率，在縱軸取 田目又圖，丁以表示於圖9。 將圖9和圖8進行比較時，即可 較低之,。 王^均偏私至記錄功率 相對万、添加雜質於八丨之膜之記錄機構，係因 、以二表保護膜之狀態下，於反射膜進行記錄時 之記錄功率之莫之狀態下’於反射膜進行記錄時 八.刀手《差井，係推測如下。 在具有保瘦膜之狀態下，而於 、 有保護膜之後再進行記錄時，即在形成 金膜之細微構造之 人人 '見4構成反射膜之AI合 Λ丨人人# 又 或A1合金膜和基板之界面、或因 θ至膜和保護膜之界 ^ 為主要原因。 π子反應而產…射率變化 射二t:在，有保護膜之狀態下，合金膜所組成之反 射fe進行兄錄之後 摇.^ ，將A1人人 曼版予以剥離’進而在驗溶液中 a金膜，：：所、’且成〈反射M予以溶解，此後，再度將A1 二八::’並調整將再生用之雷射光照射於已成膜 。至版而獲得之訊號。該情形時，訊號準位係大幅降 84042 -29- 1244085 低而返回記錄前之狀態。 因此’基板之形狀變化係不 因記錄而產生之反射率的變化 要原因。 口。己綠而產生大幅變化，而 ’其前逑之要因係被視為主 另一方面’在未形成保護膜之能 ^ ^ ^ w下，於A1合金膜所組 成足反射艇進行記錄之後，進行〜 準位之降㈣較少。 驗時，則訊號之 亦即將進行記錄之A1合金膜予 剝離而重新將A1合金膜 丁以成1吴時，亦得知在已剝離 行記錄之”。 &㈣的似金膜反映出進 因此，在無保護膜之情形下而 仃记錄時，可推足在A1 合金腰足結晶性之變化或界面之枚 丨两 < 化学變化〈外，起因於基 板的形狀變化之反射率變化係相當大。 如此之由於伴隨著基板之形狀變化，而使記錄而產生之 反射膜（反射率變化呈現明顯化，並可推測在具有保護膜 《狀怨下’能讀進行线時更低之記錄功率而於反射膜 進行記錄。 繼之，在此類之任意一種記錄機構中，作為第丨次近似值 ，將A1合金膜予以加熱至某種程度之溫度為止，亦即因記 紅時之到達溫度而使訊號量產生變化。該記錄時之到達溫 度係由A1 口至膜之熱傳導率而決定，熱傳導率係根據式⑴ 而反比例I %氣電阻率。因此，記錄功率和訊號之關係不 致於大幅依存於雜質元素，而依據記錄時之到達溫度而決 定’亦即依據電氣電阻率而大致決定。 84042 -30- γ244〇85 繼之，有關使用各種材料 分別測定在具有保護膜4之狀雜 至於反射膜3時， 保護膜之狀態下而進行— （仃圮鉍時、以及在無 、以及各材料組成之之記錄功率 表示於表4。 〜乳電阻率。將其結果予以

由表4而得知，將反射膜 同地，藉由Cu單體而使電氣電阻率上升，並能以較：之記 錄功率而在反射膜3進行記錄。 - 繼之，亦可推測出將反射膜3作成Cu合金時，亦和A卜金 相同地’藉由因膜之光學性變化和記錄時之溫：祷 聚碳酸鹽基板表面之形狀產生變化而能進行記錄^ 又，在表i〜表4當中，因為係將記錄功率之測定值作成 CNR為30 dB之記錄功率，故即使反射膜3之電氣電阻率為如 μΩ_αη以上，而CNR亦不會形成3〇犯，故形成無記 測定值。 只際上，依據光再生裝置（或光記錄再生裝置）之構成 84042 -31- 1244085 亦有即使CNR為未滿30 dB而亦能充分進行訊號再生之情形。 即使使用如此之裝置時，為了充分地進行追加記^訊 號之再生，則至少反射膜3之電氣電阻率係2〇阳师以^ 為理想。 此外，在形成保護膜4之後，於反射膜3進行追加記錄時 ，則至少反射膜3之電氣電阻率係30叫.咖以上較為理想。 上述之實施形態係說明使用於圖丨所示之構造之光記“錄媒 體（光碟）之情形，但，本發明亦可同樣地使用於另外:: 成之光〜記錄媒體，例如將圖10所示之2片基板予以貼合而構 成之構造之光碟。 圖10所示之光記錄媒體S2係重疊於第i資訊層2，同樣地 具有形成有第2反射膜33之第2資訊層32，其第2透明基板31 係藉由透明接著劑5而予以接合，並構成具有2層的資訊層 之光記錄媒體S2。 茲情形時，可作成自第2透明基板31側對第2反射膜33而 進行追加記錄，並進行第2資訊層32之追加記錄、以及習知 之記錄之讀取之構成。 另一方面，作成自透明基板1側對第2反射膜33而進行追 加記錄，並作成能進行第2資訊層32之追加記錄、以及習知 之记錄謂取之構成時，係必須將（第1之）反射膜3作成半透 過膜。於是，第2反射膜32係例如使用前述之4〇〜45 nm程度 之A1合金膜或Cu合金膜，而第1反射膜3係以能形成半透過 膜之狀態，而使用膜厚較薄之例如5〜20 nm程度之A1合金膜 或Cu合金膜。如此之由較薄之合金膜而構成第1反射膜3時 84042 -32- 1244085 ’係將第1反射膜3作成半透過膜的同時，亦能對第1反射膜 3而進行追加記錄。 此外，亦可作成在第1反射膜3係不進行追加記錄，且作 f DVD等之半透過膜係使用一般所使用之由犯或~合金所 ’在第2反射膜33使用本發明之似金膜或& δ至膜，並僅於第2反射膜3 3進行追加記錄之構成。 /進而亦可作成作為第丨反射膜3之材料，係以能形成可進 仃追加記錄之半透過膜之狀態，而使 ，金，且能在第1反脑和第2反射膜上=行 追加記錄之構成。 圖圖10之光記錄媒體s2當中，在表面形幻呆護膜（未 而於反射膜3、32進行記錄時，係在進行往各個 =板:，反射膜3、32之成膜、以及往反射膜Μ 、:錄=可藉由紫外線硬化樹脂等將2片之透明基板〗 接著:，貼合，並藉由紫外線照射而使其硬化而作綱 根據本發明之光記錄 在製造時予以記入代碼=冑由可進行追加記錄，例如 該代碼之演算程序之再生4另—万面’藉由具有能解讀 例如對達法拷貝之光而進行該代碼之再生，據此 之可進行多數之利^法料能作成無法再生之狀態等 此外，例如租督f 用代碼，並禁止該特定人^加鮮於租賃許可之特定人之專 使用者，而在媒體管理式：外之使用，或例如藉由-般之 或避鐵軟體之遊戲結束點、或再生 84042 -33 - 1244085 完成位置之標記、使用資訊之記錄、其 錄、繼而將此類讀取功能賦予記錄再^壯Γ纟次數等記 取各種利用形態。 衣且，據此即能採 是故，本發明之光記錄装置係且 對於上述之本發明之光記錄媒體而構成。“相 對光記錄媒體具有因應於追加記錄資訊而；二：機= 光構，並藉由雷射光之照射，使反射 之構成〜。 把進仃追加記錄 此外，本發明之光再生裝置係具備光再 對於上述之本發明之實施追 j、、係相 該光再生機構係具有： κ先騎媒體而構成。 及再生光照射機構，其係將再生光照射於光記錄媒體;以 檢測機構，其係檢測來自該反射膜之返回光. 並將來自該㈣機構之檢測輸出 錄之再生訊號。 又化作為這加記 此外’本發明之光記錄再生裝置係具備·· 以’其係相對於上述之本發明之光記錄媒體； 光再生機構； 係具有雷射光之照射機構，其係因應於相對於 ” ；足這加記錄資訊而進行調變，並藉由雷射光、 …、射而將上述反射膜進行變質，且藉由使該反射率產生變 84042 -34- 1244085 化之熱記錄而進行追加記錄，光再生機構係具有： •再生光照射機構，其係將再生光予以照射於光記綠媒體 檢測機構，其係檢測來自該反射膜之返回光； 並將來自該檢測機構之檢測輸出之微小變化作為追加— 紅之再生訊號而予以取出。 此外，採用本發明之光記錄媒體以及其製造方法而進疒 所需之追加記錄時，於讀取該追加記錄之訊號時，係 記錄i生裝置或光再生裝置構成如_所示之再生訊號系 統之電路。據此即能進行追加記錄訊號之再生。^、 圖11所示之再生訊號系統之電路’係例如進行對於圖1所 說明之光記錄媒體S之（記錄）再生者，此時，係具有'將°光二己 錄媒體S進行旋轉驅動之驅動部41。該驅動部41係藉由旋轉 馬達42而進行旋轉驅動。此外，在該旋轉馬達幻當中，藉 由伺服電路（未圖示）而施以光記錄媒體s之旋轉速度之控制和 二對向於該光記錄媒體S，且作為進行光記錄媒體§之追加 圮錄之再生之光再生機構而設置有光拾訊器43。又，在光 記錄再生裝置，係亦可作成該光拾訊器43係兼用進行上述 之追加記錄之光記錄機構。 該光检訊器43係藉由未圖示之螺紋機構，以能平行地移 力於光記錄媒體s之半徑方向之狀態而構成。 此外’肖光拾訊器43係例如通常之光再生裝置或光記錄 1生裝置之拾訊器構成，具有具備半導體雷射之光照射機 ’且來自半導體雷射之雷射光係藉由對物透鏡而能集光 84042 -35 - 1244085 照射於光記錄媒體s而構成。 該光照射機構# m p、λ 氣、備因應於追加記錄資訊而將相對於雷 如配之照射光予以調變之調變機構、控制例 -万、田射光〈光程之光強度調變元件 =率之調變機構，且對光記錄媒體s能照射記錄雷射光之 狀悲而構成。同時在再各 h 、 在舟生田中’其作為再生光係能照射雷 射之狀態而構成。 此外"通光拾矾器43係具有檢測部，其係檢測來自上述 之雷減之光記錄媒體8之返回光，並作為電氣輸出而予以 取出。 、如此處理，即旎進行往追加記錄部12A之追加記錄資訊之 々、及來自上述之圮錄坑洞12P之習知之記錄資訊和追 加記錄邵12A之追加記錄資訊之讀取。 、此外’和通常又光拾訊器相同地取得追跡誤差訊號和對 焦誤差訊號，並藉由此類誤差訊號而施加追跡伺服器和對 焦伺服器而構成。 叹置有電路部50 ’其係控制該光拾訊器43之光記錄和光 再生動作。孫電路邵5〇係具有：伺服訊號區域5丨、奸訊號 區域52、通常資料解碼電路53、誤差訂正區域％、追加資料 解碼電路55、以及誤差訂正區塊56而構成。 伺服訊號區域51係進行上述之追跡伺服和對焦伺服、以 及其他之伺服之訊號處理或控制。 通系資料解碼電路53和誤差訂正區塊54、以及追加資料 解碼黾路55和誤差f丁正區塊56，係均設置在再生用之相同 84042 -36- 1244085 之積體電路内。 在該構成當中，係如下處理而進行訊號之再生。 光記錄媒體S係例如在該既定部，具有追加記綠部 其係記錄製造者之各種代碼、標記、例如用以檢測正 當使用之標記而構成。 將光記綠媒體S設置於驅動部41時，則藉由未圖于之⑽ 等之控制’而光拾訊器43之雷射光即能照射光記綠媒體仏 追加記錄位置之位置，亦即能照料施以標記記入之既定 位置。局且，設定在適合於該標記檢測之雷射輸出。 如此處理，艮P能自光拾訊器43而耳又出追加記綠部12A之標 §己：產生〈再生輸出。而且’例如以該再生輸出為基準而 使標§己檢測輸出為輸入至CPU，並藉由CPU之控制而例如將 再生動作予以停止。 繼之，不進行該停止動作時，係依據來自匚阳之指令而 使光拾訊器43之雷射光照射光記錄媒體8之 錄部12,並實施再生動作。亦即，例如來自光拾訊Li 2錄和之讀取訊號⑽訊號），係在即訊號處理區塊对 精:由既疋疋削切準位而施以2值化，而取得2值化訊號 。、而《值化訊號係藉由通常資料解碼電路μ而予以解碼 ’並產生再生資料。該再生資料係在誤差訂正區域54當中 :: 吏用附加於記錄時之編號化時之誤差訂正符號而施以誤 差《丁正處理’並以數位類比變換電路而變換成類比訊號， 且使記錄部12之原本之記錄資訊進行再生。 處追加。己麵係僅在和記綠有凹凸坑洞等所產生之原 84042 37- 1244085 ，記錄資訊之記錄部12之另㈣區域進行時，係和上述 =習知之記錄資訊之再生相同地，在即訊號處理區域52當 例如將來自光拾訊器43之追加記錄部之讀取訊號（RP訊 Γ/Λ由既^之削切準位而施以2值化’並將所取得之2值 」矾號藉由追力口資料解碼電路55而@行解碼，$而在誤差 叮正區域56#中’進行誤差訂正處而進行再生即可。 此外，追加§己錄係在記錄著原本之記錄資訊之記錄部12 、=時、，追加記錄之資料訊號之頻率區域係較原本之記錄 訊號之頻率區域更低時，藉由過遽器而能分離成相 芳之2種類之資料訊號。 另-方面，無法藉由過濾器而予以分離時，係如上之處 理而將記錄部12之原本之記錄資訊進行再生，並作成以核 =本之記錄資訊為基準之職號之波形，並將原本之記錄 貝訊〈波形、以及來自光拾訊器43之記錄部12之讀取訊號 (RF訊號）之波形予以進行比較演算（減算處理）。 經由據此而取得之RF訊號之差份之波形，藉由追加資料 解碼電路55而將2值化訊號予以解碼，進而在誤差訂正區域 56當中’ it行誤差訂正處理，而將追加記錄之資訊予以再 生0 繼之，對於光記錄媒體S之追加記錄’係如下而進行。 雷射光之照射位置為設定於進行追加記錄之既定位置， 並藉由以記錄資訊為基準之控制訊號而使光拾訊器43之雷 射光進行調變，且對追加記錄部12A之反射膜3而^行因^ 射光的照射而產生之追加記錄。 84042 -38- 1244085 '兄月係5兄明有關於具有相對於光記錄媒體s之再 生功此和記錄功能之本發明之光記錄再生裝置之一例，但 為=曰^光記錄裝置’以及’本發明之光再生裝置係作 ϋ成之光記錄或光再生之任意—方之功能之 裝置而構成。 万之力此< 又丄本發明之^記錄媒體、光記錄再生裝置、歧錄裝 10、、丄再生裝置’並不限定於以上述之實施形態(圖卜圖 ^光記錄媒體為對象之情形，另外之具有所謂雇部之 光記《體(光碟等)亦相同地能適用本發明。 日本發1月係不限定於上述之實施形態，且能在不脫離本發 明足要旨又範圍内取得另外之各種構成。 κ本叙明 < 光記錄媒體，係對再生專用之光記錄媒 ，而能進行追加，據此，例如在使用者方面，其使用再生某 j位置或遊戲軟體之遊戲結束之標記、使用者方面之記 紅衣置’ gp能易於進行個人之記錄之資訊記錄（例如再生次 數使用者旁訊、再生中斷處所之位置資訊等之資料之記 紅三或作為RQM*予以記憶之資料之—部份變更等）。例如 ’精由利用網路而進行資料之傳送，即能使上述之各種 能呈現在線上。 此外’耶可施以租赁業者之特定借出人之密碼、除此之 外，可進行再生次數等任意之記錄。 此外，在製造者方面係可實施管理碼之記入等，並 製造來原之特定、可再生之内容限制、有無達 ： 識、管理等。 辦 84042 -39- 1244085 例如刖述處理’藉由在製造時將代碼資料予以記入，並 以具有能解讀密碼之演算程序之再生裝置而進行再生，據 1匕而有關於達法拷貝之光記錄媒體，係能作成使無法再生 等之多數之利用方法。 繼之’本發明之光記錄媒體係'作為進行上述之追加記錄 U己錄層、^非設置特別之構成之記錄層，藉由選定形成 原本之貝Λ層之反射膜之組成，而該反射膜本身由於亦 構成進行追加简之追加記錄區域，故不會導致任何製造 步驟數-之增加而進行量產，此外，因為能迴避有害物質之 使用，故具有能廉價地和通常之再生專用之光記錄媒體同 寺乏量產性、成本而予以製造。 此外對於本發明之光記錄媒體之記錄方法，係因為能 ::導體雷射之光記錄’故在該記錄裝置亦即光記錄裝 乂 作成因應於該追加記錄之目的之構成，基本上係 不須要特別之構成。 =於本發明之光記錄媒體之光再生方法，亦因為能 =!體雷射之光再生，故作成因應於該追加記錄之目 的足構成，基本上係、 ,.^ ^ 、 I吊又光記錄再生裝置，由於能藉 導1射之讀取，故能作成簡便之構成。 、:=本發明之光記錄媒體係藉由制定施以記錄之反射 軋電阻率，而能抑制起因於製造步驟之條件之變動 《騎所必須之功率之變動 【圖式簡單說明】 …丁文…己鉍 圖1係本發明泛—眘# μ、 〃形怨 < 光記綠媒體之概略構成圖 84042 -40 - 1244085

(截面圖）D 圖2係表不在圖1之光却0 、 牡口 九。己餘媒體當中，反射膜之一形態之 吕己綠邵和追加記錄部的關 j< 要邵之概略平面圖。 圖J係表示在圖1之光記转 ^ C %媒體當中，反射膜之另外之形 悲之冗錄部和追加記錄部、 W關係 < 要部之概略平面圖。 4係表示在圖1之光記錄媒體當中，反射膜之更另外之 形怨足記錄部和追加記錄部的關係之要部之概略平面圖。 、圖5係表不在圖1之光記錄媒體當中，在反射膜進行追加 S己錄之4史態之概略截面圖。 圖6係表示圖丨之光記錄媒體之再生訊號輸出波形之圖示。 圖7係描繪表1之測定結果之圖示。 圖8係描繪表2之測定結果之圖示。 圖9係描繪表3之測定結果之圖示。 、圖10係本發明之另外之實施形態之光記錄媒體之概略構 成圖（截面圖）。 圖Π係表示使用於本發明裝置之再生訊號系統之電路之 形怨之圖示。 【圖式代表符號說明】 1、31.·_ • ••透明基板 2、32··· _:·資訊層 3、33.·. •反射膜 4..... 保護膜 5.···. 透明接著劑 6..... 對物透鏡 84042 41 1244085 12…… 記錄部 12A..... 追加記錄邵 12G••…蛇行導引溝 12P••… 坑洞 43 ••… 光拾訊號 S、S2••…光記錄媒體 84042

Claims (1)

1244085 拾、申請專利範圍： 1. 一種光記錄媒體，其特徵在於. 具有資訊層，其係具備至少在厚度之方 方向之任意—個方向，形成有利用物理形狀變：項寬幅 記錄部；且備有反射膜； 資訊 上述反射膜係可進行利用熱記錄作追加記 並由電氣電阻率為20 μΩ_以上且cm 2， 或Cu合金所構成。 合金 2· 如申讀專利範圍第1項之光記錄媒體，其中 在上述A1合金或上⑽合金中，添加有選自Ti、Si、Cu 3. 〜，、^〜◦、^，、几之至少旧以上之元素。 如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中 上述追加記錄之記錄區域係設置於具有經施以上述物 4. 理形狀夂化〈資訊記錄部之記錄區域内或外部。 如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中 5. 在上逑反射膜之上形成有保護膜。 如申請專利範圍第4項之光記錄媒體，其中 上迟反射膜之電氣電阻率係30 μί> cm以上且90 μΏ. cm以 下。 種光记％媒體之製造方法，其特徵在於具有： V在厚度之方向或軌道寬幅方向之任意一個方向 、开乂成有利用物理形狀變化之資訊記錄部之基體上，形 成由兒氣見阻率為μΩ·αη以上且90 μΩ.αη以下之A1合金 或Cu合金所構成之反射膜之步驟；以及 84042 l244〇85 驟 對上述反射膜進行利用熱記綠之資訊的追加記錄之步 如申請專利範圍第6項 在進 先把鉍媒體之製造方法’其中 貝汛又追加記錄之步驟之後，形成保罐月i 於上述反射膜上。 ^风休π月导 一種光記綠媒體之製造方法，其特徵在於具有： 二：二在厚度之方向或軌道寬幅方向之任意-個方沒 ,^ ^ ^ ^狀父化又資訊記錄部之基體上，开 、轧兒阻率為30 μΩ,(：Γη以上且90 μΩ.αη以下之μ人逢 或Cu合金所構成之反射膜之步驟； 口、 在上L反射膜上形成保護膜之步驟；以及 此後對反射膜進行利用熱記錄之資訊的追加之 驟。 • 一種光記錄方法，其特徵在於： 針對具有資訊層，而該資訊層係至少在厚度之方向或 軌道1幅方向之任意一個方向，形成有利用物理形狀變 化足資訊記錄部；且具有反射膜，該反射膜係由電氣電 阻率為20 以上且90 μΩ.ατι以下之A1合金或Cll合金所 構成之光記錄媒體； 使上述反射膜產生變質而使該反射率產生變化之熱記 錄而進行資訊之追加記錄。 10·如申請專利範圍第9項之光記錄方法，其中 上述光記錄媒體係在上述反射膜上形成有上述保護膜 ’且上述反射膜之電氣電阻率為30 μΩ.ατι以上且90 μΩ.ατι 84042

1244085 以下。 11 · 一種光再生方法，其特徵在於： 針對具有資訊層，其係至少在厚度之方向或軌道寬幅 万向义任意一個方向，形成有利用物理形狀變化之資： 記錄部，且具有反射膜，該反射膜係由電氣電阻= μΩ.αη以上且9〇….⑽以下之八丨合金或Cu合金所構成，並 藉由對該反射膜變化反射率之熱記錄而施以追加記釔' 光記錄媒體， ’ < 照射雷射光，並利用因該返回光之反射率變化而產生 之微小變化而進行上述追加記錄之再生。 12·如申請專利範圍第11項之光再生方法，其中 上述光記錄媒體係在上述反射膜上形成有上述保護膜。 13·如申請專利範圍第12項之光再生方法，其中 又 上述光記錄媒體，係上述反射膜之電氣電阻率為30 ·cm以上且90 μΩ · cm以下。 14. 一種光記錄裝置，其特徵在於·· 具備針對光記錄媒體之光記錄機構； 該光記錄媒體具有資訊層，其係至少在厚度之方向或 軌k寬幅方向之任意一個方向，形成有因物理形狀變化 ，產生之資訊記錄部；且具有反射膜，該反射膜係由電 氣甩阻率為2〇 ^.cm以上且9〇 μΩ·_以下之ai合金或合 金所構成； f述光記錄機構係對上述光記錄媒體，具有因應於追 加記錄資訊而產生調變之雷射光之照射機構， 84042 1244085 精由該雷射光之照射而使上述反射膜產生烧μ 2使該反射率產生變化之熱記錄而進行追加記;貝。’亚精 •種光再生裝置，其特徵在於： 具備針斜光記錄媒體之光再生機構； 4光屺錄媒體具有資訊層，其係至少在厚戶 =幅方向之任意-個方向，形成有利用：理 阻率二 Γ: 錄邵’且具有反射膜’該反射膜係由電氣電 構I 以上且90叫观以下之Αΐ合金或cu合金所 上述光再生機構係具有： 再生光照射機構，其係將#生光照射# 體；以及 k尤记％媒 檢測機構，其係檢測來自上述反射膜之返回光； 並將來自該檢測機構之檢測輸出之微小變化作為上成 追加記錄之再生訊號。 U 16 種光記錄再生裝置，其特徵在於： 具備針對光記錄媒體之光記綠再生機構； 該光記錄媒體具有資訊層，其係至少在厚度之方向或 軌通：幅方向之任意一個方向’形成有利用物理形狀變 :之資訊記錄；且具有反射膜，該反射膜係由電氣電阻 =為20 μΩ·_以上且90⑷·cm以下之A1合金或“合金所構 上述光再生機構係對上述光記錄媒體，具有因應於追 加記錄資訊而調變之雷射光之照射機構， 84042 l244〇85 藉由泫雷射光之照射而使上左 由使該反射率產生變化之熱記錄 述反射膜產生變質， l而進行追加記錄， 並藉 上述光兒錄再生機構，其係具有： 再生光照射機構，其係將再生光照射於上述光气# 體；以及 口 、不木 檢測機構，其係檢測來自上述反射膜之返回光； 並將來自該檢測機構之檢測輸出之微小變化作為上述 追加記錄之再生訊號。 84042