WO2003090216A1

WO2003090216A1 - Optical recording medium, manufacturing method thereof, optical recording method, optical reproduction method, optical recording device, optical reproduction device, and optical recording/reproduction device

Info

Publication number: WO2003090216A1
Application number: PCT/JP2003/005099
Authority: WO
Inventors: Katsuhisa Aratani; Shinji Minegishi; Makoto Tsukahara
Original assignee: Sony Corporation; Sony Disc Technology Inc.
Priority date: 2002-04-22
Filing date: 2003-04-22
Publication date: 2003-10-30
Also published as: JP4193408B2; DE60332452D1; CN1545698A; KR101029189B1; TWI244085B; ATE467208T1; EP1498883B1; EP1498883A4; CN1327415C; US7177264B2; JP2003317318A; EP1498883A1; TW200403656A; US20040196779A1; KR20040104893A

Description

明細書

光記録媒体及ぴその製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置技術分野

本発明は、光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置に係わる。背景技術

従来の光記録媒体として、例えばオーディオ用、ゲームプログラム等に用いる例えば C D ( Comp act Disc) や、 D V D ( Digital Versatile Disc) 等の光ディスク、即ち再生専用のいわゆる R O M ( Read Only Memory) 型ディスクがある。

このような光記録媒体における情報記録は、厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかに関レて物理的形状変化として記録された記録部、例えば凹凸ピット或いは蛇行案内溝等が形成され、かつこれら記録部の情報を光学的に高 S N R (信号雑音比）で読み出すことができるように A 1 膜等から成る反射膜が被着されている。

このような物理的形状変化がなされた記録部を有する光学記録媒体は、例えば射出成形によってプラスチック基板の成形と同時に記録部を形成すると力、或いは例えばプラスチック基板上に 2 P法（フォトポリマゼーシヨン法）によって記録部を形成することから、量産的に安価に製造できるという利点がある。

従って、この種の光記録媒体において、正規のルート以外の複製、即ち著作権者の許諾を得ないで複製がなされるという問題があ o。

また、この光記録媒体が非接触的に読み出しがなされるものであって、繰り返し使用によっても特性劣化が殆ど生じないことから、中古品が新品として販売される等、正規のルートによらない販売が行われ、同様に、著作権者の許諾を得ないで販売される等の問題を生じている。

そこで、この種の光記録媒体において、例えばメーカー側で、正規のルートによるものかどうかを判知する手立てとなる暗号やマーク等を記録できるようにすることが望まれている。

また、例えばゲーム用においては、ユーザーがゲームを中断終了させた場合等において、その終了点を判別できる程度の記録や、ユーザーの個人的情報の記録等、ユーザー側での簡便な記録ができることが望まれる。

さらに、ディスクの作製後にディスクに蓄積された一部のデータを訂正、或いは新規データを一部追加できる機能を有することが、メーカー及びユーザーにより望まれている。カーナビゲーシヨン用を例にとると、上述の機能が付加されることにより、簡単な地図の変更、追加情報を通信によりメーカーから送信、或いはユーザー自身がデータ入力し、ユーザー側でディスクに記録することが可能となる。

従来の光記録を可能とする光記録媒体、即ち追記型光記録媒体及び書き換え可能な光記録媒体は、一般に、記録用レーザの照射により光学特性が変化する記録材料から成る記録膜と反射率の高い材料から成る反射膜とにより構成される。

追記型光記録媒体、例えば 1度だけ追記が可能とされた C D— Rは、案内溝を有するプラスチック基板上に色素材料がスピンコート法により塗布され、その後に A u等の反射率の高い金属薄膜をスパッタリング法により形成することにより作製される。

また、書き換え型の光磁気記録媒体では、案内溝が形成されたプラスチック基板上に透明誘電体膜、記録材料である T b F e C o等の垂直磁化膜、透明誘電体膜、さらに A 1 反射膜が順次スパッタリングされて作製される。

また、書き換え型の相変化記録媒体は、上述した書き換え型光記録媒体の構成における記録材料として G e S b T e等の相変化材料が用いられて構成される。

しかしながら、これらいずれの記録材料も高価であり、また書き換え型の光記録媒体においては、上述したように多くの膜形成を必要とすることからその製造工程数が多く、これらに記録材料を用いて追加記録層を形成する場合は、前述した C D等の R OM 型の光記録媒体に比し、格段に高価となる。

この他に、記録膜として A u S n或いは A u S n T i 薄膜の単層や T e O薄膜の単層により構成される追記型光記録媒体、相変化記録に用いられる G e S b T e等の単層膜を用いることによつて、単層でも追加記録が可能な光記録媒体を構成することが可能であるが、これらも材料が高価となる問題を有する。

そこで、本発明者等は、先に、 A 1 に G e , T i， N i， S i， T b , F e， A g等の元素を特定量添加した膜に対して一般的な出力を有する半導体レーザを用いてデータの追記を可能とした構成の光記録媒体を提案した。

しかしながら、このような膜に追加記録を行う場合に、スパッタリングでの成膜条件、スパッタリングで使用するターゲットの組成変動、或いは形成する膜の厚さの変動により、膜への光記録を行うために必要なレーザのパワーが変動してしまうことがありその結果安定な記録が行えないという問題があった。

上述した問題の解決のために、本発明においては、再生専用の光記録媒体の構成と対応する構成及び製造方法により安価に製造することができ、しかも上述した暗号やマーク等新たな情報の追加記録を可能にすると共に、安定した記録を行うことができ良好な特性を有する光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置を提供するものである。発明の開示

本発明の光記録媒体は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有するものであって、反射膜は熱記録による追加記録を行うことができる構成であり、電気抵抗率が 2 0 Ω · c n^以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u 合金から成るものである。

本発明の一の光記録媒体の製造方法は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 2 0 · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜に熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有するものである。

本発明の他の光記録媒体の製造方法は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜上に保護膜を形成する工程と、その後反射膜に熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有するものである。

本発明の光記録方法は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る光記録媒体に対して、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録により情報の追加記録を行うものである。

本発明の光再生方法は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成り、反射膜にその反射率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた光記録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光の反射率変化による微小変化によって追加記録の再生を行うものである。

本発明の光記録装置は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 /1 Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光記録手段を具備しこの光記録手段は光記録媒体に対し追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、このレーザ光の照射によって反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行うものである。

本発明の光再生装置は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光再生手段を具備しこの光再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、検出手段からの検出出力の微小変化を追加記録の再生信号とするものである。本発明の光記録再生装置は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報'層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光記録再生手段を具備し、この光記録再生手段は、光記録媒体に対し追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、このレーザ光の照射によって、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行い、光記録再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、検出手段からの検出出力の微小変化を追加記録の再生信号とするものである。

上述の本発明の光記録媒体の構成によれば、例えば凹凸ピットや蛇行案内溝等による情報を担う物理的形状変化がなされた情報記録部を有し、かつ反射膜が被着形成された光記録媒体において、何ら膜数等の増加を来すことなく、その反射膜の材料（A 1 合金又は C u合金）と電気抵抗率とを選定するのみによって、追加記録領域の形成を可能にする。これにより、製造工程数の増加を来すことなく、従来の再生専用の光記録媒体と同様に量産的に安価に製造することができる。

上述の本発明の一の光記録媒体の製造方法によれば、基体上に材料と電気抵抗率とを選定した反射膜を形成し、この反射膜に追加記録を行うことにより、膜数等の増加や製造工程数の増加を来すことなく、従来の再生専用の光記録媒体と同様に量産的に安価に製造することができると共に、反射膜の電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 · c m以下の範囲に選定されていることにより、比較的低い記録パワーで記録を行うことができ、かつ記録パワーの変動を抑制して反射膜に安定した記録を行うことができる。

上述の本発明の他の光記録媒体の製造方法によれば、基体上に材料と電気抵抗率とを選定した反射膜を形成し、反射膜上に保護膜を形成し、反射膜に追加記録を行うことにより、膜数等の増加や製造工程数の増加を来すことなく、従来の再生専用の光記録媒体と同様に量産的に安価に製造することができると共に、反射膜の電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の範囲に選定されていることにより、比較的低い記録パワーで記録を行うことができ、かつ記録パワーの変動を抑制して反射膜に安定した記録を行うことができる。

上述の本発明の光記録方法によれば、上述の本発明の光記録媒体に対して、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録により情報の追加記録を行うことにより、比較的低い記録パワーで記録を行うことができると共に、例えば反射膜の成膜時の膜厚を制御することにより記録パワーの変動を抑制することができる, これにより、反射膜への追加記録を安定して行うことができる。また、簡潔に反射膜への追加記録を行うことができる。

上述の本発明の光再生方法によれば、上述の本発明の光記録媒体の構成を有し、反射膜にその反射率を変化させる熱記録によつて追加記録がなされた光記録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光の反射率変化による微小変化によって追加記録の再生を行うことにより、本発明の光記録媒体によって反射膜への追加記録が安定して行われているため、充分な C N R (キャリア対雑音比）の再生信号を得ることができる。また、簡潔に追加記録の再生を行うことができる。

上述の本発明の光記録装置、光再生装置、並びに光記録再生装置は、上述の本発明の光記録媒体に対して、光記録手段、光再生手段、並びに光記録再生手段を具備していることにより、従来の装置と同様の簡便な構成とすることができる。図面の簡単な説明

図 1 は、本発明の一実施の形態の光記録媒体の概略構成図（断面図）であり、図 2は、図 1 の光記録媒体において、反射膜の一形態の記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概略平面図であり、図 3 は、図 1 の光記録媒体において、反射膜の他の形態の記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概略平面図であり、図 4は、図 1 の光記録媒体において、反射膜のさらに他の形態の記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概略平面図であり、図 5 は、図 1 の光記録媒体において、反射膜に追加記録が行われた状態を示す概略断面図であり、図 6 は、図 1 の光記録媒体における再生信号出力波形を示す図であり、図 7は、表 1 の測定結果をプロットした図であり、図 8は、表 2の測定結果をプロットした図であり、図 9は、表 3 の測定結果をプロットした図であり、図 1 0 は、本発明の他の実施の形態の光記録媒体の概略構成図（断面図）であり、図 1 1 は、本発明装置に用いられる再生信号系の回路の一形態を示す図である。発明を実施するための最良の形態

本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有するものであって、反射膜は熱記録による追加記録を行うことができる構成であり、電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る光記録媒体である。

また本発明は、上記光記録媒体において、 A 1 合金或いは C u 合金に、少なくとも T i 、 S i 、 C u、 A l 、 F e 、 W、 C r 、 0、 A r、 M g、 T bから選ばれた 1種以上の元素が添加されている構成とする。

また本発明は、上記光記録媒体において、追加記録の記録領域力物理的形状変化がなされた情報記録部を有する記録領域内又は外に設けられた構成とする。

また本発明は、上記光記録媒体において、反射膜の上に保護膜が形成されている構成とする。

また本発明は、上記光記録媒体において、さらに反射膜の電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下である構成とする。

本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜に熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有する光記録媒体の製造方法である。

また本発明は、上記光記録媒体の製造方法において、情報の追加記録を行う工程の後に、上記反射膜上に保護膜を形成する。

本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 3 0 /χ Ω · c m以上かつ 9 0 /ί Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜上に保護膜を形成する工程と、その後反射膜に熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有する光記録媒体の製造方法である。

本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 · c m以上かつ 9 0 /ζ.Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る光記録媒体に対して、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録により情報の追加記録を行う光記録方法である。

また本発明は、上記光記録方法において、光記録媒体が、反射膜上に保護膜が形成され、反射膜の電気抵抗率が 3 0 _β Ω · c m 以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下である構成を有するものとする。本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射膜が電気抵抗率が 2 0 Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成り、反射膜にその反射率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた光記録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光の反射率変化による微小変化によって追加記録の再生を行う光再生方法である。

また本発明は、上記光再生方法において、光記録媒体が、反射膜上に保護膜が形成された構成とする。

また本発明は、上記光再生方法において、光記録媒体が、さらに反射膜の電気抵抗率が 3 Ο μ Ω · c m以上かつ 9 · c m 以下である構成とする。

本発明による記録媒体は、 C Dや D V D等の光記録媒体に適用しうるものである。

即ち本発明は、ディスク状、カード状の基板或いはシート等による基体上に、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの物理的形状変化として情報記録、いわゆるデータ情報等の本体の情報が記録された情報記録部、即ち R OM部を有し反射膜が被着形成された情報層を有する光記録媒体であるが、特にその反射膜が熱記録による追加記録を行うことができる構成であり、電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 // Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成とするものである。

この反射膜は、 A 1 合金又は C u合金から成る単層構造とすることができる。

図 1 は、本発明の一実施の形態として、光記録媒体の概略構成図（側面図）を示す。この光記録媒体 Sは、再生専用の光デイスクであるいわゆる C Dに対して本発明を適用したものである。

この光記録媒体 Sは、例えばポリカーボネート（ P C ) 樹脂から成る透明基板 1 の一主面に、凹凸ピット或いは蛇行した案内溝により予め情報が記憶されており、その上に（図 1 では下側になつている）反射膜 3が形成されている。さらに反射膜 3の透明基板 1 とは反対側には保護膜 4が形成されている。

即ち透明基板 1及び反射膜 3の界面に、凹凸ピット或いは蛇行した案内溝によって、凹凸による情報層（情報記録部） 2が構成されている。

透明基板 1 は、例えば射出成形等のプラスチック成形法、或いは 2 P法等により形成される。

反射膜 3 は、成膜の容易さから、スパッタリング法、一般にはマグネトロンスパッタリング法により成膜される。

保護膜 4 としては、例えば紫外線硬化性の樹脂を用いられる。そして、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により反射膜 3の表面上に塗布した後、紫外線の照射により樹脂を硬化させて保護膜 4を形成する。

情報層 2 には、例えば図 2或いは図 3にそれぞれ一部の概略平面図を示すように、データ情報等が、図 2 におけるように厚さ方向の変形による凹凸ピット 1 2 P として形成された本来の記録部或いは図 3 におけるように、トラック幅方向の変形によって蛇行案内溝 1 2 Gとして形成された本来の情報記録部 1 2が形成されて成る。これら情報記録部 1 2、即ち凹凸ピット 1 2 P或いは蛇行案内溝 1 2 Gは、それぞれ対応するピットもしくは溝を有するスタンパーを用いて射出成型によって基板 1 の成型と同時にその一主面に形成する方法、或いは透明基板 1上に例えば紫外線硬化樹脂を塗布した後に所要のピットもしくは溝を有するスタンパーを押圧して硬化させる方法（いわゆる 2 P法）等、通常の作製方法によつて形成することができる。

さらに、本実施の形態の光記録媒体 Sにおいては、記録部 1 2 からのデータ情報等、本来の記録を読み出す際に読み出し光を反射させる機能を有するだけでなく、反射膜 3 を追加記録の記録層としても用いる。即ち、この反射膜 3 によって追加記録領域を構成するものである。

この追加記録領域は、追加記録の目的に応じて、上述した凹凸ピット 1 2 P或いは蛇行案内溝 1 2 Gによる情報記録部 1 2内とすることも、この本来の情報記録部 1 2の形成領域外とすることもできる。

追加記録領域を情報記録部 1 2 の記録領域内とするときは、この本来の物理的形状変化の最短周期部以外に設けることが望ましい

つまり、図 2で示したように、情報記録部 1 2が凹凸ピット 1 2 Pの形状による記録態様が採られる場合は、凹凸ピット 1 2 P の最短凹凸ピッチ部以外において、その凹部もしくは凸部によるピット部、或いはそのピット間等に追加記録部 1 2 Aを形成する。

また、図 3 に示したように、情報記録部 1 2が蛇行案内溝 1 2 Gによって構成される場合は、そのトラック幅方向の往復変化の周期の最短周期部以外の例えば蛇行案内溝 1 2 G内に追加記録部 1 2 Aを形成することができる。

図 2及ぴ図 3において、 L Sは追加記録部 1 2 Aを形成するためのレーザ光のスポットを示している。

尚、この追加記録用のレーザ光には、再生用のレーザ光よりも強度が大きく集光されたレーザ光が用いられる。

追加記録領域を本来の情報記録部 1 2の記録領域外とするときには、本来の情報記録部 1 2の記録領域外にも凹凸ピットゃ蛇行案内溝を設けて、そこに追加記録領域を形成することも可能である。

例えば図 4に示すように、本来の情報記録部 1 2 として予め形成されている凹凸ピット 1 2 P とは別に、追記用の案内溝 1 3 G が形成されている領域を追加記録領域 1 3 として、この追加記録領域 1 3内にレーザ照射による記録を行って追加記録部 1 3 Aを形成することも可能である。

これら図 2〜図 4のいずれの場合も、断面図で見ると、例えば図 5 に示すように、レーザ光の照射により反射膜 3の一'部に記録がなされ追加記録部 1 2 Aが形成される。

尚、図 5においては、レーザ光の入射側から見たときの記録層 2の凸部のみに追加記録領域 1 2 Aが形成されているが、記録層 2の凹部のみ、或いは記録層 2凸部及び凹部の両方に追加記録領域 1 2 Aを形成するようにすることも可能である。

また、反射膜 3 により追加記録領域 1 2 Aを構成するために、反射膜 3 には、例えばレーザ光照射による熱記録によって、読み出し光に対する反射率が変化する材料を用いる。

このような反射膜 3 の材料としては、 A 1 合金又は C u合金が挙げられる。

そして、特に反射膜 3を、 A 1 合金又は C u合金に少なくとも T i 、 S i 、 C ti、 A l 、 F e、 W、 C r 、 0、 A r 、 M g、 T bから選ばれた 1種以上の元素を含有する（この選ばれた元素が添加された）組成とすることにより、反射膜 3が追加記録に適した電気抵抗率を有するようになる。

ここで、金属について、電気伝導率の逆数である電気抵抗率 p と熱伝導率 k との間には下記のヴィーデマン · フランツの式の関係が成り立つため、電気抵抗率と熱伝導率とが反比例することがわかっている。

k = L T / p ( 1 )

ただし、 L = 2. 5 X 1 0— ⁸W Q /K ²でローレンツ数と呼ばれる定数であり、 T ( K ) は絶対温度である。

そして、 A l ， A g， A u， C uのように熱伝導率が高い反射膜に集光光を照射した場合の膜の温度上昇は、およそ熱伝導率に反比例する。

従って、温度上昇は電気抵抗率に比例することになり、電気抵抗率の高い材料ほど低い記録パワーでの記録が可能となる。

そして、 A 1 単体や C u単体では電気抵抗率が低いため、上記式（ 1 ) から熱伝導率が大きくなっており、放熱しやすいために、記録パワーを大きくしないと記録を行うことが難しい。

これに対して、上述のように A 1 合金又は C u合金に少なくとも T i 、 S i 、 C u、 A l、 F e、 W、 C r、 0、 A r、 M g、 T bから選ばれた 1種以上の元素を含有させると、含有する元素により電気抵抗率を A 1 単体又は C u単体より高めることができより小さい記録パワーで記録を行うことが可能になる。

また、この A 1 合金又は C u合金に少なくとも T i 、 S i 、 C u、 A l 、 F e、 W、 C r 、 0、 A r 、 M g、 T bから選ばれた 1種以上の元素を含有する材料から成る反射膜 3の電気抵抗率を好ましくは 2 0 μ Ω · c m以上、より好ましくは 3 0 /ζ Ω · c m 以上 9 0 / Q ' c m以下とする。

この反射膜 3の電気抵抗率は、反射膜 3の膜厚 dや、合金の組成、特に合金が含有する元素の種類及びその含有率によって変化するものである。

そして、反射膜 3 の成膜工程では、 1或ぃは八 1 3 i 合金等所望な組成の材料により形成されたスパッタリングターゲット、または各構成元素の単体並びにその合金を構成する複数のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング槽内を所定の真空度以下に排気した後にスパッタリングを行う。

この反射膜 3 をスパッタリング法により成膜する際に、スパッタリングターゲットの種類により、 A 1 合金又は C u合金が含有する金属元素の種類や含有率が変わって.くる。

また、反射膜 3 をスパッタリング法により成膜する際の到達真空度ゃスパッタガスの圧力によって、成膜される反射膜中の酸素 Oやアルゴン A r の含有率が変わってくる。

従って、スパッタリングターゲットの種類、到達真空度ゃスパッタガスの種類等によっても、成膜される反射膜 3 の電気抵抗率が変わってくる。

さらに、この反射膜 3 の成膜工程において、スパッタリングのパワーや時間を制御することにより、反射膜 3 の膜厚を制御することができる。

これにより、反射膜 3 の膜厚を制御して、反射膜 3に所望の電気抵抗率が得られるようにすることができる。

そして、上述したように反射膜 3 を成膜して光記録媒体 Sを作製し、また反射膜 3 の材料として比較的安価な A 1 合金を用いることができれば、従来の再生専用の光記録媒体（R O Mディスク等）と同程度の安価なコストで追加記録が可能な光記録媒体を提供することが可能となる。

ここで、本実施の形態の光記録媒体の記録部 1 2及び追加記録部 1 2 Aにおける再生信号出力波形を図 6 に示す。図 6 に示すように、図中実線で示す例えば凹凸ピットによる記録部 1 2の再生信号の出力に対して、追加記録部 1 2 Aの再生信号の出力は、図中破線で示すように、追加記録部 1 2 Aの反射率の変化に基いて、即ち反射率の増加或いは減少に基いて、微小変化（ A S ) する。従って、この微小変化 A Sを検出することによって、この微小な検出出力を追加記録による再生信号とすることができる。

この追加記録の信号は、実際上は低密度であり、帯域が低くなつている。

また、例えば追加記録に際して同一信号を追加記録領域の複数箇所に記録させて、この複数箇所の再生を行う等、通常の記録部 1 2の再生方法とは異なる再生方法を適用して安定した追加記録の再生を行うことが可能である。

ここで、反射膜 3 として A 1 に各種の不純物を添加した A 1 合金を成膜して、光記録媒体 Sを作製し、その特性を調べた。

まず、透明基板 1 として、射出成形によるポリカーボネート樹脂に、トラックピッチ 1 . 6 /i m、深さ 6 5 n mの連続案内溝が形成されたものを用意した。

- 次に、この透明基板 1 上に、反射膜 3 として、 A 1 に各種の不純物を添加した A 1 合金を、マグネトロンスパックリング法により成膜した。

続いて、この A 1 合金膜に対してレーザ光を照射して上述の追加記録に相当する記録を行った。

その後、反射膜 3 の記録された領域にレーザ光を照射して再生を行った。

このとき、記録及ぴ再生に用いた光学系は、波長 7 8 5 n m、対物レンズの開口数 NA= 0. 5 0、線速度 4. 8 m/ s とした。また、記録において、周波数 2 MH z、記録パルスデューティー 4 0 %とした。

そして、反射膜 3 の特性の測定として、以下の測定を行った。まず、スペクトラムアナライザーを用いて、分解能帯域幅 3 0 k H z で反射膜 3 に記録された信号の C N Rを測定した。

また、反射膜 3 の電気抵抗率を 4端子法により測定した。

尚、記録パワーは、反射膜 3の合金組成に応じて、適宜 3 5 m W以下の範囲で変更した。

まず、反射膜 3 の組成を、 A 1 合金の A l _{9 2}. ₅ T i ₇. ₅ (原子。 /₀) として、反射膜 3の膜厚を変化させた場合、到達真空度を変化させた場合、及びスパッタリングのアルゴンガス（ A r ) の圧力を変化させた場合における、記録パワー、 C N R、反射膜の電気抵抗率の測定値を表 1 に示す。

尚、表 1 における記録パワーは、記録パワーを増加させていつた場合に C N Rが 3 0 d B となるパワーである。記録パワーが空欄のものは、変化させた記録パワーの範囲内では 3 0 d Bの C N Rが得られなかったものである。また、電気抵^:率は、反射膜 3 を成膜した後、保護.膜 4の塗布の前（保護膜 4 を塗布していない状態）において測定した値である。

到達真空度スハ。ッタ A r 記録パヮ一電気抵抗率 (P a) 圧力（P a) (mW) ( Ω · c m

3 5 2 X 1 0 0.2 5 17.1 78.4

4 0 2 x 1 0_⁴ 0.2 5 21.3 68.0

4 5 2 x l 0—⁴ 0.2 5 23.2 65.7

5 0 2 x 1 0 -⁴ 0.2 5 25.6 61.0

55 2 X 1 0一⁴ 0.2 5 28. δ 58.0

45 1 x 1 0 -⁴ 0.2 5 23.5 65.0

4 5 4 X 1 0一⁴ 0.2 5 23.2 65.9

4 5 8 X 1 0一⁴ 0.2 5 23.0 66.1

4 5 2 X 1 0一³ 0.2 5 218 68.5

4 5 2 X 1 0-" 0. 1 5 23.5 65.5

4 5 2 X 1 0- ⁴ 0.3 5 23.3 65.9

4 5 2 X 1 0一⁴ 0.45 22.4 67.2

4 5 2 X 1 0 -⁴ 0. 6 0 11 69.7

ところで、一般にデ —タの再生には、 C N Rで 4 0 d B程度以上あれば充分低いエラ一レートで信号の再生が可能であると言われているが、本発明では、追加記録を行うことができればよく、従来の追記型や書き換え可能な光ディスクのような高密度記録を行わなくてもよいため、従来よりも低い C N R例えば 3 0 d B程度で充分使用に供することが可能である。

追加記録のデータ量は膨大ではないため、記録密度が大きくなつた場合には強力なェラー訂正機能を付加することにより対応することが可能である。

表 1 の各測定結果からわかるように、反射膜 3の成膜時の膜厚、到達真空度、及びスパッタアルゴンガス圧力の各条件が変化した場合に、それに応じて記録パワー及び抵抗率が変化する。

C D或いは D V D等の再生専用光ディスクでは、非常に多くのディスクを量産し、かつコストを低減するために、従来成膜量産装置においては一般に細かく条件の制御等を行っていない。このため、前述した条件が変動する要因があると、反射膜 3への記録特性に影響を及ぼしてしまう。

通常、スパッタ法により成膜される膜厚は、スパッタのパワー或いは時間により制御され、膜厚の変動分はそれらのプロセス条件を制御することによって吸収することが可能である。

一方、ターゲット組成の変動、到達真空度ゃスパッタアルゴン圧力の変動等、膜厚以外の変動要因が重なった場合、それらを各々制御することは量産性の点で問題が残る。

表 1 の結果を、横軸に電気抵抗率をとり、縦軸に記録パワーをとってプロットした図を図 7に示す。

図 7 より、電気抵抗率が高い材料ほど、低いレーザパワーで充分な記録ができることがわかる。

図 7において、膜厚が 5 5 n m或いは 3 5 n mの場合には、他の膜厚の場合の結果とかなり離れているため、あまり参考にならないが、それら以外の結果は、膜厚（ 4 0 〜 5 0 n m )、到達真空度、或いはスパッタガス圧力の変動が生じた場合に、記録パワーと電気抵抗率との関係がほぼ直線になることがわかる。

従って、成膜後の反射膜 3の電気抵抗率をモニタし、その値を一定とするように、制御が容易な条件例えば膜厚等にフィードバックすることにより、膜厚以外の変動要因についても膜厚の制御で吸収して、記録特性の変動を抑制することが可能となる。

尚、到達真空度が充分低くない場合には、スパッタされた膜中に酸素等の不純物が取り込まれることが一般に知られており、そのために反射膜 3の電気抵抗率が上昇すると共に、記録を行うために必要な記録パワーが低減される。

一方、スパッタガスのアルゴンガス圧力が変化することによつて、膜の密度や構造が変化すること、及び合金の場合には膜組成が変化することが一般に知られている。特に、アルゴンガス圧力が高い場合には、不純物として、酸素或いはアルゴン等が取り込まれることによって、反射膜 3の電気抵抗率が上昇すると共に、記録を行うために必要な記録パワーが低減される。

次に、 A 1 合金に様々な元素を添加すると共に添加量も変えて反射膜 3の材料組成を変更して光記録媒体を作製し、それぞれの光記録媒体において、 C N Rが 3 0 d B となる記録パヮー及び電気抵抗率を測定した。測定結果を表 2 に示す。

尚、いずれの材料組成においても、反射膜 3 の膜厚は全て 4 5 n mとしてレヽる。 ―

表 2

表 2 より、不純物の種類にはあまり影響されず、不純物の添加量の増大に伴って、電気抵抗率が増加することがわかる。

また、表 2の結果を基にして、横軸に電気抵抗率を、縦軸に記録パワーをとつてプロットした図を図 8 に示す。

図 8 より、電気抵抗率が 3 3 /ζ Ω · c m以上の場合に、 3 5 m W以下の記録パワーで（ 3 0 d Bの C N Rが得られる）記録が可能であるとレヽうことがわかる。 '

ただし、表 2に示したように、電気抵抗率の増加とともに反射率も低下していくため、過度の電気抵抗率の増加は、既存の光デイスク再生装置との互換性という点（反射率が低過ぎると既存の光ディスク再生装置では信号検出ができなくなること）で問題がある。

このため、好ましくは反射率が 6 0 %以上、即ち電気抵抗率では 9 0 /ζ Ω · c m以下とすることが望ましい。

一方、工場で出荷する前の光記録媒体（光ディスク）に、ディスク I D番号等の情報を記録する場合には、保護膜 4を形成する以前に記録を行うことも可能である。

表 2 と同じ条件 (材料組成、膜厚）で、保護膜 4が形成されていないディスクへ記録を行った場合の結果を表 3 に示す。

3

表 3 より、保護膜 4が塗布されている場合と比較して、反射膜の材料組成が同一である場合、より低い記録パワーで記録が行われることがわかる。

そして、この場合には、反射膜 3 の電気抵抗率が 2 5 /ζ Ω · c mでも、充分に記録が可能であることがわかる。

尚、表 3には記載されていないが、充分な記録パワーで記録を行った場合の C N Rは、保護膜 4が形成された後に記録を行った場合と比較して、数 d B上昇した。これは、反射膜 3 が熱により変化するだけでなく、反射膜 3 との界面の基板 1 の形状が、（反射膜 3 の材料組成によらず）熱によって変形することによる効果も重なっているものと考えられる。

また、表 3 の結果を、横軸に電気抵抗率をとり、縦軸に記録パヮーをとつてプロットした図を図 9 に示す。

図 9 を図 8 と比較すると、全体的に記録パワーの低い側にシフトしていることがわかる。

A 1 に不純物を添加した膜に対する記録メカニズムは、記録時のディスク形態により現象が異なるため詳細はわかっていないが表 2のように保護膜のある状態で反射膜に記録を行った場合と、表 3 のように保護膜のない状態で反射膜に記録を行った場合の記録パワーの違いについては、次のように推測される。

保護膜のある状態で記録を行った場合、即ち保護膜が形成された後に記録を行った場合には、反射膜を構成する A 1 合金膜の微細構造の変化、或いは A 1 合金膜と基板の界面、又は A 1 合金膜と保護膜との界面における化学反応によって起こる反射率変化が主な要因と考えられる。

ここで、保護膜のある状態で A 1 合金膜から成る反射膜に記録を行った後に、保護膜を剥がして、さらに A 1 合金膜から成る反射膜をアルカリ溶液中で溶解させ、その後再び A 1 合金膜を成膜して、成膜された A 1 合金膜に再生用のレーザ光を照射して得られる信号を調べた。この場合には、信号レベルは大きく低下して記録前の状態に戻っていた。

このため、記録により基板の形状変化は大きくは生じておらず、記録による反射率の変化は、前述した要因が主要因であろうと思われる。

一方、保護膜が形成されていない状態で A 1 合金膜から成る反射膜に記録を行った後に、同様の実験を行ったところ、信号のレベノレの低下は少なかった。

即ち記録がなされた A 1 合金膜を剥離して、新たに A 1 合金膜を成膜した場合でも、剥離された最初の A 1 合金膜に記録を行つた影響が反映されていることがわかる。

従って、保護膜がない場合で記録が行われると、 A 1 合金膜の結晶性の変化や界面における化学変化の他に、基板の形状変化に起因する反射率変化がかなり大きいと推定される。

このように基板の形状変化を伴うため、記録による反射膜の反射率変化がより顕在化して、保護膜がある状態で記録を行った場合よりも低い記録パワーで反射膜に記録を行うことができると推測される。

そして、これらのいずれの記録メカニズムであっても、第 1次近似としては A 1 合金膜をどの程度の温度にまで加熱したか、即ち記録時の到達温度によって信号量が変化する。この記録時の到達温度は、 A 1 合金膜の熱伝導率によって決まり、熱伝導率は式 ( 1 ) から電気抵抗率に反比例する。このため、記録パワーと信号との関係は、不純物元素には大きく依存せず、記録時の到達温度によって決定され、即ち電気抵抗率によってほぼ決定されることになる。

次に、反射膜 3 に各種の材料組成の C u合金を用いた場合について、保護膜 4のある状態で記録をした場合、及び保護膜のない状態で記録をした場合の、それぞれ C N R = 3 0 d Bが得られる TJP03/05099

記録パヮ一と、各材料組成の C u合金の電気抵抗率を測定した結果を表 4 に示す

表 4

表 4 より、反射膜 3 を C u合金とした場合にも、 A 1 合金と同様に、 C u単体より電気抵抗率を上昇させて、低い記録パワーで反射膜 3 に記録を行うことが可能であることがわかる。

そして、反射膜 3 を C u合金とした場合にも、 A 1 合金と同様に、膜の光学的な変化及び記録時の温度上昇によってポリカーボネート基板表面の形状が変化することにより記録が可能となっているものと推測される。

尚、表 1〜表 4 においては、記録パワーの測定値を、 C N Rが 3 0 d B となる記録パワーとしているため、反射膜 3 の電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上でも C N Rが 3 0 d B とならないため記録パワーの測定値なし、となっている。

実際には、光再生装置（又は光記録再生装置）の構成によって、 C N Rが 3 0 d B未満でも充分信号の再生が可能である場合もありうる。

そのような装置を用いる場合でも、充分に追加記録の信号の再生を行なうためには、少なくとも反射膜 3の電気抵抗率が 2 0 μ Ω以上であることが望ましい。また、保護膜 4 を形成してから反射膜 3 に追加記録を行う場合には、少なくとも反射膜 3 の電気抵抗率が 3 Ο μ Ω · c m以上であることが望ましい。

上述した実施の形態では、図 1 に示した構造の光記録媒体（光ディスク）に適用した場合で説明したが、本発明はその他の構成の光記録媒体、例えば図 1 0に示すような 2枚の基板が貼り合わされて成る構造の光ディスクにも同様に適用可能である。

図 1 0に示す光記録媒体 S 2は、第 1 の情報層 2 に重ねて、同様に第 2 の反射膜 3 3が形成された第 2の情報層 3 2 を有する第 2の透明基板 3 1 が透明接着剤 5 によって接合されて、 2層の情報層を有する光記録媒体 S 2が構成されている。

この場合、第 2の透明基板 3 1側から第 2の反射膜 3 3 に対して追加記録を行い、第 2 の情報層 3 2 における追加記録及び本来の記録の読み出しを行う構成とすることができる。

一方、透明基板 1側から第 2 の反射膜 3 3 に対して追加記録を行い、第 2の情報層 3 2 における追加記録及ぴ本来の記録の読み出しを行う構成とする場合には、（第 1 の）反射膜 3 を半透過膜とする必要がある。そこで、第 2の反射膜 3 2には例えば前述した 4 0〜 4 5 11 111程度の 1 合金膜又は。 11合金膜を用ぃ、第 1 の反射膜 3には半透過膜となるように膜厚の薄い例えば 5〜 2 O n m程度の A 1 合金膜又は C u合金膜を用いる。このように第 1 の反射膜 3 を薄い合金膜により構成した場合には、第 1 の反射膜 3 を半透過膜とすると共に、第 1 の反射膜 3 に対して追加記録を行うことが可能になる。

また、第 1 の反射膜 3 には追加記録を行わず、 D V D等の半透過膜として一般に使用されている S i 或いは A g合金から成る反射膜を用いて、第 2の反射膜 3 3 に本発明の A 1 合金膜又は C u 合金膜を用い、第 2 の反射膜 3 3 にのみ追加記録を行う構成としてもよい。

さらに、第 1 の反射膜 3 の材料として、追加記録が可能な半透過膜となるように、組成 · 膜厚を選定した S i 或いは A g合金を用いて、第 1 の反射膜 3及び第 2 の反射膜 3 3 の双方に追加記録を行う構成も可能である。

尚、図 1 0 の光記録媒体 S 2において、表面に保護膜（図示せず）を形成する前に反射膜 3， 3 2 に記録を行う場合には、それぞれの透明基板 1， 3 1への反射膜 3， 3 2の成膜及び反射膜 3， 3 2への記録を行った後に、 2枚の透明基板 1， 3 1 を紫外線硬化樹脂等により貼り合せ、これを紫外線照射により硬化させて透明接着剤 5 とすればよい。

本発明による光記録媒体によれば、追加記録が可能となることにより、例えば製造時に暗号データを記入しておき、一方、この暗号を解読できるアルゴリズムを有する再生装置によってこの喑号の再生を行うことによって、例えば違法コピーされた光記録媒体については再生不能とすることが可能になる等、多くの利用方法が可能となる。

また、例えばレンタル業者が、レンタルを許可した特定人に対する専用パスヮードを追記し、この特定人以外の使用を禁ずると力例えば一般のユーザーによって、媒体管理やゲームソフトにおけるゲーム終了点や、再生済み位置のマーク、ユーザー情報の記録、その他再生回数等記録、そしてこれら読み出す機能を記録再生装置に付与させておくことにより、各種の利用態様を採ることができる。

そして、本発明による光記録装置は、上述した本発明による光記録媒体に対する光記録手段を具備して成る。この光記録手段は、光記録媒体に対し、追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、レーザ光の照射によって、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行うことができる構成とする。

' また、本発明による光再生装置は、上述した本発明による追加記録がなされた光記録媒体に対する光再生手段を具備して成る。この光再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、この反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、この検出手段からの検出出力の微小変化を追加記録の再生信号とする。

また、本発明による光記録再生装置は、上述した本発明による光記録媒体に対する光記録手段と、光再生手段とを具備し、光記録手段は、光記録媒体に対する追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行い、光再生手段は、光記 W某体—に再生光を照射する再生光照射手段と、この反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微小変化を追加記録の再生信号として取り出す。

また、本発明の光記録媒体及びその製造方法を採用して、所要の追加記録を行った場合に、この追加記録された信号を読み出す場合には、光記録再生装置や光再生装置に、図 1 1 に示すような再生信号系の回路を構成する。これにより追加記録信号の再生が可能となる。

図 1 1 に示す再生信号系の回路は、例えば図 1で説明した光記録媒体 S に対する（記録）再生を行うものであり、この場合、光記録媒体 Sを回転駆動する駆動部 4 1 を有する。この駆動部 4 1 は、スピンドルモーター 4 2 によって回転駆動がなされる。また、このスピンドノレモ一ター 4 2 において、サーポ回路（図示せず）により光記録媒体 Sの回転速度の制御がなされる。この光記録媒体 sに対向して、かつ光記録媒体 Sにおける追加記録の再生を行う光再生手段として光ピックアップ 4 3が設けられている。尚、光記録再生装置においては、この光ピックアップ 4 3が上述した追加記録を行う光記録手段を兼ねた構成も可能である。

この光ピックアツク 4 3が、図示しないスレッド機構により、光記録媒体 S の半径方向に平行に移動するように構成される。

また、この光ピックアップ 4 3は、例えば通常の光再生装置や光記録再生装置における光ピックアップ構成のように、半導体レ一ザを具備する光照射手段を有し、半導体レーザからのレーザ光が、対物レンズによって光記録媒体 Sに集光照射されるように構成される。

この光照射手段は、追加記録情報に応じて、レーザ光の光記録媒体 Sに対ずる—照射光量を変調する変調手段、例えばレーザ光の光路に配置された光強度変調素子、或いは半導体レーザのパワーを制御する変調手段を具備し、光記録媒体 sに対して記録レーザ光を照射することができるように構成されている。同時に、再生においては、再生光としてレーザを照射するように構成されている。

また、この光ピックアップ 4 3は、上述したレーザ光の光記録媒体 Sからの戻り光を検出して電気出力として取り出す検出部を有する。

このようにして、追加記録部 1 2 Aへの追加記録情報の記録と、上述した記録ピット 1 2 Pからの本来の記録情報及び追加記録部 1 2 Aからの追加記録情報の読み出しを行う。

また、通常の光ピックアップにおけると同様に、トラッキングエラー信号とフォーカシングエラー信号を得て、これらエラー信号によってトラッキングサーボ及びフォーカシングサーポが掛けられるように構成される。

この光ピックアップ 4 3の光記録及び光再生動作を制御する回路部 5 0が設けられる。この回路部 5 0は、サーボ信号ブロック 5 1 、 R F信号ブロック 5 2、通常データデコード回路 5 3、誤り訂正ブロック 5 4、追記データデコード回路 5 5、誤り訂正ブロック 5 6 とを有して成る。

サーポ信号ブロック 5 1では、上述のトラッキングサーボ及びフォーカシングサーポ、並びにその他のサーポの信号処理や制御が行われる。

通常データデコード回路 5 3及び誤り訂正ブロック 5 4 と、追記データデコード回路 5 5及ぴ誤り訂正ブロック 5 6 とは、共に再生用の同一の集積回路内に設けられる。

この構成において、以下のようにして信号の再生が行われる。一光記録媒体 Sは、例えばその所定部に、製造者が各種暗号、マーク、例えば不正使用を検出するためのマークが記録された追加記録部 1 2 Aを有する構成とされている。

光記録媒体 Sを駆動部 4 1 に設置すると、図示しない C P U等の制御により、光ピックアップ 4 3 のレーザ光が、光記録媒体 S の追加記録位置を照射する位置、即ちマーク記入がなされた所定位置に照射するようになされる。そして、このマーク検出に適したレーザ出力に設定される。

このようにして、光ピックアップ 4 3力、ら、追加記録部 1 2 A のマークによる再生出力が取り出されるようになされる。そして、例えばこの再生出力に基くマーク検出出力が C P Uに入力されることによって、 C P Uの制御により例えば再生動作を停止させる。そして、この停止がなされない場合は、 C P Uからの指令によつて、光ピックアップ 4 3のレーザ光が光記録媒体 Sの所定の本来の記録部 1 2を照射し、再生動作がなされる。即ち、例えば光ピックアップ 4 3からの記録部 1 2の読み出し信号（R F信号）が、 R F信号処理ブロック 5 2 において、所定のスライスレベルにより 2値化されて、 2値化信号が得られる。さらに、この 2値化信号が、通常データデコード回路 5 3によってデコードされて、再生データを生成する。この再生データは、誤り訂正ブロック 5 4において、記録時の符号化の際に付加された誤り訂正符号を用いて誤り訂正処理がなされ、ディジタルアナルグ変換回路でアナログ信号に変換されて、記録部 1 2に記録された本来の記録情報が再生される。

ここで、追記記録が、囬凸ピット等による本来の記録情報が記録された記録部 1 2 とは別の領域のみに行われている場合には、上述した本来の記録情報の再生と同様に、例えば光ピックアップ 4 3からの追加記録部の読み出し信号（R F信号）を、 R F信号処理ブロック 5 2 において、所定のスライ'—スレベルにより 2値化して得た 2値化信号を追記データデコード回路 5 5によってデコードして、さらに誤り訂正ブロック 5 6 において誤り訂正処理を行って再生すればよい。

また、追加記録が、本来の記録情報が記録された記録部 1 2に行われている場合において、追加記録のデータ信号の周波数帯域が本来の記録のデータ信号の周波数帯域に比べて充分低い場合には、フィルターによって異なる 2種類のデータ信号の分離が可能となる。

一方、フィルターによって分離できない場合には、上述のようにして記録部 1 2の本来の記録情報を再生し、この本来の記録情報に基いた R F信号の波形を作成して、この本来の記録情報の波形と、光ピックアップ 4 3からの記録部 1 2の読み出し信号（R F信号）の波形とを比較演算（減算処理）する。

これにより得られた R F信号の差分の波形から、 2値化信号を追記データデコード回路 5 5 によってデコードして、さらに誤り訂正ブロック 5 6 において誤り訂正処理を行つて追加記録の情報を再生する。

そして、光記録媒体 Sに対する追加記録は、次のように行われる。

レーザ光の照射位置が追加記録を行う所定位置に設定され、記録情報に基く制御信号により光ピックアップ 4 3 のレーザ光が変調されて、追加記録部 1 2 Aの反射膜 3 に対してレーザ光の照射による追加記録が行われる。

上述した説明では、光記録媒体 Sに対する再生機能と記録機能とを有する本発明による光記録再生装置の一例について説明したが、本発明による光記録装置、また、本発明による光再生装置は、上述した構成の光記録あるいは光再生のいずれか一方の機能を具備する装置として構成される。

尚、本発明による光記録媒体、光記録再生装置、光記録装置、光再生装置は、上述した実施の形態（図 1、図 1 0 ) の光記録媒体を対象とする場合に限られるものではなく、その他のいわゆる

R O M部を有する光記録媒体（光ディスク等）にも同様に本発明を適用することができる。

本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

上述した本発明による光記録媒体は、再生専用の光記録媒体に対して追記を可能としたことによって、例えばユーザー側で再生済み位置やゲームソフトにおけるゲーム終了点のマーク、ユーザ —側の記録装置を用いて個人的記録の情報の記録（例えば再生回数、ユーザー情報、再生中断場所の位置情報等のデータの記録、或いは R O Mとして記憶されていたデータの一部変更等）を行うことが容易にできるようになる。例えば、ネットワークを利用してデータの転送を行うことにより、上述した各種の機能がオンラインでできるようになる。

また、レンタル業者による特定貸出人のパスワード、そのほか再生回数等任意の記録が可能となる。

また、製造者側では、管理コードの記入等を行って、製造元の特定、再生可能なコンテンツの制限、違法コピーであるかどうかの識別、管理等が可能となる。

例えば前述したように、製造時に暗号データを記入しておくことにより、暗号を解読できるアルゴリズムを有する再生装置で再生を行うことによって、違法コピーされた光記録媒体については再生不能とすることが可能となる等、多くの利用方法が可能となる。

そして、本発明による光記録媒体は、上述した追加記録を行う記録層として、特別の構成による記録層を設けるものではなく、本来の情報層に形成する反射膜の組成を選定することによって、この反射膜自体で、追加記録を行う追加記録領域をも構成するものであるので、何ら製造工程数の増加を来たすことがなく量産的に、また有害物質の使用も回避できることから、廉価に通常の再生専用の光記録媒体と同等の量産性、コストをもって製造することができる。

また、本発明による光記録媒体に対する記録方法は、半導体レ一ザによる光記録が可能であることから、その記録装置即ち光記録装置においてその追加記録の目的に応じた構成とするものの、基本的には特段の構成を必要としない。

さらに、本発明による光記録媒体に対する光再生方法も、半導体レーザによる光再生が可能であることから、その追加記録の目的に応じた構成とするものの、基本的には、通常の光記録再生装置におけるように、半導体レーザによる読み出しによることができることから、簡便な構成とすることができる。

そして、本発明による光記録媒体は、記録が行われる反射膜の電気抵抗率を規定していることにより、製造工程における条件の変動に起因する記録に必要なパワーの変動を抑制して、安定して記録を行うことが可能になる。

Claims

請求の範囲

1 . 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有する光記録媒体であって、

上記反射膜は、熱記録による追加記録を行うことができる構成であり、電気抵抗率が 2 0 μ Ω ' c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る

ことを特徴とする光記録媒体。

2. 上記 A 1 合金或いは上記 C u合金に:少なくとも T i 、 S i 、 C u、 A l 、 F e、 W、 C r 、 0、 A r 、 M g、 T b力ら選ばれた 1種以上の元素が添加されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光記録媒体。

3. 上記追加記録の記録領域が、上記物理的形状変化がなされた情報記録部を有する記録領域内又は外に設けられたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光記録媒体。

4. 上記反射膜の上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光記録媒体。

5. 上記反射膜の電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下であることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の光記録媒体。

6. 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 2 0 /ζ Ω · c m以上かつ 9 0 Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、

上記反射膜に、熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有する

ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。

7. 上記情報の追加記録を行う工程の後に、上記反射膜上に保護膜を形成することを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の光記録媒体の製造方法。

8. 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る反射膜を形成する工程と、

上記反射膜上に保護膜を形成する工程と、

その後上記反射膜に、熱記録による情報の追加記録を行う工程とを有する

ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。

9 . 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電気抵抗率が 2 Ο μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る光記録媒体に対して、

上記反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録により情報の追加記録を行う

ことを特徴とする光記録方法。

1 0 . 上記光記録媒体は、上記反射膜上に上記保護膜が形成されて成り、上記反射膜の電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 β Ω · c m以下であることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の光記録方法。

1 1. 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電気抵抗率が 2 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成り、該反射膜にその反射率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた光記録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光の反射率変化による微小変化によって上記追加記録の再生を行う

ことを特徴とする光再生方法。

1 2. 上記光記録媒体は、上記反射膜上に上記保護膜が形成されて成ることを特徴とする請求の範囲第 1 1項に記載の光再生方法

1 3 . 上記光記録媒体は、上記反射膜の電気抵抗率が 3 0 μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下であることを特徴とする請求の範囲第 1 2項に記載の光再生方法。

1 4. 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電気抵抗率が 2 Ο μ Ω · c m以上かつ 9 0 μ Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光記録手段を具備し、

上記光記-録手段は、 —上記光記録媒体に対し、追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、

該レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行う

ことを特徴とする光記録装置。

1 5 . 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電気抵抗率が 2 Ο μ Ω · c m以上かつ 9 0 Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光再生手段を具備し、

上記光再生手段は、上記光記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、上記反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微小変化を上記追加記録の再生信号とする

ことを特徴とする光再生装置。

1 6 . 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電気抵抗率が 2 0 / Ω · c m以上かつ 9 0 Ω · c m以下の A 1 合金又は C u合金から成る構成を有して成る光記録媒体に対する光記録再生手段を具備し、

上記光記録再生手段は、上記光記録媒体に対し、追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、

該レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行い、

上記光記録再生手段は、上記光記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、上記反射膜からの戻り光を検出する検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微小変化を上記追加記録の再生信号とする

ことを特徴とする光記録再生装置。