CN1545698A - 光记录介质及其制造方法、光记录方法、光再现方法、光记录设备、光再现设备、以及光记录与再现设备 - Google Patents

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Abstract

一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息，能够可靠地对它们加以记录，并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2)，信息层(2)包括一反射膜(3)，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成，能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。

Description

光记录介质及其制造方法、光记录方法、光再现方法、光记录设备、光 再现设备、以及光记录与再现设备
技术领域
本发明涉及一种光记录介质及其制造方法、光记录方法、光再现方法、光记录设备、光再现设备、以及光记录与再现设备。
背景技术
作为传统的光记录介质，存在着光盘，即仅用于再现的所谓的ROM(只读存储器)型盘，例如针对音频、游戏程序等应用的CD(小型盘)以及DVD(数字通用盘)。
通过形成一记录部分在这样的光记录介质上进行信息记录，其中，记录部分是按厚度方向或轨道宽度方向以物理形状的变化，例如按凹陷和突起或曲折的导槽等，加以记录的，并且还沉淀了一AL膜等的反射膜，以致于能够以高SNR(信噪比)光学地读出这些记录部分中的信息。
一种具有带有以这样的物理形状变化的一记录部分的光记录介质，由于例如由于把喷射模塑法用于形成塑料基底，与此同时形成记录部分，或者通过2P方法(光致聚合方法)把记录部分形成在例如形成在塑料基底上，从而提供了能够大批量、低成本进行制造的优势。
因此，在这种光记录介质中，存在着通过非正式途径，例如在没有获得版权持有者的同意的情况下进行复制的复制问题。
由于按一种非接触方式读这一光记录介质，而且几乎没有因重复使用性能降低的现象，所以可以通过非正常途径销售，以致于可能出现把使用过的商品作为新商品销售和类似的情况，因此，类似地可能出现在没有获得版权持有者的同意的情况下进行销售的问题。
因此，人们希望制造商能够在这样类型的光记录介质中记录一代码、标记等，作为用于区分例如商品是否通过正常途径加以传递的手段。
而且，例如人们还希望在游戏应用中能够进行足以判断用户中断和结束一游戏的结束点的记录，并希望在用户方能够很容易记录针对用户的个人信息等。
另外，制造商和用户还希望在盘被制造之后拥有一种能够校正盘上所积累的一部分数据的功能，或能够部分地添加新数据的功能。以汽车驾驶应用为例，通过添加以上所述的功能，可以从制造商那里传输简单的地图修改和所添加的信息，或者可由用户本身获得数据，并且可把数据记录在用户方的盘上。
一种能够进行传统光记录的光记录介质，即一种只写一次的光记录介质以及一种可重写光记录介质，这种光记录介质传统上由一记录膜和一反射膜构成，该记录膜包括记录材料，当用一记录激光器照射时，这种记录材料的光特性发生改变，该反射膜包括具有高反射率的材料。
一种只写一次的光记录介质，例如，仅可能向其写一次的CD-R介质等，这种介质是这样制造的：使用旋转涂敷方法，涂敷一塑料基底，塑料基底拥有含有一种染色材料的导向槽，此后，通过溅射，形成一具有高反射率的Au等材料的薄膜。
通过顺序地溅射，把一可重写磁光记录介质制造在一塑料基底上，其中形成有导向槽、一透明的介电膜、一TbFeCo等记录材料的垂直磁化膜、一透明的介电膜、以及一Al反射膜。
另外，把GeSbTe或其它相变材料用作以上所述的可重写光记录介质中的记录材料，构造可重写相变光记录介质。
然而，所有这些记录材料都是昂贵的，而且如上所述由于需要在一可重写光记录介质中形成多个膜，因此存在着大量的制造过程；当把这些记录材料用于形成一附加记录层时，与以上所述的CD或其它ROM-型光记录介质相比成本要高得多。
另外，通过把以AuSn或AuSnTi单层薄膜或TeO薄膜构造的写一次光记录膜用作记录膜或使用用于相变记录中的GeSbTe等单层膜构造一光记录介质，即使仅使用单层也能够进行附加记录是可能的。然而问题是这些材料也是昂贵的。
因此，本发明的发明人建议了一种其结构能够进行附加数据记录的光记录介质，这种光记录介质使用了拥有普通输出的半导体激光器，在膜中按特定量把Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag等添加到Al中。
然而，当把数据附加地记录到这样的膜上时，由于溅射沉淀条件方面的波动以及用于溅射的目标的成份方面的波动，或者由于所形成的膜的厚度方面的波动，向膜的光写所需的激光功率可能波动，因此，存在着不能进行稳定记录的问题。
为了解决以上所述的问题，在本发明中，提供了一种光记录介质，由于相应于只读光记录介质的构造的构造和制造方法，能够低开销地制造这种光记录介质，这种光记录介质能够附加地记录以上所述的代码、标记等其它新的信息，并且拥有能够稳定记录的令人满意的特性。在本发明中，还提供了这种光记录介质的一种制造方法、一种光记录方法、一种光再现方法、一种光记录设备、一种光再现设备、一种光记录与再现设备。
发明内容
本发明的光记录介质拥有一包括一反射膜的信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分；该反射膜的构成能够通过热记录进行附加记录，并且还包括一拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金。
制造本发明的光记录介质的一种方法，该方法具有把一包括有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜形成在一基底上，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分的过程；和通过反射膜中的热记录进行信息的附加记录的过程。
制造本发明的光记录介质的另一种方法，该方法具有把一包括有30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜形成在一基底上，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分的过程；在这一反射膜之上形成一保护膜的过程；和在此之后通过反射膜中的热记录进行信息的附加记录的过程。
本发明的光记录方法是一在光记录介质上执行的方法，这一光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，并且还包括一具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜，其中通过热记录进行信息的附加记录，以改变反射膜的特性，并改变其反射率。
本发明的光再现方法是一在光记录介质上执行的方法，这一光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，并且还包括一具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜，其中通过热记录在反射膜上进行信息的附加记录，以改变其反射率，其中通过照射激光再现所附加记录的信息以获得由于反射率变化所造成的返回光方面的微小变化。
本发明的光记录设备包括用于在一光记录介质上进行光记录的装置，光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，并且还包括一拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；这一光记录装置拥有用于通过激光照射光记录介质的装置，其中根据附加记录的信息调制激光，并且通过照射这一激光以执行热记录而进行附加的记录，热记录改变了反射膜的特性，并改变了反射率。
本发明的光记录设备包括用于从一光记录介质进行光再现的装置，光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，并且还包括一具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；这一光记录装置拥有用于通过激光照射光记录介质的装置，以及检测装置，检测装置检测从反射膜返回的光，并获得所检测的来自检测装置的输出中的微小变化，作为所附加记录的信息的再现信号。
本发明的光记录与再现设备包括用于一光记录介质的光记录和再现的装置，光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，并且还包括一具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；这一光记录与再现装置拥有用于通过激光照射光记录介质的装置，其中根据所附加记录的信调制激光，并且通过照射这一激光以执行热记录而进行附加的记录，热记录改变了反射膜的特性，并改变了反射率；这一光记录与再现装置还拥有通过再现光照射光记录介质的再现光照射装置以及检测装置，检测装置检测从反射膜返回的光，并获得所检测的来自检测装置的输出中的微小变化，作为附加记录的信息的再现信号。
根据本发明的光记录介质的以上所述的结构，例如在一拥有一信息部分的光记录介质中，在信息部分中形成了载有信息的物理形状变化，例如凹陷和突起或曲折的导槽，而且在其上形成了一反射膜，可以在不导致膜数量增加的情况下，通过选择反射膜的材料(Al合金或Cu合金)及其电阻率，单独地形成附加记录区域。因此，与传统只读光记录介质相类似，能够在不导致制造过程数量增加的情况下，低开销地、大批量地加以生产。
根据制造本发明的光记录介质的以上所述方法中的一种方法，通过为反射膜选择材料及电阻率并在基底上形成反射膜，然后向这一反射膜进行附加记录，与传统只读光记录介质相类似，能够在不导致膜数量增加或在不导致制造过程数量增加的情况下，低开销地、大批量地加以生产；并且通过在20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的范围内选择反射膜的电阻率，能够以相当低的记录功率进行记录，可以抑制记录功率方面的波动，并且能够在反射膜上进行稳定的记录。
根据制造本发明的光记录介质的以上所述方法中的另一种方法，通过为反射膜选择材料及电阻率，并在基底上形成反射膜，在反射膜上形成一保护膜，然后向这一反射膜进行附加的记录，与传统只读光记录介质相类似，能够在不导致膜数量增加或在不导致制造过程数量增加的情况下，低开销地、大批量地加以生产。而且通过在30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的范围内选择反射膜的电阻率，能够以相当低的记录功率进行记录，可以抑制记录功率方面的波动，并且能够在反射膜上进行稳定的记录。
根据本发明的以上所述的光记录方法，通过使用改变反射膜特性，并且改变反射率以附加地把信息记录到本发明以上所述的光记录介质的热记录，能够以相当低的记录功率进行记录；而且在薄膜沉淀期间，通过控制反射膜的厚度，可以抑制记录功率方面的波动。因此，能够可靠地向反射膜进行附加的记录。另外，也可以在不使用复杂工艺的情况下，把信息附加地记录在反射膜上。
根据本发明的以上所述的光再现方法，本发明的一拥有以上所述的光记录介质的结构的光记录介质，通过在已经改变了反射膜的反射率的这一光记录介质中进行热记录已向这一光记录介质附加地记录了信息，使用激光照射这一光记录介质，通过因反射率变化所引起的返回光方面的微小变化，再现附加记录的信息；由于能够向本发明的光记录介质的反射膜可靠地进行附加的记录，所以能够获得对具有适当CNR(信噪比)的信号的再现。另外，也可以在不使用复杂工艺的情况下，对附加地记录的信息进行再现。
本发明的以上所述的光记录设备、光再现设备、以及光记录与再现设备，通过包括用于本发明的以上所述的光记录介质的光记录装置、光再现装置、以及光记录与再现装置，可以采用一类似于传统设备结构的简单结构。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的一光记录介质的示意性的构造图(横截面图)；
图2是图1的光记录介质中相关部分的一示意性的设计图，说明了反射膜的一实施例中记录部分和附加记录部分之间的关系；
图3是图1的光记录介质中相关部分的一示意性的设计图，说明了反射膜的另一实施例中记录部分和附加记录部之间的关系；
图4是图1的光记录介质中相关部分的一示意性的设计图，说明了反射膜的又一实施例中记录部分和附加记录部之间的关系；
图5是一示意性的设计图，说明了一状态，在这一状态下，在图1的光记录介质中，已在反射膜中进行了附加记录；
图6说明了图1的光记录介质的再现信号的输出波形；
图7是对表1的测量结果的图；
图8是对表2的测量结果的图；
图9是对表3的测量结果的图；
图10是根据本发明的另一实施例的光记录介质的示意性的构造图(横截面图)；和
图11说明了本发明的一设备中所使用的一再现信号系统的电路图的一实施例。
具体实施方式
本发明是一光记录介质，拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分；并且还包括反射膜，这一反射膜的构成能够通过热记录进行附加记录，并且包括一其电阻率在20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的Al合金或Cu合金。
使用至少从添加到Al合金或Cu合金中的Ti、Si、Cu、Al、Fe、W、Cr、O、Ar、Mg、以及Tb中所选择的一种或多种元素，构造本发明上述光记录介质。
由用于附加记录信息的记录区域构成的本发明上述光记录介质，该附加记录信息的记录区域提供在拥有一用于信息记录的部分的记录区域之内或之外，在该记录区域中，物理形状的变化受到影响。
构成本发明上述光记录介质具有在反射膜的顶部形成的一保护膜。
构成本发明上述光记录介质，该光记录介质的反射膜具有30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的电阻率。
本发明是一制造一光记录介质的方法，包括一在基底上形成一Al合金或Cu合金反射膜的过程，其中在基底上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，Al合金或Cu合金反射膜的电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下，和通过热记录在反射膜中附加地记录信息的过程。
在本发明的制造该光记录介质的上述方法中，在附加地记录信息的过程之后，在反射膜的上面形成一保护膜。
本发明是一制造一光记录介质的方法，包括一在基底上形成一Al合金或Cu合金反射膜的过程，其中在基底上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，Al合金或Cu合金反射膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下，一在反射膜上形成一保护膜的过程，以及一通过热记录在反射膜中附加地记录信息的相继的过程。
本发明是一在光记录介质上执行的光记录方法，光记录介质拥有一信息层，在信息层上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，还包括Al合金或Cu合金的反射膜，其电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下，其中通过热记录进行信息的附加记录，在其过程中，改变了反射膜的特性，并且改变了其反射率。
在本发明的上述光记录方法中，光记录介质拥有这样一结构，即在反射膜上形成了一保护膜，保护膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
本发明是一再现附加记录到光记录介质的信息的光再现方法，光记录介质拥有一信息层，在信息层上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一用于信息记录的部分，还包括Al合金或Cu合金的反射膜，其电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下，并且在其中通过改变其反射率的热记录在反射膜上进行信息的附加记录，其中通过照射激光获得因反射率变化而导致的返回光的微小变化，再现附加记录的信息。
在本发明的上述光再现方法中，利用在反射膜上形成一保护膜而构成光记录介质。
在本发明的上述光再现方法中，利用具有反射膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的反射膜构成光记录介质。
本发明的记录介质可应用于CD、DVD、以及其它光记录介质。
即，本发明是一光记录介质，在一盘形或卡形的基底上或在一板形等的基底上拥有一信息记录的部分，在该部分上记录了大量数据，这些数据是根据至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化加以记录的，即，光记录介质拥有一ROM部分，并且拥有一通过沉淀一反射膜所形成的信息层；特别是，反射膜拥有一能够通过热记录进行附加记录的结构，并且包括一电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的Al合金或Cu合金。
反射膜可以拥有一包括一Al合金或Cu合金的单层结构。
图1是作为本发明一实施例的一光记录介质的示意性的构造图(侧面图)；这一光记录介质S是本发明所使用的一种只读光盘，所谓的CD。
在这一光记录介质S中，通过透明基底1的一主表面上的凹陷和突起或曲折的导槽预先存储信息，例如透明基底1由聚碳酸酯(PC)树脂构成，并且在这一聚碳酸酯树脂的顶部(在图1中，位于底侧)形成一反射膜3。把一保护膜4形成在反射膜3的侧面，与透明基底1相对。
即，通过透明基底1和反射膜3之间的界面处的凹陷和突起或曲折的导槽，形成基于凹凸性的一信息层(信息记录部分)2。
例如，通过喷射模塑法或其它的塑铸法或通过2P方法等，形成透明基底1。
通过溅射方法，沉淀反射膜3，并且由于易于沉淀，通常使用磁控管溅射。
例如，作为保护膜4，通常使用紫外线固化树脂。在通过旋转涂敷等方法把紫外线固化树脂施加于反射膜3的表面之后，用紫外线射线照射以固化树脂并形成保护膜4。
例如在图2或图3的示意图中所示的各部分中，在信息层2中形成最初记录部分，最初记录部分具有作为沿厚度方向变形的凹陷和突起12P所形成的信息，如图2中所示，或具有作为沿轨道宽度方向变形的曲折的导槽12G所形成的信息，如图3中所示。
通过一种形成主表面的方法，可以形成信息记录部分12，即，突起和凹陷12P或曲折的导槽12G，这种形成主表面的方法同时使用一拥有相应凹陷或槽的压模，通过喷射模塑法对基底1进行模铸，也可以通过这样一种方法(所谓的2P方法)形成主表面，例如，其中把一种紫外线固化树脂施加于透明基底1，然后，压挤一拥有预确定的凹陷或槽的压模，并且硬化树脂；也可以使用其它传统的方法。
另外，当把最初记录的信息等从记录部分12读出时，不仅这一实施例的光记录介质S拥有反射读出光的功能，而且还可以把反射膜3用作一用于附加记录信息的记录层。即，使用这一反射层3，形成附加记录区域。
取决于附加记录的目的，可以在以上所述的凹陷和突起12P或曲折的导槽12G中，或在最初信息记录部分12的形成区域之外，形成这一附加记录区域。
当在信息记录部分12的记录区域之内形成附加记录区域时，期望能把附加记录区域提供在物理形状变化的最短周期之外。
即，如图2中所示，当信息记录部分12采用一使用突起和凹陷12P的形状的记录模式时，由于凹陷或突起，在突起和凹陷12P的最短突起-凹陷间距外侧，在凹陷部分中形成附加记录部分12A，或在凹陷等之间形成附加记录部分12A。
另外，如图3中所示，当使用曲折的导槽12G构造信息记录部分12时，可以在曲折的导槽12G内侧，例如，在沿其轨道宽度方向的振荡变化的最短周期部分之外，形成附加记录部分12A。
在图2和图3中，LS表示形成附加记录部分12A的一激光点。
由于把激光用于附加记录，所以所聚焦的激光的强度大于再现所使用的激光的强度。
当把附加记录区域提供在信息记录部分12的记录区域的外侧时，可以把突起和凹陷或曲折的导槽提供在信息记录部分12的记录区域的外侧，并且可以在其中形成一附加记录区域。
例如，如图4中所示，作为最初信息记录部分12，独立地预先形成的突起和凹陷12P，可以把一其中形成了用于附加记录的一导槽13G的区域用作附加记录区域13，并且可以在这一附加记录区域13中通过激光照射进行记录，以形成一附加记录部分13A。
在图2～图4所示的任何一种情况中，当通过横截面图显示时，例如，如图5中所示，通过使用激光照射反射膜3的一部分进行记录，并且形成一附加记录部分12A。
在图5中，当从激光进入侧观察时，仅在记录层2的突起部分中形成附加记录区域12A；但是，可以仅在记录层2的凹陷部分中形成附加记录区域12A，也可以既在记录层2的突起部分也在记录层2的凹陷部分中形成附加记录区域12A。
为了使用反射膜3形成附加记录区域12A，把一种材料用于反射膜3中，例如通过激光照射，其读出光的反射率随热记录而变化。
Al合金或Cu合金是这样的反射膜3的材料的例子。
另外，特别是，通过使用用于反射膜3的合成物，其中Al合金或Cu合金包括至少从Ti、Si、Cu、Al、Fe、W、Cr、O、Ar、Mg、以及Tb中选择的一种或多种元素(具有所选择的元素或所添加的元素)，反射膜3具有适合于附加记录的反射率。
此处，就材料而言，在电阻率ρ(为导电率的倒数)和热传导率k之间存在着下列Wiedemann-Franz关系；因此可知，电阻率和热传导率呈反比。
k＝LT/ρ           (1)
此处，L＝2.5×10-8WΩ/K2是一叫做Lorentz数的常数，T(K)为绝对温度。
当使用聚焦的光进行照射时，具有高热传导率的Al、Ag、Au、Cu反射膜的温度的增加大约反比于热传导率。
因此，温度的增加正比于导电率，并且材料的电阻率越高，记录的功率越低是可能的。
由于单纯的Al和单纯的Cu的电阻率是低的，所以根据以上的方程(1)，热传导率是高的，而且很容易出现热耗散，因此记录是困难的，除非使记录功率变得很大。
另一方面，如果至少从Ti、Si、Cu、Al、Fe、W、Cr、O、Ar、Mg、以及Tb中选择一种或多种元素，并将它们包括在如以上所述的Al合金或Cu合金中，那么所包括的一或多种元素可以把电阻率提高到单纯的Al和单纯的Cu的电阻率之上，并能够以较低的记录功率水平加以记录。
另外，最好是，令反射膜3的材料为这样的Al合金或Cu合金：含有至少从Ti、Si、Cu、Al、Fe、W、Cr、O、Ar、Mg、以及Tb中选择的一种或多种元素，其电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上，最好是，令其为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
反射膜3的电阻率的变化取决于反射膜3的厚度d、合金成份、特别是取决于包含在合金中的元素的类型和含量比。
在形成反射膜3的过程中，在至少把溅射箱的内部抽成一预确定的真空状态之后，把一由Al或AlSi合金或由具有所希望的成份的材料形成的溅射目标，或者把一系列包括每一种构成元素的单纯材料与合金的目标，用于进行溅射。
当通过溅射方法沉淀反射膜3时，包括在Al合金或Cu合金中的金属元素的类型与含量随溅射目标的类型而变化。
另外，在为沉淀反射膜3而进行溅射期间，包括在所沉淀的反射膜中的氧(O)和氩(Ar)随最终的真空度和溅射气压而变化。
因此，所沉淀的反射膜3的电阻率还随溅射目标的类型、背景真空压力、以及溅射气体的类型等而变化。
而且，在沉淀反射膜3的过程期间，通过控制溅射功率和时间，可以控制反射膜3的膜厚度。
因此，可以控制反射膜3的膜厚度，从而能够获得具有所希望的电阻率的反射膜3。
如以上所述的，如果沉淀反射膜3并制造光记录介质S，那么通过把相当低廉的Al合金用作反射膜3的材料，以与传统的只读光记录介质(ROM盘等)可比的低成本提供能够进行附加记录的光记录介质是可能的。
图6说明了针对这一实施例的光记录介质的记录部分12和附加记录部分12A的一再现信号输出波形。如图6中所示，由于例如由于凹陷和突起，由图中的实线加以表示，附加记录部分12A的再现信号的输出，由图中的虚线加以表示，基于附加记录部分12A的再现信号反射率方面的变化，即基于反射率的增加或减少，随记录部分12的再现信号输出而产生微小的变化(ΔS)。因此，通过检测这些微小的变化ΔS，可作为附加记录的再现信号，获得所检测的微小输出。
实际上，附加记录的信号是低密度的，具有窄的带宽。
另外，就附加记录而言，可以把同样的信号记录在附加记录区域中的多个位置中，而且当在所述多个位置再现信号时，可以使用与记录部分12的正常的再现方法不同的再现方法，进行附加记录信息的可靠的再现。
作为反射膜3，沉淀添加了不同杂质的Al合金，以制造光记录介质S，其特性是经过研究的。
首先，作为透明基底1，使用了喷射模塑的聚碳酸酯树脂备置基底，其中基底具有所形成的连续的导槽，轨道间距为1.6μm，深度为65nm。
其次，作为反射膜3，通过磁控管向这些透明基底1溅射，沉淀了向Al添加了不同杂质的Al合金。
接下来，使用激光照射Al合金膜，以进行等价于以上所述的附加记录的记录。
然后，使用激光照射反射膜3的记录区域，以进行再现。
此时，记录和再现中所使用的光系统发射785nm波长的光，并且拥有一0.50的物镜数值光圈NA和一4.8m/s的线形速度。在记录过程中，频率为2MHz，记录脉冲占空为40％。
对反射膜3的特性测量如下。
首先，使用光谱分析仪，以30KHz的分辨带宽，测量记录在反射膜3上的信号的CNR。
使用四终端方法测量反射膜3的电阻率。
根据反射膜3的合金成份，在最高为35mW的范围内适当地改变记录功率。
表1描述了溅射期间当针对具有成份Al92.5Ti7.5(原子百分比)的Al合金反射膜3分别改变反射膜3的膜厚度、最终真空度、以及氩气(Ar)压力时，所测得的反射膜的记录功率值、CNR、电阻率。
表1中的记录功率为这样的功率：随着记录功率的增加，CNR达到30dB。记录功率栏中的值为记录功率，当在以上所述的范围内该改变记录功率时，不能获得30dB的CNR。电阻率为在沉淀了反射膜3之后(在尚未施加保护膜4的状态下)，保护膜4的施加之前，所测量的值。
表1
    膜厚度(nm)     最终真空度(Pa)   溅射Ar压力(Pa)     记录功率(mW)     电阻率(Ω.cm)
    35     2×10-4   0.25     17.1     78.4
    40     2×10-4   0.25     21.3     68.0
    45     2×10-4   0.25     23.2     65.7
    50     2×10-4   0.25     25.6     61.0
    55     2×10-4   0.25     28.8     58.0
    45     1×10-4   0.25     23.5     65.0
    45     4×10-4   0.25     23.2     65.9
    45     8×10-4   0.25     23.0     66.1
    45     2×10-4   0.25     21.8     68.5
    45     2×10   0.15     23.5     65.5
    45     2×10   0.35     23.3     65.9
    45     2×10-4   0.45     22.4     67.2
    45     2×10-4   0.60     21.1     69.7
然而，总的来说，如果CNR大约为40dB或更高一些，则认为数据再现具有相当低的误差率是可能的；然而，在本发明中，这足以进行附加记录，并且无需进行高密度记录，例如在传统的只写一次和可重写光盘中。因此，一低于现有技术的例如大约为30dB的CNR，足以满足实际的应用。
由于附加记录的数据的数量并非巨大，所以当记录密度增大时，足以添加强有力的误差纠正功能。
从表1的各种测量结果可以看出，记录功率和电阻率相应反射膜3沉淀期间膜厚度、最终真空压力、以及溅射氩气压力的变化而变化。
在只读光盘中，例如在CD和DVD中，为了大规模生产极大数量的盘，并且为了降低成本，在传统的大规模生产膜沉淀设备中，通常不进行严格的条件控制。因此，当存在着导致以上所述的条件方面的波动的因素时，反射膜3的记录特性受到影响。
通常情况下，由溅射所沉淀的膜的厚度通过溅射功率或时间加以控制，通过控制这些工艺条件，可以吸收膜的厚度中的波动。
另一方面，当目标成份方面、最终真空压力方面、溅射氩气压力方面、以及其它与膜厚度无关的因素方面发生波动时，对每一这样的因素的控制，仍是一与大规模生产相关的问题。
在图7中，以沿水平轴为电阻率，并且沿纵轴为记录功率，描绘了表1中的结果。
从图7可以看出，材料的电阻率越高，足以进行记录的激光功率就越低。
在图7中，当膜厚度为55nm或35nm时，结果离其它膜厚度的结果相当远，因此并非十分有用；然而，在其它结果的情况下，当膜厚度(40到50nm)、最终真空压力、或溅射氩气压力方面出现波动时，可以看出记录功率和电阻率之间的关系大体上因一条直线描述。
因此，在沉淀之后，通过监视反射膜3的电阻率，并且向容易加以控制的诸如膜厚度等条件提供反馈，以致于电阻率的值为常数，通过控制膜厚度，能够吸收除膜厚度之外的其它波动因素，并且能够抑制记录特性方面的波动。
人们普遍熟悉的是，当最终真空压力不是足够低时，可能会把氧和其它杂质并入所溅射的膜中，因此反射膜3的电阻率增大，而且降低了记录所需的记录功率。
另一方面，人们普遍熟悉的是，用于溅射的氩气的压力方面的变化，导致膜密度和结构方面的变化，而且在合金膜的情况下，导致膜成份方面的变化。特别是，当氩气压力为高时，作为杂质，氧气或氩气等的并入，导致了反射膜3电阻率方面的增加，并且降低了进行记录所需的记录功率。
其次，把不同的元素添加到Al合金中，并且改变所添加的量，这改变了制造一光记录介质的反射膜3的材料成份；获得了30dB CNR的记录功率，然后针对这些光记录介质测量电阻率。表2中给出了测量结果。
对于所有的材料成份，反射膜3的厚度为45nm。
表2
    材料成份(at％)   记录功率(mW)  电阻率(μΩ.cm)     反射率(％)
    Al   --  8.7     84
    Al96..6Ti3.4   --  23     82
    Al96..6Ti4.0   --  29     81
    Al94..9Ti5.1   28.2  41     80
    Al93..6Ti6.4   26.2  46     76
    Al87.5Si12.5   --  27     77
    Al86.5Si13.5   31.5  37     73
    Al81Si19   24.6  77     71
    Al97.1Tb2.9   --  26     75
    Al94.9Tb5.1   30.5  37     73
    Al96.7Fe3.3   --  25     70
    Al94.7Fe5.3   29.7  44     70
    Al93.1Fe6.9   24.5  83     61
    Al91Fe9   19.3  110     55
    Al91.5Cr8.5   24.0  88     65
    Al93.8W6.2   22.5  82     62
    Al86Cu14   27.7  48     74
    Al74.4Cu25.6   23.5  79     60
    Al90.6Ti5.1Cu4.3   25.5  51     72
    Al82.0Ti4.7Cu13.3   24.5  69     70
    Al94.0Ti5.1Fe0.9   23.8  63     72
    Al93.6Ti5.1Fe1.3   21.5  77     71
    Al86.0Mg8.8Ti4.6Fe0.6   30.8  33     76
    Al83.6Mg9.6Ti5.1Fe1.7   25.5  58     73
    Al84.6Mg9.6Ti5.1Fe0.7   27.3  43     75
从表2可以看出，在未受杂质类型太大影响的情况下，电阻率随所添加的杂质的量的增加而增加。
基于表2的结果，图8沿水平轴绘制了电阻率和沿纵轴绘制了记录功率。
从表8可以看出，当电阻率为33μΩ.cm或33μΩ.cm以上时，按35mW或35mW以下的记录功率进行记录是可能的(获得了30dB的CNR)。
然而，如表2中所示，当电阻率增加时，反射率下降，因此电阻率方面的过度增加，造成了与现存光盘再现设备兼容方面的问题(如果反射率过低，在现存光盘再现设备中信号检测是不可能的)。
因此，最好是是，令反射率为60％或更高，即电阻率为90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
另一方面，当出厂之前，在光记录介质(光盘)上记录盘ID号码等时，在保护膜4形成之前进行记录，也是可能的。
表3描述了与表2相同的条件(材料成份、膜厚度)下，向盘记录时所获得的结果，其中并没有在盘上形成保护膜4。
表3
    材料成份(at％)     记录功率(mW)     电阻率(μΩ.cm)
    Al     --     8.7
    Al96.6Ti3.4     --     23
    Al96.0Ti4.0     31.3     29
    Al94.9Ti5.1     24.8     41
    Al93.6Ti6.4     21.5     46
    Al87.5Si12.5     --     27
    Al86.5Si13.5     27.5     37
    Al81Si19     21.0     77
    Al97.1Tb2.9     --     26
    Al94.9Tb5.1     27.5     37
    Al96.7Fe3.3     31.0     25
    Al94.7Fe5.3     27.0     44
    Al93.1Fe6.9     21.3     83
    Al91Fe9     16.5     110
    Al91.5Cr8.5     20.1     88
    Al93.8W6.2     18.5     82
    Al86Cu14     23.3     48
    Al74.4Cu25.6     19.5     79
    Al90.6Ti5.1Cu4.3     19.8     51
    Al82.0Ti4.7Cu13.3     17.5     69
    Al94.0Ti5.1Fe0.9     17.0     63
    Al93.6Ti5.1Fe1.3     16.5     77
    Al86.0Mg8.8Ti4.6Fe0.6     25.3     33
    Al83.6Mg9.6Ti5.1Fe1.7     21.3     58
    Al84.6Mg9.6Ti5.1Fe0.7     22.7     43
从表3可以清楚看出，与施加了保护膜的情况相比，当反射膜3的材料成份相同时，以较低的记录功率进行记录。
因此，在这一情况下可以看出，甚至是当反射膜3的电阻率为25μΩ.cm时，也可以进行适当的记录。
尽管表3中没有加以陈述，但当以适当的记录功率进行记录时，与在形成了保护膜4之后进行记录的情况相比，CNR高出几个分贝。除了由于热量在反射膜3方面所产生的变化之外，由于在与反射膜3界面的基底1形状中所产生的热量(不管反射膜3的材料成份)被认为是变形的迭加效果。
表3的结果描绘在图9中，沿水平轴描绘了电阻率，并且沿纵轴描绘了记录功率。
比较图9和图8，可以看出，总体上是向较低记录功率侧的偏移。
由于在记录期间不同的现象依赖于盘的状态，所以不能详细地了解在包括添加了杂质的Al的膜中进行记录的机制；然而，当在存在保护膜的状态下在反射膜上进行记录时，如表2中所示，以及当在保护膜不存在的状态下在反射膜上进行记录时，如表3中所示，关于记录功率方面的差别可以推断如下。
当在具有保护膜的状态下时，即当在形成了保护膜之后进行记录时，应该加以考虑的主要因素是形成反射膜的Al合金膜的微结构方面的变化，或者因出现在Al合金膜和基底之间的界面或出现在Al合金膜和保护膜之间的界面处的化学反应所造成的反射率变化。
在具有保护膜的状态下在包括一Al合金膜的反射膜上进行记录之后，剥离保护膜，在碱溶液中溶解包括Al合金膜的反射膜，然后再次沉淀Al合金膜，用激光照射所沉淀的Al合金膜以进行再现，并研究因此所获得的信号电平。在这一情况下，信号电平显著衰减，并且已返回到记录之前的状态。
因此，可以认为，基底的形状不会因为记录而出现大的变化，而且记录所造成的反射率方面的变化，主要是由于以上所述的因素所致。
另一方面，当在一包括Al合金膜而不具有所形成的保护膜的反射膜上进行记录，然后进行类似的试验时，不存在信号电平方面的明显的下降。
甚至当剥离了已在其中进行了记录的Al合金膜，并且沉淀了一新的Al合金膜时，在剥离的最初Al合金膜中的记录的影响被反映到输出中。
因此，可以推断：当在无保护膜的情况下进行记录时，除了Al合金膜结晶度方面的变化和界面处的化学变化外，还存在着因基底形状变化所引发的反射率方面的相当大的变化。
如以上所述的，由于也出现了基底形状方面的变化，所以因记录导致的反射膜的反射率方面的变化变得十分明显。因此，可以推断：能够以低于具有保护膜的情况下的记录功率的记录功率在反射膜上进行记录。
对于这些记录机制中的任何一种，作为初步近似，对Al合金膜进行加热的温度、特别是在记录期间所达到的温度，是改变信号量的原因。记录期间所达到的温度由Al合金膜的热传导率加以确定，而且根据方程(1)，热传导率反比于电阻率。因此，记录功率和信号之间的关系不严重依赖于杂质元素，而主要由记录期间所达到的温度，即由电阻率加以确定。
接下来，当把具有不同材料成份的Cu合金作为反射膜3时，测量了带有保护膜4进行记录以及不带保护膜进行记录的记录功率，得到了30dB CNR的记录功率，以及具有不同材料成份的Cu合金的电阻率。表4中给出了这些结果。
表4
    材料成份(at％)   带有保护膜的记录功率(mW)   不带保护膜的记录功率(mW)   电阻率(μΩ.cm)
    Cu96.1Al3.9   --   --   23
    Cu94.6Al5.4   27.0   --   33
    Cu91.5Al8.5   27.1   24.5   35
    Cu89.5Al5.1Ti5.4   23.5   19.0   51
    Cu90.5Al4.6Ti4.9   24.1   19.5   46
从表4中可以看出，在具有Cu合金的反射膜3的情况下，与Al合金膜相类似，与具有单纯的Cu相比，电阻率增加了，并且能够以低的记录功率在反射膜3上进行记录。
而且，当把Cu合金用作反射膜3时，与Al合金膜相类似，可以推断：在记录期间通过膜中的光变化以及因温度增加所导致的聚碳酸酯基底表面的形状的变化，进行记录是可能的。
在表1～表4中，所测得的记录功率值是CNR为30dB的记录功率值，因此，由于即使当反射膜3的电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上时也不能获得30dB的CNR，所以未给出这一记录功率的测量值。
实际上，取决于光再现设备(或光记录和光再现设备)的结构，甚至是当CNR小于30dB时，也存在着适当信号再现是可能的情况。
即使使用这样一设备时，最好是令反射膜3的电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上，以对附加记录的信号进行适当的再现。
当在形成了保护膜4之后在反射膜3上进行附加记录时，最好是令反射膜3的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上。
在以上所述的实施例中，解释了把本发明施用于一具有图1中所示结构的光记录介质(一光盘)的情况。然而，也可以类似地把本发明施加于具有不同结构的光记录介质，例如具有由两个层压在一起的基底组成的结构的光盘，如图10中所示。
图10中所示的光记录介质S2是这样构造的：即在一第一信息层2上叠加一拥有一第二信息层32的第二透明基底31(其中，类似地形成一第二反射膜33)，通过透明胶5连接在一起，以形成一拥有两个信息层的光记录介质S2。
在这一情况中，这样的结构是可能的：即从第二透明基底31的该侧在第二反射膜33上进行附加记录，并且能够在第二信息层32中进行附加记录和读出最初记录的数据。
另一方面，当采用其中从透明基底1的该侧在第二反射膜33上进行附加记录，并且在第二信息层32中进行附加记录和读出最初记录的数据的结构时，(第一)反射膜3需要为半透明的膜。因此，把如上所述的大约40nm～45nm厚的Al合金膜或Cu合金膜用作第二反射膜32，并且把一薄的，例如厚度大约为5nm～20nm厚的呈半透明的Al合金膜或Cu合金膜，用作第一反射膜3。当采用其中把薄的合金膜用作第一反射膜3的结构中时，把第一反射膜3做成半透明的，另外可以向第一反射膜3进行附加记录。
另外，也可以采用其中不向第一反射膜3进行附加记录的结构，可以使用传统上用作DVD等中的半透明膜的Si或Ag合金反射膜，可以把本发明的Al合金膜或Cu合金膜用作第二反射膜33，并且仅在第二反射膜33上进行附加记录。
而且，使用这样的一结构也是可能的：其中，作为第一反射膜3的材料，使用Si或Ag合金，对其成份和膜厚度进行选择，使膜成为半透明的，以致于可以进行附加记录，并且既在第一反射膜3上也在第二反射膜33上进行附加记录。
在图10的光记录介质中，当在表面上形成一保护膜(未在图中加以显示)之前向反射膜3、33进行记录时，在各透明基底1、31上沉淀反射膜3、33并向反射膜3、33进行记录之后，可以使用紫外线固化树脂等层压两个透明基底1、31，由于用作透明胶5，所以通过紫外线照射加以固化。
根据本发明的光记录介质，由于能够进行附加记录，所以例如在制造的同时装入编码的数据是可能的，并且由于使用一拥有能够对这一编码进行解码的算法的再现设备再现这一编码，所以例如防止对已经被非法拷贝的光记录介质的再现也是可能的；并且也能够使用各种其它的模式。
另外，也可以采用一系列其它使用模式，例如使租赁公司能够通过附加记录针对被允许租赁的特定人员的特定口令，禁止除特定人员之外的人使用，或者例如使普通的用户能够记录关于介质管理、游戏软件的结束点、显示已被再现的位置的标记、用户信息等的数据，以及记录数据已被再现的次数，并且还向记录和再现设备添加了读出功能。
本发明的光记录设备包括用于在以上所述的本发明的光记录介质上进行光记录的装置。这一光记录装置拥有一其中包括了用于使用激光照射光记录介质的装置的结构，其中激光是根据附加记录信息加以调制的。可以经过激光照射，通过热记录，实现附加记录，在热记录过程中，改变了反射膜的特性，而且反射率也得以改变。
本发明的光记录设备包括用于从以上所述的本发明的光记录介质上进行光再现的装置，其中已在光记录介质上进行了附加记录。这一光再现装置拥有一用于使用再现光照射光记录介质的再现光照射装置，以及用于检测从其反射光返回的光的检测装置；把从检测装置所检测的输出方面的微小变化用作再现附加记录的信息的信号。
本发明的光记录与再现设备包括用于向以上所述的本发明的光记录介质进行光记录的装置，以及用于从以上所述的本发明的光记录介质进行光再现的装置。光记录装置拥有一用于使用根据附加记录的信息所调制的激光照射光记录介质的装置。通过激光照射，进行热记录，在热记录过程中，针对附加记录，改变了上述反射膜的特性，而且反射率也得以改变。光再现装置拥有用于把再现光照射到光记录介质上的装置，以及用于检测从反射膜返回的光的检测装置；把从检测装置所检测的输出方面的微小变化用作再现附加记录信息的信号。
当采用本发明的光记录介质及其制造方法进行所要求的附加记录时，当读出附加记录的信号时，在光记录与再现设备以及光记录设备中提供了一再现信号系统电路，如图11中所示。使用这一装置，能够再现附加记录的信号。
图11中所示的再现信号系统的电路从图1中所解释的光记录介质S进行(记录和)再现，例如，在这一情况中，拥有一用于驱动光记录介质S旋转的驱动部分41。驱动部分41使用了一驱动和旋转光记录介质的主轴马达42。在这一主轴马达42中，一伺服电路(未在图中加以显示)控制光记录介质S的旋转速度。
与光记录介质S相对，作为光再现装置，提供了一光拾取装置43，以再现附加记录到光记录介质S上的数据。在光记录与再现设备中，这一光拾取装置43可构成为作为执行以上所述的附加记录的光记录装置。
对这一光拾取装置43可构成为能够通过一滑板机制(未在图中加以显示)平行于光记录介质S的径向方向移动。
另外，这一光拾取装置43还拥有光照射装置，该光照射装置包括一半导体激光器，例如，在传统光记录设备和光记录与再现设备中的光拾取装置的配置；把来自半导体激光器的激光聚焦，并通过一物镜照射光记录介质S。
这一光照射装置包括用于根据附加记录的信息调制照射光记录介质S的激光光量的调制装置，例如位于激光光路径中的一光强度调制元件，或控制半导体激光器功率的调制装置，其配置能够使用记录激光照射光记录介质S。与此同时，当再现时，激光照射装置的配置能够作为再现光发射激光。
另外，光拾取装置43还拥有一检测从光记录介质S返回的以上所述的激光，并且作为电输出析取返回光的检测部分。
如上所述，把附加记录的信息记录到附加记录部分12A上，并且从以上所述的记录凹陷12P读出最初记录的信息以及从附加记录部分12A读出附加记录的信息。
与传统的光拾取装置相类似，获取跟踪误差信号和聚焦误差信号，并基于这些误差信号进行跟踪伺服和聚焦伺服。
提供一电路部分50，以控制光拾取装置43的光记录与光再现操作。这一电路部分50包括一伺服信号模块51、RF信号模块52、正常数据译码器电路53、误差纠正模块54、附加记录的数据译码器电路55、以及误差纠正模块56。
在伺服信号模块51中，针对以上所述的跟踪伺服和聚焦伺服，并针对其它伺服电路，进行信号处理和控制。
把正常数据译码器电路53、误差纠正模块54、附加记录的数据译码器电路55、以及误差纠正模块56提供在与用于信号再现的相同的集成电路中。
在这一配置中，信号再现如下所述。
例如，光记录介质S被构成在一预确定的部分中拥有一附加记录部分12A，在附加记录部分12A中，制造商记录了各种代码和标记，例如用于检测违法使用的标记等。
当把光记录介质S定位在驱动部分41中时，来自光拾取装置43的激光照射一用于照射光记录介质S的附加记录位置的位置，即一预确定的位置，在CPU(未在图中加以显示)等的控制下，已经在这一预确定的位置中记录了一标记。激光输出设置成适于检测这一标记。
以这一方式，把基于附加记录部分12A的标记的再现输出从光拾取装置43析取出来。然后，基于这一再现输出，例如通过把所检测到的标记输出输入到CPU，例如在CPU的控制下暂停再现操作。
当未因此暂停操作时，来自光拾取装置43的激光根据来自CPU的指令照射光记录介质S的一预确定的最初记录部分12，并且进行再现。即，由光拾取装置43把来自记录部分12的一读出信号(RF信号)按RF信号处理模块52中的一预确定的限幅电平转换成一二进制信号，以获得一数字化的二进制信号。另外，由正常数据译码电路53对这一二进制信号进行译码，以生成所再现的数据。在误差纠正模块54中，把所再现的数据提交给使用误差纠正代码的误差纠正处理，在记录的时候进行编码时，已经附加地记录了这些误差纠正代码，并且在数字/模拟转换电路中，把这一信号转化成一模拟信号，以致于能够再现记录在记录部分12中的最初记录的信息。
当仅在独立于其中通过凹陷和突起等记录了最初记录的信息的记录部分12的区域中进行附加记录时，与以上所述的最初记录的信息的再现相类似，来自光拾取装置43的一附加记录部分读出信号(RF信号)，可以例如通过在RF信号处理模块52中使用一预确定的限幅电平把来自光拾取装置43的一附加记录部分读出信号(RF信号)转换成一二进制信号，加以再现，并且由附加记录的数据译码器电路55对所得的二进制信号进行译码，然后将其提交给误差纠正模块56中的误差纠正处理。
当在其中记录了最初记录的信息的记录部分12中进行附加记录时，当与最初记录的数据信号的频带相比附加记录的数据信号的频带足够低的时候，可以使用一滤波器隔离两种类型的数据信号。
另一方面，当不能通过滤波器隔离时，再现如以上所述的再现记录部分12中所记录的最初信息，并基于这一最初记录的信息，创建一RF信号波形；并将最初记录的信息的波形与来自光拾取装置43的记录部分12的读出信号(RF信号)的波形加以比较，并执行操作(减法处理)。
把相应于按这一方式所获得的RF信号的差的波形用于由附加记录的数据译码电路55对二进制信号进行译码，并且在误差纠正模块56中进行误差纠正处理，以再现附加记录的信息。
向光记录介质S执行如下所述附加记录处理。
把激光照射位置设置成一预确定的位置，以进行附加记录，并且使用基于记录信息的控制信号用于调制光拾取装置43的激光，以通过使用激光照射附加记录部分12A的反射膜3进行附加记录。
在以上的描述中，说明了本发明的光记录与再现设备的一实施例，这一实施例拥有从光记录介质S进行再现和向光记录介质S进行记录的功能；然而，也可以把本发明的光记录设备或本发明的光再现设备分别配置成包括以上所述的两个功能即光记录或光再现功能之一。
另外，本发明的光记录介质、光记录与再现设备、光记录设备、和光再现设备不局限于以上所述的实施例(图1、图10)中的那些光记录介质，而且，可以类似地把本发明用于其它拥有所谓ROM部分的光记录介质(光盘等)。
本发明不局限于以上所述的实施例，在不背离本发明的实质的情况下，也可以采用不同的配置。
使用本发明的以上所述的光记录介质，由于能够在一只读光记录介质中进行附加记录，所以例如可以很容易地由用户记录再现完成的位置以及游戏软件中一游戏的末尾处的标记，由用户使用一记录装置记录个人信息(例如所再现的次数、用户信息、再现被中断的位置、其它数据、以及对按ROM模式存储的数据的部分修改)。例如，通过使用一网络传输数据，可以在线地执行以上所述的各种功能。
另外，租赁公司记录针对特定借用者的口令、所再现的次数、或其它任意信息，也是可能的。
在制造商方面，通过记录管理代码等，可以对制造商加以标识、能够把限制放置在可再现的内容上、以及能够对非法再现进行甄别和控制。
例如，如以上所述的，通过在制造时记录编码的数据，以及通过使用拥有一能够对代码进行译码的算法的再现设备再现光记录介质，使不能够再现非法拷贝的光记录介质是可能的，而且使用众多其它模式也是可能的。
另外，在本发明的光记录介质中，作为进行以上所述的附加记录的记录层，通过为形成在最初信息层的反射膜选择成份，而不是提供一具有一特殊配置的记录层，能够把反射膜本身构造成一用于附加记录的附加记录区域，以致于能够在不导致制造过程数量增加、避免使用有害基底、低成本进行制造、高生产效率以及成本与只读光记录介质相同的情况下，大批量地制造这种光记录介质。
向本发明的光记录介质进行记录的方法能够使用半导体激光器进行光记录，以致于能够根据附加记录的对象对记录设备，即光记录设备，加以构造，但实际上不需要特殊的配置。
另外，从本发明的光记录介质进行再现的方法，能够使用半导体激光器进行光再现，以致于能够根据附加记录的对象使用一配置，但实际上，如在传统的光记录与再现设备的情况一样，使用半导体激光器读出是可能的，以致于可以进行一简单的配置。
在本发明的光记录介质中，通过规定在其上进行记录的反射膜的电阻率，能够抑制记录所需的功率方面的波动(因制造过程条件的波动而增大)，并且能够进行稳定的记录。

Claims (16)

1.一种光记录介质，拥有一信息层，其中，通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，并且包括一反射膜，其中
所述反射膜被构成为能够通过热记录进行附加记录，并且由具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金形成。
2.根据权利要求1的光记录介质，其中把至少从Ti、Si、Cu、Al、Fe、W、Cr、O、Ar、Mg、以及Tb中所选择的一种元素添加到所述Al合金或所述Cu合金中。
3.根据权利要求1的光记录介质，其中，把用于所述附加记录的记录区域提供在拥有其中所述物理形状已经变化的信息记录区域的记录区域之内或之外。
4.根据权利要求1的光记录介质，其中，在所述反射膜上形成一保护膜。
5.根据权利要求4的光记录介质，其中，所述反射膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
6.一种制造一光记录介质的方法，包括下列步骤：
在一基底上形成一电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的Al合金或Cu合金的反射膜，其中，在基底上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，以及
通过热记录在所述反射膜上进行附加记录。
7.根据权利要求6的制造一光记录介质的方法，其中，在进行所述附加记录之后，在所述反射膜上形成一保护膜。
8.一种制造一光记录介质的方法，包括下列步骤：
在一基底上形成一电阻率为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下的Al合金或Cu合金的反射膜，其中，在基底上通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分；
在所述反射膜上形成一保护膜；以及
通过热记录在所述反射膜上进行附加记录。
9.一种光记录方法，其中记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，并且包括一反射膜，和所述反射膜为20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金，
通过热记录附加地记录信息，在热记录过程中改变了所述反射膜的特性以改变其反射率。
10.根据权利要求9的光记录方法，其中在所述光记录介质的所述反射膜上形成一保护膜，所述保护膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
11.一种光再现方法，其中光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，并且还包括一反射膜，所述反射膜为拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金，通过其中改变其反射率的热记录，信息被附加地记录在所述反射膜上，
通过照射激光获得因反射率变化而导致的返回光方面的微小变化，再现所述附加记录的信息。
12.根据权利要求11的一种光再现方法，其中在所述光记录介质中的所述反射膜上形成一保护膜。
13.根据权利要求12的一种光再现方法，其中所述光记录介质的所述反射膜的电阻率为30μΩ.cm或30μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下。
14.一种光记录设备，包括
用于在一光记录介质上进行光记录的装置，光记录介质拥有一信息层，其中，通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，其中还包括一拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；其中
所述光记录装置拥有用于通过根据附加记录的信息调制的激光照射所述光记录介质的装置；以及
通过热记录，即通过使用所述激光进行照射以改变所述反射膜的特性并改变其反射率，进行附加的记录。
15.一种光再现设备，包括用于从一光记录介质再现数据的装置，光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，并且还包括一拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；其中
所述光再现装置拥有一用于使用再现光照射所述光记录介质的再现光照射装置，以及用于检测从所述反射膜返回的光的检测装置，并且获得从所述检测装置所检测的输出方面的微小变化，将其用作所述附加记录的的再现信号。
16.一种光记录与再现设备，包括用于在一光记录介质上记录与再现数据的记录与再现装置，光记录介质拥有一信息层，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分，并且还包括一拥有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金的反射膜；其中
所述光记录与再现装置拥有用于使用根据附加记录的信息所调制的激光照射所述光记录介质的装置；
通过热记录，即通过使用所述激光进行照射以改变所述反射膜的特性并改变其反射率，进行附加的记录；以及
所述光记录与再现装置拥有用于使用再现光照射所述光记录介质的再现光照射装置，以及用于检测从所述反射膜返回的光的检测装置，和获得从所述检测装置所检测的输出方面的微小变化，将其用作所述附加记录的再现信号。
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