JP2005014274A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】耐環境特性に優れ、コストアップにならず、製造効率がよい光記録媒体を提供する。
【解決手段】基板11上に、レーザ光6を反射する反射膜1と信号が追記録される記録膜3とこの記録膜3を保護する保護膜5とをこの順に形成し、記録膜3をアモルファスカーボンで形成すると共に、酸化物を含んでなる薄膜2,4を記録膜3に隣接して形成した。また、この記録膜3の比抵抗を0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にした。
【選択図】 図1
【解決手段】基板11上に、レーザ光6を反射する反射膜1と信号が追記録される記録膜3とこの記録膜3を保護する保護膜5とをこの順に形成し、記録膜3をアモルファスカーボンで形成すると共に、酸化物を含んでなる薄膜2,4を記録膜3に隣接して形成した。また、この記録膜3の比抵抗を0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に係り、特に追記型の光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
CD(Compact Disc)やDVD(Digital Versatile Disc)に代表される光記録媒体は、記録容量が大きく,ランダムアクセス性や可搬性に優れ、比較的低コストであることから極めて広く普及しているが、放送のデジタル化等への対応のため、より高密度な記録を可能とした大容量化したものが望まれている。
この高密度記録を可能にする手段として、レーザの短波長化や対物レンズの高NA化の検討が進められている。
具体的には、CDにおいて波長780nm及びNA0.45であり、DVDで650nm及び0.6であったレーザ波長及びNAを、405nm及び0.85にした光学系でのシステムが検討されている。
【0003】
一方、記録媒体の1つである、1回だけ記録が可能な追記型光記録ディスクは、その記録膜の材料として、レーザの照射により物理的変化あるいは化学反応を生じて屈折率が変化する性質を有する有機色素を用いられるのが一般的である。
この有機色素の屈折率変化には照射するレーザの波長依存性があるため、光ディスクシステムに使用するレーザの波長に応じて異なる有機色素を選択する必要がある。
特許文献1には、上述したような400nm程度のレーザ波長に対応する有機色素を用いた記録膜やその記録膜を有する光学記録媒体が記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−92954号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機色素を用いた記録膜は、溶剤に溶解したり、湿気により変質したりするものであり、耐環境特性に優れるものではなかった。
また、使用するレーザの波長が紫外線領域に近い400nm程度の短波長であると、そのレーザの照射で特性が劣化する可能性があった。
【0006】
また、対物レンズは、その高NA化により焦点距離が極めて短くなるので、比較的長波長のレーザを用いた時にはディスクの基板側から照射していたレーザを、記録膜側から照射する必要があり、そのために、記録膜上に透明樹脂膜を形成したり、接着層を介して透明シートを接着して保護膜を設けるのであるが、記録膜と保護膜又は接着層との混合を防止するために、記録膜上に誘電体の保護膜を形成する必要があった。
【0007】
この保護膜は、スピンコートで形成できる有機色素の記録膜とは異なりスパッタリングで形成しなければならず、それぞれの膜を別々の工程で形成するためにコストアップになってしまうという問題があった。
【0008】
また、有機色素の種類によっては、反射膜が更に必要となる場合があった。
この場合は、基板,反射膜,有機色素記録膜,誘電体膜,保護膜の順に積層形成する必要があるが、スパッタリング工程、スピンコート工程,またスパッタリング工程と複数の工程をまたぐように製造しなければならず、製造効率が極めて悪いという問題があった。
【0009】
そこで本発明が解決しようとする課題は、耐環境特性に優れ、コストアップにならず、製造効率がよい光記録媒体を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本願発明は手段として次の構成を有する。
即ち、請求項1に係る発明は、基板(11)上に、少なくとも、レーザ光(6)を反射する反射膜(1)と信号が追記録される記録膜(3)と該記録膜(3)を保護する保護膜(5)とをこの順に形成して成り、前記記録膜(3)は、前記保護膜(5)側から照射されたレーザ光(6)を吸収して物性が変化し、前記記録膜(3)の前記物性の変化の有無により前記信号の追記録を行う光記録媒体において、
前記記録膜(3)をアモルファスカーボンで形成し、酸化物を含んでなる薄膜(2,4)を前記記録膜(3)に隣接して形成して成ることを特徴とする光記録媒体であり、
請求項2に係る発明は、前記記録膜(3)の比抵抗が0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体である。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図1〜図4を用いて説明する。
図1は、本発明の光記録媒体の実施例を示す模式的断面図であり、
図2は、本発明の光記録媒体の実施例における記録膜の物性を説明する図であり、
図3は、本発明の光記録媒体の実施例における記録膜を形成する際のガス圧力と記録膜の比抵抗との関係を示す図であり、
図4は、本発明の光記録媒体の実施例における比抵抗とC/Nとの関係を示す図である。
【0012】
本発明の光記録媒体の実施例である光ディスクの模式的断面を図1に示す。
この光ディスクの基板11は、ポリカーボネート(PC)からなる厚さ約1.1mmのディスクである。
この基板11は、射出成形により形成され、表面にランドとグルーブ(図示せず)が形成されている。
【0013】
この基板11上には、金属反射膜1,第1の誘電体膜2,記録膜3及び第2の誘電体膜4が、この順序で積層形成されている。これらは、例えば、スパッタリングで積層することができる。
【0014】
各膜に使用できる材料としては以下のものがある。
反射膜1にはAg,Au,Al等の高反射率材料が使用できる。これらの材料は、耐食性等を向上させるための添加物を加えた合金であることが望ましく、例としてAgPdCuがある。
第1,第2の誘電体膜2,4には、ZnS−SiO2,Al2O3,SiO2,TiO2等の酸化物材料が使用できる。
記録膜3にはアモルファスカーボンが使用できる。
【0015】
各層の膜厚は以下の範囲にすればよい。
反射膜1は10nm〜200nmであり、第1の誘電体膜2は10nm〜20nmであり、第2の誘電体膜4は15nm〜100nmである。
各膜は、同一の真空装置内で形成することができるので、製造の効率がよく、低コストで製造が可能である。
【0016】
各層を積層形成した後、その表面に紫外線硬化樹脂により厚さが約0.1mmのシートを保護膜5として接着する。このシートの材質としてPC(ポリカーボネート)を用いることができる。
この保護膜5は光透過性を有するものであり、紫外線硬化樹脂のみで形成してもよい。紫外線硬化樹脂の例として、エポキシ樹脂またはアクリル系樹脂からなるものが使用できる。
【0017】
積層した誘電体膜2,4は、干渉効果による光ディスクの反射率の制御や、反射膜1と記録膜3間の距離の調整による熱分布の制御や、記録膜3の保護をするものである。
【0018】
上述した構成の光ディスクの保護膜5側から、図示しない光記録再生装置の光学ピックアップの対物レンズにより集光されたレーザ光6を入射させ、記録膜3に熱的作用を施して記録再生を行う。
【0019】
次に、この記録再生について詳述する。
記録膜3を形成するアモルファスカーボンにおいて、炭素原子は、その共有結合様式である単結合,二重結合,三重結合の3つの結合様式が混在している。
また、これらの炭素原子に加えて、結合欠陥である不対電子を有する炭素原子も存在している。この記録膜3の物性は、このような数種の結合様式を有する炭素原子の有無やその比率によって、異なるものになる。
記録膜3を例えばスパッタリングで形成する場合、基板11の温度や成膜ガス圧力等の成膜条件の違いによって結合様式が異なり、記録膜3はその成膜条件特有の物性を示す。
【0020】
この成膜ガスにAr(アルゴン)を使用した場合の、Arガスの成膜圧力と、成膜した記録膜3の比抵抗及び加熱後減量率との関係を図2に示す。この加熱後減量率は、大気成分中で400℃,1時間放置した後の重量減少率である。
測定に共したアモルファスカーボンの記録膜は、基板上に膜厚100nm一定で形成したものである。
比抵抗の測定は、4端子抵抗測定器を用いた。また、加熱後減量率は、予め記録膜に段差を設けておき、その段差の変化を触針式の膜厚計で測定することで得た。
【0021】
その結果、成膜のガス圧力が増加すると、成膜された記録膜は高抵抗になり、加熱後減量率が大きくなることが判明した。
成膜時のガス圧力が大きい程、記録膜に存在する炭素原子の結合様式において結合欠陥である不対電子を有する炭素の存在比率が増加する。そのため、比抵抗が上昇する。
また、不対電子を有する炭素が大気中の酸素と反応して二酸化炭素として放出されるため、より質量の減少が大きくなる。これは、加熱後減量が真空中では生じないことから裏付けられている。
【0022】
一方、成膜時の基板温度によっても記録膜の物性は異なるものになる。
成膜時の基板温度が低い程、三重結合成分が多く、基板温度が高い程、二重結合成分が多くなることがラマン分光の結果から判明している。
しかしながら、上述した比抵抗の変化や加熱後減量については、ガス圧力の違いに対する依存性の方が大きいものである。
【0023】
本発明の光ディスクは、この現象を利用し、不対電子を有する炭素原子をより多く含有したアモルファスカーボンで記録膜3を形成すると共に、その直下と直上とに酸化物の誘電体膜2,4を設け、両誘電体膜2,4で記録膜3を挟んだ構成にしたものである。
【0024】
この構成において、記録膜3をレーザで加熱すると、記録膜3中の炭素原子と、記録膜3に隣接した誘電体膜2,4中の酸素とが反応して二酸化炭素が生成し、これが外部に放出され、記録膜3が変形する。この変形に伴い、反射率あるいは屈折率等の光学的物性の変化を誘起して信号の記録再生が可能となる。
【0025】
この加熱によって記録膜3に生じる変形及び光学的物性の変化の程度は、比抵抗値を指標とすることで知ることができる。以下にこれを具体的に説明する。
【0026】
レーザ照射部と非照射部とにおいて、信号の記録再生に必要な物性の差が得られるためには、形成した記録膜3の比抵抗が、0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にあることが必要である。
比抵抗がこの範囲にあれば、光ディスクシステムとして必要な再生信号のC/Nを、40dB以上確保することができる。
また、比抵抗が、0.20Ω・cm〜0.42Ω・cmの範囲にあれば、再生信号のC/Nを45dB以上確保できてより好ましい。
さらには、比抵抗が、0.22Ω・cm〜0.30Ω・cmの範囲にあれば、再生信号のC/Nを50dB以上確保できるので、最も好ましい。
【0027】
上述したアモルファスカーボンの記録膜3中の炭素原子と、隣接した誘電体膜2,4中の酸素との反応は、300℃以上の温度で顕著に起きるが、光ディスクの一般的使用温度範囲である0℃〜80℃においては、この反応は起こらない。
従って、上述した記録膜3は、光ディスクの通常の使用温度において物性は極めて安定している。
また、溶剤や水分等、あるいは紫外線の照射に対しても劣化がなく、化学的にも極めて安定したものである。
【0028】
次に、本発明の光ディスクの実施例1〜実施例4と比較例1〜3とを作成し、それぞれを比較評価したので詳述する。
これらの例は、スパッタリングによる記録膜3の成膜条件におけるArガス圧力のみが異なるものであり、他はすべて同条件で作成したものである。
【0029】
<実施例1>
まず、トラックピッチ0.32nm,溝深さ25nmのランド及びグルーブを有する直径φ120の基板11を射出成形により形成した。材料は、PC(ポリカーボネート)とした。
この基板11上に、Arを成膜ガスとしたスパッタリングにより、金属反射膜1として、AgPdCu合金膜を厚さ200nmで成膜した。
次に、この金属反射膜1上に、第1の誘電体膜2としてZnS−Si02の膜を厚さ20nmで成膜した。
次に、この第1の誘電体膜2上に記録膜3としてアモルファスカーボンの膜を厚さ20nmで成膜した。
次に、この記録膜3上に、第2の誘電体膜4としてZnS−Si02の膜を厚さ36nmで成膜した。
ここまでの成膜は同一の真空装置内で行った。
その後、第2の誘電体膜4上に、保護膜5としてPC(ポリカーネート)からなる厚さ0.1mmのシートを、アクリル系樹脂からなる紫外線硬化樹脂の接着層を介して貼り付けて、実施例1の光ディスクを作成した。
【0030】
この実施例1の作成工程におけるスパッタリングの成膜条件は、
基板温度:室温
Arガス圧力:5mTorr
パワー:200W
である。
【0031】
<実施例2>
実施例2の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を7mTorrとして作成したものである。
【0032】
<実施例3>
実施例3の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を10mTorrとして作成したものである。
【0033】
<実施例4>
実施例4の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を12mTorrとして作成したものである。
【0034】
また、比較例1〜3は以下のように作成した。
<比較例1>
比較例1の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を1.2mTorrとして作成したものである。
【0035】
<比較例2>
比較例2の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を15mTorrとして作成したものである。
【0036】
<比較例3>
比較例3の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を20mTorrとして作成したものである。
【0037】
上述のように作成した各光ディスクを、レーザ波長が405nmで対物レンズのNAが0.85の光ディスクシステムを用い、レーザ光の記録パワーを5.0mW,再生パワーを0.35mWとした条件で、記録マーク長さ0.64μmの信号の記録再生を行い、C/Nを測定した。
【0038】
この測定結果を、それぞれの実施例、比較例における記録膜の単独の比抵抗の測定結果と合わせて評価した結果を表1に示す。
【表1】
当表において、光ディスクとして使用できないものは×とし、使用できるものを○とし、より好ましいものを◎で評価している。
【0039】
また、Arガス圧力と比抵抗との関係を図3示し、比抵抗とC/N値との関係を図4に示す。
【0040】
図3から、比抵抗値はArガス圧力によって制御できることがわかる。
また、図4から、C/N値は比抵抗値によってピークを有し、比抵抗値が小さい場合と大きい場合には、必要なC/N値である40dB以上のC/Nが得られないことがわかる。
光ディスクシステムとして必要な再生信号のC/Nを40dB以上確保するためには、比抵抗値を0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にすればよい。
この比抵抗値を得るためのArガス圧は、2.2mTorr〜13mTorrである。
また、高いC/Nが得られることが好ましいことは言うまでもなく、例えば、C/Nを45dB以上確保するには、比抵抗値を0.20Ω・cm〜0.42Ω・cmの範囲にすればよい。
この比抵抗値の範囲を得るためのArガス圧は、3mTorr〜10.5mTorrである。
さらに高いC/Nとして50dB以上確保するには、比抵抗値を0.22Ω・cm〜0.30Ω・cmの範囲にすればよいことがわかる。比抵抗値をこの範囲にすることが最も好ましい。
この比抵抗値の範囲を得るためのArガス圧は、5mTorr〜7.5mTorrである。
【0041】
さて、本発明の実施例は、上述した構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形が可能である。
例えば、酸化物を含んで成る誘電体層を、記録膜3の上下ではなく一方の側のみに隣接して形成した構成としてもよい。
また、誘電体膜は、酸化物を含んだ光透過性を有する薄膜であればよく、好ましくは、屈折率が2.0に近い膜として形成されているのがよい。
また、他の実施形態として、記録膜3上に第2のランド及びグルーブを設けた中間層を形成し、この中間層を介して第2の記録膜を設け、その上に誘電体膜及び保護膜を積層したいわゆる2層の光ディスクについても適用することが可能である。
なお、上述した実施例は光ディスクであるが、本発明は他の光記録媒体にも適用が可能であることは言うまでもない。
【0042】
【発明の効果】
以上詳述したように、本願発明の光記録媒体は、耐環境性に優れ、コストアップにならず、極めて効率良く製造が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光記録媒体の実施例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の光記録媒体の実施例における記録膜の物性を説明する図である。
【図3】本発明の光記録媒体の実施例における記録膜を形成する際のガス圧力と記録膜の比抵抗との関係を示す図である。
【図4】本発明の光記録媒体の実施例における比抵抗とC/Nとの関係を示す図である。
【符号の説明】
1 反射膜
2 第1の誘電体膜
3 記録膜
4 第2の誘電体膜
5 保護膜
6 レーザ光
11 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に係り、特に追記型の光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
CD(Compact Disc)やDVD(Digital Versatile Disc)に代表される光記録媒体は、記録容量が大きく,ランダムアクセス性や可搬性に優れ、比較的低コストであることから極めて広く普及しているが、放送のデジタル化等への対応のため、より高密度な記録を可能とした大容量化したものが望まれている。
この高密度記録を可能にする手段として、レーザの短波長化や対物レンズの高NA化の検討が進められている。
具体的には、CDにおいて波長780nm及びNA0.45であり、DVDで650nm及び0.6であったレーザ波長及びNAを、405nm及び0.85にした光学系でのシステムが検討されている。
【0003】
一方、記録媒体の1つである、1回だけ記録が可能な追記型光記録ディスクは、その記録膜の材料として、レーザの照射により物理的変化あるいは化学反応を生じて屈折率が変化する性質を有する有機色素を用いられるのが一般的である。
この有機色素の屈折率変化には照射するレーザの波長依存性があるため、光ディスクシステムに使用するレーザの波長に応じて異なる有機色素を選択する必要がある。
特許文献1には、上述したような400nm程度のレーザ波長に対応する有機色素を用いた記録膜やその記録膜を有する光学記録媒体が記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−92954号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機色素を用いた記録膜は、溶剤に溶解したり、湿気により変質したりするものであり、耐環境特性に優れるものではなかった。
また、使用するレーザの波長が紫外線領域に近い400nm程度の短波長であると、そのレーザの照射で特性が劣化する可能性があった。
【0006】
また、対物レンズは、その高NA化により焦点距離が極めて短くなるので、比較的長波長のレーザを用いた時にはディスクの基板側から照射していたレーザを、記録膜側から照射する必要があり、そのために、記録膜上に透明樹脂膜を形成したり、接着層を介して透明シートを接着して保護膜を設けるのであるが、記録膜と保護膜又は接着層との混合を防止するために、記録膜上に誘電体の保護膜を形成する必要があった。
【0007】
この保護膜は、スピンコートで形成できる有機色素の記録膜とは異なりスパッタリングで形成しなければならず、それぞれの膜を別々の工程で形成するためにコストアップになってしまうという問題があった。
【0008】
また、有機色素の種類によっては、反射膜が更に必要となる場合があった。
この場合は、基板,反射膜,有機色素記録膜,誘電体膜,保護膜の順に積層形成する必要があるが、スパッタリング工程、スピンコート工程,またスパッタリング工程と複数の工程をまたぐように製造しなければならず、製造効率が極めて悪いという問題があった。
【0009】
そこで本発明が解決しようとする課題は、耐環境特性に優れ、コストアップにならず、製造効率がよい光記録媒体を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本願発明は手段として次の構成を有する。
即ち、請求項1に係る発明は、基板(11)上に、少なくとも、レーザ光(6)を反射する反射膜(1)と信号が追記録される記録膜(3)と該記録膜(3)を保護する保護膜(5)とをこの順に形成して成り、前記記録膜(3)は、前記保護膜(5)側から照射されたレーザ光(6)を吸収して物性が変化し、前記記録膜(3)の前記物性の変化の有無により前記信号の追記録を行う光記録媒体において、
前記記録膜(3)をアモルファスカーボンで形成し、酸化物を含んでなる薄膜(2,4)を前記記録膜(3)に隣接して形成して成ることを特徴とする光記録媒体であり、
請求項2に係る発明は、前記記録膜(3)の比抵抗が0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体である。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図1〜図4を用いて説明する。
図1は、本発明の光記録媒体の実施例を示す模式的断面図であり、
図2は、本発明の光記録媒体の実施例における記録膜の物性を説明する図であり、
図3は、本発明の光記録媒体の実施例における記録膜を形成する際のガス圧力と記録膜の比抵抗との関係を示す図であり、
図4は、本発明の光記録媒体の実施例における比抵抗とC/Nとの関係を示す図である。
【0012】
本発明の光記録媒体の実施例である光ディスクの模式的断面を図1に示す。
この光ディスクの基板11は、ポリカーボネート(PC)からなる厚さ約1.1mmのディスクである。
この基板11は、射出成形により形成され、表面にランドとグルーブ(図示せず)が形成されている。
【0013】
この基板11上には、金属反射膜1,第1の誘電体膜2,記録膜3及び第2の誘電体膜4が、この順序で積層形成されている。これらは、例えば、スパッタリングで積層することができる。
【0014】
各膜に使用できる材料としては以下のものがある。
反射膜1にはAg,Au,Al等の高反射率材料が使用できる。これらの材料は、耐食性等を向上させるための添加物を加えた合金であることが望ましく、例としてAgPdCuがある。
第1,第2の誘電体膜2,4には、ZnS−SiO2,Al2O3,SiO2,TiO2等の酸化物材料が使用できる。
記録膜3にはアモルファスカーボンが使用できる。
【0015】
各層の膜厚は以下の範囲にすればよい。
反射膜1は10nm〜200nmであり、第1の誘電体膜2は10nm〜20nmであり、第2の誘電体膜4は15nm〜100nmである。
各膜は、同一の真空装置内で形成することができるので、製造の効率がよく、低コストで製造が可能である。
【0016】
各層を積層形成した後、その表面に紫外線硬化樹脂により厚さが約0.1mmのシートを保護膜5として接着する。このシートの材質としてPC(ポリカーボネート)を用いることができる。
この保護膜5は光透過性を有するものであり、紫外線硬化樹脂のみで形成してもよい。紫外線硬化樹脂の例として、エポキシ樹脂またはアクリル系樹脂からなるものが使用できる。
【0017】
積層した誘電体膜2,4は、干渉効果による光ディスクの反射率の制御や、反射膜1と記録膜3間の距離の調整による熱分布の制御や、記録膜3の保護をするものである。
【0018】
上述した構成の光ディスクの保護膜5側から、図示しない光記録再生装置の光学ピックアップの対物レンズにより集光されたレーザ光6を入射させ、記録膜3に熱的作用を施して記録再生を行う。
【0019】
次に、この記録再生について詳述する。
記録膜3を形成するアモルファスカーボンにおいて、炭素原子は、その共有結合様式である単結合,二重結合,三重結合の3つの結合様式が混在している。
また、これらの炭素原子に加えて、結合欠陥である不対電子を有する炭素原子も存在している。この記録膜3の物性は、このような数種の結合様式を有する炭素原子の有無やその比率によって、異なるものになる。
記録膜3を例えばスパッタリングで形成する場合、基板11の温度や成膜ガス圧力等の成膜条件の違いによって結合様式が異なり、記録膜3はその成膜条件特有の物性を示す。
【0020】
この成膜ガスにAr(アルゴン)を使用した場合の、Arガスの成膜圧力と、成膜した記録膜3の比抵抗及び加熱後減量率との関係を図2に示す。この加熱後減量率は、大気成分中で400℃,1時間放置した後の重量減少率である。
測定に共したアモルファスカーボンの記録膜は、基板上に膜厚100nm一定で形成したものである。
比抵抗の測定は、4端子抵抗測定器を用いた。また、加熱後減量率は、予め記録膜に段差を設けておき、その段差の変化を触針式の膜厚計で測定することで得た。
【0021】
その結果、成膜のガス圧力が増加すると、成膜された記録膜は高抵抗になり、加熱後減量率が大きくなることが判明した。
成膜時のガス圧力が大きい程、記録膜に存在する炭素原子の結合様式において結合欠陥である不対電子を有する炭素の存在比率が増加する。そのため、比抵抗が上昇する。
また、不対電子を有する炭素が大気中の酸素と反応して二酸化炭素として放出されるため、より質量の減少が大きくなる。これは、加熱後減量が真空中では生じないことから裏付けられている。
【0022】
一方、成膜時の基板温度によっても記録膜の物性は異なるものになる。
成膜時の基板温度が低い程、三重結合成分が多く、基板温度が高い程、二重結合成分が多くなることがラマン分光の結果から判明している。
しかしながら、上述した比抵抗の変化や加熱後減量については、ガス圧力の違いに対する依存性の方が大きいものである。
【0023】
本発明の光ディスクは、この現象を利用し、不対電子を有する炭素原子をより多く含有したアモルファスカーボンで記録膜3を形成すると共に、その直下と直上とに酸化物の誘電体膜2,4を設け、両誘電体膜2,4で記録膜3を挟んだ構成にしたものである。
【0024】
この構成において、記録膜3をレーザで加熱すると、記録膜3中の炭素原子と、記録膜3に隣接した誘電体膜2,4中の酸素とが反応して二酸化炭素が生成し、これが外部に放出され、記録膜3が変形する。この変形に伴い、反射率あるいは屈折率等の光学的物性の変化を誘起して信号の記録再生が可能となる。
【0025】
この加熱によって記録膜3に生じる変形及び光学的物性の変化の程度は、比抵抗値を指標とすることで知ることができる。以下にこれを具体的に説明する。
【0026】
レーザ照射部と非照射部とにおいて、信号の記録再生に必要な物性の差が得られるためには、形成した記録膜3の比抵抗が、0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にあることが必要である。
比抵抗がこの範囲にあれば、光ディスクシステムとして必要な再生信号のC/Nを、40dB以上確保することができる。
また、比抵抗が、0.20Ω・cm〜0.42Ω・cmの範囲にあれば、再生信号のC/Nを45dB以上確保できてより好ましい。
さらには、比抵抗が、0.22Ω・cm〜0.30Ω・cmの範囲にあれば、再生信号のC/Nを50dB以上確保できるので、最も好ましい。
【0027】
上述したアモルファスカーボンの記録膜3中の炭素原子と、隣接した誘電体膜2,4中の酸素との反応は、300℃以上の温度で顕著に起きるが、光ディスクの一般的使用温度範囲である0℃〜80℃においては、この反応は起こらない。
従って、上述した記録膜3は、光ディスクの通常の使用温度において物性は極めて安定している。
また、溶剤や水分等、あるいは紫外線の照射に対しても劣化がなく、化学的にも極めて安定したものである。
【0028】
次に、本発明の光ディスクの実施例1〜実施例4と比較例1〜3とを作成し、それぞれを比較評価したので詳述する。
これらの例は、スパッタリングによる記録膜3の成膜条件におけるArガス圧力のみが異なるものであり、他はすべて同条件で作成したものである。
【0029】
<実施例1>
まず、トラックピッチ0.32nm,溝深さ25nmのランド及びグルーブを有する直径φ120の基板11を射出成形により形成した。材料は、PC(ポリカーボネート)とした。
この基板11上に、Arを成膜ガスとしたスパッタリングにより、金属反射膜1として、AgPdCu合金膜を厚さ200nmで成膜した。
次に、この金属反射膜1上に、第1の誘電体膜2としてZnS−Si02の膜を厚さ20nmで成膜した。
次に、この第1の誘電体膜2上に記録膜3としてアモルファスカーボンの膜を厚さ20nmで成膜した。
次に、この記録膜3上に、第2の誘電体膜4としてZnS−Si02の膜を厚さ36nmで成膜した。
ここまでの成膜は同一の真空装置内で行った。
その後、第2の誘電体膜4上に、保護膜5としてPC(ポリカーネート)からなる厚さ0.1mmのシートを、アクリル系樹脂からなる紫外線硬化樹脂の接着層を介して貼り付けて、実施例1の光ディスクを作成した。
【0030】
この実施例1の作成工程におけるスパッタリングの成膜条件は、
基板温度:室温
Arガス圧力:5mTorr
パワー:200W
である。
【0031】
<実施例2>
実施例2の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を7mTorrとして作成したものである。
【0032】
<実施例3>
実施例3の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を10mTorrとして作成したものである。
【0033】
<実施例4>
実施例4の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を12mTorrとして作成したものである。
【0034】
また、比較例1〜3は以下のように作成した。
<比較例1>
比較例1の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を1.2mTorrとして作成したものである。
【0035】
<比較例2>
比較例2の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を15mTorrとして作成したものである。
【0036】
<比較例3>
比較例3の光ディスクは、上述の実施例1の光ディスクの作成における成膜条件において、Arガス圧を20mTorrとして作成したものである。
【0037】
上述のように作成した各光ディスクを、レーザ波長が405nmで対物レンズのNAが0.85の光ディスクシステムを用い、レーザ光の記録パワーを5.0mW,再生パワーを0.35mWとした条件で、記録マーク長さ0.64μmの信号の記録再生を行い、C/Nを測定した。
【0038】
この測定結果を、それぞれの実施例、比較例における記録膜の単独の比抵抗の測定結果と合わせて評価した結果を表1に示す。
【表1】
当表において、光ディスクとして使用できないものは×とし、使用できるものを○とし、より好ましいものを◎で評価している。
【0039】
また、Arガス圧力と比抵抗との関係を図3示し、比抵抗とC/N値との関係を図4に示す。
【0040】
図3から、比抵抗値はArガス圧力によって制御できることがわかる。
また、図4から、C/N値は比抵抗値によってピークを有し、比抵抗値が小さい場合と大きい場合には、必要なC/N値である40dB以上のC/Nが得られないことがわかる。
光ディスクシステムとして必要な再生信号のC/Nを40dB以上確保するためには、比抵抗値を0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にすればよい。
この比抵抗値を得るためのArガス圧は、2.2mTorr〜13mTorrである。
また、高いC/Nが得られることが好ましいことは言うまでもなく、例えば、C/Nを45dB以上確保するには、比抵抗値を0.20Ω・cm〜0.42Ω・cmの範囲にすればよい。
この比抵抗値の範囲を得るためのArガス圧は、3mTorr〜10.5mTorrである。
さらに高いC/Nとして50dB以上確保するには、比抵抗値を0.22Ω・cm〜0.30Ω・cmの範囲にすればよいことがわかる。比抵抗値をこの範囲にすることが最も好ましい。
この比抵抗値の範囲を得るためのArガス圧は、5mTorr〜7.5mTorrである。
【0041】
さて、本発明の実施例は、上述した構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形が可能である。
例えば、酸化物を含んで成る誘電体層を、記録膜3の上下ではなく一方の側のみに隣接して形成した構成としてもよい。
また、誘電体膜は、酸化物を含んだ光透過性を有する薄膜であればよく、好ましくは、屈折率が2.0に近い膜として形成されているのがよい。
また、他の実施形態として、記録膜3上に第2のランド及びグルーブを設けた中間層を形成し、この中間層を介して第2の記録膜を設け、その上に誘電体膜及び保護膜を積層したいわゆる2層の光ディスクについても適用することが可能である。
なお、上述した実施例は光ディスクであるが、本発明は他の光記録媒体にも適用が可能であることは言うまでもない。
【0042】
【発明の効果】
以上詳述したように、本願発明の光記録媒体は、耐環境性に優れ、コストアップにならず、極めて効率良く製造が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光記録媒体の実施例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の光記録媒体の実施例における記録膜の物性を説明する図である。
【図3】本発明の光記録媒体の実施例における記録膜を形成する際のガス圧力と記録膜の比抵抗との関係を示す図である。
【図4】本発明の光記録媒体の実施例における比抵抗とC/Nとの関係を示す図である。
【符号の説明】
1 反射膜
2 第1の誘電体膜
3 記録膜
4 第2の誘電体膜
5 保護膜
6 レーザ光
11 基板
Claims (2)
- 基板上に、少なくとも、レーザ光を反射する反射膜と信号が追記録される記録膜と該記録膜を保護する保護膜とをこの順に形成して成り、
前記記録膜は、前記保護膜側から照射されたレーザ光を吸収して物性が変化し、前記記録膜の前記物性の変化の有無により前記信号の追記録を行う光記録媒体において、
前記記録膜をアモルファスカーボンで形成し、
酸化物を含んでなる薄膜を前記記録膜に隣接して形成して成ることを特徴とする光記録媒体。 - 前記記録膜の比抵抗が0.19Ω・cm〜0.50Ω・cmの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
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JP2003179166A JP2005014274A (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 光記録媒体 |
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Family Applications (1)
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JP2003179166A Pending JP2005014274A (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 光記録媒体 |
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-
2003
- 2003-06-24 JP JP2003179166A patent/JP2005014274A/ja active Pending
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