TWI241028B - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

Description

1241028 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體元件 \ ι匕万法，且^立稃 關於一種具有台面型溝槽之半導 ”、 【先前技術】 導“件及其製造方法。 一種沿半導體基板料周㈣成環狀㈣斜溝 面 (mesa)溝槽），以區劃半導體元件且/口 、 义干等隨兀件比較高耐 壓化之手法已為眾所射”藉如此手法所製造之半導體元 件’有例如台面二極體(台面型二極體)。於圖6顯示一般性 台面型二極體之剖面。 如該圖所示，台面型二極體51具有半導體基板52、形成 於半導體基板52的-主面（±面）之陰極53、以及形成於半導 體基板的另一主面（下面）之陽極54。半導體基板52具有構成 陽極領域之P+型半導體領域55、與構成陰極領域之n型半導 體領域56及n+型半導體領域57。在半導體基板^之^面， 台面溝槽58係以能使p、半導體領域55、n.型半導體領域％ 、以半導體領域57露出之方式而形成。纟面溝槽Μ之表 面則形成有由玻瑪等構成之保護膜59，且經以台面溝槽” 而露出之半導體領域55至57係為保護膜59所被覆著。 如此構成之台面型二極體，以往係以例如如下述手法所 製得。 首先將形成有P+型半導體領域55、n-型半導體領域％ 及型半導體領域57之半導體基板（半導體晶圓）52之上面 加以蝕刻，以形成剖面呈u字形狀之台面溝槽58。接著在包 84224 1241028 $台面溝槽58之半導體晶圓52上面全體塗布破璃後，將經 $布之破璃加以燬燒。藉此便能形成出玻璃膜，同時半導 基板5 2之上面即為經形成出之玻璃膜所被覆。 接著，將n+型半導體領域57上，陰極53形成預定領域之 坡璃膜加以蝕刻而除去，並形成用以被覆台面溝槽Μ表面 的保護膜59。然後以蒸空蒸鍍法φ，在經以㈣除去玻璃 月吴又邵分形成例如鋁膜。之後蝕刻鋁膜表面，以由鋁膜形 成出陰極53。另在半導體晶圓52下面依序施予例如鈦、鎳 、鈀及銀之真空蒸鍍，以形成陽極54。最後則沿著台面溝 槽58而切割半導體晶圓52。 以被覆台面溝槽58之保護膜59，若其電性•物理性質上 的特性不穩定，則容易造成絕緣擊穿等。因此在先前之製 造工序’為使保護膜5 9之絕緣擊穿等不容易發生，則將塗 布在台面溝槽58之玻璃以例如在70(rc左右加以煆燒而使 其生成玻璃膜（保護膜59)，藉以使保護膜59之特性趨於穩 定。 但在如此之溫度下，有可能造成構成陰極53之材料（例如 銘）因熱而退化。陰極53之材料會退化之溫度，例如為材料 之融點。由於構成陰極53的鋁膜之融點為660°C左右，因此 當經在半導體基板52之一主面形成鋁膜後，再施予烺燒而 生成保護膜5 9時，鋁膜將受到融點以上溫度之加熱。若到 達融點以上溫度，鋁膜就容易受到實質上的損傷等。因此 在先前之製造工序，則採取先形成用以被覆台面溝槽9之保 護膜59，然後形成陰極53，藉以使鋁膜不容易受到實質上的 84224 1241028 損傷。 形成保護膜59與陰極53 致造成製造工序趨於煩 但是依如此程序之製造方法，在 時，由於需要複數次的蝕刻工序， 雜。加上也不容易期待成本降低。 加上由於須先將保護膜5 士、. 形成於包含台面溝槽58在内的 半導體晶圓52上面全體德，雨 、 再以钱刻除去位於陰極5 3形成 預定領域的保護膜5 9，因而古仅省时c n ， 、、 有保1又膜5 9會殘留於陰極5 3形 成預定領域的緣之情形。杏力古 回在有保謾膜5 9殘留之狀態下， 在陰極53形成預定領域形成用 乂用以構成陰極5 3 <鋁膜時，殘 留的保護膜59上之鋁膜將凸出。 ， ^ 此種h形下，鋁膜凸起部 將阻撓㈣’使銘膜表面難於受職刻。並且以剖面來看 ’難於使㈣凸出部蚀刻成使銘膜緣與台面溝槽58之緣呈 齊頭。因而如欲施加精確度良好的蝕刻則有困難。 因而先前之製造方法’台面型二極體不可能獲得高生產 性0 另一主面若先在半導體其相a λ . 卞子基扳2上形成鋁膜後再形成保護 膜時，則必須在鋁膜會退化的溫声 G妁，皿度以下之溫度下，煆燒玻 璃而生成保護膜59。因而不能製得特性穩定的保護膜59。 本發明係有鑑於上述而完成者，其目的乃在於提供一種 能提高生產性之半導體元件及其製造方法。 【發明内容】 為達成上述目的’本發明第_觀點之半導體元件之製造 方法，係一種台面形狀半導體元件（1)之製造方法，該半導 體元件⑴係*有半導體基板（2)、形成於上述半導體基板⑺ 84224 1241028 、^面特定領域之電極⑷、沿著上述半導體基板（2)的-=周而形成於該半導體基板⑺之台面溝槽⑺、以及用 Μ復上述台面溝槽（9)内面之保護膜（3)者，其特徵為包各 I述工序：在上述半導體基板⑺的-主面特定領域，形成 以構成上述電極之金屬膜⑴），·以上述金屬膜⑴）作為掩 模而沿著上述半導體基板⑺的一主面外周而形成上述台面 溝槽⑺；使用會因比上述金屬膜⑴）會退化的溫度為低的溫 度〈熱而硬化之材料，i以被覆上述台面溝槽⑺内面之方 式而形成上述保龍（3);以及沿著經以上述保護膜⑺被覆 的上逑台面溝槽（9)而切割上述半導體基板（2)之工序。 若依照該構成，則經在半導體基板的一主面特定領域形 成用以構成電極之金屬雜，在帛導體基板的一主面形成 溝槽，然後由會因比金屬膜會因熱而受到實質上的損傷之 溫度為低的溫度之熱而硬化之材料，形成用以被覆溝槽内 面4保疫膜。因此不再需要為形成保護膜及金屬膜而反覆 貫施複數次的姓刻工序。因而可簡化半導體元件製造工序 ，提咼半導體兀件之生產性。加上由於使用會因比金屬膜 會退化之溫度為低的溫度之熱而硬化之材料來形成保護膜 ，因而金屬膜不會因形成保護膜而受到實質上的損傷。 在上述製造方法中，也可使用鋁而形成上述電極，並 使用會因比铭融點低100。〇至4001的溫度之熱而硬化之材 料而形成上述保護膜（3)。 在上述製造方法中，也可由聚醯亞胺系樹脂形成上述保 護膜（3)。 84224 1241028 為解決上述課題，本發明第二觀 種呈台面形狀之半導## +導姐元件，係一 卞乎to 7C件（丨），具有丰 於上述半導體基板（2) ’ κ 土 （2)、形成 V J J 王面特足領域之第—兩打“、 成於上述半導體基板（2)的另— 弟电極（4)、形 7著上足領域之第二電極（5) 其姑Γ9、、A ^ 面外周而形成於該半導體 土板（2)之σ面溝槽（9)、以刀 曰、」以及用以被覆上述台 之保護膜⑺者，其特徵為；上 料⑺内面 Λ · 罘私極（4)係由金屬膜（11) 構成，且上逑保護膜（3)係由會 曰因比上逑金屬膜⑴)會退化的 ▲度為低的溫度之熱而硬化之材料構成。 右依照孩構成’則由於保護膜係由會因比金屬膜會退化 的溫度為低的溫度之熱而硬化之材料構成，因此形成保进 膜時電極不致於受到實質上的損$。因而能在經形成電極 後形成保護膜，使得；^再需要為形成保護膜及金屬膜而反 覆實施複數次的蝕刻工序。因而可簡化半導體元件製造工 序，提高半導體元件之生產性。 上述台面溝槽（9)也可為藉由以用以構成上述第一電極（4) <金屬膜（11)作為掩模，而蝕刻上述半導體基板（2)的一主面 所形成者。 上述半導體基板（2)也可為具有第一導電型的第一半導體 領域（6)、與上述第一半導體領域（6)之界面係形成p n結之第 二導電型的第二半導體領域（7)、以及接於該第二半導體領 域（7)’且比該第一半導體領域（7)為高濃度之第二導電型的 第三半導體領域（8)。 上述保護膜（3)也可由會因比構成上述第一電極（4)之金屬 84224 1241028 膜的融點低loot至400t的溫度之熱而硬化之材料構成。 上迷第一電極（4)也可由鋁構成，且上述保護膜（3)係由會 以200°C至500。(：之熱而硬化之材料構成。 上述保濩膜：（3)也可由聚酸亞胺系樹脂構成。 【實施方式】 為實施發明之最佳形態 兹就本實施形態之半導體元件及其製造方法，以台面型 一極體為例並參照圖式詳加說明如下。 如以圖1之剖面圖所示，台面型二極體丨具有半導體基板2 、保護膜3、陰極4、以及陽極5。 半導體基板2具有第一半導體領域6、第二半導體領域7、 以及第三半導體領域8。半導體基板2中除第二半導體領域7 與第三半導體領域8之部分係構成第一半導體領域6。 第一半導體領域6係由第一導電型，例如由p+型半導體領 域構成，可充當為陰極領域而發揮機能。第一半導體領域6 係形成為3 0 // m至3 0 0 // m左右之厚度。另外第一半導體領域6 係形成為1 X 1〇16 cm·3至1 X 1〇21 cnT3左右之雜質濃度。 第二半導體領域7係形成於第二半導體領域7的一主面。 弟二半導體領域7係由第二導電型，例如由η型半導體領域 構成。第二半導體領域7係形成為10 //m至200 左右之厚度 。另外第二半導體領域7係形成為1 X 1012 cm3至1 X 1〇i8 cm-3 左右之雜質濃度。因此半導體基板2具有第二半導體領域7 與第一半導體領域6之界面所形成之ρ η結。 第三半導體領域8係形成於第二半導體領域7之上面。第 84224 -10- 1241028 三半導體領域8係由η型雜質濃度比第二半導體領域7為高 的η型半導體領域構成，可充當為陽極領域而發揮機能。 弟二半導體領域8係形成為50//m至3 00 左右之厚度。另外 第二半導體領域8係形成為} χ 1〇i7 cm_3至i χ 1〇22 左右 之雜質濃度。 半導體基板2之上面形成有傾斜溝槽（台面溝槽）9。台面 溝槽9係沿半導體基板2的外周緣而形成為環狀。台面溝槽9 具有可在其底面露出第一半導體領域6之深度。因此在台面 溝槽9之側面及底面，第三半導體領域8、第二半導體領域7 2第一半導體領域6就露出，並且露出第一半導體領域6與 第一半導體領域7的p n結之端部。該台面溝槽9係例如以半 導體基板2上面側呈縮徑（逐漸擴展）之方式而形成為由半導 體基板2上面朝下面（另一面）傾斜之形狀。因而台面型二極 體1具有如圖1所示略呈台形之形狀。 保護膜3係以被覆由台面溝槽9露出的第一半導體領域6 、第二半導體領域7及第三半導體領域8之方式，形成於台 面溝槽9之側面及底面。 保護膜3係由會比構成陰極4的材料因熱而退化之溫度為 低的溫度下即硬化之材料構成。陰極4之材料會退化之溫度 為例如材料之融點。因此保護膜3應以由會比構成陰極4的材 料之融點低丨啊至·。C的溫度之熱而硬化之材料構成為佳 。例如，假設陰極4係由鋁構成，在此種情形下，保護膜^應 以由聚醯亞胺系樹脂構成為宜。按聚醯亞胺系樹脂係^經2 比鋁融點（600。(：左右）為低溫的熱處理（2〇〇。〇至$⑽。c左右 84224 -11 - 1241028 聚==脂中之溶劑揮發，並使之收縮而熱硬化。加上 =胺崎旨可藉由在績至·。c溫度下之熱硬化， 脂作為保、t】貝且細致的樹脂膜。因而若將聚醯亞胺系樹 細1下為保瘦膜3之材料 材科而使用，則不致使構成陰極4的鋁膜 、、 豕又貪貝上的損傷。其认ψ ^ 1 L切基於此，在本實施形態保護膜3 /、且使用聚醯亞胺系樹脂。 矣”係由銘膜等金屬膜構成。陰極々係$成於半導體基 板2之一主面。 土 ^極5係由例如將鈥、鎳、麵及銀依序蒸鍍的金屬膜構成 。陽極5係形成於半導體基板2之另一主面。 接耆，就製造具有如上述構成之台面型二極體丨之步驟參 閱圖2(a)至圖4(g)詳加說明如下。按以下所示步驟只不過是 舉一例而已，只要能獲得相同結果，則任何步驟也不妨。 首先如圖2(a)所示，在p+型半導體基板2以磊晶生長法、 或熱擴散法等，形成n型半導體領域（第二半導體領域乃及〆 型半導體領域（第三半導體領域8)。半導體基板2中除第二半 導體領域7與第三半導體領域8之部分，係構成第一半導體 領域6。在本實施形態則將第一半導體領域6、第二半導體 領域7、第三半導體領域8之厚度分別設定為1〇()/zm、4〇//m 、100//m，而使半導體基板2全體厚度設定為24〇//m。 接著以真玄蒸鍍法等’如圖2 (b)所示’在半導體基板2之 一主面形成鋁膜11。鋁膜U係供構成容後形成的陰極4。在 本實施形態則將鋁膜11之厚度設定於8 。 然後在半導體基板2之另一主面，如圖2 (b)所示使叙予以 84224 -12- 1241028 真空蒸鍍而形成鋁膜1 2。該鋁膜1 2係在將後述膠帶構件貼 上於第一半導體領域6之另一主面時，用以防止第一半導體 領域6之另一主面受到污染者。鋁膜12之厚度則以丨“㈤至⑺ // m左右為宜’在本實施例則將之設定於例如為2 #㈤。 接著，以使用尼龍網版掩膜等網版技術等使耐酸墨水印 刷於鋁膜11上，藉此，以如圖3(c)所示在鋁膜丨丨上形成蝕刻 用掩模13。蝕刻用掩模丨3係在對應於形成台面溝槽9之領域 (台面溝槽形成預定領域）具有開口 1 3 a ’鋁膜11之台面溝槽 形成預定領域係藉開口 13a而露出。開口 i3a，若以平面來看 ’則在半導體基板2之一主面形成為網眼狀。因此蝕刻用遮 光罩13係在半導體基板2之一主面形成為島狀。 接著，以蝕刻用掩模13作為遮罩，如圖3(d)所示將鋁膜n 中未為姓刻用掩模1 3所被覆且對應於開口 1 3a之部分加以蝕 刻。換T之，除去鋁膜11中對應於台面溝槽形成預定領域之 口P刀。銘用！虫刻液係使用王水（AqUa Regia)等。 另在銘膜12之下面（未接於半導體基板2之另一主面的面） 貼上膠帶構件1 4。 接著以蝕刻用掩模13及鋁膜π作為遮罩，並介以開口 13a 而蝕刻台面溝槽形成預定領域，以形成如圖3(c)所示剖面呈 U字狀之台面溝槽9。並且將台面溝槽9形成為以平面來看為 /口半導眼基板2外周緣的環狀。姓刻液係使用硝酸、氟酸、 醋鉍及硫酸之混合液。在本實施形態則將台面溝槽9之深度 0又足為1 6 0 // m。結果，在台面溝槽9之側面第三半導體領域 8、第二半導體領域7、第一半導體領域6及第三半導體領域 84224 -13 - 1241028 8與第一半導體領域6之？11結就露出。而且在台面溝槽9底面 有厚度80//m之第一半導體領域6會殘留下來。 一 然後，藉姓刻法，如圖4(f)所示以剖面看以能使鋁膜丨1之 緣與台面溝槽9之緣會成為齊頭之方式而除去圖3(c)所示銘 膜11之由台面溝槽9緣突出部分。並且除去形成於陰極#上之 蝕刻用掩模13。然後除去貼在鋁膜12下面之膠帶構件μ。 接著如圖4(g)所示，以被覆台面溝槽9内面之方式形成保 瘦膜3。保1隻膜3之材料若使用例如聚醯亞胺系樹脂，則得 以在20(TC至5〇〇。(：左右溫度下形成保護膜3。 ’、于 更詳細敘述，首先使用均勻分配（dlspenser)型塗布器等在 台面溝槽9内面塗布具流動性之聚醯亞胺系樹脂。為使經塗 布之聚醯亞胺系樹脂硬化而形成保護膜3，以3 5 〇它溫度下 對該樹脂施加60分鐘熱處理。按聚醯亞胺系樹脂會經由2〇〇 °C至500 °C左右溫度之熱處理而使含在樹脂中之溶劑揮發 ，同時促進樹脂之亞胺結合，形成比較硬質且細致的樹脂 膜（保護膜3)。 再者在本工序中，當然因熱處理不只是聚醯亞胺系樹脂 ’連銘膜11等也會受到加熱，惟在如此範圍溫度下，不會使 鋁膜Π受到實質上的損傷。 接著’對於銘膜11表面施予淺蚀刻，以形成由銘膜11構成 《陰極4。另外除去鋁膜12，在半導體基板2之另一主面將 款、鎳、免及銀依序施予真空蒸鍍，以形成陽極5。最後沿 台面溝槽9而切割半導體基板2。 經由以上之工序即可形成本實施形態之台面型二極體1。 84224 -14- 1241028 如上述，右依照本發明，目I丨春 ,Π ，、 j成構成陰極4之鋁膜1 1後 乂銘膜1 1作為掩模而蝕刻半導 一， 竽基板2，以形成台面溝槽9 。耩此即可不再需要如同先前技 — > 般為形成保護層及陰極4 而反復貫犯複數次的姓刻工序。 加上在本實施形態，由於經 ^ u ^ 田、、，工形成鋁胰後才形成保護膜3 二曰造成如同先前技術般保護膜3會殘留於陰極形成 緣的問題。由^能先形成銘膜11，如上述可容易 以姓刻使铭膜11之緣與台面溝槽 π』Α、 再b9之緣齊頭。因而與先前技 術相較，本實施形態可在良好籍 杜艮对精確度下貫施為形成陰極4所 需之蝕刻。 因而本實施形態可形成出生產性 · 王座性比以往更加提鬲之台面 型二極體。 再者在本實施形態，則以t卜接士、 J比構成陰極4之鋁膜11會退化 的hnt度為低溫之熱’形成用以姑 处'J以破覆台面溝槽9之保護膜3。 因此在本實施形態，不致因叔 <双u热而對於鋁膜11造成實質上的 損傷。 惟本發明並非侷限於上述實施形態，當可進行各種變形 、應用。例如上述實施形態係將構成陰極4的金屬膜會因熱 而退化之溫度’以融點為例而加以說明。惟金屬膜會因熱 而退化之溫度並非限定於融點’只要是會導致金屬膜性質 (例如電阻率）實質上變化的溫度，則無論何者均可。 在上逑實施形毖，保1隻膜3係以使用聚醯亞胺系樹脂之情 形為例而加以說明。但是並非侷限於此’用以構成保護膜3 <材料，只要能以比構成陰極4的材料之膜質會變化的溫度 84224 • 15 - 1241028 為Γ溫下即能形成保護膜3者則無論何者均可使用。換言之 ^隻膜材科，只要可在不致於對構成陰極 :貫質上的損傷之溫度下實施熱處理者，則無論何者均可 使用。、此種情形下，因應構成陰極4之材料而適當地變更用 以構成保1隻膜3的材料即可。 另外上述貫施形熊存以力裳 ilr αΐ. 心你以在罘一丰導體領域6之另一主面 形成膠帶構件U(及銘膜⑺之情形為例而加以說明，但也可 不:形成膠帶構件14(及铭膜12)。此種情形下，與上述實施 :態者相比，則可使台面型二極體}之製造工序更加簡化， 得以提供生產性更加提高之台面型二極體。 此外，在上述實施形態，係以使用均勻分配型塗布器， 在台面溝槽9塗布聚醯亞胺系樹脂之情況為例而加以說明 ’但並非㈣於此’當也可使用各種手法來使聚醯亞胺系 樹脂塗布於台面溝槽9。 上述實施形態之半導體元件，並非侷限於台面型二極體 ’當也可為台面型電晶體等其他任意台面型半導體元件。 此種情形下，台面型電晶體較佳為具有例如圖5所示之結構 。即所圖示之台面型電晶體1 a，除Ρ型半導體領域2 1與η型半 導體領域2 2外’其餘則具有與圖1所示結構相同之結構。 在上述實施形態係以真空管法使構成陰極4之鋁膜丨丨形成 於半導體基板2之一主面。但是並非侷限於此，也可以例如 以濺鍍法使鋁膜11形成於半導體基板2之一主面。 综上所述，若依照本發明，則可提供能提高半導體元件 生產性之半導體元件及其製造方法。 84224 -16- 1241028 產業上之利用性 本發明可利用於台面型之半導體元件。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明實施形態之台面型二極體結構剖面圖。 圖2係顯示用以說明本發明實施形態之台面型二極體製 造工序剖面圖。 圖3係顯示用以說明本發明實施形態之台面型二極體製 造工序剖面圖。 圖4係顯示用以說明本發明實施形態之台面型二極體製 造工序剖面圖。 圖5係顯示本發明實施形態之半導體元件變形例剖面圖。 圖6係顯示先前之台面型二極體結構剖面圖。 【圖式代表符號說明】 1 台面型二極體 la 台面型電晶體 2 半導體基板 3 保護膜 4 陰極 5 陽極 6 第一半導體領域 7 第二半導體領域 8 第三半導體領域 9 台面溝槽 11 鋁膜 84224 -17- 鋁膜 触刻用掩模 開口 膠帶構件 P型半導體領域 η型半導體領域 台面型二極體 半導體基板 陰極 陰極 Ρ+型半導體領域 η型半導體領域 η+型半導體領域 台面溝槽 保護膜 -18-

Claims (1)

1241028 拾、申請專利範圍： 一種台面形狀半導體元件之製造方法，該半導體元件係 具有半導體基板、形成於上逑半導體基板的一主面特定 領域之電極、沿著上述半導體基板的一主面外周而形成 於該半導體基板之台面溝槽、以及用以被覆上述台面溝 槽内面之保護膜者，其特徵為包含下述工序： 在上述半導體基板的一主面特定領域，形成用以構成 上述電極之金屬膜； 以上逑金屬膜作為掩模而沿著上述半導體基板的一主 面外周而形成上述台面溝槽； 使用比上逑金屬膜會退化的溫度為低的溫度之熱而硬 化之材料，且以被覆上述台面溝槽内面之方式而形成上 述保護膜；以及 沿著經以上述保護膜被覆的上述台面溝槽而切劃上述 半導體基板之工序。 2.如中請專利範固第!項之半導體元件之製造方法，其中使 用鋁而形成上述電極，並使用會因比銘融點低⑽。c至 4 0 0 C的溫度之敎而硬化士好抵 …、阳更化之材料而形成上述保護膜。 3 .如申请專利範圍第2蹲之车道蝴？- 固禾K牛導體凡件之製造方法，其中由 聚醯亞胺系樹脂形成上述保護膜。 4. 一種半導體元件’其係呈a而 ，、你王口面形狀，具有半導體基板、 形成於上述半導體基板的一 王曲特疋領域 < 罘一電極、 形成於上述半導體基板的另一 王面特疋領域 < 弟二電極 、沿著上述半導體基板的一主 Ί 王间外周而形成於該半導體 84224 1241028 基板之台面溝槽、以及用以被覆上述台面溝槽内面之保 瘦膜者，其特徵為： 上述第一電極係由金屬膜構成；且 j述保護膜係由會因比上述金屬膜會退化的溫度為低 的溫度之熱而硬化之材料構成。 、、、一 5. =專利範圍第4項之半導體元件，其中上述台面溝槽 構成上述第-電極之金屬膜作為掩模，而姓刻 上述半導體基板的一主面所形成。 6. 如申請專利範圍第4項之半導體元件，其中上述半導體夷 板具有：第一導電型的第一半導體領域；與上述第—半 導體領域之界面係形成Pn結之第二導電型的第二半導髀 領域；以及接㈣第二半導體領域，且比該第二半導^ 領域為高濃度之第二導電型的第三半導體領域者。a 7. 如申請專利範圍第4項之半導體元件，其中上述保護膜係 由θ因比構成上述第一電極之金屬膜的融點低1 〇〇°c至 400 C的溫度之熱而硬化之材料構成。 8. 如申請專利範圍第7項之半導體元件，其中上述第一電極 為由铭構成，且 上述保護膜係由會以2〇〇t至5001之熱而硬化之材料 構成。 9. 如申請專利範圍第8項之半導體元件，其中保護膜係由聚 醯亞胺系樹脂構成。 84224