TWI239499B - Drive current regulator circuit, organic EL element drive circuit using the same drive current regulator circuit and organic EL display device using the same organic EL element drive circuit - Google Patents

Description

1239499 狄、發明說明 [發明所屬之技術領域] + t發明係關於一種驅動電流調整電路，一種使用該驅 動電流調整電路之有機電場發光（EL，electr〇 1件驅動電路，及一種使用該有機EL元件驅動電路之有 -、員示衣置，且尤其，本發明係關於一種有機el顯 不裝置，其可減少攜帶式電話，PHS等之顯示螢幕之亮 度差異或亮度不均勻，可改進其製造效率，且適合提供高 免度彩色顯示器。 [先前技術] 甘已知有機EL顯示裝置，其藉由自發性發光實現高亮 度：不’適合作為小型顯示螢幕之顯示器，且有機EL顯 不I置已吸引大眾注意，視為安裝於攜帶式電話，PHS , DVD播放器、或pDA(個人數位旦力理，m㈣ ASS1Sta:t)等之下一代顯示裝置。此類有機el顯示裝置之 已：問題為’因當其如同液晶顯示裝置，藉由電壓驅動時， 其免度至異變得顯著’且因有機EL元件於r(紅色），〇(綠 色）-色)間之敏感度存在差異，控制彩色顯示之亮 度變得困難。

鑑於廷些問題，最近提出使用電流驅動電路之有機EL 顯示裝置：例如，卿]12391 A揭示利用電流驅動系統 解決党度差異問題之技術。 攜帶式電話，PHS等用之有機紅顯示裝置之有機以 嘁不面板，已有行具有396個(叫32χ 3)端子接腳，列具 314690 5 1239499 2個端子接腳者提出。然而 加之趨勢。 丁一歹j數目有進一步增 矩陣^有機虹顯示面板無論為主動矩陣類型或是被動 力、1 ，其電流驅動電路的輸出級 接腳而今之+、六、店κ 。已&針對母個端子 口又之毛、級源驅動電路，例如以一 輸出電路。電流驅動電 、，兒 '之 鏡電路(失w、 含一平行驅動型電流 設之上“配電路)’其具有針對每個端子接腳而 10旻數個輸出端電晶體，如與美國專利申，宰第 1〇，1〇2,67丨號對應之日 申明案弟 張日太由咬由 本中5月案JP20〇2-82662所揭示（主 ==I86967與日本中請案_心仙9 隹之國内優先權申請案）。於揭示之驅動級，用於 驅動輸出電路之複數個力 用於 鏡电&，根據由參考電流產生電路 徒供亚供應至各個接 而 ^ 之》考电^，對應於各個端子接腳 & ，提供至各個端子接腳之鏡電流藉由各個k 倍黾流放大電路放大，苴笪 ，、中k為寻於或大於2之整數，而 以放大之電流驅動輸出帝 k倍放大電路於JP2〇〇2_ ^ 丁其中D/A轉換電路對應於各個端子接腳而 且每㈤D/A轉換電路將對應於行側端子接腳之顯示 資料，轉換為類比資料 、 ^ 一 貝#，以同時產生行側之驅動電流。 =^、於有機EL顯示裝置，行側(陽極側)線其 之:k為電流放電側，列側（陰極側）線變為電流槽側。 來自灯側私*驅動電路之驅動電流提供至有機Η:元件的 陽極側。因此，行侧之驅動電流⑽元件之陽 影響顯示亮度。 6 314690 1239499 JP2002-82662中，於製造步驟使用雷射修整型驅動 電流調整電路（laser-trimming type drive current regulator circuit)來调整來自蒼考電流產生電路之參考電流而調整 驅動電流。 第4圖為一電路圖，顯示JP2002-82662揭示之行線 電流驅動電路之驅動級。行線電流驅動電路2 0包含一參 考電流反相電路2 1，一雷射修整型驅動電流調整電路22， 一驅動電流產生電路（對應於驅動電流分配電路）23，複數 (η)個k倍驅動電流產生電路82與複數個電流鏡輸出電路 83，其具複數（η)個輸出端子接腳84。附帶地，元件符號 91表示設於驅動級前之4位元D/Α轉換器，且具資料輸 入端子D1至D4。 對於一個行驅動1C，將參考電流分配至端子接腳之 驅動電流產生電路23包含輸入側電晶體Qa與複數（η)個 輸出側電晶體Qn(n 2 30)，此複數個電晶體Qn為與電晶 體Qa連接之電流鏡。電晶體Qn之輸出電流送至對應各 個電晶體Qn而設之η個k倍驅動電流產生電路82。各個 驅動電流經由η個k倍驅動電流產生電路82與η個N 倍輸出電流鏡輸出電路83放大kx Ν倍，並輸出至行之η 個輸出端子接腳84。附帶地，於 JP2002-82662，輸入側 電晶體Qa安排於η個輸出側電晶體Qn(^ 30 )中央。 η個k倍驅動電流產生電路82由開關控制電路92控 制，以產生驅動有機EL元件之蜂值電流，及設定顯示資 料等。 7 314690 1239499 附帶地，於第4圖，元件符號4表示15 V電源，7為 連接至電源線+VDD之3V電源，且5為控制器。 電晶體Q1與電晶體Q2分別為電流鏡電路之輸入側 與輸出側電晶體，且電晶體Q3與電晶體Q4及Q5分別 為電流鏡電路之輸入側電晶體與輸出側電晶體。此外，電 晶體Q6與電晶體Q7分別為電流鏡電路之輸入電晶體與 輸出電晶體。電晶體Q6之射極連接至電阻Rbl至Rbn之 串聯電路，電晶體Q7之射極連接至電阻Rcl至Ren之串 聯電路。用於雷射修整之保險絲Hbl至Hbn與Hcl至Hen 並聯至各個串聯電路，且於1C製造步驟藉由雷射光束選 擇性地切斷。藉由此選擇性地切斷保險絲，調整由驅動電 流調整電路產生之驅動電流ml(電晶體Q7之集極電流）。 驅動電流分配電路23的輸入側電晶體Qa之驅動電 流，藉由該驅動電流調整電路22調整，該驅動電流分配 電路23以具單一輸入側電晶體及複數（η)個輸出側電晶體 之電流鏡電路構成。因此^每個產品之党度差異精由調整 每個輸出電晶體之驅動電流而限制。 尤其，於 JP20 02-8 26 62，產品亮度差異及每個產品 之亮度不均勻乃藉由將單一輸入側電晶體安排於η個輸出 電晶體的中央，並調整每個產品R，G與Β間之亮度差異 而限制。 然而，當具單一輸入電晶體之電流鏡電路之輸出側電 晶體數目（η)增加時，中央位置之輸出側電晶體的電流變 為實質與位於兩側之輸出電晶體不同。因此類電流差異經 8 314690 1239499 由k倍驅動電流產生電路82及 以雙祕丄 iN 1口甩抓鏡輪出電路 寺放大，最後輸出級之端子接 丨L切兒抓依端子接 的位置而有很大的不同。因此， ’勒兒机間之是異造成A 度差異或亮度不均勾。 儿 為減少隨輸出端子接腳的位置而變之此類亮度差異， 可考慮藉由提供對應各個輸出端子接腳之驅動電流調整帝 路’個別地調整驅動電流。於此類情形，在產品之委託： 試階段（test stage of the consignment)，# 由雷射修整奋 施調整之位置數目變得非常大，使得產品製造產率降低 此外’產品的電路規模必然變大。 [發明内容] 本發明之一目的在於提供一插右撼p T - Μ ^ 禋有機EL·兀件驅動電路 之驅動電流調整電路，其可減少攜帶式電話或pHs等之 顯示螢幕的亮度差異或亮度不均句，並可改善其製造效 率。 本發明之另一目的在於提供一種有機EL元件驅動電 路，其可減少攜帶式電話或pHS等之顯示螢幕的亮度差 異或亮度不均勻，且可改善其製造效率。 本發明之進一步目的在於提供一種有機EL顯示裝 置’其可減少攜帶式電話或PHS等之顯示螢幕的亮度差 異或免度不均勻’且可改善其製造效率。 為達成這些目的，本發明之特徵為有機EL元件驅動 電路之驅動電流調整電路，係用以調整有機EL顯示面板 每個端子接腳之驅動電流，包含：開關電路，選擇性地使 314690 9 1239499 儲存於記憶體之資料通過；及針對每個端子接腳而設之電 流產生電路，用以根據驅動端子接腳之電流或驅動電流之 基本電流及開關電路之ΟΝ/OFF操作而產生具預定電流值 之電流，其中記憶體為寫入有資料之非揮發性記憶體，或 為可供寫在非揮發性記憶體中之資料寫入之揮發性記憶 體，且用於根據預定電流調整驅動電流。 於本發明，可根據開關電路之ΟΝ/OFF操作，而對應 於由可重複寫入之非揮發性記憶體提供之資料地調整各端 子接腳之驅動電流。因此，可藉由將用以修正亮度差異或 亮度不均勻之亮度調整所需的資料寫入非揮發性記憶體， 而減少亮度差異或亮度不均勻。 例如，於產品委託測試階段，可根據組合成為產品之 顯示面板的顯示螢幕上的亮度不均勻，或產品之亮度差 異，僅藉由將預定資料寫入非揮發性記憶體而輕易地調整 亮度，即使將於產品委託測試階段修整之位置的數目相當 多時亦然。 結果，可改善產品製造產率，減少每個裝置，例如攜 帶式電話或PHS等之亮度差異或亮度不均勻，並改善製 造效率。 [實施方式] 10 314690 1239499 第1圖為根據本發明具體實施例之有機EL元件驅動 電路之行驅動器20的方塊電路圖。於第1圖，行驅動器 20對應於如第4圖所示之k倍驅動電流產生電路82與η 個用以輸出Ν倍輸出之電流鏡輸出電路8 3之組合，且針 對有機EL顯示面板的每個端子接腳而設。 由元件符號1 〇所標示之電路對應於第4圖所示之k 倍驅動電流產生電路82之組合，電路10具有D/A轉換 電路11，並產生對應於顯示資料之驅動電流。元件符號1 2 表示驅動電流調整電路，1 3為電流鏡型電流輸出電路，1 4 為峰值電流產生電路，15為控制電路，1 6為暫存器，17 為非揮發性記憶體，1 8為定電流源。定電流源1 8輸出一 輸出電流（Ie = ml)，此輸出電流對應於提供給第4圖所示 之驅動電流分配電路23的每個端子接腳之電晶體Qn的 輸出電流。 D/A轉換電路11包含N通道輸入側電晶體TNa及並 聯至電晶體TNa之N通道輸入側電晶體TNp。N通道輸 出側電晶體TNb至TNn為連接至這些輸入側電晶體TNa 與TNp之電流鏡。 電晶體TNa與電晶體TNp之通道寬度（閘極寬度）比 設定為1 : 9。電晶體TNa之源極經由電阻Ra接地，且電 晶體TNp之源極經由電阻Rpa與開關電路Swpa而接地。 附帶地，1 : 9之通道寬度（閘極寬度）比可藉由並聯九 個（9)MOS電晶體實現，其與一個MOS電晶體相比，具 良好分割特性（paring characteristics) 〇 11 314690 1239499 輸入側電晶體TNa與ΤΝρ連接至輸入端子lla，且 由驅動電流調整電路1 2經輸入端子11 a提供一調整電流 Ip 〇 驅動電流調整電路1 2由定電流源1 8提供電流I 〇 (= ml)，且提供對應於端子接腳之調整電流Ip，經由D/A轉 換電路11之輸入端子11 a至輸入側電流鏡電晶體TNa。 在開關電路SWpa為OFF狀態之週期開始部分，一峰值 電流Ipa於D/A轉換電路11之輸出端子lib產生，作為 對應於顯示資料之輸出電流la。之後當開關電路SWpa切 換為ON時，驅動電流Ip分流且流入輸入側電晶體TNa 與ΤΝρ。於此情形，一正常狀態驅動電流la，其為峰值 電流Ip a十分之一，於輸出端子11 b產生。 電阻Rb至Rn-1分別插入輸出側電晶體TNb至TNn-1的源極與電晶體Trb至Trn-1汲極間。因此，可改進D/A 轉換電路11之電流分割準確度。 附帶地，電晶體Trb至Trn-1的閘極連接至輸入端子 do至do-Ι，於此j位元顯示資料從暫存器16輸入。電晶 體Tr b至Tr η -1的源極接地。 電流鏡型電流輸出電路1 3對應於第4圖所示之電流 鏡型電流輸出電路83，且包含驅動位準移位電路1 3 a與 輸出電流鏡電路1 3 b。 12 314690 1239499 驅動電流調整電路12包含由N通道MOS電晶體Trl 與Tr2構成之電流鏡型驅動電路12a，由P通道電晶體Tr3 至Tr7構成之電流鏡型調整電路1 2b，及非揮發性記憶體 1 7，其中P通道電晶體Tr3至Tr7係由電流鏡型驅動電路 1 2 a所驅動。 電流鏡型驅動電路1 2a之輸入側電晶體Trl的汲極連 接至定電流源18，且由其提供電流Io(= ml)。該電晶體 之源極經由電阻R1接地。電流鏡型驅動電路1 2a之輸出 側電晶體Tr2與電晶體Trl之通道寬度（閘極寬度）比設定 為P(P為等於或大於2之整數），且電晶體Tr2之汲極連 接至電流鏡型調整電路1 2b之輸入側電晶體Tr3的汲極， 且電晶體Tr2之源極經由電阻R2接地。 因此，電流Ρχ 1〇流入輸出側電晶體Tr2，且電晶體 T r 3由此電流所驅動。結果，鏡電流P X I 〇由輸出側電晶 體Tr4輸出。 電流鏡電晶體Tr3至Tr7的源極連接至電源線+VDD， 且輸出側電晶體Tr4的汲極連接至D/A轉換電路1 1之輸 入端子1 1 a。輸出侧電晶體Tr5至Tr7的汲極經由各個開 關電路S W1至S W3連接至電晶體Tr4的汲極，使得輸出 側電晶體Tr5至Tr7並聯至電晶體Tr4。電晶體Tr5至Tr7 構成電流修正電路，以修正由輸出側電晶體Tr4輸出之鏡 電流Ρχ 1〇。 例如，D/A轉換電路11輸出側電流所需準確度，以 6位元階調（6-bii tone)之]LSB(解析度）表示，為ΙμΑ或 314690 1239499 更J。為滿足此要求，電曰 極貧声日日體Tr5至Tr7的通道寬度（問 見度）與％晶體Tr3的通道賞庐办 例如1/1〇 w k見度（閘極見度）之比設定為， U 1/10，1/20 及 1/4〇。 藉由選擇性地或全部 地將開關SWI至SW3切換 力^電流Pxl〇/mxw2〇及/或PXI〇/40至電 凋I D/A轉換電路丨丨之驅動電流變為可能。 :如此調整之驅動電流係經由d/a轉換電路u放大並 二至電流鏡型電流輪出電⑬13而作為端子接腳之驅動 ▲ 口此柒子接腳驅動電流可藉由驅動電流調整電路j 2 凋整。附帶地，調整前之電力p χ 1〇設定為驅動電流差 :,下限或下限附近(例如，3σ)。藉此設定，可適當地決 定提供至端子接腳之驅動電流。 開關電路SW1至SW3控制為ΟΝ刪之選擇乃根據 儲存於非揮發性記憶體17預定區域之3位元資料執行。 田3位元資料為"〇 1 〇 ”，對應於位元，，1，，之開關電路 刀換為ON，且母個對應於位元” 〇 ”之開關電路s w工 與SW3切換為〇FF。 儲存於非揮發性記憶體丨7之資料藉由Mpu丨9設定。 附f地，非揮發性記憶體丨7具3χ η位元容量（其中η為 驅動1C之行線的端子接腳總數）或更多，且每個端子接 腳分配3位元區域。 MPU 19產生每個端子接腳之亮度調整之3位元資 料’並儲存3χ η位元於非揮發性記憶體1 7。3位元資料 按照時鐘CLK而作為資料〇ΑΤ提供至非揮發性記憶體 314690 14 1239499 17。因此，可於水平掃描方向執行畫素叫的亮度調整。 附帶地，每個端子接腳之3位元資料係作為於各個端 子接腳的垂直掃描方向測量之顯示螢幕之晝素的亮度之平 均值而產生，於是全部為3n位元之資料DAT。於此情形， 無須亮度調整之端子接腳之3位元資料為，，〇〇〇”。實際的 作法係對於需亮度調整之每個端子接腳產生3位元資料。 此外，對於水平掃描與垂直掃描之顯示螢幕的所有苎 素實施亮度調整為可能的/於此情形，對於每個端子接腳 之:。度凋1 ’ MPU 19根據垂直掃描線的位置產生3位元 貝料，亚儲存3x nx S位元於非揮發性記憶體丨7，其中$ 為垂直掃描線數目。 此類亮度調整可藉由監測所組合產品之顯示螢幕， 產生具不同亮度之晝素的資_ DAT而變為可能。因此 生之位元資料可藉φ MPU 19於產品委託測試階段 二：乂此方 可調整產品之顯示螢幕之亮度不均勻或 品之顯示螢幕之亮度差異。 AM MRAM或EEPR0M #，可作為非揮發性 :二17。此外’雖然於本具體實施例設置三個開關電 至SW3 ’但開關電路數目不限於此，可為^或大 3。因此’調整亮度之資料至少為一位元。 現在，將說明電流鏡型電流輸出電路13。 驅動位準移位電路13a用於將D/A轉換電路^ =至輸出級電流鏡電路13b，且由n通道MOW ^所構成。MOS而TNv之閉極連接至偏 314690 15 1239499 其源極連接至D/A轉換電路11之輸出端子1 lb。M〇S FET TNv之汲極連接至輸出級電流鏡電路 13b之輸入端子 13c 〇 因此，於輸入端子1 3 c，可根據對應於顯示資料之D/A 轉換電路11之輸出電流la產生驅動電流la。 輸出級電流鏡電路13b包含P通道MOS FETs TPu與 TPw，及P通道MOS FETs TPx與TPy。輸出級電流鏡電 路13b之電晶體TPx與電晶體TPy之閘極寬度比為1 : N。 電晶體TPx與TPy之源極連接至約+15V之電源線+Vcc， 其較電源線VDD之電壓高。輸出側電晶體TPy連接至行 側輸出端子接腳9，且於驅動時期，提供驅動電流Nx la 給輸出端子接腳9。有機EL元件8連接於輸出端子接腳 9與接地GND間。附帶地，第1圖之Vc表示一偏壓線。 輸入側電晶體TNp，電阻Rpa與開關電路SWpa構成 峰值電流產生電路14，且開關電路SWpa於開始驅動時 期之固定時間tp内維持OFF，且於固定時間後，藉由來 自控制電路1 5之控制信號CONT而切換為ON。 於驅動開始時間，開關電路SWpa未接收來自控制電 路15之控制信號CONT。因此，電流Ip流入輸入側電晶 體TNa，且產生一 Ipx Μ電流，其中Μ對應於輸入端子 do至do-Ι之一中之資料組，結果於D/A轉換電路1 1之 輸出端子11 b產生峰值電流Ipa = Μ X Ip。於蜂值電流產 生時期tp後，產生控制信號CONT以使開關電路SWpa 切換為ON。因此，於輸入側電晶體TNa之電流分流至輸 16 314690 1239499 入側電晶體ΤΝρ。因這些電晶體之閘極寬度比為1 一1?/1。電流流入輸入側電晶體心，且-—。電9产 流入輸人側電晶體ΤΝρ。結果，電流鏡電路之輪= 動電流實質上變為1/1〇,且於D/A轉換電路】 ：： 子lib產生電流Ia(=Ipa/i〇)。 "* 而 附帶地’因藉由峰值電流足以開始充電具 性之有機虹元件8,故蜂值電流時期…始時間= 不一定要與驅動起始時間一致。 、’ 第2圖顯示具移位暫存器構造之非揮 的具體範例。 匕匕肢17 7G件符號171表示並聯之三個移位暫存器，每個 暫存器包含η級。每級包含串聯之n個正反器m至”夕 對應於各η個輸出端子接腳9而設，作為非揮發：鎖 (nonvolatile latchp於每級藉由並聯三個非揮發性鎖，、 使每級變為3位元非揮發性記憶體。 免度調整之3χη位元資粗土 位兀貝# DAT(修整資料）中每個3 ^資料（其輸入至正反器、⑺），係根據來自卿19之 :鐘⑴C，連續移位至各級，並儲存於正反器17a至17n 作為党度調整資料。 由每級之三個正反器的反相輸出Q(Q上方有橫槓）’經 !反相器170輸出至對應於各個端子接腳之驅動電流調整 :二12之開關電路SW1W，以選擇性地切換開關 电路為〇N / 0 F F，以調聲各☆山2 捫正母個鳊子接腳之亮度，使得每個 度品的顯示面板之亮度不均句或高度差異減少。 314690 17 1239499 第3圖顯示移位暫存器172，其為本發明另—具體實 施例。移位暫存器n2由揮發性記憶體構成。 芦 第3圖所示之移位暫存器172包含並聯之三個移位暫 存器，每個移位暫存器包含續，如第2圖所示情形 而，每級包含串聯之n個正反器172a至172n,對應於2 η個輸出端子接腳9而設，作為鎖上請之揮發性鎖卜“ latch) 〇 亮度調整之3χ n位元 路1 5連續地輸入至正反器 1 72η根據來自控制電路1 5 料。 資料DAT(修整資料）由控制電 172a。同時，正反器172a至 之日可4里CLK儲存免度調整資 修整資料（trimming data)DAT儲存於控制電路丨 二供之非揮發性記憶體i5a。當電源開關請 1卿19產生控制信號s。根 ^ 信號S，控制雷踗η太丄士 y <才工制 產生吟鐘信號CLK與修整資料DA丁， 亚將修整資料寫入移位暫存器172。 入至藉由MPU19根據經由鍵盤等從外輸 貝’、而寫入非揮發性記憶體。 於此情形，控制雷

19。用 ^ 15可為如第2圖所示情形之MPU m 存π度調整資 位暫存器。並可〜I 生記憶體不限於此類移 一 J马例如RAM等。 附帶地，於右拖 一 據先二# β 、 L顯不裝置，行側電流驅動電路根 據先則提及之列側掃 格很 圖所示之有機F卜 電流。因此，雖然第1 凡件8連接於輪出端子接腳9與接地 314690 18 1239499 GND間，實際上有機EL元件8係經由列掃描電路而接地。 如前述，開關電路S W1至SW3之數目可為任意個。 若使用單一開關電路，控制開關電路之ΟΝ/OFF僅需一位 元貢料。 因該具體實施例包含驅動電流調整電路1 2，傳統的 雷射修整驅動電流調整電路22可移除。當驅動電流調整 電路22未移除時，其並非用於調整各個端子接腳之驅動 電流，而是整體地調整參考電流。此外，於本發明可個別 地設置雷射修整驅動電流調整電路。因根據本發明，各個 端子接腳之亮度調整可為涵蓋R，G與B之整體亮度調整， 故整體涵蓋R，G與B之參考電流調整電路可連同本發明 之參考電流調整電路一起使用。當然亦可使用驅動電流調 整電路1 2於個別R，G與B之個別亮度調整，及涵蓋R， B與B之整體亮度調整。 此外，驅動電流調整電路1 2可設於產生參考電流之 參考電流產生電路（於輸入級或起始級），及以電流驅動有 機EL面板之端子接腳之輸出級間的任何位置，只要每個 輸出端子接腳之驅動電流流入該位置即可。相同地，接受 顯示資料之D/A轉換電路可安排於輸入級（或起始級）與輸 出級間。 因用於單色顯示之電流·驅動電路可作為本發明之電流 驅動電路，故不需提供對應於R，G與B各色之電流驅動 電路。 雖然本具體實施例主要以M〇S FETs構成，但其亦可 19 314690 1239499

使用雙載子電晶體來構成。此外，於所述具體實施例，N 通運（或npn)電晶體可用p通道（或pnp)電晶體取代，或 反之亦然。 [圖式簡單說明] 第1圖為根據本發明具體實施例之有機EL元件驅動 電路之行驅動器的方塊電路圖； 第2圖為以移位暫存器構成之非揮發性記憶體之電路 圖； 第3圖為第2圖所示之非揮發性記憶體的電路圖，該 非揮發性記憶體係以由揮發性記憶體組成之移位 成；及 廿-構 第4圖為傳統行線電流驅動電路驅動級之方塊圖。 4 15V電源 7 3V電源 9 輸出端子接腳 11 D/A轉換電路 1 lb 輸出端子 12a，12b電流鏡型驅動電 13 電流鏡型電流輪出 5 控制器 8 有機EL元件 10 電路 1 la，13c輪入端子 12 驅動電流調整電路 路 13a 驅動位準移位電路 14 峰值電流產生電路 16 暫存器 17a至]7n 正反器 13b輪出電流鏡電路 15 控制電路 17 非揮發性記憶體 1 71 ”1 72移位暫存器 314690 20 1239499 172a至172η 正反器 18 定電流源

19 MPU 20 行線電流驅動電路（行驅動器） 21 蒼考電流反相電路 22 雷射修整型驅動電流調整電路 23 驅動電流產生電路 82 k倍驅動電流產生電路 83 電流鏡輸出電路 84 輸出端子接腳 91 D/A轉換器 92 開關控制電路 do至do-1 輸入端子

Qa，Qn，Ql 至 Q7、TNa，TNp，TNb 至 TNn、Trb 至 Trn-Ι、 TPu，TPw，TPx，Tpy 電晶體 R1，R2，Ra，Rpa、Rb 至 Rbn-1、Rb 1 至 Rbn 電阻 Hbl至Hbn, Hcl至Hen保險絲 Ip 調整電流 Ipa 峰值電流 SW1至SW3，SWpa 開關電路 314690

Claims (1)

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第921 13285號專利申請案 申請專利範圍修正本 1· 一種有機電場發光（EL)元件 電路，用以調整有機EL顯 之驅動電流，包含： (93年5月10曰） 馬區動電路之驅動電流調整 不面板之端子接腳其中之 開關電路’心選擇性地使儲存於記憶體之資料通 過；及 針對每個該端子接腳而設之電流產生電路，用以根 據驅動該端子接腳之驅動電流或該驅動電流之基本電 流及該開關電路之ON/OFF操作而產生預定電流， 該記憶體為寫人有該資料之非揮發性記憶體，或為 可供寫在非揮發性記憶體中之該資料寫入之揮發性記 憶體’該記憶體用於根據該預定電流調整該驅動電流。 2. 如申請專利範圍第丨項之有機電場發光（el)元件驅動電 路之驅動電流調整電路’進一步包含輸出級電流源，用 以產生該料接腳之驅動€流，纟中該t流產生電路包 含设於驅動級之第—電流鏡電路，用以驅動該輸出級電 /”《•源，忒第一電流鏡電路包含輸入側驅動電晶體及以電 流鏡方式連接至該輸入側驅動電晶體之第一與第二輸 出側電晶體’該第二輸出側電晶體經由該開關電路並聯 至該第一輸出側電晶體，以在該第一輪出側電晶體之輸 出產生該預定電流。 3. 如申請專利ft圍第2項之有機電場發光（el)元件驅動電 (修正本）314690

1239499 路之驅動電流調整電路， 輸出側電晶r盘… 每個均包含該第二 該第-輪出側電晶體，;二之二:電^ 位暫存器，每個移位暫存哭且；針：體包含複數個移 面板之該複數個π子技 應於該有機EL顯示 於各串聯電路門 、、及各級分別對應 電路。 、之輸出係供應至各開關 •女申π專利範圍第2項之有機電一 ^ 輸出側ΐ 中複數個每個均包含該第二 ” 關電路之串聯電路係並聯連接至 4弟一輸出側電晶體，該記_ u骽為揮發性記憶體，可供 發性記憶體中之資料寫入，或供由設於該驅動 電、"“周整電路外部之非揮發性記憶體傳來之資料寫 0 ’该貢料經由處理器或控制器寫入該非揮發性記憶 體’該揮發性記憶體包含複數個移位暫存S，每個移位 暫存器具有對應於該有機EL顯示面板之該複數個端子 接腳而設之複數級’各級分別對應於各串聯電路之開關 電路，各級之輸出係供應至各開關電路。 5.如申請專利範圍第i項之有機電場發光（EL)元件驅動電 路之驅動電流調整電路，其中該記憶體為揮發性記憶 體，可供由設於該驅動電流調整電路外部之非揮發性記 憶體傳來之資料寫入。 6· 一種有機電場發光（EL)元件驅動電路，係包含申請專利 範圍第1或5項之驅動電流調整電路。 (修正本）314690 2 1239499

7 · —種有機電場發光（EL)元件驅動電路，係包含申請專利 範圍第2至4項中任一項之驅動電流調整電路。 8 .如申請專利範圍第7項之有機電場發光（EL)元件驅動電 路’其中該驅動級包含回應該顯示資料而產生用以驅動 一輸出級電流源或該輸出級電流源其中之一的驅動電 流之D/A轉換電路，該D/A轉換電路包含第二電流鏡 電路，该預定電流驅動該D/A轉換電路之該第二電流鏡 電路之該輸入側電晶體。 9·如申凊專利範圍第8項之有機電場發光（el)元件驅動電 路，其中该第二電流鏡電路之複數個輸入側電晶體彼此 並聯，且使該接腳驅動電流變為峰值之電流係藉由在該 複數個輸入側電晶體的至少其中一個中之該預定電流 2於該D/A轉換電路之該輸出產生，使該接腳驅動電流 變為正常值之電流係藉由將在該至少一個輸入側電晶 =中之該敎電流分流至與該至少—個輸人側電晶體 =聯之該複數個輸入側電晶體之至少另一個而於該 M轉換電路之該輸出產生。 10.一種有機電場發光（EL)顯示裝置，包含·· 有機EL顯示面板，· 數個：出級’用來以電流驅動該有機EL顯示面板之複 數個端子接腳；及 W板 古周敕兮认 路之驅動電流調整電路， 正w輪出級之該端子接腳 整電路包含·門M # 勡电々丨L，该驅動電 …開闕電路，用以選擇性地使儲存於記 (修正本）3M690 3 1239499 %正替換頁丨 Vv°uj 之貧料通過；及針對該有機EL顯示面板之每個該端子 接腳而設之電流產生電路，該電流產生電路回應用以驅 動該端子接腳之電流或回應該驅動電流之基本電流而 根據該驅動電流或驅動電流之該基本電流及該開關電 路^ ΟΝ/OFF切換而產生預定電流，該記憶體為寫入有 孩貝料之非揮發性記憶體，或為可供寫在非揮發性記憶 體中之該資料寫人之揮發性記憶體，該記憶體用於根據 该預定電流調整該驅動電流。 ⑽中請專利範圍第1G項之有機電場發光（EL)顯示裝 置進-步包含輸出級電流源，用以產生該端子接腳之 :動電流，其中該電流產生電路包含設於驅動級之第一 電流鏡電路’該第-電流鏡電路包含輸人側驅動電晶體 及=電抓鏡方式連接至該輸入側驅動電晶體之第一與 :二輸出側電晶體，該第二輸出側電晶體經由該開關電 並聯至該第一輸出側電晶體，該預定電流於該第一輸 出側電晶體之輸出產生。 置申：專利犯圍# 11工員之有機電場發光(EL)顯示裝 置’其中複數個每個均命人 μ 關電路之串牌當々；^ 3 二出側電晶體與該開 φ " 係亚聯連接至該第一輸出側電晶 且^非揮發性記憶體包含複數個移位暫存器，每個移 接器具有對應於該有機扯顯示面板之複數個端子 接腳而設之複數級，久 丁 電路，各級之於、十〃、'为別對應於各串聯電路之間關 13,.、，剧出係供應至各開關電路。 • ° 4專利範圍第u項之有機電場發光（EL)顯示裝 (修正本）314690 4 1239499 更

’乂、中複數個每個均舍合兮 的+ 匕3该弟一輸出側電晶體及兮„ 關電路之串聯雷玖总、，磁土 月且及邊開 體，該記_ # a搞於u 弟輸出側電晶 ‘ u體為揮發性記憶體， 體中之資料窝A“、寫在非揮發性記憶 之非播或供由設於該驅動電流調整電路外部 之非揮㉟性記憶體傳來之資料寫人，該資料婉由$ 或控制器寫入該非揮發性 处里為 ^ y °己^體，该揮發性記憶體包含 设數個移位暫存哭，各侗 a EL顯示面故 暫存器具有對應於該有機 , 之複數個端子接腳而設之複數級，各級分 別對應於各串聯雷路& 、刀 甲聯冤路之開關電路，各級之輸出係供庫至 各開關電路。 、 14·如申請專利範圍第U項之有機電場發光(el)顯示裝 置“中《亥驅動級包含回應顯示資料而產生用以驅動該 輸出級電流源之顯動電流之D/A轉換電路，該d/a轉 換電路包含第二電流鏡電路，該預定電流驅動該DM 轉換电路之该第二電流鏡電路之輸入側電晶體。 15·如申請專利範圍第14項之有機電場發光(EL)顯示裝 置，其中該第二電流鏡電路之複數個輸入側電晶體彼此 並％，且使该接腳驅動電流變為峰值之電流係藉由在該 複數個輸入側電晶體的至少其中一個中之該預定電流 而於3 D/A轉換電路之該輸出產生，使該接腳驅動電流 夂為正$值之電流係藉由將在該至少一個輸入側電晶 體中之該預定電流分流至與該至少一個輸入側電晶體 亚聯之該複數個輸入側電晶體之至少另一個而於該 D/A轉換電路之該輸出產生。 5 (修正本）314690 1239499 史 年 93.

10 16.如申請專利範圍第10項之有機電場發光（EL)顯示裝 置，其中該記憶體為揮發性記憶體，可供由設於該驅動 電流調整電路外部之非揮發性記憶體傳來之資料寫 入0 6 (修正本）314690