TWI239420B - Substrate, display device, semiconductor chip, and electronic equipment - Google Patents

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TWI239420B
TWI239420B TW090125815A TW90125815A TWI239420B TW I239420 B TWI239420 B TW I239420B TW 090125815 A TW090125815 A TW 090125815A TW 90125815 A TW90125815 A TW 90125815A TW I239420 B TWI239420 B TW I239420B
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substrate
metal
liquid crystal
protective
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TW090125815A
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Yasuhito Aruga
Satoshi Yatabe
Kogo Endo
Norihito Harada
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Seiko Epson Corp
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1239420 A7 B7 五、發明説明(彳) (發明所屬技術領域) 本發明關於基板上形成金屬配線構成配線基板,使用 該配線基板構成之顯示裝置,適用上述配線基板之半導體 晶片及使用上述顯示裝置或上述配線基板的電子機器。 (習知技術) 近年來,攜帶型電腦,攜帶電話、攝錄照相機等電子 機器之顯示部廣泛使用液晶裝置等顯示裝置。又,顯示裝 置之一之E L ( Electro Luminescence )裝置亦被用作爲 顯示部。習知液晶裝置中,作爲光電物質之液晶被以一對 電極挾持,藉由控制對該電極施加之電壓來控制液晶之配 向,藉由該液晶之配向控制而調變通過該液晶之光,依此 而將文字,數字等影像顯示於外部。 又,E L裝置中,作爲光電物質之E L發光層被一對 電極挾持,藉由控制對該電極施加之電壓而控制供至該 E L發光層之電流,據以控制E L發光層之發光,藉由該 液晶之配向控制而調變通過該液晶之光,依此而將文字, 數字等影像顯示於外部。 液晶裝置或E L裝置中,挾持液晶或E L發光層之電 極形成於1或多數基板上。例如,液晶裝置中,於互相對 向配置之一對基板分別形成電極。另外,E L裝置中,於 1片基板表面以一對電極挾持E L發光層被積層。於該顯 示裝置,於基板上之有效顯示區域之內部形成多數電極, 於該有效顯示區域外部形成由上述多數電極延伸之引出配 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1239420 A7 B7___ 五、發明説明(2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線,及與該引出配線不同之金屬配線。有效顯示區域內形 成之電極,有I T〇等氧化物’或AP C合金C r等金屬 。電極以金屬形成之情況下’由其引出之配線亦爲金屬配 線。 與延伸至有效顯示區域外部之上述引出配線不同之金 屬配線,有例如於基板上直接安裝有半導體晶片構造之配 線基板,亦即所謂C〇G ( C h i ρ Ο n GI a s s )方式之配線基 板中,連接該半導體晶片之輸入側端子,例如輸入側突起 的金屬配線,連接由外部電路延伸之F P C ( Flexible Printed Circuit)等之金屬配線。 上述液晶裝置或E L裝置中,作爲基板上形成之電極 材料之I T〇(丨n d i u m T i η Ο X i d e )係使用導電性氧化物, 作爲基板上形成之金屬配線材料係使用A P C,C r等金 屬。A P C係由A g (銀),P d (鈀),C u (銅)構 成之合金。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I T ◦電極等材料習知上廣泛被使用,但該I τ〇因 電阻値高若於基板上佈局較長繞線將使其電阻値便高導致 無法正常驅動驅動電路之問題。爲解決該問題有效方法可 考慮A P C,C r等電阻値低之金屬。例如相對於I T〇 之單位面積之電阻値爲約1 5 Ω,C r之單位面積之電阻 値爲約1 _ 5 Ω,A P C之單位面積之電阻値爲約〇 · 1 Ω。使用上述低電阻値之金屬材料於基板上形成配線圖型 ’則即使配線圖型之繞線較長亦可抑低電阻値,非常有利 〇 €紙張尺度適财鋼家縣(CNS ) A4規格(21GX297公釐) " ' -5- 1239420 A7 B7 五、發明説明(3) (發明欲解決之問題) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述,於基板上形成之配線圖型以A P C,C r等 金屬形成可降低電阻値非常有利,但反面是金屬配線因腐 鈾受損導致無法維持配線品質而產生另一問題。本發明人 爲解決上述金屬腐蝕問題而進行各種實驗發現結果如下, 亦即,基板上之金屬配線互相鄰接配置情況下,於該金屬 配線之中互相鄰接者之間產生電位差時,亦即金屬配線間 產生陽極與陰極之關係時,陽極側之金屬成份,例如A g 溶出之故。 本發明有鑑於上述習知配線基板之上述問題點,目的 在於提供在使用低電阻値之金屬材料形成配線基板之情況 下,亦可防止該金屬配線之腐蝕者。 (解決問題之手段) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )爲達成上述目的之本發明之第1配線基板,係 於基板上形成多數金屬配線的配線基板,其特徵爲:在上 述多數金屬配線之中互相鄰接之至少一對之間,形成由導 電性氧化物構成之保護配線。保護配線可設於多數金屬配 線之間之全部,或設於多數金屬配線之間必要之一部分。 依該構成之配線基板,在互相鄰接之金屬配線之間存 在導電性氧化物構成之保護配線,即使於互相鄰接之金屬 配線間產生電位差情況下,亦即產生陽極與陰極之關係情 況下,亦可防止陽極側之金屬配線之腐蝕,依此則可維持 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -6- 1239420 A7 B7 五、發明説明(4) 配線基板之電氣特性之長期良好情況。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 )本發明第2配線基板,係具互相連接之一對配 線基板要素的配線基板,其特徵爲具有:形成於上述一對 配線基板要素之一方的多數金屬配線;及形成於上述一對 配線基板要素之另一方,由導電性氧化物構成之至少1個 保護配線;上述一對配線基板要素互相連接,俾使上述保 護配線位於上述多數金屬配線之間。 上述配線基板要素可考慮例如,形成有配線圖型之玻 璃基板,形成有配線圖型之F P C (Flexible Printed Circuit),形成有配線圖型之同時安裝有半導體晶片之 TAB ( Tape Automated Bonding)基板等。上述第 2 配線 基板,係令該配線基板要素之至少2個互相連接構成之配 線基板。連接方法有例如使用於樹脂薄膜中分散多數導電 粒子而形成之 A C F (Anisotropic Conductive Film:異方 性導電膜)之方法,或焊接等各種連接方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依上述第2配線基板,在至少2種配線基板要素互相 鄰接狀態下,於互相鄰接之金屬配線間存在由導電性氧化 物故障位置之保護配線,故即使互相鄰接之金屬配線間產 生電位差,亦即產生陽極與陰極之關係情況下,亦可防止 陽極側金屬配線之腐蝕,維持配線基板之電氣特性之長時 間良好狀態。 於上述第1配線基板與上述第2配線基板中,上述保 護配線,其本身可具適當之電位,或者爲不具電位之無電 位狀態。於該保護配線具電位之情況下,藉於互相鄰接之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ 一 1239420 A7 B7 五、發明説明(5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述一對金屬配線之中之陽極側連接保護配線,使保護配 線之電位與陽極側金屬配線爲同一電位較好。依此則陽極 側金屬配線相對於互相鄰接之保護配線設爲同一電位,又 ,相對於陽極側金屬配線成爲陽極者係由導電性氧化物構 成之保護配線,故可確實防止陽極側金屬配線之腐蝕發生 〇 又,於上述第1配線基板及上述第2配線基板中,較 好於上述金屬配線上之一部分或全部,積層與上述保護配 線爲相同之導電性氧化物。依此則更能防止金屬配線之腐 蝕。 又,於上述第1配線基板及上述第2配線基板中,上 述金屬配線,可爲Au、Ag、Pd、Cu、Cr、A1 、N d、T i之任一或包含其之合金。具體言之爲,可用 包含 Ag98%、Pdl%、Cul% 之 APC 合金,或 主要以C r單體形成之金屬,或其他金屬。該金屬配線, 於液晶裝置或E L裝置等顯示裝置中,可作爲液晶、E L 發光層等光電物質之電氣控制用電極或光反射之反射膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,於上述第1配線基板及上述第2配線基板中,形 成上述保護配線之上述導電性氧化物,可以包含I T〇或 氧化錫之材料形成。 本發明第3配線基板,係具於基板上形成之多數金屬 配線’及安裝於上述基板上之半導體晶片的配線基板,其 特徵爲··於上述多數金屬配線之至少一對之間具由導電性 氧化物構成之保護配線,該保護配線連接於上述半導體晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -8- 1239420 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(6) 片之高電壓端子,與該保護配線鄰接之上述金屬配線則連 接於上述半導體晶片之低電壓端子。 上述第3配線基板,如圖1 7所不’係於基板1〇1 表面安裝半導體晶片1 0 2之構成之配線基板。半導體晶 片1 0 2,爲取得與外部電路間之電連接而於主動面 102a上具多數端子103 ,例如金屬突起。本發明之 配線基板中,基板1 0 1上形成之多數金屬配線1 〇 4之 至少一對之間設有保護配線1 0 5,又,連接於金屬配線 1 0 4之半導體晶片1 0 2之端子1 〇 3設爲高電壓端子 ,連接於保護配線1 0 5之端子1 0 3設爲低電壓端子。 依此構成,可防止金屬配線1 0 4於陽極側與陰極側互相 鄰接,因此可防止金屬配線1 0 4因腐蝕而受損。 本發明之顯示裝置,係具備:於有效顯示區域內互相 面對之多數第1電極,及第2電極,及該第1電極與第2 電極所挾持之光電物質,及配置於上述有效顯示區域外側 的多數金屬配線的顯示裝置,其特徵爲:在上述多數金屬 配線之中互相鄰接之至少一對之間及/或上述多數電極之 中互相鄰接之至少一對之間,設置由導電性氧化物構成之 保護配線。 該顯示裝置,具體言之可構成液晶裝置,E L裝置等 ,構成液晶裝置時,上述光電物質係液晶;上述多數之第 1電極與第2電極,係分別形成於挾持上述液晶互相面對 之一對基板之表面;上述一對基板之至少一方,係具備由 另一方基板突出之基板突出部;上述金屬配線係形成於上 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - 1239420 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7) 述基板突出部。 又,上述顯示裝置構成E L裝置時,上述光電物質, 係包含藉通電發光之E L發光層而形成;上述多數第1電 極及2第2電極係挾持上述E L發光層依序積層於共通基 板上;上述金屬配線係形成於上述有效顯示區域外側之上 述基板上。 依上述構成之顯示裝置,於有效顯示區域外側,於金 屬配線間存在保護配線及/或於有效顯示區域內側,於金 屬配線間存在保護配線,故即使互相鄰接之金屬配線間產 生電位差而於其間產生陽極與陰極之關係,或互相鄰接之 金屬電極間產生電位差而於其間產生陽極與陰極之關係情 況下,亦可防止陽極側金屬配線及陽極側金屬電極之腐蝕 ,依此則可維持構成顯示裝置之基板之電氣特性之長時間 良好狀態,可維持長時間之良好顯示品質。 於上述構成之顯示裝置中,上述保護配線,較好連接 於互相鄰接之上述一對金屬配線之中之陽極側及/或互相 鄰接之上述一對金屬電極中之陽極側。依此則陽極側金屬 配線或陽極側金屬電極相對於保護配線設定爲同一電位, 而且,相對於陽極側金屬配線或陽極側金屬電極成爲陽極 者爲由導電性氧化物構成之保護配線,故可確實防止陽極 側金屬配線或暢極側金屬電極發生腐蝕。 又,上述構成之顯示裝置中,於上述金屬配線上之一 部分或全部及/或者上述金屬電極上之一部分或全部,較 好積層與上述保護配線爲相同之導電性氧化物。依此則更 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 1239420 A7 B7 五、發明説明(8) 能確實防止上述金屬配線及/或金屬電極之腐蝕。 又,.上述構成中, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述金屬配線及/或上述金屬電極,可爲A u、Ag 、Pd、Cu、Cr、A1 、Nd、Ti 之任一或包含其 之合金。具體言之爲,可使用包含Ag98%、Pdl% 、C u 1%之合金之AP C合金或主要以C r單體形成之 金屬,或其他金屬。該金屬配線,於液晶裝置、E L裝置 等顯示裝置中,可用作爲控制液晶、E L發光層等光電物 質之電氣特性之電極,或作爲光反射之反射膜。 又,上述構成之顯示裝置中,形成上述保護配線之上 述導電性氧化物,可由包含I T〇或氧化錫之材料形成。 本發明之半導體晶片’係內藏有電路,多數端子露出 於外部的半導體晶片;其特徵爲:上述多數端子係包含交 互配列之低電壓端子及高電壓端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般而言,於半導體晶片,於其主動面配列多數金屬 突起等端子。玻璃基板、塑膠基板等之表面上形成之金屬 配線連接於該些端子。此情況下,如本發明般,於半導體 晶片之端子列使低電壓端子與高電壓端子交互並列,於高 電壓端子連接導電性氧化物構成之保護配線,於低電壓端 子連接A P C合金等金屬配線,則於基板上金屬配線與氧 化膜保護配線可交互並列,而且金屬配線可設爲高電壓, 氧化膜保護配線可設爲低電壓。 依此則於基板上互相鄰接之金屬配線間存在由導電性 氧化物構成之保護配線,故即使互相鄰接之金屬配線間產 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — -11- 1239420 A7 B7 五、發明説明(9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 生電位差而於其間產生陽極與陰極之關係情況下,亦可防 止陽極側金屬配線之腐蝕,可維持顯示裝置之顯示品質之 長時間良好狀態。 上述構成之半導體晶片中,於上述低電壓端子連接金 屬配線,於上述高電壓端子連接導電性氧化物構成之保護 配線之情況下,該保護配線可爲虛擬配線,亦即由不進行 通電機能之配線構成。 (6 )本發明之電子機器,係具備:顯示影像的顯示 裝置,及設於該顯示裝置之內部及/或外部的配線基板; 其特徵爲:上述配線基板,係於基板上形成多數之金屬配 線,在上述多數金屬配線中互相鄰接之至少一對之間形成 由導電性氧化物構成之保護配線。電子機器,可爲例如攜 帶電話、攜帶型電腦,攝影機等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依該電子機器,於內藏之配線基板,於互相鄰接之金 屬配線間存在導電性氧化物構成之保護配線,故即使互相 鄰接之金屬配線間產生電位差,亦即產生陽極與陰極之關 係情況下,亦可防止陽極側金屬配線之腐蝕,維持配線基 板之電氣特性之長時間良好狀態。結果,可維持電子機器 之顯示機能之長時間良好狀態。 (發明之實施形態) (第1實施形態) 圖1係本發明之配線基板適用顯示裝置之一例之液晶 裝置之一實施形態。又,液晶裝置以驅動方法區分時有單 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1239420 A7 B7 五、發明説明(1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 純矩陣方式及主動矩陣方式之各驅動方式。圖1之液晶裝 置係單純矩陣方式之液晶裝置,又,液晶裝置以光之供給 方式區分時有反射型、半透過型、及半透過反射型等各方 式。圖1之液晶裝置係半透過反射型液晶裝置。 又,反射型,係令太陽光,室內光等外部光於液晶層 背面反射,以其反射光作爲光源之構造之液晶裝置。透過 型,係以冷陰極管或L E D ( Light Emitting Diode )等之 光源之發光作爲光源,使該光透過液晶層之構造之液晶裝 置。又,半透過反射型,係當可得充分外部光情況下進行 上述反射型顯示,當外部光不足之情況下進行上述透過型 顯示之構造之液晶裝置。 又,液晶裝置以色顯示形態之觀點區分時有單色黑白 顯示,及全彩顯示等各種顯示形態,圖1之液晶裝置係進 行全彩顯示之液晶裝置。亦即,圖1之液晶裝置,係單純 矩陣方式之半透過反射型之全彩顯示可能之液晶裝置。 圖1中,液晶裝置1 ,係於液晶面板2安裝半導體晶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 片之液晶驅動用I C 3 a及3 b,令配線基板要素之 F P C 4連接液晶面板2,於液晶面板2之背面側設置照 明裝置6而形成。 液晶面板2,係將第1基板7 a及第2基板7 b以密 封材8貼合而成。密封材8,係藉由例如網版印刷將環氧 系樹脂以環狀附著於第1基板7 a或第2基板7 b之內側 表面而成。又,於密封材8之內部,如2所示以分散狀態 包含由導電性材料形成球狀或圓筒狀之導通材9。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 1239420 A7 B7 五、發明説明(1) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2中,第1基板7 a係具備透明玻璃或透明塑膠等 形成之板狀基材1 1 a。於該基材1 1 a之內側表面(圖 2之上側表面)形成反射膜1 2,於其上積層絕緣膜1 3 ’於其上形成由箭頭A方向看爲條紋狀(參照圖1 )之第 1電極1 4 a,再於其上形成配向膜1 6 a。於基材 1 1 a之外側表面(圖2之下側表面)藉黏著等安裝偏光 板 1 7 a 〇 於眉1爲使第1電極1 4 a之配列容易理解,將該條 紋間隔繪成較實際寬廣,因而第1電極1 4 a之數目繪成 較少,實際上第1電極1 4 a以更多條形成於基材1 1 a 上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2中,第2基板7 b係具備透明玻璃或透明塑膠等 形成之板狀基材1 1 b。於該基材1 1 b之內側表面(圖 2之下側表面)形成濾光片1 8,於其上朝與第1電極 1 4 a垂直之方向形成由箭頭A方向看爲條紋狀(參照圖 1 )之第2電極1 4 b,再於其上形成配向膜1 6 b。於 基材1 1 b之外側表面(圖2之上側表面)藉黏著等安裝 偏光板1 7 b。 於圖1爲使第1電極1 4 a之配列容易理解’和第1 電極1 4 a之情況同樣將該條紋間隔繪成較實際寬廣,因 而第2電極14 b之數目繪成I父少’貫際上弟2電極 1 4 b以更多條形成於基材1 1 b上。 圖2中,第1基板7 a、第2基板了^及密封材8包 圍之間隙,亦即於格間隙內封入例如s τ N ( SuPPe「 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -14- 1239420 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( Twisted Nematic )液晶L。於第1基板7 a及第2基板 7 b之內側表面分散微小’多數之球形間隔物1 9,藉由 間隔物1 9之存在於格間隙內使該格間隙厚度保持均一。 第1電極1 4 a與第2電極1 4b配置成垂直關係, 該交叉點由圖2之箭頭方向A看配列成點矩陣狀。該點矩 陣狀之各交叉點構成1個色像素。濾光片1 8 ,係令r ( 紅)、G (綠),B (藍)之各色要素由箭頭方向A看以 特定圖型,例如條紋配列,△型配列,鑲嵌配劣等圖型配 列而成,上述1個色像素分別對應R,G,B之各1個, R、G、B之3色像素成爲1個單元而構成1個像素。 藉由使點矩陣狀配列之多數色像素,亦即像素選擇性 發光,即可於液晶面板2之第2基板7 b外側顯示文字、 數字等影像。如上述顯示影像之區域爲有效像素區域,圖 1及圖2中箭頭B表示之矩形區域爲有效顯示區域。 圖2中,反射膜1 2係由APC合金,A 1等光反射 性材料形成,如圖3之平面圖所示,在和第1電極1 4 a 與第2電極1 4 b之交叉點之各色像素對應之位置形成開 口 2 1 。結果,由圖2之箭頭方向A看開口 2 1和色像素 同樣配列成點矩陣狀。 第1電極1 4 a及第2電極1 4 b係例如以透明導電 材之I T〇形成。配向膜1 6 a及配向膜1 6 b ,係令聚 醯亞氨系樹脂以同樣之厚度黏著而形成。該配向膜1 6 a 及配向膜1 6 b被施以摩擦處理,以決定第1基板7 a及 第2基板7 b表面上之液晶分子之初期配向。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~~ -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1239420 A7 B7 五、發明説明(θ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1中,第1基板7 a較第2基板7 b以較大面積形 成,該基板以密封材8貼合時,第1基板7 a具備朝第2 基板7 b外側突出之基板突出部7 c。於該基板突出部 7 c ,包含由第1電極1 4 a延伸之引出配線1 4 c ’及 介由存在於密封材8之內部之導通材9 (參照圖9 )而與 第2基板7 b上之第2電極1 4 b導通的引出配線1 4 d ,及連接液晶驅動用I C 3 a之輸入用突起’亦即輸入用 端子的金屬配線1 4 e ,以及連接液晶驅動用I C 3 b之 輸入用突起的金屬配線1 4 f等各種配線以適當之圖型形 成。 本實施形態中,與由第1電極1 4 a延伸之引出配線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 c及第2電極1 4 b導通之引出配線1 4 d ’系和該 些電極以相同材料之I T 0 ’亦即導電性氧化膜形成。液 晶驅動用I C 3 a及液晶驅動用I C 3 b之輸入側配線之 金屬配線1 4 e及金屬配線1 4 f係以低電阻値之金屬材 料,例如A P C合金形成。A P C合金主要爲含有A g, 附加包含P d及C u之合金,例如由Ag 9 8%、P d 1 %、Cul%構成之合金。除APC合金以外,亦可藉由 Au,Cr ,A1 ,Nd,Ti等形成金屬配線14e及 金屬配線1 4 f。 液晶驅動用I C 3 a及液晶驅動用I C 3 b,係藉由 A C F (Anisotropic Conductive Film :異方性導電膜)
2 2接著安裝於基板突出部7 c表面。亦即,本實施形態 中,係以基板上半導體晶片直接安裝之構造之所謂C〇G 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 1239420 A7 B7 五、發明説明(1今 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (Chip On Glass)方式之液晶面板形成。該C〇G方式之 安裝構造中,藉A C F 2 2內部包含之導電粒子’使液晶 驅動用I C 3 a及3 b之輸入用突起與金屬配線1 4 e及 1 4 f導電連接,使液晶驅動用1 c 3 a及3 b之輸入用 突起與引出配線1 4 c及1 4 d導電連接。 圖1中,F P C 4,係具備包含可撓性樹脂薄膜2 3 及晶片元件2 4構成之電路2 6 ’及金屬配線端子2 7。 電路2 6 ,係又焊接或其他導電連接方法直接搭載於可撓 性樹脂薄膜2 3表面。 金屬配線端子2 7係由A P C合金、C r 、C u、其 他導電性材料構成。F P C 4之史乂人形成金屬配線端子 2 7之部分,係藉由AC F 2 2連接於第1基板7 a之中 形成有金屬配線1 4 e及金屬配線1 4 f之部分。藉由 A C F 2 2內部含有之導電粒子之作用,使基板側之金屬 配線1 4 e及1 4 f與F P C側之金屬配線端子2 7導通 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於F P C 4之相反側之邊緣部形成外部連接端子3 1 ,該外部連接端子3 1連接外部電路(未圖示)。依由該 外部電路傳送之信號驅動液晶驅動用I C 3 a及3 b,於 第1電極1 4 a及第2電極1 4 b之一側被供給掃描信號 ,於另一側被供給資料信號。 依此則配列於有效顯示區域B內之點矩陣狀之各個色 像素被施以電壓控制,結果液晶L之配向依各個色像素而 被控制。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4g ( 210X297公釐) " -17- 1239420 A7 B7 五、發明説明(θ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1中,作爲背照光源之照明裝置6 ,如圖2所示, 具備:由丙烯基樹脂等構成之光導體3 2,及設於該光導 體3 2之光射出面3 2 b的擴散片3 3,及適於光導體 3 2之光射出面3 2 b之相反側面的反射片3 4,及發光 源之 L E D ( Light Emitting Diode) 3 6。 L E D 3 6被支持於L E D基板3 7,該L E D基板 3 7,例如安裝於與光導體3 2 —體形成之支持部(未圖 示)。L E D基板3 7安裝於支持部之特定位置而使 L E D 3 6安置於與光導體3 2之側邊端面之光取入面 3 2 a對向之位置。又,符號3 8表示緩衝施加於液晶面 板2之衝撃用之緩衝材。 L E D 3 6發光時,光由光導體3 2取入導入光導體 3 2內部,於反射片3 4或光導體3 2之壁面反射、傳送 之間由光射出面3 2 b通過擴散片3 3以平面光射出至外 部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 液晶裝置1如上述構成,當太陽光、室內光等外部光 足夠明亮時,圖2中,外部光由第2基板7 b取入液晶面 板2之內部,該光通過液晶L後於反射膜1 2反射再度供 至液晶L。液晶L由挾持其之第1電極1 4 a及第2電極 1 4 b依R、G、B之色像素施以配向控制,供至液晶l 之光被依每一色像素調變,藉該調變依通過偏光板1 7 b 之光,及未通過之光而於液晶面板2外部顯示文字、數字 等影像。依此來進行反射型顯示。 另外,外部光不足夠時,L E D 3 6發光使由光導體 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 1239420 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 3 2之光射出面3 2 b射出平面光,該光通過形成於反射 膜1 2之開口 2 1供至液晶L。此時,和反射型顯示同樣 ,供給之光依每一色像素施以調變供至配向控制之液晶L ,依此而於外部顯示影像’而進行透過型顯示。 本實施形態之液晶裝置1 ,於圖1之第1基板7 a 之基板突出部7 c上連接液晶驅動用I C 3 a及F P C 4 之狀態下,將箭頭D相當之部分之金屬配線之連接狀況擴 大顯示如圖4。4中,設於基板突出部7 c上之各金屬配 線1 4 e係由A P C合金形成。又,本實施形態中,於該 些金屬配線1 4 e施加不同之電壓V 1 - V 4 ’其大小關 係例如設定如下, V1>V2>V3>V4 高施加電壓之金屬配線1 4 e與低施加電壓之金屬配 線1 4 e互相鄰接情況下,於該些金屬配線1 4 e之間存 在以導電性氧化物之I T〇形成之保護配線2 9。圖4表 示VI與V2之間,V2與V3之間,乃至V3與V4之 間分別設置保護配線2 9之狀態。符號3 a係液晶驅動用 I C,3符號3 9係形成於液晶驅動用I C 3 a之突起, 亦即端子。 金屬配線1 4 e互相鄰接情況下,施加於其之電壓相 等時,於該些金屬配線之間未設置保護配線。圖4表示電 壓V 4以多數互相鄰接配列,於其間未設保護配線2 9之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 1239420 A7 B7 五、發明説明( 狀態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一般而言,由AP C合金構成之金屬配線1 4 e互相 鄰接,於其間產生電位差,亦即於該些金屬配線間產生陽 極與陰極之關係情況下,並未採取任何措施,故於施加高 電壓之陽極側之金屬配線1 4 e會因腐蝕而手損。相對於 此,本實施形態中,陽極側金屬配線與陰極側金屬配線之 間存在導電性氧化物之I T ◦,可防止陽極側金屬配線 1 4 e之腐鈾。 特別是本實施形態中,陽極側金屬配線1 4 e之全體 被以導電性氧化物之I T 0披覆,該陽極側金屬配線之腐 蝕更能確實防止。又,披覆導電性氧化物之I τ ◦,未披 覆該陽極側金屬配線之全體而僅披覆一部分情況下亦可得 同樣效果。又,本實施形態中,令披覆陽極側金屬配線 1 4 e之I T ◦與形成保護配線2 9之I τ ◦連成一體, 使保護配線2 9與陽極側成同一電位,故陽極側金屬配線 1 4 e之腐蝕能更確實防止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述金屬配線1 4 e以A P C合金,該A P C合金 爲低電阻値,故即使金屬配線1 4 e以較長圖型形成情況 下,全體之電阻値亦可抑制較低,F P C 4上之電路2 6 與液晶驅動用I C 3 a之間之信號授受可穩定進行。金屬 配線1 4 e以A P C合金形成之情況下,陽極側金屬配線 因腐蝕受損之可能性高,但本實施形態中’藉由陽極側金 屬配線與陰極側金屬配線之間存在導電性氧化物可消除該 些金屬配線之腐蝕。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -20- 1239420 A7 B7_ 五、發明説明( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,如圖4所示於陽極側金屬配線1 4 e與陰極側金 屬配線1 4 e之間存在導電性氧化物之保護配線2 9之配 線構造,並不僅適用於圖1之液晶驅動用I C 3 a相關之 金屬配線1 4 e ’亦同樣另一液晶驅動用I C 3 b相關之 金屬配線1 4 f 。此情況下,液晶驅動用I C 3 b放置於 遠離F P C 4之位置,故金屬配線1 4 f之繞線傾向較長 〇 假設與金屬配線1 4 f相當長之配線圖型以I τ〇等 氧化物形成,因該長配線圖型之電阻値過高導致有可能無 法穩定驅動液晶驅動用I C 3 b。相對於此,本實施形態 中,金屬配線1 4 f以低電阻値之A P C合金形成,金屬 配線1 4 f之電阻値被抑制較低,可穩定驅動液晶驅動用 I C 3 b。又,關於該金屬配線1 4 f可於陽極側金屬配 線與陰極側金屬配線之間存在導電性氧化物之I T 0,故 可防止陽極側金屬配線之腐蝕。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,保護配線2 9之長度可依必要適當設定。例如, 如圖4所示,形成與金屬配線1 4 e略相同長度,或者對 應金屬配線1 4 e之容易發生腐鈾部分而僅一部分形成亦 可 〇 (第2實施形態) 圖5係圖4所示金屬配線之變形例。於圖5所示多數 金屬配線1 4 e ,施加不同大小之電壓V 1 - V 4,乃至 於施加高電壓之陽極側金屬配線與施加相對低電壓之陰極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' 麵~ -21 - 1239420 A7 ___B7___ 五、發明説明(θ 側金屬配線之間存在導電性氧化物之I T ◦構成之保護配 線2 9等均與圖4之實施形態相同。 圖5之實施形態與圖4之實施形態不同點爲,由金屬 配線1 4 e之上除去I T 0。如上述,於金屬配線1 4 e 之上未積層I T ◦之情況下亦可防止陽極側金屬配線之腐 鈾。 (第3實施形態) 圖6係圖4所示金屬配線之另一變形例。關於圖6所 示多數金屬配線1 4 e ,施加不同大小之電壓V 1 - V 4 ,乃至於施加高電壓之陽極側金屬配線與施加相對低電壓 之陰極側金屬配線之間存在導電性氧化物之I T〇構成之 保護配線2 9,以及於金屬配線1 4 e之上積層、披覆與 保護配線2 9相同之I T ◦等均與圖4之實施形態相同。 圖6之實施形態與圖4之實施形態不同點爲,保護配 線2 9與金屬配線1 4 e上之I T ◦披覆層4 1之間之連 接被解除,保護配線2 9處於無電位狀態。如上述,保護 配線2 9處於無電位狀態之情況下亦可防止陽極側金屬配 線之腐鈾。 (第4實施形態) 圖7及8係本發明之配線基板之另一實施形態。此處 所示配線基板之構造’於圖1之液晶裝置1中適用於第1 基板7 a之孔基板突出部7 C以F P C 4之金屬配線端子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 罗裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 1239420 A7 B7 五、發明説明(2() 2 7部分之連接部分。 此實施形態中,圖7 ( a )之第1基板7 a作爲1個 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 配線基板要素之機能,圖7 ( b )之ρ p c 4作爲另一配 線基板要素之機能,如圖8所示藉由該配線基板要素之互 相連接,具體言之爲如圖1所示,藉使用AC F 2 2將 F P C 4連接於第1基板7 a之基板突出部7 c ,而以一 體之第1基板7 a及F P C 4構成1個配線基板。 本實施形態中,如圖第1基板7 a所示,於基板突出 部7 c表面以A P C合金等金屬材料形成金屬配線1 4 e ,於該些金屬配線1 4 e之上積層以導電性氧化物之 I T〇形成之披覆層4 1。另外,關於基板突出部7 c所 連接之F P C 4之金屬配線端子2 7,於施加高電壓之端 子亦即陽極側端子,與施加相對低電壓之端子亦即陰極側 端子之間設置導電性氧化物之I T〇形成之保護配線2 9 。本實施形態中,保護配線2 9連基金屬配線端子2 7而 爲同一電位,但亦可解除該連接而使保護配線2 9置於無 電位狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中,基板突出部7 c上之金屬配線1 4 e 與F P C 4上之金屬配線端子2 7如上述構成,故若將基 板突出部7 c與F P C 4互相連接則如圖8所示,基板突 出部7 c上之陽極側金屬配線1 4 e與陰極側金屬配線 1 4 e之間存在有F P C 4上之保護配線2 9。結果,作 爲陽極容易腐蝕之A P C金屬等形成金屬配線1 4 e之情 況下,藉位於陽極側金屬配線1 4 e與陰極側金屬配線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239420 A7 B7___ 五、發明説明(2) 1 4 e之間之保護配線2 9之作用可消除腐鈾。 (第5實施形態) 圖9及1 〇係本發明之顯示裝置之一例之液晶裝置之 另一實施形態。圖9係圖1之液晶裝置1之側面斷面構造 圖。圖2係對應之間斷面構造之斷面圖。圖9之液晶裝置 5 1之槪略外觀構造與圖1之實施形態略同’該液晶裝置 5 1之斜視顯示被省略。又,圖9之中’與圖2相同之構 件附加同一符號並省略其說明。 圖9之液晶裝置5 1 ,係單純矩陣方式及以半透過反 射型進行全彩顯示之液晶裝置之點係和圖2之實施形態相 同。液晶裝置5 1和液晶裝置1之不同點爲,取代圖2之 . 液晶裝置1使用之內面反射膜1 2,第1電極1 4 a本身 以光反射性材料,例如A P C合金,C r等形成,而以第 1電極1 4 a本身作爲內面反射膜1 2使用。亦即,本實 施形態中,第1電極1 4 a本身以非氧化物之金屬配線形 成。 具體言之爲,於液晶裝置5 1中,第1基板7 a ,係 於基材1 1 a之內側表面(圖9之上側表面)形成由箭頭 方向A看爲條紋狀之第1電極143,於其上形成配向膜 1 6 a ,於基材1 1 a之外側表面(圖9之下側表面)藉 貼著等安裝偏光板1 7 a而形成。關於A P C合金形成之 第1電極1 4 a ,如圖1 〇所示,於第1電極1 4 a與第 2電極1 4 b之交叉點之各色像素對應位置之第1電極 本紙張尺中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 衣 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24 - 1239420 A7 B7 五、發明説明(2$ 1 4 a本身形成開口 2 1。結果,由圖9之箭頭方向A看 開口 2 1係與色像素配列成相同之點矩陣狀。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施形態之液晶裝置5 1構成如上述,當太陽光、 室內光等外部光足夠亮時,於圖9,外部光由第2基板 7 b取入液晶面板2之內部,該光通過液晶L後於第1電 極1 4 a反射再度供至液晶L。液晶L由挾持其之第1電 極1 4 a及第2電極1 4 b依R、G、B之各色像素施以 配向控制,供至液晶L之光被依每一色像素調變,藉該調 變依通過偏光板1 7 b之光,及未通過之光而於液晶面板 2外部顯示文字、數字等影像。依此來進行反射型顯示。 另外,外部光不足夠時,LED36發光使由光導體 3 2之光射出面3 2 b射出平面光,該光通過形成於第1 電極1 4 a之開口 2 1供至液晶L。此時,和反射型顯示 同樣,供給之光依每一色像素施以調變供至配向控制之液 晶L,依此而於外部顯示影像,而進行透過型顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中,第1電極1 4 a以AP C合金等金屬 配線形成,故圖1中與第1電極1 4 a成一體延伸至密封 材8之外側的引出配線1 4 c亦以A P C合金等金屬配線 形成。又,介由分散於密封材8中之導通材9與第2基板 7 b上之第2電極1 4 b導通之引出配線1 4 d亦以 A P C合金等金屬配線形成。 圖2之實施形態中,於圖1之基板突出部7 c ’液晶 驅動用I C 3 a及3 b之輸出側配線之引出配線1 4 c及 引出配線1 4 d係由、I T〇亦即氧化物形成,輸入側配線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 1239420 A7 B7 五、發明説明( 之金屬配線1 4 e及1 4 f係以A P C合金等金屬配線形 成。關於金屬配線1 4 e及1 4 f ,特別爲防止陽極側之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 金屬配線之腐蝕,如圖4、5、6、7、8所示,採用於 陽極側金屬配線與陰極側金屬配線之間存在導電性氧化物 構成之保護配線2 9之配線構造,可防止陽極側金屬配線 之腐蝕。 相對於此,圖9之實施形態中,圖1中不限於端子側 之金屬配線1 4 e及1 4 f,就連引出配線1 4 c及 1 4 d亦以金屬配線形成,故關於引出配線1 4 c及 1 4 d亦因陽極作用而有可能發生腐蝕。爲防止該腐鈾’ 圖9之實施形態中,例如圖1 1所示’於液晶驅動用 I C 3 a及3 b之輸出側突起5 9 a所連接之金屬配線之 引出配線1 4 c及1 4 d之各配線間’形成由I T ◦等導 電性氧化物形成之保護配線2 9。 又,保護配線2 9存在金屬配線之引出配線1 4 c及 1 4 d之形態不限圖1 1之形態’亦可採用圖4、5、6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、7、及8所示各種配線構造。又’引出配線1 4 c直接 連接有效顯示區域B內之第1電極14a。第1電極 1 4 a亦以金屬配線形成。故保護配線2 9並非僅設於與 引出配線1 4 c對應之部分,可延伸至與第1電極1 4 a 對應之部分。又,圖1 1中’關於液晶驅動用I C 3 a及 3 b之輸入側突起5 9 b連接之配線’可採用和圖4、5 、6、. 7及8之配線構造相同之配線構造。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2l〇x297公釐) 1239420 A7 B7 五、發明説明(2今 (第6實施形態) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 2係本發明之半導體晶片之一實施形態及適合使 用該半導體晶片之配線基板之一實施形態。又,圖1 2之 配線構造未必限定適用於圖1之液晶裝置1 ’考慮該配線 構造適用圖1之液晶裝置1之液晶驅動用1 c 3 a之部分 之情況下,圖1 2之配線構造於圖1如箭頭E所示相當於 由第1基板7 a之背面方向看液晶驅動用I C 3 a之情況 〇 以下以半導體晶片6 1適用圖1之液晶驅動用 I C 3 a之情況爲例依圖1 2說明之。半導體晶片6 1具 備多數突起,具體言之爲,具備多數輸出側突起6 9 a及 輸入側突起6 9 b。該突起之數目不限於圖示之例,可較 多或較少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體晶片6 1藉由AC F 2 2接著於第1基板7 a 之基材1 1 a。於基材1 1 a表面,多數引出配線1 4 c 互相隔開間隔以條紋狀形成,該引出配線1 4 c於圖1朝 第1電極1 4 a延伸。又,關於半導體晶片6 1 ,於引出 配線1 4 c之相反側於基材1 1 a表面,多數端子配線 1 4 e互相隔開間隔以條紋狀形成。 引出配線1 4 c及端子配線1 4 e均以A P C合金、 C r 、A u、A 1 、N d、T i等金屬形成。該引出配線 1 4 c及端子配線1 4 e之互相鄰接之間,分別形成以 I T ◦等導電性氧化物形成之保護配線2 9。半導體晶片 6 1之內部形成之電路,係以引出配線1 4 c連接之突起 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) -27- 1239420 A7 B7 五、發明説明(2自 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 及端子配線1 4 e連接之突起爲低電壓端子’令與該低電 壓突起互相鄰接之突起,亦即保護配線2 9連接突起爲高 電壓端子而構成電路。圖中,各高電壓突起藉由配線6 3 於半導體晶片6 1內部設爲同電位之高電壓狀態。 本實施形態中,配置於引出配線1 4 c之間之保護配 線2 9雖爲不通電之虛擬配線,但其作爲傳送信號之信號 線,或作爲使驅動各種電子元件之驅動電壓通電用之通電 線使用亦可。 如上述,本實施形態中,半導體晶片6 1之輸出側突 起6 9 a之突起列及輸入側突起6 9 b之突起列交互配列 爲低電壓端子與高電壓端子,於低電壓端子連接引出配線 1 4 c及端子配線1 4 e,於高電壓端子連接保護配線 2 9。依此種配線構造,引出配線1 4 c及端子配線 1 4 e之中互相鄰接者之間存在有導電性氧化物構成之保 護配線2 9 ,故可防止該金屬配線之中作爲陽極作用者之 腐蝕。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,特別是本實施形態中,半導體晶片6 1之突起列 以高電壓端子及低電壓端子交互並列世定,於高電壓突起 連接保護配線2 9,則更能確實防止金屬配線1 4 c及金 屬端子配線1 4 e之腐鈾。 (第7實施形態) 圖13及14係本發明之顯示裝置作爲EL裝置之一 實施形態。E L裝置7 1 ,係不使用主動元件之單純矩陣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28- 1239420 A7 ____ B7 五、發明説明(2$ 方式’使用單色E L發光層之單色黑白顯示方式之e L裝 置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5亥E L·裝置7 1 ,係具備透明玻璃、透明塑膠等形成 之基板77 ’於基板77表面,如圖14所示形成由箭頭 方向A看成爲條紋狀之第1電極7 4 a ,於其上以同樣厚 度形成平面之單色E L發光層Η,再於其上積層由箭頭方 向Α看成爲條紋狀之第2電極7 4 b。第1電極7 4 a與 桌2電極7 4 b形成互爲垂直關係,於其交叉點形成像素 。該像素由箭頭方向A看成爲點矩陣狀配列,藉該點矩陣 狀配列之多數像素形成有效顯示區域B。 第1電極7 4 a ,例如由I T ◦等透明導電材構成。 第2電極74b ,例如由APC合金,Cr 、Au、A1 、N d、T i等光反射性材料形成。又,於形成有第2電 極7 4 b之基板7 7表面,形成由箭頭方向a看成爲環狀 之密封材7 8 ,藉該密封材7 8安裝蓋7 9。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3中’形成於基板77之第1電極74 a具備突 出於密封材7 8外側之引出配線7 4 c。該引出配線 7 4 c ,係藉由例如a C f等連接液晶驅動用I c 7 3 a 之輸出側端子,亦即輸出側突起。又,第2電極7 4 b具 備突出於密封材7 8外側之引出配線7 4 d。該引出配線 7 4 d,係藉由例如a C F等連接液晶驅動用I C 7 3 b 之輸出側端子,亦即輸出側突起。引出配線7 4 c ,係和 第1電極7 4 a同樣由I τ〇,亦即導電性氧化物形成, 引出配線74 d ,係和第2電極74b同一尤由APC合 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -29- 1239420 A7 B7 _ 五、發明説明(2》 金等反射性金屬形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於基板7 7之邊緣部形成端子配線7 4 e及7 4 f ’ 於該邊緣部藉由例如A C F等導電連接要素連接 F P C 7 5 a及7 5 b等配線連接要素。端子配線7 4 e 及74f ,分別與形成於FPC75a及75b之端子配 線導通,依此則可由外部電路(未圖示)驅動液晶驅動用 I C 7 3 a及7 3 b。端子配線7 4 e及7 4 f ,係藉由 例如A P C合金等之金屬配線形成。 本實施形態之E L裝置7 1如上述構成,依流至第1 電極7 4 a與第2電極7 4 b之間之電流控制每一像素使 各像素選擇發光,則可於有效顯示區域B內顯示文字、數 字等影像。此時,第2電極7 4 b作爲反射膜之機能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中,於圖1 3 ,藉由A P C合金等作爲金 屬配線形成之引出配線7 4 d、端子配線7 4 e及端子配 線7 4 f ,係作用爲陽極者而有腐鈾之虞。爲防止此對該 些配線,如圖4、5、6、7、8及1 2之金屬配線 1 4 e與保護配線2 9之關係說明般,於引出配線7 4 d 等多數金屬配線之中互相鄰接者之間存在由導電性氧化物 形成之保護配線,具體之配線構造可採用由圖4、5、6 、7、8及1 2所示各種構造所選擇者。 又,E L裝置,除上述實施形態之單純矩陣方式以外 ,可考慮主動矩陣型,亦即各像素使用T F T ( Thin Film Transistor)或 TFD (ThinFilm Diode)等主動元件驅動 之方式。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30 - 1239420 A7 B7__ 五、發明説明(2今 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 此情況下,圖1 3及1 4中,於基板7 7內側表面製 成點矩陣狀配列之主動元件第1電極7 4 a以點矩陣狀配 列之畫素電極形成,該畫素電極藍接各主動元件。 又,E L裝置,除上述說明之單色黑白顯示以外亦有 進行全彩顯示者。進行全彩顯示之構造有各種構造,其一 爲可考慮令R、G、B各色發光之EL發光色像素並列於 平面形成E L發光層之構造。 如上述,於多數金屬配線間存在導電性氧化物形成之 保護配線之構成,可適用上述主動矩陣方式之E L裝置, 或全彩顯示之E L裝置等各種E L裝置。 (第8實施形態) 圖1 5係本發明之電子機器之一實施形態,該電子機 器具備:顯不資訊輸出源8 0,及顯示資訊處理電路8 1 ,及電源電路8 2,及時序產生器8 3 ,及作爲顯示裝置 之液晶裝置8 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯示資訊輸出源8 0,係具備·· R〇M ( R e a d Ο η丨y Memory ) 、RAM (Random access memory)等記憶體 ’各種碟片等儲存單元’將數位影像信號調諧輸出的調諧 電路等,依時序產生器8 3產生之各種時脈信號,對顯示 資訊處理電路8 1供給特定格式之影像信號等顯示資訊。 顯示資訊處理電路8 1 ,係具備:系列一並列轉換電 路,或放大/反轉電路、旋轉電路、T補正電路、箱位電 路等習知各種電路,執行輸入之顯示資訊之處理,將該影 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ' --- -31 - 1239420 Α7 Β7 五、發明説明(2$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 像信號和時脈信號c L κ同時供至驅動電路8 6 °驅動電 路8 6包含掃描線驅動電路、資料線驅動電路、檢測電路 等之構成。電源電路8 2係對各構成要素供給特定電壓。 圖1 6細緻性本發明之電子機器之一實施形態之攜帶 電話。該攜帶電話之甸氣控制系係使用圖1 5之實施形態 。攜帶電話9 0具備:多數操作按扭9 1,及液晶裝置 9 2。液晶裝置9 2可用例如圖1之液晶裝置1。 圖1 5所示電子機器,及圖1 6所示電子機器,其液 晶裝置,係採用圖1之液晶裝置,亦即作爲配線基板之構 造採用圖4、5、6、7、8及1 2所示於金屬配線間存 在導電性氧化物構成之保護配線之配線構造者,故可防止 電極腐鈾引起之顯示品質降低。 又,圖1 5及1 6之電子機器,不限於其內'藏之液晶 裝置,只要液晶裝置以外之構成要素之中包含配線基板情 況下,該配線基板亦可採用圖4、5、6、7、8及1 2 所示配線基板之構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (其他實施形態) 以上依較好實施形態說明本發明,但本發明不限於該 實施形態,於申請專利範圍記載之範圍內可做各種變更。 例如,圖1之液晶裝置僅爲單純之一例,適用本發明 之配線構造之液晶裝置,除圖1之構造以外可考慮其他。 例如,圖1之液晶裝置係採用單純矩陣方式之驅動方式, 但可改爲主動矩陣方式之驅動方式。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) —- -32- 1239420 A7 _____B7 __ 五、發明説明(3() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,圖1之液晶裝置中,僅於1片基板之第1基板 7 a形成引出配線1 4 c及1 4 d以及金屬配線1 4 e及 1 4 f ,但於第2基板7 b形成朝第1基板7 a之外側突 出之基板突出部,於第1基板7 a之基板突出部及第2基 板7 b之基板突出部雙方形成引出配線及端子配線等亦可 〇 又,圖1或圖9之液晶裝置中,係構成於液晶面板2 內面配置反射膜之所謂內面反射型液晶裝置,但本發明亦 適用於液晶面板2外側配置反射膜之所謂外面反射型液晶 裝置。 (發明之效果) 如上述說明般,依本發明之配線基板,顯示裝置,及 電子機器,互相鄰接之金屬配線間存在由導電性氧化物形 成之保護配線,故即使互相鄰接之金屬配線間產生電位差 ,亦即產生陽極與陰極之關係情況下,亦可防止陽極側金 屬配線之腐蝕,維持配線基板之電氣特性之長時間良好狀 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 態。又,依本發明之半導體晶片,容易構築上述配線構造 〇 (圖面之簡單說明) 圖1 :使用本發明之配線基板形成之顯示裝置之一例 之液晶裝置之一實施形態之分解狀態斜視圖。 圖2 :圖1之液晶裝置之I I — I I線之側面斷面構 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -33- 1239420 A7 B7
五、發明説明(3D 造之斷面圖。 圖3 :圖2之液晶裝置使用之反射膜之一部分之平面 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖。 圖4 :圖1之液晶裝置使用之配線基板,本發明之配 線基板之一實施形態之平面圖。 圖5 :本發明之配線基板之另一實施形態之平面圖。 圖6 :本發明之配線基板之另一實施形態之平面圖。 圖7 :本發明之配線基板之另一實施形態之分解狀態 之平面圖,一對之配線基板要素分別顯示之圖。 圖8 :圖7之一對配線基板要素組合狀態之平面圖。 圖9 :使用本發明之配線基板形成之顯示裝置之一例 之液晶裝置之另一實施形態之斷面圖。 圖1 0 :圖9之液晶裝置中作爲反射膜機能之電極之 一部分之平面圖。 圖1 1 :本發明之配線基板之另一實施形態之平面圖 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2 :本發明之半導體晶片之一實施形態以及本發 明之配線基板之一實施形態之平面圖。 圖1 3 ··使用本發明之配線基板形成之顯示裝置之一 例之E L裝置之一實施形態之分解狀態斜視圖。 圖1 4 :圖1 3之E L裝置之X I V - X I V線之側 面斷面構造之斷面圖。 圖1 5 :本發明之電子機器之一實施形態之方塊圖。 圖1 6 ··本發明之電子機器之另一實施形態之斜視圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) 一 -34- 1239420 A7 B7 五、發明説明(3$ 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 7 :本發明之配線基板之一實施形態之斜視圖。 (符號說明) 1 :液晶裝置(顯示裝置) 2 :液晶面板 3 a、3 b :液晶驅動用I C (半導體晶片) 4 : F P C (配線基板要素) 6 :照明裝置 7 a、7 b :基板 7 c :基板突出部 8 :密封材 14a、14b :電極 1 4 c、1 4 d :引出配線 1 4 e、1 4 f :端子配線 2 3 :可撓性樹脂薄膜 2 7 :金屬配線端子 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 9 :保護配線 3 2 :光導體 3 2 a :光取入面 3 2 b :光射出面 4 1 :披覆層 5 1 :液晶裝置 59a、59b:突起(端子) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -35 - 1239420 A7 B7 五、發明説明(3$ 6 1 半 導 體 晶 片 6 3 配 線 6 9 a Λ 6 9 b : 突 起 ( 端 7 1 Ε L 裝 置 7 4 a Λ 7 4 b : 電 極 7 4 a Λ 7 4 d : 引 出 配 線 7 4 e 、 7 4 f ·· 端 子 配 線 7 5 a Λ 7 5 b ; F P C 7 7 ; 基 板 B : 有 效 顯 示 區 域 Η E L 發 光 層 L :液晶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -36-

Claims (1)

  1. .3·,:^ 2/1 賓 AB 8 8 CD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第9 0 1 2 5 8 1 5號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年1月24日修正 1 . 一種配線基板,係於基板上形成多數金屬配線的 配線基板,其特徵爲: 在上述多數金屬配線之中互相鄰接之至少一對之間, 形成由導電性興化物構成之保護配線。 2 · —種配線基板,係具互相連接之一對配線基板要 素的配線基板,.其特徵爲具有: 形成於上述一對配線基板要素之一方的多數金屬配線 ;及 形成於上述一對配線基板要素之另一方,由導電性氧 化物構成之至少1個保護配線; 上述一對配線基板要素互相連接,俾使上述保護配線 位於上述多數金屬配線之間。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之配線基板,其中 上述保護配線,係連接於互相鄰接之上述一對金屬配 線中之陽極側。 4 .如申請專利範圍第1或2項之配線基板,其中 上述金屬配線上之一部分或全部,積層有與上述保護 配線爲相同之導電性氧化物。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之配線基板,其中 上述金屬配線,係A u、A g、P d、C u、c r、 ----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ίφ. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239420 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範圍 A 1 、Nd、T 1之任一或包含其之合金。 6 ·如申請專利範圍第1或2項之配線基板’其中 上述導電性氧化物,係包含I Τ〇或氧化錫。 7 . —種配線基板,係具於基板上形成之多數金屬配 線,及安裝於上述基板上之半導體晶片的配線基板,其特 徵爲: 於上述多數金屬配線之至少一對之間具由導電性氧化 物構成之保護配線,該保護配線連接於上述半導體晶片之 高電壓端子,與該保護配線鄰接之上述金屬配線則連接於 上述半導體晶片之低電壓端子。 8 .〜種顯示裝置,係具備:於有效顯示區域內互相 面對之多數第1電極,及第2電極,及該第1電極與第2 電極所挾持之光電物質,及配置於上述有效顯示區域外側 的多數金屬配線的顯示裝置,其特徵爲·· 在上述多數金屬配線之中互相鄰接之至少一對之間及 /或上述多數電極之中互相鄰接之至少一對之間,設置由 導電性氧化,物構成之保護配線。 9 ·如申請專利範圍第8項之顯示裝置,其中 上述光電物質係液晶; 上述多數之第1電極與第2電極,係分別形成於挾持 上述液晶互相面對之一對基板之表面; 上述一對基板之至少一方,係具備由另一方基板突出 之基板突出部; 上述金屬配線係形成於上述基板突出部。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公羡) -2 - ---------—-----1Τ------AV (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239420 A8 B8 C8 D8 T、申請專利範圍 1 0 .如申請專利範圍第8項之顯示裝置,其中 上述光電物質,係包含藉通電發光之E L發光層而形 成; 上述多數第1電極及2第2電極係挾持上述E L發光 層依序積層於共通基板上; 上述金屬配線係形成於上述有效顯示區域外側之上述 基扳上。 1 1 ·如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之顯不 裝置,宜Φ 上述保.護配線,係連接於互相鄰接之上述一對金屬配 線或上述一對電極中之陽極側。 1 2 .如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之顯示 裝置,其中. 於上述金屬配線上之一部分或全部或者上述電極上之 一部分或全部,積層有與上述保護配線爲相同之導電性氧 化物。 1 3 ·如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之顯示 裝置,其中 上述金屬配線或上述電極,係A u、A g、P d、 Cu、Cr、Al 、Nd'Ti之任一或包含其之合金。 1 4 ·如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之顯示 裝置,其中 上述導電性氧化物,係包含I T 0或氧化錫。 1 5 . —種電子機器,係具備:顯示影像的顯示裝置 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 i®. 經、濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -3 - 1239420 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ,及設於該顯示裝置之內部及/或外部的配線基板;其特 徵爲: 上述配線基板,係於基板上形成多數之金屬配線,在 上述多數金屬配線中互相鄰接之至少一對之間形成由導電 性氧化物構成之保護配線。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 -
    -----^1^4-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '1T
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