1233953 玫、發明說明： 發明所屬之技術領域 本發明係與液體處理之浚妒步 ,+ <夜眩處理裝置及液體處理方法有 關者，尤其與在實施光之照射 ^、 、、寺並進行液體處理的液體處 理裝置及液體處理方法有關。 & 處 先前技術 可在對基板實施光之照射之 辟上各 耵芡際，並同時進行液體處理。 s如，在陽極化成處理上，扣 y成有夕晶石夕層之基板浸泡 於處理液體中，並在光之照 扳…包 、 』狀心卜，進仃通電，以此一 万式把夕晶石夕層進行多孔化。此時，光之照射可在多 層内形成正孔，進而促進矽之溶出。 日曰夕 發明内容 在實施光之照射並同時進挪 、凌麵#摁、％ 丁履處理的^況下，以能確保 履m處理 < 均一性為佳。因 ^知 U此在基板 < 各處所上有必要 使各^件均一化，且對基板 性才行。 板 < 光的知射1也必須具備均一 A.基曲於以上理由，本發明的目的為提供一種液體處理 理万法，其係能使對基板之光的照射量維持均一 • : 了達成上述目的’與本發明有關之液體處理裝置係且備 :基板維持台，其係用於維持基板者；處理 ，：： 與前述基板逵拉，n L、 曰兵係 ; 連接且上邵呈開放狀者；框體，其具有内辟 …Μ内土面係對該基板面之垂直方向呈傾斜狀者； 理硬體注入手段’其係用於把前述處理液體注入前述處理 82965 1233953 液體槽内I;處理液體排出手段，其係用於把前述處理液 體從前述處理液體槽内排㈣；及蓋體，其具有光源，並 與前述框體呈可分離之連接者。 由於框體具有内壁面，而該内壁面係對該基板面之垂直方 向呈傾斜狀；因此可防止來自光源往基板方向之照射光受 該内壁面所冑蔽而纟基板上形成陰影，丨可防止受該内壁 面反射的照射光射入絲；以&防止照射光之均一性受^ 破壞。 ⑴㈣處;里裝置亦可進一步具備均一化手段，其係用於把 來自前述光源而照射於前述基板之光量進行均一化者。由 於具備把照射於基板之光量進行均一化的均一化手段，因 此可進一步提升基板處理之均一性。 在此，前述均-化手段係由電力供應手段所構成者；而該 電力供應手段供應給與前述基板之周緣近㈣應之光源的 電力’係比供應給與前述基板之中央近旁對應之光源的電 力為大。λ外，均一化手段亦可與本身具不同輸出之光源 進行組合使用。 如把光源配置於基板之對向位置，貝q由於該配置關係，而 使入射光在基板之周緣比基板之中央容易變得較弱。其原 Q在太基板之中央係與光源整體之中央對應，且位於容 易接受來自光源之照射光的位置上之故。 調整光源《出射光的分佈，可降低因前述光源配置所導致 的入射光K不均一性，進而提升入射光量的均一性。 (2)處理液體注入手段亦可具有處理液體注入口，其係開口 82965 1233953 於前述框體之内壁面上者；而處理液體排出手段亦可 處理視體排出口’其係開口於前述框體之内壁面上者 由於以開^壁面上之處理液體注人口等來進行處理液 fa之注入、㈣，因此來自光源之出射光不會受處理液體 注入用配管所遮蔽，故有助於於提升人射光之均—性。“ (3)前述處理液體注入手段亦可具有處理液體注入用溝栌 ;其係形成於前述框體之内壁面i，且係由前述處_ >王入口朝向前述處理液體槽之底部者。 利用處理液體注入用溝槽可謗導處理液體的流向，故可容 易使處理液體均一地注入處理液體槽内。 如該處^體注人用溝槽呈分支狀，則可利用該分 支來刀割處理液體，來使處理液體更容易均一地、、主入 (:管前述處理液體排出手段亦可具有可移動之處理液體排 在排出處理液體時，把處理液體排出管之先端插入處理液 體中，如此可促進處理液體之排出…在光之昭射時， :1=液體Γ!管避開到不會遮蔽光的位置，則不會影 響對基板 < 入射光的均一性。 ⑺液體處理裝置亦可進—步具備傾斜手段，其係用於使前 述處理液體槽傾斜者。 使處理液體槽傾斜可促進處理液體的排出。 ⑹前述液體處理裝置進—步具備第丄電極，其係用於愈前 述基板進行電性連接者；而前述蓋體可具有第2電極。 如此則可對基板進行電化學之液體處理。 B.與本發明有關之液體處理方法的特徵係在於具備處理 82965 1233953 工序，其係用於對基板實施均一化 體處理者；而該基板係設置於處㈣=射並同時進行液 由於基板被以均一化之光進 呈均一化。 M此對基板艾處理也 ⑴在此’處理工序可具有：載置 置於基板維持a上去._w、、ώ /、係用於把基板載 疔口上者，處理履體槽構 框體連接於前述基 序，其係用於把 J k Α瑕，不構成處理液 係在前述載置工咸μM、一 1 a心者，而可述基板 用、人 7、仃載置者；液體處理工序，里係 用於把處理液體供應到前述處 ，、係 進行液體處理者m _ ’並把前述基板 構成工… 體槽係以前述處理液體槽 構成者；及處理液體排出 述處理液體從前述處理液體 把刖 才曰内係在^液體處理工序上被提供處理液體者。 基板係被載置於基板維持台的狀 订口妁狀怨下，被實施液體處理。 (2)以上液體處理工序亦 斤Τ 了具有處理液體供應工序，其 用處理液體注入用溝样夹加箭 彝柘木把則述處理液體供應到前述處理 液體槽内者；而該處理液體注入 7 J科知1承於則述處理液體 槽之内壁面上形成者。 、 使用處理液體用溝槽，則可對處理液體槽内供應均一 理液體。 (3)前述處理液體排出工序亦 、 斤斫了具有一種工序，其係以可移 動之處理液體排出管來將前述處理液體排出者。 使用可移動之處理液體排出管，則可降低處理液體槽内之 處理液體之殘留量。 82965 -9- 1233953 (4)前述處理液體排出工序亦可具有—種工序，其係在使前 述處理液fa槽由錯直變為傾斜的狀態下，將前述處理液體 排出者。 如此可使處理液體從處理液槽迅速排出，且降低處理液體 之殘留量。 a 實施方式 (第1實施形態） 以下，參考圖4對與本發明之第巧施型態有關之液體處 理裝置10作詳細說明。 圖1係與本释明之第丨實施型態有關之液體處理裝置1〇的 結構之側面圖。 在台座20上設有液體處理槽底部（基板維持台）3〇，而處理 液體槽底部30之上方則設有液體處理槽側部（框體）4〇。如後 所述，處理液體槽側部40和處理液體槽底部3〇構成處理液 體槽5 0。 台座20包含下部台座2丨及上部台座22。該兩者係以支撐棒 25相互連接，而支撐棒25係連接於旋轉軸23及圓筒24上者 。兩者係〃旋轉轴23為旋轉中心、，進行相對旋轉。而如使 圓筒24動作’彳吏支撐棒25伸縮’則可使相對於下部台座21 (液體處理裝置1〇的設置面）之上部台座22，乃至於處理液體 槽50之傾斜㈣產生變化。亦即，圓筒24可發揮使處理液體 槽50傾斜手段的功能。又’圓筒24可使用油壓圓筒。 處理液體槽側部40係以支柱26來支撐，其係由上部台座^ 貫穿處理液體槽底部30而呈凸出狀。支柱⑹系因圓筒27而 在上邵台座22之上面朝垂直方向伸縮；而圓筒_設置於 82965 -10- 1233953 上部台座22之内者。由於支柱％之㈣，因此處理液體槽 側部40可和處理液體槽底部3〇進行接觸或分離。由於處理 液體槽側部40和處理液體槽底部3〇的接觸，因而形成用於 儲存處理液體（藥液）L之處理液體槽（藥液槽部）5〇。又，圓 筒27可使用油壓圓筒。 液體處理裝置10可對基板進行多個液體處理，譬如陽極化 成處理及陽極氧化處理。 在陽極化成處理用之處理液體L1方面，還原劑嬖如可用 氟化氫之水溶液（㈣而界面活化劑譬如可用乙醇和水之 混合溶液；在揚極氧化處理用之處理液體[2方自，氧化劑 譬如可用硫酸水溶液。 在則逑各處理液體L方面，特別是沸酸具有極大腐蝕性。 因此，處理液體槽底部3〇、處理液體槽側部4〇、處理液體 槽蓋部（蓋體）60及後述之密封用環44之處理液體L或其霧氣 所接觸《表面，係採用不受處理液侵蝕之耐蝕性樹脂。 八to而a，耐蝕性樹脂有氟聚合物樹脂（pFA)、聚四氟乙烯 (PTFE)等之氟;素樹脂。 圖係處理液體槽底邵3 〇之詳細結構的部份剖面圖。圖3 系把處理液肢槽盍邵6〇設置於處理液體槽側部糾時的詳細 。構之4 6刮面圖。圖4係由上方觀察處理液體槽側部⑽之 上面圖。圖5係顯示處理液體槽側部40之一部份内面的正面 圖圖6係處理液體槽蓋部60内之後述鹵素燈62配置之上面 圖圖7係相對於處理液體槽側部4〇之鹵素燈62之配置關係 的上面圖。 82965 1233953 在圖2 3中，為了避免干擾，而未顯示支柱26及圓筒 。、基Μ樣的理&，在其後的圖中，亦將支柱％及圓筒 2 7 略。 (處理液體槽底部30之詳細結構） 如圖2所示’在處理液體槽底部3〇維持著被處理體玻璃基 G㈣’處理液體槽底部3〇具有用於維持基板之基板維 =部功能。玻璃基板G被維㈣處理液體槽底部％上，透過 地理硬體槽侧部40底面之開口部（後述之下方開口部43)，使 其上面與處理液體L接觸。 把形成有多與晶碎層之玻璃基板G當作被處理體使用時 ’依照貫際需要’而在玻璃基板G和多結晶咬層之間夾著用 於通電之電性之導體層。又，與導體層呈電性連接之電極 (基板側電極EG)則露出於被處理體的表面。 在被處理體方面，除了形成有多結晶石夕層之玻璃基板〇之 外’亦可使用形成有多結晶秒層之碎、GaAs等之半導體基 板。再者’未形成多結^層之半導體基板（譬如單:晶二 基板）也可作為丨被處理體使用。 在處理液體槽底部30上設有基板升降機構3 i ;其係用於使 玻璃基板G上升，或放下上升後之玻璃基板之用者。該基板 升降機構31係包含：基板支撐部32，其係用於直接支撐玻 璃基板G者；及移動機構33,其係用於使基板支撐部32上下 移動者。 基板升降機構31譬如可設置於玻璃基板G的4個角及中央 5個地方在與玻璃基板G的角或邊以外的中央對應而 82965 -12- 1233953 配置的基板支撐部32方面，其形狀係與玻璃基板G之底面形 狀對應而呈略平板形；相對的，在與玻璃基板G的角或邊對 應而配置的基板支撐部32方面，其形狀係與破璃基板(3之邊 或角的形狀對應。 在移動機構33方面，譬如可使用以壓縮空氣驅動的空氣圓 筒。移動機構33如使用以電驅動之電動馬達亦無不可。 在處理液體槽底部30設有吸附機構34,其係相當於用於固 定玻璃基板G之固定手段者。吸附機構34係於處理液體槽底 部30所形成的孔，利用該孔進行真空吸附，而把玻璃基板g 吸附於處理液體槽底部3 0並使之固定。 處理液體槽底部30具備溫度調節手段，其係用於調節玻璃 基板Gs溫度者（未在圖中顯示）。該溫度調節手段係由熱交 換器或佩爾蒂埃（Peltier)元件等所構成者；而該熱交換器係 使用恆溫之液體者。 (處理液體槽側部40之詳細結構） 處理液體槽側部40具有4個斜面41(41A〜41D)，其係構成 處理液體槽50之内面之一部份者；及上方開口部42、下方 開口邵43，其係分別開口於處理液體槽50之上下者。該斜 面41係從處理液體槽側部4〇之上方開口部42向下方開口部 43由4個方向主傾斜狀。亦即，由於斜面4 1而形成4角錐 。之工間而其係相當於上方開口部42及下方開口部43之 各自的上底、下底者。 則述斜面41所形成的空間係朝上方擴張，其原因在於··為 了使光不受到斜面41的遮蔽（防止陰影的產生），而該光係由 82965 -13- 1233953 後述南素燈6 2向玻璃基板G照射者；且防止被斜面41所反射 的光射入玻璃基板G(防止反射光之再入射）。如產生陰影或 反射光之再入射，則會成光分佈不均一的要因；而該光係 才曰入射到玻璃基板G的光。如前所述，由於防止陰影的產生 及反射光之再入射，因此可使入射到玻璃基板G的光變得均 — 〇 在處理液體槽側邵4 〇之底面設有密封用環4 4;其係相當於 用於防止處理液體L從處理液體槽侧部4〇及玻璃基板G之間 洩漏（基板封膠手段。密封用環44為剖面呈圓形或橢圓形 之〇型環，其保沿著體處理槽側部40之底面的内周及玻璃基 板G之周邊$又置，可保護玻璃基板〇之周緣不受處理液體乙 的影響。 該密封用環44係由耐藥性之橡膠所形成，且係被處理液體 槽底部30(玻璃基板G)所按壓。 在處理液體槽側部40之底面形成有導通用電極45 ;其係形 成於比密封用環44略靠外周之位置，且係用於與玻璃基板g 進行電性導通考。導通用電極45係配置於與破璃基板G之基 板側電極EG對應之位置上。在此，由於密封用環料係配^ 於比導通用電極45略靠處理液槽5〇之内部的位置，因此導 通用電極45可受保護不受處理液體l的影響。 導通用電極45係在處理液體槽5〇的外周側，且固定於處理 液體槽侧部40，而處理液體槽5〇的内周側為可移動之單臂 樑結構。導通用電極45係由同時具有彈性及導電性之材料_ 譬如金屬-所構成者。 82965 -14- 1233953 處理液體槽側部40設有處理液體注入口 46、處理液體排出 口 47及霧氣捕獲口 48(48A、48B)。 處理液體注入口 46係與貫通處理液體槽側部4〇之配管連 接，且係設置於靠上方開口部42的開口部；而上方開口部 42係位於處理液體槽側部40之斜面41A上者。 由於在處理液體槽侧部40内並無配管呈凸出狀，故不會產 生光被遮蔽的現象；而該配管係用於處理液體之注入、排 出者；該光係從後述之鹵素燈62向玻璃基板G照射者。因此 ，照射玻璃基板G的光可獲得均一化。 處理液體注入口 46與多種槽連接；該多種槽係分別裝滿未 在圖中顯示之陽極化成處理用溶液L1、陽極氧化處理用溶 液L2、及處理液體槽50内洗淨用純水w(離子交換水）者。處 理液體注入口 46利用閥來切換該三種槽，可對處理液體槽 5 〇内供應該三種液體。 恩理液體注 ”町两外iA上〜趣$王狄f夏注入用溝槽 49連接。處理液體注入用溝槽的包含溝槽46a，其係與處理 液體注入口 46直接連接，且往下方延伸者；溝槽4心其係 與溝槽46Α垂直交叉者；及多條溝槽46C(46C1〜46C8)，其係 與溝槽偷垂直交叉，且往下方延伸者。溝槽咖〜蚁8的 寬度係隨著離處理液體注入口46的由近到遠而跟著變宽。 從處理液體注入口 46被注入處理液體槽5〇的液體：絲 ==溝槽49。溝槽46C1〜— 夜肢汪入口 46而跟著變寬，其目的在於，使溝梓 •一的液體供應。如溝槽咐之寬度者二 82965 -15- 1233953 ，則靠近處理液體注入口 46者較容易獲得液體供應；因此 ，以溝槽46C之寬度（流動的容易度）來補償因離處理液體注 入口 46之遠近而造成的液體供應難易度，如此確保了供應 量均一性。 處理液體排出口 47係與貫通處理液體槽侧部之配管連 接，且係設置於靠下方開口部43，及與斜面41〇之交界近旁 的開口部；而下方開口部43係位於處理液體槽侧部4〇之斜 面41B上者。從處理液體排出口 47到配管係連接有用於抽吸 處理液體槽50内之液體的幫浦；利用幫浦的動作可排出處 理液體槽50内的液體。 由於處理液體排出口 47係設置於靠斜面41 b之下方開口 邵43 ’因此在進行排出處理液體槽5〇内之液體時，處理液 體<殘留量很少。此外，當使處理液體槽5〇傾斜時，液體 术中於處理液體排出口 47附近，使液體迅速排出。又，改 變使處理液體槽50之傾斜方向，使斜面41B與斜面41D之交 界附近變低，可更進一步加速液體的排出。 蔡氣捕獲口 48.(48A、48B)係設置於處理液體槽側部4〇之 斜面46A、46B之上面附近的橫長型開口部；其係用於捕獲 處理液體L之霧氣（mist)，防止處理液體l之霧氣飛散到處理 液體槽50之外者。與霧氣捕獲口料連接之配管設有霧氣捕 獲用濾網；其係用於捕獲（氣液分離）處理液體L之霧氣（液體 成份），而可只把氣體成份排出者。 (處理液體槽蓋部60之詳細結構） 處理液體槽蓋邵60設有陰極61、鹵素燈62及抽吸管63。 82965 -16- 1233953 相當於光源的齒素燈62(62A〜62H)係朝j軸方向較長。而 f，軸係相互呈平行狀配置。各南素燈62係分別與相當於 知出乙制手段之鹵素燈用電源（未在圖中顯示）連接；其在對 一、輻出铨制上係使·於玻璃基板G之周緣近旁（正確而言 二為露出之玻璃基板G的周緣近旁）之鹵素燈62八、62H比: 於玻璃基板G之中央近旁之鹵素燈62〇、62e具有更多光的輸 出0 、/、目的在於使玻璃基板G得到光的均一化照射。玻璃基板 中央係位於容易接受任何#素燈62照射的位置；而玻璃 基板G之周緣近旁則處於難以接受全部㈣㈣強烈照射 的位置。譬如，在下方開口部43及斜面似之交界近旁之處 、由万、離_素燈62G、62H較遠，因此來自_素燈62G、62h : = 。如前所述，利用#素燈62之光量分佈來針對照 w里曰不均一進行補償，提高照射光量的均-性；而該 照射光量的不均一係因玻璃基板g與卣素燈6 2之配置 應關係所造成者。 二/I不利用J素燈用電源來控制，亦可採取讓*素燈62 照射光量的均—性。格W之㈣燈），來提高 450譬Γοο *素燈62整體具有5°。〜1〇_程度的輸出，以 1 _程度之波長範圍的光對玻璃基板G之上面進行 =;而玻璃基板純被維持於處理液體槽 ==進多孔物成，而多靖在對玻璃基二 《夕結晶石夕層實施陽访 ，、刼極化成處理時所形成者。 82965 -17- 1233953 陰極61係位於鹵素燈62和處理液體槽底部30之間；其具有 透光性’不會遮蔽來自鹵素燈62的光。 而此處所謂透光性，並不限定陰極6 1必須由具透光性之材 料所構成；而是在陰極61上設置開口部，或以線狀材料來 構成陰極6 1之意。在該情況下，陰極6丨之材料可使用無透 光性之白金。 導通用電極45和陰極61係與未在圖中顯示之電源連接。在 處理液體槽50中加滿處理液體L，透過導通用電極45，對玻 瑞基板G之多結晶石夕層通電，則開始進行陽極化成處理或陽 極氧化處理。- 相當於可移動式處理液體排出管的抽吸管63係由管所構 成；而該管係對液體處理槽底部3〇(即相當於處理液體槽5〇 之底面）為可升降，且在與液體處理槽底部30之上面（正確而 言，為玻璃基板G之被處理面）平行的面内為可移動者。又 ’抽吸管63係與未在圖中顯示之處理液體抽吸裝置 (aspirator)連接。處理液體抽吸裝置係利用抽吸管63來抽吸 處理液體L，因此，可使在處理液體排出口 47無法完全排出 的處理液體L從處理液體槽50排出。 (液體處理工序之詳細内容） 圖8為使用液體處理裝置10對形成於玻璃基板G上之多辞 曰曰石夕層連續實施陽極化成處理、陽極氧化處理時之順序的 流程圖。又，圖9到圖19係在圖8所示之各工序上液體處理 裝置10之狀態的部份剖面圖。以下，參考圖9〜1 8針對兮倜 序作說明。再者，如前所述，支柱26及圓筒27並未在圖中' 82965 -18- 1233953 顯示。 (1) 液體處理裝置1〇處於待機狀態；該狀態係用於把玻璃 基板G載置於處理液體槽底部30之用（步驟丨〇丨及圖9)。 在孩狀態下，處理液體槽侧部4〇被支柱26所提高，而與處 理液體槽底部30分離。此外，基板支撐部32被移動機構^ 所挺同’而處於將被載置於玻璃基板G之狀態。 (2) 玻璃基板G被載置於處理液體槽底部3〇上（步驟1〇2及 圖 10)。 具體而言，玻璃基板G被載置於基板支撐部32上。該載置 係以未在圖中顯示之基板搬送機構來進行；其把玻璃基板〇 之被處理面（多結晶矽之形成面）載置於上面。 (3) 把玻璃基板G維持、固定於處理液體槽底部川上（步驟 103及圖 11)。 把玻璃基板G固定於處理液體槽底部3〇的動作係以下列 兩個順序來進行： /·利用移動機構33使基板支撐部32下降，讓玻璃基板G 之下面與處理液體槽底部30之上面直接接觸。 b.利用吸附機構34對玻璃基板G進行真空吸附，使玻璃 基板G固定於處理液體槽底部3〇上。 轉（4)利用支枉26使處理液體槽側部下降，使之與處理液 把=底邵30連接，如此則可用玻璃基板g來壓緊密封用環料 二迨成的結果為··形成封膠，且使導通用電極45和基板 側電極EG接觸；而該封膠係用於防止密封用環44和玻璃基 之間的處理液體洩漏者（步驟104及圖12)。 82965 -19- 1233953 (5)處理夜體槽蓋部60下降，陽極化成用之溶液（處理液 L1)經由處理液體注入口 46、處理液體排出口 47注入處理 液體槽50内，開始進行陽極化成處理（步驟1〇5及圖丨3)。 由万；β封用％ 44之封膠功能，因此當導入處理液體L1時 在處理液胆槽侧邵4〇和處理液體槽底部3〇(玻璃基板g)之 間不會有處理液體L1漏出。處理液體L1之液面被控制在對 處理液體槽50之所定位置±。在#液面之位置控制方法上 ’可採取利用光學方式之液面感測的液面測定，或使用定 量幫浦之導入液量控制。 这處理液體L1之注入，係從處理液體注入口私經由處理 液把注入用溝槽49來進行。因處理液體注入用溝槽49呈分 支狀，因此處理液體L1可均一地注入處理液體槽5〇内。再 者使處理液體〉王入用溝槽49C之寬度離處理液體注入口私 越遠則變得越寬，故可使處理液體L1更均一地注入。 、在處理液體L1之注入結束後，在導通用電_和陰極ο 之間施加電壓，來進行陽極化成處理。在該電壓中如包含 脈衝成份或AC成份亦無不可。就時間平均值而言，所施2 的電壓可使㈣用電極45成為正值，而陰_成為备 可。 、 進行該行陽極化成處理的結果，使多結晶矽層的一部份溶 出於處理液體L1，而形成多個微細的孔穴，即所謂多孔矽 Ik同陽極化成處理，利用鹵素燈62對玻璃基板g上之多釺 晶矽層進行光的照射。該光的照射係使多結晶矽層内 正孔，因此可促進矽之溶出並辅助多孔矽的形成。曰再者， 82965 -20- 1233953 如多結晶矽層為P型的情形，則多結晶矽層内原本就存在著 正孔，因此不一定要實施光的照射。 如前所述，對玻璃基板G實施光的照射可利用以下a•〜c· 的手法而達到均一化。 a·處理液體槽50内之斜面4 1往上方呈傾斜狀擴大。 使因處理液體槽50内面（斜面41)所造成的陰影或反射光 入射到玻璃基板G上。 b.使位於玻璃基板G之周緣之^素燈62之輸出比位於玻 璃基板G之中央附近之鹵素燈62具有更大輸出。 由於鹵素燈62之配置關係，因此玻璃基板G之周緣之光的 照射量容易變得較弱。針對靠近該周緣之^素燈62增加光 量，就可消除因鹵素燈62之配置關係所導致的照射量的不 均'一 〇 c·利用處理液體注入口 46、處理液體排出口叨來進行處 理液體之注入、排出。 亦即，用於處理液體之注入、排出的配管並不配置於鹵素 燈62和玻璃基板G之間，因此不會遮蔽來自鹵素燈62的照射 光。 (6)在陽極化成處理結束後，處理液體L1從處理液體槽5〇 内被排出（步騾106)。 處理液體L 1之排出係以以下順序& ·〜c •來實施。 a.在處理液體槽50處於直立的狀態下，使處理液體匕丨從 處理液體排出口 47排出（圖14)。 b·當處理液體L 1排出到一定程度時，則利用圓筒24使處 82965 -21 - 1233953 理液體槽5G傾斜，使處理液體L1集中到處理液體排出口47 在澹狀心下把處理液體L 1排出（圖1 5)。如此則可降低殘留 於玻璃基板G上之處理液體L1之量。 、C.依照需要，可使抽吸管63移動、下降到處理液體槽5〇 之角落（處理液體L1集中之處），來抽吸處理液體^。其結果 為可進步卩牛低殘留於玻璃基板G上之處理液體L丨之量 (圖 16)。 可利用液面感測器來檢出下降後之液面的位置及處理液 體Ll《殘存量，使前述a.〜c·的切換自動進行。亦即，當處 理液體L1之殘-存量來到各自所定之基準值以下時，則自動 進行由a·到b·，由b.到c.的切換。 (7)進行玻璃基板G之洗淨及親水化處理（步騾ι〇7) 在進行玻璃基板G之洗淨之前，先利用圓筒24使處理液體 槽50恢復為直立狀態。接著，從處理液體注入口 46向處理 液體槽50内汪入用於稀釋處理液體L1的純水w(圖丨乃。處理 液體注入口 46之處理液體L1與純水w注入的切換動作，可利 用閥來進行之 以純水W進仃稀釋、增量後的處理液體L1係經由步驟Μ% 所述之三個順序而被排出。亦即，a•使處理液體槽5〇處於 直立的狀態下’從處理液體排出口 47排& ;b•使處理液體槽 50處於傾斜的狀態T，從處理液體㈣口 47排& ; c·利用抽 吸管63進行排出。用於顯示前述順序a•〜c•的圖係與步驟 S1〇6所述之圖14〜16並無實質上的差異，因此省略之。“ 以純水W;王入來稀釋處理液體L1及把稀釋後之處理液體 82965 -22- 1233953 L1排出的動作，可依照需要而多次重複實施。反覆實施稀 釋、排出的結果，可使殘留於玻璃基板G上之處理液體u 稀薄到不會景> 響下一行程之進行的程度。如前所述，可透 過對處理液體L1進行稀釋及排出，來洗淨玻璃基板G。 依照步驟S106、步騾S107之各順序a·〜c.，降低了處理液 體匕1·^殘存量及稀釋後之處理液體L1之殘存量，因此可減 少重複實施的次數，並促進洗淨工序的進行。 在玻璃基板洗淨結束後，對玻璃基板G之被進行陽極 化多結晶石夕層滴下界面活化劑。其所產生的結果為 •多結晶石夕層一之表面被界面活化劑所濕潤，而產親水性。 其目的在於，防止陽極化成所產生之多孔矽變為乾燥，及 確保隨後之陽極氧化處理的均一性。再者，前述界面活化 劑的滴下動作可利用抽吸管63來進行。 (8)接著，實施陽極氧化處理（步驟1〇8及圖18) 液陽極氧化處理之前’把陽極氧化處理用溶液(處理 "仗理，夜體、/王入口 46導入處理液體槽50内，直到並 到達所定之液面為止。 八 义處理/U2的汪入動作’係從處理液體注入 處理液體注入用溝样49炎、佳疒· σ，匕 、、工由 心未進仃，且與步驟1〇5大約相同，# 入:溝槽49之:支及處理液 、、 來使處理液體L2的注入得到均—化。 氧=理在=用電一極61之間施加電壓，實施陽極 值而言，所施加二剩如步驟Sl〇5所述，就時間平均 、包壓可讓導通用電極45成為陽極，而讓 82965 -23- 1233953 陰極61成為陰極即可，並不需要使用完全具有dc成份者。 實施此陽極氧化處理的結果，可使多孔矽之表面形成氧化 層；而該多孔石夕係由陽極化成處理所形成者。 (9) 在陽極氧化處理結束後，處理液體L2從處理液體槽 内被排出（步驟109)。 處理液體L2係經由步驟§ 1 〇6所述之三個順序而被排出。 亦即，a·使處理液體槽5〇處於直立的狀態下，從處理液體排 出口 47排出；b.使處理液體槽5〇處於傾斜的狀態下，從處理 液體排出口 47排出；c•利用抽吸管63進行排出。用於顯示前 述順序a.〜c.的，係與步騾sl〇6所述之圖14〜16並無實質上 的差異，因此省略之。 (10) 進行玻璃基板G之洗淨及親水化處理（步驟丨1〇) 在進行玻璃基板G之洗淨之前，先利用圓筒24使處理液體 槽50恢復為直立狀態。接著，從處理液體注入口 46向處理 液體槽50内注入用於稀釋處理液體L2的純水…（圖17)。 以純水w進行稀釋、增量後的處理液體L2係經由步驟“π 心二個順序而被棑出。亦即，a·使處理液體槽50處於直立 的狀〜、下從處理液體排出口 47排出；b·使處理液體槽5〇
上的差異，因此省略之。
釋、排出的結果 •μ千越垤液體L 1及把稀釋後之處理液體 依知需要而多次重複實施。反覆實施稀 可使殘留於玻璃基板G上之處理液體L1 82965 -24- 1233953 %薄到不會影響下一行程之進行的程度。如前所述’可透 過對處理液體L1進行稀釋及㈣，來洗淨破璃基板g。 踢依照步驟S109、步驟S110之各順序&.〜c·，降低了處理液 :L1《殘存量及稀釋後之處理液體。之殘存量，因此可滅 少重複實施的次數，並促進洗淨工序的進行。 此洗淨工序與步驟S107相異之處在於：處理液㈣變為 處理液體L2，及不實施親水化處理。 ⑼使處理液體槽側部40上升，解除密封用環料之對玻 瑪基板G的封膠，及解除導通用電極45與基板側電極EG之間 的電性連接（步騾S 111及圖11)。 ⑽使已被;先淨之玻璃基板〇之纟面進行乾燥（步驟 S111) 〇 、此乾‘作業，譬如可利用風刀S、旋乾法等來吹散殘留 於玻璃基板G表面之洗淨液。 接著’停止以吸附機構34向液體處理槽底部3〇之對玻璃基 板G的吸附動作。然後，利用移動機構”使基板支撐部η上 升，並以未在霣中顯示之基板搬送機構，從基板支撐㈣ 上把玻璃基板G取下。 (其他之實施型態） 本發明之實施型態並不限於前述實施型態，而可以進行擴 大、變更；擴大、變更後之實施型態亦包含於本發明之技 術範圍。 ⑴备如，在上述實施型態中，自素燈62係朝】轴方向呈 長尺狀，且係使用圓筒狀（類似線光源）者；但如與呈球狀之 82965 -25- 1233953 不可。又，並金、 ”數I W可按需 光源（類似點光源）組合使用亦無 要來決定。 (2)又，在上述實施型態中，僅在處理液體排出時，才使 :理液體槽50傾斜；但如讓處理液體槽5〇—開始處理便唾 常維持傾斜狀態，亦無不可。此時之處理液體槽5〇的賴: ，只要在基板處於被固定的情況下，就可以進行 、 之步驟S103〜S111之間）〇 ° 回 此外，傾斜角亦可接近垂直；其—例如圖19所示。圖η 所π <處理液體槽蓋部6〇 A中設有封膠構件65 ;其可防止處 理液體等從與處理液體槽側部4〇A之間洩漏。其結果為，不 需要設置霧氣捕獲口 48。 產業上利用的可能性 利用與本發明有關之液體處理裝置及液體處理方法，可在 光 < 照射狀態下，可進行效率良好的基板處理。 圖式簡單說明 圖1係與本發明之第丨實施型態有關之液體處理裝置的部 份剖面圖。 圖2係顯示圖i液體處理槽底部詳細結構的部份剖面圖。 圖3係顯示圖丨液體處理槽蓋部設置於液體處理槽側部時 的詳細結構之部份剖面圖。 圖4係由上方觀察圖1所示液體處理槽側部之上面圖。 固5係卜員示圖1所示液體處理槽側部之一部份内面的正面 圖6係頭不液體處理槽蓋部内之函素燈配置之上面圖。 82965 -26- 1233953 圖7係顯示相對於液體處理側部之卣素燈之配置關係之上 面圖。 圖8係使用與第1實施型態有關之液體處理裝置，連續實施 陽極化成處理、陽極氧化處理時之順序之一例的流程圖。 圖9係待機狀態之與第丨實施型態有關之液體處理裝置的 邵份剖面圖。 圖10係在玻璃基板G載置於液體處理槽底部上的狀態下 ，與第1實施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖。 圖11係把玻璃基板G固定於液體處理槽底部上的狀態下 ，與第1實施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖。 圖12係把玻璃基板G進行封膠及實施電性導通的狀態下 ，與第1實施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖。 、圖係進行陽極化成處理的狀態下，與第(實施儀關 之液體處理裝置的部份剖面圖。 圖14係以直互狀態進行陽極化成處理 \幾王敗岐艾排出時，與第 1貫施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖。 〜圖15係以傾斜狀態進行陽極化成處理液體之排出時，與第 1實施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖 圖16係以抽吸管進行陽極化成處理液 ^ 夂排出時，與罘1 貫施型態有關之液體處理裝置的部份剖面圖。 圖17係在進行玻璃基板之洗淨狀態下，與第i會施型態有 關之液體處理裝置的部份剖面圖。 與第1實施型態有 圖18係在進行陽極氧化處理之狀態下 關之液體處理裝置的部份剖面圖。 82965 -27- 1233953 圖1 9係液體處理裝置之變形例的部份剖面圖。 圖式代表符號說明 10 液體處理裝置 20 台座 21 下部台座 22 上部台座 24, 27 圓筒 25 支撐捧 26 支柱 30 ^ 處理液體槽底部 31 基板升降機構 32 基板支撐部 33 移動機構 34 吸附機構 40 處理液體槽側部 42 上方開口部 43 下方開口部 44 密封用環 45 導通用電極 46 處理液體注入口 47 處理液體排出口 48 霧氣捕獲口 49 處理液體注入用溝槽 50 處理液體槽 82965 -28- 1233953 60 處理液體槽蓋部 61 陰極 62, 62A〜62H 鹵素燈 63 抽吸管 65 封膠構件 41 斜面 46 溝槽 23 旋轉軸 41 A 〜41D 斜面 48A， 48B - 霧氣捕獲口 LI 處理液體 L2 處理液體 G 玻璃基板 82965 -29-