JPH0563075A - 多孔質半導体層の製造方法 - Google Patents
多孔質半導体層の製造方法Info
- Publication number
- JPH0563075A JPH0563075A JP3221487A JP22148791A JPH0563075A JP H0563075 A JPH0563075 A JP H0563075A JP 3221487 A JP3221487 A JP 3221487A JP 22148791 A JP22148791 A JP 22148791A JP H0563075 A JPH0563075 A JP H0563075A
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- Japan
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- semiconductor layer
- porous semiconductor
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- hydrofluoric acid
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 安価で汚染が無く均一な多孔質半導体層の製
造方法を提供する。 【構成】 シリコン単結晶の基板を弗化水素酸で陽極化
成して多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層の製造
方法において、以下の工程を有する事を特徴とする多孔
質半導体層の製造方法を採用したものである。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を弗化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
造方法を提供する。 【構成】 シリコン単結晶の基板を弗化水素酸で陽極化
成して多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層の製造
方法において、以下の工程を有する事を特徴とする多孔
質半導体層の製造方法を採用したものである。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を弗化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、安価で汚染が無く均一
な多孔質半導体層の製造方法に関するものである。
な多孔質半導体層の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来より一般に使用されている従
来例の要部構成説明図で、例えば、特開昭５８−１４０
１３１号、特願昭５７−２３０６２号、発明の名称「半
導体装置の製造方法」、昭和５７年２月１６日出願、昭
和５８年８月１９日出願公開に示されている。
来例の要部構成説明図で、例えば、特開昭５８−１４０
１３１号、特願昭５７−２３０６２号、発明の名称「半
導体装置の製造方法」、昭和５７年２月１６日出願、昭
和５８年８月１９日出願公開に示されている。
【０００３】図において、１はシリコン基板支持体、２
は酸化シリコン層、３はシリコン基板、４はステンレス
電極板、５は白金板、６は沸化水素酸、７は交流電源で
ある。
は酸化シリコン層、３はシリコン基板、４はステンレス
電極板、５は白金板、６は沸化水素酸、７は交流電源で
ある。
【０００４】以上の構成において、交流電源により交流
が印加されると、陽極化成されてシリコン基板に多孔質
半導体層が形成される。
が印加されると、陽極化成されてシリコン基板に多孔質
半導体層が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な製造方法においては、 （１）半導体基板に電極を取付ける必要があり、プロセ
スが複雑になる。 （２）電解を印加するために装置が複雑になる。また、
均一な電界を掛けるための工夫が必要となる。 （３）白金などの金属を陰極に用いる為、半導体基板が
汚染される可能性がある。
な製造方法においては、 （１）半導体基板に電極を取付ける必要があり、プロセ
スが複雑になる。 （２）電解を印加するために装置が複雑になる。また、
均一な電界を掛けるための工夫が必要となる。 （３）白金などの金属を陰極に用いる為、半導体基板が
汚染される可能性がある。
【０００６】本発明は、この問題点を解決するものであ
る。本発明の目的は、安価で汚染が無く均一な多孔質半
導体層の製造方法を提供するにある。
る。本発明の目的は、安価で汚染が無く均一な多孔質半
導体層の製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、シリコン単結晶の基板を沸化水素酸で陽
極化成して多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層の
製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とする
多孔質半導体層の製造方法を採用した。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を沸化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
に、本発明は、シリコン単結晶の基板を沸化水素酸で陽
極化成して多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層の
製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とする
多孔質半導体層の製造方法を採用した。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を沸化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
【０００８】
【作用】以上の製造方法において、ｐｎ接合のある半導
体基板に、光が照射された場合、空乏層で発生した電子
正孔対は、ｐｎ接合によって作られた電界によって、電
子はｎ形部、正孔はｐ形部へと流れ込む、一方、ｎ形部
とｐ形部とは、沸化水素酸によって短絡されて居る為、
沸化水素酸中をｐ形部からｎ形部へ電流が流れる。電流
が流れ出すｐ形部は、多孔質半導体層化され、流れ込む
ｎ形部は多孔質半導体層化されずに残る。この多孔質半
導体層に寄与する電流は、照射される光の強度に比例す
る。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
体基板に、光が照射された場合、空乏層で発生した電子
正孔対は、ｐｎ接合によって作られた電界によって、電
子はｎ形部、正孔はｐ形部へと流れ込む、一方、ｎ形部
とｐ形部とは、沸化水素酸によって短絡されて居る為、
沸化水素酸中をｐ形部からｎ形部へ電流が流れる。電流
が流れ出すｐ形部は、多孔質半導体層化され、流れ込む
ｎ形部は多孔質半導体層化されずに残る。この多孔質半
導体層に寄与する電流は、照射される光の強度に比例す
る。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【０００９】
【実施例】図１〜図３は、本発明の一実施例の製造方法
説明図である。 （ａ）図１に示す如く、半導体基板１１にｐｎ接合部１
２を形成する。 （ｂ）図２に示す如く、半導体基板１１を沸化水素酸１
３中に浸す。１４は、容器である。 （ｃ）図２に示す如く、半導体基板１１に光源１５から
光を照射して陽極化成して、図３に示す如く、多孔質半
導体層１６を形成する。 なお、この後、高温中で酸化する事により、多孔質半導
体層１６の部分は、酸化され、ｎ形部分が酸化膜中に島
状に残り、素子分離ができる（ＦＩＰＯＳ法）。
説明図である。 （ａ）図１に示す如く、半導体基板１１にｐｎ接合部１
２を形成する。 （ｂ）図２に示す如く、半導体基板１１を沸化水素酸１
３中に浸す。１４は、容器である。 （ｃ）図２に示す如く、半導体基板１１に光源１５から
光を照射して陽極化成して、図３に示す如く、多孔質半
導体層１６を形成する。 なお、この後、高温中で酸化する事により、多孔質半導
体層１６の部分は、酸化され、ｎ形部分が酸化膜中に島
状に残り、素子分離ができる（ＦＩＰＯＳ法）。
【００１０】以上の製造方法において、ｐｎ接合のある
半導体基板１１に、光１５が照射された場合、空乏層で
発生した電子正孔対は、ｐｎ接合によって作られた電界
によって、電子はｎ形部、正孔はｐ形部へと流れ込む、
一方、ｎ形部とｐ形部とは、沸化水素酸１３によって短
絡されて居る為、沸化水素酸１３中をｐ形部からｎ形部
へ電流が流れる。電流が流れ出すｐ形部は、多孔質半導
体層１６化され、流れ込むｎ形部は多孔質半導体層１６
化されずに残る。この多孔質半導体層１６化に寄与する
電流は、照射される光１５の強度に比例する。
半導体基板１１に、光１５が照射された場合、空乏層で
発生した電子正孔対は、ｐｎ接合によって作られた電界
によって、電子はｎ形部、正孔はｐ形部へと流れ込む、
一方、ｎ形部とｐ形部とは、沸化水素酸１３によって短
絡されて居る為、沸化水素酸１３中をｐ形部からｎ形部
へ電流が流れる。電流が流れ出すｐ形部は、多孔質半導
体層１６化され、流れ込むｎ形部は多孔質半導体層１６
化されずに残る。この多孔質半導体層１６化に寄与する
電流は、照射される光１５の強度に比例する。
【００１１】この結果、半導体基板上にｐｎ接合部１２
を作り、その基板１１に、外部より光を照射する事によ
って、無電界で、しかもｐ形部のみを多孔質化する事が
出来る。したがって、 （１）装置の構成が単純である。 （２）半導体基板１１に電極を構成する必要がない（プ
ロセスが簡略化） （３）均一な多孔質半導体層１６が出来る。 （４）汚染がない。 （５）Ｐ形部、ｎ形部の形成の仕方によって、必要な構
造が得られる。
を作り、その基板１１に、外部より光を照射する事によ
って、無電界で、しかもｐ形部のみを多孔質化する事が
出来る。したがって、 （１）装置の構成が単純である。 （２）半導体基板１１に電極を構成する必要がない（プ
ロセスが簡略化） （３）均一な多孔質半導体層１６が出来る。 （４）汚染がない。 （５）Ｐ形部、ｎ形部の形成の仕方によって、必要な構
造が得られる。
【００１２】なお、多孔質半導体層１６を生じさせる電
流が大きくなると、多孔質半導体層１６は沸化水素酸中
に溶けだし、エッチングされるようになる。これは電解
エッチングという現象である。本発明の場合、多孔質半
導体層１６を生じさせる電流は、光の強度に比例する
為、光源１５の強度を変えることによって、電解エッチ
ングを起こす事が可能である。
流が大きくなると、多孔質半導体層１６は沸化水素酸中
に溶けだし、エッチングされるようになる。これは電解
エッチングという現象である。本発明の場合、多孔質半
導体層１６を生じさせる電流は、光の強度に比例する
為、光源１５の強度を変えることによって、電解エッチ
ングを起こす事が可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、シリコ
ン単結晶の基板を沸化水素酸で陽極化成して多孔質半導
体層を形成する多孔質半導体層の製造方法において、以
下の工程を有する事を特徴とする多孔質半導体層の製造
方法を採用した。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を沸化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
ン単結晶の基板を沸化水素酸で陽極化成して多孔質半導
体層を形成する多孔質半導体層の製造方法において、以
下の工程を有する事を特徴とする多孔質半導体層の製造
方法を採用した。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を沸化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
【００１４】この結果、半導体基板上にｐｎ接合部を作
り、その基板に、外部より光を照射する事によって、無
電界で、しかもｐ形部のみを多孔質化する事が出来る。
したがって、 （１）装置の構成が単純である。 （２）半導体基板に電極を構成する必要がない（プロセ
スが簡略化） （３）均一な多孔質半導体層が出来る。 （４）汚染がない。 （５）Ｐ形部、ｎ形部の形成の仕方によって、必要な構
造が得られる。
り、その基板に、外部より光を照射する事によって、無
電界で、しかもｐ形部のみを多孔質化する事が出来る。
したがって、 （１）装置の構成が単純である。 （２）半導体基板に電極を構成する必要がない（プロセ
スが簡略化） （３）均一な多孔質半導体層が出来る。 （４）汚染がない。 （５）Ｐ形部、ｎ形部の形成の仕方によって、必要な構
造が得られる。
【００１５】従って、本発明によれば、安価で汚染が無
く均一な多孔質半導体層の製造方法を実現することが出
来る。
く均一な多孔質半導体層の製造方法を実現することが出
来る。
【図１】本発明の一実施例のｐｎ接合工程説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の陽極化成工程説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例の多孔質半導体層の説明図で
ある。
ある。
【図４】従来より一般に使用されている従来例の製造方
法説明図である。
法説明図である。
１１…半導体基板 １２…ｐｎ接合 １３…沸化水素酸 １４…容器 １５…光源 １６…多孔質半導体層
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン単結晶の基板を沸化水素酸で陽極
化成して多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層の製
造方法において、 以下の工程を有する事を特徴とする多孔質半導体層の製
造方法。 （ａ）前記半導体基板にｐｎ接合部を形成する工程。 （ｂ）該半導体基板を沸化水素酸に浸す工程。 （ｃ）前記半導体基板に光を照射して陽極化成して多孔
質半導体層を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221487A JPH0563075A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 多孔質半導体層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221487A JPH0563075A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 多孔質半導体層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563075A true JPH0563075A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16767487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221487A Pending JPH0563075A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 多孔質半導体層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086591A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Fujikura Ltd | 貫通電極の製造方法および貫通電極 |
| WO2003062504A1 (fr) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procédé de traitement de liquide |
| WO2003062505A1 (fr) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede d'anodisation |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3221487A patent/JPH0563075A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086591A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Fujikura Ltd | 貫通電極の製造方法および貫通電極 |
| JP4717290B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-07-06 | 株式会社フジクラ | 貫通電極の製造方法 |
| WO2003062505A1 (fr) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede d'anodisation |
| US7169283B2 (en) | 2002-01-21 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Anodization device and anodization method |
| WO2003062504A1 (fr) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procédé de traitement de liquide |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |