TWI783550B

TWI783550B - 陽極化成裝置及陽極化成方法

Info

Publication number: TWI783550B
Application number: TW110123129A
Authority: TW
Inventors: 松尾美恵
Original assignee: 日商鎧俠股份有限公司
Priority date: 2021-02-10
Filing date: 2021-06-24
Publication date: 2022-11-11
Also published as: JP7536676B2; TW202231936A; TW202305191A; CN114908392A; JP2022122494A; US20220251722A1

Abstract

實施形態係主要有關陽極化成裝置及陽極化成方法。根據實施形態時，陽極化成裝置係包含可進行基板之陽極化成處理之第1處理槽(10)、和可保持基板之保持器(11)、和於第1處理槽(10)，可供給第1電解液之第1電解液供給系統(13)。保持器(11)係在基板(110)對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，將基板浸漬於第1電解液。在基板對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，執行陽極化成處理。

Description

陽極化成裝置及陽極化成方法

實施形態係主要有關陽極化成裝置及陽極化成方法。相關申請本申請案係主張日本特許出願2021-19756號(申請日:2021年2月10日)為基礎申請之優先權。本申請係參照此基礎申請，包含基礎申請之所有內容。

已知有經由陽極化成，於基板表面，形成多孔質膜之技術。

實施形態係提供於基板表面，可形成面內均勻性優異之多孔質膜的陽極化成裝置及陽極化成方法。關於實施形態之陽極化成裝置係包含可進行基板之陽極化成處理之第1處理槽、和可保持基板之保持器、和於第1處理槽，可供給第1電解液之第1電解液供給系統。保持器係在基板對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，將基板浸漬於第1電解液。在基板對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，執行陽極化成處理。

以下，對於實施形態，參照圖面加以說明。然而，於以下之說明中，對於具有略為相同之機能及構成之構成要素，附上同一符號，重複說明則在必要時加以進行。又，示於以下之各實施形態係例示具體化此實施形態之技術思想之裝置或方法，實施形態之技術思想係並非將構成零件之材質、形狀、構造、配置等特定於下述者。 1.第1實施形態對於關於第1實施形態之陽極化成裝置加以說明。本實施形態中，對於在於半導體基板(以下，單純表記成「基板」)之表面，形成矽之多孔質層(例如，多孔Si層)之陽極化成裝置加以說明。 1.1　陽極化成裝置之基本構成首先，對於陽極化成裝置之基本構成之一例，使用圖1加以說明。圖1係陽極化成裝置之構成圖。如圖1所示，陽極化成裝置1係包含陽極化成槽10、陽極保持器11、第1電解液供給系統13、濃度調整部14、溫度調整部15、第2電解液供給系統16、電流源17、及控制電路18。陽極化成槽10係使用於陽極化成處理之處理槽。陽極化成槽10係例如具有圓筒形狀。陽極化成槽10之內徑係較陽極保持器11之外徑為大。陽極化成槽10係使用絕緣材料。於陽極化成槽10中，連接配管201及配管202。配管201係從第1電解液供給系統13向陽極化成槽10，供給第1電解液時所使用。第1電解液係使用於陽極化成處理之液體，至少包含氟化氫(HF)之電解液。配管202係從陽極化成槽10向第1電解液供給系統13，回流第1電解液時所使用。於陽極化成槽10之槽內，設置陰電極槽101、陰電極(陰極)102、過濾器103、及擴散板104。陰電極槽101係於陽極化成槽10供給第1電解液時，經由與擴散板104組合，做為淋浴噴頭之框體工作。陰電極槽101係例如具有圓筒形狀。陰電極槽101之內徑係例如與陽極化成處理之對象之基板110之外徑相同或其以上者為佳。陰電極槽101係使用絕緣材料。陰電極槽101之底面係接觸於陽極化成槽10內之底面。陰電極槽101之上端之開口部係使擴散板104對於第1電解液之液面傾斜安裝，對於陰電極槽101之底面而言為傾斜者。陰電極102係做為陽極化成處理之陰極工作。陰電極102係例如具有圓盤形狀。陰電極102係接觸於陰電極槽101內之底面。陰電極102之直徑係例如與陰電極槽101之內徑相同。陰電極102係經由導電材料所構成，使用對於第1電解液反應性低(幾乎不溶解於第1電解液)之材料。於陰電極102，例如做為塗佈材，可為使用碳、鑽石、Pt、Au等之導電材料。又，塗佈材係可為玻璃狀之纖維碳、塗佈鑽石之矽等。過濾器103係於陰電極槽101內，設於陰電極102之上方。換言之，過濾器103係設於陰電極102與擴散板104之間。過濾器103係陽極化成處理時，除去在陰電極102產生之粒子。例如，於陰電極102之電極材料，使用難溶解於第1電解液之材料時，可能由於經年累月之劣化等，促使電極之氧化，進而產生粒子。產生粒子時，有阻礙陽極化成處理所進行多孔質矽之形成之可能性。可經由過濾器103除去之粒子之尺寸係可任意加以設計。例如，做為過濾器103，可使用可除去粒徑0.01μm以上之粒子的過濾器。本實施形態中，配管201之一端係設置成貫通陽極化成槽10之底部、陰電極槽101之底部、陰電極102、及過濾器103，於陰電極槽101內，從第1電解液供給系統13供給第1電解液。擴散板104係於陰電極槽101之上端之開口部，對於第1電解液之液面(或陽極化成槽10及陰電極槽101之底面)，以傾斜角度θ(0°＜θ＜90°)之狀態加以固定。於擴散板104中，設置為擴散第1電解液之複數之孔，孔之直徑及配置係可任意加以設計。第1電解液係經由擴散板104擴散之後，供給至固定於陽極保持器11之基板110之表面(陽極化成之面)。以下，將經由陽極化成處理形成多孔質層之面，表記為基板110之表面，未形成多孔質層之面，表記為基板110之背面。擴散板104係經由絕緣材料所構成，使用對於第1電解液反應性低(幾乎不溶解)之材料。例如，於擴散板104，係使用PTFE(聚四氟乙烯)、聚氯乙烯、或施以帶電防止對策之材料為佳。陽極保持器11係做為固定基板110保持器工作。陽極保持器係陽極化成處理時，伴隨基板110，浸漬於第1電解液。陽極保持器11係包含基座111、陽電極(陽極)112、及晶圓夾具113。基座111係例如具有圓盤形狀。基座111之直徑係例如基板110之直徑以上。基座111中，例如使用絕緣材料。陽電極112係做為陽極化成處理之陽極工作。陽電極112係例如具有圓盤形狀。陽電極112之直徑係例如與基座111之直徑相同。陽電極112係陽極保持器11之至少一部分及基板110，浸漬於陽極化成槽10內之第1電解液之狀態，接觸於基座111之底面。陽電極112係經由導電材料所構成，例如使用對於後述第2電解液反應性低之材料。於陽電極112中，例如做為塗佈材，可為使用碳、鑽石、Pt、Au等之導電材料。又，塗佈材係可為玻璃狀之纖維碳、塗佈鑽石之矽等。晶圓夾具113係具有圓筒形狀。例如，於晶圓夾具113之側面，設有為固定基座111及陽電極112之溝。又，於晶圓夾具113之下端，設有為固定基板110之邊緣密封材。晶圓夾具113之外徑係較基板110、基座111及陽電極112之外徑為大。晶圓夾具113之邊緣密封材係在陽極保持器11之至少一部分及基板110浸漬於陽極化成槽10內之第1電解液之狀態，使基板110之表面朝向下側(擴散板104側)，接觸於基板110之外周整面，固定基板110。晶圓夾具113係不接觸基板110之背面(未陽極化成之面)與陽電極112下，且與基板110和陽電極112成為平行，以固定基板110與陽電極112。晶圓夾具113係經由絕緣材料所構成，使用對於第1電解液及第2電解液反應性低(幾乎不溶解)之材料。例如，於擴散板104，係PTFE、聚氯乙烯或施以帶電防止對策之材料為佳。本實施形態中，為在基板110與陽電極112之間取得導通，在經由基板110之背面、和陽電極112、和晶圓夾具113所構成之空間內，從第2電解液供給系統16，供給導電性之第2電解液。更具體而言，陽極保持器11中，連接有為從第2電解液供給系統16向陽極保持器11，供給第2電解液之配管203、及為於第2電解液供給系統16，回流第2電解液之配管204。配管203及204係設置成貫通基座111及陽電極112，於上述空間內，從第2電解液供給系統16供給第2電解液。換言之，陽電極112與基板110之間，被第2電解液充滿。陽極化成處理時，電解第2電解液，於上述空間內，會有產生氣體之情形之故，此時，放出氣體之路徑可設於陽極保持器11內。然而，本例之中，雖對於在於基板110與陽電極112間，供給第2電解液，取得基板110與陽電極112之導通之情形加以說明，但未限定於此。例如，可接觸基板110之背面與陽電極112。在與陽電極112之基板110接觸之面，可設置對於植入高濃度之摻雜物之低阻抗層或基板110，得到電性接觸之金屬。陽極保持器驅動機構12係固定於基座111之上面之中心部。陽極保持器11之至少一部分及基板110，浸漬於陽極化成槽10內之第1電解液之狀態中，基座111係可經由陽極保持器驅動機構12加以旋轉。換言之，陽極保持器驅動機構12係在與設置基座111之陽電極112之面對向之面之中心部，可旋轉固定基座111。陽極保持器驅動機構12係具有在將基座111傾斜角度θ之狀態下，將基座111之至少一部分，浸漬於陽極化成槽10，且在該狀態為進行旋轉之機構。由此，本實施形態之陽極保持器11之至少一部分及基板110，係於陽極化成槽10之第1電解液，對於液面傾斜角度θ之狀態下，浸漬於第1電解液。陽極保持器驅動機構12則經由將基板110及陽電極112傾斜角度θ，基板110及陽電極112與擴散板104係在陽極化成處理之時，配置成平行狀態。基板110及陽電極112與擴散板104經由配置成平行狀態，提升關於基板110之電流密度之面內均勻性。然而，陽電極112與擴散板104係可配置成平行狀態，亦可配置成非平行狀態。即使陽電極112與陰電極102未配置成平行狀態，陽電極112與陰電極102間之距離為不均勻之時，經由基板110與擴散板104配置成平行狀態，可提升關於基板110之電流密度之面內均勻性。更且，對於陽極化成槽10之底面或第1電解液之液面，擴散板104與基板110傾斜向同方向傾斜之時，可提升關於基板110之電流密度之面內均勻性。對於陽極保持器11之旋轉狀態之具體例，使用圖2加以說明。圖2係顯示旋轉狀態之陽極保持器11之剖面及基座111之上面圖。如圖2所示，陽極保持器驅動機構12係將基座111傾斜角度θ之狀態下，以陽極保持器驅動機構12做為旋轉軸，加以旋轉。然而，經由將基座111傾斜角度θ，基板110及陽電極112亦成為傾斜角度θ之狀態。例如，陽極保持器驅動機構12係將基座111及基板110，在10~100rpm之範圍加以旋轉。接著，對於第1電解液供給系統13，使用圖1加以說明。第1電解液供給系統13係向陽極化成槽10，供給第1電解液。第1電解液係使用於陽極化成處理之液體。做為第1電解液係例如使用包含氟化氫(HF)之液體。更具體而言，例如於第1電解液，使用HF溶液、與乙醇或IPA(異丙醇)之混合液。本實施形態之第1電解液供給系統13係在陽極化成槽10與第1電解液供給系統13之間，具有為循環第1電解液之機能。第1電解液供給系統13係藉由配管201，於陰電極槽101內，供給濃度調整之第1電解液，藉由配管202，從陽極化成槽10回收第1電解液。然而，第1電解液供給系統13係亦可不具有第1電解液之循環機能。此時，配管202則廢棄，陽極化成槽10內之第1電解液則做為廢液被處理。第1電解液供給系統13係包含原料供給部131、混合槽132及泵133。原料供給部131係根據控制電路18及濃度調整部14之控制，於混合槽132，供給第1電解液之原料。原料係例如可為HF溶液、醇及DIW(去離子水)等。然而，於原料中，可使用液體以外之材料。混合槽132係使用配管202，於從陽極化成槽10回收之第1電解液，混合自原料供給部131供給之原料，在陽極化成處理，為生成可使用之第1電解液之槽。泵133係將在混合槽132生成之第1電解液，藉由配管201，加壓輸送至陰電極槽101內。然而，泵133係可使用於輸送至未圖示混合槽132內之第1電解液之廢液線之時。又，為了廢液線用，設置另外之泵亦可。濃度調整部14係調整第1電解液之濃度。濃度調整部14係包含濃度感測器141。濃度感測器141係連接於配管201。濃度感測器141係測定從第1電解液供給系統13所供給第1電解液之離子濃度。濃度調整部14係將濃度感測器141之測定結果，反饋至原料供給部131，調整原料供給部131之原料之供給量。由此，供給至陽極化成槽10之第1電解液之濃度被保持在一定，陽極化成處理之副生成物之H ₂SiF ₆等則被過濾。然而，濃度調整部14係可設於第1電解液供給系統13內。溫度調整部15係調整第1電解液之溫度。溫度調整部15係包含溫度感測器151。溫度感測器151係連接於配管201，監視第1電解液之溫度。例如，溫度調整部15係包含冷卻器或加熱器，對應溫度監視之結果，進行第1電解液之冷卻及加熱。由此，溫度調整部15係保持一定陽極化成槽10內之第1電解液之溫度。然而，溫度調整部15係可設於第1電解液供給系統13內。第2電解液供給系統16係向陽極保持器11內，供給第2電解液。第2電解液係在陽電極112與基板110之間，為取得導通而使用。第2電解液中，使用至少包含具有導電性之材料之液體。更具體而言，例如做為具有導電性之材料，包含至少1個HF、HCl、NaCl、KCl、KOH、H ₃PO ₄、及TMAH(四甲基氫氧化銨)亦可。本實施形態之第2電解液供給系統16係在陽極保持器11與混合槽162之間，具有為循環第2電解液之機能。第2電解液供給系統16係藉由配管203，於陽極保持器11內，供給濃度調整之第2電解液，藉由配管204，從陽極保持器11回收第2電解液。然而，第2電解液供給系統16係亦可不具有第2電解液之循環機能。此時，配管204則廢棄，陽極保持器11內之第2電解液則做為廢液被處理。第2電解液供給系統16係包含原料供給部161、混合槽162及泵163。原料供給部161係根據控制電路18之控制，於混合槽162，供給第2電解液之原料。原料係可為HF、HCl、NaCl、KCl、KOH、H ₃PO ₄、及TMAH等之溶液、及DIW(去離子水)等。然而，於原料中，可使用液體以外之材料。混合槽162係使用配管204，於從陽極保持器11回收之第2電解液，混合自原料供給部161供給之原料，為生成第2電解液之槽。泵163係將在混合槽162生成之第2電解液，藉由配管203，加壓輸送至陽極保持器11內。然而，泵163係可使用於將混合槽162內之第2電解液輸送至廢液線之時。又，為了廢液線用，設置另外之泵亦可。然而，泵163係可使基板110之外周全面按壓於晶圓夾具113之邊緣密封材，令第2電解液之供給壓，較第1電解液之供給壓為高。電流源17係連接於陽電極112及陰電極102，於陽極化成處理時，於陽電極112供給任意之電流。控制電路18係控制陽極化成裝置1之整體。更具體而言，控制電路18係控制陽極保持器驅動機構12、第1電解液供給系統13、濃度調整部14、溫度調整部15、第2電解液供給系統16及電流源17。 1.2　陽極化成處理之流程接著，對於陽極化成處理之流程之一例，使用圖3加以說明。圖3乃陽極化成之流程圖。如圖3所示，首先，第1電解液供給系統13係開始向陽極化成槽10之第1電解液之供給(步驟S1)。基板110之背面(未陽極化成處理之面)與陽電極112對向，基板110設置於陽極保持器11(步驟S2)。第2電解液供給系統16係開始向陽極保持器11之第2電解液之供給(步驟S3)。由此，基板110與陽電極112之間之空間，則被第2電解液充滿。陽極保持器驅動機構12係設置基板110，且傾斜角度θ供給第2電解液之狀態之陽極保持器11(基座111)。然後，陽極保持器驅動機構12係於陽極化成槽10內之第1電解液，將陽極保持器11之至少一部分及基板110對於液面傾斜角度θ加以浸漬(步驟S4)。經由傾斜陽極保持器11，可抑制浸漬時之空氣(氣泡)之捲入。然而，第1電解液係在陽極化成槽10與第1電解液供給系統13之間循環。接著，陽極保持器驅動機構12係開始陽極保持器11之旋轉(步驟S5)。陽極保持器11係在對於液面傾斜角度θ之狀態加以旋轉。又，陽極保持器係在對於液面傾斜之狀態加以旋轉即可，不限定於與浸漬時相同傾斜角度。電流源17係於陽電極112與陰電極102之間，供給電流(步驟S6)。電流源17在供給電流之期間，執行陽極化成處理。由此，於基板110之表面，形成多孔質層。電流源17停止電流之供給之後，陽極保持器驅動機構12係停止陽極保持器11之旋轉(步驟S7)。接著，陽極保持器驅動機構12係將陽極保持器11，從陽極化成槽10取出(步驟S8)。第2電解液供給系統16係停止向陽極保持器11之第2電解液之供給(步驟S9)。基板110則從陽極保持器11回收(步驟S10)。 1.3　關於本實施形態之效果關於本實施形態之構成時，可提供於基板表面，形成面內均勻性優異之多孔質膜的陽極化成裝置。對於本效果之詳述。例如，陽極化成處理之時，電解液中之HF與矽基板反應時，電解液中之HF濃度則減少，氫氣或H ₂SiF ₆(SiF ₆ ^2-離子)則做為副生成物加以生成。為此，改變電解液之組成(離子濃度)，有使得基板面內，或每一基板之多孔質層之均勻性變壞之情形。又，於陽極化成處理之時，於基板表面，正負之荷電粒子成對形成，經由產生層狀排列之電場雙重層，會有停滯基板表面之離子之供給，以及副生成物之排出的情形。由此，關於本實施形態之構成時，陽極化成裝置1係將基板110，對於第1電解液，以傾斜之狀態下加以浸漬。更且，陽極化成裝置1係傾斜基板110之狀態下，邊進行旋轉，邊執行陽極化成處理。由此，陽極化成裝置1係可在將基板110浸漬於第1電解液時，抑制空氣(氣泡)之捲入。又，陽極化成裝置1係於陽極化成處理之時，可將在基板表面產生之氣體(例如氫)或副生成物(例如SiF ₆ ^2-)，從基板表面有效率加以排出。更且，陽極化成裝置1係經由旋轉基板110，增加基板表面之第1電解液之流速，薄化形成於基板110之表面附近之電場雙重層之厚度。因此，陽極化成裝置1係可提升供給於基板表面之離子均勻性，提升形成多孔質層之面內均勻性(多孔質層之膜厚均勻性及多孔度(空洞率)之面內均勻性)。更且，根據關於本實施形態之構成時，陽極化成裝置1係於陽極化成處理時，於陽電極112及陰電極102之間，使可與基板110平行，配置擴散板104。由此，可提升基板110之面內之電流密度之均勻性。因此，可提升形成之多孔質層之面內均勻性。更且，關於本實施形態之構成時，陽極化成裝置1係具有第1電解液供給系統。由此，可保持一定陽極化成槽10內之第1電解液之濃度之故，可抑制陽極化成處理中，以及每一基板之第1電解液之濃度之變化。因此，可提升形成於基板110之多孔質層之深度方向之膜質之均勻性，及基板間之膜質均勻性。更且，關於本實施形態之構成時，陽極化成裝置1係陽電極112與基板110間，供給第2電解液。由此，可防止陽電極112與基板110之接觸。因此，可減低陽電極112所造成基板110之金屬污染。更且，關於本實施形態之構成時，於陽電極112與基板110間，經由供給第2電解液，可抑制起因於陽電極112或基板110之彎曲等之陽電極112與基板110間之導通不良。 2.第2實施形態接著，對於第2實施形態加以說明。第2實施形態中，對於複數搭載第1實施形態說明之陽極化成槽10之陽極化成處理系統之具體例加以說明。 2.1　陽極化成處理系統之構成對於陽極化成處理系統之一例，使用圖4加以說明。圖4係顯示陽極化成處理系統300之構成的平面圖。如圖4所示，陽極化成處理系統300係包含程序模組301、轉換模組302、裝載埠303、及裝載模組304。程序模組301係為進行基板110之各種處理之模組。圖4之例中，例如程序模組301係包含3個陽極化成槽310~312及2個洗淨槽313及314。陽極化成槽310~312係相當於第1實施形態所說明之陽極化成槽10。例如，使可在不同之條件執行陽極化成處理，陽極化成槽310~312內之第1電解液之組成係可為各別不同。洗淨槽313及314係使用於陽極化成處理之前洗淨或後洗淨。例如，洗淨槽313及314係可為葉片式之旋轉洗淨裝置。然而，程序模組301之構成係非限定於此。例如，可搭載與陽極化成槽及洗淨槽不同之處理單元。然而，陽極化成槽及洗淨槽之個數為任意。轉換模組302係配置於程序模組301內。轉換模組302係包含處理器320。處理器320係使可搬送程序模組301內之各槽之基板110，可驅動地加以構成。裝載埠303係例如進行FOUP(前開式晶圓傳送盒)330之開閉。於裝載埠303上，裝設FOUP(前開式晶圓傳送盒)。FOUP330係基板110搬送用之密閉容器。FOUP330係可收容複數之基板110。然而，圖4之例係顯示配置4個裝載埠303之情形，但裝載埠303之個數係1個以上即可。裝載模組304係包含處理器340。處理器340係使可在FOUP330與轉換模組302之間搬送基板110，可驅動地加以構成。 2.2　關於本實施形態之效果於本實施形態之陽極化成處理系統，可適用第1實施形態所說明之陽極化成處理裝置。 3.變形例關於上述實施形態之陽極化成裝置係包含可進行基板之陽極化成處理之第1處理槽10、和可保持基板之保持器11、和於第1處理槽，可供給第1電解液之第1電解液供給系統13。保持器係在基板對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，將基板浸漬於第1電解液。在基板對於第1電解液之液面傾斜之狀態下，執行陽極化成處理。然而，實施形態係非限定於上述說明之形態，可有種種之變形。例如，基板係可為半導體晶圓、異構計算用基板、MEMS(微電機系統)用基板、三次元積體電路用半導體晶圓、生化・醫療用基板、光波導用基板等。又，上述實施形態之「連接」係包含介入存在其他之某種東西，間接加以連接之狀態。又，上述實施形態之「概略相同」或「平行」係包含執行陽極化成處理時，不影響多孔質層之形成程度之誤差。雖說明了本發明之數個實施形態，但此等實施形態係做為例子加以提示者，並非意圖限定發明之範圍。此等新穎化實施形態係可以其他之各種形態加以實施，在不脫離發明之要旨之範圍下，可進行種種之省略、置換或變更。

10:第1處理槽 11:保持器 12:陽極保持器驅動機構 13:第1電解液供給系統 14:濃度調整部 15:溫度調整部 16:第2電解液供給系統 17:電流源 18:控制電路 101:陰電極槽 102:陰電極 103:過濾器 104:擴散板 110:基板 111:基座 112:陽電極 113:晶圓夾具 131:原料供給部 132:混合槽 133:泵 141:濃度感測器 151:溫度感測器 161:原料供給部 162:混合槽 163:泵 201:配管 202:配管 203:配管 204:配管 300:陽極化成處理系統 301:程序模組 302:轉換模組 303:裝載埠 304:裝載模組 310:陽極化成槽 311:陽極化成槽 312:陽極化成槽 313:洗淨槽 314:洗淨槽 320:處理器 330:前開式晶圓傳送盒 340:處理器

[圖1]係有關第1實施形態之陽極化成裝置之構成圖。 [圖2]係說明有關第1實施形態之陽極化成裝置之陽極保持器之旋轉狀態之圖。 [圖3]係有關第1實施形態之陽極化成裝置之陽極化成處理之流程圖。 [圖4]係有關第2實施形態之陽極化成處理系統之整體構成圖。

1:陽極化成裝置 10:第1處理槽 11:保持器 12:陽極保持器驅動機構 13:第1電解液供給系統 14:濃度調整部 15:溫度調整部 16:第2電解液供給系統 17:電流源 18:控制電路 101:陰電極槽 102:陰電極 103:過濾器 104:擴散板 110:基板 111:基座 112:陽電極 113:晶圓夾具 131:原料供給部 132:混合槽 133:泵 141:濃度感測器 151:溫度感測器 161:原料供給部 162:混合槽 163:泵 201:配管 202:配管 203:配管 204:配管

Claims

一種陽極化成裝置，其特徵係具備：可進行基板之陽極化成處理之第1處理槽、和可保持前述基板之保持器、和於前述第1處理槽，可供給第1電解液之第1電解液供給系統；前述保持器係在前述基板對於前述第1處理槽內之前述第1電解液之液面傾斜之狀態下，將前述基板浸漬於前述第1處理槽內之前述第1電解液，在前述基板對於前述第1電解液之前述液面傾斜之狀態下，執行前述陽極化成處理。
如請求項1記載之陽極化成裝置，其中，前述陽極化成處理時，前述保持器係進行旋轉。
如請求項1記載之陽極化成裝置，其中，更具備，設於前述保持器內之陽電極、和設於前述第1處理槽內之第2處理槽、和設於前述第2處理槽內之陰電極、和設置於前述第2處理槽之一端之擴散板。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，前述擴散板係在對於前述第1處理槽之底面成為傾斜之狀態下，設置於前述第2處理槽之前述一端。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，前述陽極化成處理時，前述基板與前述擴散板係一同配置成對於前述第1處理槽之底面成為傾斜之狀態。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，前述陽極化成處理時，前述基板與前述擴散板係配置成平行。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，前述第1電解液係從前述第1電解液供給系統，供給至前述第2處理槽，前述第2處理槽內之前述第1電解液係隔著前述擴散板，供給至前述基板之表面。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，更具備設於前述陰電極與前述擴散板之間之過濾器。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，更具備於前述陽電極與前述基板之間，可供給第2電解液之第2電解液供給系統。
如請求項3記載之陽極化成裝置，其中，前述陽極化成處理時，前述基板與前述陽電極係配置成平行。
如請求項1記載之陽極化成裝置，其中，前述第1電解液供給系統係具備使用於前述第1電解液之生成之混合槽、和於前述混合槽，供給前述第1電解液之原料之原料供給部、和將在前述混合槽所生成之前述第1電解液，供給至前述第1處理槽之泵。
如請求項11記載之陽極化成裝置，其中，前述第1電解液供給系統係可從前述第1處理槽回收前述第1電解液，回收之前述第1電解液係供給至前述混合槽。
一種陽極化成方法，其特徵係具備：於處理槽供給第1電解液、和使與設在保持器內之陽電極對向，將基板設置於前述保持器、和將前述陽電極與前述基板之間，以第2電解液加以充滿、於前述處理槽供給前述第1電解液後，將設置於前述保持器之前述基板，在對於前述處理槽內之前述第1電解液之液面傾斜之狀態下，浸漬於前述處理槽內之前述第1電解液、在傾斜前述基板之狀態下，在與設於前述陽電極與前述處理槽內之陰電極之間，流動電流。
如請求項13記載之陽極化成方法，其中，更具備在傾斜前述基板之狀態下，旋轉前述保持器及前述基板。