CN114908392A - 阳极化成装置及阳极化成方法 - Google Patents

阳极化成装置及阳极化成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114908392A
CN114908392A CN202110811116.3A CN202110811116A CN114908392A CN 114908392 A CN114908392 A CN 114908392A CN 202110811116 A CN202110811116 A CN 202110811116A CN 114908392 A CN114908392 A CN 114908392A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electrolyte
anodizing
anodization
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110811116.3A
Other languages
English (en)
Inventor
松尾美惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kioxia Corp
Original Assignee
Kioxia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kioxia Corp filed Critical Kioxia Corp
Publication of CN114908392A publication Critical patent/CN114908392A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/32Anodisation of semiconducting materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/005Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/06Filtering particles other than ions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • C25D21/14Controlled addition of electrolyte components

Abstract

实施方式主要涉及阳极化成装置及阳极化成方法。根据实施方式,阳极化成装置包括:第一处理槽(10),能够进行基板的阳极化成处理;支架(11),能够保持基板;以及第一电解液供给系统(13),能够向第一处理槽(10)供给第一电解液。支架(11)在基板(110)相对于第一电解液的液面倾斜的状态下,使基板浸渍于第一电解液。在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下执行阳极化成处理。

Description

阳极化成装置及阳极化成方法
相关申请
本申请享受以日本专利申请2021-19756号(申请日:2021年2月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
实施方式主要涉及阳极化成装置及阳极化成方法。
背景技术
已知有通过阳极化成而在基板表面形成多孔质膜的技术。
发明内容
实施方式提供能够在基板表面形成面内均匀性优异的多孔质膜的阳极化成装置及阳极化成方法。
实施方式的阳极化成装置包括:第一处理槽,能够进行基板的阳极化成处理;支架,能够保持基板;以及第一电解液供给系统,能够向第一处理槽供给第一电解液。支架在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下,使基板浸渍于第一电解液。在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下执行阳极化成处理。
附图说明
图1是第一实施方式的阳极化成装置的结构图。
图2是说明第一实施方式的阳极化成装置中的阳极支架的旋转状态的图。
图3是第一实施方式的阳极化成装置中的阳极化成处理的流程图。
图4是第二实施方式的阳极化成处理系统的整体结构图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。另外,在以下的说明中,对于具有大致相同的功能以及结构的构成要素,标注相同的附图标记,重复说明仅在必要的情况下进行。另外,以下所示的各实施方式例示了用于将该实施方式的技术思想具体化的装置、方法,实施方式的技术思想并不将结构部件的材质、形状、构造、配置等确定为下述内容。
1.第一实施方式
对第一实施方式的阳极化成装置进行说明。在本实施方式中,对在半导体基板(以下,简单标记为“基板”)的表面形成硅的多孔质层(例如多孔Si层)的阳极化成装置进行说明。
1.1阳极化成装置的基本结构
首先,使用图1对阳极化成装置的基本结构的一例进行说明。图1是阳极化成装置的结构图。
如图1所示,阳极化成装置1包括阳极化成槽10、阳极支架11、第一电解液供给系统13、浓度调整部14、温度调整部15、第二电解液供给系统16、电流源17以及控制电路18。
阳极化成槽10是在阳极化成处理中使用的处理槽。阳极化成槽10例如具有圆筒形状。阳极化成槽10的内径比阳极支架11的外径大。阳极化成槽10使用绝缘材料。
阳极化成槽10上连接有配管201以及配管202。配管201在从第一电解液供给系统13向阳极化成槽10供给第一电解液时使用。第一电解液是在阳极化成处理中使用的液体,是至少含有氟化氢(HF)的电解液。配管202在从阳极化成槽10向第一电解液供给系统13回流第一电解液时使用。
在阳极化成槽10的槽内设置有阴电极槽101、阴电极(阴极)102、过滤器103以及扩散板104。
阴电极槽101在向阳极化成槽10供给第一电解液时,通过与扩散板104组合而作为喷头的壳体发挥功能。阴电极槽101例如具有圆筒形状。阴电极槽101的内径例如优选与阳极化成处理的对象即基板110的外径相同或为其以上。阴电极槽101使用绝缘材料。阴电极槽101的底面与阳极化成槽10内的底面接触。阴电极槽101的上端的开口部以扩散板104相对于第一电解液的液面倾斜地被安装的方式相对于阴电极槽101的底面倾斜。
阴电极102作为阳极化成处理中的阴极发挥功能。阴电极102例如具有圆盘形状。阴电极102与阴电极槽101内的底面接触。阴电极102的直径例如与阴电极槽101的内径相同。阴电极102由导电材料构成,使用相对于第一电解液的反应性低(几乎不溶解于第一电解液)的材料。在阴电极102中,例如,作为涂层材料,可以是使用碳、金刚石、Pt、Au等的导电材料。另外,涂层材料也可以是玻璃状纤维碳、金刚石涂层硅等。
过滤器103在阴电极槽101内被设置于阴电极102的上方。换言之,过滤器103设置于阴电极102与扩散板104之间。过滤器103在阳极化成处理时,将在阴电极102产生的颗粒去除。例如,即使阴电极102的电极材料使用难以溶解于第一电解液的材料,由于经年劣化等,电极的氧化也进展,有可能产生颗粒。如果产生颗粒,则有可能阻碍基于阳极化成处理的多孔质硅的形成。能够通过过滤器103去除的颗粒的尺寸能够任意地设计。例如,作为过滤器103,可以使用能够去除粒径0.01μm以上的颗粒的过滤器。
在本实施方式中,配管201的一端以将阳极化成槽10的底部、阴电极槽101的底部、阴电极102以及过滤器103贯通的方式设置,从第一电解液供给系统13向阴电极槽101内供给第一电解液。
扩散板104以相对于第一电解液的液面(或者阳极化成槽10以及阴电极槽101的底面)倾斜了角度θ(0°<θ<90°)的状态被固定于阴电极槽101的上端的开口部。在扩散板104上设置有用于使第一电解液扩散的多个孔,孔的直径及配置能够任意地设计。第一电解液在被扩散板104扩散后,被供给至被固定于阳极支架11的基板110的表面(被阳极化成的面)。以下,将通过阳极化成处理来形成多孔质层的面表述为基板110的表面,将未形成多孔质层的面表述为基板110的背面。扩散板104由绝缘材料构成,使用相对于第一电解液的反应性低(几乎不溶解)的材料。例如,扩散板104优选使用PTFE(Poly-Tetra-Fluoro-Ethylene:聚四氟乙烯)、聚氯乙烯、或已实施了防静电对策的材料。
阳极支架11作为使基板110固定的支架发挥功能。阳极支架在阳极化成处理时,与基板110一起被浸渍于第一电解液中。
阳极支架11包括底座111、阳电极(阳极)112和晶片夹113。
底座111例如具有圆盘形状。底座111的直径例如为基板110的直径以上。底座111例如使用绝缘材料。
阳电极112作为阳极化成处理中的阳极发挥功能。阳电极112例如具有圆盘形状。阳电极112的直径例如与底座111的直径相同。阳电极112在阳极支架11的至少一部分及基板110被浸渍于阳极化成槽10内的第一电解液中的状态下,与底座111的底面接触。阳电极112由导电材料构成,例如使用相对于后述的第二电解液的反应性低的材料。在阳电极112中,例如作为涂层材料,可以是使用碳、金刚石、Pt、Au等的导电材料。另外,涂层材料也可以是玻璃状纤维碳、金刚石涂层硅等。
晶片夹113具有圆筒形状。例如,在晶片夹113的侧面设置有用于固定底座111及阳电极112的槽。另外,在晶片夹113的下端设置有用于固定基板110的边缘密封件。晶片夹113的外径比基板110、底座111以及阳电极112的外径大。晶片夹113的边缘密封件在阳极支架11的至少一部分及基板110被浸渍于阳极化成槽10内的第一电解液中的状态下、以基板110的表面朝向下侧(扩散板104侧)的方式与基板110的外周整面相接触而将基板110固定。
晶片夹113以基板110的背面(未被阳极化成的面)与阳电极112不接触、且基板110与阳电极112平行的方式将基板110与阳电极112固定。晶片夹113由绝缘材料构成,使用相对于第一电解液及第二电解液的反应性低(几乎不溶解)的材料。例如,扩散板104优选为PTFE、聚氯乙烯、或已实施了防静电对策的材料。
在本实施方式中,为了在基板110与阳电极112之间取得导通,从第二电解液供给系统16向由基板110的背面、阳电极112和晶片夹113构成的空间内供给导电性的第二电解液。更具体而言,在阳极支架11上连接有用于从第二电解液供给系统16向阳极支架11供给第二电解液的配管203、以及用于使第二电解液向第二电解液供给系统16回流的配管204。配管203及204以贯通底座111及阳电极112的方式设置,从第二电解液供给系统16向上述空间内供给第二电解液。换言之,阳电极112与基板110之间被第二电解液充满。
在阳极化成处理时,存在第二电解液被电解而在上述的空间内产生气体的情况,所以在该情况下,可以在阳极支架11内设置有用于放出气体的路径。
另外,在本例中,对向基板110与阳电极112之间供给第二电解液而取得基板110与阳电极112的导通的情况进行了说明,但并不限定于此。例如,基板110的背面与阳电极112可以接触。也可以在阳电极112的与基板110接触的面上,设置被注入了高浓度的掺杂剂的低电阻层或对基板110取得欧姆接触的金属。
阳极支架驱动机构12被固定于底座111的上表面的中心部。在阳极支架11的至少一部分及基板110被浸渍于阳极化成槽10内的第一电解液中的状态下,底座111能够在阳极支架驱动机构12的作用下进行旋转。换言之,阳极支架驱动机构12在底座111的与设置有阳电极112的面对置的面的中心部将底座111固定为能够旋转。阳极支架驱动机构12具有用于在使底座111倾斜了角度θ的状态下使底座111的至少一部分浸渍于阳极化成槽10并在该状态下使其旋转的机构。由此,本实施方式的阳极支架11的至少一部分及基板110在相对于阳极化成槽10的第一电解液的液面倾斜了角度θ的状态下浸渍于第一电解液。阳极支架驱动机构12通过使基板110以及阳电极112倾斜了角度θ,由此基板110以及阳电极112与扩散板104在阳极化成处理时被配置成平行状态。基板110以及阳电极112与扩散板104被配置成平行状态,由此基板110的电流密度的面内均匀性提高。此外,阳电极112与扩散板104可以配置成平行状态,也可以不配置成平行状态。即使在阳电极112与阴电极102不配置成平行状态、而阳电极112与阴电极102间的距离不均匀的情况下,通过将基板110与扩散板104配置成平行状态,也能够提高基板110的电流密度的面内均匀性。并且,通过使扩散板104以与基板110相同的朝向相对于阳极化成槽10的底面或第一电解液的液面倾斜,从而基板110的电流密度的面内均匀性提高。
使用图2对阳极支架11的旋转状态的具体例进行说明。图2是表示旋转状态下的阳极支架11的截面及底座111的上表面的图。
如图2所示,阳极支架驱动机构12使底座111在倾斜了角度θ的状态下以阳极支架驱动机构12为旋转轴而旋转。此外,通过使底座111倾斜了角度θ,基板110以及阳电极112也成为倾斜了角度θ的状态。例如,阳极支架驱动机构12使底座111及基板110在10~100rpm的范围内旋转。
接着,使用图1对第一电解液供给系统13进行说明。第一电解液供给系统13向阳极化成槽10供给第一电解液。第一电解液是在阳极化成处理中使用的液体。作为第一电解液,例如使用含有氟化氢(HF)的液体。更具体而言,例如,第一电解液使用HF溶液与乙醇或IPA(异丙醇)的混合液。本实施方式的第一电解液供给系统13具有用于使第一电解液在阳极化成槽10与第一电解液供给系统13之间循环的功能。第一电解液供给系统13经由配管201向阴电极槽101内供给被进行了浓度调整后的第一电解液,经由配管202从阳极化成槽10回收第一电解液。另外,第一电解液供给系统13也可以不具有第一电解液的循环功能。在该情况下,配管202被废弃,阳极化成槽10内的第一电解液作为废液来处理。
第一电解液供给系统13包括原料供给部131、混合槽132及泵133。
原料供给部131基于控制电路18及浓度调整部14的控制,向混合槽132供给第一电解液的原料。原料例如也可以是HF溶液、醇以及DIW(Deionized Water:去离子水)等。另外,原料也可以使用液体以外的材料。
混合槽132是用于在使用配管202从阳极化成槽10回收的第一电解液中混合从原料供给部131供给的原料,生成能够在阳极化成处理中使用的第一电解液的槽。
泵133将由混合槽132生成的第一电解液经由配管201压送至阴电极槽101内。另外,泵133也可以在将混合槽132内的第一电解液向未图示的废液管线输送时使用。另外,也可以在废液管线用设置别的泵。
浓度调整部14调整第一电解液的浓度。浓度调整部14包括浓度传感器141。浓度传感器141与配管201连接。浓度传感器141测定从第一电解液供给系统13供给的第一电解液的离子浓度。浓度调整部14将浓度传感器141的测定结果反馈给原料供给部131,调整原料供给部131中的原料的供给量。由此,向阳极化成槽10供给的第一电解液的浓度保持恒定,作为阳极化成处理的副产物的H2SiF6等被过滤。另外,浓度调整部14也可以设置于第一电解液供给系统13内。
温度调整部15调整第一电解液的温度。温度调整部15包括温度传感器151。温度传感器151与配管201连接,监视第一电解液的温度。例如,温度调整部15包含冷却器或加热器,根据温度监视的结果,进行第一电解液的冷却及加热。由此,温度调整部15将阳极化成槽10内的第一电解液的温度保持为恒定。另外,温度调整部15也可以设置于第一电解液供给系统13内。
第二电解液供给系统16向阳极支架11内供给第二电解液。第二电解液用于在阳电极112与基板110之间取得导通。第二电解液使用至少包含具有导电性的材料的液体。更具体而言,例如,作为具有导电性的材料,也可以含有HF、HCl、NaCl、KCl、KOH、H3PO4和TMAH(Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide)中的至少1种。
本实施方式的第二电解液供给系统16具有用于使第二电解液在阳极支架11与混合槽162之间循环的功能。第二电解液供给系统16经由配管203向阳极支架11内供给被进行了浓度调整后的第二电解液,经由配管204从阳极支架11回收第二电解液。另外,第二电解液供给系统16也可以不具有第二电解液的循环功能。在该情况下,配管204被废弃,阳极支架11内的第二电解液作为废液被处理。
第二电解液供给系统16包括原料供给部161、混合槽162及泵163。
原料供给部161基于控制电路18的控制,向混合槽162供给第二电解液的原料。原料可以是HF、HCl、NaCl、KCl、KOH、H3PO4、以及TMAH等的溶液以及DIW(Deionized Water)等。另外,作为原料,也可以使用液体以外的材料。
混合槽162是用于在使用配管204从阳极支架11回收的第二电解液中混合从原料供给部161供给的原料而生成第二电解液的槽。
泵163将由混合槽162生成的第二电解液经由配管203压送至阳极支架11内。另外,泵163也可以在将混合槽162内的第二电解液向废液管线输送时使用。另外,也可以在废液管线用设置别的泵。另外,泵163也可以使第二电解液的供给压高于第一电解液的供给压,以使基板110的外周整面与晶片夹113的边缘密封件压紧。
电流源17与阳电极112及阴电极102连接,在阳极化成处理时向阳电极112供给任意的电流。
控制电路18控制阳极化成装置1的整体。更具体而言,控制电路18控制阳极支架驱动机构12、第一电解液供给系统13、浓度调整部14、温度调整部15、第二电解液供给系统16以及电流源17。
1.2阳极化成处理的流程
接着,使用图3对阳极化成处理的流程的一例进行说明。图3是阳极化成的流程图。
如图3所示,首先,第一电解液供给系统13开始向阳极化成槽10供给第一电解液(步骤S1)。
以基板110的背面(不进行阳极化成处理的面)与阳电极112对置的方式将基板110设置于阳极支架11(步骤S2)。
第二电解液供给系统16开始向阳极支架11供给第二电解液(步骤S3)。由此,基板110与阳电极112之间的空间被第二电解液充满。
阳极支架驱动机构12使设置有基板110且被供给了第二电解液的状态的阳极支架11(底座111)倾斜角度θ。然后,阳极支架驱动机构12使阳极支架11的至少一部分及基板110相对于液面以倾斜角度θ的方式浸渍于阳极化成槽10内的第一电解液中(步骤S4)。通过使阳极支架11倾斜,由此能够抑制浸渍时的空气(气泡)的卷入。另外,第一电解液在阳极化成槽10与第一电解液供给系统13之间循环。
接着,阳极支架驱动机构12开始阳极支架11的旋转(步骤S5)。阳极支架11以相对于液面倾斜了角度θ的状态旋转。另外,阳极支架只要在相对于液面倾斜的状态下旋转即可,并不限定于与浸渍时相同的倾斜角度。
电流源17向阳电极112与阴电极102之间供给电流(步骤S6)。在电流源17供给电流的期间,执行阳极化成处理。由此,在基板110的表面形成多孔质层。
电流源17停止供给电流后,阳极支架驱动机构12停止阳极支架11的旋转(步骤S7)。
接着,阳极支架驱动机构12从阳极化成槽10取出阳极支架11(步骤S8)。
第二电解液供给系统16停止向阳极支架11供给第二电解液(步骤S9)。
从阳极支架11回收基板110(步骤S10)。
1.3本实施方式的效果
根据本实施方式的结构,能够提供能够在基板表面形成面内均匀性优异的多孔质膜的阳极化成装置。对本效果进行详述。
例如,在阳极化成处理时,若电解液中的HF与硅基板发生反应,则电解液中的HF浓度减少,生成氢气、H2SiF6(SiF6 2-离子)作为副产物。因此,电解液的组成(离子浓度)发生变化,有时基板面内或每个基板的多孔质层的均匀性变差。另外,在阳极化成处理时,在基板表面产生正负的带电粒子对而产生层状排列的电场双层,由此,有时离子向基板表面的供给和副产物的排出停滞。
与此相对,如果是本实施方式的结构,则阳极化成装置1能够使基板110在相对于第一电解液倾斜的状态下浸渍。并且,阳极化成装置1能够使基板110以倾斜的状态旋转的同时执行阳极化成处理。由此,阳极化成装置1能够抑制在使基板110浸渍于第一电解液时空气(气泡)的卷入。另外,阳极化成装置1在阳极化成处理时,能够从基板表面高效地排出在基板表面产生的气体(例如氢)、副产物(例如SiF6 2-)。并且,阳极化成装置1通过使基板110旋转,能够使基板表面的第一电解液的流速增加,使在基板110的表面附近形成的电场双层的厚度变薄。因此,阳极化成装置1能够提高供给至基板表面的离子的均匀性,能够提高所形成的多孔质层的面内均匀性(多孔质层的膜厚均匀性及多孔度(孔隙率)的面内均匀性)。
并且,如果是本实施方式的结构,则阳极化成装置1在阳极化成处理时,能够在阳电极112与阴电极102之间以与基板110平行的方式配置扩散板104。由此,能够提高基板110的面内的电流密度的均匀性。因此,能够提高所形成的多孔质层的面内均匀性。
此外,如果是本实施方式的结构,则阳极化成装置1具有第一电解液供给系统。由此,能够将阳极化成槽10内的第一电解液的浓度保持为恒定,所以能够抑制阳极化成处理中以及每个基板的第一电解液的浓度的变化。因此,能够提高形成于基板110的多孔质层的深度方向的膜质的均匀性、以及基板间的膜质均匀性。
并且,如果是本实施方式的结构,则阳极化成装置1能够向阳电极112与基板110之间供给第二电解液。由此,能够防止阳电极112与基板110的接触。因此,能够降低阳电极112对基板110的金属污染。
并且,如果是本实施方式的结构,则通过向阳电极112与基板110之间供给第二电解液,由此能够抑制由阳电极112或基板110的翘曲等引起的阳电极112与基板110之间的导通不良。
2.第二实施方式
接着,对第二实施方式进行说明。在第二实施方式中,对搭载有多个在第一实施方式中说明的阳极化成槽10的阳极化成处理系统的具体例进行说明。
2.1阳极化成处理系统的结构
使用图4对阳极化成处理系统的一例进行说明。图4是表示阳极化成处理系统300的结构的俯视图。
如图4所示,阳极化成处理系统300包括处理模块301、传输模块302、加载端口303以及加载模块304。
处理模块301是用于进行基板110的各种处理的模块。在图4的例子中,例如,处理模块301包括3个阳极化成槽310~312以及2个清洗槽313及314。阳极化成槽310~312相当于在第一实施方式中说明的阳极化成槽10。例如,阳极化成槽310~312内的第一电解液的组成也可以分别不同,以便能够在不同的条件下执行阳极化成处理。清洗槽313及314用于阳极化成处理的前清洗或后清洗。例如,清洗槽313及314可以是单片式的旋转清洗装置。另外,处理模块301的结构不限定于此。例如,也可以搭载与阳极化成槽以及清洗槽不同的处理单元。另外,阳极化成槽和清洗槽的个数是任意的。
传输模块302配置于处理模块301内。传输模块302包括处理器320。处理器320构成为能够进行驱动以能够向处理模块301内的各槽输送基板110。
加载端口303例如进行FOUP(Front Opening Unified Pod:前开式晶圆传送盒)330的开闭。在加载端口303上设置有FOUP(Front Opening Unified Pod)。FOUP330是基板110输送用的密闭容器。FOUP330能够收纳多个基板110。另外,图4的例子示出了配置有4个加载端口303的情况,但加载端口303的个数只要是1个以上即可。
加载模块304包括处理器340。处理器340构成为能够进行驱动以能够在FOUP330与传递模块302之间输送基板110。
2.2本实施方式的效果
本实施方式的阳极化成处理系统能够应用在第一实施方式中说明的阳极化成处理装置。
3.变形例
上述实施方式的阳极化成装置包括:第一处理槽10,能够进行基板的阳极化成处理;支架11,能够保持基板;以及第一电解液供给系统13,能够向第一处理槽供给第一电解液。支架在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下使基板浸渍于第一电解液。在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下执行阳极化成处理。
此外,实施方式并不限定于上述说明的方式,能够进行各种变形。
例如,基板也可以是半导体晶片、异构计算(heterogeneous computing)用基板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)用基板、三维集成电路用半导体晶片、生物体/医疗用基板、光波导用基板等。
另外,上述实施方式中的“连接”还包括经由其他部件间接地连接的状态。
另外,上述实施方式中的“大致相同”或“平行”包含在执行阳极化成处理时不对多孔质层的形成造成影响的程度的误差。
对本发明的几个实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子而提示的,并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施,在不脱离发明的主旨的范围内,能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中,并且包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (14)

1.一种阳极化成装置,具备:
第一处理槽,能够进行基板的阳极化成处理;
支架,能够保持所述基板;以及
第一电解液供给系统,能够向所述第一处理槽供给第一电解液,
所述支架在所述基板相对于所述第一电解液的液面倾斜的状态下,使所述基板浸渍于所述第一电解液,
在所述基板相对于所述第一电解液的所述液面倾斜的状态下执行所述阳极化成处理。
2.根据权利要求1所述的阳极化成装置,其中,
在所述阳极化成处理时,所述支架旋转。
3.根据权利要求1所述的阳极化成装置,其中,还具备:
阳电极,设置于所述支架内;
第二处理槽,设置于所述第一处理槽内;
阴电极,设置于所述第二处理槽内;以及
扩散板,设置于所述第二处理槽的一端。
4.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
所述扩散板以相对于所述第一处理槽的底面倾斜的状态设置于所述第二处理槽的所述一端。
5.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
在所述阳极化成处理时,所述基板和所述扩散板都配置成相对于所述第一处理槽的底面倾斜的状态。
6.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
在所述阳极化成处理时,所述基板与所述扩散板配置成平行。
7.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
所述第一电解液从所述第一电解液供给系统被供给至所述第二处理槽,
所述第二处理槽内的所述第一电解液经由所述扩散板被供给至所述基板的表面。
8.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
还具备设置于所述阴电极与所述扩散板之间的过滤器。
9.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
还具备能够向所述阳电极与所述基板之间供给第二电解液的第二电解液供给系统。
10.根据权利要求3所述的阳极化成装置,其中,
在所述阳极化成处理时,所述基板与所述阳电极配置成平行。
11.根据权利要求1所述的阳极化成装置,其中,
所述第一电解液供给系统具备:
混合槽,用于所述第一电解液的生成;
原料供给部,向所述混合槽供给所述第一电解液的原料;以及
泵,将在所述混合槽中生成的所述第一电解液向所述第一处理槽供给。
12.根据权利要求11所述的阳极化成装置,其中,
所述第一电解液供给系统能够从所述第一处理槽回收所述第一电解液,所回收的所述第一电解液被供给至所述混合槽。
13.一种阳极化成方法,具备如下步骤:
向处理槽供给第一电解液;
将基板以与设置于支架内的阳电极对置的方式设置于所述支架;
用第二电解液将所述阳电极与所述基板之间充满;
使设置于所述支架的所述基板在相对于所述第一电解液的液面倾斜的状态下浸渍于所述第一电解液;
在使所述基板倾斜的状态下,使电流在所述阳电极与设置于所述处理槽内的阴电极之间流动。
14.根据权利要求13所述的阳极化成方法,其中,
还具备在使所述基板倾斜的状态下使所述支架及所述基板旋转的步骤。
CN202110811116.3A 2021-02-10 2021-07-19 阳极化成装置及阳极化成方法 Pending CN114908392A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-019756 2021-02-10
JP2021019756A JP2022122494A (ja) 2021-02-10 2021-02-10 陽極化成装置及び陽極化成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114908392A true CN114908392A (zh) 2022-08-16

Family

ID=82704882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110811116.3A Pending CN114908392A (zh) 2021-02-10 2021-07-19 阳极化成装置及阳极化成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220251722A1 (zh)
JP (1) JP2022122494A (zh)
CN (1) CN114908392A (zh)
TW (2) TWI783550B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964792B1 (en) * 2000-11-03 2005-11-15 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlling electrolyte flow for uniform plating
JP2006131969A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 陽極化成方法及びその装置
US20120138471A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Mayer Steven T Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7351314B2 (en) * 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7628898B2 (en) * 2001-03-12 2009-12-08 Semitool, Inc. Method and system for idle state operation
US6800187B1 (en) * 2001-05-31 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating wafers
DE10140934A1 (de) * 2001-08-10 2003-02-20 Gramm Gmbh & Co Kg Vorrichtung und Verfahren zur galvanischen Oberflächenbehandlung von Werkstücken
JP3789824B2 (ja) * 2002-01-22 2006-06-28 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、および液処理方法
US20040124088A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Processing apparatus
US8158532B2 (en) * 2003-10-20 2012-04-17 Novellus Systems, Inc. Topography reduction and control by selective accelerator removal
US20080149489A1 (en) * 2004-08-11 2008-06-26 Novellus Systems, Inc. Multistep immersion of wafer into liquid bath
JP4822858B2 (ja) * 2005-11-22 2011-11-24 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 めっき装置
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US9028666B2 (en) * 2011-05-17 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. Wetting wave front control for reduced air entrapment during wafer entry into electroplating bath
KR101607537B1 (ko) * 2014-09-26 2016-03-31 주식회사 티케이씨 웨이퍼 도금시 아노드에서 발생되는 가스의 제거 기능을 가진 도금장치
CN107119302A (zh) * 2017-05-15 2017-09-01 西华大学 消除阳极氧化工件表面气泡的方法
CN107326418B (zh) * 2017-06-28 2019-03-01 中国航发南方工业有限公司 用于硬质阳极化装挂保护夹具及硬质阳极化处理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964792B1 (en) * 2000-11-03 2005-11-15 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlling electrolyte flow for uniform plating
JP2006131969A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 陽極化成方法及びその装置
US20120138471A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Mayer Steven T Electroplating apparatus and process for wafer level packaging

Also Published As

Publication number Publication date
TWI783550B (zh) 2022-11-11
TW202231936A (zh) 2022-08-16
JP2022122494A (ja) 2022-08-23
TW202305191A (zh) 2023-02-01
US20220251722A1 (en) 2022-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5458755A (en) Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated
US7427338B2 (en) Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system
US6576110B2 (en) Coated anode apparatus and associated method
US6551484B2 (en) Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method
JP2002506488A (ja) 電気化学堆積システム及び基体の電気めっき方法
KR20180073657A (ko) 음이온성 막들을 갖는 비활성 애노드 전기도금 프로세서 및 보충기
JP6222145B2 (ja) 金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法
CN114908392A (zh) 阳极化成装置及阳极化成方法
US20070181441A1 (en) Method and apparatus for electropolishing
KR20050025986A (ko) 일정한 웨이퍼 침지 각도를 갖는 경사진 전기화학적 도금 셀
CN112701072B (zh) 晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法
JP2019052370A (ja) 化学および電解の少なくとも一方の表面処理のためのシステム
TW200426892A (en) Processing apparatus
KR102590233B1 (ko) 도금 장치 및 도금 방법
JP2022001658A (ja) 金属皮膜の成膜装置
US20040020780A1 (en) Immersion bias for use in electro-chemical plating system
JPH0254800A (ja) 半導体基板の洗浄方法および装置
US20070089990A1 (en) Adjustable dosing algorithm for control of a copper electroplating bath
JP2006131969A (ja) 陽極化成方法及びその装置
CN116897226B (zh) 镀覆装置以及镀覆方法
JP2002294495A (ja) 液処理装置
JP3129569B2 (ja) 陽極化成装置及び陽極化成法
JP2005264339A (ja) 電解処理方法及びその装置
CN116411330A (zh) 基板保持器、镀覆装置以及镀覆方法
RU2133997C1 (ru) Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination