TWI232500B - Micro-electromechanical varactor with enhanced tuning range - Google Patents

Description

1232500 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上相關於微機電（MEMS)開關及一種用以製 造該等結構之方法，更特別地係相關於一種藉由將一晶片 結合到一載子基材來使用三維梳型電極（鳍狀）之可 變電容器。 【先前技術】 可’交電各券或變容一極體係南頻及射頻電路之基本愛件 。由於MEM可變電容器之優越電氣特性，已經在近幾^來 引起極大興趣。使用MEM技術之可變電容器可以很容易地 在航太、消費性電子及通訊系統之應用的標準半導體裝置 中實行。 ^ 許多開發人員嘗試改良該MEMS可變電容器之調整範圍 ’因為使用平行平板電極所達成之最大電容調整範圍係受 到限制。這係由於在驅動時間所包含之非線性靜電力。核 等平行平板電極係存在一典型“下拉行為，，（pull_down)於該 間隙距離之1/3處，導致最大調整電容為丨.5。大部分先前方 法係會導致增加處理複雜性及/或大量的移動零件，導致可 靠度急遽降低。此外，封裝該MEMS裝置及將之積體化到互 補金氧半導體（CMOS)積體電路係存在極大挑戰。 A.Dec等人在1998年6月之該電機及電子工程師學會射頻 積體電路座談會文摘之p p j 〇 9 _ 3 1 2所發行之標題為‘‘具有寬 調整範圍之射頻微機械加工變容二晶體，，之文章中描述藉由 驅動該可移動電極，使用位在該可移動電極之上下的兩平 86854 1232500 行電極來建立一 MEMS可變電容器。由於在串聯之可移動頂 端及可移動底部間的個別電容，該總電容調整範圍係顯著 地增強。使用該方法可達成之最大調整範圍係為2:丨之比率 。A.Dec等人已經報告可以達成一調整範圍高達19:1。即使 該调整範圍使用該方法而顯著地改良，該製程複雜度也增 加。 在目前方法中所包含之本來機電方面係相當不同於該平 行平板法。梳型電極係用以驅動於控制或信號電極感測該 可移動電極之移動時。結果所導致的電容調整範圍係大大 地知，因為違等靜電力事實上係固定不變。因為該裝置 具有三個埠（兩個埠係供直流電偏壓用及一埠係供該等射頻 信號用），該信號電容要求去耦合，如同在一 2_埠變容二晶 體裝置之範例。再者，大邵分先前技藝的MEMS裝置需要分 開封裝，至少對於具有移動零件之MEM裝置係產生某些需 要解決之處理問題。 【發明内容】 因此，本發明之目的係要提供一種MEM可變電容器，該 笔各為使用梳型驅動電極（或鰭狀）用以驅動，當該控制或信 號電極感測到該可移動樑之移動時，導致電容的變化。 本發明之另一目的係要提供一種MEM可變電容器，其中 該開關接觸係利用一介電質來分隔，以提供電氣隔離在該 控制信號與該切換信號之間。 本發明之另一目的係要提供一種具有梳型驅動（comb_ drive actuation)之MEM變容二極體裝置，用以獲得大電容比 86854 1232500 或調整範圍。 同的三維配置來配置複 本發明之其他目的係要以各種 數個MEM變容二極體裝置。 本發明之其他目％ #亦t 勺係要提供一種具有增加驅動電極區域 用以降低驅動電厨夕Λ 、 包璺又MEM變容二極體。 才L 考务 Si _ 的係要提供一種使用製造技術來製造 一 mem開關之太、、表 也丨 法琢製造技術係相容於對CMOS半導體 裝置所施加的括；^ 、丄f ” 支術’廷允許同時地製造及封裝該MEMS裝 置及降低該等製造+ t 、 k /驟芡數目到取小，同時能夠降低處理 的成本。 memss可變電容器提供許多優於傳統固態變容二極體 的優點。這些裝置係以較高品質係數操作，導致操作中低 損耗。兩種類型的MEMS變容二極體係描述於此：平行平板 及梳型驅動變容二極體。大部分所調查的MEMS變容二極體 係為具有一可移動電極及一固定電極之平行平板電容器。 當使用這些MEMS裝置時，主要缺點係為一旦這些裝置驅動 時可以獲得的是有限的操作調整範圍。所包含之固有機電 方面係限制該調整範圍而導致抓下該可移動電極。這經常 係稱作為“下拉不穩定效應”。作用在該可移動電極上之靜電 力實際上係為非線性，而造成該效應。在該等梳型驅動電 極中，作用在該可移動電極上之靜電力實際上係為線性（直 接與讀距離成比例），這大大地增強該調整範圍。然而，朽 J驅動電極係難以製造，且所獲得的電容變化係非常微小 (由於可用區域較少）。 86854 1232500 在本發明之一方面，所描述之MEM開關係包含目前為止 所考慮到的兩種方法（平行平板及梳型驅動）。在藉由使用一 平行平板型模式同時併入來自該梳型驅動方法之線性靜電 力來調整的期間，較大區域係做成可用。該可移動及固定 電極係分開地處理在晶片及載子晶圓上。該晶片側包含該 固疋-固定（fixed-fixed)可移動樑。該樑係以金屬“鰭，，來製造 以做為梳型電極。沿著該溝取渠之側壁及底部上，該載子 侧具有一致動器（直流電極）。該等射頻（信號）電極係定位在 孩等電極之間。該致動器電極係藉由用以電氣連接之“穿透 通道”（throughvias)來連接。 在完成處理該晶片及該載子晶圓之後，該晶片側係翻轉 到該載子晶圓上而精確對準以便產生電氣連結。該螺栓在 居載子側上之咼度係決定在該可移動電及與該固定電極間 的空氣間隙。最後，該裝置係以聚合材料封藏以提供該 MEMS在操作期間可控制環境。 在本發明之其他方面，提供一半導體微機電（MEM)變容二 極體’其包含一具有一可移動樑之第一基材，該可移動樑 之至少一端係固足於該第—基材，該可移動樑具有分離鰭 係以相反於該第一基材之方向突出於 係核合到具有固定電極u —基材，該等固定電極1 = :極分別地面對該等分離,鳍之一，該等分離績係利用在舞 等哭出鰭與該等固定電極間之電壓來啟動。 【實施方式】 之後會參考該等圖示， 本發明現在將更加詳細地描述 86854 1232500 其中會說明一些較佳實施例。 、圖1說明三維MEM變容二極體裝置之橫斷面圖示，其係透 過線條A-A(參見圖2)所定義之切面來看。該裝置係建立在兩 $開基材10及11之上，藉由該等基材，該可移動樑5〇及固定 電極51係分別地製造。一連串驅動梳5〇A(電極）係添加於這 些固定電極，該等驅動梳係以垂直於該可移動樑之方向停 留在固定電極51上（該梳型驅動結構係由該等突出5〇及5〇八 =組合所組成）。在下，該可移動電極基材1〇係稱做為該 印片側”’而孩固定電極基材丨丨係稱作為“載子側，，。與該等 電極之金屬連接（未顯示）係插入在介電值2〇A之内，典型地 係完成在一般稱做鑲嵌製程之半導體製程中。在該較佳實 她例中，该等金屬連接與電極較佳地係為具有適當線路 (Hner)及障礙材料之銅。金屬連接5ι、5ia及5ib係大約為 1000%厚。導體51A係以一單一電極來說明，其中在電極51A 及5 0之間隙距離係決定電容的變化。 +考圖2，該梳型驅動鰭狀5〇a顯著地變化，而典型地係 為平方微米的等級。該可移動樑50(圖丨）之長度也可可變 的，其範圍係在20微米到超過2〇〇微米。該等驅動電極5ib (圖1及3)穩疋孩等梳5〇A之移動，以強迫它們保持完美的線 性及垂直移動以提供該所需要驅動。在驅動電極5 1B及梳型 50間的吸引力取決於該梳型驅動橫向表面之重疊區域 。该私極50八之區域的範圍係從〇.5到1〇平方微米，然而其 尺寸係藉由將之變得更深或更長來變化，以便最大化該電 極50A之區域。该電極51B之高度決定該可移動樑5〇與固定 86854 *· 10 - 1232500 電極5 1之間的間隙距離。 爵施加一電壓在電極50A(圖1)與該靜止電極5 iB(圖1)之 間時，該溝渠間隙31之寬度提供該等電極所需空間以上下 私動。當這情形發生時，電極5 〇 A係被吸引朝向電極5 1。該 可移動樑50係懸掛且輕鬆地貼附在一雙重鏈住或固定-固定 支持之上。該可移動樑將其兩邊固定到該介電質2〇A。該梳 型驅動電極50A及50B之間白勺吸引會造成樑5〇沿著該等梳型 驅動電極5 1B之方向移動。控制電極5丨a係藉由一絕緣或半 絕緣介電質材料21B(圖30)與該可移動樑5〇分開。電極”可 以被曝光於該溝渠在某一侧，或以一薄層的介電質防止該 等電極50八與51之間實體接觸之方式來設定。較佳地，一等 級為200到则埃之薄層的介電質可以防止它們彼此間接觸 。假如接觸產[電位差會損失而該驅動電壓會產生波動 或者"亥可私動樑5 0係利用沉積一薄層介電質在其側上 二極體”晶 該可移動 面的介電 使用一锻 移動電極 同彈性常 蟹腿狀、 不同或相 30係形成 仍;.、、:夺考圖2 ’其說明根據本發明之變容_ 片“的綵口圖不’孩等梳型驅動電極係為5 0 A。 :極係建立在該基材之内或在已沉積在該基材上 貝層上。圖2所說明的範例為可移動電極50係藉由 重鏈住彎曲支持來連接在該介電質的兩侧。該可 :以藉由種種彎曲支持來支持，可提供給該樑不 數^等彎曲支持可以係為單—鏈住、婉挺的、 -口疋的支持。金屬電極5〇A及5〇可以係屬於 同材料’議用較佳電氣連接係較佳。一凹洞 86854 1232500 在口亥私貝或基材中，在該可移動；P 5 〇的下s 構可以自由移動。㈣… 的下面，允許該結 、、 邊對應笔極50係形成在該介電質内而在 f凹洞30<上’該凹洞係使用諸如鑲嵌法之傳導半導㈣製 k技術來填滿犧牲材料。 十^寺兒極50八係使用貫穿電鍍法來 ，二：私㈣上。當施加-電壓差於該等電極50及5刺 #私力"吸W可移動電極5G朝向靜止電極51B而去，造 ^ ::一 ：偏向或朝向孩靜止電極移動。當該電極變形時， 奋亥"ί吕5虎電極5 1 A會命4各rir 士二、Λ·々 作 σ ;在孩寺電極之間的間隙距離的 ，交化所產生的電容變化。 圖3係為該載子側基材之综合圖示，其說 絕緣材料21中所包厶之 間隙31(W1)。 4驅動㊅極別、信號電㈣纽溝渠 及MEM=置也係如此配置使得該等驅動電極係具# μ 配置可以最大化用以降低驅動電壓之梳型驅動主動區域。 梳型驅動電極51Β之某一特殊組合。除了該配 之 $ 了以使用圖4所示之迷宮型配置及圖6所示之接 針型配置。圖4中所示之迷宮型配置由於增加該等電極之章刃 性，預期可以最小化該等梳型驅動電極之橫向下拉效應。 其他梳型驅動電極50Α之配置也是可能。圖3、5及7分別地 二月圖2 4及6〈對應的底邵電極配置。例如，圖3說明的 觀念係為在信號電極之處，51Α係處於該凹洞區域之間内而 梳型驅動電極5 1 Α係沿著該等凹洞之側壁形成。 圖8說明該MEM變容二極體裝置之其他配置，其使用電氣 貫通（electricai feed thr〇ugh)之焊接凸塊5 i c來封裝。在=于 裝方法中’該載子基材係貼附到一暫時性基材（未顯示W該 86854 -12 - 1232500 展邵基材11係被拋光或研磨以開放該等電極。因此，傳統半 導體凸塊化製程係使用焊接凸塊來用以產生與該等底部電 極之直接電氣連接。該暫時性基材11A(未顯示）然後會被移 除居等¥接凸塊典型的咼度係為0.1到1厘米的等級。該載 子基材會被切割，而各個組件係被貼附到一有機或陶瓷基 材12上用以電氣連接。使用該方法，該裝置之，，晶片側，，之晶 圓等級的對準及結合可以完成到該裝置之載子側，提供改 良之良率及較低製造成本之優點。 圖9到21係說明可用以使用本發明來製造該MEM變容二 極體裝置之頂端晶片側之處理順序，而圖22到39係說明可 用以製造該MEM變容二極體裝置之底部載子側的處理順序 。一步步的處理順序係簡單地描述於下： 晶片側處理順序： 圖9說明該製程之第_半既， .^ ,知 ^ 步，其中絕緣或半絕緣材料20係 沉積在該晶片側基材10的上面。較佳地，該材料2〇之厚度 係要與準備形成在該可移動電及之下的凹洞的高度相匹配 而允》午U冓自由矛夕動。圖工〇說明形成在材料2 〇中之凹 洞31該材料则使用傳統半導體微影及圖案化技術來形 成在該整個晶片側基材1 〇之上。 在圖11中i牲材料或聚合物4Q係被沉積以填滿在先前步 驟所形成之凹洞。圖12說明平坦化㈣㈣W㈣… 絕緣或半絕料料2GA接著㈣積在整個材料4()上（圖⑺。 該絕緣材料鳩接著被圖案化及㈣以形成—開口，用㈣ 成該可移動電極及相關遠技 接30。種子層5〇c接著係被沉積用 86854 -13 - 1232500 乂進"步處理（圖14)。在圖15中，傳導材料5〇係使用電鍍或 ^他頒似技術來沉積在該整個基材上。所沉積之金屬厚度 應巧二少係等於該可移動電極之厚度。在圖1 6中，金屬50 '、、平坦化以形成该等電極於該整個基材上。種子金屬 5〇Β(例如鉻-銅）係接著被沉積在該整個基材用以選擇性地 2鍍該等電極（圖17)。光阻或聚合材料6G接著係被沉積及圖 木化以形成供該選擇性電鍍製程所用之複數個開口（圖丄8) 〃在圖1 9中，梳型驅動電極係透過該光阻或聚合材料而被 私鍍。琢聚合材料/光阻6〇接著係被從基材1〇移除或剝除， 以緊跟著正被蝕刻或移除之種子金屬5〇b(圖2〇)。圖η說明 4曰曰片側之最後處理步驟，其中在該可移動電極底下的 犧牲材料40係被蝕刻或移除以形成一自由固定可移動樑。 該結構然後係被翻轉到該載子側之上，如銅圖丨所示。 晶片側處理順序： 圖22說明用以處理該MEM變容二極體裝置之載子側底 口I5另一半）的第一步驟。基材u係被圖案化及蝕刻以製造複 數個/木通道3 1以形成該等底部電極。絕緣材料或介電質21 接著係披覆地沉積在該等整個通道上（圖23)。傳導材料5 i (較佳地係為金屬）接著係被埋入在該等通道之内而被平坦 化以形成孩等底邵電極，正如一般在鑲嵌製程中所完成（圖 24)。介私貝或絕緣材料21A係被沉積在該等整個底部電極 上（圖25) ’其厚度決定該等梳型驅動電極之溝渠深度，所以 為厚度應咸至少等於或大於先前在該晶片側（圖2丨）所製造 I梳型驅動電極50A之高度。介電質材料21A接著係被圖案 86854 -14- 1232500 化及蝕刻以形成開口 3丨八在該等整個底部電極上（圖Μ)。傳 導材料或金屬5 1F接著係被沉積在該整個圖案化介電質上 (圖27)。光阻或聚合材料4丨係為如毯子般被沉積在該結構上 而被圖案化以曝光該金屬部分51F(圖28)。 在圖29中，該以曝光金屬係被蝕刻，除了該光阻/聚合物 所覆蓋該金屬的區域之外，而形成該等驅動電極5iB及信號 私極5 1A。泫光阻或聚合材料接著係被移除。絕緣材料2工b 係被沉積在該等開口之上以覆蓋該等電極5丨A及5 1B(圖3〇) 。光阻或聚合物材料係接著被圖案化，而該介電質21B係被 蝕刻在該等開口之底部（圖3丨）。光阻或聚合物41Λ係再次如 毯子般沉積而被圖案化以選擇地打開在該裝置之兩側上（圖 32)之互連或接觸墊5丨處之區域。之後，種子金屬5iE(例如 鉻·銅）係被沉積在整個聚合物41A(圖33)上。該聚合物41A 之厚度係關鍵參數，因為它決定該凸起接觸電極之高度及 頂端與底部電極之間的初始間隙距離。圖34所說明的步驟 為金屬51D(與51係為相同材料）係被沉積在該等接觸墊上， 然後被平坦化。圖35說明該載子侧基材之最後處理步驟， 其中該光阻或聚合材料41A係被移除或剝除以曝光凸出接 觸墊51D。一旦該載子及該晶片側基材完成，該晶片側基材 會被切割，而該晶片裝置（可移動樑）會被翻轉到該載子側基 材上’對準及接合以形成如同圖1中所見般的最後裝置。因 為該各自“晶片側，，裝置係同時被接合到該載子側基材上，爽 率及製造成本就可以降低（晶圓水準封裝）。同樣地，一旦該 最後裝置形成時並不需額外的封裝，因為該裝置係完全地 86854 -15- 1232500 被在兩側ι上的基材所包圍。對於要求該mem裝置之氣密 式游封的應用，该最後裝置之真空層積化可以使用聚合物 來完成，這導致該裝置具有良好的聚合物封裝。 在其他貫施例中，該Mem變容二極體裝置也可以使用另 外-種製造万法來互連。在具有該等凸起接觸塾（圖叫之載 子基材形成之後，聚合材料係留在該基材上面，而其他暫 時性基材11A係貼附到該聚合物上面(圖％)。基材u接著係 被拋光或研磨以打開用以互連之電極的底部（圖37)。材料 51C之焊接凸塊係使用傳導凸塊化製造方法來貼附於該基 材之底部（圖38)。典型用以烊接凸塊化之材料係為錯_錫二 錫-銀。絕緣或半絕緣聚合材料係沉積在該基材丨丨之底部以 確保機械穩定性。 圖39說明具有焊接凸塊互連之裝置之載子側的最後處理 步驟。在此，玻璃基材U A及聚合材料41A係被移除以曝光 凸起接觸塾51D。該基㈣後係被切割而貼料其他有機或 陶资基材12上以提供該等互連。各自的“晶片側，，裝置接著係 被翻轉而接合到該載子基材以形成如同圖8中所示的最後 裝置。 又 本發明已經連結-較佳實施例來加以描述，應了解的是 許多替代的選擇、修正及變化對於按照前面所提到之描述 的熱悉該項技藝者係變得很明顯。因此，希 王此約包含所 有落在該等伴隨_請專利範圍之精神及範園内的該等替代 選擇、修正及變化。所有在此所提出或在該等伴隨圖示中 所說明的内容係以說明式及非限制性的意思來解釋。 86854 -16- 1232500 【圖式簡單說明】 本^明的這些及其他目的、方面及優點當與該等伴隨圖 不連同一起採用時，可以從本發明之詳細較佳實施例來更 加了解。 圖1係為根據本發明之功能性MEM變容二極體裝置之橫 斷面圖示，請參見圖2中所示之線條A-A的切面； 圖2係為根據本發明在圖丨中所示之裝置的可移動零件（頂 端、晶片側）的综合圖示； 圖3係為根據本發明在圖丨中所示之裝置的固定零件（底部 、載子侧）的综合圖示； 圖3 A說明根據本發明之mem開關之剖視圖； 圖4係為具有一迷宮型配置的梳型驅動電極之裝置的可 移動零件（頂端、晶片側）的综合圖示，如同根據本發明之圖 1所示； 圖5忒明具有迷宮型配置之底部電極之裝置的固定零件 (底部、載子側）的综合圖示，表現根據本發明之圖4 ; 圖6係為具有其他配置的梳型驅動電極之裝置的可移動零 件（頂端、晶片側）的综合圖示，如同根據本發明之圖丨所示； 圖7說明具有其他配置之底部電極之裝置的固定零件（底 部、載子側）的综合圖示，其表現根據本發明之圖6 ; 圖8說明該MEM變客二極體裝置之其他配置，使用電氣貫 穿（electrical feed through)之焊接凸塊來封裝； 圖9到圖2 1說明根據本發明，製造該mem變容二極體裝置 之頂端晶片側所使用之處理順序； 86854 -17 - 1232500 圖22到圖39說明根據本發明，製造該MEM變容二極體裝 置之底部載子側的處理順序。 【圖式代表符號說明】 10 晶片側基材 11 載子側基材 11A 暫時性基材 12 有機或蚜瓷基材 20 絕緣或半絕緣材料 20A 介電質 21 絕緣材料或介電質 21A 介電質或絕緣材料 2 1B 絕緣或半絕緣介電質材料 30 凹洞 31 溝渠間隙 3 1A 開口 40 犧牲材料或聚合物 41 光阻或聚合材料 4 1A 聚合物 50 可移動樑 50A 梳型驅動電極 50B 種子金屬 50C 種子層 51 固定電極 51A 控制電極 86854 -18 - 1232500 51B 梳型驅動電極 51C 焊接凸塊 51D 金屬 51E 種子金屬 5 1F 傳導材料或金屬 60 聚合材料/光阻 -19 86854

Claims (1)

1232500 拾、申請專利範圍： 1. 一種半導體微機電（MEM)變容二極體，其包含： 一第一基材，其具有一可移動樑，該可移動樑至少有 某一端係栓到該第一基材，該可移動樑具有不連接鰭， 其係凸出於與該第一基材相反的方向上；及 一第二基材，其係耦合到具有固定電極之第一基材， 該等固定電極之每一個係分別地面對該等不連接鰭之 一，該不連續鰭係藉由該等凸出鰭與該等固定電極之間 的電壓來驅動。 2·如申請專利範圍第1項之MEM變容二極體，其中該第一 基材係被切割、翻轉、對準及結合到該第二基材，及其 中該第二基材係耦合到一第三基材。 3 ·如申請專利範圍第1項之MEM變容二極體，其中驅動電 極係藉由該第一電極與之從該等固定電極的每一個延 伸到超過該第二基材之表面之凸出的組合形成。 4. 如申請專利範圍第3項之MEM變容二極體，尚包含信號 電極’其檢向地位在該寺驅動電極之間的弟二基材中之 上表面處的凸出，其中施加一電壓於該可移動樑及該固 定電極之間會在該等固定電極上產生一吸引力而引起 該可移動樑的移動。 5. 如申請專利範圍第4項之MEM變容二極體，其中可變電 容器係分別地藉由信號電極作為該可變電容器之一第一 平板來形成，而該可移動樑提供該可變電容器之一第二 平板，這些電容的變化係作為在該第一與第二平板間之 86854.doc 1232500 間隙的函數。 6·如申請專利範圍第3項之MEM變容二極體，其中凸塊係 ’、占附到4等凸起，该凸起係耦合到焊接凸塊以提供對於 在該第三基材中所放置之互連的貼附。 7·如申請專利範圍第1項之MEM變容二極體，其中該等貼 附到省可和動樑之鰭係被對準，以分別在由該等延伸超 過該等固定電極之凸出所形成之空間内移動。 8_如申請專利範圍第丨項之MEM變容二極體，其中該可移 力板係被工氣所包圍，除了該可移動樑係栓到該第一基 材之點。 9.如申請專利範圍第1項之MEM變容二極體，尚包含複數 個固定電極，該等靜止電極之至少一電極係提供一信號 路徑在該至少一固定電極與該移動樑之間，形成一多埠 mem變容二極體。 10’如申請土利範圍第i項之MEM變容二極體，其中該等貼 附m移動樑之鰭係具有複數個配置的形狀。 U·如申請專利範圍帛1項之mem變容二極體，其中該等貼 付m私動樑之錯係具有最大化該驅動區域可以降 低驅動電壓之配置。 戈申w專利圍第i項之MEM變容二極體，其中該等貝古 付m私動樑〈鰭係具有藉由降低偏移該可移動相 所要求《電壓來最小化一橫向下拉效應之配置。 申巧專利範圍第1項之MEM變容二極體，其中該第三 基材係由有機材料或陶瓷所製成。 86854 1232500 14 · 一種劍、皮 y k 一微機電（MEM)變容二極體之方法，其 包含步驟如下： 所^沉積一第一介電質層在一第一基材上，該第一介電 質層具有至少-個蝕刻在其中之凹洞； b) 以犧牲材料填充及平坦化該至少一凹洞，· c) 形成一可移動樑在其上； d) ’儿和一第二介電質層在該第一基材上，及形成複數 個與該可移動樑的連接； e) >儿積一第一介電質層在一第二基材上； f) 形成複數個凹洞在該第二基材上之第一介電質上， 乂犧牲材料填滿及平坦化該等複數個凹洞； g) 沉積一第二介電質在該第二基材上之第一介電質 上’及以傳導材料填滿該等複數個凹洞以形成固定電極 於該等凹洞之間； h) 形成凸起接觸塾在該等固定電極四周； 0從所有該等凹洞移除該犧牲材料以釋放該可移動樑 及該等固定電極；及 j) 切割該第一基材及將該第二基材接合到已切割的第 一基材’同時將在該第一基材中之可移動樑與在該第二 基材中之固定電極對準。 15 如申請專利範圍第14項之方法，尚包含該等步騾如下： k) 接在步驟g)之後，加入一第三基材在該第二基材的 上面，然後拋光及研磨該第二基材之底部以打開該等固 走電極； 86854 1232500 l) 沉積一介電質層在該第一基材之下，然後形成桿接 凸塊； m) 將該第二基材接合在一第四基材的上面，這係配置 互連； 一 η)釋放在所有該等凹洞中之犧牲材料，然後移除該第 二基材以打開凸起接觸塾；及 〇)對準及結合該可移動樑到該第二基材。 86854