KR20090010357A - 알에프 스위치 - Google Patents

알에프 스위치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090010357A
KR20090010357A KR1020070073408A KR20070073408A KR20090010357A KR 20090010357 A KR20090010357 A KR 20090010357A KR 1020070073408 A KR1020070073408 A KR 1020070073408A KR 20070073408 A KR20070073408 A KR 20070073408A KR 20090010357 A KR20090010357 A KR 20090010357A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrode
signal transmission
conductive
insulating film
Prior art date
Application number
KR1020070073408A
Other languages
English (en)
Inventor
김영식
권혁
장성수
조일주
박용희
김용대
김태식
남효진
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020070073408A priority Critical patent/KR20090010357A/ko
Publication of KR20090010357A publication Critical patent/KR20090010357A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

본 발명은 RF 스위치에 관한 것으로, 제 1 기판에 신호 전송선을 형성하고, 제 2 기판에 압전 구동부를 형성함으로써, 웨이퍼 단위에서 복수개의 RF 스위치들을 제조 공정 및 패키징 공정을 수행할 수 있으며, 제 1과 2 기판을 접합하는 범프 하부로 전극 라인을 위한 트랜치(Trench)를 형성하여, 압전 구동부 및 신호 전송선을 전극 라인을 위한 트랜치로 전극 패드들과 연결함으로써, 패키지의 평탄화를 구현할 수 있게 된다.
접촉부, 트랜치, 전극패드, 스위치, 신호, 전송선, 와이어, 범프

Description

알에프 스위치 { RF switch }
본 발명은 웨이퍼 단위에서 패키지를 수행할 수 있는 RF 스위치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 기술의 발달과 더불어 소자의 소형화, 경량화 및 고성능화를 위한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
특히, RF 스위치는 정보 통신 기기의 신호 제어 및 가변 소자 구현을 위한 부품으로서 응용 범위가 다양하고, 소자의 소형화 및 성능에 매우 중요한 영향을 미치는 핵심 부품이다.
현재, 위성 통신 안테나, 신호 제어 시스템 및 이동 통신 단말기 등에서 요구하는 사양을 충족시키기 위한 RF 스위치의 개발에 많은 노력이 집중되고 있다.
특히, 차세대 이동 통신 단말기는 PCS, CDMA, GSM 폰 등을 통합한 다중 대역의 통합폰으로 발전해 나갈 것이며, 동시에 IMT-2000, GPS 등 다기능 폰의 수요가 크게 확대될 것이다.
이러한, 기술 구현을 위해 많은 연구가 이루어지고 있으며, 고주파 대역 및 다중 대역 적용을 위한 가변 핵심 부품으로서 RF 스위치의 소형화 및 성능 개선이 시급한 상황이다.
기존의 RF 스위치로서 FET 나 PIN 다이오드를 이용한 전기적 스위치를 주로 사용하고 있다.
이러한, 전기적 스위치는 주파수 대역이 높아지면서, 삽입 손실이 커지고 동시에 신호 격리도 특성에 있어서도 한계점을 가지고 있다.
또한, 스위치 구동을 위한 전력 손실이 커지고, 소자의 비선형성 및 신호 왜곡 현상으로 인하여 전체 시스템의 성능 구현을 어렵게 하는 요인이 되고 있다. 이러한 기존의 전기적 스위치의 문제점을 해결하기 위한 유력한 대안으로서 RF 멤즈(MEMS) 스위치에 대한 연구가 많은 주목을 받고 있다.
RF 멤즈 스위치는 전기적 스위치 요소를 기계적인 스위치로 대체하여 고주파수 대역에서의 삽입 손실 특성이 개선되고 신호 격리도 또한 우수한 특성을 가지고 있다.
또한, 스위치의 구동 방식에 따라 전력 손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 선형성이 좋아지며, 신호의 왜곡 및 간섭을 줄일 수 있는 장점을 가지고 있다.
기존의 RF 멤즈 스위치의 구동에 있어서 정전력(Electrostatic), 전자기력(Electromagnetic) 및 열(Thermal) 구동 방식 등의 구동 방식을 사용하고 있다.
전자기력과 열 구동을 이용하는 스위치의 경우 스위치의 구동 속도가 느리고 구동시 필요한 전류에 의해 소비 전력이 크다는 단점을 가지고 있다.
스위치의 구동 방식으로서 정전력을 이용하는 경우, 스위치의 구동 시간이 빠르고 전력 소모가 작으며 소자의 제조 방법이 용이하다는 장점으로 인해 가장 많은 연구가 이루어지고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 RF 멤즈 스위치의 동작을 설명하기 위한 개략적인 도면으로서, 이 RF 멤즈 스위치는 정전력을 이용하여 구동하는 것으로, 스위치의 기계적 구동부와 하부 전극 사이에 정전압을 인가하게 되면 정전력이 발생하게 되고, 이 힘에 의해 스위치가 기계적인 구동을 하게 되는 원리를 이용한다.
즉, 두 신호 전송선(11,12)을 개방 및 연결시켜 스위치의 기능을 수행하게 된다.
일반적으로, 정전력을 이용한 경우 소자의 크기를 줄일 수 있고, 전력 손실이 없다는 장점이 있으나, 스위치의 성능을 위한 구동 전압이 커지게 되고, 저전압 설계 및 신뢰성 확보를 위한 구조 구현이 어려운 단점을 가지고 있다.
정전력으로 구동되는 RF 멤즈 스위치의 경우, 스위치의 구동을 위해서 구동부와 바닥 전극이 필요하고, 스위치 구조의 패키징을 위해 공동 구조가 있는 상부 기판이 필요하다.
종래의 연구에 있어서 이러한 스위치 구조의 패키징을 위해서 실리콘이나 유리 기판을 상부 기판으로 사용하며, 상부 기판과 하부 기판의 접합은 폴리머 접착 본딩(Polymer adhesive bonding), 유테틱 본딩(Eutectic bonding), 아노딕 본딩(Anodic bonding) 방법 등을 사용한다.
이와 같은 방식의 패키징 기술은 하부 기판에 완성된 RF 멤즈 스위치의 특성 을 변화시키지 않으면서 동시에 패키징의 성능을 유지하기 위한 추가의 패키징 가공 기술을 요구한다.
즉, 상부 기판의 공동 구조와 함께 하부 기판 스위치 소자의 전기적 연결선을 위한 연결선 공정 등을 고려하여 접합하여야 하며, 이와 동시에 패키징의 기계적 강도와 허미틱(hermitic) 패키징을 보장하기 위한 웨이퍼 단위의 패키징 기술 구현이 매우 힘든 단점이 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 다른 RF 멤즈 스위치의 동작을 설명하기 위한 개략적인 도면으로서, 이런 압전 방식을 이용한 RF 멤즈 스위치는 스위치의 구동 전압이 5V 이하이면서 동시에 삽입 손실, 격리도, 스위칭 속도,소모 전력 및 수율 등이 우수하다.
또한, 스위치의 제작과 동시 공정으로 전체 스위치 소자가 유테틱 기판 접합에 의해 패키징함으로써, 스위치의 RF 특성 및 패키징의 기계적 특성이 우수한 웨이퍼 단위의 패키징이 가능하게 하여 단가가 낮은 RF 멤즈 스위치 소자의 제조 방법을 가능하게 한다.
그러나, 압전 방식의 RF 멤즈 스위치의 경우 그 제조 방법이 복잡하여 높은 수율을 보장하기 힘든 단점이 있다.
이 구조의 경우 압전박막을 구동하는 전극들(21,22)과 신호 전송선들(31,32)을 상부 기판을 관통하는 관통홀(Through hole)을 통해 연결하고 있다.
그리고, 압전체(50)의 구동으로 스위치 접촉부(40)를 신호 전송선들(31,32) 에 접촉 및 이탈시켜 스위칭 작용을 한다.
본 발명은 복수개의 RF 스위치들의 패키징을 가능하게 할 수 있는 구조를 구현하고 하는 과제가 있다.
본 발명의 바람직한 양태(樣態)는,
신호 전송선들이 배선되어 있는 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상부에 본딩되며, 상기 신호 전송선들에 접촉되는 스위치 접촉부가 구비되어 있는 캔틸레버가 형성되어 있는 제 2 기판으로 구성된 알에프 스위치가 제공된다.
본 발명은 제 1 기판에 신호 전송선과 제 2 기판에 압전 구동부를 형성함으로써, 웨이퍼 단위에서 복수개의 RF 스위치들을 제조 및 패키징 공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 제 1과 2 기판을 접합하는 범프 하부로 전극 라인을 위한 트랜치(Trench)를 형성하여, 압전 구동부 및 신호 전송선을 전극 라인을 위한 트랜 치로 전극 패드들과 연결함으로써, 패키지의 평탄화를 구현할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 신호 전송선들(111,112)이 배선되어 있는 제 1 기판(100)과; 상기 제 1 기판(100) 상부에 본딩되며, 상기 신호 전송선들(111,112)에 접촉되는 스위치 접촉부(250)가 구비되어 있는 캔틸레버(220)가 형성되어 있는 제 2 기판(200)으로 구성된다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 제 1 기판(100)의 상부에는 신호 전송선들(111,112)이 배선되어 있고, 상기 신호 전송선들(111,112)에 접촉되는 스위치 접촉부(250)가 제 2 기판(200) 하부에 있는 캔틸레버(220)의 선단에 형성되어 있다.
그러므로, 상기 캔틸레버(220)가 구동되어 휘어지게 되면, 상기 제 1 기판(100) 상부에 있는 신호 전송선들(111,112)에 접촉하게 되어 스위치 온(On)된다.
그리고, 상기 캔틸레버(220)에는 압전 캐패시터(240)가 형성되어 있어, 상기 압전 캐패시터(240)의 압전력에 의해 상기 캔틸레버(220)는 휘어진다.
여기서, 상기 신호 전송선들(111,112) 각각과 연결된 전극 패드들이 상기 제 1 기판(100)에 형성되어 있고, 상기 전극 패드들에는 와이어 본딩되어 외부 장치와 연결된다.
도 4에서는 '112' 신호 전송선과 연결된 전극 패드(121b)만 도시되어 있다.
그리고, 상기 압전 캐패시터(240)는 제 1 전극(241), 압전막(242)과 제 2 전극(243)이 순차적으로 적층된 적층막으로 구성되어 있고, 상기 제 2 전극(243)은 상기 제 1 기판(100)에 형성된 전극라인(130a)과 도전성 범프(311)로 연결되어 있고, 상기 전극라인(130a)은 제 3 패드(121c)와 연결되어 있고, 상기 제 3 패드(121c)는 와이어(410)로 본딩되어 외부 장치와 연결된다.
이때, 상기 제 2 기판(200)에는 관통홀들(210,211)이 형성되어 있어, 상기 관통홀들(210,211)을 통하여 상기 와이어들(410,411)이 상기 전극 패드들에 본딩되어 있는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명에 따라 압전 캐패시터의 제 2 전극에 연결된 범프와 패드를 연결하는 전극 라인을 설명하기 위한 일부 단면도로서, 본 발명은 제 1과 2 기판을 범프로 접합하여 RF 스위치를 패키지함으로써, 범프에 의해 접합되는 제 1과 2 기판면에 굴곡이 있으면 제 1과 2 기판이 평판화되지 않아서, 스위치 접촉부가 신호 전송선들에 접촉되지 않는 불량이 발생될 수 있다.
그러므로, 본 발명은 기판 내부면을 이용하여 범프로 둘러쌓은 내측에 있는 접점과 외측의 접점을 전기적으로 연결하는 것이다.
도 5를 참조하면, 제 1 기판(100)에는 트렌치들(180)이 형성되어 있고, 상기 트렌치들(180) 각각에는 도전성 물질(181)이 채워져 있고, 상기 제 1 기판(100) 상부에는 절연막(170)이 형성되어 있고, 상기 절연막(170)에는 상기 트렌치들(180) 각각과 연결된 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들(171,172)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 절연막(170) 상부에는 연결 패드(122)가 형성되어 있고, 이 연결 패드(122)는 도전성 범프(311)로 압전 캐패시터의 제 2 전극(243)에 연결되어 있다.
이때, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172) 중, 하나의 도전성 비아홀(171)이 전극 패드(121c)와 연결되고, 다른 하나의 도전성 비아홀(172)이 연결 패드(122)와 연결되면, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172), 상기 트렌치(180)에 채워진 도전성 물질(181), 연결 패드(122)에 의하여, 상기 압전 캐패시터의 제 2 전극(243)과 전극 패드(121c)는 전기적으로 연결된다.
따라서, 상기 트렌치들(180)에 채워진 도전성 물질(181), 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172) 및 연결 패드(122)는 압전 캐패시터의 제 2 전극(243)에 연결된 도전성 범프(311)와 전극 패드(121c)를 연결하는 전극 라인으로 정의할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따라 신호선과 패드를 연결하는 전극 라인을 설명하기 위한 일부 단면도로서, 신호선과 패드를 연결하는 전극 라인은 트렌치들(180)에 채워진 도전성 물질(181) 및 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172)은 전극 라인으로 정의할 수 있다.
도 6을 참조하면, 제 1 기판(100)에는 트렌치들(180)이 형성되어 있고, 상기 트렌치들(180) 각각에는 도전성 물질(181)이 채워져 있고, 상기 제 1 기판(100) 상부에는 절연막(170)이 형성되어 있고, 상기 절연막(170)에는 상기 트렌치들(180) 각각과 연결된 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들(171,172)이 형성되어 있다.
따라서, 본 발명의 전극 라인들 각각은 상기 트렌치들(180)에 채워진 도전성 물질(181) 및 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172)인 것이 바람직하다.
즉, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172) 중, 하나의 도전성 비아홀(171)이 신호 전송선(112)과 연결되고, 다른 하나의 도전성 비아홀(172)이 전극 패드(121b)와 연결되면, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172) 및 상기 트렌치(180)에 채워진 도전성 물질(181)에 의하여, 상기 신호 전송선(112)과 전극 패드(121b)는 전기적으로 연결된다.
그러므로, 상기 트렌치들(180)에 채워진 도전성 물질(181) 및 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172)은 전극 라인으로 정의할 수 있는 것이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 제 1 기판(100)이 실리콘 기판인 경우, 상기 실리콘 기판 상부에 절연막(150)을 형성한 다음, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전극라인 및 전극 패드들을 상기 절연막(150) 상부에 형성하는 것이다.
즉, 도 4에서 제 1 기판(100)과 '170' 절연막 사이에 다른 절연막 '150'이 더 형성되어 있는 것이다.
그러므로, 트렌치(180)에 채워진 도전성 물질(181)은 절연막(150)에 의해 실 리콘 기판과 상호 격리될 수 있는 것이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 제 3 실시예에서는 캔틸레버가 형성되어 있는 제 2 기판(200)이 전도성 기판이고, 캔틸레버(220)에 형성되어 있는 압전 캐패시터의 제 1 전극(241)이 상기 전도성 기판과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 전도성 기판에 와이어(430)가 본딩되어 외부 장치와 연결된다.
그리고, 압전 캐패시터의 제 2 전극(243)은 도 5와 같이, 상기 트렌치들(180)에 채워진 도전성 물질 (181), 한 쌍의 도전성 비아홀들(171,172), 연결 패드(122) 및 도전성 범프(311)로 전극 패드(121c)와 연결되어 있다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제 2 기판과 압전 캐패시터의 제 1 전극이 전기적으로 연결되는 것을 설명하기 위한 일부 단면도로서, 캔틸레버(220)는 제 2 기판(200)에 일측이 고정되어 있고, 타측은 떠있다.
이때, 제 2 기판(200)은 전도성 기판이므로, 캔틸레버(220)는 절연성 막으로 형성한다.
그리고, 상기 제 2 기판(200)에 고정된 캔틸레버(220) 영역에는 도전성 비아(225)을 형성하고, 상기 도전성 비아(225)가 제 2 기판(200) 및 압전 캐패시터의 제 1 전극(241)에 연결되도록 구성하면, 압전 캐패시터의 제 1 전극(241)은 제 2 기판(200)과 전기적으로 연결되는 것이다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 압전 캐패시터(240)의 제 2 전극(243)과 연결되어 있는 전극 패드(121c) 및 신호 전송선들(111,112) 각각과 연결되어 있는 패드를 노출시키는 관통홀들(210,211)이 제 2 기판(200)에 형성되어 있고, 상기 관통홀들(210,211)을 각각을 통하여 상기 패드들에 도전성 범프들(510,520)이 접촉되어 있다.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 캔틸레버(220)가 형성되어 있는 제 2 기판(200)에 하이 도핑 영역(High Doping Region)(280)이 형성되어 있고, 상기 캔틸레버(220)에 형성된 압전 캐패시터의 제 2 전극(243)은 상기 하이 도핑 영역(280)에 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 기판(200) 상에 절연막(227)이 형성되어 있고, 상기 절연막(227)에는 상기 하이 도핑된 영역(280)에 연결된 도전성 비아홀(229)이 형성되어 있고, 상기 도전성 비아홀(229)은 상기 절연막(227)에 형성된 전극 패드(221)와 연결되어 있고, 상기 전극 패드(221)는 와이어(410) 본딩되어 외부 장치와 연결된다.
그리고, 제 1 기판(100)에는 트렌치들(180)이 형성되어 있고, 상기 트렌치들(180) 각각에는 도전성 물질(181)이 채워져 있고, 상기 제 1 기판(100) 상부에는 절연막(170)이 형성되어 있고, 상기 절연막(170)에는 상기 트렌치들(180) 각각과 연결된 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들(171,172)이 형성되어 있고, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들(171,172) 중 하나의 도전성 비아홀(171)은 하나의 신호 전송선(171)과 연결되어 있고, 다른 하나의 도전성 비아홀(172)는 도전성 범프(330)와 연결되어 있고, 상기 도전성 범프(330)는 상기 제 2 기판(200)에 형성된 전극 패드(222)와 연결되어 있고, 상기 전극 패드(222)는 와이어(411) 본딩되어 외부 장치와 연결된다.
그러므로, 상기 제 1 기판(100)에 형성된 신호 전송선들(111,112) 각각은 하이 도핑 영역(High Doping Region)(280) 및 도전성 범프(330)를 통하여 전극 패드들(221,222)에 각각 연결된다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 RF 멤즈 스위치의 동작을 설명하기 위한 개략적인 도면
도 2는 종래 기술에 따른 다른 RF 멤즈 스위치의 동작을 설명하기 위한 개략적인 도면
도 3은 본 발명에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 5는 본 발명에 따라 압전 캐패시터의 제 2 전극에 연결된 범프와 패드를 연결하는 전극 라인을 설명하기 위한 일부 단면도
도 6은 본 발명에 따라 신호선과 패드를 연결하는 전극 라인을 설명하기 위한 일부 단면도
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제 2 기판과 압전 캐패시터의 제 1 전극이 전기적으로 연결되는 것을 설명하기 위한 일부 단면도
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 RF 스위치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도

Claims (10)

  1. 신호 전송선들이 배선되어 있는 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상부에 본딩되며, 상기 신호 전송선들에 접촉되는 스위치 접촉부가 구비되어 있는 캔틸레버가 형성되어 있는 제 2 기판으로 구성된 알에프 스위치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 캔틸레버에는 제 1 전극, 압전막과 제 2 전극이 순차적으로 적층된 압전 캐패시터가 형성되어 있고,
    상기 스위치 접촉부는,
    상기 압전 캐패시터의 구동으로 상기 캔틸레버가 휘어져, 상기 신호 전송선들에 접촉되는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 1 기판에는 트렌치들이 형성되어 있고, 상기 트렌치들 각각에는 도전성 물질이 채워져 있고, 상기 제 1 기판 상부에는 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에는 상기 트렌치들 각각과 연결된 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들이 형 성되어 있고, 상기 절연막 상부에는 연결 패드가 형성되어 있고, 이 연결 패드는 도전성 범프로 상기 압전 캐패시터의 제 2 전극에 연결되어 있고, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들은 전극 패드 및 연결 패드와 각각 연결되어 있고, 상기 전극 패드는 와이어로 본딩되어 외부 장치로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 신호 전송선들 및 압전 캐패시터의 제 2 전극 각각과 연결된 전극 패드들이 상기 제 1 기판에 형성되어 있고, 상기 전극 패드들은 와이어 본딩되어 외부 장치와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 기판에 트렌치들이 형성되어 있고, 상기 트렌치들 각각에 도전성 물질이 채워져 있고, 상기 제 1 기판 상부에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에는 상기 트렌치들 각각과 연결된 한 쌍의 도전성 비아홀(Via Hole)들이 형성되어 있고, 상기 한 쌍의 도전성 비아홀들 중, 하나의 도전성 비아홀이 신호 전송선과 연결되고, 다른 하나의 도전성 비아홀이 전극 패드와 연결되어, 상기 신호 전송선들 각각과 전극 패드들은 전기적으로 연결되고, 상기 전극 패드들은 와이어 본딩되어 외부 장치와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  6. 청구항 3 내지 5 중 하나에 있어서,
    상기 제 2 기판에는 관통홀들이 형성되어 있어,
    상기 관통홀들 각각을 통하여 상기 와이어들이 상기 전극 패드들에 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  7. 청구항 3 또는 5에 있어서,
    상기 제 1 기판은 실리콘 기판이고,
    상기 실리콘 기판과 상기 절연막 사이에는 다른 절연막이 더 형성되어 있고,
    상기 트렌치는 상기 다른 절연막 상부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 2 기판은 전도성 기판이고,
    상기 압전 캐패시터의 제 1 전극은 상기 전도성 기판과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 전도성 기판에 와이어가 본딩되어 외부 장치와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  9. 청구항 2에 있어서,
    상기 신호 전송선들 및 압전 캐패시터의 제 2 전극 각각과 연결된 전극 패드들이 상기 제 1 기판에 형성되어 있고, 상기 전극 패드들을 노출시키는 관통홀들이 제 2 기판에 형성되어 있고, 상기 관통홀들을 각각을 통하여 상기 전극 패드들에 도전성 범프들이 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
  10. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 2 기판에 하이 도핑 영역(High Doping Region)이 형성되어 있고, 상기 제 2 전극은 상기 하이 도핑 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 기판 상에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에는 상기 하이 도핑된 영역에 연결된 도전성 비아홀이 형성되어 있고, 상기 도전성 비아홀은 상기 절연막에 형성된 전극 패드와 연결되어 있고, 상기 전극 패드는 와이어 본딩되어 외부 장치와 연결되는 것을 특징으로 하는 알에프 스위치.
KR1020070073408A 2007-07-23 2007-07-23 알에프 스위치 KR20090010357A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070073408A KR20090010357A (ko) 2007-07-23 2007-07-23 알에프 스위치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070073408A KR20090010357A (ko) 2007-07-23 2007-07-23 알에프 스위치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090010357A true KR20090010357A (ko) 2009-01-30

Family

ID=40489549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070073408A KR20090010357A (ko) 2007-07-23 2007-07-23 알에프 스위치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090010357A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104860258A (zh) * 2013-09-19 2015-08-26 因文森斯公司 具有红外线吸收结构层的氮化铝装置
US9511994B2 (en) 2012-11-28 2016-12-06 Invensense, Inc. Aluminum nitride (AlN) devices with infrared absorption structural layer
US9617141B2 (en) 2012-11-28 2017-04-11 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US9618405B2 (en) 2014-08-06 2017-04-11 Invensense, Inc. Piezoelectric acoustic resonator based sensor
US10497747B2 (en) 2012-11-28 2019-12-03 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US10726231B2 (en) 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
EP3699939A1 (en) * 2010-01-15 2020-08-26 Wispry, Inc. Mems sprung cantilever tunable capacitor, rf mems and method of operating it

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3699939A1 (en) * 2010-01-15 2020-08-26 Wispry, Inc. Mems sprung cantilever tunable capacitor, rf mems and method of operating it
US9511994B2 (en) 2012-11-28 2016-12-06 Invensense, Inc. Aluminum nitride (AlN) devices with infrared absorption structural layer
US9617141B2 (en) 2012-11-28 2017-04-11 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US10160635B2 (en) 2012-11-28 2018-12-25 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US10294097B2 (en) 2012-11-28 2019-05-21 Invensense, Inc. Aluminum nitride (AlN) devices with infrared absorption structural layer
US10497747B2 (en) 2012-11-28 2019-12-03 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US10508022B2 (en) 2012-11-28 2019-12-17 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US10726231B2 (en) 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US11263424B2 (en) 2012-11-28 2022-03-01 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US11847851B2 (en) 2012-11-28 2023-12-19 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
CN104860258A (zh) * 2013-09-19 2015-08-26 因文森斯公司 具有红外线吸收结构层的氮化铝装置
US9618405B2 (en) 2014-08-06 2017-04-11 Invensense, Inc. Piezoelectric acoustic resonator based sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090010357A (ko) 알에프 스위치
TWI232500B (en) Micro-electromechanical varactor with enhanced tuning range
US6621135B1 (en) Microrelays and microrelay fabrication and operating methods
CN1519875A (zh) 射频微机电系统开关
US8018308B2 (en) Downward type MEMS switch and method for fabricating the same
US20070120445A1 (en) Piezoelectric RF MEMS device and method of fabricating the same
KR20220019098A (ko) 웨이퍼 레벨 탄성 표면파 필터와 패키지 방법
JP2005302711A (ja) アクチュエータおよびその制御方法およびこれを用いたスイッチ
KR20130109166A (ko) 자기적으로 작동되는 라미네이트 내 마이크로 전자 기계 커패시터 스위치
CN102486972B (zh) 双通道射频mems开关及其制造方法
CN110235238A (zh) 用于射频应用的结构
JP4260825B2 (ja) Ｍｅｍｓスイッチ及びその製造方法
US7830066B2 (en) Micromechanical device with piezoelectric and electrostatic actuation and method therefor
CN115084805B (zh) Mems移相器
KR100668614B1 (ko) 압전 구동 방식 저항형 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조방법
JP2004127871A (ja) マイクロリレー及びマイクロリレーの製造方法
KR101385398B1 (ko) 멤즈 스위치 및 그의 구동 방법
JP4970150B2 (ja) 半導体装置
JP2009272078A (ja) Ｍｅｍｓスイッチ
KR100650272B1 (ko) 압전형 알에프 멤스 스위치 및 이를 이용한 다중 대역안테나 모듈
CN101986410B (zh) 分路开关、半导体装置、模块和电子装置
KR101368016B1 (ko) 멤즈 스위치
KR20060078097A (ko) 압전력 및 정전력 구동 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치
KR100997685B1 (ko) 압전형 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
KR101292928B1 (ko) 알에프 멤즈 스위치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application