RU169456U1 - Трехбитный РЧ МЭМС варактор - Google Patents

Трехбитный РЧ МЭМС варактор Download PDF

Info

Publication number
RU169456U1
RU169456U1 RU2016127249U RU2016127249U RU169456U1 RU 169456 U1 RU169456 U1 RU 169456U1 RU 2016127249 U RU2016127249 U RU 2016127249U RU 2016127249 U RU2016127249 U RU 2016127249U RU 169456 U1 RU169456 U1 RU 169456U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
bit
dielectric layer
control electrodes
coplanar waveguide
cantilevers
Prior art date
Application number
RU2016127249U
Other languages
English (en)
Inventor
Григорий Константинович Алагашев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Базовые технологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Базовые технологии" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Базовые технологии"
Priority to RU2016127249U priority Critical patent/RU169456U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU169456U1 publication Critical patent/RU169456U1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области микроэлектромеханическим системам. Трехбитный РЧ МЭМС варактор включает в себя подложку, три управляющих электрода, на каждый из которых подается напряжение активации, три управляющих электрода, покрытых диэлектрическим слоем, копланарный волновод и три кантилевера, расположенных над диэлектрическим слоем и имеющих площадь перекрытия с центральной линией копланарного волновода в отношении 1:2:4. Технический результат заключается в обеспечении восьмиступенчатого изменения емкости с возможностью фиксации промежуточных значений. 2 ил.

Description

Настоящая полезная модель относится к микроэлектромеханическим системам, конденсаторам переменной емкости.
Конденсаторы переменной емкости найдут применение устройствах, где возникает потребность в настройке импеданса в ходе их работы. Это относится, например, к управляемым напряжением СВЧ генераторам, а также множеству элементов приемопередающих модулей, для которых в современных условиях требуется перестройка частоты - перестраиваемые согласующие схемы, перестраиваемые усилители мощности, перестраиваемые фильтры. В коммерческом сегменте пример актуальности перестройки частоты - мобильная радиосвязь, для которой в последние годы характерно увеличение числа стандартов связи. Сегодня для поддержки всех применяемых в смартфонах стандартов связи приходится использовать широкополосную антенну и десятки узкополосных фильтров и усилителей (отдельный для каждой частоты).
Из предшесвтующего уровня техники известен электростатический МЭМС ключ, который содержит кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, и подложку, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенную с к кремниевым кристаллом и образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами. Подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода. Технический результат заключается в уменьшении напряжения управления МЭМС ключом и увеличении максимально допустимого тока коммутации. RU 2541439 C1, D8D 7/02, 10.02.2015 г.
Из предшествующего уровня техники известен РЧ МЭМС-переключатель с гибкой и свободной мембраной переключателя, который содержит микромеханическое переключающее устройство, выполненное с возможностью приведения в действие между двумя положениями: первым положением (отключенное состояние) и вторым положением (включенное состояние), и активирующее устройство, предназначенное для приведения переключающего устройства в соответствующее положение. Микромеханическое переключающее устройство содержит гибкую мембрану, свободно поддерживаемую опорным устройством и выполненную с возможностью изгибаться под воздействием активирующего устройства и свободно скользить относительно опорного устройства во время своего перемещения изгиба. Технический результат заключается в уменьшении времени переключения и чувствительности к механическим сотрясением и вибрациям. RU 2007134310 A, Н01Н 1/00, 27.04.2009 г.
Недостаток данных технических решений состоит в больших потерях и низкой добротности, также не позволяет получить промежуточные значения емкости.
Задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, заключается в обеспечении ступенчатого изменения емкости с возможностью фиксации восьми промежуточных значений, создании нового типа СВЧ элементной базы.
Поставленная задача решается за счет того, что трехбитный РЧ МЭМС варактор включает в себя подложку, три управляющих электрода, на каждый из которых подается напряжение активации, 3 управляющих электрода, покрытых диэлектрическим слоем, копланарный волновод и 3 кантилевера, расположенных над диэлектрическим слоем, и имеющими площадь перекрытия с центральной линией копланарного волновода в отношении 1:2:4.
Технический результат, обеспечивающий решение поставленной задачи, состоит в обеспечении восьмиступенчатого изменения емкости с возможностью фиксации промежуточных значений.
Устройство поясняется фиг. 1, на которой изображен поперечный разрез А-А трехбитного РЧ МЭМС варактора в неактивированном состоянии.
Устройство поясняется на фиг. 2, на которой изображен трехбитный РЧ МЭМС варактор вид сверху.
Трехбитный РЧ МЭМС варактор включает в себя подложку 1, на которую нанесен нижний слой меди 2, далее расположены металлические кантилеверы 3, 4, 5, изгибаемые под действием приложенного постоянного напряжения. Таким образом обеспечивается восьми ступенчатое изменение емкости. На подложке 1 расположено три управляющих электрода 6, 7, 8, которые покрыты диэлектрическим слоем 9, между кантилеверами 3, 4, 5 и диэлектрическим слоем расположен воздушный зазор 10. Верхний слой меди состоит из кантилеверов 3, 4, 5 и копланарных линий. На диэлектрический слой 9 наносят жертвенный слой, который в ходе производства вытравливается, и образуется воздушный зазор 10.
Трехбитный РЧ МЭМС варактор обладает тремя кантилеверами, каждый из которых имеет площадь перекрытия с центральной линией копланарного волновода в отношении 1:2:4. Каждый кантилевер обладает собственным активационным электродом и активируется независимо от остальных. Таким образом варактор с тремя кантилеверами способен обеспечить восемь номинальных значений емкостей. Минимальной емкостью варактор обладает в неактивированном состоянии - все кантилеверы подняты, максимальной в активированном - все кантилеверы опущены, все остальные состояния - промежуточные.
Послойная топология трехбитного РЧ МЭМС варактора состоит из нескольких слоев: нижний слой меди, слой нитрида кремния, слой оксида кремния, верхний слой меди. При этом данная топология не включает несколько дополнительных служебных слоев. Нанесение меди состоит из четырех этапов: напыление адгезионного подслоя, напыление меди, утолщение меди (при необходимости), напыление защитного слоя.
Для напыления необходима технология вакуумного напыления металлов, которая примечется для формирования копланарного волновода, а также кантилеверов.
Для утолщения меди, а именно для увеличения толщины линий и формирования кантилеверов - электрохимическое осаждение. Металлизацию нижнего и верхнего слоев меди возможно выполнить используя одну и ту же подпоследовательность операций.
Осаждение нитрида и оксида кремния может производиться последовательно в одном процессе при использовании технологии плазмохимического осаждения.
Для формирования контуров планарных структур в каждом слое необходима технология лазерной фотолитографии, селективного химического травления и плазмохимического травления. Для удаления жертвенного слоя, а также меди требуется операция селективного химического травления.
Работа устройства осуществляется следующим образом.
Стационарное устройство находится в неактивном состоянии с минимальной емкостью. При приложении управляющего напряжения к любым из трех управляющих электродов - емкость трехбитного РЧ МЭМС варактора принимает соответствующие значения. В случае одновременного приложения управляющего напряжения ко всем трем управляющим электродам емкость устройства максимальна.

Claims (1)

  1. Трехбитный РЧ МЭМС варактор включает в себя подложку, три управляющих электрода, на каждый из которых подается напряжение активации, три управляющих электрода, покрытых диэлектрическим слоем, копланарный волновод и три кантилевера, расположенных над диэлектрическим слоем и имеющих площадь перекрытия с центральной линией копланарного волновода в отношении 1:2:4.
RU2016127249U 2016-07-06 2016-07-06 Трехбитный РЧ МЭМС варактор RU169456U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016127249U RU169456U1 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Трехбитный РЧ МЭМС варактор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016127249U RU169456U1 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Трехбитный РЧ МЭМС варактор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU169456U1 true RU169456U1 (ru) 2017-03-21

Family

ID=58449843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016127249U RU169456U1 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Трехбитный РЧ МЭМС варактор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU169456U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004038916A2 (en) * 2002-10-22 2004-05-06 International Business Machines Corporation Micro-electromechanical varactor with enhanced tuning range
US20070268095A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Tsung-Kuan Allen Chou Micro-electromechanical system (MEMS) trampoline switch/varactor
US20110109383A1 (en) * 2009-05-28 2011-05-12 Qualcomm Incorporated Mems varactors
RU2433499C2 (ru) * 2005-03-21 2011-11-10 Дельфмемс Радиочастотный микроэлектромеханический переключатель (рч мэмс-переключатель) с гибкой и свободной мембраной переключателя

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004038916A2 (en) * 2002-10-22 2004-05-06 International Business Machines Corporation Micro-electromechanical varactor with enhanced tuning range
RU2433499C2 (ru) * 2005-03-21 2011-11-10 Дельфмемс Радиочастотный микроэлектромеханический переключатель (рч мэмс-переключатель) с гибкой и свободной мембраной переключателя
US20070268095A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Tsung-Kuan Allen Chou Micro-electromechanical system (MEMS) trampoline switch/varactor
US20110109383A1 (en) * 2009-05-28 2011-05-12 Qualcomm Incorporated Mems varactors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7489004B2 (en) Micro-electro-mechanical variable capacitor for radio frequency applications with reduced influence of a surface roughness
US7319580B2 (en) Collapsing zipper varactor with inter-digit actuation electrodes for tunable filters
JP3890952B2 (ja) 容量可変型キャパシタ装置
US6127908A (en) Microelectro-mechanical system actuator device and reconfigurable circuits utilizing same
US7583169B1 (en) MEMS switches having non-metallic crossbeams
US7894205B2 (en) Variable device circuit and method for manufacturing the same
Giacomozzi et al. A flexible fabrication process for RF MEMS devices
JP4744449B2 (ja) 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2006128721A (ja) 静電的に動作するマイクロメカニカル・コンデンサ
US7548144B2 (en) MEMS switch and method of fabricating the same
KR20140079834A (ko) 전자 소자, 가변 커패시터, 마이크로스위치, 마이크로스위치의 구동 방법, mems형 전자 소자, 마이크로 액추에이터 및 mems 광학 소자
Singh et al. Monolithically integrated reconfigurable RF MEMS based impedance tuner on SOI substrate
US20040085166A1 (en) Radio frequency device using microelectronicmechanical system technology
KR20120101089A (ko) 전기신호를 스위칭하기 위한 전자기계적 마이크로스위치, 미세 전자기계적 시스템, 집적회로 및 집적회로를 생산하기 위한 방법
JP2008277743A (ja) 可変素子回路およびその製造方法
KR101086680B1 (ko) 가변 커패시터 및 가변 인덕터
RU169456U1 (ru) Трехбитный РЧ МЭМС варактор
RU159172U1 (ru) Рч мэмс варактор с электростатической активацией
WO2003015128A2 (en) An electromechanical switch and method of fabrication
KR100308054B1 (ko) 마이크로 스위치 및 제조 방법
EP2083431A1 (en) Microelectromechanical system tunable capacitor
Giacomozzi et al. U-shaped MEMS tunable microwave resonators
JP4359920B2 (ja) エレクトロメカニカルスイッチ
Guo et al. Miniature and tunable filters with MEMS switches
KR200431624Y1 (ko) 주파수 가변형 밀리미터파 필터

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20170707

NF9K Utility model reinstated

Effective date: 20200210