TWI229301B - Organic EL display - Google Patents

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TWI229301B
TWI229301B TW092125043A TW92125043A TWI229301B TW I229301 B TWI229301 B TW I229301B TW 092125043 A TW092125043 A TW 092125043A TW 92125043 A TW92125043 A TW 92125043A TW I229301 B TWI229301 B TW I229301B
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organic
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Kazuyoshi Omata
Reiko Yamashita
Takeshi Iwasaki
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Toshiba Matsushita Display Tec
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Description

1229301 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於顯示器，特別係關於有機EL(電激發光）顯 示器。 【先前技術】 有機EL顯示器為自身發光顯示器，故視野角度廣且反應 速度快。此外，因不需要背光板，故可薄型輕量化。由該 等之理由，近年來有機EL顯示器，作為取代液晶顯示器之 顯示器而備受注目。 但於有機EL顯示器之製程中，形成緩衝層或發光層等之 際，係採用乾燥含有有機材料之溶液塗布而成之塗膜之方 法例如首先，將對應各像素設置貫通孔之隔壁絕緣層形 成於基板上。其次，利用該等貫通孔作為儲液部，藉由喷 墨法等溶液塗布法，以含有有機材料之溶液充滿該等貫通 孔° μ ’ 由乾燥貫通孔内之液膜’由該等液膜去除溶 劑。如以上所為可得到緩衝層。藉由與此相同之方法，亦 可形成發光層。 方去中4A成發光層或緩衝層之塗布液 墨液僅配置於言通孔囟 , 马便 ，例如於隔壁絕緣層使用有機物等 足冋時，於賀墨成滕 a ^ 氣體等之撥胃f ^ i絕、緣層預先施行使用電漿 側辟且炉愛：^ 准因汉置於隔壁絕緣層之貫通孔之 側望具拖墨液性，配置於里 之接觸面積。因此，^ 一夜將減少與貫通孔側壁 、卜主， 搞壁絕緣層僅以有機絕緣屄所摄成 (情形下，！n層所構成 曰貝通孔擴散至規定之凹部底面
88016.DOC 1229301 全體。因此，於隔壁絕緣層僅以有機絕緣 曰％構成之情形 下’容易產生陽極與陰極間之短路。 置對於墨 ，係採用 由該種理由，通常，先於有機絕緣層之下，配 液之親和性較高之絕緣層。亦即，於隔壁絕緣層 絶緣層與有機絕緣層之二層構造。 受到對於利用於儲液部之無 惟發光層之膜厚均一性 ' 機絕緣層及有機絕緣層之溶液濡溼性，該☆、、、、 P寸’谷硬疋表面張 力或黏性，以及溶劑之乾燥特性等之影響。因&，於隔壁 絕緣層採用二層構造時，發光層相較於周緣部，中央部較 易變薄。 發光層之膜厚不均—時’電流將集中於該等膜厚較薄之 邵分。該種電流集中，不僅將妨礙像素内之均—發光，於 膜厚較薄部分之發光層將帶來早期劣&，降低顯示器之發 光哥命。 【發明内容】 本發明之目W，係提供一種發光層之膜厚均一性優良之 有機EL顯示器。 依據本發明之^側面，係提供—種有機虹顯示器，其 =徵，於包含：基板；絕緣底層，其係配置於前述基板上 ，包私，、係部刀被覆岫述絕緣底層者；隔壁絕緣層 二其係配置於前述絕緣底層上之同時，部分被覆前述第丄 t極者；有機物層，其係配置於前述第1電極之以前述隔壁 層所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者；及 w電極’其係配❹前述有機物層上者；其中前述有機物
880i6.DOC 1229301 “迷基板對向之表面係具備：第1區域；及第2區域 ，其係介於前述第i ρ ， σ〇或 £域與两述隔壁絕緣層之側面之間者； J述基板與前述第2區域間之距離， 第1區域間之距離為短。 “〗述基板與前述 特之第2側面’係提供一種有機此顯示器，其 者 =5·基板；絕緣底層’其係配置於前述基板上 ，並弟’其係部分被覆前述絕緣底層者；隔壁絕緣層 /、係配置於前述絶全麦麻爲 、 同時，部分被覆前述第1 :=去’其係配置於前述第1電極之以前述隔壁 ^豪不層所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者；及 Γ 爲其係配置於前述有機物層上者；其中前述隔壁絕 :層係包含絕緣層，其係被覆前述基板之以前述第i =所未被覆之部分與前述第i電極之周緣部之同時，於對 ‘“述第1電極之中央部之位置設置第1貫通孔者；及第2 :緣層’其係配置於前述第丨絕緣層上之同時，於對應前述 :1二極（位置設置第2貫通孔者;前述第2貫通孔之側壁係 “於可述第1及第2電極間，且包圍具有對應前述第i電極輪 廓之輪廓之區域。 依據本發明之第3側面，係提供—種有機弘顯示器，其 特欲，在於包含：基板；絕緣底層，其係配置於前述基板上 者’第1電極’其係部分被覆前述絕緣底層者；隔壁絕緣層 ’其係配置於前述絕緣底層上之同時，部分被覆前述第i 電極者；有機物層’其係配置於前述第i電極之以前述隔壁 絕緣層所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者；及
88016.DOC 1229301 f 2電極，其係配置於前述有機物層上者；其中前述非被覆 P係G s •问位準部，及低位準部，其係介於前述高位準 口P W則述第丨電極之以前述隔壁絕緣層所被覆之被覆部之 間者’且前述低位準部之上面係較前述高位準部之上面之 南度為低。 第1側面中，其中隔壁絕緣層係包含：第1絕緣層’其係 被覆基板之以前述第1電極所未被覆之部分與第!電極之周 、彖部之同時’於對應第i電極之中央部之位置設置第1貫通 孔者二及第2絕緣層’其係配置於第1絕緣層上之同時，於 ^應第1¾極之k置&置第2貫通孔者亦可。該情形下，第2 貝通孔疋側壁係夾於第i及第2電極間，且包圍具有對應第】 電極輪廓之輪廓之區域亦可。該情形下，進-步隔壁絕緣 層係包圍上述區域;内側之側壁與底面係由前述第i絕緣層 之表面所構成；外側之例辟^ 1 ^^璧係形成由前述第2絕緣層之表面 所構成之溝亦可。 同樣地，於第2側面中，笛〗货〜〜 弟1及罘2絕緣層之積層體係包圍 上述區域；内側之側壁盥庇 J 土只展面係由第丨絕緣層之表面所構 ，·外側之側壁係形成由莖？ 0 ^ β /风由罘2虼緣層之表面所構成之溝亦可。 第1側面中，非被覆部係 _ 1作匕δ ·阿位準邵；及低位準部， 其係介於高位準部盥第1兩彳 1 /、弟極之以隔壁絕緣層所被覆之 覆部之間者亦可。該愔彤Τ .. ， 、· ’ ，低么·準邵之上面係較前述高 位準部之上面之高度為低。 ° 第1及第3側面中，第1雷彳 弟私極與隔壁絕緣層，係將底面以低 位準部之表面所構成之 ％ 低 战凹# ’與展面以絕緣底層之表面所
88016.DOC -10- 1229301 構成之溝部，形成 P及第3倒二，=:與犧緣層之間亦可。 並係由心杯女 罘％極係包含：電極本體；及端予， 材料A二之周緣延㈣相之同時，與電極本體之 材科為由相同材料 +仏< 應此外，隔壁絕緣層係於對 圍：極本體’藉此，於第鴻極與隔壁絕緣層之間，在端子 且1置开y成開口〈開環狀溝部亦可。該情形下，電極本髀 /、“位”’端子具備低位準部亦可。 a 第1側面中，低位準部係包圍高位準部亦可。 上 第側面中，絕緣底層係於對應低位準部之位置·^ 置凹部亦可。 < 罘^至第3側面中，第1電極係陽極，第2電極係陰極亦可 3 h形下，有機物質係於陽極與發光層之間進一步包含 緩衝層亦可。 第1側面中，隔壁絕緣層係包含··無機絕緣層，其係配置 於基板之以第1電極所未被覆之部分上之同時，部分被覆 第1 %極者；及有機絕緣層，其係配置於無機絕緣層上者亦 可。或间壁絕緣層係有機絕緣層亦可。 第2側面中，第1絕緣層係無機絕緣層，第2絕緣層係有機 絕緣層亦可。 【實施方式】 以下關於本發明之數個樣態，一面參照圖式一面詳細說 明。此外於各圖中，於發揮同樣或類似功能之構成要素附 加相同之參照符號，省略重複之說明。
88016.DOC -11 - 1229301 圖1係概略表示關於本發明第丨樣態之有機EL_示哭之 截面圖。圖i所示之有機EL顯示器卜纟有將陣列基板泣 进封基板3透過接合層4而對向之構造。接合層锡沿贫封 基^之周緣延伸，藉此，於陣列基板2與密封基板3之;形 成在閉2間mi係、充滿*Al•氣體等稀有氣體或&氣體 之惰性氣體。 κ 陣列基板2係具有基板⑴纟㈣於該例巾，係如坡璃基 板之具有透光性之透明絕緣基板。 土 .於基板11上，作為下塗層，例如依序積層siNx層12與 Si〇x層 1 3 〇 於下塗層13上，依序積層：例如形成.通道及源極·波極 之多晶矽層等之半導體層14;例如使用咖(四乙基氧矽 烷）等形成而得之閘極絕緣膜15;及例如由M〇w等而成之 閘極電極16;該等係構成閘極頂型之薄膜電晶體（以下稱 為TFT)20。此外’於閘極絕緣膜15上，排列以與問極電極 16相同工序可形成之掃描訊號線（無圖示 閘極絕緣膜i 5及問極電極i 6，例如以藉由電聚c v d法等 成膜之si〇x等而成之層間絕緣膜21所被覆。於層間絕緣膜 21上配置源極•沒極電極23，該等係以例如由咖等而成 之純化膜24所被覆。源極•沒極電極23係例如具有 Mo/Al/Mo之一層構造，透過設置於層間絕緣膜21之接觸孔 與TFT20之源極•汲極電性連接。此外於層間絕緣膜以上 ，排列與源極·沒極電極23可以相同王序形成之影像訊號 線（典圖tit )。此外，於該例中，鈍化膜24係絕緣底層。
88016.DOC -12- 1229301 於純化膜2 4上，複數之第1電極2 5係相互遠離地並列設 置。第1電極25於該例中，係作為具有透光性之透明電極而 設置之陽極，例如由ITO(氧化銦錫）之透明導電性氧化物等 而成。第1電極25係透過設置於鈍化膜24之引洞與汲極電極 23電性連接。 於鈍化膜24上，進一步配置第1絕緣層26a。絕緣層26a 係於對應第1電極25中央部之位置設置第1貫通孔，被覆純 化膜24之由第1電極25露出之部分與第1電極25之周緣部。 絕緣層26a係例如親水性或對於墨液之親和性高之無機絕 緣層。相鄰之第1電極2 5藉由該絕緣層2 6 a，係相互電性絕 緣。 於第1絕緣層26a上，配置第2絕緣層26b。絕緣層26b係 於對應第1電極25之位置，設置較第1電極25為大之徑之第 2貫通孔。該等第2貫通孔之各別，係夾於第1電極25與後述 之第2電極28之間，且包圍具有對應第！電極25輪廓之輪廓 之區域。絕緣層26b係例如撥墨液性或撥水性之有機絕緣 層。此外，第1絕緣層26a與第2絕緣層26b之積層體，構成 於對應第1電極25之位置設置貫通孔之隔壁絕緣層26。 於第1電極25之以隔壁絕緣層26所未被覆之非被覆部上 ’設置包含發光層27b之有機物層27。該例中，緩衝層27a 及發光層27b構成有機物層27。緩衝層27a係具有媒介由第 1電極25往發光層27b之正孔注入之功能。此外，發光層27b 係包含例如發光色為紅色、綠色、或藍色之發光性有機化 合物之薄膜。
88016.DOC -13- 1229301 於隔壁絕緣層26及發光層27b上配置第2電極28。第2電 極28係透過設置於鈍化膜24及隔壁絕緣層26之接觸孔（無 圖示），與電極配線電性連接。各別之有機EL元件29，係 以該等第1電極25、有機物層27、及第2電極28所構成。 因此，有機EL顯示器1之緩衝層27a或發光層27b，可藉 由使用含有有機溶劑與有機化合物之溶液之溶液塗布法所 形成。該種溶液因使用極性較高之溶劑，故於溶液中之溶 劑含量非常多時，對於親水性之絕緣層26a之濡溼性高，對 於撥墨液性之絕緣層26b之濡溼性低。因此，為形成緩衝層 27a之溶液，欲使得於其塗布之後，與絕緣層2^之接觸面 積變廣，與絕緣層26b之接觸面積變窄。同樣地，為形成發 光層27b之溶液，欲使得於其塗布之後，與絕緣層26b之接 觸面積變窄。 此外，減少溶液中之溶劑含量時，其溶液之極性將降低 。因此，為形成緩衝層27a之溶液或為形成發光層27b之溶 液’於其乾燥過程中’附著於絕緣層2 6 b之側壁。 圖2係概略表示關於一比較例之有機el顯示器之陣列基 板之截面圖。 圖2所示之陣列基板2中，第2絕緣層2讣係與第1電極25 之端部重覆地配置。此外，該陣列基板2中，第1絕緣層26a 之由第2絕緣層26b所露出之部分係大致平坦。該種構造中 ，溶液係欲於第1絕緣層26a上往橫方向擴散之同時，並減 V與第2乡巴緣層2 6 b之接觸面積。因此，緩衝層2 7 a係於與第 2乡巴緣層26b之接觸面附近隆起，其接觸面附近之膜厚將變 88016.DOC -14- 1229301 厚。其結果，緩衝層27a或發光層27b之膜厚，不僅於絕緣 層26a上，即使於對應絕緣層26b之貫通孔之位置，亦由周 緣往中心大大減少。 有機EL元件29中，緩衝層27a或發光層27b之位於絕緣層 26a上之部分，幾乎不提供發光，以位於對應絕緣層26a之 貫通孔之邵分為主提供發光。因此，如圖2所示，於對應絕 緣層26a之貫通孔之位置，緩衝層27a或發光層27b之膜厚不 均較大時，將較易產生起因於電流集中之發光不均或早期 劣化。 圖3係擴大表示圖1所示之有機EL顯示器1之陣列基板之 一邵分之截面圖。圖4係概略表示圖3所示之構造之一部分 之平面圖。此外圖4中，省略有機物層27及第2電極28。此 外圖3所示之截面，係相當於沿圖4所示構造之ΠΙ-ΙΙΙ線之 截面。 如圖3及圖4所示，於本樣態中，以於對應第1電極乃中央 部之位置設置貫通孔之絕緣層26a，被覆鈍化膜24之由第！ 電極25所露出之部分與第！電極25之周緣部。採用該種配 置時，於絕緣層26a之表面，將起因於形成鈍化膜24與第1 電極25之表面凹凸構造，產生對應第1電極25之周緣部之環 狀凸部4 1，及對應第1電極25間之間隙部之格子狀凹部。除 此之外，本樣態中，無法將產生於絕緣層26a之表面之格子 狀凹邵以絕緣層26b完全填入，將較其凹部為窄之寬度之 絕緣層26b由凹部之側壁遠離地配置。換言之，絕緣層26b 係配置於相鄰第1電極25間，與第1電極25不重覆之位置。
88016.DOC -15- 1229301 因此，如圖3及圖4所示，於絕緣層26a與絕緣層26b之積層 體之表面，產生包圍發生於絕緣層26a表面之環狀凸部41 之溝42。 孩種構造中，緩衝層27a之底部表面之高度，係隨著由絕 緣層26b之下端往第}電極25之中心之增加而減少。此外因 該構造，藉由重力之作用，可使緩衝層之周緣部落入溝42 因此可防止緩衝層27a之周緣部隆起。除此之外，於形 成緩衝層27a或發光層27b之際，可使作用於塗膜之力最佳 化。其結果，可得到平坦性佳之緩衝層27a及膜厚均一性佳 <發光層27b。然後，可抑制起因於電流集中之發光不均或 早期劣化。 此外，採用圖3及圖4所示之構造時，於有機物層27之與 基板11之對向面，產生對應凸部41及溝42之凹凸。亦即’ 圖3及圖4所不（構造中，有機物層27之與基板η之對向面 ，係以對應凸部41之上面之第丨區域、對應溝42之底面同時 =於第1區域與隔壁絕緣層26之側面之間的第2區域、及被 第1與第2區域包圍之第3區域所構成。基板u與第2區域間 疋距離’係較基板丨丨與第丨區域間之距離為短。此外，基板 11與第3區域間之距離，亦較基板與第1區域間之距離為 短。 、本樣態中’溝42之寬度係、u _以上為佳。通f，溝42 :寬度過窄時’上述效果之出現為不顯著。此外，溝42之 寬度係4.G _以下為佳。溝42之寬度過寬時，不提供有機 EL元件29之發光之邵分之面積比將變高。
88016.DOC -16- 1229301 本樣態中，溝42之深度係50 nm以上為佳。通常，溝42 之深度過淺時，上述效果之出現為不顯著。此外，溝42之 深度雖無上限值，惟本樣態中，因如上述利用第1電極25 之厚度形成溝42，故通常溝42之深度係150 nm以下。 其次說明關於本發明之第2樣態。關於第2樣態之有機EL 顯示器，除有機物層27之底部之表面形狀及隔壁絕緣層26 之構造相異以外，具有與第1樣態之有機EL顯示器大致相 同之構造。 圖5係概略表示關於本發明第2樣態之有機EL顯示器之 平面圖。圖6係沿圖5所示之有機EL顯示器之VI-VI線之截 面圖。此外，於圖5中省略第2電極28。 圖5及圖6所示之有機EL顯示器1，具有陣列基板2。該陣 列基板2中，第1電極25係以··電極本體25a ;及由其周緣 往外側延伸之同時，與電極本體25a以相同材料而成之端子 25b所構成。電極本體25a，於該例中具有八角形之形狀， 透過端子25b與汲極電極23電性連接。此外，該陣列基板2 中，隔壁絕緣層26係於對應電極本體25a之位置設置貫通孔 。各貫通孔係於該例中，具有八角形之形狀，其侧壁係包 圍電極本體25a。 此外，圖5所示之有機EL顯示器1，通常與圖1所示之有 機EL顯示器1相同，進一步包含：與第2電極28對向之密封 基板3 ;及沿與其第2電極28之對向面周緣所設置之接合層4 :藉此，於第2電極28與密封基板3之間形成密閉空間。該 空間係充滿如Ar氣體等稀有氣體或N2氣體之惰性氣體。 88016.DOC -17- 1229301 之後’有機EL顯示器1之緩衝層27a或發光層27b與第1樣 態相同’可藉由溶液塗布法，例如使用含有有機溶劑與有 機化合物之墨液之噴墨法而形成。該種墨液於溶劑含量非 常多時’對於施行撥墨液處理之隔壁絕緣層26之表面之親 和性低。因此，之前之墨液係欲使得於塗布之後，減小與 隔壁絕緣層26之側壁之接觸面積。 圖7係概略表示關於其他比較例之有機el顯示器之平面 圖。圖8係沿圖7所示之有機EL顯示器之νιΙΙ-νιΙ]^^之截面 圖。此外，圖7中省略第2電極28。 如圖7及圖8所示，藉由設置於隔壁絕緣層26之貫通孔所 限疋之凹部之底面為平坦時，緩衝層27a或發光層27b等之 周緣邵易缺陷。例如於緩衝層2化及發光層27b雙方之周緣 部缺陷時，第1電極25與第2電極28將短路。此外，緩衝層 27a(周緣邵缺陷時，於其缺陷部電流將集中，將產生有機 EL元件29之破壞或壽命降低等。 對此，本樣態中如圖5及圖6所示，使端子25b之電極本體 25a側足端邵位於設置在隔壁絕緣層％之貫通孔内，同時於 端子25b4上述端部設置相較於電極本體（高位準部， 上面之高度為低之低位準部。藉此，於電極本體25a與隔壁 絕緣層26之間，形成底面係由低位準部之表面所構成之第 1凹部30a。因此，藉由毛細現象之作用等，可於該凹部 内，不產生缺陷地形成構成有機物層27之各層，可抑制於 端子25b之位置所產生之第1電極25與第2電極28之短路。 此外，本樣態中，隔壁絕緣層26之貫通孔係其側壁包圍
88016.DOC -18- 1229301 兒極本體25a，且由電極本體25a相隔特定間隙地設置，藉 方、％極本m 25a與隔壁絕緣層26之間形成於端子25b之 置開口之開環狀溝邵3〇b。進一步於本樣態中，以凹部3〇& 入開環狀溝# 3 Ob構成閉環狀之溝部3 〇。亦即於本樣態中 万、隔i、纟巴緣層26與電極本體25a之間，形成包圍電極本體 2 5 a之溝部3 〇。 形成咸種溝邵3 0時，藉由重力等之作用，可於以貫通孔 所限疋之凹邵之底面全體擴散墨液。因此，即使於隔壁絕 、’彖層26知用單層構造，亦可抑制於緩衝層27&或發光層 之周、·彖4產生針孔等，將難以產生第i電極25與第2電極Μ 之間之短路。 進步於本樣態中，例如即使設置於隔壁絕緣層26之貫 通孔之底面周緣部，構成有機物層27之層產生缺陷，因於 該處未配置電極本體25a，故難以產生^電極25與第2電極 2 8之短路。 此外，知用圖5及圖6所示之構造時，於有機物層27之與 土板11之對向面，產生對應溝部3〇之凸部。亦即於圖5及圖 斤厂、之構k中，有機物層2 7與基板11之對向面，係以對應 電極本體25a之上面之第1區域、及對應溝部30之底面且^ 時介於第1區域與隔壁絕緣層26之間的第2區域所構成。基 板11與第2區域間之距離’係較基板n與第i區域間之距離 為短。 其=說明關於本發明之第3樣態。關於第3樣態之有機此 顯示器’除第1電極25之形狀相異以夕卜與帛2樣態之有機
88016.DOC -19- 1229301 EL’顯7^器具有大致相同之構造。 圖9係概略表示關於本發明第3樣態之有機£1^顯示器之 平面圖。圖10係沿圖9所示之有機£1顯示器之χ_χ線之截面 圖。此外，圖9中省略第2電極28。 第k心中，使黾極本體2 5 a為較設置於隔壁絕緣層2 6之 貫通孔為小之尺寸，藉此，將產生於電極本體25a與隔壁絕 緣層26間之開環狀溝部鳩作為溝部3〇之一部分而利用。對 此，第3樣態中，如圖9及圖1〇所示，使電極本體25a為較設 f於隔壁絕緣層26之貫通孔為大之尺寸，於電極本體… 設置其周緣部較中央部為低之階差。藉此，於電極本體25a 之中央部與隔壁絕緣層26之間，產生作為溝部3〇之環狀凹 部30a亦即，將第1電極25之未以隔壁絕緣層26被覆之非 被覆部，以高位準部；及相較於高位準部，上面之高度較 低<低位準部所構成；並將高位準部以低位準部包圍。 第3樣態除採用該種構造以外，與第丨樣態相同。本樣態 亦可得到與第2樣態所說明之相同效果。 此外，採用圖9及圖10所示之構造時，於有機物層27之與 板1之對向面，產生對應溝邵3 〇之凸部。亦即，圖9及圖 1〇所示之構造中，有機物層27之與基板1丨之對向面，係以 對應電極本體25a之上面之第i區域、及對應溝3〇之底面同 時且介於第1區域與隔壁絕緣層26之間的第2區域所構成。 基板11與第2區域間之距離，係較基板u與第遵域間之距 離為短。 第2及第3樣態中，溝部3〇之寬度，例如成為2㈣至_
88016.DOC -20- 1229301 左右為佳。此外，溝部30之深度，成為第i電極25之厚度以 上為佳。 凹部30a例如圖6及圖10所示，可藉由於第1電極乃之底部 表面，亦即鈍化膜24之表面，預先設置第2凹部31而產生。 第2凹部31例如可利用蝕刻法而形成。例如對於鈍化膜 24進行半蝕刻時，可形成希望深度之第2凹部3丨。此外，所 謂之半蝕刻，係藉由較通常之蝕刻縮短處理時間，或藉由 改變曝光掩膜之透光密度，未貫通被蝕刻層程度地去除表 面區域之技術。 此外，取代對於鈍化膜24進行蝕刻，對於其底層之層間 絕緣膜21進行蝕刻亦可。例如於層間絕緣膜21藉由蝕刻而 設置貫通孔，於層間絕緣膜21之表面形成凹部，利用該凹 部於鈍化膜24之表面形成第2凹部31亦可。或於層間絕緣 膜21<表面藉由半蝕刻形成凹部，利用該凹部於鈍化膜μ 之表面形成第2凹部31亦可。 此外，第2凹部3 1可利用成膜法形成。例如將介於第i電 極25與基板11間之任一層以多階段成膜。此時，關於對應 第1凹邵3 1之區域與其以外之區域適當設定成膜次數時，可 形成第2凹部3 1。 其次，說明關於第丨至第3樣態之有機EL顯示器丨之主要 構成要素可使用之材料。 作為基板11，如係可保持形成於其上之構造者，使用何 者句可作為基板Π，如玻璃基板之硬質基板雖為一般， 准對應有機EL顯示器1之用途，使用如塑膠片等之可撓性
88016.DOC -21 - 1229301 基板亦可。 有機EL顯示器1係由基板丨丨側發光之下面發光型時， 為第1電極25係使用具有透光性之透明電 / 1下為透明電 極之材料，可使用IT0等透明導電材料。彡明電極之膜厚 :通常為10 nm至150麵左右。透明電極係可將ιτ〇等透: 導電材料藉由蒸鍍法或賤鍵法等堆積，並將藉此所得到之 薄膜使用光刻技術圖案化而得。 作為絕緣層26a之材料，例如可使用像錢化物切氧 化物（無機絕緣材料。由該等無機絕緣材料而成之 26a具有較高之親水性。 曰 作為絕緣層26b之材料，例如可使用有機絕緣材料。可使 用於絕緣層26b之有制緣㈣雖無 光性樹脂時，可容易地形成設置貫通孔之絕緣層抓吏= 可使用於形歧緣層26b之感光性樹脂，例如可列舉於苯 酚樹脂、聚丙晞、聚醯胺樹脂、 人铷i、- 4·此 水&妝馱寺乏鹼可溶性聚 "I物，添加萘醌二疊氮化物等感光性化合物而成’ 藉由曝光及鹼性顯影而形成正圖案之材料 成畲同安、义K材枓。此外，作為形 液之溶解速度之咸W人^ 射而減緩於顯影 之藉由紫外、二Γ ’例如可列舉具有像環氧基 層⑽，例如將基之感光性合成物。絕緣 等之㈣^ ㈣於絲11之料第1電㈣ 寺之面精由旋覆法塗布， 刻技術圖案化而得。 此而仔到之塗膜使用光 第2及第3樣態中’作為隔壁絕緣層％之材料，例如可使
88016.DOC -22- 1229301 用有機絕緣材料。作為如此之有機絕緣材料，例如可使用 關於絕緣層26b所例示之相同者。 隔壁絕緣層26之膜厚係緩衝層27a之膜厚與發光層27b之 膜厚之和以上為佳，通常係〇·09 μιη左右。此外 ，絕緣層26a之膜厚，通常係0·05 μιη至〇1 μιη左右。於形 成緩衝層27a或發光層27b之際，為提升以噴墨法塗布溶液 時之位置精度，於絕緣層26b之表面預先以eh · 〇2等電漿 氣體進行撥墨液處理為佳。 作為緩衝層2 7 a之材料，例如可使用施體性之聚合物有 機化合物與受體性之聚合物有機化合物之混合物。作為施 骨豆性之聚合物有機化合物，例如可使用像聚乙烯二氧塞吩 (以下稱為PED〇T)之聚塞吩衍生物及/或像聚苯胺之聚苯 胺衍生物等。此外，作為受體性之有機化合物，例如可使 用聚磺酸苯乙烯（以下稱為PSS)等。 緩衝層27a係將隔壁絕緣層26所形成之儲液部，藉由溶液 塗布法，充滿將施體性之聚合物有機化合物與受體性之聚 二物有機化合物之混合物溶解於有機溶劑中而成之溶液， 藉由乾紐儲液部内之液膜，可由該等液膜去除溶劑而得。 作為可利用於形成緩衝層27a之溶液塗布法，雖例如可列 舉’尤覆法、噴墨法、及旋覆法等，惟其中利用噴墨法為佳 、此外，上述液膜之乾燥，於熱及/或減壓之下進行亦可， 或藉由自然乾燥進行亦可。 、=為發光層27b之材料，可使用一般用於有機£乙顯示器 、敖光性有機化合物。該種有機化合物中作為發出紅色光
88016.DOC -23- 1229301 於聚乙埽基苯乙烯衍生物之苯環膽基 基置換基之聚合物化合物，或於聚乙締基苯乙缔衍 =物=職具有氰基之聚合物化合物等。作為發出綠色 ==:::_基，基、或芳香族 。、 土、入土苯裱之聚乙缔基苯乙烯衍生物等 ^1ώ1色光 < 有機化合物’例如可列舉像葙與惹之 一氷物之㈣衍生物等。此外，料光層27b，進一步於 :寺向分子之發光性有機化合物添加低分子之發光性有機 化合物亦可。 2光層27b如上述，將隔壁絕緣層⑽形成之儲液部，藉 由吟硬塗布法，充滿將發光性有機聚合物溶解於溶劑中而 合硬，藉由乾燥儲液部内之液膜，可由該等液膜去除 /合剤而件。作為可利用於形成發光層27b之溶液塗布法，雖 =如可列舉沈覆法、噴墨法、及旋覆法等，惟其中利用喷 墨法為佳。此外，上述液膜之乾燥，於熱及/或減壓之下進 行亦可，或藉由自然乾燥進行亦可。 一發光層27b之膜厚係對應使用之材料適當設定。通常，發 光層2%之膜厚係50 nm至200 nm之範圍内。 第2電極28係陰極時，第2電極28具有單層構造亦可，或 具有多層構造亦可。使作為陰極之第2電極28為多層構造 時例如於發光層27b上將含有鋇或鈣等之主導體層、與含 有銀或鋁等之保護導體層依序積層而成之二層構造亦可。 此外，於發光層27b上將含有氟化鋇等之非導體層、與含有 銀或銘等之導體層依序積層而成之二層構造亦可。進一步
88016.DOC -24- 1229301 ’於發光層27b上將含有氟化_等之非導體層、含有鎖 (王導體層、與含有銀或鋁等之保護導體層依序積層 之三層構造亦可。 ' 曰 弟1至弟3樣怨中，雖將第1電極25設於純化膜24上，惟 1電極25設置於層間絕緣膜21上亦可。亦即約電極25與影 像訊"5虎線设置於同一面上亦可。 ' 此外，第1至第3樣態中雖使有機此顯示器i為下面發光 型’惟5F可為上面發光型。此時，於第i電極25與純化膜^ 4間，夾入作為平坦層之例如有機絕緣層亦可。通常，盔 機絕緣層之成膜因於高溫進行，故隔壁絕緣層％包含無： 絕緣層時，之前成膜之_於基板11±將無法預先形成有 機物層。對此，依據第2及帛3樣態，因可將隔壁絕緣層％ 僅以有機絕緣層所構成，故可將有機物層配置於較隔壁繞 緣層26為下層。 & ' 依據第2及第3樣態，雖於隔壁絕緣層26採用單層構造， 且於緩衝層27a或發光層27b之周緣部可抑制針孔等之產生 ’惟该等效果係於隔壁絕緣層26採㈤多層構造時亦可得到 。例如於隔壁絕緣層26與帛！樣態相同，採用對於墨液親和 性較低之有機絕緣層26b，與配置於其下且對於墨液親和性 較南之無機絕緣層26a之二層構造亦可。 此外，第2及第3樣態中，於隔壁絕緣層％，在每個有機 EL元件29，亦即每個電極本體25a雖設置貫通孔，惟如隔 壁絕緣層26係可將有機物層27於每種發光色區分者，具有 其他之構造亦可。例如將於顯示區域内之發光色係紅色、
88016.DOC -25- 1229301 綠色、或藍色之有機EL元件29排列為條紋狀時，隔壁絕、緣 層26係對應先前之條紋設置帶狀開口者亦可。亦即於隔壁 絕緣層26設置帶狀開口之同時，對應發光色彼此相同之複 數有機EL元件29於各開口内帶狀地形成有機物層27亦可。 進一步於第1至第3樣態中，進行使用對向基板3之密封時 ，亦可於基板2、3間之空間填入乾燥劑以謀求元件29之長 壽命化，或填充樹脂以提升放熱特性。 以下，說明關於本發明之實施例。 (例1) 本例中，藉由以下之方法製作圖1所示之有機E]L顯示器i。 亦即，首先對於玻璃基板11之形成下塗層丨丨、12之面， 與通¥之TFT形成過程相同地反覆成膜與圖案化，形成 TFT20、層間絕緣膜21、電極配線（無圖示）、源極·汲極電 極23、及鈍化膜24。 其次於純化膜24上，使用濺鍍法形成厚度5〇 nmiIT〇膜 。接下來將該ITO膜藉由使用光刻技術圖案化而得到第i電 極25。於此處，使第！電極25成為對角55(1111之八角形。此 外’第1電極25係藉由掩模濺鍍法形成亦可。 其’人於基板11之形成第丨電極25之面，對應各像素之發光 部形成設置開口之親水性無機絕緣層26a。於此處，使絕 ”彖層26a之厚纟成為〇1 μχη。此外，使絕緣層之開口如 圖4所717，成為對角50 μιη之八角形。接下來於基板丨丨之形 成第1私極25之面，塗布感光性樹脂，藉由將得到之塗膜圖 案曝光及顯影，對應各像素之發光部形成^置開口之撥墨
88016.DOC -26- 1229301 液性有機絕緣層26b。於此虛 ，使絕緣層26b之開口成、，使絕緣層2讣之厚度為3 jum 形。 為如圖4所示之對角58 μηι之八角 如以上所為，可得到積層系 隔壁絕緣層26。此外，於形y 使用CF4/〇2電漿氣體之表面j 化。 緣層26a與絕緣層26b而成之 搞壁絕緣層2 6之基板11施行 理’將絕緣層26b之表面氟 ^欠於隔壁絕緣層26所形成之各別儲液部， 由於 wy成硬胰。接下來將該等液膜藉 ； 度加熱3分鐘’得到緩衝層27a。 後万、對應紅、綠、監色之像素之緩衝層…上，分別 夺紅、綠、藍色之發光層形成用墨液藉由嗜墨法噴出並形 成液膜。接下來，將該等液膜藉㈣啊之溫度加⑴小時 ’得到發光層27b。 其次於基板11之形成發光層27b之面藉由真空菽鍍鋇， 接下來蒸鍵銘以形成第2電極28。#此，完成TFT陣列基板 <後，於玻璃基板3之一方之主面之周緣部塗布紫外線硬 化型樹脂，形成接合層4。其次將玻璃基板3與陣列基板2 ，使玻璃基板3設置接合層4之面與陣列基板2之設置第2電 極28之面，對向地於惰性氣體中貼合。進一步，藉由紫外 線照射使接合層硬化，完成圖1所示之有機el顯示器1。 (比較例1) 除於陣列基板2採用圖2之構造以外，與上述例1所說明之 88016.DOC -27- 1229301 相同方法製作有機EL顯示器。此外，本例中，使第1電極 25成為對角58 μηι之八角形，使親水層26a之開口成為對角 50 μιη之八角形，使絕緣層26b之開口成為對角55 μπι之八 角形。 其次關於例1及比較例1之有機EL顯示器1，以截面SEM 觀察緩衝層27a及發光層27b。 其結果’例1之有機EL顯示器1中，於設置在絕緣層26a 之貫通孔之位置，緩衝層27a或發光層27b之膜厚係大致均 一。亦即，例1之有機EL顯示器1係具有可抑制對於發光層 27b之一部分之局部電流集中之構造。實際上以該有機EL 顯不器1進行顯示時，於各別像素内不產生亮度不均。對此 ’比較例1之有機EL顯示器1中，於設置在絕緣層26a之貫 通孔之位置，緩衝層27a或發光層27b之膜厚不均較大，於 各別像素内產生亮度不均。 (例2) 本例中，藉由以下之方法製作圖5及圖6所示之有機EL顯 示器1。 亦即，首先對於玻璃基板11之形成作為下塗層之3丨]^)(層 12及Si〇2層13之面，與通常之TFT形成過程相同地反覆成 膜與圖案化，形成TFT20、層間絕緣膜2 1、各種配線（無圖 示）、源極•汲極電極23、及純化膜24。於此處，使用多晶 石夕層作為TFT20之半導體層14，閘極絕緣膜15係使用TEOS 而形成，並使用MoW作為閘極電極1 6之材料。此外，形成 作為層間絕緣膜21之厚度660 nm之PEO層，並形成作為鈍 88016.DOC -28 - 1229301 化膜24之厚度450 nm之SiN層。進一步，於源極·汲極電 極23，採用Mo/Al/Mo之三層構造。 其次使用光刻技術及蝕刻技術，於鈍化膜24形成深度 200 nm之第2凹部3 1。接下來使用光刻技術及蝕刻技術， 於鈍化膜24形成開口徑為約10 μηι之接觸孔。 其次於鈍化膜24上，使用濺鍍法形成厚度50 nm之ΙΤΟ膜 。接下來將該ITO膜藉由使用光刻技術及蝕刻技術圖案化 ，得到作為陽極之第1電極25。於此處，使第1電極25之電 極本體25a成為一邊為80 μιη之正八角形。此外，於由電極 本體25 a延伸之帶狀端子25b，對應第2凹部31，使深度200 nm且寬度10 μιη之第1凹部30a橫切端子25b地形成。此外， 第1電極25係藉由掩模濺鍍法形成亦可。 其次於基板11之形成第1電極25之面，塗布正型之紫外 線硬化樹脂，將得到之塗膜圖案曝光及顯影，進一步藉由 進行22(TC之30分鐘之烘烤，對應各像素之發光部形成設 置貫通孔之隔壁絕緣層26。於此處，使隔壁絕緣層26之厚 度成為3 μηι，使隔壁絕緣層26之貫通孔成為基板11側之一 邊長度為90 μηι之正八角形。藉此，於電極本體25a與隔壁 絕緣層26之間，產生深度50 nm且寬度5 μιη之開環狀溝部 30b 〇 其次於反應性離子蝕刻裝置，於形成隔壁絕緣層26之基 板11施行使用CF4/〇2電漿氣體之表面處理，將隔壁絕緣層 26之表面氟化。 其次於隔壁絕緣層26所形成之各別儲液部，藉由使用壓 88016.DOC -29- 1229301 電式噴墨喷嘴之噴墨法噴出緩衝層 。於此處，作為緩衝層形成用墨液 含有PEDOT為1·〇重量％之濃度之溶液 形成用墨液並形成液膜 ’係使用於有機溶劑中 。此外，使墨液之供 給速度成為〇·〇5 mL/分。接下办脱二—、 接下木將茲等液膜藉由於20(TC之 溫度加熱300秒，得到厚度1〇〇nm之緩衝層2^。 之後，於對應紅、綠、藍色之像素之緩衝層27&上，分別 將紅、綠、藍色之發光層形成用墨液藉由噴墨法喷出並形 成液膜。於此處，作為發光層形成用墨液，係使用於有機 溶劑中含有發光性有機化合物為2()重量％之濃度之溶液 。此外，使墨液之供給速度成為〇〇5 mL/分。接下來，將 該等液膜藉由於1〇〇1之溫度加熱15秒，得到厚度i5〇 nm 之發光層27b。 其次在1(r7Pa之真空中，於基板丨丨之形成發光層27b之面 真空蒸鍍厚度6000 nm之鋇。接下來維持真空之下，於鋇層 上蒸鍍鋁。以如此所為，形成作為陰極之二層構造之第2 電極28。 之後，於作為密封基板之另外準備之玻璃基板（無圖示） 足一方之主面之周緣部塗布紫外線硬化型樹脂，形成接合 層（無圖示）。其次將密封基板與基板丨丨，使密封基板之設 置接合層之面與基板11之設置第2電極28之面，對向地於惰 性氣體中貼合。進一步，藉由紫外線照射使接合層硬化。 如以上所為，完成縱480像素、橫640 X 3(R、g、B)像素， 計92萬像素之有機EL顯示器1。 (例3)
88016.DOC -30- 1229301 本例中，除藉由以下之方法產生第2凹部3丨以外，藉由與 例2所說明之相同方法製作圖5及圖6所示之有機EL顯示器 1 °亦即本例中，取代藉由蝕刻鈍化膜24以形成第2凹部3 1 ’使用光刻技術與蝕刻技術於層間絕緣膜2丨形成深度3⑽ nm之第3凹部（無圖示），藉此，於鈍化膜24產生深度200 nm 之第2凹邵31之同時，於帶狀端子25b產生深度2〇〇11111且寬 度10 μηι之第1凹部30a。 (例4) 本例中’藉由以下之方法製作圖9及圖1 〇所示之有機el 顯示器1。 亦即’首先藉由與例2所說明之相同方法，進行至鈍化膜 24之成膜為止。 其次使用光刻技術及姓刻技術，於鈍化膜24形成深度2〇〇 nm之環狀第2凹部31。接下來使用光刻技術及蝕刻技術， 於純化膜24形成開口徑為約1 〇 pm之接觸孔。 其次於純化膜24上，使用濺鍍法形成厚度5〇11111之17〇膜 。接下來將孩ITO膜藉由使用光刻技術及蝕刻技術圖案化 ’得到作為陽極之第1電極25。於此處，使第1電極25之電 極本1 25a成為一邊為8〇 μιη之正八角形。此外，於電極本 體25a，形成對應第2凹部3 1之階差。 其次藉由與例2所說明之相同方法形成隔壁絕緣層26。於 该隔壁絕緣層26與電極本體25a之中央部之間，產生深度 200 nm且寬度1〇 環狀第1凹部3〇a。 其次依序進行與例2所說明之相同工序。如以上所為，完
88016.DOC -31 - 1229301 成縱480像素、橫640 χ 3 (R、G、B)像素，計92萬像素之有 機EL顯示器1。 (例5) 本例中’除藉由以下之方法產生第2凹部3 1以外，藉由與 例4所說明之相同方法製作圖9及圖10所示之有機EL顯示 器1 °亦即本例中，取代藉由蝕刻鈍化膜24以形成第2凹部 3 1 ’使用光刻技術與蝕刻技術於層間絕緣膜2丨形成深度 300 nm之第3凹部（無圖示），藉此，於鈍化膜24產生深度2〇〇 nm之第2凹邵31之同時，於隔壁絕緣層26與電極本體25a之 中央邵之間，產生深度2〇〇nm且寬度1〇μΓη之環狀第1凹部 30a 〇 (比較例2) 本例中’除未設置第1凹部3〇a及第2凹部31以外，藉由與 例43所說明之相同方法製作圖7及圖8所示之有機el顯示 器1。 其次關於例2至5及比較例2之有機El顯示器}，以截面 SEM(電子掃描顯微鏡）觀察緩衝層27a及發光層27b。 其結果，例2至5之有機EL顯示器1中，於設置在絕緣層 26a《各貫通孔内，緩衝層27a或發光層27b之膜厚係大致 勻 於汶等不產生缺陷。亦即，例2至5之有機顯示器 1係具有可抑制第1電極25與第2電極28之間之短路，或對 於發光層27b之一部分之局部電流集中之構造。實際上以 該有機EL顯示器Λ進行顯示時，於各別像素内不產生亮度 不均寺。
88016.DOC 32· 1229301 對此’比較例2之有機EL顯示器1中，於設置在隔壁絕緣 層26心貫通孔之位置，緩衝層27a或發光層27b之膜厚不均 較大’於各別像素内產生亮度不均。 【圖式簡單說明】 圖1係概略表示關於本發明第1樣態之有機el顯示器之 截面圖； 圖2係概略表示關於一比較例之有機el顯示器之陣列基 板之截面圖； 圖3係擴大表示圖丨所示之有機el顯示器之陣列基板之 一部分之截面圖； 圖4係概略表示圖3所示之構造之一部分之平面圖； 圖5係概略表示關於本發明第2樣態之有機el顯示器之 平面圖； 圖6係沿圖5所示之有機EL顯示器iVI_VI線之截面圖； 圖7係概略表示關於其他比較例之有機EL顯示器之平面 固 · 圖， 圖8係沿圖7所示之有機EL顯示器之之截面 圖； 圖9係概略表示關於本發明第3樣態之有機£]：顯示器之 平面圖； 圖10係沿圖9所示之有機EL顯示器之χ_χ線之截面圖。 【圖式代表符號說明】 1…有機E L顯示器 2...陣列基板 88016.DOC -33- 1229301 3.. .密封基板 4.. .接合層 11…基板 12…SiNx層 1 3…Si〇x層 14…半導體層 15…閘極絕緣膜 16…閘極電極 20---TFT 21…層間絕緣膜 2 3…源極•沒極電極 24…鈍化膜 25…第1電極 25a…電極本體 25b…端子 26…隔壁絕緣層 2 6 a、2 6 b…絕緣層 27···有機物層 2 7 a…緩衝層 2 7 b…發光層 28…第2電極 29···有機EL元件 30…溝部 30a···凹部 -34
88016.DOC 1229301 30b…環狀溝部 41…凸部 42···溝 -35
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Claims (1)

1229301 拾、申請專利範圍·· L 一種有機£L顯示器，其特徵在於包含··基板； 絕緣底層，其係配置於前述基板上者； 第1電極，其係部分被覆前述絕緣底層者； 隔壁絕緣層，其係配置於前述絕緣底層上之同時，部 分被覆前述第1電極者； 有機物層，其係配置於前述第1電極之以前述隔壁絕 、彖層所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者；及 第2電極，其係配置於前述有機物層上者； /、中Μ述有機物層與前述基板對向之表面係具備：第 區戍，及第2區域，其係介於前述第丨區域與前述隔壁絕 、豕層〈側面《間者；且前述基板與前述第2區域間之距離 ，係較前述基板與前述第丨區域間之距離為短。 2.如申請專利範圍第!項之顯示器，纟中前述隔壁 係包含： 曰 被覆之部分與前述第1電極之周緣部之 述第1電極之中央部之位置設置第丨貫 、弟緣層’其係被覆前述基板之以前述^電極所未
2項之顯示器，其中前述隔壁絕緣層 内側之側壁與底面係由前述第丨絕^ 88016.DOC 1229301 4· 6. 層之表面所構成；外側之側壁係形成由前述第2絕緣層 <表面所構成之溝。 曰 勺=叫j利範圍第丨項之顯示器，其中前述非被覆部係 ·向位準部；及低位準部，其係介於前述高位準部 产、則述第1電極之以前述隔壁絕緣層所被覆之被覆部之 間=|且前述低位準部之上面係較前述高位準部之^ 之高度為低。 =:青專利範圍第4項之顯示器’其中前述第1電極與前 “壁絕緣層，《底面以前述低位準部之表面所構成 與底面以前述絕緣底層之表面所構成之溝部， 元成於前述高位準部與前述隔壁絕緣層之間。 如申請專利範圍第4項之顯 .,^ 本.… 員'咨，其中前述第1電極係包 :至=本體:及端子’其係由前述電極本體之 S外心同時’與前述電極本體之材料為相同材料而 J述隔壁絕緣層係於對應前述第1電極之位置設置貫 前述貫通孔之側壁係包圍前述 述第1電極與前述隔壁絕緣層之間二：此’於前 成開口之開環狀溝部； “述端子之位置形 二:極本體具備前述高位準部，前述端子具備前述 ^請專利範圍第巧之顯㈣，其 包圍前述高位準部。 k低係 88016.DOC 1229301 8.如申請專利範圍第4項之顯示器，其中前述絕緣底層係 於對應前述低位準部之位置設置凹部。 9·如申請專利範圍第i項之顯示器，其中前述第夏電極係陽 極，第2電極係陰極，前述有機物質係於前迷陽極與前述 發光層之間進一步包含緩衝層。 …如申請專利範圍第i項之顯示器，丨中前述隔壁 係包含： 曰 則遮第1電極 斤未被覆之部分上之同時，部分被覆前述第丨電極者· 有機絕緣層，其係配置於前述無機絕緣層上者。 η.如申請專利範圍第i項之顯示器，其中前述隔 係有機絕緣層。 、曰 2·種有機EL顯示器，其特徵在於包含：基板· 絕緣底層，其係配置於前述基板上者； 第1電極，其係部分被覆前述絕緣底層者； 隔壁絕緣層，其係配置於前述絕緣底層上之 、 分被覆前述第1電極者； °時’部 機物層，其係配置於前述第！電極之以前“ 、’彖：所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者土、巴 第2私極，其係配置於前述有機物層上者； 及 其中前述隔壁絕緣層係包含： 第1絕緣層，其係被覆前述基板之以前述 «之部分與前述第丨電極之周緣部之同時，於=所未 弟1電極之中央部之位置設置第i貫通孔者;、一〗迷 88016.DOC 1229301 第2絕緣層，其係配置於前述第丨絕緣層上之同時，於 對應别述第1電極之位置設置第2貫通孔者； 前述第2貫通孔之側壁係夾於前述第丨及第2電極間， 且包圍具有對應前述第1電極輪廓之輪廓之區域。 13. 14. 15. 16. 如申請專利範圍第12項之顯示器，其中前述隔壁絕緣層 係包圍前述區域；内側之側壁與底面係由前述第1絕緣層 之表面所構成;外娜#側壁係形成由前述第2絕緣層之表 ： 面所構成之溝。 如申請專利範圍第12項之顯示器，其中前述第i絕緣層 · 係無機絕緣層，前述第2絕緣層係有機絕緣層。 一種有機EL顯示器，其特徵在於包含：基板； 乡巴緣底層’其係配置於前述基板上者； 第1電極，其係部分被覆前述絕緣底層者； 隔壁絕緣層，其係配置於前述絕緣底層上之同時，部 分被覆前述第1電極者； 有機物層，其係配置於前述第丨電極之以前述隔壁絕 緣層所未被覆之非被覆部上之同時，包含發光層者；及 y 第2電極，其係配置於前述有機物層上者； 其中前述非被覆部係包含：高位準部；及低位準部， · 其係介於前述高位準部與前述第丨電極之以前述隔壁絕 ' 緣層所被覆之被覆部之間者；且前述低位準部之上面係 較前述高位準部之上面之高度為低。 如申請專利範圍第15項之顯示器，其中前述第i電極與 珂述隔壁絕緣層，係將底面以前述低位準部之表面所構 88016.DOC !2293〇1 〈凹部’與底面以前述絕緣底層之表面所構成之溝部 形成於前述高位準部與前述隔壁絕緣層之間。 17. t申請專利範圍第15項之顯示器，其中前述第1電極係包 。.電極本體；及端子’其係、由前述電極本體之周緣延 伸至外侧之同時’與前述電極本體之材料為相同材料而 成者； 前述隔壁絕緣層係於對應前述第1電極之位置設置貫 通孔；
前述貫通孔之侧壁係包圍前述電極本體，藉此，於前 述第1電極與前述隔壁絕緣層之間，在前述端子之位置形 成開口之開環狀溝部； 前述電極本體具備前述高位準部，前述端子具備前述 低位準部。 18. 如申請專利範圍第15項之顯示器，其中前述低位準部係 包圍前述高位準部。 19·如申請專利範圍第15項之顯示器，其中前述絕緣底層係 於對應前述低位準部之位置設置凹部。 88016.DOC
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