1229150 玖、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種稀土元素磁石之製法及用於此製法 之鍍浴，其中，稀土元素磁石具有：含稀土元素的磁石元 件；依序於此磁石元件上所積層之含鎳的第1保護膜；及 含鎳與硫之第2保護膜。 (二） 先前技術 例如，習知之Sm-Co5系、Sm2-Co17系、Sm-Fe-N系或 R-Fe-B系（R表示稀土元素）作爲稀土元素磁石，並可以 作爲高性能之永久磁石使用。其中，R-Fe-B系因爲以較釤 (Sm)爲多量存在且價格更爲便宜的鈸（Nd)爲主之稀土 元素使用，再加上鐵（Fe)也價廉，具有與Sm-Co系等同 等以上之磁性能，故特別受到矚目。 然而，此R-Fe-B系稀土元素磁石爲了含有容易被氧化 之稀土元素與鐵作爲主成分，便會產生耐腐蝕性較低、性 能差及參差不齊等之問題。 以改善如此稀土元素磁石之低耐腐蝕性爲目的，有人 提議於表面上形成各種的耐腐蝕性保護膜（參照日本公開 專利第昭60-54406號公報或公開專利第平9-7810號公報）。 然而’雖然藉由此等保護膜確實改善了稀土元素磁石 之耐腐蝕性，但仍要求更進一步的改善。例如，於日本公 開專利第昭60-54406號公報所揭示之金屬或合金的保護 膜’於進行鹽水噴霧試驗時不合格，產生難以得到足夠的 耐腐蝕性等問題。 1229150 另外，因爲R-Fe-B系稀土元素磁石之構造上，主要含 有主相、稀土元素濃相與硼濃相，經電鍍而形成保護膜之 情形，一旦與鍍浴接觸，氧化還原電位相當低的稀土元素 濃相，便形成主相或硼濃相與局部電池。而且，鎳鍍浴之 情形，低氧化還原電位的稀土元素濃相將溶解析出，使得 高氧化還原電位之鎳將進行電析的置換電鍍。因爲稀土元 素濃相係存在於主相之晶間，因稀土元素濃相之溶解析出 而使得R-Fe-B系稀土元素磁石形成晶間腐蝕。電鑛此腐蝕 部分是困難的，例如即使經電鍍而形成鍍鎳層，由於稀土 元素濃相之溶解析出爲局部腐蝕，難以完全覆蓋此部分， 工業上係藉由形成1 Ομπι以上之電鑛膜厚，雖然強制覆蓋此 局部腐蝕部分，若是覆蓋不完全，則將有形成保護膜之針 孔而無法得到足夠的耐腐蝕性等問題。 (三）發明內容 本發明有鑑於上述之問題點，其目的在於提供一種可 以提高耐腐蝕性之稀土元素磁石之製法，及用於其製法之 鑛浴。 根據本發明之第1稀土元素磁石之製法，其包含： 於含稀土元素之磁石元件上，使用第1鍍浴，經電鍍 而形成含鎳之第1保護膜的步驟，其中，第1鍍浴含有鎳 源、導電性鹽與pH安定劑，鎳源之濃度爲〇·3〜0.7 mol/1鎳 原子單位，且導電率爲80mS/cm以上；及 於第1保護膜上，形成含鎳與硫之第2保護膜的步驟。 此時，最好使用第2鑛浴，經電鍍而形成第2保護膜， 1229150 其中，第2鍍浴含有鎳源、導電性鹽、pH安定劑與有機硫 化物，且導電率爲80mS/cm以上。 根據本發明之第2稀土元素磁石之製法，其包含： 於含稀土元素之磁石元件上，使用第1鍍浴，經電鍍 而形成含鎳之第1保護膜的步驟，其中，第1鍍浴含有： 0·3〜0.7m〇l/l之鎳離子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋 酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一種，由鈉離 子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出 至少一種，與由硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至少 一種，且導電率爲80mS/cm以上；及 於第1保護膜上，形成含鎳與硫之第2保護膜的步驟。 此時’最好使用第2鍍浴，經電鍍而形成第2保護膜， 其中，第2鍍浴含有：鎳離子，由硫酸離子、氯離子、溴 離子、醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一 種’由鈉離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成 的群中選出至少一種，由硼酸離子與銨離子所構成的群中 選出至少一種，與有機硫化物，且導電率爲8〇mS/cm以上。 根據本發明之第1鍍浴，其包含鎳源、導電性鹽與p H 安定劑’該鎳源之濃度爲0.3〜0.7 mol/1鎳原子單位，且導 電率爲80mS/cm以上。 根據本發明之第2鍍浴，其包含··〇· 3〜〇·7 ^01/1之鎳 離子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸 離子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰 離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，與由 1229150 硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，且導電率 爲80mS/cm以上。 根據本發明之第3鍍浴，其含有鎳源、導電性鹽、〇. 5 〜1·5ιη〇1/1之pH安定劑與有機硫化物，且導電率爲8〇mS/cm 以上。 根據本發明之第4鍍浴，其包含··鎳離子，由硫酸離 . 子、氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群 · 中選出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與 銨離子所構成的群中選出至少一種，由硼酸離子與銨離子 φ 所構成的群中選出至少一種，與有機硫化物，且導電率爲 80mS/cm 以上 ° 根據本發明之稀土元素磁石之製法，因爲使用第1鍍 浴，經電鍍而形成第1保護膜，抑制稀土元素濃相之溶解 析出，減低針孔之生成。因而，提高耐腐蝕性。 再者，若使用第2鍍浴，經電鑛而形成第2保護膜的 話，可以進一步減低針孔，並使耐腐蝕性更爲提高。 (四）實施方式 籲 以下，茲將針對本發明之實施態樣，進行詳細的說明。 有關本發明一實施態樣之稀土元素磁石的製法係製造 一種稀土元素磁石，其具有··含稀土元素之磁石元件；及 於此磁石元件上依序積層的第1保護膜與第2保護膜。 磁石元件係由含過渡金屬元素與稀土元素之永久磁石 所構成的。所謂稀土元素係屬於長周期型周期表之IIIB族 的釔（Y )及鑭系之鑭（La )、鈽（Ce )、鐯（Pr )、銨（Nd )、 1229150 鉅（Pm)、釤（Sm)、銪（Eu)、乱（Gd)、獄（Tb )、 鏑（Dy)、鈥（Ho)、餌（Er)、錶（Tm )、鏡（Yb )、 餾（Lu )之1 6種元素的總稱。 例如，可列舉：含一種以上之稀土元素、鐵（Fe )與 硼（B )，作爲構成磁石元件的永久磁石。此磁石元件具有 實質正方晶系之結晶構造的主相、稀土元素濃相與硼濃 ， 相。主相之粒徑最好爲1 〇〇 β πι以下。稀土元素濃相與硼濃 相爲非磁性相，主要存在於主相之晶間。通常非磁性相含 有0.5〜50體積％。 φ 例如，稀土元素最好含銨、鏑、鉅及铽之中的至少一 、 種。 稀土元素之含量最好爲8〜40原子％。因爲若不足8原 子％，結晶構造成爲相同於α -鐵之立方晶結構，無法得到 高的保磁力（iHc )，若超過40原子％，因爲稀土元素濃相 之非磁性相增多，殘留磁束密度（B〇將降低。 含鐵量最好爲42〜90原子％。若鐵不足42原子％ ’殘留 磁束密度將降低，若超過90原子％，保磁力將降低。 鲁 含硼量最好爲2〜28原子％。若硼不足2原子％’因爲成 爲菱形結構，保磁力便不足，若超過28原子％ ’因爲硼濃 相之非磁性相增多，殘留磁束密度將降低。 還有，也可以將鐵之一部分以鈷（Co )予以置換。因 爲不破壞磁特性而能夠改善溫度特性。此情形下’銘的置 換量，若以Fe! - xC〇x表示，X最好爲0.5以下之範圍內。因 爲若置換量較此爲多的話，磁特性將劣化。 1229150 另外，也可以將硼之一部分以碳（c )、磷（P)、硫 (S )及銅（Cu )之中的至少一種予以置換。因爲能夠期望 提高生產性及降低成本。此情形下，此等碳、磷、硫及銅 之含量，最好佔整體之4原子％以下。因爲若較此爲多的話， 磁特性將劣化。 、 再者，爲了提高保磁力、提高生產性及低成本化，也 可以添加鋁（A1)、鈦（Ti)、釩（V)、鉻（Cr)、錳（Μη)、 鉍（Bi)、鈮（Nb)、鉅（Ta)、鉬（Mo)、鎢（W)、 銻（Sb)、鍺（Ge)、錫（Sn)、鍩（Zr)、鎳（Ni)、 矽（Si)、鎵（Ga)、銅（Cu)或紿（Hf)等之一種以上。 此情形下，總計之添加量，最好佔整體之1 〇原子％以下。 因爲若較此爲多的話，將導致磁特性之劣化。 再者，無法避免之不純物的氧（0)、氮（N)、碳（C) 或鈣（Ca)等，也可以含有整體之3原子％以下的範圍內。 另外例如，可列舉：含一種以上之稀土元素與鈷者、 或是含一種以上之稀土元素、鐵與氮（N)者，作爲構成磁 石元件的永久磁石。具體而言，例如，可列舉：含有Sm-C〇5 系或Sm2-C〇17系（數字爲原子比）等之釤與鈷者、或是含 有Nd-Fe-B系等之銨、鐵與硼者。 第1保護膜係由鎳或含鎳之合金所構成的。雖然鎳具 有生產性高之優點，但是基於硬度、耐久性及耐腐蝕性等 之觀點，必要的話，最好爲含鐵、鈷、銅、鋅（Zn )、磷 (P) '硼、錳（Μη)、錫（Sn)及鎢（W)所構成的群中 之至少一種的鎳合金。 -10 - 1229150 另外，如後所述，第1保護膜係使用第1鍍浴，經電 鍍而形成的，其中，第1鍍浴包含鎳源、導電性鹽與p Η安 定劑，且導電率爲80mS/cm以上。因此，若根據本實施態 樣，便能夠減低第1保護膜之針孔，使耐腐蝕性提高。 第1保護膜之厚度，例如，較宜爲3μιη以上、50μπι以 下，更佳爲5μιη以上、40μιη以下。若根據本實施態樣，因 爲減低第1保護膜之針孔，即使薄化厚度，也能夠得到足 夠之耐腐蝕性。第1保護膜之平均結晶粒徑，最好爲1 # m 以下。因爲能夠使針孔減低。 第2保護膜係爲了更使耐腐蝕性提高，薄化第i保護 膜之厚度，藉由含鎳與硫之合金所構成的。基於生產性的 觀點，最好爲由含鎳與硫之合金所構成的，但是基於硬度、 耐久性及耐腐蝕性等的觀點，必要的話，最好爲含鐵、鈷、 銅、鋅、磷、硼、錳、錫及鎢所構成的群中之至少一種與 鎳與硫的合金。第2保護膜內之含硫量，最好爲〇.〇1質量 %以上、0.8質量％以下的範圍內。因爲藉由含硫，氧化還 原電位將變低，即使具有針孔，也將成爲第1保護膜之犧 牲陽極，整體而言能夠使耐腐蝕性提高。 另外，如後所述，最好第2保護膜係使用第2鍍浴， 經電鍍而形成的，其中，第2鍍浴包含鎳源、導電性鹽、 pH安定劑與有機硫化物，且導電率爲8〇mS/cm以上。因爲 能夠進一步使第2保護膜之針孔減低。 第2保護膜之厚度，例如，較宜爲ΐμπι以上、20μπι以 下，更佳爲5 μ m以上、1 5 μ m以下。因爲減低針孔，即使薄 1229150 化厚度’也能夠得到足夠之耐腐蝕性。第2保護膜之平均 結晶粒徑，最好爲1 μπι以下。因爲能夠形成針孔少之良好 薄膜。 例如’如第1圖所示，此稀土元素磁石能夠藉由下列 步驟進行製造：於形成磁石元件之後（步驟S 1 0 1 );經電 鍍而形成第1保護膜（步驟s 1 02 );及於其上經電鍍而形 成第2保護膜（步驟S103)。 例如’磁石元件最好進行如下之方式，利用燒結法而 形成（參照步驟S 1 0 1 )。首先，鑄造所要組成之合金，作 成錠狀物。接著，利用搗磨機等將所得到的錠狀物予以粗 粉碎成粒徑1Ό〜80 μιη左右，更進一步利用球磨機等予以微 粉碎成粒徑〇·5〜5μπι左右。接著，最好於磁場中將所得到 的粉末予以成型。此情形下，最好設定磁場強度爲1 OkOe 以上、成型壓力爲1〜5Mg/cm2左右。 其間，將所得到的成型體，於1000〜1 200°C、0.5〜24小 時進行燒結、冷卻。燒結之環境氣體最好設爲氬（Ar )氣 體等之不活性氣體環境或真空。再者，之後於不活性氣體 環境中，最好於500〜900°C、進行1〜5小時之經時處理。此 經時處理也可以進行數次。 還有，使用二種以上稀土元素之情形，也可以將鈽合 金等混合物作爲原料使用。另外，也可以利用燒結法以外 之方法，進行磁石元件之製造，例如，也可以利用製造塊 狀磁石時之所謂的急冷法進行製造。 另外，最好第1保護膜係使用第1鍍浴，經電鍍而形 -12- 1229150 成的（參照步驟s 1 〇2 )，其中，第1鍍浴包含鎳源、導電 性鹽與pH安定劑，且導電率爲80mS/cm以上。 第1鍍浴之鎳源濃度最好爲+ 0·3〜0.7mol/l之鎳原子單 位。因爲將鎳原子濃度降至0.7 mol/1以下的話，可以抑制 鎳與稀土元素濃相之置換電鑛而抑制稀土元素濃相之腐 蝕。另外，將第1鍍浴中之鎳原子濃度設爲0.3 mol/1以上， 因爲若濃度過低將導致水之電解而產生氫氣，難以適合於 工業化之生產。 例如，最好含有由硫酸鎳（NiS04 )、氯化鎳（NiCl2、 NiCl3)、溴化鎳（NiBr2、NiBr3)、醋酸鎳（Ni(CH3COO) 2 )、焦磷酸鎳（Ni2P 2 07 )所構成的群中選出至少一種作爲 第1鍍浴之鎳源。還有，也可以含有此等之水合鹽，例如， 硫酸鎳六水合物（NiS04 · 6H20 )、或氯化鎳六水合物 (NiCl2 · 6H20 )。 導電性鹽係爲了使鎳離子接觸磁石元件表面之機率減 少，並使鎳與稀土元素濃相之置換電鑛鈍化。例如，最好 含有由硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鋰、硫酸鎂、氯化 銨、氯化鈉、氯化鉀、氯化鋰、氯化鎂、溴化銨、溴化鈉、 溴化鉀、溴化鋰及溴化鎂所構成的群中選出至少一種作爲 第1鍍浴之導電性鹽。也可以使用此等之水合鹽。第1鍍 浴之導電性鹽的濃度最好能使導電率達80mS/cm以上。因 爲若導電率較80mS/cm爲低的話，將無法得到因導電性鹽 所造成的置換電鍍之鈍化效果。 pH安定劑係爲了使磁石元件表面之pH安定，更抑制 -13- 1229150 鎳與稀土元素濃相之置換電鍍。第1鍍浴之pH安定劑的濃 度，較宜爲〇.5mol/l以上、l.5mol/l以下之範圍內，更佳爲 〇.5mol/l以上、1.0m〇l/l以下之範圍內。因爲於此範圍內， 能夠更抑制置換電鍍。例如，最好含有由硼酸、硼酸銨、 硼酸鈉、硼酸鉀、硼酸鋰、硼酸鎂及氨所構成的群中選出 至少一種作爲第1鍍浴之pH安定劑。也可以含有此等之水 合鹽。還有，構成此群之硼酸係含有bo3-、5(b2o3) 〇2 一、B4072 —、B02—等構造。 亦即，例如，最好第1鍍浴含有0.3〜0.7 mol/1之鎳離 子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離 子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離 子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，及由硼 酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，且導電率爲 80mS/cm 以上。 利用鎳合金形成第1保護膜之情形，於第1鍍浴中添 加形成鎳與合金之元素原料。例如，最好爲由其元素之硫 酸鹽、氯化物、溴化物、醋酸鹽、焦磷酸鹽及此等之水合 鹽所構成的群中選出至少一種作爲原料。另外，於第i鍍 浴中也可以添加爲了提高一般耐腐蝕性之半光澤鎳電鍍用 添加劑等、或爲了提高特性之其他各種添加劑。 最好第2保護膜係使用第2鍍浴，經電鍍而形成的（參 照步驟S 1 03 )，第2鍍浴包含鎳源、導電性鹽、pH安定劑 與有機硫化物，且導電率爲80mS/cm以上。 第2鍍浴之鎳源最好含有由硫酸鎳、氯化鎳、溴化鎳、 -14- 1229150 醋酸鎳、焦磷酸鎳所構成的群中選出至少一種作ί 浴之鎳源，也可以使用此等之水合鹽。鎳源之濃 別之限制。因爲不與磁石元件直接接觸，便不會 稀土元素濃相之置換電鍍。 導電性鹽係爲了使鎳離子與第1保護膜之針 之機率減少，能夠容易地將針孔予以覆蓋。例如 有由硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鋰、硫酸鎂、 氯化鈉、氯化鉀、氯化鋰、氯化鎂、溴化銨、溴 化鉀、溴化鋰及溴化鎂所構成的群中選出至少一種 鍍浴之導電性鹽。也可以使用此等之水合鹽。第 導電性鹽的濃度，最好設爲能使第2鍍浴導電率達 以上的濃度。因爲若導電率較8 0mS/cm爲低的話 因導電性鹽所造成的效果。 p Η安定劑係爲了使p Η安定，抑制稀土元素 離子之置換電鍍。第2鑛浴之pH安定劑的濃度 0.5mol/l以上、1.5mol/l以下之範圍內，更佳爲〇. 上、l.〇mol/l以下之範圍內。因爲於此範圍內，能 的效果。例如，最好含有由硼酸、硼酸銨、硼酸 鉀、硼酸鋰、硼酸鎂及氨所構成的群中選出至少 第2鍍浴之pH安定劑。也可以使用此等之水合鹽 構成此群之硼酸也相同於第1鍍浴，含有ΒΟΓ、 Ο2-、B4〇72—、BO厂等構造。 例如，可列舉：含有硫代尿素或其衍生物等；^ S等作爲有機硫化物。可以單獨使用任一種有機硫 I第2鍍 度並無特 發生鎳與 孔相接觸 ，最好含 氯化銨、 化鈉、溴 :作爲第2 2鑛浴之 80mS /cm ’將降低 濃相與鎳 ，較宜爲 5 mol/1 以 夠得到高 鈉、硼酸 一種作爲 。還有， 5 ( B203 ) ：N - C = 化物，也 -15- 1229150 可以混合二種以上使用。 亦即，例如，最好第2鍍浴含有鎳離子，由硫酸離子、 氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選 出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離 子所構成的群中選出至少一種，由硼酸離子與銨離子所構 成的群中選出至少一種與有機硫化物，且導電率爲8 OmS/cm 以上。 利用鎳、硫與其他元素之合金形成第2保護膜之情形， 於第2鍍浴中添加其他元素原料。例如，最好爲由其元素 之硫酸鹽、氯化物、溴化物、醋酸鹽、焦磷酸鹽及此等之 水合鹽所構成的群中選出至少一種作爲原料。另外，也可 以添加爲了使特性提高之其他各種添加劑。 還有，於形成第1保護膜之前，也可以進行前處理。 例如，以有機溶劑進行脫脂、及隨後以酸處理進行活化等 作爲前處理。 如此方式，若根據本實施態樣，因爲使用第1鍍浴， 經電鍍而形成第1保護膜，其中，第1鍍浴包含鎳源、導 電性鹽與pH安定劑，鎳源濃度爲0.3〜0.7 mo 1/1之鎳原子單 位，且導電率爲8 OmS/cm以上；或是第1鍍浴含有：0.3〜0.7 mol/1之鎳離子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子 與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀 離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一 種，及由硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種， 且導電率爲80mS/cm以上，可以抑制稀土元素濃相之溶解 -16 - 1229150 析出，並能夠減低針孔。因而，能夠使耐腐蝕性提高。 尤其，使用第2鍍浴，經電鍍而形成第2保護膜，其 中，第2鍍浴包含鎳源、導電性鹽、PH安定劑與有機硫化 物，且導電率爲80mS/cm以上；或是第2鍍浴含有鎳離子， 由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離子所 構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離子、 鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，由硼酸離子 與銨離子所構成的群中選出至少一種，與有機硫化物，且 導電率爲80mS/cm以上，可以進一步減低針孔，並使耐腐 蝕性更爲提高。 另外，若第1保護膜之平均結晶粒徑作成1 // m以下的 話，可以使針孔更爲減低，也能夠使耐腐蝕性更加提高。 再者，針對本發明之具體實施例進行說明。 將具有利用粉末冶金法所作成的14 Nd-lDy-7B-78Fe (數字爲原子比）組成之燒結物，於氬環境氣體中，於600 °C下，進行2小時之熱處理後，加工成5 6 X 4 0 X 8 ( m m )之 大小，再經桶式硏磨處理，磨成斜角而得到磁石元件。 接著，以鹼性脫脂液洗淨此磁石元件之後，再利用硝 酸溶液進行表面之活化，充分予以水洗。接著，使用具有 表1所示之組成及導電率的第1鍍浴，於磁石元件之表面， 經電鍍而形成厚度5 μιη之第1保護膜。平均電流密度爲 1 A/dm2 以下。 還有，於實施例1，使用第1鍍浴，其含有：0.5mol/l 硫酸鎳之鎳源、1.5mol/l溴化鉀之導電性鹽、1.0m〇l/l硼酸 -17- 1229150 之pH安定劑，且導電率爲127 mS/cm。亦即，鎳源之濃度 爲O.5mol/1鎳原子單位，鎮離子之濃度爲〇.5mol/l。 於實施例2，除了添加半光澤添加劑之外，使用相同於 實施例1之第1鍍浴。 於實施例3，使用第1鍍浴，其含有：〇.3 mo 1/1溴化鎳 之鎳源、l.Omol/1硫酸鋰之導電性鹽、O.imoi/i硼酸鈉與 ， 1.4mol/l硼酸之pH安定劑，且導電率爲108mS/cm。亦即， . 鎳源之濃度爲〇.3mol/l鎳原子單位，鎳離子之濃度爲 0.3mol/l。 · 於實施例4，使用第1鍍浴，其含有：〇.l5mol/l之焦 磷酸鎳之鎳源、l.Omol/1之焦磷酸鋰之配位劑及導電性鹽、 1.0mol/l硫酸銨之導電性鹽、PH8之氨水與l.〇mol/l硼酸之 pH安定劑，且導電率爲l〇2mS/cm。亦即，鎳源之濃度爲 Ο·3πι〇1/1鎳原子單位，鎳離子之濃度爲〇.3mol/l。 於實施例5，使用第1鑛浴，其含有：〇. 7 m ο 1 /1氯化鎳 之鎳源、1·5ιηο1/1硫酸鈉之導電性鹽、1.2mol/l硼酸之pH 安定劑與半光澤添加劑，且導電率爲1 13mS/cm。亦即，鎳 修 源之濃度爲 〇.7mol/l鎳原子單位，鎳離子之濃度爲 0 · 7 mo 1/1 〇 於實施例6，使用第1鍍浴，其含有：〇.5mo 1/1硫酸鎳 之鎳源、l.Omol/Ι氯化鋰之導電性鹽、0.7mol/l硼酸之pH 安定劑與半光澤添加劑，且導電率爲90mS/cm。亦即，鎳 源之濃度爲 〇.5mol/l鎳原子單位，鎳離子之濃度爲 0 · 5 mo 1/1 〇 -18- 1229150 於實施例7，使用第1鍍浴，其含有：0.4mo 1/1氯化鎳 之鎳源、1.0mol/l硫酸鋰之導電性鹽、l.Omol/1硼酸之pH 安定劑與半光澤添加劑，且導電率爲8 2mS/cm。亦即，鎳 源之濃度爲 〇.4mol/l錬原子卓位’錬離子之濃度爲 0.4mol/l 〇 於形成第1保護膜之後，使用具有表1所示之組成及 導電率的第2鍍浴，經電鍍而於表面上形成厚度5 // m之第 2保護膜。藉此，得到實施例1〜7之稀土元素磁石。 還有，於實施例1，使用第2鍍浴，其含有：〇.5mol/l 氯化鎳之鎳源、1.5m〇l/l氯化鉀之導電性鹽、l.Omol/1硼酸 之 pH安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲 1 86mS/cm 〇 於實施例2，使用相同於實施例1之第2鍍浴。 於實施例3，使用第2鑛浴，其含有：0.7mo 1/1硫酸鎳 之鎳源、1 .〇mol/l氯化銨之導電性鹽、0.7mol/l硼酸銨之pH 安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲132mS/cm。 於實施例4，使用第2鍍浴，其含有：0.5mol/l溴化鎳 之鎳源、1.5mol/l硫酸銨之導電性鹽、1.2mol/l硼酸之pH 安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲1 18mS/cm。 於實施例5，使用第2鑛浴，其含有：0.3 mo 1/1醋酸鎳 之鎳源、2.0mol/l氯化鋰之導電性鹽、〇.7mol/l硼酸之pH 安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲162mS/cm。
於實施例6，使用第2鍍浴，其含有：〇.5mo 1/1氯化鎳 之鎳源、1.5mol/l氯化鋰之導電性鹽、l.Omol/Ι硼酸之pH 1229150 安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲186mS/cm。 於實施例7，使用第2鍍浴，其含有：0.5 mol/1氯化鎳 之鎳源、1.0mol/l硫酸鎂之導電性鹽、0.5mol/l硼酸之pH 安定劑與含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲85mS/cm。 相對於本實施例之比較例1，除了使用具有表1所示之 組成及導電率的第1鍍浴及第2鍍浴之外，其他均進行相 同於本實施例之方式而製得稀土元素磁石。於比較例1，使 用第1鍍浴，其含有：l.〇mol/l硫酸鎳與0.25mol/l氯化鎳 之鎳源、0.6mol/l硼酸之pH安定劑與半光澤劑，且導電率 爲58mS/cm。同時，使用第2鍍浴，其含有：l.Omol/Ι硫酸 鎳、0.25mol/l氯化鎳之鎳源、〇.6mol/l硼酸之pH安定劑與 含有機硫化物之光澤劑，且導電率爲59mS/cm。亦即，比 較例1不含導電性鹽而使用導電率低的第1鍍浴及第2鍍 浴。 另外’相對於本實施例之比較例2，使用具有表1所示 之組成及導電率的第1鍍浴而形成厚度1 0 // m之第1保護 膜，除了不形成第2保護膜之外，其他均進行相同於本實 施例之方式而製得稀土元素磁石。於比較例2，使用第1鍍 浴，其含有：l.Omol/Ι氨基磺酸鎳、O.lmol/l溴化鎳之鎳源 與0.5m〇l/l硼酸之PH安定劑，且導電率爲72mS/cm。亦即， 比較例2不含導電性鹽而使用導電率低的第1鍍浴，且不 形成第2保護膜。 針對所得到的賓施例1〜7及比較例1、2之稀土元素磁 石，於水蒸氣環境中，120°C、0.2xl06Pa下進行24小時的 -20- 1229150 加濕高溫測試，及根據JIS-C-0023進行24小時的鹽水噴霧 測試，評估耐腐蝕性。以肉眼檢查外觀，視有無生鏽而判 斷合格與否。合倂此等之結果，顯示於表1。
-21 - 1229150 表1 第1鍍浴 第2鑛浴 加濕高溫測試 鹽水噴霧測試 組成 導電率 mS/cm 組成 導電率 mS/cm 實施例1 硫酸鎳0.5M 溴化鉀1.5M 硼酸1.0M 127 氯化鎳0.5M 氯化鉀1.5M 硼酸1.0M 光澤添加劑適量 186 合格 合格 實施例2 硫酸鎳0.5M 溴化鉀1.5M 硼酸1.0M 半光澤添加劑適量 127 氯化鎳0.5M 氯化鉀1.5M 硼酸1.0M 光澤添加劑適量 186 合格 合格 實施例3 溴化鎳0.3M 硫酸鋰1.0M 硼酸鈉0.1M 硼酸1.4M 108 硫酸鎳0.7M 氯化銨1.0M 硼酸銨0.7M 光澤添加劑適量 132 合格 合格 實施例4 焦磷酸鎳0.15M 焦磷酸鉀1.0M 硫酸銨1.0M 氨水pH8 硼酸1.0M 102 溴化鎳0.5M 硫酸銨1.5M 硼酸1.2M 光澤添加劑適量 118 合格 合格 實施例5 氯化鎳0.7M 硫酸鈉1.5M 硼酸1.2M 半光澤添加劑適量 113 醋酸鎳0.3M 氯化鋰2.0M 硼酸0.7M 光澤添加劑適量 162 合格 合格 實施例6 硫酸鎳0.5M 氯化鋰1.0M 硼酸0.7M 半光澤添加劑適量 90 氯化鎳0.5M 硫酸鎂1.5M 硼酸1.0M 光澤添加劑適量 186 合格 合格 實施例7 氯化鎳0.4M 硫酸鋰1.0M 硼酸1.0M 半光澤添加劑適量 82 氯化鎳0.5M 硫酸鎂1.0M 硼酸0.5M 光澤添加劑適量 85 合格 合格 比較例1 硫酸鎳1.0M 氯化鎳0.25M 硼酸0.6M 半光澤添加劑適量 58 硫酸鎳1.0M 氯化鎳0.25M 硼酸0.6M 光澤添加劑適量 59 合格 有腐蝕現象 比較例2 氨基磺酸鎳1.0M 溴化鎳0.1M 硼酸0.5M 72 合格 有腐蝕現象 註：Μ表示mol/l
實施例4之第1鍍浴.的鎳源濃度爲0.3M鎳原子單位 -22- 1229150 如表1所示，根據實施例1〜7，加濕高溫測試與鹽水噴 霧測試均爲合格’相對地’比較例1、2於鹽水噴霧測試則 觀察到腐触現象。亦即’得知使用第1鍍浴，經電鍍而形 成第1保護膜，其中，第1鍍浴包含鎳源、導電性鹽與pH 安定劑，其中鎳源之濃度爲 〇·3〜〇.7m〇l/i，且導電率爲 8 OmS/cm以上；使用第2鍍浴，經電鍍而形成第2保護膜， 其中，第2鍍浴包含鎮源、導電性鹽、ρ η安定劑與有機硫 化物，且導電率爲80mS/cm以上；或者是使用第1鍍浴， 經電鍍而形成第1保護膜，其中，第1鍍浴含有：〇.3〜0.7 mo 1/1之鎳離子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子 與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀 離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一 種，及由硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種， 且導電率爲80mS/cm以上，使用第2鍍浴，經電鍍而形成 弟2保護膜’其中’ ％ 2鑛浴含有：錬離子；由硫酸離子、 氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選 出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離 子所構成的群中選出至少一種，由硼酸離子與銨離子所構 成的群中選出至少一種，與有機硫化物，且導電率爲 8OmS/cm以上的話，均可以得到極佳的耐腐蝕性。 以上，列舉實施態樣及實施例說明了本發明，但是本 發明並不受限於該實施態樣及實施例，可以進行各種變 形。例如，於該實施態樣及實施例，雖然針對鎳源、導電 性鹽與pH安定劑，舉出具體例加以說明，也可以使用其他 -23- 1229150 之實施例。 另外，於該實施態樣及實施例，雖然針對製造具有磁 石元件、積層於此磁石元件之第1保護膜與第2保護膜的 稀土元素磁石之情形加以說明，也可以用於製造具有此等 實施例以外之其他構造要素的稀土元素磁石之情形。例 如，也可以於磁石元件與第1保護膜之間、第1保護膜與 第2保護膜之間、或是於第2保護膜上，形成其他薄膜。 如上述之說明，若根據依本發明之稀土元素磁石的製 法，使用第1鍍浴，經電鍍而形成第1保護膜，其中，第1 鍍浴包含鎳源、導電性鹽與pH安定劑，鎳源之濃度爲 0.3〜〇.7m〇l/l鎳原子單位，且導電率爲8 0mS/cm以上；或者 第1鍍浴含有：0.3〜0.7 mol/1之鎳離子，由硫酸離子、氯 離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選出 至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離子 所構成的群中選出至少一種，及由硼酸離子與銨離子所構 成的群中選出至少一種，且導電率爲8 OmS/cm以上，可以 抑制稀土元素濃相之溶解析出，也能夠減低針孔。因此， 能夠使耐腐蝕性提高。 尤其，若使用第2鍍浴，經電鍍而形成第2保護膜的 話’其中，第2鍍浴包含鎳源、導電性鹽、p Η安定劑與有 機硫化物，且導電率爲80mS/cm以上；或者第2鍍浴，其 含有··鎳離子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子 與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀 離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一 -24- 1229150 種，由硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，與 有機硫化物，且導電率爲80mS/cm以上，均可以更減低針 孔，能夠使耐腐蝕性更加提高。 另外，若根據本發明之第1鍍浴，因爲設定其包含鎳 源、導電性鹽與pH安定劑，其中鎳源之濃度爲 0.3〜0.7mol/l，且導電率爲80mS/cm以上。或者，若根據本 發明之第2鍍浴，因爲設定其包含：0 · 3〜0 · 7 mo 1/1之鎳離 子，由硫酸離子、氯離子、溴離子、醋酸離子與焦磷酸離 子所構成的群中選出至少一種，由鈉離子、鉀離子、鋰離 子、鎂離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，與由硼 酸離子與銨離子所構成的群中選出至少一種，且導電率爲 8OmS/cm以上。或者，若根據本發明之第3鍍浴，因爲設 定其含有鎳源、導電性鹽、pH安定劑與有機硫化物，且導 電率爲80mS/cm以上。或者，若根據本發明之第4鍍浴， 因爲設疋其包含·鎳離子’由硫酸離子、氯離子、溴離子、 醋酸離子與焦磷酸離子所構成的群中選出至少一種，由納 離子、鉀離子、鋰離子、鎂離子與銨離子所構成的群中選 出至少一種，與由硼酸離子與銨離子所構成的群中選出至 少一種，與有機硫化物，且導電率爲80mS/cm以上，因而 能夠實現本發明稀土元素磁石之製法。 (五）圖式簡單說明 第1圖係表示有關本發明一實施態樣之稀土元素磁石 製法的流程圖。 -25-