TWI226205B

TWI226205B - Self-light emitting device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TWI226205B
Application number: TW090106796A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Noriko Shibata
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2000-03-27
Filing date: 2001-03-22
Publication date: 2005-01-01
Also published as: CN1223017C; EP1139453A2; US20030206332A1; US20050030612A1; CN1320971A; KR100784355B1; CN1744345B; EP1139453B1; CN1905239A; CN1744345A; KR20060054228A; US7462384B2; US20060104045A1; KR100780570B1; US7038836B2; EP1139453A3; KR20010098431A; US6781746B2

Description

1226205 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（]) 發明背景 1. 發明部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關自發光裝置，此具有一 EL元件構製於一絕緣構件上，並爲發光之有機材料（此後稱爲有機EL材料）所製，能獲得EL(電發光）包夾於陽極及陰極之間，並係有關製造具有自發光裝置作爲顯示單位（顯示器或顯示監視器）之電氣用具之方法。應注意上述自發光裝置亦稱爲OLED( 有機發光二極體）。 2. 有關技藝之說明近年來，進行顯示裝置（自發光裝置）之發展，使用自發光元件作爲EL元件，此使用發光有機材料之EL現象。自發光裝置爲自發射式裝置，且故此，與液晶顯示裝置不同，無需背光。而且，自發光裝置具有廣大之視角，且故此，構想作爲電氣用具之有前途之顯示裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意EL元件由包含有有機複合物（自此可獲得電發光_ 由施加電場產生光）之一層（此後稱爲EL層），一陽極層，及一陰極層構成。有機複合物中有二種發光，一種光爲自一單重激發狀態回至地狀態時所產生之光（螢光），另一種爲自三重激發狀態回至地狀態時所產生之光（磷光）。本發明可應用於任一式之發光。有二種自發光裝置：一被動式（簡單矩陣式）及一主動式（主動矩陣式），及二式均在積極發展中。明確言之，主動矩陣式自發光裝置目前吸引較多之注意。在用於EL層（此可 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 ___B7_ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 稱爲EL元件之核心）之EL材料’進行低分子基礎乏有機EL 材料及高分子基礎之有機EL材料（聚合物基礎）之硏究。聚合物式有機EL材料受特別高度注意，因其較之低分子基礎之有機EL材料易於處理，且具有較高之抗熱力。可提出一電場控制施敷法及由Seiko-Epson公司所提出之一噴墨法，作爲聚合物式有機EL材料之薄膜沉積法。依據本發明，同一方法用以構製有機材料（有機樹脂）所製之EL層及一薄膜（該薄膜此後稱爲蓋層），此構製於EL元件上，並覆蓋EL元件。應注意篕層爲有機材料所製，且構製於由陽極，EL層，及陰極所構成之EL元件之陰極上。蓋層之設置有效釋放TFT或EL元件之應力。而且，可防止濕汽及氧之滲透於EL元層中，從而可防止EL層之惡化。由"另構製無._機材料所構成之一薄膜（此後稱爲障壁層）於蓋層上，可防止濕汽及氧之滲透入蓋層或EL層。發明槪要應注意本發明之一目的在提供一種方方法，用以在同經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一多室中連續構製一 EL層，一陰極，一障壁層，及一蓋層〇而且，本發明之另一目的在由良好之控制，構製蓋層於所需之位置上。而且，本發明之另一目的在提供一自發光裝置，此使用同一製造裝置及方法，並提供具有此自發光裝置作爲其顯示單位之電氣用具。用以達成以上目的所用之多室爲一薄膜沉積裝置’此 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 1226205 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有一施敷室用以由噴墨法或電場施敷法構製有機材料戶斤製之EL層及蓋層，一蒸發室用以由蒸發製造陰極，及一灘散室用以製造氮化矽或氧化钽所製之障壁層。應注意在本發明中，在由施敷有EL材料溶解於溶劑中之溶液製造EL層之情形中，此溶液提供於材料室中。該溶液在整個本說明書中稱爲施敷液體。當施敷液體成爲噴霧並具有電荷時，故施敷液體由電極所施加之電場控制，從而製造EL層於基體上施敷位置處。而且，對蓋層，提供用以構製有機樹脂薄膜之有機樹脂液體於材料室中。由與製造EL層相似之施敷方法製造蓋層。注意在本發明中，可在構製蓋層於EL元件之陰極上後構製障壁層，或其結構可爲，在構製障壁層於EL元件之陰極上後構製蓋層。附圖簡述經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由以下說明並參考附圖，可更明瞭本發明之以上及其他目的及特色。圖1A至1C顯示本發明之薄膜構製法；圖2顯不一像素部份之斷面圖；圖3 A及3 B顯示一像素部份及其構造之頂視圖；圖4A至4E顯示自發光裝置之製造方法；圖5A至5D顯示自發光裝置之製造方法；圖6A至6C顯不自發光裝置之製造方法；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 了 A7 B7 1226205 五、發明説明（4 ) 圖7A至7B顯示像素部份之TFT之斷面結構；圖8A至8B顯示像素部份之TFT之斷面結構；圖9A至9B顯示自發光裝置之外觀；圖10顯示自發光裝置之電路方塊構造；圖11顯示主動矩陣式自發光裝置之斷面結構; 圖12顯示薄膜構製方法；圖13顯示被動式自發光裝置之斷面結構；圖14顯示被動式自發光裝置之斷面結構；圖15A至15F顯示電氣用具之具體實例；及圖16A至16B顯示電氣用具之具體實例。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

符號說明 13 源區 14 汲區 15 LDD區 16 摻雜區 17 通道形成區 18 閘絕緣薄膜 19 閘電極 20 層間絕緣薄膜 21 源接線 22 汲接線 101 基體 102 電源控制TFT 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226205 五、發明説明（5 ) 103 像素電極 104 EL層 106 障壁層 107 蓋層 110 主動矩陣基體 111 材料室 112 超音波振盪器 113 噴嘴 114 電極 115 引導電極 116 加速電極 117 控制電極 201 開關TFT 202 電流控制TFT 211 閘接線 212 電源供應線 1203 噴頭 1204 振盪板 1205 通訊板 1206 材料室板 1207 材料室 1208 壓電元件 1209 供應孔 1210 保存器 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1226205 B7 五、發明説明（6 ) 2001 機框 2002 支持平台 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2003 顯示部份 2103 聲音輸入部份 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部份 2202 信號電纜 2203 頭戴帶 2205 光學系統 2302 記錄媒體 2402 攝影部份 2602 聲音輸出部份 2606 天線較佳實施例之詳細說明經濟部智慧財產局員工消費合作社印製參考圖1A至1C ，在此說明本發明之實施例模式。如顯示於圖1A ，一 EL層，一陰極，一障壁層，及一蓋層可在同一多室中連續製造。應注意障壁層指一鈍化薄膜，設置用以防止濕汽及氧侵入於LE層中，並爲無機材料所製。首先，在施敷室中由使用電場施加法或噴墨法構製EL 層。其次在蒸發室中由蒸發構製陰極，並構製障壁層於陰極上。使用濺散或電漿CVD，構製無機薄膜所製之障壁層 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，此爲無機材料，諸如氮化矽，氧化鉅，氮化鋁，或碳構成之鑽石狀碳（DLC)所製。最後，在障壁層上，在施敷室中由與構製EL層相似之噴墨法構製蓋層，從而完成自發光裝置之密封結構。如所說明，由於使用同一方法構製EL層及蓋層，故該等層可選擇僅構製於所需之位置上，且可在同室中進行。本發明所構製之疊層薄膜之斷面結構顯示於圖1B ，參考編號101標示一玻璃基體，及參考102標示一電流控制 TFT。而且，參考編號103標示一像素電極，此爲透明導電性薄膜所製，電連接至電流控制TFT。一 EL層104由使用上述方法構製於像素電極103上，及一陰極105由蒸發法另構製於EL層104上。而且，無機薄膜，諸如氮化矽，氧化鉅，或碳所構成之DLC所製之一障壁層106構製於陰極105上。在構製障壁層1 06後，由使用與EL層相同之施敷法，構製有機樹脂薄膜所構成之一蓋層107於其上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 C顯示電場施敷法，其中，由電場控製施敷液體，俾施敷構製EL層及蓋層107。在圖1C中，參考編號110標示基體，已構製至圖B所示之疊層結構中之障壁層。參考編號111標示一材料室，此裝有有機樹脂液體，用以構製蓋層。在材料室111中，設有一超音波振盪器112，及一電極114設置於材料室ill 之尖端處之噴嘴11 3上，有機樹脂液體在此噴出。在本發明之情形，有機樹脂液體經由施加超音波振盪本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於超音波振盪器112而噴霧於材料室ill中。在此成噴霧之有機樹脂液體由材料室111之噴嘴113上所設置之電極H4 充電，並變爲充電微粒，從而形成EL層及蓋層於主動矩陣基體110上所需之位置處。一引導電極115自噴嘴113中拉出已成爲充電微粒之有機樹脂液體，一加速電極116在飛行方向上加速充電微粒。而且，一控制電極Π 7控制施敷位置，從而施敷液體於基體110之所需位置上。如此，完成自發光裝置之密封結構，其中，可在同一多室中構製圖1B所示之疊層結構。注意圖1 B顯示在無機材料所製之障壁層構製覆蓋於EL 元件上後製造有機材料所製之蓋層之情形。然而，在本發明，亦可在有機材料構製覆蓋於EL元件上後’製造無機材料所製之障壁層。實施例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖2爲本發明之EL顯示裝置之像素部份之斷面圖。圖 3A爲其頂視圖，及圖3B顯示其電路結構。實際上’像素排列成矩陣形狀，以形成像素部份（影像顯示部份）°順便言之，沿圖3A之A-A、上所取之一斷面圖相當於圖2。如此，由於相同編號使用於圖2及圖3A及3B ’故可適當參考二圖。唯圖3之頂視圖顯示具有相同結構之二像素。在圖2中，參考編號11標示一基體；及12標示一絕緣薄膜（此後稱爲下薄膜），此成爲一下層。作爲基體11 ,可使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11- 1226205 A7 B7 五、發明説明（9 ) 用玻璃，玻璃陶瓷，石英，矽，陶瓷，金屬，或塑膠所製之基體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖下薄膜1 2在使用含有可移動離子之基體或導電性基體之情形特別有效’但並非必需設置下薄膜於石英基體上。作爲下薄膜12 ，可使用含矽之絕緣薄膜。在本說明書中 ’ ”含砂之絕緣薄膜’'指示含有預定比率之砂，氧，或氮之絕緣薄膜’諸如氧化砂薄膜’氮化砂薄膜，或氧氮化砂薄膜（由SiOxNy表示）。使下薄膜1 2具有散熱效果，以消散TFT之熱，此亦有效防止TFT之惡化或EL元件之惡化。可使用任何熟悉之材料，以提供散熱效果。在此，構製二TFT於一像素中。參考編號201標示一開關TFT ’此爲η通道TFT所構成；及202標示一電流控制TFT ，此爲P通道TFT所構成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，在本發明中，開關TFT無需限於n通道TFT，及電流控制TFT無需限於p通道TFT，而是可作修改，俾開關 TFT爲p導道TFT所構成，及電流控制TFT爲η通道TFT所構成，或二者使用η導道TFT或p通道TFT。開關TFT201包含一源區13，一汲區14，LDD區15a 至15d ，一作用層包含高濃度摻雜區16及通道形成區i7a 及1 7 b，一閘絕緣薄膜1 8，閘電極1 9 a及1 9 b，一第一層間絕緣薄膜20，一源接線21，及一汲接線22。而且，如顯示於圖3A及3B，閘電極19a及19b具有雙閘結構，其中，二者電連接至另一材料（具有電阻低於閘電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4· ( 210X297公釐） ΓΙ '" 1226205 A7 B7 五、發明説明（10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 極19a及19b之材料）所製之閘接線211。當然，不獨雙閘結構，且單閘或所謂多閘結構（包含具有至少二通道形成區串連之一作用層之結構），諸如三閘結構亦可採用。多閘結構在降低斷電流値上非常有效，且在本發明中，像素之開關元件20 1爲多閛結構所製，俾達成具有低斷電流値之開關元件。作用層爲半導體薄膜所構成。包含結晶結構。即是，可使用一單晶半導體薄膜，多晶半導體薄膜，或一微晶半導體薄膜。閘絕緣薄膜1 8可爲含矽之絕緣薄膜所構成。任何導電性薄膜可用作閘電極，源接線，或汲接線。而且，在開關TFT201中，LDD區15a至15d設置不通過閘絕緣薄膜1 8而與閘電極1 9a及1 9b重疊。此種結構在降低斷電流値上非常有效。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意基於降低斷電流値，另宜設置一偏置區（與通道形成區相同之組份之半導體層所構成之區，且不施加閘電壓）於通道形成區及LDD區之間。在具有至少二閘電極之多閘結構之情形，設於通道形成區之間之高濃度摻雜區在降低斷電流値上有效。其次，電流控制TFT202包含一作用層，含有一源區31 ，一汲區32，及一通道形成區34，一閘絕緣薄膜18，一閘電極35，一第一層間絕緣薄膜20，一源接線36 ，及一汲接線37。雖閘電極35具有單閘結構，但可採用多閘結構〇如顯示於圖3 ，開關TFT201之汲極連接至電流控制 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（n) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) TFT202之閘極。明確言之，電流控制TFT202之閘電極35 經汲接線（此亦稱爲連接線）22電連接至開關TFT201之汲區 14。源接線36連接至一電源供應線212。電流控制TFT202爲用以控制注入於EL元件203中之電流量之一元件，且基於EL元件之惡化，不宜使大量之電流流入。故此，宜設計充分長之通道長度（L)，俾過度之電流不致流過電流控制TFT202。需設計使每像素之電流爲0.5 至 2 // A(宜 1 至 1.5 // A)。構製於開關TFT201中之LDD區之長度（寬度）爲0.5至 3.5/z m，普通爲 2.0 至 2.5// m。如顯示於圖3A，包含電流控制TFT202之閘電極35之接線通過由參考編號50所標示之一區中之絕緣薄膜重疊於電源供應線212。一儲存電容器（電容器）形成於由參考編號 50所標示之區域中。亦可使用由一半導體薄膜51 ，在與閘絕緣薄膜同層中之一絕緣薄膜（未顯示），及電源供應線212 所形成之一電容器作爲儲存電容器。儲存電容器50用以維持施加於電流控制TFT202之閘電極35上之電壓。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製自增加可流之電流量之觀點言之，亦可有效增加電流控制TFT202之作用層（尤其是通道形成區）之厚度（宜50至 100nm，更宜60至8 0nm)。反之，在開關TFT201之情形，自降低斷電流値之觀點言之，亦可有效減小作用層（尤其是通道形成區）之厚度（宜20至50nm，更宜25至40nm)。其次，參考編號38標示一第一鈍化薄膜，且其厚度宜爲10nm至10 # m(宜200至500nm)。作爲其材料，可使用 \紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210父297公釐） ~ 一 1226205 B7 五、發明説明（12) 含政之一絕緣薄膜（尤其是氧氮化砂薄膜或氮化砂薄膜）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一第二層間薄膜（此可稱爲平坦化薄膜）39構製於第一鈍化薄膜38上，以覆蓋各別TFT，俾平坦化由TFT所形成之層階。作爲第二層間絕緣薄膜39 ，宜爲有機樹脂薄膜，且宜使用聚醯亞胺，聚醯胺，丙烯酸樹脂，BCB(苯並環丁烯），或類似者。當然，如可達成充分平坦，則可使用無機薄膜。需經由第二層間絕緣薄膜39來平坦化TFT所產生之層階。由於其後所製之EL層非常薄，故有由於層階存在而發生發光不良之情形。故此，在像素電極構製之前，需執行平坦化，俾EL層可構製於儘可能最平坦之表面上。參考編號40標示一像素電極（相當於EL元件之陽極），爲透明導電性薄膜所構成，且在構製一接觸孔（開口）於第二層間絕緣薄膜3 9及第一鈍化薄膜3 8中後，構製像素電極，在所構製之開口部份處連接至電流控制TFT202之汲接線37 〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在本實施例中，使用氧化銦及氧化鍚之複合物所製之導電性薄膜作爲像素電極。而且，可加少量之鎵於此。而且’亦可使用氧化銦及氧化鋅之複合物或氧化鋅及氧化鎵之複合物。注意在構製像素電極於一接觸孔上後所產生之一凹口在本說明書中稱爲電極孔。在構製像素電極後，構製樹脂材料所製之堤4 1。堤4 1 由具有厚度1至2// m之丙烯酸樹脂薄膜或聚醯亞胺薄膜蝕刻成形。堤41分別構製成條形於各像素列之間。在本實施本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15· 1226205 A7 ____ B7 五、發明説明（13) 例中，雖此等沿源接線2 1上構製，但此等亦可沿閘接線3 5 上構製。其次，由電場施敷法構製一 EL層42，如圖1C所述。雖此處僅顯不一像素，但構製與各別色R (紅），G (綠），及 B(藍）相對應之EL層。作爲用於EL層之有機EL材料，使用聚合物材料。作爲普通聚合物材料，提出聚對苯撐乙烯（PPV)，乙稀基昨口坐 (PVK)，聚芴等。雖有諸如PPV多種有機EL材料，例如，發表以下分子式（H.Shenk ’ H.Becker ， E.Kluge ， W.Keuder ，及 H-Sprehzer ’ ”發光二極體之聚合物"，歐洲顯示器記錄， 1999，33-37 頁）。化學式1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化學式

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1226205 A7 B7 五、發明説明（14) 而且，亦可使用日本專利申請公報Hex 1 0-92576號所發表之分子式之聚本乙嫌。該分子式如下：化學式3

而且，作爲PVK有機EL材料，有分子式如下：化學式5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製聚合物有機EL材料當在聚合物狀態中時可溶解於溶劑中且可塗敷，或當在單體狀態中時可溶解於溶劑中，及在塗敷後可聚合化。在其在單體狀態中塗敷之情形，先形成聚合物先質，及由在真空中加熱聚合化，以形成聚合物。作爲一特定之EL層，宜使用氰基聚苯乙烯爲發紅光之 EL層’使用聚苯乙烯爲發綠光之EL層，及使用聚苯乙烯或聚鹼基苯爲發藍光之EL層。其厚度宜在30至150nm(宜40 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1226205 at B7 五、發明説明（15 ) 至 1OOnm)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，以上僅爲可用作本發明之EL層之有機EL材料之例，且無需限制該材料於此等。在本實施例中’有機EL 材料及溶劑之混合物由所示之電場施敷系統塗敷’及溶劑經蒸發移去，以形成EL層。故此，只要當溶劑蒸發時’該組合之溫度不超過EL層之玻璃轉變溫度，任何EL材料均可使用。此處所提之低分子材料或具有低分子之高分子材料均可使用。甲苯，二甲苯，氯苯，二氯苯，茴香醚，氯仿，二氯甲烷，丁基丙酮，丁基纖溶劑，環已烷，PMP(N-甲基-2-吡咯酮），環已烷，二惡烷，或THF(四氫呋喃）爲典型溶劑之例。應注意溶解上述EL材料之溶劑在整個本發明中稱爲施敷液體。而且，施敷液體之黏度宜在lxl〇_3及3xl(T2Pas之間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製首先，所製備之施敷液體在材料室1 1 1中由超音波振盪器1 1 2霧化，如顯示於圖1 C。當霧化之施敷液體經由來自噴嘴113上所設置之電極114之電場之影響變爲充電微粒時，施敷液體然後由引導電極115拉出噴嘴113。在拉出之施敷液體由加速電極1 16加速後，施敷液體然後由控制電極1 1 7控制，並施敷於所需之位置上。如此形成EL層。應注意施敷液體在自材料室1 1 1噴出之時刻，由固定於噴嘴 113上之電極114之電場之影響充電，從而變爲充電微粒。在本發明中，首先，在材料室11 1中所提供之紅色EL 層之施敷液體噴霧，並由電場控制，然後施敷，從而形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- A7 1226205 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一列發紅色光之像素。其次，在基體在相鄰像素列之方向上移動三列之期間中，在每二列處執行發紅色光之像素列之構製。其次，依相同方式，施敷在材料室1 1 1中所製備之綠色EL層之施敷液體，從而在每二列處形成發綠色光之像素列。而且，依與其他相同方式，施敷在材料室1 1 1中所製備之藍色EL層之施敷液體，從而形成發藍色光之像素列。由執行以上操作，可構製許多紅，綠，及藍像素之三列成條形對齊於基體上。注意，每次更換EL層之施敷液體之種類時，具有EL 層之施敷液體之材料室可隨之一起更換，或可使用該材料室，僅更施敷液體而不更換材料室。而且，固定於材料室 111上之噴嘴113不限於一個噴嘴，而是可固定二或更多個噴嘴。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，雖未使用於此處，但可設置蔽罩於材料室丨i i 及基體之間，從而經由蔽罩控制基體上施敷液體之位置。應注意材料室1 1 1及蔽罩可分開設置，或可整合於該裝置中。在構製EL層42之期間中，處理用之大氣爲含有少許濕汽及氧之大氣，因爲EL層容易由於濕汽及氧之存在而惡化。即是，需要在惰性氣體，諸如氮或氬中執行構製EL層。而且’用以製備施敷液體之溶劑大氣可用作處理大氣，因爲可控制施敷液體之蒸發率。如此，在構製EL層42後，構製由光屏蔽導電性薄膜所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） ~ '一 1226205 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 構成之陰極43及保護電極44。在實施例1中，使用MgAg 所製之導電性薄膜作爲陰極，及使用鋁製之一導電性薄膜作爲保護電極44。應注意上述EL層對熱不良，且故此，陰極43需在可能最低之溫度（宜在自室溫至120 °C度範圍內）中構製。故此，電漿CVD及濺散法視爲所需之薄膜沉積法。而且，迄此所完成之基體在整個本說明書中稱爲主動矩陣基體。在本發明中，在構製無機，諸如氮化矽，氧化鉅，或碳薄膜所構成之障壁層45後，由使用圖1C所說明之電場施敷法構製有機樹脂薄膜所構成之一蓋層46。此際用以構製蓋層46之有機樹脂液體之較宜黏度訂定於lxl(T3至3x l(T2Pas。而且，此際所構製之蓋層之薄膜厚度宜爲0.1 // m 至20// m。然而，可由重複施敷及乾操處理，其薄膜厚度可製成較上述爲厚。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製當蓋層46製成時，自發光裝置之密封完成。然而，可設置一密封基體，諸如玻璃基體，石英基體，或塑膠基體於蓋層46上，從而完成自發光裝置之密封結構。且應注意蓋層46可構製具有黏著劑之功能，用以黏合主動矩陣基體及密封基體。注意作爲防止濕汽及氧（此爲EL層惡化之原因）之反制措施，可加乾燥劑或抗氧劑，諸如氧化鋇於有機樹脂薄膜所構成之蓋層中。實施例2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 20- 1226205 B7 五、發明説明（18) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之實施例中，參考圖4A至6C ’說明同時製造一像素部份及設置於像素部份之周邊中之一驅動電路之 TFT之方法。然而，爲簡單說明’圖中顯示一 CMOS電路’ 此爲驅動電路之基本電路。首先，如顯示於圖4A，構製厚度300nm之一基底薄膜 301於玻璃基體300上。使用lOOnm厚之氧氮化矽薄膜及 200nm厚之氧氮化矽薄膜所構成之一疊層薄膜作爲實施例2 中之基底薄膜301。此際，宜訂定與玻璃基體300接觸之氧氮化矽薄膜之氮濃度於10及25重量％之間。當然，可直接構製一元件於石英基體上，而不設置基底薄膜。其次，由使用已知之薄膜沉積法，構製厚度50nm之一非晶質矽薄膜（未顯示於圖中）於基底薄膜301上。注意本發明無需限於使用非晶質矽薄膜，而是亦可使用含有非晶質結構之半導體薄膜（包括微晶半導體薄膜）。而且，亦可使用含有非晶質結構之一複合物半導體薄膜，諸如非晶質矽鍺薄膜，且其薄膜厚度可在20及lOOnm之間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後由已知方法晶化該非晶質薄膜，從而形成晶質矽薄膜（亦稱爲多晶矽薄膜或多矽薄膜）302。有使用電爐之熱晶化，使用雷射光之雷射徐冷晶化，及使用紅外光之燈徐冷爲已知之晶化法。在實施例2中使用來自準分子雷射之光執行晶化，此使用XeCl氣體。注意實施例2中使用經處理爲線形之脈波投射式準分子雷射光，但亦可使用方形，且亦可使用連續發射氬雷射光及連續發射準分子雷射光。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21- 1226205 at B7 五、發明説明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在實施例2中，雖使用晶質矽薄膜爲TFT之作用層’ 但亦可使用非晶質矽薄膜。而且，亦可使用非晶質矽構成開關TFT之作用層，此需用較低之斷電流値，同時使用晶矽薄膜構成電流控制TFT之作用層。載子遷移率在非晶質矽薄膜中低，且故此，電流難以在其中流過，且結果，斷電流難流。即是，可利用電流難以在其中流之非晶質矽薄膜及電流易於在其中流之晶質矽薄膜二者之優點。其次，如顯示於圖4B，構製130nm厚之氧化矽薄膜所構成之一保護薄膜303於晶質矽薄膜302上。其厚度可選擇自100至200nm範圍（宜在130及170nm之間）。而且，亦可使用其他薄膜，只要此等使含矽之薄膜絕緣即可。設置保護薄膜303 ，俾晶質矽薄膜在摻雜之期間中不直接曝露於電漿中，且故可精密控制雜質之濃度。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後構製光阻罩304a及304b於保護薄膜303上，及通過保護薄膜303摻雜施加η型導電性之雜質元素（此後稱爲η 型雜質元素）於其中。注意通常使用屬於族1 5之元素作爲η 型雜質元素。普通可使用磷或砷。且注意在實施例2中，使用電漿（離子）摻雜法，其中，磷化氫（ΡΗ3)經電漿活化，而質量不分離，且磷以濃度1χ101δ原子/cm3摻雜。當然，亦可使用離子植入法，其中，執行質量分離。在由此法如此所製之η型摻雜區305中，調節其中所含之η型雜質元素之劑量，俾其濃度爲2x1 016至kio”原子 /cm3(普通在5xl017及5xl018原子/cm3之間）。

其次，如顯示於圖4C，移去保護薄膜303及光阻304A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1226205 A7 B7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 及304B，從而活化其中所摻雜之屬於族15之元素。可使用已知之活化法作爲活化措施，且在實施例2中，由照射準分子雷射光執行活化。無需限於使用準分子雷射光，當然，可使用脈波發射式準分子雷射及連續發射式準分子雷射二者。其目的在活化摻雜之雜質元素，且故此，宜在不熔化晶質矽薄膜之能量程度上執行照射。注意亦可在保護薄膜303留於原地上執行雷射照射。注意在由雷射光活化雜質元素之期間中，亦可由熱處理一起執行活化。當由熱處理執行活化時，考慮到基體之熱抵抗力，宜在450至550 °C上執行熱處理。由於此處理，η型摻雜區305之邊緣部份，即是，區分出η型摻雜區305之邊界部份（連接部份）及周邊中所存在且無雜質元素摻雜之區域。此意爲，當其後完成TFT時，可在LDD區及通道形成區之間形成極爲良好之連接。如顯示於圖4D ，其次移去晶質矽薄膜之不需要部份，從而形成島形半導體薄膜（此後稱爲作用層）306至309。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後，如顯示於圖4E，構製一閘絕緣薄膜310，覆蓋作用層306至3 09。可使用含矽且具有厚度1〇至2 00nm，且宜在5 0及1 5 0 n m間之一絕緣薄膜作爲閘絕緣薄膜3 1 0。其薄膜可採用單層結構或疊層結構。實施例2中使用llOnm 厚之氧氮化矽薄膜。其次構製200至400nm厚之導電性薄膜並蝕刻圖案，從而形成閘電極3 11至3 1 5。閘電極3 1 1至3 1 5之邊緣部份可製成錐形。注意在實施例2中，閘電極及電連接至閘電極 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 Α7 Α7 Β7 五、發明説明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之引接線（此後稱爲閘接線）由不同之材料製造。明確言之，使用具有較閘電極低之電阻之材料製造閘接線。其理由在於使用能微處理之材料作爲閘電極，且即使閘接線之材料不能微處理，用於該接線之材料具有低電阻。當然，閘電極及閘接線亦可由同一材料製造。而且，閘電極可由單層導電性薄膜構成，且當需要時，宜使用二層或三層之疊層薄膜。可使用所有已知之導電性薄膜作爲閘電極之材料。然而，如上述，宜使用可微處理之材料，尤其是可鈾刻圖案至2 // m或以下之線寬度之材料。普通可使用選自鉬（Ta)，鈦（Ti)，鉬（Mo)，鎢（W)，鉻 (CO及矽（S!)所組之群中之元素所製之薄膜，或含有以上元素之氮化物薄膜（普通爲氮化鉅薄膜，氮化鎢薄膜，或氮化鈦薄膜），或具有以上元素之合倂之合金（普通爲Mo-W合金，Mo-Ta合金）薄膜，或以上元素之矽化物薄膜（普通爲矽化鎢薄膜或矽化鉬薄膜）。當然，該等薄膜可用作單層或疊層〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例2中使用由50nm厚之氮化鉅（Ta-N)薄膜及350nm 厚之鉅（Ta)薄膜所構成之疊層薄膜。此等薄膜可由濺散法製造。而且，當加入惰性氣體，諸如Xe ，Ne等作爲濺散氣體時，可防止薄膜由於應力所引起之剝落。此際，構製閘電極312，以覆蓋η型摻雜區305之一部份，並包夾閘絕緣薄膜310。此覆蓋部份其後成爲LDD區，覆蓋閘電極。注意在斷面圖中，鬧電極313及314顯示可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -24- 1226205 A7 _____B7 五、發明説明（22) 視爲二電極，但二者實際相互電連接。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 其次，使用閘電極3 1 1至3 1 5作爲蔽罩，以自對齊方式摻雜η型雜質元素（在實施例2中使用磷），如顯示於圖5a。調節磷之摻雜，俾可摻雜於摻雜區3丨6至323中，如此形成爲摻雜區305及306之1/10至1/2之濃度（普通在1/4及1/3 之間）。明確言之，濃度宜爲lxl〇16至5xl018原子/cm3(普通爲 3xl〇17 至 3xl018 原子 /cm3)。如顯示於圖5B，其次構製光阻罩324a至324d，以覆蓋閘電極等，並摻雜η型雜質元素（實施例2中使用磷），從而形成摻雜區325至3 29，含有高濃度之磷。在此亦執行使用磷化氫（ΡΗ3)之離子摻雜，並調節此等區中磷之濃度，俾在1χ102()及lxlO21原子/cm3之間（普通在2χ102°及5χ1021原子 / c m'之間）。經由此法製造N通道TFT之一源區及一吸區，及在開關TFT，經由圖5A之處理所製造之η型摻雜區319至321 之一部份仍保留。此等保留區相當於圖2之開關TFT之LDD 區 15a 至 15d。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如顯示於圖5C，移去光阻罩324a至324d，並構製一新光阻罩332。然後摻入一 p型質元素（實施例2中使用硼），從而形成含有高濃度硼之摻雜區3 3 3及3 3 6 。在此使用二硼烷（B2H6)由離子摻雜法摻雜硼，俾其濃度爲 3x1〇2° 至 3xl021 原子/cm3(普通在 5xl02Q 及 lxlO21 原子/cm3 之間）。注意已以濃度U102()至lxio21原子/cm3摻雜磷於摻雜區本紙張尺@用中國國家撫準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -251 1226205 A7 B7 五、發明説明（23) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 33 3至3 36中，但硼以較之磷高至少3倍之濃度摻雜於此處。故此’先前已構製之η摻雜區完全變換爲p型導電性，並用作Ρ型摻雜區。其次’在移去光阻罩332後，活化以各別濃度摻雜之η 型及Ρ型雜質元素。可執行爐徐冷，雷射徐冷，或燈徐冷法’作爲活化措施。在實施例1中在電爐中在氮大氣下以 5 5 0 °C執行熱處理4小時。此際，需儘可能移去大氣中所含之氧。因爲如有任何微量之氧存在，則電極之曝露表面會氧化，導致增加電阻 ’且同時，以後更難構製歐姆接觸。故此，在以上活化處理之處理環境中之氧濃度訂定於lppm或以下，需O.lppm或以下。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在完成活化處理後，其次構製厚度300nm之閘接線3 37 如顯示於圖5D。可使用具有鋁（A1)或銅（Cu)作爲主要組成份（佔組份之50至100%)之一金屬薄膜作爲閘接3 37之材料。有關閘接線337之設置，其構製在使閘接線21 1及開關 TFT之閘電極19a及19b(相當於圖4E之閘電極313及3 14)電連接，如圖3。可由構製此式結構使閘接線之接線電阻非常小’且故此可製造具有大表面積之像素顯示區（像素部份）。即是，由於由此結構達成具有螢幕大小爲1 〇吋對角線或更大（而且’ 30吋或更大對角線）之自發光裝置，故實施例1之像素結構極爲有效。其次，如顯示於圖6A，構製一第一層間絕緣薄膜338 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 B7 五、發明説明（24) 。作爲第一層間絕緣薄膜3 36 ，使用含矽之一單層絕緣薄 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜，或可使用一疊層薄膜，其中，合倂含矽之2或更多式之絕緣薄膜。而且，宜訂定其薄膜厚度在400nm及1.5 // m 之間。實施例2中使用一結構，其中，構製800nm厚之氧化石夕薄膜重疊於200nm厚之氧氮化砂薄膜上。在含3至100 %之氫大氣下以300 °C至450 °C之溫度執行額外熱處理1至1 2小時，從而執行氫化。此處理用以終接半導體薄膜中由熱活化之氫所引起之懸空鍵。可執行電漿氫化淸（使用由電漿活化之氫），作爲氫化之另一措施。注意氫化步驟亦可插於構製第一層間絕緣薄膜3 3 8之步驟之間。即是，可在構製200nm厚之氧氮化矽薄膜之後，執行如上之氫化處理，及然後，其後可構其餘800nm厚之氧化矽薄膜。經濟部智慧財度局員工消費合作社印製其次，構製第一層間絕緣薄膜3 3 8及閘絕緣薄膜310中之接觸孔，從而構製源接線339至342及汲接線343至345 。注意在實施例2中，此電極爲三層結構之疊層薄膜所構成，其中，由濺散法連續構製具有厚度lOOnm之一鈦薄膜 ’含鈦並具有厚度300nm之一鋁薄膜，及具有厚度I50nm 之一鈦薄膜。當然，亦可使用其他導電性薄膜。其次，構製厚度50至500nm(普通在200及300nm之間）之一第一鈍化薄膜346。使用300nm厚之氧氮化矽薄膜爲實施例2中之鈍化薄膜。此亦可由氮化矽薄膜取代。注意在構製氧氮化矽薄膜之前，可使用含氫之氣體，諸如H2或NH3，有效執行電漿處理。由此預處理活化之氫本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公董) ' 1226205 Α7 Β7 五、發明説明（25) 供應至第一層間絕緣薄膜3 3 8 ，及由執行熱處理改善第一鈍化薄膜346之薄膜品質。同時，加於第一層間絕緣薄膜 3 3 8中之氫擴散至下層方，且故此可有效氫化該等作用層。其次，如顯示於圖6B ，構製有機樹脂所構成之一第二層間絕緣薄膜347 。作爲有機樹脂，可使用聚醯亞胺，聚醯胺，丙烯酸樹脂，或BCB(苯環丁烯）。明確言之，由於第二層間絕緣薄膜347主要用於平坦化，故具有良好之平坦化性質之丙烯酸樹脂較宜。在實施例2中，構製丙烯酸樹脂薄膜至足以使TFT所形成之層階平坦之厚度。其較宜之薄膜厚度在1至5// m(更宜在2及4// m之間）。構製一接觸孔於第二層間絕緣薄膜347及第一鈍化薄膜346中，從而製製一像素電極348電連接至汲接線345。在實施例2中，構製厚度ll〇nm之氧化銦鍚（ITO)薄膜，並執行蝕刻圖案，從而製成像素電極。順便言之，作爲另外材料，亦可使用2至20%之氧化鋅（ZnO)與氧化銦混合之一複合物，或可使用氧化鋅及氧化鎵所構成之一複合物，作爲透明電極。像素電極348成爲EL元件之陽極。如顯示於圖6C ，其次構製樹脂材料之一堤349 。堤 349可爲丙烯酸樹脂薄膜或聚醯亞胺薄膜所構成，此具有總薄膜厚度在1至2 // m之間，具有蝕刻圖案。堤349製成條形於各列像素之間，如顯示於圖6C 。在實施例2中，堤 349沿源接線341上構製，但亦可沿閘接線3 37上構製。其次，使用參考圖1C所述之電場施敷法，構製一 EL 層350。應意雖此處僅顯示一像素，但構製與各別色R(紅）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ·28- ---------i旁-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226205 A7 B7 五、發明説明（26) ，G(綠），及B(藍）相對應之EL層，如實施例1中所述。首先，由超音波振盪器之超音波振盪使材料室中所置之用以構製EL層之施敷液體成噴霧。當用以構製EL層之噴霧之施敷液體由施加於電極上之電壓所產生之電場充電時’然後由固定於材料室外之引導電極拉出施敷液體。在拉出之EL層施敷液體由加速電極在飛行之方向上加速後，施敷液體然後由控制電極控制，從而施敷於基體！丨〇上所需之位置。在本發明中’首先，由引導電極自材料室中拉出紅色 EL層之施敷源體，成爲用以構製EL層之霧化之施敷液體。然後，在由加速電極加速後，由控制電極控制該施敷液體，從而構製發射紅色光之EL層於各列像素上。其次，在橫向移動基體後，施敷來自材料室之用以構製綠色EL層之施敷液體，從而構製發射綠色光之各列像素。然後，在橫向上進一步移動基體，俾施敷來自材料室之用以構製藍色EL 層之施敷液體，從而構製發射藍色光之各列像素。如此’由依次施敷該施敷液體於發各色紅，綠，及藍光之各列像素上，同時移動基體，構製三色條形EL層。應注意雖實施例2中僅顯示一像素，但可一次構製一列，或同時構製所有發同色光之EL層。而且，當需要時，可設置蔽罩於材料室及基體之間，從而由施加電場於蔽罩上，控制施敷液體之施敷位置。作爲EL材料，在實施例2中，可使用氰基聚苯乙烯爲發紅色光之EL層，聚苯乙烯爲發綠色光之EL層，及聚苯本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 1226205 A7 B7 五、發明説明（27) 乙烯或鹼基苯爲發藍色光之EL層。其適當之厚度爲30至 15 0nm(宜在40及lOOnm之間）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使用已知之材料構製EL層350。考慮及驅動電壓，宜使用有機材料。應注意在實施例2中，由以上EL材料製造EL層350，即是僅採取一發光層之一單層結構。然而，如需要，可設置一電子注入層，一電子輸送層，一電洞輸送層，一電洞注入層，一電子防止層，或一電洞元素層。雖使用MgAg電極作爲實施例2中之EL元件之陰極351，但可使用其他熟悉之材料。此處已顯示由電場控制之電場施敷法於實施例2中。然而，亦可使用其他方法，諸如噴墨法，或EL層之材料成充電微粒控制及施敷之方法。注意雖施敷及構製每一色之發光層，但在製造電子注入層，電子輸送層，電洞輸送層，電洞注入層，電子防止層，或電洞元件層之情形·，由不同材料所製之各層可由使用諸如旋塗法及施敷法等方法一次製成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在構製EL層350後，由真空蒸發法構製一陰極（MgAg 電極）351。應注意EL層350之薄膜厚度可約在80及200nm 之間（普通在100及120nm之間）及陰極351之厚度在180及 3 00nm之間（普通在200及250nm之間）。另設置保護電極35 2於陰極351上。可使用含鋁作爲其主要組成份之一導電性薄膜作爲保護電極352 。可由真空蒸發法使用蔽罩構製該保護電極352。注意具有保護電極構製於頂上之基體之狀態在整固本說明書中稱爲主動矩陣 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 13〇： 1226205 A7 B7 五、發明説明（28) 基體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另構製一障壁層3 5 3於其上，俾迄至構製保護電極352 爲止所完成之主動矩陣基體不曝露於開放空氣中。在實施例2中，使用氧化鉅作爲用以製造障壁層3 5 3之材料。然而，可使用無機材料，諸如氮化矽，氮化鋁，或碳，尤其是 DLC。由使用濺散法構製實施例2中之障壁層3 5 3，唯亦可使用在室溫上執行之薄膜沉積法，諸如電漿CVD。在構製障壁層35 3後，構製一有機樹脂所構成之一蓋層354於障壁層35 3上。注意在溶解有機樹脂於溶劑中，並中度調節有機樹脂本身之黏度，從而製成一有機樹脂液體後，然後置該有機樹脂液體於材料室中，並由電場施敷法施敷，從而製成蓋層354。此際之有機樹脂液體之黏度宜在 lxlO·3 及 3xl(T2Pas 之間。而且，此際，加一吸收劑或抗氧化劑，諸如氧化鋇於構製蓋層之有機樹脂液體內，有效防止使EL元件惡化之因素之濕汽及氧侵入於EL元件中。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在實施例2之情形中，如顯示於圖6C，N通道TFT205 之作用層包含一源區3 5 5，一汲區356，一 LDD區357，及一通道形成區3 5 8，及LDD區3 5 7通過包夾於其間之閘絕緣著膜3 1 0重疊於閘電極3 1 2。 LDD區僅構製於汲區方之理由在於考慮到不降低操作速度。而且，無需非常注意N通道TFT205之斷電流値，而是，較宜著重於操作速度。故此，需使LDD區357完全重疊於閘電極，以降低電阻部份至最低程度。即是，宜除去本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I3T：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226205 A7 B7五、發明説明（29) 所謂偏置。在實施例2之主動矩陣基體中’最佳結構之TFT不獨設置於像素部份中，且亦在驅動電路部份中。故此’獲得非常高之可靠性，且改善操作特性。首先，使用具有可降低熱載子注入’俾儘可能不降落其操作速度之結構之一 TFT作爲構成驅動電路部份之CMOS 電路之N通道TFT205。順便言之，此驅動電路在此包含一轉移暫存器，一緩衝器，一位準轉移器，一抽樣電路（抽樣及保持電路）等。在執行數位驅動之情形，其中亦含有一信號變換電路，諸如D/A變換器。其次，參考圖7A及7B，說明與像素部份之TFT同樣之N通道開關TFT之斷面結構。注意此處所用之參考編號與圖2相同。首先，在圖7A所示之結構中，LDD區15a至15b設置不通過包夾於其間之閘絕緣薄膜18與閘電極19a及19b重疊。此結構在降低斷電流上非常有效。另一方面，在圖7B所示之結構中，不設置LDD區15a 至1 5d。在採用圖7B之結構之情形中，由於處理數較之構製圖7 A之結構之情形少，故可提高生產率。在本發明中，TFT可採取圖7A及圖7B所示之任一結構，作爲開關TFT。其次，作爲像素部份之TFT之N通道電流控制TFT之斷面結構圖顯不於圖8 A及8 B。注意此處所用之參考編號與圖2相同。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公董1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1226205 A7 B7 五、發明説明（3〇) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在圖8A所不之電流控制TFT中’ LDD區33設置於汲區32及通道形成區$4之間。此處所示之電流控制TFT之結構具有一區，在此，LDD區33通過包夾於其間之閘絕緣薄膜與閘電極35重疊；另具有一區，在此，LDD區33並不重疊閘電極35。然而，如顯示於圖8B，LDD區33無需設置於其結構中。電流控制TFT供應電流，用以使EL元件發光，及同時控制供應量，俾可層次顯示。如此，需採取反制措施，防止由於熱載子注入而惡化，俾即使電流供應時，亦不發生惡化。防止由載子注入所引起之惡化，已知一種結構非常有效，其中，LDD區與閘電極重疊。故此，雖LDD區設置通過其間所包夾之閘絕緣薄膜與閘電極35重疊設置，如顯示於圖8A，該結構宜作爲對付斷電流値之反制措施，但此處之結構顯示該LDD區設置·並不重疊於閘電極。然而，並非必需設置不與閘電極重疊之LDD區。而且，LDD區無需設置於該結構中，如圖8B所示，此視情形而定。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖8A及8B所示之TFT結構中，當施加於TFT上之電壓Vds爲10V或以上時，則圖8A所示之結構較佳。另一方面，當施加於該TFT上之電壓VDS低於10V時，則圖8B 所示之結構較佳。注意在構製圖6C所示之蓋層345並提高氣密性後，裝置一連接器（可撓性印刷電路：FPC)，用以連接絕緣體上所構製之元件或自電路伸出之接頭至外部信號接頭，從而完成 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（31) 自發光裝置如一產品。在本說明書中，完成至此狀態而欲裝運之產品稱爲自發光裝置（或EL模組）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，參考圖9A及9B ，說明已構製迄至蓋層之實施例2之EL模組。實施例2之主動矩陣式自發光裝置包含一像素部份902 ，一閘方驅動電路903，及一源方驅動電路904構製於玻璃基體901上。像素部份之一開關TFT905爲N通道TFT，並設置於閘接線906(此連接至閘方驅動電路903)及源接線 907(此連接至源方驅動電路904)相交處。而且，開關 TFT905之汲極連接至電流控制TFT908之閘極。而且，電流控制TFT906之源方連接至電源供應線909 。在諸如實施例2之結構中，一地電位施加於電源供應線 909上。一 EL元件910連接至電流控制TFT908之汲極。而且，一預定電壓（3至12从，宜3至5¥)施加於£1元件910之陽極。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在用作外部輸入/輸出接頭之一 FPC911中，設置連接線 9 1 2及9 1 3用以發送信號至驅動電路部份，及一連接線9 1 4 連接至電源供應線909。在此，圖9B顯示一斷面圖，與沿圖9A之線A-A、上所取之斷面圖相當。注意在圖9A及9B中，使用相之參考編號來標示相同之部份，且在其一部份中，使用相同之參考編號來標示圖6之相同部份。如顯示於圖9B ，構製像素部份902及閛方驅動電路 903於玻璃基體901上。像素902由多個像素構成，各包含本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 1226205 A7 B7 五、發明説明（32) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電流控制TFT202 ，及像素電極348電連接至電流控制 TFT202。閘方驅動電路903使用CMOS電路構成，其中，N 通道TFT205及P通道TFT206互補合倂。像素電極348用作EL元件之陽極。堤349構製於像素電極348之空隙中，從而在堤349之內側構製EL層350。再構製陰極35 1及保護電極352於其上。應注意EL元件之結構無需限於實施例2所示之結構，而是該EL元件之結構可顛倒，且像素電極可用作陰極。在實施例2之情形中，保護電極352亦用作所有像素列所共用之公共接線，且經連接線912電連接至FPC911。像素部份902及閘方驅動電路903中所含之所有元件由障壁層覆蓋，此爲無機材料，諸如氮化矽，氧化鉅，或碳（尤其是 DLC薄膜）所製。雖障壁層3 5 3可省略，但爲使各別元件與外界隔離，宜設置障壁層3 5 3。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，設置一蓋層於障壁層上，以覆蓋EL元件。作爲蓋層916，可使用PVC(聚氯化乙烯），環氧樹脂，矽酮樹脂，丙烯酸樹脂，PVB(聚乙烯丁醛），或EVA(乙烯醋酸乙酯）。置於蓋層9 1 6內之一吸收劑（未顯示）宜保持吸濕作用。可設置玻璃，塑膠，及陶瓷所製之一保護基體於蓋層 916上。而且，保護基體（未顯示於圖中）可由使用蓋層916 黏合於主動矩陣基體上。由使用上述方法設置障壁層3 5 3及蓋層916於EL元件上，EL元件可完全與外部環境隔離，且可如此防止會加速 EL層氧化變壞之物質，諸如濕汽及氧自外部侵入。故此， -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） 1226205 A7 B7 五、發明説明（33) 可製成高度可靠之自發光裝置。 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 圖9所示之自發光裝置之電路構造之一例顯示於圖1〇。實施例2之自發光裝置包含一源方驅動電路1 00 1 ，--閘方驅動電路（A) 1007 ，一閘方驅動電路（B) 1011 ，及一像素部份1006。注意在本說明書中，”驅動電路部份”一辭爲統稱辭，包括源方處理電路及閘方驅動電路。源方驅動電路1001設有一轉移暫存器1002，一位準轉移器1 003 ，一緩衝器1004 ，及一抽樣電路（抽樣及保持電路）1 005 。而且，閘方驅動電路（A)l 007設有一轉移暫存器 1 008，一位準轉移器1009，及一緩衝器1010。閘方驅動電路（B) 1011亦採取相同構造。在此，轉移暫存器1 002及1008分別具有驅動電壓5至 16V(普通10V)，及由圖6C中之參考編號205所標示之結構適用於N通道TFT，此使用於CMOS電路中，用以構成該等電路。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，含有圖6C之N通道TFT205之CMOS適用作位準轉移器1 003及1 009及緩衝器1004及1010，與轉移暫存器同樣。順便言之，具有多閘結構，諸如雙閘結構或三閘結構之閘接線有效提局每一電路之可靠性。具有圖2所示之結構之像素安排於像素部份1 0 0 6中。以上結構可容易由依據圖4A至6C所示之製造步驟製造TFT達成。在實施例2中，雖僅顯示像素部份及驅動電路部份之結構，但如依據實施例2執行電路之製造步驟，則可製造不獨驅動電路，而且邏輯電路，諸如信號分割電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —孤 1226205 at B7 五、發明説明（34) 路，D/A變換電路，運算放大電路，a改正電路於同一絕緣體上。而且，相信記憶部份，微處理器等亦可製造。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例2之構造可與實施例1之構造自由合倂。實施例3 實施例3中說明與圖1 B所示不同之一疊層結構之製造方法。在圖11中，構製電流控制TFT1101於基體1100上，並構製一像素電極1102電連接至電流控制TFT1 101 ，如圖所示。在實施例3中，使用噴墨法構製一 EL層1 1 03於像素電極1 1 02上。注意宜使用與實施例1所用相同之材料，作爲EL層之施敷液體。 EL層1103上設置使用蒸發法所構製之一陰極1104。注意宜使用具有小功函數之材料，諸如MgAg及AlLi於構製陰極1104上。在構製陰極1104後，再使用噴墨法來製造有機樹脂薄膜所構成之蓋層1 1 05均勻於像素部份上。所構製之蓋層1105之薄膜厚度宜在l〇nm及3 00nm之間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製作爲構製有機樹脂所製之蓋層1105之材料，宜使用具有高硬度，不能爲諸如濕汽及氧等物質所滲透，且具有平面性之材料。更明確言之，宜爲有機樹脂，諸如環氧樹脂，丙烯酸樹脂，聚醯亞胺，聚醯胺，及矽酮樹脂。由於蓋層1105使用噴墨法構製，故可選擇形成於像素部份上。圖12顯示使用噴墨法構製蓋層1 202於主動矩陣基體 1 200之像素部份1201上之方法。注意用以構製EL層之施敷液體及用以構製蓋層之有機樹脂液體自此處所示之結構 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（35) 中之噴頭1 203噴出。注意在已知用於噴墨法上之壓電法中，有多種，一種爲MLP(多層壓電）式，及其他爲ML片（多層陶瓷超積體壓電段）式。此處所示之噴頭1 203稱爲"需要時壓電驅動ML片"法，此由Seiko-Epson公司製造。 ML片爲一致動器，由陶瓷所製之一振盪板1 204 ，一通訊板1 205 ，及構成材料室1 207之一材料室板1 206構成，及壓電元件1 208構製於振動板1 204上，與每一材料室相對應。然後，在ML片中，三不銹板（SUS板）疊合，以形成一供應孔1 209 ，一保存器1210，及一噴嘴1211 ，此等從而形成噴頭1 203。應注意圖12顯示設有二噴嘴121 1之狀態。然而，噴嘴數並不限於此，而是可設置一個噴嘴，或可設置三或更多個，視欲施敷之區域及施敷液體而定。由此ML片所製之施敷裝置之操作原理爲，當電壓施加於頂電極1212及底電極1213上時，壓電元件1 208振動’ 從而產生壓電元件1 208及振動板1 204之壓電效果’即彎曲振動。換言之，由此彎曲振動施加壓力於材料室1 207中’ 從而推出並施敷材料室1 207中所提供之有機樹脂液體。如顯示於圖11，在構製蓋板11 05後，由濺散法構製一障壁層1106，以覆蓋該蓋層1105。在實施例3中，障壁層 1106爲碳薄膜，尤其是DLC(鑽石形碳）薄膜所構成。然而’ 用以構製障壁層11 06之材料無需限於此，而是諸如氧化多旦，氮化鋁，或氮化矽亦可使用。注意使用影蔽罩選擇性製作障壁層1 1 0 6。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（36) 如此，由構製蓋層1105及障壁層1106於主動矩陣基體上，可防止惡化因素’諸如濕汽及氧之自外部侵入於EL元 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 件中。實施例4 參考圖1 3，在實施例4中說明使用本發明於被動式（簡單矩陣式）自發光裝置中之情形。在圖13中，參考編號1301 標示塑膠所製之一基體’及1302標示透明導電性薄膜所構成之一陽極。由濺散法所構製之氧化銦及氧化鋅之複合物作爲實施例4中之陽極1 302。注意雖未顯示於圖1 3中，但多條陽極1 302在平行方向上以限定之間隔排列成條形。而且，安排成條形之陰極Π06在垂直方向上構製於限定之間隔上。構製堤1 303，以塡塞於陰極1 306間之空間中〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其後，由使用實施例1中所述之電場施敷法，構製EL 材料所製之EL層1 304a至1 304c。注意參考編號1 304a標示發紅色光之EL層，1 304b標示發綠色光之EL層，及1 304c 標示發藍色光之EL層。實施例1中所用之EL材料同樣使用於實施例4中。由於此等EL層沿由堤1 303所形成之槽構製 ’故此等層在垂直方向上以限定之間隔排列成條形。由實施本實施例，構製三色紅，綠，及藍之像素成條形於基體上。應注意像素無需具有三色，而是可具有一或二色。而且，並不限於紅，綠，及藍色，而是亦可使用其他色，諸如黃，橘，及灰色。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）：3ϋ： "" A7 B7 1226205 五、發明説明（37) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，製備用以構製紅色EL層之施敷液體於材料室中。然後由材料室外所設置之電極所產生之電場拉出施敷液體。所拉出之EL層用之施敷液體由電場控制，從而到達所需之像素部份。如此形成EL層。先施敷紅色EL層之施敷液體。由於施敷液體由電場控制，故可選擇施敷EL層之施敷液體於像素部份之所需位罝上。注意宜施敷該施敷液體，同時在構製一列像素之方向上移動噴嘴。其次，在移動噴嘴至一相鄰列之像素，俾可執行施敷後，施敷綠色EL層之施敷液體。在再移動噴嘴至次一相鄰列之像素後，施敷藍色EL層之施敷液體，從而形成紅，綠，及藍色之條形EL層於像素位置上。由重複以上操作，可構製條形像素於像素部份上，如顯示於圖13 。注意發同色光之發光層可一次構製一個，或同時構製全部。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製雖EL層在此處表示僅由發光層所構成之一單個結構之 EL層，但亦可使用由有機EL材料所構成之有助於發光之其他層，諸如電荷注入層及電荷輸送層。有採用單層之發光層之情形。然而，例如，在採用由電洞注入層及發光層所構成之疊層之情形，該疊層稱爲EL層。此際，在一線中同色之相鄰像素之相互距離（D)宜訂定於較之EL層之薄膜厚度高5倍或以上（宜10倍或以上）。此仍由於如D<5t，則像素間會發生串擾問題。應注意如相互之距離（D)太遠，則不能獲得高度細緻之影像。故此，宜訂 S紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） -2^1 1226205 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五 '發明説明（38) 定該距離（D)於 5t<D<50t(宜 10t<D<35t)。而且，可構製在水平方向上之條形堤’從而製成在水平方向上發紅色光之EL層，發緣色光之EL層’及發藍色光之EL層。此際，該堤隔絕緣薄膜構製於閘接線上，並沿鬧接線上構製。在此情形，同樣，宜訂定在一線中之同色之相鄰像素之相互距離（D)於較EL層之膜厚度⑴高5倍或以上（宜10倍或以上），且更宜爲5t<D<50t(宜10t<D<35t)。如此，由電場控制EL層之施敷液體，從而構製EL層，俾能控制施敷位置。其後，雖未顯示於圖Π中，但安排陰極及保護電極成條形，俾正交於陽極1 302 ，且在限定之間隔上多條陰極及保護電極之垂直方向成爲縱向。注意陰極1 305爲MgAg所製，及保護電極1 306爲鋁合金薄膜所構成，且二者分別由實施例4中之蒸發法製造。而且，一接線（未顯示於圖中）延伸至其後欲裝設FPC處，俾可施加預定之電壓於保護電極 1 306 上。如此構製EL元件於基體1 30 1上。注意由於下面電極用作實施例4之透射陽極，故由EL層1 304a至1 304c所產生之光照射於下表面（基體1301)。然而，亦可由顛倒EL元件之結構，使下面電極用作光屏蔽陰極。在此情形，由EL層 1 304a至1 304c所產生之光照射於上表面（與基體1301相反之面）上。在構製保護電極1 306後，構製無機材料所製之一障壁本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） ~" "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1226205 A7 B7 五、發明説明（39) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層1 307。在此宜使用無機材料，諸如氮化矽，氧化鉅，氮化鋁，碳（尤其是DLC薄膜）。可由電漿CVD ，濺散，或蒸發法構製該障壁層。在實施例4中由濺散法製造氮化矽薄膜，作爲障壁層1307。此際，障壁層13〇7之薄膜厚度宜在 10nm 及 100nm 之間。其後’由用以製造EL層相同之方法構製有機薄膜所製之蓋層1 308。注意宜使用與此處所用之有機樹脂相同之材料，諸如聚醯胺及聚醯亞胺。而且，可摻雜氧化鋇於有機樹脂薄膜中，作爲吸收劑（未顯示於圖中）。最後，經由各向性導電性薄膜1 309固定一 FPC1310，從而完成被動式自發光裝置。圖1 3所示之被動式自發光裝置具有一結構，其中，障層1 307構製於基體上之EL元件上，及蓋層1 308構製於障層1 307上。然而，如顯示於圖14 ，可採取構製蓋層1407 後構製障壁層1 408之結構。應注意實施例4之構造可與實施例1至3之構造之任一自由合倂實施。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例5 在本發明中，有效使用碳所構成之DLC (鑽石形碳）薄膜作爲障壁層。然而，如其薄膜厚度太厚，其透射率下降，且故此宜構製其薄膜厚度至50nm或以下（宜在10及20nm之間）。 DLC薄膜之特性爲具有Raman光譜分佈，具有不對稱 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（40) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尖峰約1 550cm·1及肩部約1 300cm·1。而且，DLC薄膜當使用微硬度表量度時顯示硬度爲15至25Gpa，並具有較優之化學抵抗力。故此，有效製造此DLC薄膜於EL元件上或 EL元件之蓋層上。在任何情形，DLC薄膜宜由使用諸如濺散’ ECR電漿CVD，高頻電漿CVD，或離子束蒸發等方法製造。應注意實施例5之構造可與實施例1至4之構造之任一自由合倂實施。實施例6 當實施本發明來製造主動矩陣自發光顯示裝置時，有效使用矽基體（矽晶圓）作爲一基體。在使用矽基體作爲基體之情形，使用於普通1C，LSI等中之M〇SFT之製造技術可用以製造欲構製於像素部份中之開關元件及電流控制元哗，或欲構製於驅動電路部份中之驅動元件。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 M〇SFT可構成具有與1C及LSI中所達成相同之極小變化之電路。明確S之’此在具有由電流値執行層次顯示之類比驅動器之主動矩陣EL顯示裝置有效。應注意矽基體並非透射性’且故此，故該結構需構製成使來自EL層之光發射至與基體相反之面。實施例5之EL 顯不裝置之結構與圖9相似。然而’其不同爲使用μ p s F E T 於構製像素部份902及驅動電路部份903，以取代TFT。注意實施例6之結構可與實施例1至5之任-,結_自_ 合倂。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（41) 實施例7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明所製之自發光裝置爲自發光式，且故此呈現較之液晶顯示裝置，在明亮處較優之顯示影像辨認。而且’自發光裝置具有較廣大之視角。故此，自發光裝置可應用於各種電子裝置之顯示部份。例如，爲在大型螢幕上觀看TV節目等，可使用本發明之el顯示裝置作爲具有對角線30吋或更大（普通40吋或更大）之el顯示器（即裝有EL 發光裝置於框中之顯示器）之顯示部份。 EL·顯示器包含欲用以顯示資訊之所有各種顯示器，諸如個人電腦之顯示器，用以接收TV廣播節目之顯示器，廣告顯示用之顯示器。而且，本發明之自發光裝置可用作各種電子裝置之顯示部份。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此等電子裝置包含電視攝影機，數位攝影機，眼鏡式顯示器（頭戴顯示器），導航系統，聲音再生裝置（車用音響裝備及音響組），筆記型個人電腦，遊戲機，便攜資訊終端機（行動電腦，便攜電話機，便攜遊戲機，電子書等），影像再生裝置，包括記錄媒體（更明確言之，可再生記錄媒體，諸如數位影碟（DVD)等之裝置，且包含用以顯示所再生之影像之顯示器）等。明確言之，在便攜資訊終端機之情形，宜使用自發光裝置，因爲可自傾斜方向觀看之便攜資訊終端機常需具有廣視角。圖15A至16B分別顯示此等電子裝置之各種特定實例。圖15A顯示一 EL顯示器，此包含一機框2001，一支持 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 _ __B7 五、發明説明（42) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 平台2002 ’ 一顯示部份2003等。本發明可應用於顯示部份上。EL顯示器爲自發光式，且故此無需背光。如此，其顯不部份可具有厚度較之液晶顯不裝置薄。圖15B顯示一*電視攝影機，此包含一主體2101 ，一顯示部份2102 ，一聲音輸出部份2103 ，操作開關2104 ，一電池2105，一影像接收部份2106等。本發明之自發光裝置可用作顯示部份2102。圖15C顯不頭戴式EL顯不器之一部份（右半部），此包含一主體220 1 ，信號電纜2202，一頭戴帶2203，一顯示部份2204，一光學系統2205，一自發光裝置2206等。本發明可應用於自發光裝置2206上。圖15D顯示一影像再生裝置’包含一記錄媒體（更明確言之，一 DVD再生裝置），此包含一主體2301 ，一記錄媒經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體（DVD等）2302，操作開關2303，一顯示部份（a)2304，另一顯示部份（b)2305等。顯示部份⑷主要用以顯示影像資訊 ’而顯示部份（b)則主要用以顯示文字資訊。本發明之自發光裝置可用作顯示部份（a)及（b)。包含記錄媒體之影像再生裝置另含有一^遊戲機等。圖15E顯示一便攜（行動）電腦，此包含一主體2401 ，一攝影部份2402 ，一影像接收部份2403 ，操作開關2404 ’一顯示部份2405等。本發明之自發光裝置可用作顯示部份 2405 。圖15F顯示一個人電腦，此包含一主體2501 ，一機框 2502，一顯示部份2503，一鍵盤2504等。本發明之自發光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公董） 1226205 A7 B7___ 五、發明説明（43) 裝置可用作顯示部份2503。當將來可有自有機EL材料所發射之光之更亮照度時’ 本發明之自發光裝置可應用於前置式或背置式投影器’其中，含有輸出影像資訊之光由透鏡等放大投射。上述電子裝置更可能用以顯示經由通訊徑路，諸如網際網路，CATV(有線電視系統）分佈之資訊，且特別可會g顯示活動影像資訊。自發光裝置適於顯示活動影像，因爲EL 材料可呈現高反應速度。然而，如像素間之輪廓不分明，則活動影像整個不能淸晰顯示。由於本發明之自發光裝置可使像素間之輪廓淸楚顯示，故應用本發明之自發光裝置於電子裝置之顯示部份上大爲有利。自發光裝置之發光部份消耗電力，故顯示資訊之發光部份儘可能小。故此，當自發光裝置應用於主要顯示文字資訊之顯示部份，例如便攜資訊終端機，且尤其是便攜電視機或聲音再生裝置之顯示部份時，需驅動自發光裝置，俾文字資訊由發光部份構成，同時非發光部份相當於背景〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現參考圖16 A ，顯示一便攜電話機，此包含一主體 260 1，一聲音輸出部份2602，一聲音輸入部份2603，一顯示部份3604 ，操作開關2605 ，及一天線2606。本發明之自發光裝置可用作顯示部份2604。由顯示白色文字於黑色背景上，顯示部份可減少便攜電話機之電力消耗。圖16B顯示一聲音再生裝置，具體言之，一車用音響裝備，此包含一主體270 1，一顯示部份2702，及操作開關本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（44) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2703及2704。本發明之自發光裝置可用作顯示部份2702。雖本實施例中顯示安裝式之車用音響裝備，但本發明亦可應用於便攜式及固定式之音響上。由顯示白色文字於黑色背景上，顯示部份2704可減少電力消耗，此對便攜式之音響特別有利。如上述，本發明可應用於各方面之廣大範圍之電子裝置上。本實施例之電子裝置可由使用具有實施例1至6之結構可自由合倂之構造之自發光裝置獲得。實施例8 在本實施例中，可由使用一 EL材料大爲提高外部發光量子效率，由此，由三重激發所發生之磷光可用以發射光。結果，可降低EL元件之電力消耗，延長EL元件之壽命，並減輕EL元件之重量。以下爲一報告，其中·，由使用三重激發提高外部發光量子效率（T.Tsutsui滿C.Adachi，S.Saito，”組織之分子系統之光化學程序"，K.Honda編（ELsevier科學出版社，東京）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第437頁）。由上文所報告之EL材料之分子式顯示如下。化學式6 Ο

(M.A.Baldo ， D.F.O'Bren ， Y.You ， A.Shoustikov -47- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A7 B7 五、發明説明（45) S.Sibley，M.E.Tompson，S.R.Forrest，”自然 395( 1 998)第 1 5 1 頁）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由上文所報告之EL材料之分子式顯示如下。化學式7

(M. A. Baldo ， S .Lamansky ， P.E.Burrow ， Μ.E.TompsonS.R.Forrest，”施敷物理通訊，75( 1 999)第 4 頁）〇 (T.Tsutsui，M.J.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe ’ T.Tsuji，Y.Fukuda，T.W.akimoto，S.Mayaguchi ’ ’’刀本施敷物理 ”38(1 2B)( 1 999)L 1 502)。由上文所報告之EL材料之分子式顯示如下。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化學式8

如上述，如可使用三重激發之磷光，則可達成夕f ^胃光量子效率爲使用單重激發之磷光之情形之$ S @ ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 at B7 五、發明説明（46) 實施例8之結構可與實施例1至7之任一結構自由合倂〇由實施本發明，可由使用相同之施敷方法構製EL層及蓋層，且可在同一多室中連續有效構製EL層’陰極’障壁層，及蓋層，而不曝露於大氣。而且，由構製障壁層及蓋層，防止濕汽及氧滲透於EL層中。如此，有效防止EL層惡化。而且，障壁層及蓋層之構製完成密封結構，且故此，與普通密封結構相較，可使本發明之密封結構更小及更輕。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

1226205 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第90 1 06796號專利申請案中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 3年9月9日修正 1. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該EL元件之無機材料；及藉由使用噴墨法以形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含無機材料之第一薄膜的有機材料，其中該發光層係藉由使用噴墨法而被沈積，且該發光層及該包含有機材料之第二薄膜被形成於相同裝置中。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一薄膜被形成於相同裝置中。 3. 一種製造發光裝置之方法，其包含：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；藉由使用噴墨法以形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該E L元件之有機材料；及形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含該有機材料之第一薄膜的無機材料，其中該發光層係藉由使用噴墨法而被沈積，且該發光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1226205 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍層及該包含有機材料之第一薄膜被形成於相同裝置中。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該第二薄膜被形成於相同裝置中。 5 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該EL元件之無機材料；及藉由使用電場施敷法以形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含該無機材料之第一薄膜的有機材料，其中該發光層係藉由使用電場施敷法而被沈積，且該發光層及該包含有機材料之第二薄膜被形成於相同裝置中。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一薄膜被形成於相同裝置中。 7. —種製造發光裝置之方法，其包含：形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；藉由使用電場施敷法以形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該EL元件之有機材料；及形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含該有機材料之第一薄膜的無機材料，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1226205 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍其中該發光層係藉由使用電場施敷法而被沈積，且該發光層及該包含有機材料之第一薄膜被形成於相同裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該第二薄膜被形成於相同裝置中。 9. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該EL元件之無機材料；及形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含該無機材料之第一薄膜的有機材料，其中該發光層及該包含有機材料之第二薄膜係藉由相_ 同沈積方法而被形成於相同裝置中。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該第一薄膜被形成於相同裝置中。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一 EL元件，該EL元件包含一第一電極、一位於第一電極上且包含有機材料之發光層、及一位於發光層上之第二電極；形成一第一薄膜，該第一薄膜包含一覆蓋該EL元件之有機材料；及形成一第二薄膜，該第二薄膜包含一覆蓋該包含該有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） q ABCD 1226205 六、申請專利範圍機材料之第一薄膜的無機材料， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該發光層及該包含有機材料之第一薄膜係藉由相同沈積方法而被形成於相同裝置中。 12. 如申請專利範圍第1 1項之方法，其中該第二薄膜被形成於相同裝置中。 13. 如申請專利範圍第1項以製造自發光裝置之方法，其中包含無機材料之第一薄膜係氮化矽、氧化鉅、氮化鋁、或碳。 14. 如申請專利範圍第5項以製造自發光裝置之方法，其中包含無機材料之第一薄膜係氮化矽、氧化鉬、氮化鋁、或碳。 15. 如申請專利範圍第9項以製造自發光裝置之方法，其中包含無機材料之第一薄膜係氮化矽、氧化鉅、氮化iS、或碳。 16. 如申請專利範圍第3項以製造自發光裝置之方法，其中包含無機材料之第二薄膜係氮化矽、氧化鉅、氮經濟部智慧財產局員工消費合作社印製方之置裝光發白造製以項 7 第圍 A-B 箪利專請甲 ο 碳如或· 7 Λ -—一鋁化氮 f 鉅化氧 Λ 矽化氮係膜薄二第之料材機無含。包碳中或其、，銘法化方氮之、置鉅裝化光氧發、自矽造化製氮以係項膜 1 薄 1 二第第圍之範料利材專機請無申含如包 .中 18其去 s',>- 第圍 A-E 利專主円二一一口串如 9 11 裝光發自造製以項方之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ABCD 1226205 六、申請專利範圍法，其中包含有機材料之第二薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20.如申請專利範圍第5項以製造自發光裝置之方法，其中包含有機材料之第二薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。 2 1.如申請專利範圍第9項以製造自發光裝置之方法，其中包含有機材料之第二薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。 ’ 22.如申請專利範圍第3項以製造自發光裝置之方法，其中包含有機材料之第一薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。 2 3.如申請專利範圍第7項以製造自發光裝置之方法，其中包含有機材料之第一薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。 24. 如申請專利範圍第1 1項以製造自發光裝置之方法，其中包含有機材料之第一薄膜係聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25. —種具有依據申請專利範圍第1項之該自發光裝置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便攜電話、及聲音再生裝置的族群。 26. 一種具有依據申請專利範圍第3項之該自發光裝置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 7 1226205 as C8 D8 六、申請專利範圍攜電話、及聲音再生裝置的族群。 2 7. —種具有依據申請專利範圍第5項之該自發光裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便攜電話、及聲音再生裝置的族群。 2 8. —種具有依據申請專利範圍第7項之該自發光裝置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便攜電話、及聲音再生裝置的族群。 29. —種具有依據申請專利範圍第9項之該自發光裝置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便攜電話、及聲音再生裝置的族群。 30. 一種具有依據申請專利範圍第1 1項之該自發光裝置的電子用具，其中該電子用具係選自包括視頻攝影機、頭戴式顯示器、影像再生裝置、便攜電腦、個人電腦、便攜電話、及聲音再生裝置的族群。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）