TWI225303B - Sensor for a contact-free temperature measurement - Google Patents

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TWI225303B
TWI225303B TW091119608A TW91119608A TWI225303B TW I225303 B TWI225303 B TW I225303B TW 091119608 A TW091119608 A TW 091119608A TW 91119608 A TW91119608 A TW 91119608A TW I225303 B TWI225303 B TW I225303B
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Joerg Schieferdecker
Martin Hausner
Wilhelm Leneke
Marion Simon
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Perkinelmer Optoelectronics
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Description

1225303
号明關於-感測器，以加在一薄膜上及/或其下之埶敏 感區方式、，用。以測量一溫度，薄膜則配置在凹隙之上。 ，一感測裔如圖丨所示。圖丨之感測器具有側壁，安排 ^感測器之底側成一 α角，即與薄膜相對之側。圖丨中已 知感測器此角α為54. 7。。
π此一感測器為熱紅外線感測器特別發展成熱電堆感測 :，此感測器係以微力學方式製&。此例中，由介電 成之薄膜、，即Si 〇戚Si…烕其組合，此薄膜位於矽基板之 頂側，感測器即由其製成。薄膜係利用K〇H或EDp由各向異 =蝕刻製成，其中之方薄膜圖案在矽晶片之晶相為<1〇〇>、 $可在石夕中界定。矽蝕刻之壁追隨一所謂π丨之平面俾界 定傾斜54· 7。之典型壁。溫度測量之對應感測器曾揭示於 EP 1 039 280 A2 ， EP 1 045 232A2， EP 0 599 364 B1，
US 5,693,949， US 5,693,942， DE 42 21 037 A1 及 DE 1 97 1 0 946 A1等專利。
本發明之目的為提供一改進之感測器以作溫度測量及一 對應方法以製造此感測器。此一方面，最理想是設計一對 應之感測器，其具有相同靈敏度及較已知感測器為小之尺 寸或設計一感測器具有相同尺寸但增加之靈敏度。 此一目的由一測量溫度之感測器達成，其方式係以熱敏 感區加在位於凹隙之上之薄膜上及/或之下，凹隙由反應 離子蝕刻法蝕刻。為此目的，特別利用深反應離子蝕刻 (DR I E )作為反應離子蝕刻法。此種感測器顯示其靈敏度與 尺寸比較，具有特別高之靈敏度。具有與已知感測器相同
第7頁 1225303
案號 91119fi〇L 、發明說明（2) 靈 之 是 敏度之感測器特別小。此及 優異實施例中，俾凹隙在匕：：：：餘刻法使用於本發明 相鄰之側壁安排為彼此= 側壁所界定’特別 (較佳為所有側壁）與薄膜均容姑士 〇角度，及至少一側壁 靈敏度之感測器具有特別之尺 〇〜100。角。此種有高 之外矽邊緣，4其前側適於黏接墊器有-特別窄 械方式裝在具有環氧樹脂邊緣 t /、後侧，適於以機 0.2mm)。 違緣外成基座上（典型為0.卜 在本發明另一優異實施例中，相 至少一 45。，較佳為80。角。 壁女排為彼此互成 一 Si W激成之稱為鈍化層可加在埶 本發明之優異實施例可獲得特別二，，區二 側被安排彼此成一實際上為9 〇。， 感’則器，其中相鄰 靈敏度之感測器具有特別小之尺寸，卩8 〇至1 0 〇 。此種有 度之此感測器較習知感測器小〇 5〜因為，具有相同靈敏 在本發明優異實施例中，至少一〜·7ιηιη。 及90。之間，特別在85。至9〇。之二壁與薄膜安排成7〇。 域大於與薄膜相對之開啟區域（亦a ，俾界定凹隙之薄膜d 所有側壁均安排成與薄膜7 0。及9 〇。“、、閉合）。在此方面， 間’俾界定凹隙之薄膜區域較薄棋’特別是8 5。及9 0。之 為閉合）為大。此種感測器具有特目對之開啟區域（亦可 靈敏度。 、1之機械穩定性而不損 在本發明另一優異實施例中，所 、在本發明另一優異發展中，感蜊I ^ f均由矽製成。 材料較佳由p-傳導石夕
感區域包括至少熱電材料之串聯，二叹計為熱電堆，熱敏 mm $ 8頁 曰 修矣· 畫號 9iiiQfin« 五、發明說明（3) ίΐί ΓΠΤ及銘或P_傳導石夕或η-傳導石夕製成。熱電材 包含ir 1詩，多晶鍺或非晶㈣。串聯連接如 傳導石夕及n_傳導石夕則最為理想、，其二者彼此 傳導ίϋ ΐ、，該金屬較佳為銘(最好有二接觸窗）。p- 器之^號ΐ 導區域之相鄰區域之發展可作為增加感測 較，：Ϊ: ί，與一包含η 一傳導多晶矽及銘之實施例比 k號電壓增加30至80%。 層 少^ 一Ϊί熱電堆感測器之優異實施例，，串聯連接至 上並由層及一 η—傳導矽層，其被安排成在彼此之 。以古二0分開，特別由一矽氧化物或矽氮化物絕緣 $ ’感測器之信號電壓可增加另一 1〇至15%。 器，熱異ΐ::二感測器設計為熱電感測 層之門，辟幻 層堆疊及一熱電層位於二電極 # α二#寺!!疋—薄熱電層，即熱電陶瓷或聚合物層，a 係以7儿積，自旋或CVD方法配置在下方電極層。 八 括ίίΓ:: 一優異發展中，感測器設計為熱輻射計，包 乳化金屬或半體製成之彎曲層之熱敏感區且 度係數，即至少在，較佳為阻抗之、有： 2Κ1之溫度係數。 几心Ζ 10
在本發明另一優異發展中，薄膜為矩形較佳為方形。 發明一優異發展中薄膜之角落有凹隙，俾界定^ 座。在此：四隙中提供黏接墊甚為優異。 子形基 在本另一優異實施例中，感測器與半導體 起，特別是-矽晶片。 、先合- 根據本發明生產溫度測量感測器之方法，薄膜 -----狂為力口
第9頁
l^ys〇3 修正 案號 91119§^ 五、發明說明（4) 座上，較佳為矽支座，—凹隙用反應離子蝕刻法餘 摩i:膜下面之支座中。在此方…優異方式利用深反 應1子姓刻（DRIE)作為反應離子㈣法。 所二了Γ在矽中，蝕刻坑中產生幾乎垂直之側壁，最好使用 二Ρ反應器（電感麵合電漿），其I RE反應器（反應離子 A不同，斯4里經電感性耦合加至電漿。此可導致極密 之：子化及可啟動每分鐘數"m石夕之高蝕刻率。 利用=基（以SF6為餘刻劑）實施（各向同性）餘刻，一蝕 二々目以即律方式父互以所謂鈍化相在側壁表面蝕刻（钱刻 二），其上以聚合物層沉積（即增加C4F8)，其可防止側向 有點蝕刻。在坑底冑，以施加偏壓以防止聚合物之形成。 此方法在美專利5, 5 0 1 893中有較詳敘述。 以所述方法（以下稱方法）驚人的顯示可作以下應用： 所谓穿透晶圓餘刻π : 與一般方法具有數十V m之蝕刻深度對照，實施穿透晶 圓蝕刻（蝕刻深度約2 0 0 - 8 0 0/z m ) 在蝕刻步驟中，暴露於電漿之區域約為全晶圓表面之 20-50%(傳統方法中刻區域僅涵蓋某—百分比％)。為保證 全晶圓之均勻蝕刻深度，方法必須以屏蔽材料控制。因而 需要必須利用極具抵抗性屏蔽材料。 亦發現由適當之方法控制可影響感測器元件之特性： 由於鈍化週期降低，蝕刻方法較少各向異性，及未獲得 模叙垂直壁’但餘刻坑向下變寬。此一蝕刻輪廓稱為，，可 重入”。此點對多單元感測器而言係_優點，其一數V出 之分隔壁將一餘刻坑與另一個分開。在晶圓後側之壁較在
1225303 -銳91119608 ---^ 月 日 絛正 五、發明說明⑸ ' - 薄膜側之壁為薄，因此可增加穩定性。 為了在被撞時不致損害介電薄膜，及保證一良好之結構 轉移及清潔之薄膜表面，整個方法包括數步驟，與方法參 數之選擇不同。第一步驟，當薄膜到達後，以良好之均勻 性及高蝕刻率，跟隨一步驟對極高選擇性之薄膜，即對矽 氧化物小蝕刻率蝕刻，隨後為純各向同性步驟（即無鈍化 循環）’最後移除薄膜上可能之;5夕殘餘物。 為了清潔薄膜，可在TMAHW(四氨氫氧化物於水中）中利 用短濕化學蝕刻，晶圓之前側由適當之方法保護，即光阻 屏蔽。
在本發明方法之一優異實施例中，供反應離子蝕刻法之 具有低蝕刻率之一層，在凹隙蝕刻前加在與薄膜相對而離 開之支撐側。該層為一優異的以光致蝕刻之圖案層，即由 一厚光致抗蝕劑，一矽氧化物層或一金屬層製成。 在此方法之另一實施例中，熱敏感區加在薄膜上。 其他優異實施例自子申請專利範圍及以下之實施例說明 演繹而得，其中 圖1顯示一已知溫度測量感測器；
圖2顯示本發明之溫度感測器之一實施例； 圖3顯不本發明另一溫度感測器之實施例； 圖4顯示利用本發明之溫度感測器於一溫度測量系統； 圖5顯不利用本發明之溫度感測器於一溫度測量系統； 圖6顯示一晶片本體； 曰曰片本體之特殊優異發展；
第Π頁 1225303 _案號91119608_年月日__ 五、發明說明（6) 圖9顯示設計為熱電堆之另一溫度感測器之側視圖； 圖1 0顯示設計為熱電堆之溫度感測器之特殊優異發展； 圖1 1顯示設計為熱電感測器之溫度感測器之側視圖； 圖1 2顯示具有數個感測器之晶片；及 圖1 3顯示原理上產生一感測器之方法。 圖1顯示一溫度測量之已知感測器1。其含一矽本體2包 括一凹隙8。一薄膜3位於凹隙之上。一熱敏感區4加在薄 膜之上。凹隙8由侧壁5與晶片體2之底側6成角度α約 5 4. 7°所界定，即薄膜3與凹隙8相對之側。 圖2顯示本發明溫度測量之感測器1 0之一實施例。其包括 有一凹隙1 8之晶片體1 2。凹隙1 8在側向由側壁1 5所界定。 一薄膜1 3位於凹隙1 8之上。一熱敏感區1 4安排在薄膜1 3之 上。在一特殊優異之實施例中，此區域對紅外線敏感。凹 隙1 8之側壁1 5與晶片體1 2之底側1 6成α角對齊。α角最 好在8 0 - 1 0 0°之間。薄膜1 3與側壁1 5成一 /3角，約為1 0 0 -80。。 圖3顯示一溫度測量之感測器2 0，其較圖2之溫度感測器 1 0為優異。此例中，相同零件與圖2之參考號碼相同。感 測器20之凹隙18之側壁15與薄膜13安排成/?角約在8 0 -89° 之間。因此，考慮到晶片體1 2之底側1 6，對面之薄膜 13 區域1 7較薄膜1 3界定凹隙1 8之區域為小。損失之靈敏度可 忽略，但可獲得特別穩定具有小外徑之晶片體1 2。 圖2及3中之感測器1 0及2 0由介電層所組成，即S i 0烕 S i 3N 4 S i C或其組合。薄膜由反應乾蝕刻完成（即稱為 DRIE)。
1225303 修正 ^案號 91119608 五、發明說明（7) 當感測器1 〇及2〇發展為埶 晶碎及 :電=之串聯，如晶；：rtit;至少 器20發^為^傳導石夕。當感測器1〇及/或感測 ^收展為一熱電感測器時，熱敏感區域14包括—薄熱電 二位於金屬底電極與頂電極之間。當感測器丨〇及/或感測 器20發展為熱輻射計時，熱敏感區域1 4金屬氧化物或半導 體曲層。 圖4及5顯示感測器2 〇在溫度測量系統中之一優異用途。 亦可使用感測器1 〇而非感測器2 〇。根據圖4之實施例，感 測器2 0被置於基板3 1之中央。基板3 1為一電晶體基板T 0 - 5 或T 0 - 1 8。將晶片2 0以環氧樹脂黏接在基板3 1上具有良好 之熱傳導。 接點32，33，及34通過基板3卜接點32及33經導電連接 38及37連接至感測器20之黏接墊45及46。 為測量溫度測量系統3 0之溫度，較佳配置一額外感測 器36於基板31上。此感測器經導體39連接至一接點34。 如圖5所示，外殼41配置在基板上將感測器2 0包圍。外 殼4 1有一紅外線濾波器4 0。外殼4 1之設計為一電晶體蓋。 圖6顯示晶片體1 2之設計。參考號1 8代表凹隙，參考號 1 5代表側壁。側壁彼此間安排成接近直角，即角參考符號 γ約為90° 圖7顯示晶片體1 2之優異發展。此處凹隙1 8有一十字形 基座，故晶片體1 2由實心角5 0，5 1，5 2及5 3界定一凹隙 18。黏接墊55，56，5 7提供角51，5 2及5 3之用。 圖8顯示一設計為熱電堆之溫度感測器之頂視圖。Ρ 一傳
第13頁 1225303 --案號91119608_年月日 铬正___ 五、發明說明（8) 導矽’ P-傳導多晶矽或P-傳導多晶矽-錯條狀物90，9 1， 92，93及η-傳導矽n-傳導多晶矽或η-傳導多晶矽—錯之條 狀物1 0 0，1 〇 1，1 〇 2，1 0 3安排在薄膜1 3上。各別條9 〇， 9 1 ’ 9 2，9 3，1 0 0，1 0 1，1 0 2，1 0 3彼此連接以經由橫樑 8〇，8卜82，83，84’ 85，8 6界定電串聯。圖8顯示有八 根橫樑之結構。薄膜1 3上安排有2 0 _ 2 0 0根，較佳為6 〇 -丨2 〇 根橫樑。另外實施例中，可能有80，81，82，83，84， 8 5 ’ 8 6等橫樑，亦可獲得串聯條狀物9 0，9卜9 2，9 3， 100， 101， 102， 103〇 圖9顯示設計為熱電堆之溫度感測器之側視圖。薄膜丨3上 之熱敏感區域包含熱電材料之二層11〇及Π2，由絕緣層 111 ’即矽氮化物或矽氧化物層分開。層11 〇由η傳導或ρ — 傳導石夕η-傳導或ρ-傳導多晶石夕—鍺界定。層1 1 2包含ρ-傳導 或η-傳導矽，ρ—傳導或η—傳導多晶矽-鍺。貳層由接觸窗 (未示出）方式串聯連接。在一優異實施例中，由另一絕緣 層分開之二或三裝置根據層1丨〇，i丨丨及i丨2而製備。 將η-傳導及ρ-傳導層安排在彼此之頂層並相鄰為一優異 安排，各別層為串聯。此層之簡化例如圖丨〇所示。此處， 參考號碼1 2 0，1 2 4，1 3 2，1 3 6代表η -傳導石夕，η -傳導多晶石夕 或η_傳導多晶矽-錄之層或條。參考號碼1 22，1 26，1 30及 1 34代表ρ-傳導矽，ρ-傳導多晶矽或ρ—傳導多晶矽—錯之層 或條。參考號碼1 2 1，1 2 3，1 2 5，1 3 1，1 3 3，1 3 5代表絕緣層。 層 120及 122, 122及 124, 124及 126, 130及 132， 132及 1 3 4，及1 3 4及1 3 6彼此經接觸窗電連接。層1 2 6及1 3 6經 鋁橫樑1 3 9彼此電連接，俾層丨2 〇，1 2 2，1 2 4，1 2 6，1 3 6，
第14頁 1225303 _案號91119608_年月 曰 攸x 五、發明說明（9) 1 3 4，1 3 2及1 3 0成串聯。此一方面，此舉係根據圖8提供二 個以上之堆疊層120-12 6及130-136。 ’、 圖1 1顯示設計為一熱電感測器之溫度感測器之實施例 圖。此處’加在薄膜13上之熱敏感區域者為底電極14〇， 頂電極142’熱電層則配置於底電極14 〇與頂電極1 4 2之 間。 本發明之感測器可分別安排在一晶片上或數個晶片可聯 合安排其上。後者如圖1 2所示。圖1 2顯示一晶片2 〇 〇， 其有圖3之數個晶片2 0。 圖1 3顯示一產生感測器1 〇及2 0之方法。在第一步驟 中’薄膜1 3最初加在支座上，其在完成狀態之感測器界定 矽本體1 2。 在次一步驟7 1中，具有反應離子蝕刻小蝕刻率之一層加 在支座之一側1 6上，與薄膜背離，即矽體丨2之側，參考 上述實施例系矽體1 2之一側1 6。該層係一可用光致蝕刻界 定圖案（見上述）。 另一步驟7 2中，熱敏感區域1 4加在薄膜1 3上。 另一步驟7 3中，凹隙隨後蝕刻以上述之反應離子蝕刻 法蝕刻在薄膜下之支座上。 步驟7 3可在步驟7 2之前。 、在一特殊優異方法中，感測器之所有發展中，熱敏感區 域由一紅外線吸收層蓋住（圖中未示出），其可由光致蝕刻 圖案（見申清專利範圍第2 4項）。此層為一有吸收顆粒之光 致抗钱劑，如專利DE 422 1 〇37 A1揭示之，，具有吸氣層之感 測器π。
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圖1顯示一已知溫度測量感測器； 圖2顯示本發明之溫度感測器之一實施例； 圖3顯示本發明另一溫度感測器之實施例； 圖4顯示利用本發明之溫度感測器於一溫度測量系统 圖5顯示利用本發明之溫度感測器於一溫度測量系 圖6顯示一晶片本體； 圖7顯示一晶片本體之特殊優異發展； 圖8顯示設計為熱電堆之溫度感測器之頂視圖； 圖9顯不/史汁為熱電堆之另一溫度感測器之側視圖； 圖1 0顯示設計為熱電堆之溫度感測器之特殊優異發展 ^ 1 U員示α又汁為熱電感測器之溫度感測器之側視圖； 圖1 2顯示具有數個感測器之晶片；及 圖1 3顯示原理上產生一感測器之方法。 元件符號說明： 卜 10， 20， 30， 3 6感測器 3， 13薄 膜 5，1 5侧壁 8， 1 8凹 隙 1 4熱敏感區 31基板 32’ 33，34 接點 39導體 4 〇紅外線濾波器 45 ，46 ，55, 56， 5 7黏接塾 角 8〇，81，82，83， 90 ，91 ，92, 93， 122， 126， 130, 多晶石夕\ρ-傳導多晶石夕-錯條狀物\層 2 ’ 1 2石夕本體\晶片體 6，1 6底側 1 7區域
37’ 38導電連接 41外殼 5 〇，5卜 5 2，5 3實心 8 4 ’ 8 5 ’ 8 6橫樑 134 Ρ-傳導石夕\ρ_傳導
1225303 _案號91119608_年月日 修正_ 圖式簡單說明 100，10卜 102，103，120，124，132，136 η-傳導矽 η- 傳導多晶矽或η-傳導多晶矽-鍺之條狀物\層 1 1 0，1 1 2層 1 4 0底電極 1 4 2頂電極 1 1 1，1 2 1，1 2 3，1 2 5，1 3 1，1 3 3，1 3 5絕緣層 20， 2 0 0晶片
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Claims (1)

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1 · 一種以熱敏感區域（1 4 )加在薄膜（1 3 )之上及/或其τ 以供測量溫度之感測器（1 〇，2 0 )，該薄膜安排在全由側 (1 5 )側向界定之凹隙（丨8 )， 其特徵為 該凹隙係以反應離子钱刻法餘刻；以及 至少一以供限制目的之側壁（15)與該薄膜成一万角在 及ι〇〇°之間。 0 L如申請專利範圍第1項之感測器（1 〇，2 0 )，其特徵為 隙係以側壁在側向充分界定，相鄰側壁彼此安排成—2凹 角，至少為40。 。 α 3 ·如申請專利範圍第1項之感測器（1 〇，2 0 )，其特徵為 鄰侧壁被安排彼此成一冷角，至少為8 〇。。 '目 4 ·如申請專利範圍第3項之感測器（1 〇，2 〇 )，其特徵為 鄰側壁被安排彼此成一 α角實際上為9 0。。 目 5 ·如申請專利範圍第1項之感測器（1 〇，2 0 )，其特徵為 少一側壁被安排與薄膜成一点在8 (Γ與9 0。之間。“至 6 ·如申請專利範圍第1項之感測器（1 0，2 0 )，其 特徵為所有側璧實際上由矽組成。 7·如申請專利範圍第1項之感測器（10, 20)，其特徵為熱 敏感區域（丨4)有一包含至少二熱電材料之串聯連接。“、、 8 ·如申請專利範圍第7項之感測器（1 〇，2 0 )，其特徵為二 熱電材料分別為Ρ""傳導石夕及紹，或η -傳導石夕及紹或ρ〜彳專 矽及η-傳導矽。 9 ·如申請專利範圍第7或8項之感測器（1 〇，2 0 )，其特徵
l2253〇3
----塞號 9111Qfir^ 六、申請專利範圍 為該串聯連接包括P —傳導矽及η -傳導矽成相鄰安排。 1 0 ·如申晴專利範圍第7或8項之感測器（1 0，2 0 )，其特徵 為該串聯連接至少有一 ρ -傳導矽層及至少一 η -傳導矽層: 其彼此疊加並由一絕緣層分隔。一 Π·如申請專利範圍第1項之感測器（10, 20)，其特徵為 熱敏感區域具有二電極層之堆疊及熱電層位於該二電… 之間。 層 1 2·如申請專利範圍第1項之感測器（10, 20)，其特徵為 該熱敏感區域為金屬氧化物之彎層或一半導體。 … 1 3 ·如申請專利範圍第1項之感測器（1 0，2 0 )，其特徼兔 薄膜為矩形。 風為 1 4 ·如申請專利範圍第1項之感測器（1 〇，2 0 )，其特微基 凹隙（18)有一十字形基座。 戊為 么15.如申請專利範圍第1項之感測器（10, 20)，其特徵為 ^紅外線吸收層以光致蝕刻界定圖案加在該熱敏感區域- 中 如 外 紅 - 器 ，測Μ該Λ 二 晶 導力二 Λ 是之圖 任 定 別；$ 恃 1 項g刻 ，14第蝕 片 I 圍 日g 1範d 體第利光 導U專f 半Μ請^ 種矛申彳 1專。吸 •請j線 界 括 包 其 為 徵 特 為 徵 特 其 域 區 感 敏 熱 1 8. —種感測器（丨〇，2 〇 )，用以特別如申請專利範圍 1〇’ 13，14項中任一項之熱敏感區域（14)加在薄臈（ 7· 上或/及其下方式以測量溫度，該熱敏感區域（丨約包 之
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案號 91119Rf)S 六、申請專利範圍 少二熱電材料之串聯，其特徵发 導石夕，多晶矽或多晶矽-鍺，及為該广熱電材料分別為p〜傳 石夕-緒。 及傳導石夕，多晶石夕或多晶 1 9 ·如申請專利範圍第1 8頊 及η-傳導梦，多晶石夕或多晶：_夕錯…或多晶石夕〜錯’ 2 0.如申凊專利範圍第1 9項之感測器（丨〇，2 〇 )，其 該串聯連接至少有—P-傳導石夕層，多曰曰曰石夕-鍺層之多晶石夕為 層，及至少一 η-傳導矽層，多晶矽_鍺層之多晶矽層， 成疊加而由一絕緣層分開。 丹 2 1 _如申清專利範圍第i 8項之感測器（丨〇，2 〇 )，其特 该串聯連接有2 0 - 2 0 0個，較佳為6 〇 — j 2 〇個，各層為p ^ 矽’多晶矽或多晶矽一鍺，及卜傳導矽，多晶矽或多 鍺安排成相鄰，尤其成對。 〜 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之感測器（丨〇，2 〇 ),其特 該串聯連接至少有一 Ρ-傳導碎層，多晶石夕_鍺層之多晶為 層，及至少一 η-傳導矽層，多晶矽-鍺層之多晶矽層，复 成疊加而由一絕緣層分開。 /、 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之感測器（丨〇，2 〇 )，其特 該串聯連接具有ρ-傳導石夕，多晶石夕或多晶石夕一鍺及η,為 矽，多晶矽或多晶矽—鍺之二或三層對，其成疊加及由一 絕緣層分開。 24.如申請專利範圍第18項之感測器（1〇,2〇)，其特徵 一紅外線吸收層以光致蝕刻界定圖案加在該熱敏感區域
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(14)° 2 5 · —種產生溫度測量之感測器之 申請專利範圍第卜15及i 8 —24項中住一资，特別是產生如 法，一薄膜加在一支座上，其特徵為 之感測器之方 利用反應離子餘刻法，蚀刻一凹隙於 中。 、该缚膜下之該支座 其特徵為在蝕刻凹 餘刻率之一層加在一 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之方法 隙之别’ 一具有反應離子餘刻法之小 支座側，背離薄膜。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5或2 6項之方法， 敏感區域加在該薄膜上。 其特徵為一熱
28· —種產生溫度測量之感測器之方法，特別日 申請專利範圍第1-15及18-24項中任何一項之感^器之$ 法，在活化階段，一具有側壁之凹隙以反應離子^刻法被 蝕刻入一支座中，在鈍化階段，一保護層，特別是聚合物 層被沉積在該側壁上，其可防止或大幅降低自該側壁i材 料之移除，產生該感測器之該方法包含數個交互活化階段 及鈍化之階段，其特徵為該鈍化階段被緩和及/或被降白又 低，及/或活化階段被強化及/或擴展。
29·如申請專利範圍第28項之方法，其特徵為該鈍化階 段被緩和及/或降低及/或該活化階段被強化及/或擴展， 俾各該側壁與該支座表面成一角度（点）在8〇。與 g〇。之 間。 、 30.如申請專利範圍第29項之方法’其特徵為該鈍化階
1225303 案號 91119608 Λ_A. 曰 修正 六、申請專利範圍 段被缓和及/或降低，及/或該活化階段被強化及/或被擴 展，俾該側壁與該支座表面成一角（/5 )在85°與90°之間 3 1.如申請專利範圍第2 5項之方法，其特徵為該支座為 一石夕本體。
第22頁
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