TWI223278B - A programmable conductor random access memory and a method for writing thereto - Google Patents

A programmable conductor random access memory and a method for writing thereto Download PDF

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1223278 (〇) 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 技術領域 本發明係關於積體記憶體電路。更明確地說，其係關 於一種用以將資料寫入可程式化之導體隨機存取記憶體 (PCRAM)單元之方法。 先前技術 DRAM積體電路陣列已經存在超過三十年，並且因為半 導體製造技術及電路設計技術的進步，已經使得其儲存 容量大幅地提昇。該兩項技術的大幅進步同時也達到越 來越高的整合程度，使得能夠大幅地縮減記憶體陣列的 尺寸及成本，並提高製程產能。 DRAM記憶體單元通常包括的基本組件如下：一存取電 晶體（切換開關）；以及一電容器，以電荷的形式儲存二 進制的資料位元。一般來說，可將其中一種極性的_電_荷 儲存於該電容器之上來表示高位準邏輯（例如二進制中的 「1」），並且以相反極性的儲存電荷表示低位準邏輯（例 如二進制中的「01」）。DRAM的主要缺點是該電容器上的 電荷最後都會洩漏出去，因而必須「補充」電容器電荷 ，否則該記憶體單元所儲存的資料位元便會遺失。 相反地，'丨貫用的SRAM之記憶體單元包括的基本組件如 下：一存取電晶體（或多個電晶體）；以及一記憶體元件 ，其形式為以兩個以上互連的積體電路裝置作為一雙穩 閂。此種雙穩閂的範例為一對交錯耦合的反向器。雙穩 閂並不需要如同DRAM記憶體單元般地進行「補充」，只要 1223278
發明說明續頁 能夠不斷地接收到供應電壓，其便能夠可靠地永久儲存 一資料位元。不過，此種記憶體單元需要較大量的電晶 體，所以其所需要的矽面積大於簡易的DRAM單元，消耗 的功率亦高於DRAM單元。
目前仍然有人不斷地努力，希望找出其它型式的記憶 體元件，不僅能夠儲存資料狀態，同時不需要進行大量 的補充。近年來的研究都集中於電阻式材料上，經過程 式化之後其便能夠表現出高或低的穩定歐姆狀態。此種 材料的其中一個可程式化電阻元件可進行程式化（設定） 以變成高阻抗狀態，用以儲存二進制「1」資料位元，或 程式化以變成低阻抗狀態，用以儲存二進制「0」資料位 元。接著藉由存取裝置偵測讀出電壓（其會供應可經由該 電阻式記憶體元件切換的電流）的幅度，便可擷取出所儲 存的資料位元，因而可表示出先前被程式化的穩定阻抗 狀態。 ·—
其中一種最被看好的可程式化、雙穩電阻式材料便是 大家所熟知的可程式化金屬材料，其亦稱為可程式化導 體材料。由此種材料所構成的記憶體元件在大部份的時 候都具有一穩定的高阻抗狀態，不過藉由施加一適當的 電壓跨接於-該記憶體元件上，便可將其程式化成穩定的 低阻抗狀態。施加一適當幅度的反向電壓跨接於該記憶 體元件上，便可還原成該高阻抗狀態。低阻抗狀態係因 為在整個可程式化之導體材料中或其表面上長出導電的 樹狀結晶的關係。可程式化之導體記憶體元件係非揮發 1223278 (2) 發明說明續頁 性的，因為低阻抗狀態時並不需要進行補充，即使需要 進行補充，其週期亦非常長，例如數天或數週。
其中一種示範性的可程式化之導體材料包括其中散佈 著金屬離子的硫系化合物玻璃材料。其中一種特定範例 為散佈著銀（Ag)離子的鍺：硒化合物（GexSeUx)。其中一種將 該等銀離子散佈於該鍺：硒化合物材料中的方法是先蒸 發該鍺：硒玻璃，然後在該玻璃之上沉積（舉例來說，可 利用濺鍍、物理氣相沉積、或本技術中其它熟知的技術 來進行）一薄的銀層。照射（較佳的係，以波長低於600奈 米的電磁波能量來進行）該銀層，讓該能量穿過銀並到達 銀/玻璃介面，以打斷該硫系化合物材料的硫系化合物鍵 結。因此，便可以銀來摻雜該鍺··硒玻璃。在該硫系化 合物玻璃上相隔的位置處則可配備電極，用以供應電壓 ，以便寫入及讀取該記憶體元件。
目前正不斷地開發用以將資料寫入可程式化之導‘體記 憶體元件陣列中的電路。與從高阻抗狀態將可程式化之 導體記憶體元件寫入至低阻抗狀態相關的一項問題是必 須使用驅動器於高電流處供應一寫入電壓，而且一旦該 記憶體元件切換至低阻抗狀態後，該驅動器仍然必須提 供該高電流導致浪費電源。 發明内容 本發明提供一種經過改良的寫入電路及方法，用以寫 入一可程式化之導體隨機存取記憶體（PCRAM)單元，減低 電源浪費。藉由儲存於位元線之寄生電容中的能量來供 1223278 (3) 發明說明續頁 應該寫入電壓給可程式化之導體記憶體元件使用便可達 到此目的。施加一第一預設電壓給一可程式化之導體記 憶體元件的第一端點，並且將一位元線充電至一第二預 設電壓。存取電晶體可將該被預充電的位元線耦合至該 記憶體元件的一第二端點，而該第一及第二電壓的振幅 及極性相同，其可讓欲被寫入的記憶體元件變成預期的 阻抗狀態。如果該第一預設電壓維持恆定的話，便可利 用該第二電壓的兩種不同電壓值進行控制，用以將記憶 體元件寫入成表示一二進制數值的特殊阻抗。因為不需 要使用電流供應驅動器來寫入一記憶體元件，因此可減 低電流的浪費。 貫施方式 現在將配合圖1 -5所示之示範具體實施例來說明本發明 。在不脫離本發明的精神或範疇下，可以實現其它的具 體實施例，並且對所揭示的具體實施例進行其它變更。 「銀」一詞，希望不僅包括元素銀，還包括含有其它 線路金屬的銀，或與半導體工業熟知的其它金屬的各種 合金組合，只要此種銀合金可以導電，而且並未改變該 銀的物理及電氣特性即可。同樣地，「鍺」及「硒」一詞 ，希望不僅--包括元素鍺及硒，還包括含有其它線路金屬 的鍺及硒，或與半導體工業熟知的其它金屬的各種合金 組合，只要並未改變該鍺及硒的物理及電氣特性即可。 圖1所示的係一記憶體陣列100，其具有複數條列線路110 、112、114及位元（行）線路116、118、120。在其中一列及位 (4) 發明說明續頁 元線路的每個交叉處都會形成一 PCRAM單元，例如記憶體 單元122。每個記憶體單元（例如122)都含有一存取電晶體 124及一可程式化之導體記憶體元件126。該可程式化之導體 記憶體元件可由換雜銀的Se:Ge之硫系化合物玻璃組合物所 構成。在美國申請案序號第09/941,544號，標題為「Stoichiometry for Chalocogenide Glasses Useflil for Memory Devices and Method of Formation」 中便敘述著可當作元件126的適當材料組合物，此處將其 所揭示的部份以引用的方式併入本文中。根據本發明之 一示範具體實施例，作為記憶體元件的鍺：硒玻璃可從 下面化學計量值落在第一化學計量範圍&内的鍺：硒玻 璃所組成的範圍中選出，其包括：Ge18Se82 (當銀的摻雜比 例約為30%或以下時，其會有最大的原子百分比）一直到 Ge28Se72 (當銀的摻雜比例約為20%或以下時，其會有最大的 原子百分比），其一般的化學式為（GewSeuxOMAgy!，其中18S Xi $28，而其中yl代表的是會在玻璃形成區中保留該玻璃 之最大量的合宜的銀（Ag)原子百分比。 該可程式化之導體記憶體元件126的第一端點150係被耦 合至一共用單元平板128。每個存取電晶體124的其中一個 源極/汲極端點係被耦合至一條對應的位元線（例如118)， 而每個存取--電晶體124的另一個源極/汲極端點則係被耦 合至該可程式化之導體記憶體元件126之第二端點152。進 一步地說，每條位元線116、118、120都係被耦合至一預充 電電路130，因此可將該條位元線預充電至兩個預設值（例 如Vdd或約為Vdd，以及接地或約為接地）中其中一個，其 1223278 (5) I發明說明續頁 方式將於下面敘述。同時，圖1中顯示出行線路118的寄 生電容132，舉例來說，其可用以寫入該記憶體單元122。 該寄生電容值約為500 ff，不過此數值可能會隨著位元線 及記憶體陣列結構而改變。
參考圖2，其中更詳細地描繪記憶體單元122之概略圖 。位元線118係被耦合至一預充電電路130，並且還被耦合 至存取電晶體124的第一源極/汲極端點，以及被耦合至 複數個其它存取電晶體之個別的第一源極/汲極端點。圖 中的存取電晶體124以及其它存取電晶體都係η型的互補 金屬氧化半導體（CMOS)電晶體。不過，很輕易地便可以ρ 型的CMOS電晶體來取代存取電晶體124，只要適當地修改 其它組件的對應極性與電壓即可。該可程式化之導體記 憶體元件126的第一端點150係被耦合至一共用單元平板 128。電晶體124的第二源極/汲極端點係被耦合至該可程 式化之導體記憶體元件126之第二端點。如上所述，該可 程式化之導體記憶體元件126可由摻雜銀的Ge:Se硫系化合 物玻璃所構成，不過熟習本技術的人士便知道亦可使用 其它的可程式化之導體材料。該可程式化之導體記憶體 元件126係被耦合至供複數個記憶體單元使用的一共用單 元平板128該單元平板128係黏接至一電壓端點，用以提 供一預設的電壓位準（例如Vdd/2或約為Vdd/2)給該單元平 板128。圖2中的每個存取電晶體124之閘極係被黏接至一 條個別的列線路114。當供應足夠的電壓給其中一條列線 路（例如114)時，便可開啟且導通一個相關的存取電晶體 -10- 1223278 (6) 發明說明續頁 124。該等列線路114、位元線路118極單元平板128的電壓 必須以下面所述的方式來選擇，以便對可程式化之導體 記憶體元件126進行讀取及寫入作業。
圖3A及3B所示的分別係用以描述根據本發明之示範具 體實施例之寫入作業的流程圖及電壓圖。在此示範處理 流程中，會假設該可程式化之導體記憶體單元之下面參 數：i)用以從低阻抗狀態寫成高阻抗狀態所需要之跨接 於元件126上的電壓為0.25V ; (ii)所需要之電流約為10 μΑ ; iii)用以從高阻抗狀態寫成低阻抗狀態所需要之跨接於元 件126上的電壓為- 0.25V ; (iv)所需要之電流約為10 μΑ ; (v)低 阻抗狀態約為10 ΚΩ ;及（vi)高阻抗狀態可以是任何大於10 ΜΩ的數值。應該可輕易地瞭解，亦可選擇替代的參數供 該PCRAM單元使用，其係取決於該可程式化之導體記憶 體元件126之材料組合物及尺寸，並不會脫離本發明精神 及範嗔。
參考圖3A及3B，寫入處理從處理區段300開始。在區段 302中，會先將位元線（例如位元線118)預充電至GND或Vdd (或是約為GND或Vdd)，其係取決於該單元究竟是要被程 式化成高阻抗狀態或低阻抗狀態。如果該單元欲進入高 阻抗狀態的話，那麼便必須將該條位元線118預充電至接 地；如果該單元欲進入低阻抗狀態的話，那麼便必須將 該條位元線118預充電至Vdd或約為Vdd。透過分別被耦合 至位元線118的預充電電路130便可將位元線118預充電至 預設的電壓。為達到此示範說明的目的，吾人將假設該 -II - 1223278 ⑺ 發明說明續頁 條位元線電壓為VI、跨接於存取電晶體124的電壓降為V2 、跨接於記憶體元件126的電壓為V3、單元平板電壓為V4 以及字組線（電晶體124閘極）電壓為V5，如圖3B所示。同 時，吾人亦將假設Vdd為2.5V。因此該單元平板128便會被
黏接至預設電壓V4，其為Vdd/2或約為Vdd/2 (例如1.25V)。請 注意，該可程式化之導體記憶體元件126具有一反向電壓 寫入極性V3，如果記憶體元件欲被寫入至低阻抗狀態的 話，V3=-.25V ;如果記憶體元件欲被寫入至高阻抗狀態的 話，V3=-2.5V。同時，寫入至高阻抗狀態亦可視為一種抹 除作業。因此，如果該單元122欲進入低阻抗狀態的話， 那麼便必須將該位元線118預充電至Vdd或約為Vdd ;如果 該單元欲進入高阻抗狀態的話，那麼便必須將該位元線 118預充電至接地或約為接地。
當該條位元線被預充電之後，處理區段304便可藉由施 加一預設電壓V5於一被選擇的列線路，以啟動該條、Γ、線 路。處理區段300亦顯示出該單元平板係被保持在Vdd/2或 約為Vdd/2。在此範例中，2.5V或約為2.5V (Vdd)的預設列線 路電壓V5便足以開啟該存取電晶體124。因為V1=2.5V、 V4二1.25V，而且跨接於該存取電晶體的電壓降V2約為1伏 (也就是，伏特值高於電晶體的阻抗）。跨接於該記憶體 元件126的電壓為V3則便剩餘.25V，其足以將其從高阻抗 程式化成低阻抗，或保持先前被程式化的低阻抗狀態。 如果該位元線118被預充電至接地或約為接地的VI，跨 接於該電晶體的電壓降V2約為.2伏的話，那麼跨接於該 -12- 1223278 (8) I發明說明續頁 記憶體元件126的電壓為V3則便剩餘-1.05V，其足以將其從 低阻抗程式化成高阻抗（亦稱抹除），或保持先前被程式 化的高阻抗狀態。
處理區段308表示的係跨接於該記憶體元件126的施加電 壓會經由該記憶體元件放置，以便將所選擇的阻抗寫入 其中。利用該位元線118的寄生電容132保持該預充電電壓 ，便不需要利用被連接至電壓源的電晶體來驅動該條位 元線118，降低寫入作業期間的電流消耗。最後在處理區 段310中，於寫入作業結束時，位元線118的電壓會設定為 低於被施加的單元平板電壓V4，例如小於Vdd/2或小於約 為 Vdd/2。
為讀取該記憶體單元122的内容，或更明確地說，為讀 取該記憶體單元122之可程式化之導體記憶體元件126的阻 抗，必須施加+0.25V以下的電壓差跨接於該可程式化之導 體記憶體元件126。舉例來說，可使用.2V的電壓來進行1賣 取作業。於讀取作業期間，藉由適當的選擇電壓便能夠 達成此目的。舉例來說，2.45V的位元線118電壓VI，以及 1伏的電壓降V2，便可產生.2V跨接於記憶體元件126。 現在參考圖4，圖中採用複數個可程式化之導體記憶體 單元122的私憶體陣列400包括寄生電容132，以及電容器134 與電晶體136。先前已於圖1說明過的元件皆具有相同的 元件符號，並且不在於此處作說明。舉例來說，如果由 電容132於行線路118所提供的寄生電容不足以儲存該預充 電電壓的話，便可在該行線路118上加入電容器134以提供 -13 - 1223278 (9) I發明說明續頁 額外的電容。所以，必要時可以提供一個以上的電容器 134，供寫入作業使用。在預充電作業之前或在預充電作 業時，可啟動電晶體136以便將一個以上的外加電容器134 耦合至該位元線118。在寫入作業之後，會「關閉」電晶 體136，以關閉該位元線118的額外電容值，如此方能不致 於干涉到該記憶體陣列100的其它作業時序。
圖5所示的係含有圖1 - 4所述之可程式化之導體隨機半 導體記憶體之處理器系統500之方塊圖。舉例來說，圖1 -4所述之PCRAM記憶體陣列100可能是被裝配成插入式記憶 體模組之隨機存取記憶體（RAM) 508的一部份。該處理器 型系統500可能是電腦系統或任何其它的處理器系統。該 系統500包括一中央處理單元（CPU) 502 (例如微處理器），用 以透過匯流排520與磁碟機512、CD-ROM光碟機514及RAM 508進行通信。必須注意的係，匯流排520可能是處理器型 系統中常用的一連_匯流排及橋接器，不過為方便解釋 ，圖中的匯流排520僅以單匯流排來顯示。輸入/輸出（I/O) 裝置（例如螢幕）504、506亦會被連接至該匯流排520，不過 並非實現本發明之必要裝置。該處理器型系統500亦包括 一唯讀記憶體（ROM) 510，其亦可用於儲存軟體程式。雖然 圖5的方塊圖僅顯示出一個CPU 502，不過圖5的系統亦可 設計成平行處理器機器，用以執行平行處理。 雖然至此已經配合熟知的較佳具體實施例詳細地說明 本發明，不過應該可輕易地暸解，本發明並不受限於該 等已揭示的具體實施例。更確切地說，本發明可以進行 -14- 1223278 (10) 發明說明續頁
修正，以併入前面未提及的任何數量的變化例、替代例 、取代例或等效的配置，不過其皆與本發明的精神及範 疇一致。舉例來說，雖然本發明係配合特定的電壓位準 加以說明，不過應該可輕易地暸解，亦可使用本文所述 之外的電壓位準。同樣地，雖然本發明係配合記憶體元 件126之特定極性加以說明，不過熟習本技術的人士亦可 將極性倒置，以便產生不同的電壓位準，以施加於供寫 入作業使用的電晶體、單元平板及數位線路中。因此， 本發明並不受限於前面的說明或圖式，而僅受限於隨附 申請專利範圍的範疇。 圖式簡單說明 從上面本發明較佳具體實施例之詳細說明，參考隨附 的圖式，便可更瞭解本發明前面及其它的優點與特點，其 中：
圖1所示的係根據本發明之示範具體實施例，採用複數 個PCRAM記憶體單元之記憶體陣列； 圖2所示的係圖1之PCRAM記憶體單元； 圖3A所示的係用以描述根據本發明之示範具體實施例 之作業流程的流程圖； 圖3B所示二的係跨接於圖1之PCRAM記憶體單元的電壓系 統； 圖4所示的係根據本發明之替代具體實施例，採用複數 個PCRAM記憶體單元之記憶體陣列；及 圖5所示的係根據本發明之示範具體實施例，含有一 -15- 1223278 (ii) 發明說明續頁· PCRAM記憶體之處理器型系統之方塊圖。 圖式代表符號說明 100,400 記 憶 體 陣 列 110, 112, 114 列 線 路 116, 118, 120 位 元 線 路 122 記 憶 體 單 元 124 存 取 電 晶 體 126 可 程 式 化 之 導體記憶體元件 128 共 用 單 元 平 板 130 預 充 電 電 路 132 寄 生 電 容 134 電 容 器 136 電 晶 體 150 第 — 端 點 152 第 二 端 點 500 處 理 器 系 統 502 中 央 處 理 單 元 504 輸 入 /輸出 ;裝置 508 隨 機 存 取 記 憶體 510 '唯 讀 記 情 體 512 磁 碟 機 514 光 碟 機 520 匯 流 排
-16-

Claims (1)

1223278 第091136822號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(93年4月）
拾、申請專利範圍 1. 一種用以寫入一記憶體元件之方法，該方法包括 將一導體預充電至一第一電壓，該第一電壓可 與該導體相關的電容維持於該導體中； 於該導體之第一電壓及第二電壓之間耦合一可 化之導體記憶體元件，以便將預設的阻抗狀態寫 記憶體元件中。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可程式化 體記憶體元件係藉由啟動一存取記憶體而被耦合 導體。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該導體係一 該記憶體元件相關聯的位元線。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該記憶體元 括一硫系化合物玻璃記憶體元件。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該硫系化合 璃記憶體元件包括掺雜銀的鍺：磁玻璃組合物。 6. —種用以寫入一半導體記憶體單元之方法，該方 括： 施加一第一電壓給一可程式化之導體記憶體元 第一端點； 替一記憶體陣列的位元線充電，讓該記憶體單 成一第二預設電壓，該位元線具有儲存著該第二 電壓的寄生電容； 施加一第三預設電壓給一電晶體的閘極，用以 O:\82\82735-930405.doc 藉由 程式 入該 之導 至該 條與 件包 物玻 法包 件的 元便 預設 啟動 1223278 I £ ；，- 93； ! L—…..ϋ—— 該電晶體’並且將該位元線搞合至 記憶體元件的第二端點；及 當該電晶體被啟動以建立該記憶 時，使用跨接於該記憶體元件的電 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其 大於該第一預設電壓。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其 大於該第二預設電壓。 9. 如申請專利範圍第6項之方法，其 元件的該電壓係經由該記憶體元件 該阻抗狀態。 10. 如申請專利範圍第6項之方法，其 電壓的動作包括將已經被耦合至第 耦合至該第一預設電壓源。 11. 如申請專利範圍第6項之方法，進 驟：選擇性地將至少一個電容器耦 儲存該第二預設電壓。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，進 晶體，以便選擇性地將至少一個電 線。 13. —種用以操作一記憶體單元之方法 將一位元線預充電至一第一電壓 施加一第二電壓給一硫系化合物 端點；及 O:\82\82735-930405.doc 申請專利範圍績頁 該可程式化之導體 體元件之阻抗狀態 壓。 中該第二預設電壓 中該第一預設電壓 中跨接於該記憶體 進行放電，以建立 中該施加第一預設 一端點的單元平板 一步包括下面的步 合至該位元線，以 一步包括啟動一電 容器耦合至該位元 ，該方法包括： 記憶體元件的第一 1223278 將該硫系化合物記憶體元件的第二端點連接至該位 元線，以便於跨接該記憶體元件處產生一足夠的電壓 ，用以將預設的阻抗狀態寫入該記憶體元件中。 14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該第一電壓係藉 由寄生電容保留於該位元線中。 15. 如申請專利範圍第13項之方法，進一步包括下面的步* 驟：選擇性地將至少一個電容器耦合至該位元線，以 接收且儲存該第一電壓。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，進一步包括操作一電 晶體，以便選擇性地將至少一個電容器耦合至該位元 線。 17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該位元線的寄生 電容值約為500 fF。 18. —種記憶體結構，包括： 一具有一相關電容的導體； 一預充電電路，用以將該導體預充電至一第一電壓 ，該第一電壓可藉由該相關的電容維持於該導體中； 一可程式化之導體記憶體元件，其具有一被連接至 一第二電壓的端點；及 一存取裝置，用以將該記憶體元件的第二端點選擇 性地耦合至該導體，該存取裝置可啟動該第一及第二 電壓，以便於跨接該可程式化之元件處建立足夠的電 壓，以便將該記憶體元件程式化成較高或較低阻抗狀 態中其中一種。 O:\82\82735-930405.doc 1223278
申請夢利範園績頁 19. 如申請專利範圍第18項之記憶體結構，其中該存取裝 置係一電晶體。 20. 如申請專利範圍第18項之記憶體結構，其中該預充電 電路會供應一第一數值給該第一電壓，用以將較高的 阻抗狀態程式化至該記憶體元件之中，以及供應一第 二數值給該第一電壓，用以將較低的阻抗狀態程式化 至該記憶體元件。 21. 如申請專利範圍第18項之記憶體結構，其中該相關的 電容包括一該導體的寄生電容。 22. 如申請專利範圍第18項之記憶體結構，其中該相關的 電容包括耦合至該導體的至少一個電容器。 23. 如申請專利範圍第18項之記憶體結構，其中該相關的 電容包括一該導體的寄生電容以及耦合至該導體的至 少一個電容器。 24. —種半導體記憶體，包括： 一具有一相關電容的位元線； 一具有第一及第二端點的可程式化之導體記憶體元 件； 一預充電電路，用以依照程式化該記憶體元件的預 期阻抗狀態將該位元線預充電至兩個可能電壓值中其 中一個，該相關的電容可保留該位元線上的預充電電 壓值； 一單元平板，其係被耦合至該記憶體元件的第一端 點，用以供應第三電壓值給該第一端點；及 -4- O:\82\82735-930405.doc 1223278
争滅本对範圍績頁 一存取電晶體，其會響應字組線上的電壓，用以選 擇性地將該位元線耦合至該記憶體元件的第二端點， 以便依照該單元平板及位元線上的電壓值將該記憶體 元件程式化成一阻抗狀態。 25. 如申請專利範圍第24項之半導體記憶體，其中該等兩 個可能電壓值中之其中一個高於該第三電壓值，而該 等兩個可能電壓值中另外一個則低於該第三電壓值。 26. —種記憶體單元，包括： 一具有第一及第二端點的硫系化合物記憶體元件； 一第一 1己憶體線路； 一電路，用以選擇性地將該第一記憶體線路預充電 至第一或第二電壓； 一電路，用以供應第三電壓給該硫系化合物記憶體 元件的第一端點；及 一裝置，在該第一記憶體線路被預充電之後，以可 切換的方式將該硫系化合物記憶體元件的第二端點耦 合至該第一記憶體線路，該裝置可讓欲被施加跨接於 該硫系化合物記憶體元件上的電壓足以依照被預充電 至該記憶體線路上第一或第二電壓’將兩種預設阻抗 狀態中其中一種寫入該硫系化合物元件中。 27. 如申請專利範圍第26項之記憶體單元，其中該記憶體 線路的寄生電容值約為500 fF。 28. —種處理器系統，包括： 一處理器；及 O:\82\82735-930405.doc 1223278 一被耦合至該處理器的半導體記憶體，該半導體記 憶體包括： 一具有一相關電容的導體； 一預充電電路，用以將該導體預充電至一第一電壓 ，該第一電壓可藉由該相關的電容維持於該導體中； 一可程式化之導體記憶體元件，其具有一被連接至 一第二電壓的端點；及 一存取裝置，用以將該記憶體元件的第二端點選擇 性地耦合至該導體，該存取裝置可啟動該第一及第二 電壓，以便於跨接該可程式化之元件處建立足夠的電 壓，以便將該記憶體元件程式化成較高或較低阻抗狀 態中其中一種。 29.如申請專利範圍第28項之處理器系統，其中該相關的 電容包括一該導體的寄生電容以及耦合至該導體的至 少一個電容器。 O:\82\82735-930405.doc
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