JP5503102B2 - 相変化メモリ装置 - Google Patents
相変化メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5503102B2 JP5503102B2 JP2007176044A JP2007176044A JP5503102B2 JP 5503102 B2 JP5503102 B2 JP 5503102B2 JP 2007176044 A JP2007176044 A JP 2007176044A JP 2007176044 A JP2007176044 A JP 2007176044A JP 5503102 B2 JP5503102 B2 JP 5503102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- input
- signal
- latch circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0038—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0071—Write using write potential applied to access device gate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0078—Write using current through the cell
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、書き込み回路を制御する制御回路の電源(VDD)と書き込み回路の電源(Vwrite)を異なる電源とする。そして、書き込み装置の電源(Vwrite)の電圧レベルを、制御回路の電源(VDD)の電圧レベルより高電圧することで(Vwrite>VDD)、メモリセルの相変化記憶素子へのデータ書き込みに必要な電流を電源(Vwrite)により供給できるようにする。また、制御回路から書き込み回路に入力される信号が全てNchMOSトランジスタのゲート端子に入力されるようにし、書き込み回路に対する各入力信号(ライトイネーブル信号WE等)を、制御回路の電源(VDD)の電圧レベルで入力できるようにする。
これにより、相変化メモリ装置内の書き込み回路において、電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、相変化記憶素子にリセットデータを書き込むための電流を流す第1のPchMOSトランジスタ(Q1)と、セットデータを書き込むための電流を流す第2のPchMOSトランジスタ(Q2)と、これらを選択するための2つのトランスファーゲート(TG1、TG2)とを備え、第1のラッチ回路(L1)および第2のラッチ回路(L2)を外部からの入力信号により制御することにより、第1のPMOSトランジスタ(Q1)または第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をトランスファーゲートにより選択すると共に、これらのトランジスタを駆動するための信号を生成して、相変化記憶素子に書き込み電流を流す。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、2つのPchMOSトランジスタ(ライトドライバトランジスタ)を通して相変化記憶素子にリセットデータまたはセットデータの書込み電流を流すことができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、ライトイネーブル信号(WE)がパルス入力され、入力データ‘0’が入力された場合に、第1のラッチ回路(L1)は第1のトランスファーゲートをオンさせるための信号を保持し、第2のラッチ回路(L2)は、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオンする信号を保持する。また、リセット書き込み終了信号(RDIS)された場合に、第2のラッチ回路(L2)は、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオフする信号を保持する。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)を通して相変化記憶素子にリセットデータの書込み電流を流すことができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、ライトイネーブル信号(WE)がパルス入力され、書き込み用の入力データ‘1’が入力された場合に、第1のラッチ回路(L1)は第2のトランスファーゲートをオンさせるための信号を保持し、第2のラッチ回路(L2)は、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)オンする信号を保持する。また、セット書き込み終了信号(SDIS)された場合に、第2のラッチ回路(L2)は、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオフする信号を保持する。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)を通して相変化記憶素子にセットデータの書込み電流を流すことができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、相変化記憶素子にリセットデータを書き込むための電流を流す第1のPchMOSトランジスタ(Q1)と、セットデータを書き込むための電流を流す第2のPchMOSトランジスタ(Q2)と、これらを選択駆動するための2つのクロックドインバータ(CINV1、CINV2)とを備え、第1のラッチ回路(L1)および第2のラッチ回路(L2)を外部からの入力信号により制御することにより、第1のPMOSトランジスタ(Q1)または第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をクロックドインバータにより選択駆動して、相変化記憶素子にデータの書き込み電流を流す。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、2つのPchMOSトランジスタ(ライトドライバトランジスタ)を通して相変化記憶素子にリセットデータまたはセットデータの書込み電流を流すことができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、ライトイネーブル信号(WE)がパルス入力され、入力データ‘0’が入力された場合に、第1のラッチ回路(L1)は第1のクロックドインバータ(CINV1)をインバータとして機能させる信号を保持し、第2のラッチ回路(L2)は、第1のクロックドインバータ(CINV1)を介して、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオンする信号を保持する。また、リセット書き込み終了信号(RDIS)された場合に、第2のラッチ回路(L2)は、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオフする信号を保持する。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、第1のPchMOSトランジスタ(Q1)を通して相変化記憶素子にリセットデータの書込み電流を流すことができる。
上記構成からなる本発明の相変化メモリ装置では、ライトイネーブル信号(WE)がパルス入力され、入力データ‘1’が入力された場合に、第1のラッチ回路(L1)は第2のクロックドインバータ(CINV2)をインバータとして機能させるための信号を保持し、第2のラッチ回路(L2)は、第2のクロックドインバータ(CINV2)を介して、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)オンする信号を保持する。また、セット書き込み終了信号(SDIS)された場合に、第2のラッチ回路(L2)は、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオフする信号を保持する。
これにより、書き込み回路において電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくすることができる効果に加えて、簡単な回路構成と制御方式により、第2のPchMOSトランジスタ(Q2)を通して相変化記憶素子にセットデータの書込み電流を流すことができる。
図1は、本発明の相変化メモリ装置の主要部の構成を示す図であり、本発明の特徴部分である書き込み回路2を使用した例を示す図である。
図3に示す書き込み回路2は、インバータ(論理反転ゲート)INV1、INV2で構成されるラッチ回路L1と、インバータ(論理反転ゲート)INV3、INV4で構成されるラッチ回路L2と、メモリセルへのリセットデータ書き込み用のPchMOSトランジスタ(PchチャネルMOSFET)Q1と、セットデータ書き込み用のPchトランジスタQ2と、BITLINEの非選択用NchMOSトランジスタ(NchチャネルMOSFET)Q3とを備えている。なお、PchMOSトランジスタQ1、Q2はライトドライバトランジスタとも呼ばれる。
次に、本発明の相変化メモリの第2の実施の形態について、図面を参照して説明する。図5は、本発明の相変化メモリ装置の書き込み回路の第2の実施の形態を示す図である。
Claims (18)
- マトリクス状に配列された複数のビット線とワード線の交差部に、相変化記憶素子を有するメモリセルを備え、前記相変化記憶素子に流す電流を制御して抵抗値を変化させることによりデータを記録する書き込み回路を備える相変化メモリ装置であって、
前記書き込み回路を制御する制御信号を出力する制御回路を第1の電源(VDD)で駆動すると共に、前記制御信号が第1の電源(VDD)の電圧レベルの信号となるように構成し、
前記書き込み回路を前記第1の電源(VDD)よりも高電圧な第2の電源(Vwrite)で駆動すると共に、前記相変化記憶素子へのデータ書き込みに必要な電流を前記第2の電源(Vwrite)により供給し得るように構成し(Vwrite>VDD)、
さらに、前記書き込み回路において、前記制御回路から当該書き込み回路に向けて出力される制御信号の全部がNchMOSトランジスタのゲート端子に入力されるように構成され、
前記相変化記憶素子にリセットデータを書き込むための電流を流す第1のPchMOSトランジスタ(Q1)と、
前記相変化記憶素子にセットデータを書き込むための電流を流す第2のPchMOSトランジスタ(Q2)と、
前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)のオン信号を伝達する第1のトランスファーゲート(TG1)と、
前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)のオン信号を伝達する第2のトランスファーゲート(TG2)と、
前記第1のトランスファーゲート(TG1)または前記第2のトランスファーゲート(TG2)のいずれかをオンさせる選択信号を保持する第1のラッチ回路(L1)と、
前記第1のトランスファーゲート(TG1)または前記第2のトランスファーゲート(TG2)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)または前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)のいずれかのオン信号を保持する第2のラッチ回路(L2)と、
を備え、
前記第1のラッチ回路(L1)および第2のラッチ回路(L2)におけるデータ保持状態を外部からの入力信号により制御することにより、前記第1のPMOSトランジスタ(Q1)または前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)を選択して前記相変化記憶素子にデータ書き込み電流を流すように構成されたこと、
を特徴とする相変化メモリ装置。 - 前記書き込み回路に、データ書き込みを指示するライトイネーブル信号(WE)がパルス入力されると共に、リセットデータの書き込みを示す入力信号‘0’が入力された場合に、
前記第1のラッチ回路(L1)は、前記第1のトランスファーゲート(TG1)をオンにすると共に、前記第2のトランスファーゲート(TG2)をオフする信号を保持するように制御され、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第1のトランスファーゲート(TG1)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオンする信号を保持するように制御され、
前記書き込み回路に、リセットデータの書き込みの終了を指示するリセット書き込み終了信号(RDIS)が入力された場合に、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第1のトランスファーゲート(TG1)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオフする信号を保持するように制御される、
ことを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ装置。 - 前記書き込み回路に、データ書き込みを指示するライトイネーブル信号(WE)がパルス入力されると共に、セットデータの書き込みを示す入力信号‘1’が入力された場合に、
前記第1のラッチ回路(L1)は、前記第1のトランスファーゲート(TG1)をオフにすると共に、前記第2のトランスファーゲート(TG2)をオンにする信号を保持するように制御され、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第2のトランスファーゲート(TG2)を介して、前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオンにする信号を保持するように制御され、
前記書き込み回路に、セット用のデータ書き込みの終了を指示するセット書き込み終了信号(SDIS)が入力された場合に、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第2のトランスファーゲート(TG2)を介して、前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオフにする信号を保持するように制御される、
ことを特徴とする請求項2に記載の相変化メモリ装置。 - マトリクス状に配列された複数のビット線とワード線の交差部に、相変化記憶素子を有するメモリセルを備え、前記相変化記憶素子に流す電流を制御して抵抗値を変化させることによりデータを記録する書き込み回路を備える相変化メモリ装置であって、
前記書き込み回路を制御する制御信号を出力する制御回路を第1の電源(VDD)で駆動すると共に、前記制御信号が第1の電源(VDD)の電圧レベルの信号となるように構成し、
前記書き込み回路を前記第1の電源(VDD)よりも高電圧な第2の電源(Vwrite)で駆動すると共に、前記相変化記憶素子へのデータ書き込みに必要な電流を前記第2の電源(Vwrite)により供給し得るように構成し(Vwrite>VDD)、
さらに、前記書き込み回路において、前記制御回路から当該書き込み回路に向けて出力される制御信号の全部がNchMOSトランジスタのゲート端子に入力されるように構成され、
前記相変化記憶素子にリセットデータを書き込むための電流を流す第1のPchMOSトランジスタ(Q1)と、
前記相変化記憶素子にセットデータを書き込むための電流を流す第2のPchMOSトランジスタ(Q2)と、
前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)にオン信号を伝達する第1のクロックドインバータ(CINV1)と、
前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)にオン信号を伝達する第2のクロックドインバータ(CINV2)と、
前記第1のクロックドインバータ(CINV1)または前記第2のクロックドインバータ(CINV2)のいずれかをインバータとして機能させるための選択信号を保持する第1のラッチ回路(L1)と、
前記第1のクロックドインバータ(CINV1)または前記第2のクロックドインバータ(CINV2)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)または前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオンにする信号を保持する第2のラッチ回路(L2)と、
を備え、
前記第1のラッチ回路(L1)および第2のラッチ回路(L2)におけるデータ保持状態を外部からの入力信号により制御することにより、前記第1のPMOSトランジスタ(Q1)または前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)を選択して前記相変化記憶素子にデータ書き込み電流を流すように構成されたこと、
を特徴とする相変化メモリ装置。 - 前記書き込み回路に、データ書き込みを指示するライトイネーブル信号(WE)がパルス入力されると共に、リセットデータの書き込みを示す入力信号‘0’が入力された場合に、
前記第1のラッチ回路(L1)は、前記第1のクロックドインバータ(CINV1)をインバータとして機能させると共に、前記第2のクロックドインバータ(CINV2)のインバータ機能を停止させる信号を保持するように制御され、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第1のクロックドインバータ(CINV1)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオンにする信号を保持するように制御され、
前記書き込み回路に、リセットデータの書き込みの終了を指示するリセット書き込み終了信号(RDIS)された場合に、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第1のクロックドインバータ(CINV1)を介して、前記第1のPchMOSトランジスタ(Q1)をオフにする信号を保持するように制御される、
ことを特徴とする請求項4に記載の相変化メモリ装置。 - 前記書き込み回路に、データ書き込みを指示するライトイネーブル信号(WE)がパルス入力されると共に、セットデータの書き込みを示す入力信号‘1’が入力された場合に、
前記第1のラッチ回路(L1)は、前記第1のクロックドインバータ(CINV1)のインバータ機能を停止させると共に、前記第2のクロックドインバータ(CINV2)をインバータとして機能させる信号を保持するように制御され、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第2のクロックドインバータ(CINV2)を介して、前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオンにする信号を保持するように制御され、
前記書き込み回路に、セットデータの書き込みの終了を指示するセット書き込み終了信号(SDIS)された場合に、
前記第2のラッチ回路(L2)は、前記第2のクロックドインバータ(CINV2)を介して、前記第2のPchMOSトランジスタ(Q2)をオフにする信号を保持するように制御される、
ことを特徴とする請求項5に記載の相変化メモリ装置。 - 複数のワード線と、前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、複数のメモリセルと、を含むメモリセルアレイと、
各メモリセルは、前記複数のワード線と前記複数のビット線との交差部の関連する一つに配置され、
第1の端子と複数の第2の端子とを含むスイッチ回路と、
各第2の端子は前記複数のビット線のうちの関連する一つに接続され、
前記スイッチ回路は前記第1の端子と前記複数の第2の端子のうちの選択された一つとの間の電気経路を形成し、
前記スイッチ回路を介して、前記複数のメモリセルのうちの選択された一つにデータを書き込む、書き込み回路と、
前記書き込み回路は、
第1の電位の電圧が供給される第1の電位線と、
第2の電位の電圧が供給される第2の電位線と、
前記第1の電位線と前記スイッチ回路の前記第1の端子との間に接続される第1のトランジスタと、
第1の入力/出力ノード及び第2の入力/出力ノードを備える第1のラッチ回路と、
前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力のノードと前記第2の電位線との間に接続された第2のトランジスタと、
前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードと前記第2の電位線との間に接続された第3のトランジスタと、
第3の入力/出力ノード及び第4の入力/出力ノードを備える第2のラッチ回路と、
前記第2のラッチ回路の前記第3の入力/出力ノードと前記第2の電位線との間に接続された第4のトランジスタと、
前記第2のラッチ回路の前記第4の入力/出力ノードと前記第2の電位線との間に直接に接続された第5及び第6のトランジスタと、
前記第5のトランジスタの制御電極は、前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力ノードに接続され、
前記第2のラッチ回路の前記第3の入力/出力ノードに接続された第1の入力ノードと、前記第1のトランジスタの制御電極に接続された第1の出力ノードと、前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続された第1の制御ノードと、前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続された第2の制御ノードと、を備える第1のゲート回路と、
前記第2のトランジスタの制御電極に第1の信号を供給し、前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの制御電極に第2の信号を供給し、前記第6のトランジスタの制御電極に第3の信号を供給する、制御回路と、
を有する装置。 - 前記第1の信号と前記第2の信号と前記第3の信号はそれぞれ、前記第2の電位と、前記第1の電位より小さい第3の電位との間で変化する、請求項7に記載の装置。
- 前記第1のトランジスタは第1のチャネルタイプであり、前記第2から前記第6のトランジスタのそれぞれは第2のチャネルタイプである、請求項8に記載の装置。
- 前記第1のゲート回路は、前記第1の入力ノードと前記第1の出力ノードとの間に並列に接続された第7のトランジスタと第8のトランジスタを含み、前記第7のトランジスタと前記第8のトランジスタのゲート電極はそれぞれ前記第1の制御ノードと前記第2の制御ノードに接続されている、請求項7に記載の装置。
- 前記第1トランジスタと前記第7のトランジスタは第1のチャネルタイプであり、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタと前記第6のトランジスタと前記第8のトランジスタは第2のチャネルタイプである、
請求項10に記載の装置。 - 前記書き込み回路は、
前記第1の電位線と前記スイッチ回路の前記第1の端子との間に接続された第7のトランジスタと、
前記第2のラッチ回路の前記第4の入力/出力ノードと前記第2の電位線との間に直列に接続された第8のトランジスタ及び第9のトランジスタと、
前記第8のトランジスタの制御ゲートは前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続され、
前記第2のラッチ回路の前記第3の入力/出力ノードに接続された第2の入力ノードと、前記第7のトランジスタの制御電極に接続された第2の出力ノードと、前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力ノードに接続された第3の制御ノードと、前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続された第4の制御ノードと、を備える、第2のゲート回路と、
をさらに有し、
前記制御回路は、前記第9のトランジスタの制御電極に第4の信号をさらに供給する、
請求項7に記載の装置。 - 前記第1のゲート回路は、前記第1の入力ノードと前記第1の出力ノードとの間に並列に接続された第10のトランジスタ及び第11のトランジスタを備え、前記第10のトランジスタ及び前記第11のトランジスタのゲート電極はそれぞれ前記第1の制御ノードと前記第2の制御ノードに接続され、
前記第2のゲート回路は、前記第2の入力ノードと前記第2の出力ノードとの間に並列に接続された第12のトランジスタ及び第13のトランジスタを備え、前記第12のトランジスタ及び前記第13のトランジスタのゲート電極はそれぞれ前記第3の制御ノードと前記第4の制御ノードに接続される、
請求項12に記載の装置。 - 前記第1トランジスタと前記第7のトランジスタと前記第10のトランジスタと前記第12のトランジスタは第1のチャネルタイプであり、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタと前記第6のトランジスタと前記第8のトランジスタと前記第9のトランジスタと前記第11のトランジスタと前記第13のトランジスタは第2のチャネルタイプである、
請求項13に記載の装置。 - 前記第1のゲート回路は、前記第1の電位線と前記第1の出力ノードとの間に直列に接続された第7のトランジスタ及び第8のトランジスタと、前記第1の出力ノードと前記第2の電位線との間に直列に接続された第9のトランジスタ及び第10のトランジスタと、を備え、
前記第7のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続され、
前記第8のトランジスタ及び第9のトランジスタの制御電極は、前記第2のラッチ回路の前記第4の入力/出力ノードに共通に接続され、
前記第10のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力ノードに接続される、
請求項7に記載の装置。 - 前記第1トランジスタと前記第7のトランジスタと前記第8のトランジスタは第1のチャネルタイプであり、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタと前記第6のトランジスタと前記第9のトランジスタと前記第10のトランジスタは第2のチャネルタイプである、
請求項15に記載の装置。 - 前記第1のゲート回路は、前記第1の電位線と前記第1の出力ノードとの間に直列に接続された第10のトランジスタ及び第11のトランジスタと、前記第1の出力ノードと前記第2の電位線との間に直列に接続された第12のトランジスタ及び第13のトランジスタと、を備え、
前記第10のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続され、前記第11のトランジスタ及び前記第12のトランジスタの制御電極は前記第2のラッチ回路の前記第4の入力/出力ノードに共通に接続され、前記第13のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力ノードに接続され、
前記第2のゲート回路は、前記第1の電位線と前記第2の出力ノードとの間に直列に接続された第14のトランジスタ及び第15のトランジスタと、前記第2の出力ノードと前記第2の電位線との間に直列に接続された第16のトランジスタ及び第17のトランジスタと、を備え、
前記第14のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第1の入力/出力ノードに接続され、前記第15のトランジスタ及び前記第16のトランジスタの制御電極は前記第2のラッチ回路の前記第4の入力/出力ノードに共通に接続され、前記第17のトランジスタの制御電極は前記第1のラッチ回路の前記第2の入力/出力ノードに接続される、
請求項12に記載の装置。 - 前記第1のトランジスタと前記第7のトランジスタと前記第10のトランジスタと前記第11のトランジスタと前記第14のトランジスタと前記第15のトランジスタは第1のチャネルタイプであり、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタと前記第6のトランジスタと前記第8のトランジスタと前記第9のトランジスタと前記第12のトランジスタと前記第13のトランジスタと前記第16のトランジスタと前記第17のトランジスタは第2のチャネルタイプである、
請求項17に記載の装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007176044A JP5503102B2 (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 相変化メモリ装置 |
US12/216,271 US8264871B2 (en) | 2007-07-04 | 2008-07-02 | Phase change memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007176044A JP5503102B2 (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 相変化メモリ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014052135A Division JP5657821B2 (ja) | 2014-03-14 | 2014-03-14 | 相変化メモリ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009015955A JP2009015955A (ja) | 2009-01-22 |
JP5503102B2 true JP5503102B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=40221293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007176044A Expired - Fee Related JP5503102B2 (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 相変化メモリ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8264871B2 (ja) |
JP (1) | JP5503102B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873538B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto |
US6667900B2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-12-23 | Ovonyx, Inc. | Method and apparatus to operate a memory cell |
US6768665B2 (en) * | 2002-08-05 | 2004-07-27 | Intel Corporation | Refreshing memory cells of a phase change material memory device |
JP4325275B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2009-09-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
TW200527656A (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-16 | Renesas Tech Corp | Semiconductor device |
KR100655796B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2006-12-11 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP4646634B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR100674983B1 (ko) | 2005-07-13 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 구동전압 레벨을 변경할 수 있는 상 변화 메모리 장치 |
KR100757410B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2007-09-11 | 삼성전자주식회사 | 상 변화 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US7457146B2 (en) * | 2006-06-19 | 2008-11-25 | Qimonda North America Corp. | Memory cell programmed using a temperature controlled set pulse |
US7463546B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-12-09 | Sandisk 3D Llc | Method for using a passive element memory array incorporating reversible polarity word line and bit line decoders |
US7554832B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-06-30 | Sandisk 3D Llc | Passive element memory array incorporating reversible polarity word line and bit line decoders |
-
2007
- 2007-07-04 JP JP2007176044A patent/JP5503102B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-02 US US12/216,271 patent/US8264871B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009015955A (ja) | 2009-01-22 |
US8264871B2 (en) | 2012-09-11 |
US20090010049A1 (en) | 2009-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101149273B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP4524455B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI398867B (zh) | Semiconductor device | |
JP5233815B2 (ja) | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 | |
JP5282607B2 (ja) | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 | |
JP5287197B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007234133A5 (ja) | ||
JP2007234133A (ja) | 半導体記憶装置及び半導体集積回路システム | |
JP2007164964A (ja) | 相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 | |
JP2007172715A (ja) | 半導体記憶装置およびその制御方法 | |
JP5359663B2 (ja) | 半導体メモリデバイスおよびその動作方法 | |
JP2006179158A (ja) | 半導体装置 | |
TWI533298B (zh) | 可變電阻式記憶體及其寫入方法 | |
JP2008052867A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4668668B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7317655B2 (en) | Memory cell array biasing method and a semiconductor memory device | |
JP5657821B2 (ja) | 相変化メモリ装置 | |
US20080165575A1 (en) | Memory cell array biasing method and a semiconductor memory device | |
JP5503102B2 (ja) | 相変化メモリ装置 | |
JP4935231B2 (ja) | メモリセル及び不揮発性記憶装置 | |
KR100905166B1 (ko) | 상 변화 메모리 장치 | |
JP2011204358A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5135406B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008071384A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2011146121A (ja) | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100614 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20131030 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5503102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |