TWI222197B - Manufacturing method of semiconductor device and electronic apparatus, and calculating method of connection condition - Google Patents

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TWI222197B
TWI222197B TW092103143A TW92103143A TWI222197B TW I222197 B TWI222197 B TW I222197B TW 092103143 A TW092103143 A TW 092103143A TW 92103143 A TW92103143 A TW 92103143A TW I222197 B TWI222197 B TW I222197B
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solder
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TW092103143A
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Shiro Yamashita
Masahide Harada
Kenichi Yamamoto
Munehiro Yamada
Ryosuke Kimoto
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Hitachi Ltd
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1222197 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於算i出將以半導體裝置爲代表之電子零件 連接在電子電路基板上之連接條件的算出方法。 【先前技術】 在以第7圖所示之焊錫凸塊將電子零件搭載連接於基 板上時，該焊接的溫度曲線係考慮對電子零件所造成之熱 衝擊和浸溼等焊接性而決定（仲田周次；往後之微焊接技 術，工業調查會、1991、 P.174〜P.179)。 另外，存在有種種之迴焊裝置，而且依據連接之電子 零件和基板的大小，其連接條件也不同。 那些連接條件，即加熱條件，主要是由焊錫之浸溼性 和電子零件的耐熱溫度所決定。 第1圖顯示其代表性的迴焊條件，第2圖顯示第1圖 之220°C以上的部份。 【發明內容】 發明揭示（發明槪要） 在先前的技術中，迴焊條件對焊接後之連接強度所造 成的影響，完全未被考慮到。 即在第1圖之迴焊條件中，在1片基板上連接大小不 同的多數電子零件（含半導體裝置）時，由於熱容量差存 在，所以對小電子零件的連接部施以高的加熱過程。熱負 (2) (2)1222197 載如太大，連接界面強度降低，會產生在界面破壞之問題 〇 另外，在進行重工時，對存在於其周邊之電子零件的 連接部施以加熱過程，又重工次數如增加，加熱過程被累 算。如此加熱過程一被累算，熱負載在電子零件和基板的 連接部會變大，在連接界面破壞的可能性提高。 特別是在使用於連接的焊錫如使用以Sn爲主成分， 含Ag及Cu之至少其中一方的無鉛焊錫（特別是，Sn-3( 重量％)Ag-0.5(重量％)Cu)時，對熱負載顯著變得脆弱。 此係無鉛焊錫含多量的容易與電極部之包覆材料反應之 Sn，而且焊錫之融點也比Sn37Pb高，因此作業溫度變高 ，對界面強度造成之影響更大所致。 即本申請案之發明的目的之一爲：提升在利用無鉛焊 錫以將電子零件構裝在電子基板的電極時之電子裝置的連 接可靠度。 另外，本申請案之發明的另一目的爲提供：適用於此 種連接之迴焊條件、適用該種連接之半導體裝置。 上述目的是以如下之形態而獲得解決。 在以含Ag、Cu而以Sn爲主成分之無鉛焊錫連接具 有以Ni和P爲主成分之金屬層的半導體裝置，和具備端 子的電子電路基板時，如以220°C以上、2 50 °C以下之溫 度，加熱配置在電子電路的金屬層和電子電路基板的端子 間之焊錫40秒以上、80秒以下予以接合時，可以提升電 子電路基板和半導體裝置間的接合可靠度，所以能夠提升 (3) (3)1222197 電子裝置之可靠度。 上述加熱條件之220 °C以上的平均溫昇速度或者平均 降溫速度如設爲〇.7°C / s以上、4.0°C / s以下，更可以 提升連接可靠度。 上述加熱條件如以2 3 0 °C / s以上之溫度加熱焊錫3 5 秒以上，更可以提升連接可靠度。 【實施方式】 發明的最好實施形態 (實施例1 ) 利用第7圖之流程來說明本發明之連接技術。 第7 ( a )圖係焊錫加熱前之狀態，第7 ( b )圖爲焊 錫加熱後狀態。 在電子電路基板14的在構成電子電路的一部份之Cu 電極銲墊（或者配線）10上形成以無電解Ni-P電鍍之金 屬層和印刷Sn3 AgO. 5 Cu之焊錫膏的焊錫層。 電子零件9係在其背面形成電極10，在電極10上形 成 Ni之金屬層1 1，在該金屬層1 1上以初期迴焊 Sn3Ag0.5Cu之焊錫球，以形成焊錫凸塊12。 在此種電子零件A(28mm四方、256腳、1.27mm間 距、銲墊直徑0.6mm)、電子零件B(18mm四方、256腳 、0.8間距、銲墊直徑0.4mm)、電子零件C(5mm四方、8 腳、1.2 7mm間距、銲墊直徑0.6 mm)之3種半導體產品（ 封裝零件）形成凸塊，連接在電子電路基板。 -8- (4) (4)1222197 第3圖顯示對電子電路基板的連接條件。 如第3圖所示，零件A之焊錫凸塊形成，是在最高 溫度240°C、217°C以上之熔化時間30s的條件下進行， 零件B之焊錫凸塊形成，是在最高溫度24 5 °C、217°C以 上之熔化時間3 4 s之條件下進行，零件C之焊錫凸塊形成 ，是在最高溫度25 5 °C、217°C以上的熔化時間38s之條 件下進行。 製作以以上之條件來連接電子零件之電子基板共20 片，加以迴焊，進行衝擊彎曲試驗，評估連接可靠度。 不管全部之封裝零件上面中央部的溫度是在第1圖所 示之連接條件內接合，在最小且連接條件達到最高溫度 2 5 5 °C的零件C共20個中，於7個之測試基板由連接界面 破壞。 由此，知道即使以第1圖之曲線資料連接，也可能產 生連接不良。 (實施例2 ) 對於25mm四方、256腳（1.27mm間距、銲墊直徑 0.6mm )之封裝零件，進行藉由焊錫球之凸塊形成後，利 用焊錫膏連接於測試基板，焊錫球爲Sn3 AgO. 5 Cu (焊錫 球直徑0.75mm)，焊鍚膏爲Sn3 AgO · 5 Cu，在電極銲墊中 使用無電解Ni-P電鍍（厚度8mm)以作爲包覆材料。焊 錫凸塊形成係在最高溫度24(TC、217°C以上之熔化時間 40s之條件下進行。對基板的連接條件設爲最高溫度230 -9 - (5) (5)1222197 °C、240°C、250°C ，Sn3 AgO. 5Cu 焊錫膏之融點 2 17 °C 以 上的熔化時間設爲40s、160s、240s予以連接。連接後進 行衝擊彎曲試驗，評估連接可靠度。第4圖顯示衝擊彎曲 試驗結果。由第4圖知道，在25 0°C、90s以上，240°C、 160s以上時，會發生連接界面的破壞。但是，在2 5 0 °C、 4 0 s，2 4 0 °C、9 0 s以下時，在衝擊彎曲試驗下，並無破壞 ，知道爲良好之連接。由以上，可決定在連接可靠度不降 低之區域，即最高溫度25 (TC時，以 220 °C以上之熔化時 間在80s以內，最高溫度240°C時，220°C以上之熔化時 間在150s以內爲適當條件。第5圖顯示對基板的連接適 當條件中，最高溫度250°C之情形。另外，第6圖顯示第 5圖之220t以上之部份。 由第4圖以及第6圖可以明白，在製造具有形成有藉 由形成在以Ni和P爲主成分之金屬層上之Sn-Ag-Cu系之 無鉛焊錫所形成的凸塊的半導體裝置，和具備電極之電子 電路基板的電子裝置之際，藉由在220°C以上、25 0 °C以 下之溫度區間將無鈴焊錫加熱4 0秒以上、8 0秒以下，可 以提升連接可靠度。 另外，在第6圖之2 1 7 °C以上範圍中，使加熱溫度的 平均溫昇速度或者平均降溫速度在0.7°C/s以上、4.0°C /s以下，可以更提升連接可靠度。 另外，使焊錫在25〇t以下、23〇°C / s以下的溫度加 熱3 5秒以上，可以進一步提升連接可靠度。 另外，由半導體裝置製造商和電子零件製造商將以下 -10- (6) (6)1222197 資訊··在具有以Ni和p爲主成分的金屬層上所形成的 Sn-Ag-Cu系的無錯焊錫構成之凸塊之半導體裝置中，可 以在2 2 0 °C以上、2 5 〇 °C以下之溫度範圍加熱上述無鉛焊 錫4 0秒以上、80秒以下和電子零件一齊以書面或者網際 網路公開給使用半導體裝置者時，身爲電子零件之使用者 的電子裝置製造商（set maker)便可以提供連接可靠度高 的電子電路裝置。 (實施例3及4 ) 接著，爲了更廣泛適用這些連接條見，一再檢討之結 果，得知以以下方法產生溫度曲線最好。 另外，形成在檢討用的電極上之電鍍層膜質因批次、 電鍍材料之製造商、電鍍裝置而不同，所以和上述實施例 多少有些誤差。 第8圖爲顯示求得不降低連接界面強度的溫度曲線的 流程圖。首先，使熔化溫度和熔化時間改變，在基板的連 接銲墊上連接焊錫。爲了簡化，以保持第9圖所示之熔化 溫度爲一定之溫度曲線進行連接。之後，以不同之條件進 行剪斷試驗，以此求得在連接界面不產生破壞之適當迴焊 條件的範圍。以此條件試驗之適當迴焊範圍爲基礎，判定 連接溫度曲線是否適當。 但是，此求得之適當迴焊範圍爲一定溫度的加熱曲線 之故’與第10圖使用在量產時之具有峰値的曲線不同， 所以無法原樣適用該適當迴焊範圍。因此，有無產生界面 -11 - (7) 1222197 破壞是由熱負載所決定，同樣由熱負載所決定之化合物厚 度相同則表示被給予同等之熱負載，以此想法爲基礎，利 用計算將一定溫度之加熱曲線的適當迴焊範圍轉換爲具有 峰値的加熱曲線的適當迴焊範圍。 如依據佐籐等：高可靠度微焊接技術，工業調查會， P. 2 3 3〜23 9，化合物厚度係遵循式（1 )、（ 2 )所示之擴 散的/ t法則。 [數1] X二涵 —式（1) D-Z)〇 exp(-0/^7) _ -μ Χ(μπι):擴散距離（化合物厚度） T(K):焊錫熔化溫度 D(pm2/s):外觀擴散常數 D〇(gm2/s):頻度因子 t(s):時間（融點以上之熔化時間）Q(eV):活化能 k(eV/K):波耳茲曼常數 (Boltzmann’s constant) -5、 ( = 8.62X10 )
Γ-217«(rmax-217)Sin (〇 … -式⑶
Tmax :最高溫度（°c ) ，tm : 217°c以上熔化時間（S) -12- (8)1222197 义-=Σ 2A) exp〔·^^
Att = 2D0 exp^ - Q ^:(250+ 273)' ^250 —式（4) t2 5(): 2 5 0 t： —定溫度曲線換算熔化時間（s) 式（2 )中，藉由求取擴散常數的頻度因子D〇和活化 能Q，熔化溫度和熔化時間如決定，可單一決定化合物厚 度。因此，首先進行焊錫和連接銲墊之界面的剖面觀察， 求得形成在界面之化合物厚度，由此求得之化合物厚度進 行阿倫尼烏斯（Arrhenius，Svante August)繪圖，求得式 (2 )之頻道因子D〇和活化能Q。而且，如第1 1圖，對 於具有1個峰値之任意的曲線，使焊錫之融點以上的部份 近似正弦半波，在將其分割之各微小區間中，由所獲得之 頻道因子D〇和活化能Q計算化合物厚度，藉由將其全部 加總，可以求得全部熱負載之化合物厚度。設給予成長此 厚度之化合物的熱負載之一定溫度的加熱曲線與具有1個 此峰値之曲線等效，由所獲得之一定溫度的加熱曲線條件 下之適當迴焊範圍以求得具有1個峰値之曲線的適當迴焊 範圍。式（3 )爲顯示曲線之近似式，式（4 )爲表示轉換 爲2 5 (TC —定溫度曲線之轉換式。 由上式，可以獲得具有1個如第1 〇圖之峰値的曲線 條件的不降低連接界面強度之適當迴焊範圍。在此獲得之 適當迴焊範圍進行焊錫連接，能夠獲得在量產時連接界面 強度不會降低之連接。 -13- (9) (9)1222197 (實施例3 ) 首先，對於具有Cu/電解Ni電鍍/Au之包覆材料構造 的電極銲墊之基板，在銲墊上熔化連接Sn3Ag0.5Cii之焊 錫球，形成焊錫凸塊。此時的連接條件爲如第9圖所示之 一定溫度曲線，熔化溫度爲2 3 0 °C、2 4 0 °C、2 5 0 °C，時間 爲 5s、10s、30s、60s、120s、180s，分別改變其熔化時 間以形成凸塊。另外，由此剪斷試驗結果，求得此次評估 的包覆材料的適當迴焊範圍。第1 3圖顯示適當迴焊範圍 。判定連接界面強度降低的基準爲：以破壞模式爲之，將 全部的凸塊都在焊錫內破壞時當成沒有強度降低，在焊錫 和包覆材料的界面即使有1個凸塊破壞時則判斷爲強度降 低。剪斷凸塊數分別設爲1 0個凸塊。 接著，在個別形成的凸塊中，對於熔化溫度23 0°C、 240°C、25(TC，熔化時間180s的條件之凸塊，以SEM進 行剖面觀察。第1 4圖顯示觀察照片的例子。由此照片求 得化合物厚度，將熔化溫度的倒數和外觀擴散常數的關係 當成阿倫尼烏斯圖顯示。第1 5圖顯示阿倫尼烏斯圖。以 此阿倫尼烏斯圖爲基礎，由式（1 ) 、（ 2 )之擴散的/" t 法則以求得頻度因子D〇和活化能Q。頻度因子D〇爲 D〇 = 5.56X106(mm2/s)，活化能 Q 爲 Q = 〇.93(eV)。
接著’以所獲得之頻度因子D〇、活化能Q之値爲基 礎，將第13圖的適當迴焊範圍轉換爲具有1個峰値之溫 度曲線的適當迴焊範圍。對於在被認爲適於當成 Sn3 Ag〇. 5Cu之焊錫球的連接條件之最高溫度225〜260°C -14- (10) (10)1222197 的範圍中，以1°C爲1刻度、熔化時間10〜100s之範圍 中，以1 〇°C爲1刻度的具有1個峰値的溫度曲線全部， 如第1 1圖所示，將近似正弦半波後的曲線分割爲微小區 間，以所獲得之頻度因子Do和活化能Q之値爲基礎，利 用式（1 ) 、（ 2 )，計算各微小區間的化合物厚度，然後 求得全部熱負載的化合物厚度，予以資料庫化。在第13 圖之適當迴焊範圍中，在25 0°C時60s下，連接界面強度 降低，所以認爲此條件爲適當、不適當之|界，由此資料 庫求得相當於在此條件連接時的化合物厚度之具有1個峰 値溫度曲線的範圍。第1 6圖顯示具有1個峰値溫度曲線 的適當迴焊範圍。也同時顯示爲了簡化而將凸塊形成條件 、基板的迴焊條件、重工時之熱負載條件都設爲相同條件 而加以計算且重工次數也加以考慮之適當迴焊範圍。 接著，進行第1 6圖所獲得之具有1個峰値的溫度曲 線的適當迴焊範圍的驗證。對於具有Cu/電解Ni電鍍/Au 之包覆材料構造的電極銲墊之基板，在銲墊上熔化連接 Sn3 AgO. 5 Cu之焊錫球，形成焊錫凸塊。熔化條件係使用 ••最高溫度爲24(TC，在Sn3Ag0.5Cu之融點217°C以上 的熔化時間爲20s、35s、50s、80s之具有1個峰値的溫 度曲線，對於個別之樣本給予1次〜4次之熱負載。之後 ，對於形成之焊錫凸塊進行剪斷試驗。以217°C以上之熔 化時間熔化時間20s連接，迴焊次數爲1次至4次之樣本 全部，其結果在焊錫內破壞，在熔化時間3 5 s、4次迴焊 品，在熔化時間50s、3次及4次迴焊品，在熔化時間80s -15- (11) (11)1222197 、2次、3次、4次迴焊品中，都產生破壞。由以上，可 以驗證第1 6圖之具有1個峰値的溫度曲線之適當迴焊範 圍爲正確。 (實施例4 ) 接著，對於具有Cu/電解Ni電鍍/Au之包覆材料構造 的電極銲墊之基板，在銲墊上熔化連接Sn3Ag0.5Cu之焊 錫球，形成焊錫凸塊。此時的連接條件爲如第9圖所示之 一定溫度曲線，熔化溫度爲230°C、240°C、250°C，時間 爲 5s、10s、30s、60s、120s、180s，分別改變其熔化時 間以形成凸塊。之後，對於形成之凸塊，進行剪斷試驗。 第17圖顯示剪斷試驗結果。另外，由此剪斷強度結果以 求得此次評估之包覆材料的適當迴焊範圍。第1 8圖顯示 適當迴焊範圍。判定連接界面強度降低的基準爲：以破壞 模式爲之，將全部的凸塊都在焊錫內破壞時當成沒有強度 降低，在焊鍚和包覆材料的界面即使有1個凸塊破壞時則 判斷爲強度降低。剪斷凸塊數分別設爲1 〇個凸塊。 接著，以熔化溫度23 0°C、250°C、2 70 °C，熔化時間 180s的條件形成凸塊，以SEM進行剖面觀察。第19圖顯 示觀察照片的例子。由此照片求得化合物厚度，將熔化溫 度的倒數和外觀擴散常數的關係當成阿倫尼烏斯圖顯示。 第2 0圖顯示阿倫尼烏斯圖。以此阿倫尼烏斯圖爲基礎， 由式（1 ) 、（ 2 )之擴散的，t法則以求得頻度因子D0和 活化能Q。頻度因子D。爲D〇 = 5.77Xl〇 (mm2/s)，活化能 -16- (12) (12)1222197 Q 爲 Q = 0.3 l(eV)。 接著，以所獲得之頻度因子D〇、活化能Q之値爲基 礎，將第1 8圖的適當迴焊範圍轉換爲具有1個峰値之溫 度曲線的適當迴焊範圍。對於在被認爲適於當成 Sn3Ag0.5Cu之焊錫球的連接條件之最高溫度2 2 5〜2 6 0 °C 的範圍中，以1°C爲1刻度、熔化時間10〜100s之範圍 中，以10 °C爲1刻度的具有1個峰値的溫度曲線全部， 如第11圖所示，將近似正弦半波後的曲線分割爲微小區 間，以所獲得之頻度因子Do和活化能Q之値爲基礎，利 用式（1 ) 、（ 2 )，計算各微小區間的化合物厚度，然後 求得全部熱負載的化合物厚度，予以資料庫化。在第18 圖之適當迴焊範圍中，在250 °C時60s下，連接界面強度 降低，所以認爲此條件爲適當、不適當之邊界，由此資料 庫求得相當於在此條件連接時的化合物厚度之具有1個峰 値溫度曲線的範圍。第2 1圖顯示具有1個峰値溫度曲線 的適當迴焊範圍。也同時顯示爲了簡化而將凸塊形成條件 、基板的迴焊條件、重工時之熱負載條件都設爲相同條件 而加以計算且重工次數也加以考慮之適當迴焊範圍。 接著，進行第2 1圖所獲得之具有1個峰値的溫度曲 線的適當迴焊範圍的驗證。對於具有Cu/電解Ni電鍍/Au 之包覆材料構造的電極銲墊之基板，在銲墊上熔化連接 Sn3 AgO. 5 Cu之焊錫球，形成焊錫凸塊。熔化條件係使用 ••最高溫度爲240°C，在Sn3Ag0.5Cu之融點217°C以上 的熔化時間爲15s、25s、35s、60s之具有1個峰値的溫 -17- (13) (13)1222197 度曲線，對於個別之樣本給予1次〜4次之熱負載。之後 ，對於形成之焊錫凸塊進行剪斷試驗。剪斷凸塊數分別設 爲10個凸塊。以21 以上之熔化時間熔化時間15s連 接，迴焊次數爲1次至4次之樣本全部，其結果在焊錫內 破壞，在熔化時間2 5 s、4次迴焊品，在熔化時間3 5 s、3 次及4次迴焊品，在熔化時間60s、2次、3次、4次迴焊 品中，都產生破壞。由以上，可以驗證第2 1圖之具有1 個峰値的溫度曲線之適當迴焊範圍爲正確。 對於伴隨以往完全未被考慮之熱容量差和重工等所引 起的熱負載增加所導致的連接界面強度降低的問題，藉由 利用本發明，在如第1 6圖所示之具有1個峰値的任意溫 度曲線中，可以求得不會有連接界面強度降低的良好連接 之適當迴焊範圍。 如以上所述，如依據本申請案所記載之發明，可以抑 制電子裝置的連接界面強度的降低。 產業上的利用可能性 另外，本發明爲關於半導體裝置的發明，有利用在產 業上之可能性。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示利用焊錫凸塊連接之電子零件連接在一 般基板之連接條件圖。 第2圖係顯示利用焊錫凸塊連接之電子零件連接在一 般基板之連接條件的220 °C以上的部份圖。 -18- (14) (14)1222197 第3圖係顯示在實施例1中，3個封裝零件連接在測 試基板的連接條件圖。 第4圖係對於實施例2中，在上述封裝零件形成凸塊 ，藉由焊錫膏連接在基板之樣本，所做的衝擊彎曲試驗評 估結果圖。 第5圖係第2實施例中，由上述衝擊彎曲試驗評估結 果所求得之最高溫度250°C時的適當連接條件。 φ 第6圖係顯示在實施例2中，由上述衝擊彎曲試驗評 估結果所求得之最高溫度2 5 0 °C之適當連接條件的2 2 0 °C 以上部份之圖。 第7圖係顯示電子零件和電子電路基板的接合流程圖 〇 第8圖係顯示求取連接界面強度不會降低的適當迴焊 範圍之方法的流程圖。 第9圖係顯示使熔化溫度爲一定之溫度曲線例（250 °C 一定）圖。 _ 第1 0圖係顯示具有1個峰値的溫度曲線例圖。 第Π圖爲在具有1個峰値的曲線中，以正弦半波近 似焊錫融點以上之部份，加以分割爲微小區間之例。 第12圖係顯示在實施例3中，由一定溫度曲線所連 接的焊錫凸塊的剪斷試驗評估結果圖。 第1 3圖係顯示在實施例3中，由對於由一定溫度曲 線所連接的焊錫凸塊進行剪斷試驗評估所求得之適當迴焊 範圍圖。 -19- (15) (15)1222197 第1 4圖係顯示在實施例3中，對於於由一定溫度曲 線所連接的焊錫凸塊，以SEM進行剖面觀察之例（250°C 、1 8 0 s熔化）圖。 第1 5圖係顯示在實施例3中，由一定溫度曲線連接 的焊錫凸塊之剖面SEM照片以求得化合物厚度，顯示出 熔化溫度之倒數和化合物厚度之平方關係的阿倫尼烏斯（ Arrhenius, Svante August )圖。 第16圖係顯示在實施例3中，對於具有1個峰値之 曲線條件的連接溫度適當迴焊範圍圖° 第17圖係顯示在實施例4中，由一定溫度曲線所連 接的焊錫凸塊的剪斷試驗評估結果圖。 第1 8圖係顯示在實施例4中，對於由一定溫度曲線 所連接之焊錫凸塊，進行剪斷試驗評估所求得之適當迴焊 範圍圖。 第1 9圖係顯示在實施例4中，對於由一定溫度曲線 所連接之焊錫凸塊，以SEM進行剖面觀察之例（25 0°C、 180s熔化）圖。 第20圖係顯示在實施例4中，由一定溫度曲線所連 接之焊錫凸塊的剖面SEM照片求得化合物厚度，顯示出 熔化溫度之倒數和化合物厚度之平方關係的阿倫尼烏斯圖 〇 第21圖係顯示在實施例4中，對於具有1個峰値之 曲線條件的連接溫度適當迴焊範圍圖。 -20- (16)1222197 【主 要元件對照表】 9 電子零件 10 電極 11 金屬層 12 銲墊 14 電子電路基板
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Claims (1)

  1. (1) (1)1222197 拾、申請專利範圍 i· 一種電子裝置之製造方法，是針對具有形成有凸 塊之半導體裝置，該凸塊是由形成在以Ni (鎳）和p (磷） 爲主成分之金屬層上的Sn-Ag-Cu系（錫-銀—銅）的無 鉛焊錫所形成；和具備電極之電子電路基板的電子裝置之 製造方法，其特徵爲： 在220°C以上、250 °C以下之溫度區間加熱上述無鉛 焊錫4 0秒以上、8 0秒以下。 2 ·如申請專利範圍第1項記載之電子裝置之製造方 法，其中，上述加熱溫度在220 °C以上的平均溫昇速度或 者平均降溫速度爲0.7°C /秒以上、4.0°C /秒以下。 3 ·如申請專利範圍第2項記載之電子裝置之製造方 法中，其中，在230 °C /秒以上之溫度加熱上述焊錫35 秒以上。 4· 一種半導體裝置，是針對具有以形成在以Ni (鎳 )和P(磷）爲主成分之金屬層上的Sn-Ag-Cu系（錫一銀 -銅）的無鉛焊錫所構成的凸塊之半導體裝置，其特徵爲 顯示上述無鉛焊錫可以在220 °C以上、25 (TC以下之 溫度區間加熱40秒以上、80秒以下之資訊被公開。 5· —種連接條件之算出方法，其特徵爲： 變電子零件的凸塊和電子電路基板的電極之連接條件 ，以進行焊錫連接，分別進行連接強度評估試驗，以求得 在電極和焊錫界面沒有產生破壞之連接條件。 -22- (2) (2)1222197 6 ·如申請專利範圍第5項記載之連接條件之算出方 法’其中，以上述熱負載爲基準，將上述連接條件轉換爲 具有相同熱負載之任意的連接條件以求得一般化之連接條 件。 7 ·如申請專利範圍第6項記載之連接條件之算出方 法’其中，以上述熱負載爲基準，將該良好之連接條件轉 換爲具有同樣熱負載而有1個溫度峰値之任意的連接條件 以求得一般化之連接條件。 8 ·如申請專利範圍第7項記載之連接條件之算出方 法，其中，以由上述熱負載所單一決定的連接界面的化合 物厚度爲基準，將該連接條件轉換爲具有同樣的化合物厚 度而有1個溫度峰値之任意的連接條件以算出一般化之連 接條件。
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