CN114211081A - Sn基无铅多晶焊点的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法，通过对载体焊盘进行预处理；将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面；所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％；回流焊接所述载体焊盘，并将所得产物转移并进行冷却处理，使载体焊盘表面形成Sn基无铅多晶焊点；所述回流焊接的峰值温度的持续时长为40～50s。能够获得细小的多晶体，增加晶界数量提高焊点的耐电迁移特性，进而有效提高焊点的力学和电学性能，提高焊点在恶劣环境下服役的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及材料制备与连接技术领域，尤其涉及一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法。
背景技术
焊点是微电子互连中不可或缺的组成部分，起到了机械连接、电信号传输和散热的作用。近些年，电子封装产品逐渐实现小型化和多功能化，封装密度不断提高，使得封装体中互连焊点承受了更高的电流密度和焦耳热。因此，封装体对焊点的可靠性具有较高的要求。
目前的制备方法制备得到的焊点存在可靠性不够好的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提出一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法。
基于上述目的，本申请提供了一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法，包括：
对载体焊盘进行预处理；
将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面；所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％；
回流焊接所述载体焊盘，并将所得产物转移并进行冷却处理，使载体焊盘表面形成Sn基无铅多晶焊点；所述回流焊接的峰值温度的持续时长为40～50s。
在一些实施例中，所述冷却处理的温度为～5℃～5℃，时长为10～15min。
在一些实施例中，所述冷却处理的温度为～5℃，时长为10min。
在一些实施例中，所述Sn基无铅焊膏选自Sn3.0Ag0.5Cu、Sn3.5Ag或Sn0.3Ag0.7Cu；所述载体焊盘选自铜条、印制板上的沉积铜盘或倒装芯片表面的凸点焊盘。
在一些实施例中，所述回流焊接的峰值温度为220℃～235℃。
在一些实施例中，所述载体焊盘为铜条，所述焊膏为Sn3.5Ag，所述回流焊接的峰值温度为230℃，时长为45s。
在一些实施例中，所述载体焊盘为PCB印制板上的沉积铜盘，所述焊膏为Sn3.0Ag0.5Cu，所述回流焊接的峰值温度为225℃，时长为50s。
在一些实施例中，所述将所得产物转移并进行冷却处理具体包括：将所述所得产物转移至冷箱中进行冷却处理。
在一些实施例中，所述预处理包括对所述载体焊盘依次进行丙酮溶液清洗和体积分数为3％的硝酸水溶液清洗。
从上面所述可以看出，本申请提供的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，通过对载体焊盘进行预处理；将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面；所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％；回流焊接所述载体焊盘，并将所得产物转移并进行冷却处理，使载体焊盘表面形成Sn基无铅多晶焊点；所述回流焊接的峰值温度的持续时长为40～50s。能够获得细小的多晶体，增加晶界数量提高焊点的耐电迁移特性，进而有效提高焊点的力学和电学性能，提高焊点在恶劣环境下服役的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例的Sn基无铅多晶焊点的制备流程示意图；
图2为实施例1的载体焊盘铜条的对接焊点的尺寸示意图；
图3为实施例2的制备得到的BGA封装的结构示意图；
图4为实施例1的对接焊点的晶体取向的示意图；
图5为实施例2的对接焊点的晶体取向的示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
一些封装体中，较高的电流密度和温度的作用促进电迁移现象的发生，使金属原子从负极向正极迁移，导致负极处基板与界面金属间化合物(Intermetallic Compounds,IMC)溶解，产生空洞及裂纹，正极处大量IMC形成，从而加速焊点的失效，缩短焊点的寿命，成为互连焊点中重要的可靠性问题。因此，使得该种类型的封装体，对焊点的可靠性具有很高的要求。
对于一些无铅焊点，晶粒取向对该焊点的电迁移、热疲劳等可靠性起到重要作用。而无铅焊点通常由一个或三个Sn晶粒构成，因此，焊点的可靠性更易受到晶粒取向的影响。而目前焊点晶粒取向具有单一性，耐电迁移性较差。
基于此，本申请实施例提供了一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法，破坏Sn基无铅焊点晶粒取向的单一性，得到多取向的Sn基无铅多晶焊点，增加晶界数量，进而提高焊点的耐电迁移特性。能够在一定程度上解决焊点晶粒取向具有单一性，耐电迁移性较差的问题。
请参阅图1，本申请实施例提供Sn基无铅多晶焊点的制备方法，包括：
S100,对载体焊盘进行预处理；
S200,将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面；所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％；
S300,回流焊接所述载体焊盘，并将所得产物转移并进行冷却处理，使载体焊盘表面形成Sn基无铅多晶焊点；所述回流焊接的峰值温度的持续时长为40～50s。
在一些实施例中，在步骤S100中，载体焊盘可以选自铜条、印制板上的沉积铜盘或倒装芯片表面的凸点焊盘等常见的焊接。
在一些实施例中，预处理可以为清洗处理，以去除载体焊盘表面的污染物和氧化物等，避免有机污染物和氧化物等对使Sn基无铅焊膏能够更好地附着在载体焊盘上。
在一些实施例中，清洗处理可以为化学清洗，即采用化学溶剂进行清洗。化学溶剂可以例如丙酮溶液和硝酸水溶液等。具体地，分别采用丙酮溶液和体积分数为3％的硝酸水溶液清洗所述载体焊盘。也即，所述预处理包括对所述载体焊盘依次进行丙酮溶液清洗和体积分数为3％的硝酸水溶液清洗。
在一些实施例中，在步骤S200中，所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％。可以理解为，Sn基无铅焊膏选用的是Sn的质量分数大于95％的Sn基无铅钎料。
在一些实施例中，Sn的质量分数大于95％的Sn基无铅焊膏，可以选自常用的Sn基无铅钎料，例如Sn3.0Ag0.5Cu、Sn3.5Ag或Sn0.3Ag0.7Cu等。
在一些实施例中，将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面具体可以通过将Sn基无铅焊膏填充至两条待焊接的铜条表面；或者可以通过将Sn基无铅焊膏的焊球植球至BGA元器件表面。
在一些实施例中，在步骤S300中，回流焊接可以在回流焊炉中进行。应当说明的是，在回流焊接之前，还包括将表面预置有Sn基无铅焊膏的载体焊盘置于PCB印制板上。而回流焊接之后，即将载体焊盘焊接至PCB印制板上。可以理解为，回流焊接之后，得到的焊点成分为载体焊盘/Sn基无铅焊膏/PCB印制板。
在一些实施例中，回流焊接时，峰值温度可以为220℃～235℃，峰值温度的持续时间可以为40～50s。具体的峰值温度和峰值温度的持续时间与焊膏的材料种类有关。
在一些实施例中，具体可以通过转移至冷箱中进行冷却处理。也即，所述将所得产物转移并进行冷却处理具体包括：将所述所得产物转移至冷箱中进行冷却处理。通过在回流焊接的峰值温度220℃～235℃持续40～50s后，转移至冷箱中冷却，可以破坏Sn基无铅焊点晶粒取向的单一性，制备得到Sn基无铅多晶焊点，增加Sn基无铅多晶焊点的晶界数量提高焊点的耐电迁移特性，同时还能提高焊点的成型状态、拉伸、蠕变、老化、热疲劳和电迁移等行为。
在一些实施例中，所述冷却处理的温度可以为～5℃～5℃，冷却处理的时长可以为10～15min。通过该种参数的冷却处理，配合峰值温度220℃～235℃持续40～50s的回流焊接，能够进一步降低焊接的冷却时长，提高过冷度，得到细小的多晶焊点，进一步提高焊点的耐电迁移特性，同时还能进一步提高焊点的成型状态、拉伸、蠕变、老化、热疲劳和电迁移等行为，使制备所得的Sn基无铅多晶焊点具有良好的可靠性。
应当说明的是，冷却处理之后，还包括取出至室温。
在一些实施例中，所述载体焊盘为铜条，所述焊膏为Sn3.5Ag，所述回流焊接的峰值温度为230℃，时长为45s。冷却处理的温度为～5℃，时长为10min。制备得到的焊点为Sn基无铅多晶焊点。
在一些实施例中，所述载体焊盘为PCB印制板上的沉积铜盘，所述焊膏为Sn3.0Ag0.5Cu，所述回流焊接的峰值温度为225℃，时长为50s。冷却处理的温度为～5℃，时长为10min。制备得到的焊点为Sn基无铅多晶焊点。
本申请实施例提供的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，通过将Sn的质量分数大于95％的Sn基无铅焊膏，预置于经过丙酮溶液和硝酸溶液清洗的载体焊盘上，再将载体焊盘置于PCB印制板上，在回流焊炉中，峰值温度为220℃～235℃时持续40～50s后，转移至温度为～5℃～5℃的冷箱中冷却10～15min，并取出至室温。能够降低冷却时长，提高过冷度，避免晶粒粒径较大，获得粒径细小的多晶体Sn基无铅焊点，提高焊点的晶界数量，进而提高焊点的耐热疲劳和耐电迁移等行为，使焊点能够承受封装产品中的高电流密度和焦耳热，具有良好的可靠性。避免一些焊点的Sn晶粒取向对焊点可靠性不利，降低焊点在电子产品使用中提前失效的风险，进而提高电子产品的寿命。同时还能提高焊点的成型状态、拉伸、蠕变、和耐老化等性能。
下面结合具体实施方式来进一步说明本申请的技术方案。
下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
下述实施例中所用的试验材料，如无特殊说明，均为自常规生化试剂商店购买得到的。
实施例1
试验材料：载体焊盘为铜条410(纯度大于99.99wt％)，如图2所示，尺寸为500μm(±50μm)×500μm(±50μm)×20mm(±5μm)。对接焊点的截面尺寸为350μm×400μm，焊缝宽度为200μm。焊膏为Sn3.5Ag。
试验方法：将铜条410放入丙酮溶液中，用超声波清洗3～5min，以去除铜条表面污染物；将铜条410取出，放入提前配置好的3vol.％(体积分数)硝酸水溶液中，用超声波清洗5～10min，去除铜条410表面氧化物；接着将铜条410取出，用乙醇溶液清洗并烘干。
将清洗干净的两根铜条410置于PCB印制板上且截面相对，印制板尺寸应满足铜条410的加工尺寸，且预留180～220μm的间隙420，以便填充焊膏。
采用填充工艺将Sn3.5Ag钎料焊膏填入于两个铜条410的间隙420。
将上述处理好的样品放入回流焊炉中进行重熔，回流炉焊接最高温度为230℃，持续时间为45s后，转移至-5℃的冷箱中冷却，保温10min后置于室温，获得Sn3.5Ag对接焊点。所得焊点成分为Cu/Sn3.5Ag/Cu。
实施例2
试验材料：BGA焊点制备基体(也即载体焊盘)为铜焊盘。该铜焊盘采用PCB印制板沉积形成，焊盘直径为180μm。焊膏为Sn3.0Ag0.5Cu。
试验方法：将铜焊盘放入丙酮溶液中，用超声波清洗1～2min，去除铜焊盘表面污染物；将铜焊盘取出，放入提前配置好的1vol.％硝酸水溶液中，用超声波清洗1～2min，去除表面氧化物；最后将铜焊盘取出，用乙醇溶液清洗并烘干。
提前将Sn3.0Ag0.5Cu的焊球植球于铜焊盘(也即BGA元器件)上，之后将铜焊盘表贴于涂有Sn3.0Ag0.5Cu焊膏的PCB印制板520上。
将上述处理好的样品放入回流焊炉中进行重熔，回流炉焊接峰值温度为225C，持续时间为50s，并转移至-5℃的冷箱中冷却，保温10min后置于室温，获得Sn3.0Ag0.5Cu的Sn基无铅多晶BGA焊点510。制备所得的BGA封装如图3所示，所得Sn基无铅多晶BGA焊点510直径约为300μm，Sn基无铅多晶BGA焊点510成分为Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu。
测试例
对实施例1和实施例2制备所得的Sn基无铅多晶焊点进行磨抛；对获得的样品获取观察面的电子背散射衍射(Electron Back-scattered Diffraction,EBSD)数据，观察焊点的晶体取向，确定对接焊点是否为具备多晶晶体结构。
测试结果见图4和图5。
由图4和图5可见，本实施例1～实施例2制备得到的Sn基无铅多晶焊点具有多种晶体取向。因此，本申请通过设置通过将Sn的质量分数大于95％的Sn基无铅焊膏，预置于经过丙酮溶液和硝酸溶液清洗的载体焊盘上，再将载体焊盘置于PCB印制板上，在回流焊炉中，峰值温度为220℃～235℃时持续40～50s后，转移至温度为～5℃～5℃的冷箱中冷却10～15min，并取出至室温，具有破坏Sn基无铅焊点晶粒取向的单一性，制备得到Sn基无铅多晶焊点，增加Sn基无铅多晶焊点的晶界数量的效果。
需要说明的是，上述对本申请的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，包括：
对载体焊盘进行预处理；
将Sn基无铅焊膏预置于经过预处理的载体焊盘的表面；所述Sn基无铅焊膏中Sn的质量分数大于95％；
回流焊接所述载体焊盘，并将所得产物转移并进行冷却处理，使载体焊盘表面形成Sn基无铅多晶焊点；所述回流焊接的峰值温度的持续时长为40～50s。
2.根据权利要求1所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述冷却处理的温度为～5℃～5℃，时长为10～15min。
3.根据权利要求2所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述冷却处理的温度为～5℃，时长为10min。
4.根据权利要求3所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述Sn基无铅焊膏选自Sn3.0Ag0.5Cu、Sn3.5Ag或Sn0.3Ag0.7Cu；所述载体焊盘选自铜条、印制板上的沉积铜盘或倒装芯片表面的凸点焊盘。
5.根据权利要求4所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述回流焊接的峰值温度为220℃～235℃。
6.根据权利要求5所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述载体焊盘为铜条，所述焊膏为Sn3.5Ag，所述回流焊接的峰值温度为230℃，时长为45s。
7.根据权利要求5所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述载体焊盘为PCB印制板上的沉积铜盘，所述焊膏为Sn3.0Ag0.5Cu，所述回流焊接的峰值温度为225℃，时长为50s。
8.根据权利要求1所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述将所得产物转移并进行冷却处理具体包括：将所述所得产物转移至冷箱中进行冷却处理。
9.根据权利要求1所述的Sn基无铅多晶焊点的制备方法，其特征在于，所述预处理包括对所述载体焊盘依次进行丙酮溶液清洗和体积分数为3％的硝酸水溶液清洗。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1442892A (zh) * | 2002-02-28 | 2003-09-17 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置及电子装置的制造方法、焊接条件的计算方法 |
| CN101449373A (zh) * | 2006-05-26 | 2009-06-03 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法 |
| CN101740550A (zh) * | 2008-11-07 | 2010-06-16 | 株式会社瑞萨科技 | 带屏蔽装置的电子部件及其制造方法 |
| CN103008903A (zh) * | 2007-08-14 | 2013-04-03 | 株式会社爱科草英 | 无铅焊料组合物及使用它的印刷电路板与电子器件 |
| CN103639614A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-19 | 马鑫 | 一种具备尺寸效应的纳米级/微米级颗粒混合型无铅焊料膏及其制备方法 |
| CN104043911A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-17 | 深圳市汉尔信电子科技有限公司 | 一种可形成均匀组织焊点的无铅焊料及其焊接方法 |
| CN107138820A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-08 | 北京工业大学 | 一种保证对接单晶焊点晶粒取向一致的方法 |
| CN107876920A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-04-06 | 北京工业大学 | 一种具有超多细小晶粒对接焊点的制备方法 |
| CN210334675U (zh) * | 2019-04-11 | 2020-04-17 | 吴江市靖恒电子科技有限公司 | 一种回流焊用的温度梯度风冷装置 |
| CN212885569U (zh) * | 2020-08-10 | 2021-04-06 | 深圳市捷舜诚科技有限公司 | 基于脉冲激光的smt阶梯模板超精密焊接装置 |
| CN213560396U (zh) * | 2020-09-09 | 2021-06-29 | 苏州博美裕电子有限公司 | 一种电子线路板回流焊炉 |
-
2021
- 2021-12-15 CN CN202111537280.6A patent/CN114211081A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1442892A (zh) * | 2002-02-28 | 2003-09-17 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置及电子装置的制造方法、焊接条件的计算方法 |
| CN101449373A (zh) * | 2006-05-26 | 2009-06-03 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法 |
| CN103008903A (zh) * | 2007-08-14 | 2013-04-03 | 株式会社爱科草英 | 无铅焊料组合物及使用它的印刷电路板与电子器件 |
| CN101740550A (zh) * | 2008-11-07 | 2010-06-16 | 株式会社瑞萨科技 | 带屏蔽装置的电子部件及其制造方法 |
| CN103639614A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-19 | 马鑫 | 一种具备尺寸效应的纳米级/微米级颗粒混合型无铅焊料膏及其制备方法 |
| CN104043911A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-17 | 深圳市汉尔信电子科技有限公司 | 一种可形成均匀组织焊点的无铅焊料及其焊接方法 |
| CN107138820A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-08 | 北京工业大学 | 一种保证对接单晶焊点晶粒取向一致的方法 |
| CN107876920A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-04-06 | 北京工业大学 | 一种具有超多细小晶粒对接焊点的制备方法 |
| CN210334675U (zh) * | 2019-04-11 | 2020-04-17 | 吴江市靖恒电子科技有限公司 | 一种回流焊用的温度梯度风冷装置 |
| CN212885569U (zh) * | 2020-08-10 | 2021-04-06 | 深圳市捷舜诚科技有限公司 | 基于脉冲激光的smt阶梯模板超精密焊接装置 |
| CN213560396U (zh) * | 2020-09-09 | 2021-06-29 | 苏州博美裕电子有限公司 | 一种电子线路板回流焊炉 |
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