TWI222187B - Semiconductor device - Google Patents

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TWI222187B
TWI222187B TW092102177A TW92102177A TWI222187B TW I222187 B TWI222187 B TW I222187B TW 092102177 A TW092102177 A TW 092102177A TW 92102177 A TW92102177 A TW 92102177A TW I222187 B TWI222187 B TW I222187B
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plate
conductive plate
semiconductor device
conductive
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TW092102177A
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Noboru Sekiguchi
Kazuo Murakami
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

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五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域] 此發明係封裝之半導體裝置,特別是關於雖具備電 容,但可實現小型化、低成本之半導體裝置。 【先前技術】 圖9係為了說明以往之半導體裝置之構成之概略的剖 面圖。在圖中,51為半導體裝置。52為1(:晶片(半導體元 件)。53為搭載1C晶片52之框架。 54a以及54b係設置於1(:晶片52上之襯墊狀之電極(以 下,稱為襯墊),55a以及55b為焊接線(以下,稱為焊線 ),56a以及56 b為第一以及第二外部端子。焊線55a係連 接襯墊54a以及第一外部端子56a,焊線55b係連接襯墊54b 以及第二外部端子5 6 b。
57係有如覆蓋於除了襯墊54a以及54b之上面之外之IC 晶片52上而設置之保護膜。58係上述52〜57中,包覆除了 第一以及第二外部端子56a以及56b之一部份之後八于' 膠樹脂。 口|刀i蚵 發明内容:
由於如上述構成之故,有以下 【發明所欲解決之課題] 以往之半導體裝置51 所示之課題。 在半導體裝置51之構造中沒有形成電容之故’ 源一地線間之旁路電容器來使用之情況’與作為類比元件
1222187 五、發明說明(2) 使用時’為了改善元件的特性或調整之故,而電容變的必 要之情況時’一般會在1C晶片52内形成電容,或是在半導 體裝置5 1外附加電容。 在1C晶片52内形成電容之情況,例如,係以在1(:晶片 52之製造工程中,以Si之擴散層或閘極氧化膜等作為7電 質,來形成電容的方法廣為人知。又,在半導體裝置5丨外 部附加電容,係以,例如在系統基板上將電容器與半導體 裝置51共同安裝之方法廣為人知。 ° ^ 然而,在I C晶片5 2内形成電容之情況,由於有丨c曰片 52之面積變大成本便變高之課題,而在半導體裝置外:加 電容之情況,需要上述之電容器等電容元件之故,在電子 機器之小型化、低成本化之點上有具有限度的課題。 本發明’係為了解決上述之課題而成,藉由在封裝體 内具備電容,可使噪音對1C之影響降低,又,以得到 内之類比元件等之性能提高之半導體裝置為目的。 又丄本發明係以得到可實現IC晶片、電子機器之小型 化、低成本化之半導體裝置為目的。 【用以解決課題之手段】
與本發明有關之半導體裝置係包括:半導 架,:荅載該半導體元件;導電性板:: 持一定的間隔配置;外部端子?將二: 上述半導轉木及導電板予以電氣連接;以及封膠樹脂,將 疋件、框架及導電板予以包覆而封入。
1222187 五、發明說明(3) 有關之半 電板係由 有關之半 方向的平 ,框架之 酉己置。 有關之半 向的平板 ,其截面: 板與導電; 有關之半; 板之間 矩 ,° :形 之 .係 分 別 為 垂 直 方 向 之 水 平 方 係 分 別 為 垂 直 方 向 5 樞 架 之 配 置 Ο 之 間 > 以 具備保持間隔用之隔板 與本發明 板所構成,導 與本發明 複數片之水平 的平板所構成 向的平板交互 與本發明 一片之水平方 的平板所構成 垂直方向的平 與本發明 及鄰接之導電 【實施方式】 以下’說明本發明之實施形態。 實施形態1 ^ 圖1係表示根據本發明之實施形態丨之半 概略的構成之剖面圖。圖2〜圖4係的對於半崎 '凌置1之 架3,而為了將導電板3a平行配置之半導體裝件1之樞 部份之階段性的是意圖,由平面圖、正面、罝製程之一 成。 、側面圖組 在圖中,1為半導體裝置。2為1(:晶片(半 ),3為搭載I C晶片2之矩形之平板所構成之框加體元件 架3之材料,可考慮滿足強度與耐腐蝕性木。作為框 τ <各種適合
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者’例如,銅製的合金等為適合。 3 a:從:架3以一定的間隔,相對於框架3平行配置, 的合金適合來作為導電板33之2電性板)。以例如銅系 墊狀之電極( ’稱為焊線) 二外部端子 以下, ,6a為 (外部端 4a、4b係設置於ic晶片2上之概 稱為襯墊)。5 a〜5 d係焊接線(以下 第一外部端子(外部端子),6b為第 子)〇 k線5 a係連接概塾4 a與第 接導電板3a與第一外部端子6a 與第二外部端子6b,焊線5d係 6 b 〇 一外部端子6 a,焊線5 b係連 。又’焊線5 c係連接襯塾4 b 連接框架3與第二外部端子 7係在除了襯墊4a以及4b之上面之外如包覆^晶片2上 之保護膜° 8係將1C晶片2封裝之封膠樹脂,在上述2〜7 中’將除了第-外部端子63以及第二外部端子⑽的 之外全部包覆,封裝。 針二:=木3肖導電板h 2間隔,Μ係框架3與導電板 對向之區域。 在如上述構成之半導體裝置i中,在較框架3還下側之 匕含於領域S1之封膠樹脂8作為介電質層作動之故,萨 此包含於領域S1之部分之框架3、導電板3a、與介電‘層 來形成電$。封膠樹脂8具有介電率p,其電容值π如; 式所示。 電容值Cl = p X si /D1 ...... ( 1 ) 五、發明說明(5) 此電谷值C 1係具有為了使電一 與為:;整類比元件等之特性= 旁路電容, 的位適當的方法,而使其配置在既定 其滿足。例如稭由如下述來形成半導體裝置1,而可使 1 ·首先,將最終包含了 M π 外部端子6a以及第二外部工t ί :3、導電板3a、第-體化之連接體。此連接體 ::’將其全部形成- 構成要辛配置在既定的f / 元成後之時點上,使各個 者。使用此連接體,將製程進杆::接°P 4而預先組立 (圖2 )。 肝衣%進仃到封入封膠樹脂8之前 2. 在除了構成第一外部端子6a以及第二 -部分外之部分’以封膠樹脂8包覆而封入(圖。 之 3. 切斷上述連接部以及多餘的部分, 板3a、第一外部端子6a以及第_ +木3、導電 .,,χ 3 汉弟一外部端子6 b分別獨立。蕤 」政之封膠樹脂8,來使框架3與導電㈣之間以二 疋的間隔相互平行配置之狀態(圖4 ) 。 /、、 如上述,如預先使用所形成之連接體來形 置1,則可簡易的得到精巧之半導體裝置〗。 千V 衣 f置1如内上之 此實施型態1之半導體裝置1,在半導體 装置1内之IC BS片2之下側部分形成電容值㈠之故, 以往半導體裝置之面積之情況下,得到可以使電源噪音等 之對於半導體原件之壞影響降低之效果。 、’、 又,在藉由封膠樹脂8而封裝j C晶片2之製程中,流入 五、發明說明(6) i 及導電板3a之間隙令之封膠樹脂8直接作為介電質 製程等此,=形成電容值c 1之故,不需要形成介電質層之 裎,π ^而在以往之半導體裝置製作製程中追加新的製 到可以實現電容部分之形成之效 只%形態2 略之係表示才艮據本發明之實施%態2之+導體裝置之概 係從框架圖床\在圖中,η係半導體裝置。13a〜13c 三片(…^ 〇依序保持一定的間隔而平行配置之矩形之 :框二數Λ)平板所構成之導電板(導電性平板),從 之開始依序為,第-片之導電板…、第二片 守堯板I3b、第:η夕道痛*, 合作為笛 乐一月之導電板I 3C。以例如銅系的合金適 1弟一片〜第三片之導電板13a〜13c。 ^4a|^ 板Ua與第一外°= 子^連f,焊線15b係將第一片之導電 板13c與第一外\ ==接,焊線⑸係將第三片之導電 第一& 鳊子6 a連接。又,焊線1 5 d係將襯墊4 b盥 6 b以= 連Λ,焊線156係將框架3與第二外部端; 6b連接。次係將第二片之導電板13b與第二外部端子 二 =攸框架3依照順序以一定的間隔配置之第一片〜第 ^二之y電板133〜13〇:之分別的間隔。S2係框架3與第一片 之導電半13a〜13c之互相共通之對向的領域。 夕^人Ϊ上述所構成之半導體裝置1 1中,較框架3還下側 已含在領域S2之封膠樹脂8作為介電質層作動之故,藉
1222187 五、發明說明(7) 由此包含於領域S2之部分之框架3、第一 卜 板13a〜13c、以及介電質層,來开;a带〜片〜第二片之導電 之片數_ Μ,封膠樹脂8所擁有:介雷各。若導電性平板 C2如下式(2 )所示。 、率為Ρ ’則電容值 電容值C2 = (Ν —1 ) χ ρ χ S2 /D2 ••… 在此N=3之故,所以C2=2x ρχ s 此電谷值C2係為了 §周整將電源《立 及類比元件等之特性而使其具= 旁路電容以 由於其他之構成要素與實#彡能此 細的說明。 目同之故’省略詳 法,使其配置在既定的位置。例二=各之適當的方 若使用預先形成之連接體來形成半導體m相同, 的得到精巧之半導體裝置丨丨。 表置11,則可簡易 r梦ίϋ ’ ί據此實施型態2之半導體裝置",在丰道 體裝置11内之1C晶片2之下側部分 在+導 藉由封膠樹脂8封裝IC晶片值^。又,在 到與實施形態1相同之效果: ' s乍動。因此,可得 電板二广3 c於)具數:之導電板(第-片〜第三片之導 得到可調整,之電容可質不cf之力;/果導體裝置11之面積而可 三片又但ΐίί:】2之半導體裝置"中’導電性平板為 要求之電容值等,來適當的增減。
1222187 - M_ 五、發明說明(8) 實施形態3 概略Π系/示根據本發明之實施形態3《半導體裝置2ι之 載1(:”? 面圖。在圖*,21係半導體裝置。23係搭 的板所構成。23a係在框架23中,二片水平方&之斤今 23b係與兩片水平方向之平板23a連接之垂直平板。 24係從框架23開始,保持—定的間隔而配置之 (導電性板)。導電板24係與框架 \字;型之-片折變的板所構成。243係在门導電由二^片 之平板侧…水平方向之電平:2。 些框架23以及導電板24,框架23之水平方向之平柘 23巧5與=24之水平方向之平板2^ 襯塾1第外焊^線(以下,稱為焊幻 第一外部端子6a連接。x線心係將導電板24與 部端子6b連接,焊U孫汶,線…係將襯墊❹與第二外 接。 烊線5d係將框架23與第二外部端子61)連 D3係從框架23到導電柘?4夕叫 架23之水平方向之平:二 =之間隔。正確的說’係從框 向之平板24a之間㈤。S3係上9下側之導電板24之水平方 向之平板23a以及24a對向之區木域3。以及導電板24之水平方 之包置21中,較框架23還下側 之封膠树脂作為介電質層作動之故,藉由 2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd $ 12頁 1222187 五、發明說明(9) '一"· 此包含於領域S3之部分之框架23、導電板24、以及介電質 層’來形成電容。若水平方向之平板23a以及2 4a之合計片 數為N片,封膠樹脂8所擁有之介電率為p ,則電容值。如 下式(3)所示。 電容值C3 = (N ) X p X S3 /D3 ……(3 ) 此電容值C3係為了調整將電源噪音降低之旁路電容以 及類比元件等之特性而使其具有電容之機能。 由於其他之構成要素與實施形態丨相同之故,省略 細的說明。 11 導電板24係根據各種適當的方法,使其配置在既定的 位置,口,與實施形態"目同,若使用預先形成之連接 體來形成半導體裝置2 1,則可簡易的得到精巧之半導體 置 2 1。 ~ 如上述,根據此實施型態3之半導體裝置2丨,在半導 體裝置21内之1C晶片2之下側部分形成電容值。3。又,在 藉由封膠樹脂8封裝IC晶片2之製程中形成電容值C3。又, 封膠樹脂8之一部份直接作為介電質層作動。因此,可得 到與實施形態1相同之效果。 又,由於框架23以及導電板24之截面形狀為口字型, 水平方向之平板23a以及24b,都係垂直方向的平板23b以 及24b來保持間隔。因此,各水平方向之平板23a以及24& 間之間隔更正確。0此,電容值㈡的差異變少,而可得到 精度增加的效果。 又’在半導體裝置21中 框架23以及導電板24,係顯
I222l87
,由兩片水平方向之平板23a以及2 4a所構成之情況,但 是,框架以及導電板,也可分別由三片以上之複數 板來構成。 實施形態4 圖7係表示根據本發明之實施形態4之半導體裝置概略 之構成之剖面圖。在圖中,31係半導體裝置。33係搭載ic 晶片2之框架。框架33之截面形狀為梳齒狀,33a係框架 中一片水平方向之平板(以下,稱為水平板),33b係連 結水平板33a之複數片之垂直方向的平板(以下,稱為垂
直板)。垂直板33b,彼此保持一定的間隔平行配置。 34係從框架33開始,保持一定的間隔而平行配置之導 電板(導電性板)。導電板34係與框架33相同,截面形 為梳齒狀,34a係導電板34中一片水平方向之平板(以 :丄稱為水平板),34b係連結水平板34a之複數片之垂直 板(以下,稱為垂直板)。垂直板⑽彼此保持 一疋的間隔而平行配置。 係、焊接線(以下,稱為焊線)。焊線心係將 端子^垃部端子6a連接焊線35b係將導電板33a與外部
又,焊線35c係將襯墊4b與外部端子6b連 接,知線35d係將框架33與外部端子6b連接。 垂Λ4:從框架33之垂直板33b到與其相鄰之導電板34之 垂直板34b之間隔。S4係框架33以 與34b對向之區域。 守电板之垂直板33b 在如上述所構成之半導體裝置31中,較框架33還下
2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd 第14頁 1222187 五、發明說明(ll)
之包含在領域S4之封膠樹脂作為介電質層作動之故,藉由 此包含於領域S4之部分之框架33、導電板34、以及介電質 層’來形成電容。若垂直板3 3b以及34b之合計片數為N 片’封膠樹脂8所擁有之介電率為p,則電容值以如下式 (4 )所示。 電容值C4 = (N—1) X PXS4/D4...... (4) 此電容值C4係為了調整將電源嗓音降低之旁路電容以 及類比元件等之特性而使其具有電容之機能。 由於其他之構成要素與實施形態1相同之故,省略詳 細的說明。 導電板3 4係根據各種適當的方法,使其配置在既定的 位置。例如,與實施形態丨相同,若使用預先形成之連接 體來形成半導體裝置3 1,則可簡易的得到精巧之半導體 置3 1。 如上述,根據此實施型態4之半導體裝置3丨,在半導 體裝置31内之1C晶片2之下側部分形成電容值C4。又,/ 藉由封膠樹脂8封裝1C晶片2之製程中形成電容值C4。又, 封膠樹脂8之一部份直接作為介電質層作動。因此,可得 到與實施形態1相同之效果。 又,由於框架33以及導電板34之截面形狀為梳齒狀之 故,複數片之板3 3 b以及3 4 b係藉由平板3 3 a以及3 4 a來保持 間隔。因此,電容值C4之差異變少,而可得到精加之 效果。 < 實施形態5
1222187 五、發明說明(12) 圖8係表示根據本發明之實施形態之半導體裝置41概 略之構成之剖面圖。 實施形態5之半導體裝置,係在實施 ^之枢架3以及第一片〜第三片之導電板⑴〜13c之相鄰 導電板互相之間插入隔板4 9。 在圖中,4 1係半導體裝置。4 9係插入於框架以及第一 片~第三片之導電板(導電性板)13a〜13c之相鄰導電板互 相之間,為保持各板之間隔之隔板。在此插入於四角,保 Ϊ上ί之間隔。隔板49之材質可考慮種種適當者,從絕緣 性、為保持各板之間隔之硬度、對溫度•水分之对久性 之觀=看而使用適當者。例如,硬質樹脂與塑膠等。 “I :隔板49之方法’可考慮種種適當之方法。例如, 的方法,任何方法皆可。1 # i ^專〜、要疋適當 之故,省略詳細的說明。,、他構成要素與實施形態1相同 如上述,根據此實施形態5之半導體裝置41,除 板49之外其構成和半導體裝置 ”阳 形態2相同之效果衣置"相同之故,可得到與實施 又,框架3以及第一片〜笛一 u 13a〜13c之相料電板之^電μ ) 板49之故,電容值。2之差異變少f 了保/各板之間隔之隔 果。 I夕,可得到精度增加之效 隔 , ^ χ V收衣罝4 1中,顯示了關於將 板4 9之插入,摩用到奮姑j犯Α 了 L用J貝鼽形態2之半導體裝置η之例,
五、發明說明(13) 體裝置1。另外,也可為了 而應用於其他半導體裝 、搭載半導 疋的間隔而 電性板予以 、及導電性 置之故,在 容。因此, 到可以使電 果。 程中,流入 介電質層之 之製程等, 製程,就得 也沒有另外 成本之半導 1222187 但亦可適用於實施形態1之半導 保持框架、導電板之間隔目的 置。 【發明效果】 如上述,根據本發明,包括··半導體元件 體元件之框架、在框架之下側,從框架保持一 配置之導電性板、將半導體元件、框架、及導 電氣連接之外部端子、以及半導體元件、框架 才反予以包覆而封入之封膠樹脂而構成半導體裝 半導體裝置内之半導體元件之下側部分形成^ 可保持以往之半導體裝置之面積之狀態下,得 源。呆音等之對於半導體原件之壞影響降低之效 又,在藉由封膠樹脂封裝半導體元件之製 框架以及導電板之間隙中之封膠樹脂直接作為 機能,而形成電容之故,不需要形成介電質層 不需在以往之半導體裝置製作製程中追加新的 到可以實現電容部分之形成之效果。又,由於 準備介電質層之材料之必要,而可得到可控制 體裝置之效果。
2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd 第17頁 1222187 圖式簡單說明 圖1係表示根據本發明之實施形態1之半導體裝置之概 略的構成之剖面圖。 圖2係表示根據本發明之實施形態1之半導體裝置之將 導電性板配置在既定位置之一例之第一階段之製程圖。 圖3係表示根據本發明之實施形態1之半導體裝置之將 導電性板配置在既定位置之一例之第二階段之製程圖。 圖4係表示根據本發明之實施形態1之半導體裝置之將 導電性板配置在既定位置之一例之第三階段之製程圖。 圖5係表示根據本發明之實施形態2之半導體裝置之概 略的構成之剖面圖。 圖6係表示根據本發明之實施形態3之半導體裝置之概 略的構成之剖面圖。 圖7係表示根據本發明之實施形態4之半導體裝置之概 略的構成之剖面圖。 圖8係表示根據本發明之實施形態5之半導體裝置之概 略的構成之剖面圖。 圖9係表示以往之半導體裝置之概略的構成之剖面 圖。 件 元 體 導 半 1片 明晶 兒 C II 虎 号2 符 架 框 墊旨襯; b 膠 Λ封 a 4 8 膜 護 保 7 板 隔 9 4
2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd 第18頁 1222187 圖式簡單說明 23b、24b垂直方向之平板; 33a、34a水平方向之平板; 33b、34b垂直方向之平板; D1框架3與導電板3a之間隔; 6a第一外部端子(外部端子); 6b第二外部端子(外部端子); 1、11、21、31、41半導體裝置; D3從框架23到導電板24之間隔; S1 框架3與導電板3a對向之區域; 3a、13a〜13c、24、34導電板(導電性板); 5a 〜5d、15a 〜15f、25a 〜25d、35a 〜35d 焊接線; S4框架33以及導電板34之垂直板33b與34b對向之區 域; S2框架3與第一片〜第三片之導電半13a〜13c之互相共 通之對向的領域; S3框架23以及導電板24之水平方向之平板23a以及 2 4a對向之區域; D4從框架33之垂直板33b到與其相鄰之導電板34之垂 直板34b之間隔; D2從框架3依照順序以一定的間隔配置之第一片〜第 三片之導電板13a〜13c之分別的間隔。
2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd 第19頁

Claims (1)

  1. 〜丄87
    1 · 一種半導體裝置,包拉: 半導體元件; 框架,搭載該半導體元件; 導電性板,在該框架之下側’從該框架開始保持一定 的間隔配置; 一 外部端子,將上述半導體元件、框架及導電板予以雷 氣連接;以及 覆封膠樹脂,將上述半導體元件、框架及導電板予以包 而封入。 申請專 矩形之 〇 申請專 係分別 垂直方 電性板 申請專 係分別 垂直方 上述框 平板交 申請專 之間, 利範圍 平板所 利範圍 為複數 向的平 之水平 利範圍 為一片 向的平 架之垂 互配置 利範圍 以及鄰 係由一片 板所構成 3 ·如 及導電板 板連接之 平板與導 4 ·如 及導電板 複數片之 所形成, 直方向的 5.如 與導電板 之隔板。 第1項之半導體裝置’其中,框 構成,導電板係士% k ’、 攸係由稷數片之矩形平 第1項之半導辦莊职 片之水平方向衣置’其中,框架 板所構成,^平板以及將這些平 方向的平彳述框架之水平方向的 Jg十板父互配置。 弟1項之半導w 之水平方向妓骏置,其中,框架 板所構成^的平板以及與其連接之 直方向的哉面形狀為梳齒狀之板 。 w板與上述導電性板之垂 第1項之半壤 接之導電4 發骏置,其中,框架 & t間,具備保持間隔用
    2103-5468-PF(Nl);Ahddub.ptd
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