TWI221099B - Coating film forming method - Google Patents

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Description

1221099 A7 _____ B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬的技術領域】 本發明是關於一種形成多晶矽或高熔點金屬間之層間 絕緣膜、或是鋁配線間之餍間絕緣膜的被膜形成方法。 【習知技術】 過去要在被處理物上形成層間絕緣膜一直都是使用 CVD(化學汽相沉積）方法，但是隨著被處理物上之配線間 的微細化發展，CVD方法已逐漸無法形成條件充分的被 膜。亦即’利用CVD方法所形成的被膜是形成保角形狀 (conformal)，因此並無法充分埋入狹窄的配線之間。 於是，針對如何在被處理物上形成SOG被膜的方法 進行了 一番探討。然而，在使用開放型的一般杯膜來形成 S0G膜的情況下，例如第3圖所示，形成在線與間隙圖案 部之間隙部分底部的SOG被膜與其他部分所形成的SOG 被膜，在膜質上會產生疏密的差異。一般而言，形成在線 與間隙圖案部之間隙部分底部的SOG膜較稀疏，其他部 分則較緊密。 此處所謂的疏密差異是指例如在將「緊密部分」的密 度設爲1 00的情況下，「稀疏部分」的密度爲5 0，即使 是相同的SOG被膜，也會引起由於所塗布之部分的不同 以致密度有所不同的現象。 尤其在配線間的縱橫比較高的情況下，此疏密化現象 尤爲顯著。縱橫比較低的情況下，則幾乎不會發生疏密化 現象。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1221099 A7 __ B7 _ 五、發明説明（2 ) 此外，在使用一般杯膜（開放型杯膜）的情況下，通常 在高縱橫尺寸部分也是塗布1次SOG以形成被膜，因而 不易解決疏密差異的問題。 爲了解決上述問題，本案申請人在日本特開平7-22 75 68號公報中揭示了：使所要塗布的被處理物之旋轉 分成兩次來進行，第1旋轉與第2旋轉的間隔是設定爲第 1旋轉之旋轉時間的1 〇倍以上，但是如第4圖所示，疏 密差異的問題仍無法獲得解決，縱橫比較高的部位仍然較 爲稀疏。 【發明所欲解決的課題】 如上所述的疏密化現象，由於稀疏部分會明顯降低元 件的可靠性，因此本身爲半導體元件之心臟的閘極部分尤 爲重要。所謂「稀疏」是指在被膜內部含有微小的空隙， 空隙中的氣體會因爲SOG塗布後之熱處理步驟中的加熱（ 亦即烘烤）而膨脹，以致在SOG被膜產生裂縫。一旦如此 ，便無法發揮SOG絕緣膜的功能。 因此，本案發明的目的在於提供一種可縮小疏密部位 之面積並降低疏密度，且在配線間爲〇. 1 3 μηι以下的微細 部位也可形成均一層間被膜的被膜形成方法。 【用以解決課題的手段】 有關於爲了解決上述課題的本案發明之被膜形成方法 是在將可旋轉的內杯配置於外杯內，並且利用個別的蓋體 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1221099 A7 B7 五、發明説明（3 ) 密封這些外杯及內杯的上面開口，而且內杯用蓋體是支撐 成可與內杯一體旋轉的旋杯式塗布裝置的前述內杯內設置 一形成有配線的被處理物，在此被處理物的表面塗布 SOG之後，利用蓋體密封內杯及外杯的上面開口，並且 在此狀態下使內杯旋轉，藉此使SOG均一地擴散，在進 行複數次前述塗布之後，利用熱處理裝置對於已塗布有 SOG的前述被處理物進行烘烤。 因此，使用旋杯式塗布裝置塗布SOG時，形成密閉 狀態的旋杯內雖會因爲旋轉而形成若干減壓狀態，卻可確 保SOG形成用塗布液的溶劑環境，且可在塗布當中避免 SOG被膜表面的乾燥情況，因此SOG並不會失去其流動 性而可進入微細的配線間。亦即，藉由維持減壓狀態及 SOG的流動性，SOG大半會被迫埋入配線間，因此可降 低SOG被膜的疏密度。 再者，爲了在塗布階段獲得SOG的預定被膜，藉由 塗布複數次（最好是2至3次），即可減少在配線間之縱橫 比爲2以上之高縱橫比時便會產生不良效果的疏密差異。 例如，第1次塗布是形成薄薄的SOG膜厚，將所形成的 疏密區域（亦即疏密部位的面積）控制在最小限度，如此， 在進行第2次塗布前，實際上縱橫比已變小，因此可減少 疏密區域及疏密度。 而且，塗布步驟中的轉速是與其設定成以低速長時間 旋轉，倒不如設定成以高速（最好是3 000至5000rpm)短 時間（最好是1秒）旋轉較能降低疏密度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 争· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 1221099 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 外杯 內杯 旋轉裝置 真空夾盤 回收通路 盡體 基板 A7 __B7 五、發明説明（4 ) 而且，烘烤的處理條件是將燒成溫度設定爲40(TC至 10 〇〇 °C，將燒成時間設定爲30分鐘至9〇分鐘，並且將熱 處理裝置內設定成氧氣較多的狀態，因此可促進S 0 G與 氧氣的反應，並且獲得疏密度得以降低的均一 SOG被膜 〇 【圖面的簡單說明】 第1圖是旋杯式塗布裝置的剖視圖。 第2圖是利用旋轉式杯膜塗布2次SOG後的被處理 物的剖視圖。 第3圖是利用一般杯膜塗布1次SOG後的被處理物 的剖視圖。 第4圖是疏密區域因縱橫比不同而產生之差異的剖視 圖。 【圖號說明】 1 2 3 4 5
6,7 W 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221099 A7 __ B7 五、發明説明（5 ) 【發明的實施形態】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下說明本發明的實施形態。第1圖是本發明實施所 使用的旋杯式塗布裝置的剖視圖，旋杯式塗布裝置是在環 狀外杯1內配置內杯2，並且將此內杯2安裝於旋轉裝置 3的軸，再使此內杯2以高速旋轉，並且在旋轉裝置3的 軸的上端設置用來吸附並固定半導體晶圓等之基板W的 真空夾盤4，在外杯1則形成有用來接收來自內杯2之排 出物（drain)的回收通路5。 第2圖是使用第1圖所示的旋杯式塗布裝置塗布2次 SOG後的被處理物的部分剖視圖。如圖面所示，第1次塗 布的SOG厚度是利用第3圖所示之一般杯膜塗布1次後 之厚度的一半以下，使所形成的疏密區域變小。然後，利 用第2次的SOG塗布來補足預定SOG被膜的厚度。如此 一來，稀疏的部分會變得很小。 然後，塗布有SOG的被處理物會被搬運至相鄰的熱 處理裝置，並且進行連續的熱處理。熱處理裝置有可一次 處理複數片被處理物的批次式以及每次處理一片的單片式 兩種。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 單片式熱處理裝置是將被處理物載置於平板狀的加熱 裝置上來加熱，但由於熱源僅爲平板，因此在處理室內的 溫度分布會產生不均的現象，而不易進行均一的處理。另 一方面，批次式是將熱源配置成包圍裝置的周圍，因此可 藉由輻射熱均一地加熱處理室內。而且，藉由加熱30分 鐘以上，被處理物間的溫度不均便可獲得解決。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1221099 A7 __B7_^_ 五、發明説明（6 ) 熱處理裝置的處理條件是在可獲得輻射熱的狀態下， 將燒成溫設定爲400至1 000 °C，將處理時間設定爲30分 鐘以上90分鐘以下。而且，SOG溶液如果是在送入氧氣 或蒸氣（s t e a m )，使氧氣比大氣中多的狀態下進行熱處理 ，會使SOG溶液引起脫水縮合反應，而且H20會蒸發， 並且殘留緻密化的Si02膜。 SOG是溫度越高越容易活性化，因此會變得容易與 〇2結合，而可促進反應並且緻密化，但是若溫度過高， 會對於配線造成損害，因此並不理想。此外，所謂氧氣較 多的狀態是指在加熱處理室內中，存在有比大氣中更多（ 至少在2 1 %以上）的氧氣。 【發明效果】 根據本發明，藉由使用旋杯式塗布裝置，使SOG在 被處理物上以高速旋轉，並且分成2至3次塗布多層，則 在縱橫比較高的配線間也可將絕緣膜的疏密化控制在最小 限度而塗布SOG。再者，藉由利用可獲得輻射熱的批次 式熱處理裝置，以400至1 000 °C、30分鐘以上90分鐘以 下，且在氧氣較多的狀態下燒成前述被處理物，即可獲得 疏密差異得以降低的緻密平坦化膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
*1T φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 -

Claims (1)

1221099 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 第9 1 1 22048號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年12月19日修正 (請先閲背背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種被膜形成方法，是在將可旋轉的內杯配置於外 杯內，並且利用個別的蓋體密封這些外杯及內杯的上面開 口’而且內杯用蓋體是支撐成可與內杯一體旋轉 '的旋杯式 塗布裝置的前述內杯內設置一形成有配線的被處理物，在 此被處理物的表面塗布SOG之後，利用蓋體密封內杯及 外杯的上面開□，並且在此狀態下使內杯旋轉，藉此使 SOG均一地擴散，在反覆複數次此塗布操作之後，利用 熱處理裝置烘烤塗布有S 0 G的前述被處理物。 2.如申請專利範圍第1項所記載的被膜形成方法，其 中，前述塗布中的轉速是3000至5000 rpm。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載的被膜形成 方法，其中，前述被處理物上的配線間之縱橫比爲2以上 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載的被膜形成 方法，其中，前述烘烤的處理條件是將燒成溫度設定爲 400 °C至100 (TC，將燒成時間設定爲30分鐘至90分鐘， 並且將熱處理裝置內設定成氧氣較多的狀態。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公嫠）
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