TWI220567B - Semiconductor apparatus capable of preventing occurrence of multiple reflection, driving method, and setting method thereof - Google Patents

Description

1220567 五、發明說明G) 發明背景 本發明係關於一種丰導體梦w 裝置包括驅動裝置和—被驅動裝：種半導體 連接。 散衣置该驅動裝置與傳輪線 t知的半導體裝置包括驅動器（或驅 / a驅動裝置）和在收’、、 收态 (或匯流排）。該驅勒π目女私山收為之間連接的傳輪線 有阻抗Ζ0。 口口，、 ^阻抗Zout，而該傳輸線具 )接收器和傳輪線是理想化的⑴eal 不接收器上的該驅動器的輸出信號將 收^端λ入’ λ會被接收器（或在該傳輸線上的接 哭^ 王反射，而使此信號未被衰減地回抵該驅動 和驅動器之…是在該傳輸線 由輸:U 2驅動器不是理想化的，輸出阻抗2〇以係 Λ Λ/ 定。因此’部份反射信號會被驅動器 (或在傳輸線的驅動器端）再反射，而再次抵達接收器端。 如此，該驅動器的輸出信號會在接收器和該驅動器之間重 複反射。 為抑制前面談及在該驅動器和接收器之間的多重反 射’另一習知半導體裝置具有連接到該傳輪線之接收器端 的終結電阻器。 然而’該終結電阻會無益地消耗電力。即，該半導體 第5頁 2130-5135.PF2.ptc 1220567 曰

JtJL 1 號 9ηι«〇τ^ 五、發明說明（2) 裝置包含且右古& $ ._ ^ ^有呵耗電的終結電阻器。再去，从 半$體裝置的製诰牛 ，、冬結電阻增加 衣k步驟和因此增加該半 本。 蛉體裝置的生產成 發明概述 本發明的目的係提供一種半導 =動器和接收器之傳輪線發生多重反、射：吨夠防止在連 力消耗和生產成本。 、而不會增加電 ί i Γ的其他目的將如說明書所描述而、、主禁叮4 根據本發明的第一形態，提供 β 4可知。 體I置，驅動器具有驅動裝置和傳輸線動器的半導 ，器的輪出側。該驅動器具有輸：抗/專輪線連接到驅 ”電阻。該傳輸線具有阻抗。料$體裝置具有 态中形成的電阻，以將驅動裝置連接到值二，匕括在驅動 器的輸出阻抗與傳輸線的阻抗 。當該驅動 於該導通電阻的阻抗。’匹配日…亥電阻器具有-大 動器，\區^ ί ^ ^第一形恶’提供一種半導體裝置具有驅 有有輸出阻抗和—電流電壓特性。驅動裝置具 該驅i哭ί。傳輸線具有阻抗。該半導體裝置包括置放在 使兮幹：Ρ之電阻器，以將驅動裝置連接到該傳輸線，並 出阻抗與傳輸線的阻抗匹配。電阻器之電阻大於導 通電阻，以使電流電壓特性接近線性。 根據本發明的第三形態’提供一種驅動方法，藉由使 ι^ηι 2l30-5135-PF2.ptc

用在邏 半導體 置和傳 特性和 抗，並 該驅動 或邏輯 裝置連 配，電 線性， 給該驅 動器時 根 括驅動 氧半電 黑占連接 收器則 或低準 傳輸線 根 法，半 電晶體 極，而 體的源 輯高準 裝置。 輸線， 輸出阻 有將驅 方法包 低準位 接到傳 阻器之 而且以 動器， ，該驅 據本發 器及接 晶體有 到傳輸 連接到 位時， 的阻抗 據本發 導體裝 和電阻 電阻器 極或汲 半導體 傳輪線 抗。驅 動器之 括下列 時，先 輸線， 電阻大 既定資 既定資 動信號 明的第 收器， 一供之 線的一 傳輸線 電阻器 大致匹 明的第 置包括 器，金 以二端 極。接 輯低準位之間變動的驅動信號去驅動 裝置具有驅動器，驅動器具有驅動裝 連接到驅動器。驅動器具有電流電壓 動裝置具有導通電阻。傳輸線具有阻 輸出信號反射以作為反射波的一端。 步驟：當該驅動信號具有邏輯高準位 將電阻器置放在驅動器中，以將驅動 並使該輸出阻抗與傳輸線的阻抗匹 於導通電阻，以使電流電壓特性接近 料速率（data rate)將驅動信號提供 料速率之決定使得當反射波抵達該驅 具有邏輯高準位或邏輯低準位。 四形態，提供一種半導體裝置，其包 •驅動器具有MOS電晶體和電阻器，金 以驅動信號的閘極，而電阻器以二端 端和金氧半電晶體的源極或汲極。接 的另一端。當該驅動信號具有邏輯高 具有一電阻，以使驅動器輸出阻抗與 配。 五形態，提供半導體裝置之設定方 驅動器和接收器。驅動器具有金氧半 氧半電晶體有一供之以驅動信號的閘 點連接到傳輸線的一端和金氧半電晶 收器則連接到傳輸線的另一端。該設

1220567 -----素號91118971_ 年月 日 鉻π _ 五、發明說明（4) 疋方法包括下列步驟：先找出不具電阻之半導體裝置的電 性’而且依據該電性去3又疋電阻器的電阻值，使得當該驅 動信號具有邏輯局或低準位時’驅動器的輸出阻抗大致與 傳輪線的阻抗匹配。 較佳實施例之發明詳述 請參考圖1到5，首先將透過說明習知半導體裝置以對 本發明有較佳理解。 在圖1中，該習知半導體裝置包括驅動器（或驅動梦 置）11 '接收器（或接收裝置）12以及連接該驅動器u和接 收器1 2的傳輸線（或匯流排）1 3。 驅動器11和接收器12各包括CMOS (互補式金氧半）反 相器，CMOS反相器具有一 P通道金氧半電晶體與—N通道 金氧半電晶體。傳輸線1 3包括，例如，一銘線。 一如果驅動器11是理想化的線性驅動器，具有如圖2所 示之輸出阻抗Z〇Ut。即，無論輸出準位（或電壓）v〇ut 何，該輸出阻抗zout可以被視為具有電阻肋“之固定電 況下’可以圖3A去說明在圖1之半導體裝置的理 想化荨效電路。 阻抗Z當0:動=的輸出阻抗Z〇Ut( = R〇Ut)等於傳輸線13的 胜；器11產生輸出信號，其具有如圖3B所示 有被該傳4 : ^準位备如果在該傳輸線傳送的信號波沒 送到接=驅1的輪出信號將未遭減弱地傳 、到接收心。因為接收器12被視為開路端，驅動器㈣

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於該處完全地反射。換言 <，該輸出信號在傳 ^13的接收器端完全反射，於是，輪出信號以反射波形 式返回到驅動器1 1。 由：驅動器U的輸出信號與接收器12所反射的反射波 豐加’接收器1 2接收到Vddq伏特的輪入作號。 如上所述，驅動器1 1的輪屮# ^ c ^ 莉1m 1 1的鞠出k諕以接收器1 2所反射的 = = = =式返回到驅動器u。由於輪出阻抗z〇ut(=R〇ut) 阻抗Z(K=RC)ut) ’反射波完全未遭驅動器}1反 收。 在傳輸線13的驅動器端被終結或吸 :然：’驅動器11實際具有如圖4所示的輸出特性。 :m電壓Vgate去改變驅動器u的輸出阻抗z〇ut， 的輪出的電壓v〇ut未必是等於傳輸線13的特 l n W1半導體裝置的實際等效電路正如圖 5A所不。 回到2=半，由接收器12反射的該反射波返 ° : 由於輪出阻抗Zout與傳輸線1 3的阻抗Z0不 5=驅ίΓΓ份地反射來自接收器12的反射波，如圖 徨^ ;&此。·Μ輸線1 3上，該反射波遭驅動器1 1反射，又再 收^1 2反1+ Μ 2。於是，該反射波反覆地遭驅動器11和接 射’而在驅動器11和接收器12之間來回多次。 的半導體裳置中造成驅動器u和接收 的多重反射。 在日本未審查的第1 — 1 6 9 9 4 6專利公開公報中揭露另一 2130-5135-PF2.ptc

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1知半導體裝置，能防止此多重反射發生。揭露於上述公 開公報的半導體裝置如圖6所示。 如圖6所示，該半導體裝置包括驅動器61、接收器 ^傳輸線63和終結電阻器64，傳輸線63將驅動器61連接 ^，收态62，終結電阻器64以一端連接到傳輸線63的接收 ^。終結電阻為6 4具有等於傳輪線6 3之阻抗的電阻，以 防止產生反射波。 參考圖7到圖11，根據本發明的較佳實施例去描 導體裝置。 在圖7中，該半導體裝置包括驅動器71、接收器72、 和傳輸線73，傳輸線73將驅動器71的輸出端連接到接收器 7 2。驅動裔71包括第一 CMOS反相器（或驅動裝置）與電阻器 74 接收為72包括含苐二CMOS反相器。第一或第二cm〇s反 相器各包括P通道金氧半電晶體與N通道金氧半電晶體， P通道金氧半電晶體與N通道金氧半電晶體是在電源線和 ，地線之間彼此串聯連接。第一與第二CM〇s反相器係於半 導體基板（substrate )(未圖示）上以相同製程同時形 成’而電阻器74為晶片内（on-chip )類型而且是在⑶的 反相器的相同製程中製成時。 圖8A說明半導體裝置的等效電路，圖8β說明在傳輸 73上所傳送信號的信號波形。驅動器71具有輸出阻抗 4 Zout。當第一CMOS反相器具有輸出阻抗Z1和電阻器^具 電阻Rs，如圖8A所示，驅動器71的輪出阻抗z〇ut ^於第f CMOS反相器之輸出阻抗Z1與電阻器74之電阻Rs的總和。—

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P 驅動為7 1的輸出阻抗z 0 u七可由以下的方程式去表示。 Z〇ut = Z1 + Rs 工 、不。 為防止在傳輸線7 3上，由驅動器7 1反射的反射波傳送 到驅動器71，驅動器71的輸出阻抗Zout必須等於傳輸線73 的阻抗zo。因此，決定電阻器74之電阻Rs以符合下列方程 式。 Zout = Z1 + Rs 王 =(或与）Z0 然而’弟一 C Μ 0 S反相的輸出阻抗Z 1可根據其操作狀 態改變。用於第一CMOS反相器之Ν通道金氧半電晶體具有 如圖9 A所示的電流電壓（I —v)特性。 在圖9 A中’垂直軸代表ν通道金氧半電晶體的沒極— 源極電流I out，橫軸代表N通道金氧半電晶體的汲極—源 極電壓Vout。當N通道金氧半電晶體的閘極電壓vgate等於 V d d q電壓’及極—源極電流I 〇 u七等於電流I 〇 ^。 由於Ν通道金乳半電晶體具有圖9Α的I-V特性，在第一 CMOS反相器的輸出阻抗Ζ1會隨著第一CMOS反相器的輪出電 壓而變，如圖9B所示。而在圖9A中之導通電阻Ron可由下 列方程式來求得。

Ron=Vddq/Ion 如果電阻器74只連接到第一CM0S反相器，驅動器7 1的 輸出阻抗Zout( = Zl+Rs) 具有將圖9B之向上移位Rs的特 性。即，根據驅動器7 1的輪出電壓去改變驅動器71的輪出 阻抗Zout。 如果電阻器74的電阻Rs是遠大於N通道金氧半電晶體

2130-5135-PF2.ptc 第11頁 1220567 修正

案號 91118971 五、發明說明（8) 的導通電阻Ron，驅動器的輪出阻抗z〇ut變化各相告 如此，*電阻器74的電阻RS對第一CM〇s反相器曰虽出、且 ζι之比值變大，便可忽略第_CM0S反相器的 阻，F ^ 變化。 山丨且ί几Zi之 然而，驅動器71的輸出阻抗ζ〇ι1ΐ必須是（幾乎） 輸線73的阻抗Z0。因此，必須減少N通道金氧半電晶體的 導通阻抗Ron，以增加電阻器74的電阻RS對輸出阻抗Z1的 比值。為減少N通道金氧半電晶體的電阻R〇n，必須几擴大n 通道金氧半電晶體之尺寸。然而，此違反微縮化 (miniaturization )的要求。 。因此，決定N通道金氧半電晶體的阻抗Rs對“⑽反相 器的輸出阻抗Z1之比值，使得n通道金氧半電晶體不是非 常的大，而且驅動器7 1的I -V特性可視為線性。例如疋在 操作範圍（或總輸出電壓範圍）内，驅動器71的輸出阻抗 Zout是在傳輸線73的阻抗Z0之正負1〇%内。 几 即便電阻器74的電阻RS對第一CM0S反相器的輪出阻抗 Z1之比值依上述之例子而決定，在驅動器7丨的輸出阻抗几 Zout與傳輸線73的阻抗Z0之間最多可能有1〇%的差距。因 此’電阻器74之電阻RS的決定必須使得驅動器7丨的輸出阻 抗Zout等於傳輸線73的特徵阻抗z〇之時間盡可能延長。 即，當提供給驅動器7 1的CMOS反相器之驅動信號具有 邏輯低準位或邏輯高準位時，電阻器74之電阻Rs的決定須 使得驅動器71的輸出阻抗Zout是（幾乎）等於傳輸線73的特 徵阻抗Z0。因此，輸出阻抗zout與特徵阻抗z〇之間的相等

1220567 年 月 修正 曰 皇號9川辦1 五、發明說明（9) 程度決定於驅動哭7 1 的平衡。 σσ 1之導通電阻與電阻器74之電阻Rs之間 在上述例子中，& ^ 么 輯高準位（或告兮把=该驅動信號不具有邏輯低準位或邏 輯高或低準位)'3= 動信號從該邏輯低或高準位變到該邏 73的特徵阻抗Zo，缺益71的輸出阻抗Zout大約是傳輸線 匹配。當㈣哭71;^仍與傳輸線73的特徵阻抗Z〇無法 z〇盔法匹配，=輪出阻抗2〇时與傳輸線73的特徵阻抗 ^ # Ϊ ：73 , .I ： ：J ：^71 ^ - . .7U , 須得以阻卜# s Z「°反射。傳輸線73之長度的決定， 声的、、办定，二θ波為驅動器71反射。即，傳輸線73之長 t勺 而使付從接收器72接收的反射波抵達驅動哭71 :::驅動器7丨的輸出阻抗一傳輸線73的特徵阻= nr . +.杈供給驅動為71之該驅動信號的上升睥 間（nse tlme)和下降時間（faU time),使]上升k 72的反射波抵達驅動器71時，該驅動信號 收器 低準位，且驅動器71的輸出阻抗z〇ut因此而^邏，兩或 徵阻抗Z0，無論如圖1〇所示的輪出電壓v〇ut為:為等於特 圖11說明驅動信號（即，Vgate )、驅動器7 號和來自接收器7 2之反射波的時序圖。如圖丨1的輸出信 地了解，可藉由決定傳輸線73的長度，使得當=示可，易 反射波抵達驅動器7 1時，該驅動信號具有該 接收裔7 2 位。 Λ #軏高或低準 2130-5135-PF2.ptc 第13頁 1220567 案號 91118971 五、發明說明（10) 相反地，當傳輸線7 3的長度將驅動信號的上升時間和 下降時間列入考慮時，可根據其長度去決定驅動信^二既 定資料速率，使得當來自接收器72的反射波抵達器71 時，該驅動信號具有該邏輯高或低準位。 如上所述，本實施例的半導體裝置能藉由利用放置 (或形成）在驅動器7 1中的電阻器7 4，使驅動器7 1的輸出阻 抗與傳輸線7 3的特徵阻抗Z 0匹配。因此，半導體穿置#防 止輸出信號過激（overshooting)和防止在驅動=71 :接 收器72之間的多重反射發生。再者，因為電阻器^具^的 電阻Rs是比驅動器71的CMOS反相器（或金氧半電晶體）之導 通電阻大很多，驅動器71的I-V特性大致為線性曰。3電阻哭 γ沒有浪費電力，其不同於習知半導體裝置的終結電阻™ 器。另外，因為在形成CMOS反相器的製程中可以 器74，幾乎沒有增加製造半導體裝置之製程數目和生產 本。再者，由於電阻器74用於終結傳輸線73， = 別控制傳輸線73的終結。尤有甚者，因為既定的 足了必要條件，故很容易去測試驅動器7丨。 ’滿 根據下列理由，本發明是特別適用於將該驅動信號 供、.、&該驅動器的狀況，該驅動信號為具有 二 (gigahertz )之頻率的邏輯（或脈衝）信號°。 思赫錄 如果該驅動器和該接收器被形成作為& 傳輸線將該驅動器連接到該接收哭， 表置而且，亥 (1) J_ 牧队如 傳輪線的阻抗Z為： ^/{(R +j© L)/(G + jro C)} 其中R為電阻，G為電導’L為電感，c為電容，且 ω π

2130-5135-PF2.ptc 第14頁 1220567 案號 91118971 年 月 曰 修正 五、發明說明（11) 般而g ’該傳輪線係製造於印刷電路板（p C b )。在 此狀況中’該電阻和電導是遠大於該電感和電容。因此， 該方程式（1)被視為下列方程式。 2 = λ/Χ/C (2) 當该傳輸線具有方程式（2 )的阻抗時，在該傳輸線的 傳送信號速率v為： V= i/Vl*c" 在真空中速率V等於光速c，而在實際的介電係數 (specific inductive capacity)* 狀況中等於c/# 。因 此，在不同裝置之間以高速去傳送該信號是可實現的。 另一方面，在一裝置中形成該驅動器和接收哭之 中，將該驅動器連接到該接收器的該傳輪線具二 沾 電阻。即，該電阻R大於電感L(即R>L)。因A . 、 電阻R決定。因此，下列的不等式必定是正確：，=由 如上所述的不同裝置之間所實現的高速傳輪。 貝見 R < < j ω L, G < < j ω C 】 因此’該驅動信號必定具有數十億赫茲的頻率。 於是，本發明的驅動器和接收器，係以具 赫兹的高頻邏輯（或脈衝波）信號去驅動。〃超過十億 當以具有超過十億赫茲的高頻邏輯信。 器，在如圖1所示的習知半導體裝置中的電^芦動該驅動 反射引起）變得相當明顯。多重反射造成=^汛（由多重 又卜列問題··

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第15頁 1220567 五、發明說明（12) (1) 該多重反射減少提供給該接收器的輪人上 壓振幅。於是便不可能在該接收器中.^ L號之電 (gain) 。 °云獲付足夠的嶒益 (2) 該多重反射減少供該接收器使用的輸入 換速率UV/dt)。由於該轉換速率小’所以接之轉 信號之回應變慢。因此，該接收哭 對輪入 的高頻驅動信號。 …即時接收該驅動器 (3) 該多重反射在該接收器的輸入信號上造成 (rlnglng)。當該抖振具有變化越過該接收哭的， 準位，該接收器形成誤判斷及/或該接收器的反：： ^是L該多重反射將錯誤帶給該接收器。 習此i ^ ΐ已經結合較佳實施例去描述本發日月，任何1 在不脫離本發明之精神和範…當；i '、 ，因此本發明之保護II目♦彳i t φ β $ 器連接到供驅叙1 9 σ，如圖12所不，可使用二個電阻 體，以取代雷動器71使用之CM0S反相器的㈣⑽與關⑽電晶 電晶體組d器乙。驅動器71可包含單-n通道金氧半 後，驅動哭7 〔衝為、差動放大器或其他諸如此類者。最 的閘極，：雷f含一金氧半電晶11，有一供之以驅動信號 的源極或^器74連接到傳輸線的—端和金氧半電晶體 極。接收器7 2亦相同於驅動器7 1 〇 冉者 5 士〇 里 jl·* 略（negl igibl 支具有相對於傳輸線73的全長而可忽 D丄e )的長度，傳輸線73在接收器侧具有複數 2130-5135-PF2.ptc 第16頁 1220567

_案號 911】8fl71 五、發明說明（13) 個分支與複數個接收器連接。舉例 分支是比傳輸線73的0· 1 %小，則° ，在長度部分當各 數個接收器可能是彼此不同^。、例％ ^略該等分支。複 信號的負緣（falllng edges)時，該接萄其他是'於輸出 該驅動器輸出信號的正緣。 收崙之一是用於 時脈信號。 ° 動的的輪出信號可能是一 另外’對於置放在該 a 電路沒有特別限制。再者：和在該接收器之後的 動器、接收哭ίΐΐ衣到裝置傳輸（或傳輸裝置包括驅 線）^ 和連接於該驅動器和該接收器之間的信號 圖式簡單說明·· 習知半導體裝置的電路圖； 動器。阻圖在圖1之習知半導體裝置…^ =匕明圖1之習知半導體裝置的理想等效電路，· 輸； 疋Μ圖式描述在圖3 A之該理想等效電路的信號傳 圖4 | m上、 A 圖式說明實際驅動器的輸出阻抗特性； i，明圖1之習知半導體裝置的實際等效電路； 傳輸；疋u圖式描述在圖3B中之該實際等效電路的信號 圖6盖* 力一習知半導體裝置的電路圖； 1220567 _案號9Π18971_年月日__ 五、發明說明（14) 圖7是根據本發明之較佳實施例的半導體裝置電路 圖， 圖8A是說明圖7的半導體裝置之等效電路； 圖8B是以圖式描述在圖3B的等效電路中輸出信號的傳 桊丨J ， 圖9A是以圖式說明適用於圖7半導體裝置之N通道金氧 半電晶體電流電壓特性； 圖9B是以圖式說明適用於圖7半導體裝置之CMOS反相 器輸出阻抗特性； 圖1 0是圖式說明圖7半導體裝置之驅動器的輸出阻抗 特性； 圖11描述圖7半導體裝置之驅動器操作的時序圖；以 及 圖1 2是根據本發明的另一實施例之CMOS反相器的電路 圖。 符號說明 驅動器11、61、71 接收器1 2、6 2、7 2 傳輸線13、63、73 終結電阻器6 4 電阻器7 4

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Claims (1)

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_案號 91118971 六、申請專利範圍 1· 一種半導體裝置，具有 驅動裝置和一連接到該驅動器 器具有輸出阻抗，該驅動裝置 有阻抗，該半導體裝置包括： 在該驅動器中形成的電阻 該傳輸線， 驅動器，且該驅動器具有一 之輪出侧的傳輸線，該驅動 具有導通電阻，該傳輪線具 ，用於將該驅動裝置連接到 共τ在該驅動器 ' ^叮刊！J 、交W、J {几^ g己 條件下’該電阻器具有大於該導通電阻的電阻值。 、 2·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，以 ^高準位和邏輯低準位之間變化的驅動信號去驅動該驅^動 其中決定該導通電阻和該電阻器的該電阻，使得 :號具有該邏輯高準位或邏輯低準位日夺，該輸出阻二： 傳輸線的該阻抗匹配。 /、Θ 3 ·如申請專利範圍 信號具有既定資料速率 於該傳輸線傳送輸出信 具有一端反射用於該驅 其中依據該驅動信 和該下降時間，決定該 具有該邏輯高準位或邏 器。 4. 一種半導體裝置 驅動裝置和一連接到該 ， ，一X2么，呢

:上升時間與下降時間，該驅象 號以回應在該驅動信號，該傳^ 動器的該輸出信號作為反射波·、 號的該既定資料速率、該上升時 傳輪線的長度，使得當該驅動信 輯低準位時，該反射波抵達該: ’具有驅動器，且該驅動器具有 驅動器輸出側的傳輸線，該驅鸯

1220567 --91118971_a ----- 六、申請專利範圍 具有輸出阻抗和電流電壓特性，該驅動裝置具有導通電 阻’该傳輪線具有阻抗，該半導體裝置包括· 電阻器，位於該驅動器中，用來將該驅動裝置連接到 該傳輸線，使該傳輸線的阻抗與該輸出阻抗匹配， 其中該電阻器具有大於該導通電阻的電阻，以使該電 流電塵特性接近線性。 5 ·如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置’在邏輯 同準位和邏輯低準位之間變化的驅動信號去驅動該驅動 器， 其中決定該導通電阻和該電阻器的該電阻，使得當該 驅動信號具有該邏輯高準位或邏輯低準位時，該輸出阻抗 與該傳輸線的該阻抗匹配。 6 ·如申請專利範圍第5項所述的半導體裝置，該驅動 信號具有既定資料速率、上升時間與下降時間，該驅動器 於该傳輸線傳送輸出信號以回應該驅動信號，該傳輸線具 有一端反射用於該驅動器的該輸出信號作為反射波； 其中依據該驅動信號的該既定資料速率，該上升時間 和忒下降牯間，決定該傳輸線的長度，使得當該驅動信號 ^有該邏輯高準位或邏輯低準位時，肖反射波抵達該驅動 嗎^ ΐ t ΐ專利範圍第4項所述的半導體裝置，其中該 驅動裝置包括一CMOS反相器（inverter) '一8.如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置，A中該 半導體裝置更包括被驅動裝置兮 /、 人 (直邊被驅動裴置連接到該傳

2130-5135-PF3.ptc 第20頁 1220567 _S. 六、申請專利範圍 輸線的該端 9. ^一 種 位之間變化 具有驅動器 輸線，該驅 置具有導通 器反射輸出 先將電 到該傳輸線 當該驅動信 具有大於該 線性；以及 將具有 該既定資料 該驅動信號 10· -韻 一驅動 體有—供之 輸線的一端: 一接收 其中當: 具有一電阻 抗匹配。 11 ·如申 I 91118971 曰 修正 ，且包 驅動方 的驅動 5該驅 動器具 電阻， 信號作 阻器置 ，以使 號具有 導通電 括一CMOS反相器 法，藉 信號去 動器具 有電流 該傳輸 為反射 放在該 該傳輸 邏輯高 阻的電 由使用 驅動半 有驅動 電壓特 線具有 波，該 驅動器 線的阻 準位或 阻值， 在邏輯高準 導體裝置， 裝置和連接 性和輸出阻 阻抗，且有 驅動方法包 中，並將該 抗與該輸出 邏輯低準位 以使該電流 位和邏輯低準 該半導體裝置 到驅動器的傳 抗，該驅動裝 一端從該驅動 括下列步驟： 驅動裝置連接 阻抗匹配，且 時，該電阻器 電壓特性接近 既定資料速率的該驅動信號提供給該驅動器 速率之決定，使得當反射波抵達該驅動器g 具有邏輯高準位或邏輯低準位。 ^ t半導體裝置，包括·· 器’具有金氧半電晶體和電阻器 以驅動化號的閘極，電阻器以二 f該金氧半電晶體的源極或汲極…夂 ⑽將接收盗連接到該傳輸線的另—端， 1動信號具有邏輯^低μ時，該電 ，使得該驅動器之輸出阻抗大致與傳輪線的阻 請專利範圍第10項所述的半導體裝置 金氧半電晶 點連接到傳 以及 ，其中 1220567 i 號 修正 曰 六、申請專利範圍 ϋ亥傳輪線具有長度，使得去談 阻器的該阻抗匹配時，一來^兮态的該輸出阻抗與該電 動器。 “接收器的反射波抵達該驅 ^ ^ 1 ^ ^ ^ ^ t 4 ^ ^ 和電阻器，金氧半電晶體；一；^動器具有金氧半電晶體 阻器以二端點連接到傳輸線的1、= =動信號的閘極，電 極或汲極，且該接收器連接到爷2 =金虱半電晶體的源 法包括下列步驟： X傳輸線的另一端，設定方 先找出不具有該電阻器的該 依據該電特性去設定誃雷阻：：，置之電特性；及 信號具有邏輯高或低準=态々電阻，使得當該驅動 該傳輸線的阻位日”該驅動器的輸出阻抗大致與 下列1 步3驟如,請專利範圍第12項所述的設定方法，更包括 設定該傳輸線的長度，使得當該驅動器的該輪 與该傳輸線的該阻抗匹配時，來自該接收器的反射波抵 呑亥驅動裔。 一 1 4·如申請專利範圍第1 2項所述的設定方法，其中執 行該設定步驟，使得當來自該接收器的反射波抵達該驅動 恭時，該驅動信號具有邏輯高或低準位。 1 5 ·如申請專利範圍第丨2項所述的設定方法，更包括 下列步驟： 將該電阻器的該電阻設定成是大於該金氧半電晶體導 第22頁 2130-5135-PF3.ptc 1220567 6, 21

2130-5135-PF3.ptc 第23頁 1220567-———- 修正曰期：92.9.5 ·第多丨彳坪φ71號中文圖式修正頁 I 1 丨 κ 士 '.丨.:，;尤 w8Α Vgate (0【<〜vddqs …·▼^^^ Γ\ _/Λ Vddq/2 Zl+Rs . nrzo(@vgate=o^vcidq)) Vddq/2 CD尜骞铎}- ZO 蛛Vgate客昏躺4§^0洚Vddq崙 A Vddq