TW594202B - Mask, substrate with light reflecting film, method for forming light reflecting film, method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents
Mask, substrate with light reflecting film, method for forming light reflecting film, method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TW594202B TW594202B TW092107651A TW92107651A TW594202B TW 594202 B TW594202 B TW 594202B TW 092107651 A TW092107651 A TW 092107651A TW 92107651 A TW92107651 A TW 92107651A TW 594202 B TW594202 B TW 594202B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- reflecting film
- aforementioned
- light reflecting
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 39
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 168
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 159
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 13
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 3
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- -1 giant (w) Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUEXTLUUHCZFSX-UHFFFAOYSA-N alumane;silane Chemical compound [AlH3].[SiH4] AUEXTLUUHCZFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
- G02B5/0289—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used as a transflector
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/03—Function characteristic scattering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
594202 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光罩,附有·光反射膜之基板,光反射膜 之形成方法,及光學裝置之製造方法,及光電裝置,以及 電子機器。 更爲詳細而言係有關爲了製造干涉紋之產生少之光反 射膜的光罩,採用此而成之附有光反射膜之基板,光反 射膜之形成方法,及具備干涉紋之產生少之光反射膜的光 學裝置’以及具備干涉紋之產生少之光反射膜的電子機 器。 【先前技術】 如同所周知,從謀求薄型化及省電化等之情況來看, 做爲針對各種電子機器之顯示裝置,液晶顯示裝置則被廣 泛使用著,而像這樣的液晶顯示裝置係將液晶封入於一對 玻璃基板等之間的狀態下,再根據密封材來貼合周圍之構 成爲~般的構成,並且,搭載像這樣的液晶顯示裝置之電 子機器係於從外部的衝擊上等來看應該保護液晶顯示裝置 之該液晶顯示裝置之觀察側,即,辨識顯示之觀察者側, 採用配置保護板之構成,而關於保護板係通常具有光透過 性之材料,例如,由透明壓克力等而成之板狀構件。 但,將與針對如此之保護板之液晶顯示裝置的對向面 做爲完全的平滑面之情況係爲困難,並存在細微凹凸之情 況很多,並且,將如此之保護板配置於液晶顯示裝置之情 -6- (2) (2)594202 況,因表面之細微凹凸的原因而有著顯示品質顯著降低的 問題。 如此,做爲顯示品質降低其中一個原因,可舉出針對 在液晶顯示裝置之觀察側的基版與保護板之間隔因應存在 於保護板表面之凹凸產生紛散,即,因應如此之間隔之紛 散,當從液晶顯示裝置的射出光透過保護版時,產生干 擾,其結果將產生干涉紋,並且,根據產生之干涉紋與顯 示畫面重疊之情況,預測將會引起顯示品質之降低。 另外,對於日本特開平6-2748 1號公報係如圖27所 示揭示有反射型液晶顯示裝置400,並於日本特開平1卜 2 8 1 972號公報係如圖 28所示揭示有反射透過兩用型 5 00,並設置使各自干涉紋的產生降低之高度不同之複數 凹凸構造404a,404b(504a,504b),再於其上方形成高分 子樹脂膜405 (5 0 5 ),又於其上方更加形成連續波狀之反射 電極 409(509)。 另外,揭示有具有關於反射電極之液晶顯示裝置之製 造工程,例如揭示在圖2 8,首先,如圖2 8 (a)所示,於玻 璃基板6 0 0上全面形成光阻劑膜6 0 2,接著如圖2 8 (b )所 示,藉由由直徑不同之複數的圓而成之圖案6 04來進行曝 光,之後如圖28(c)所示進行顯像,再設置有高度不同之 複數之角的凸部或凹部606a,606b,另又如圖28(d)所示 進行加熱來使凸部或凹部的角部軟化,然後形成去角之凸 部或凹部606a,60 6b,並且,如圖28(e)所示,塡充規 定量之高分子樹脂620於有關凹凸構造之間610來進行具 -7- 働 (3) (3)594202 有波狀表面之連續重疊之後,再於高分子樹脂膜620之上 方’根據噴射法等堆積手段來形成連續之波狀的反射電極 624 〇 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但’在日本特開平6-2748 1號公報所揭示之反射型液 晶顯示裝置及反射透過兩用型之液晶顯示裝置係採用直徑 不同之複數的圓等配列成規則性或一部份不規則之光罩圖 案’並利用紫外線曝光及顯像來設置高度不同之複數凹凸 構造’但卻因有塗抹厚度不均等情況,爲有效防止光干擾 而嚴密地調整高度之情況係爲困難,另外,根據於高度不 同之複數凹凸構造上形成有反射電極來看,亦浮現出斷 線,以及容易短路等之問題,另外,所揭示之光反射膜之 製造方法係亦浮現出工程數多,管理項目多之製造上的問 題。 因此,在日本特開平6-2748 1號公報所揭示之光反 射膜係不止難以有效的防止干涉紋之情況,且亦難以在安 定下、有效率地製造有關之附有光反射膜之基板。 因此,本發明之發明人經努力檢討以上問題之結果, 於附有光反射膜基板之基材上,設置複數之凸部或凹部的 同時,不實質改變該複數之凸部或凹部之高度,於平面方 向經由任意排列,可容易得到干涉紋產生少之附有光反射 膜之基板。 -8 - (4)594202 即,本發明的目的爲提供得到干涉紋之 光反射膜之基板的光罩,如此之附有光反射 此之光反射膜之形成方法,及設置如此附有 板之光學裝置,以及具有如此之附有光反射 子機器。 [爲解決課題之手段] 根據本發明時,提供屬於爲在於具有複 基板形成圖案之光罩,其特徵係具備可透過 過部,和實質上不透過光線之光不透過部; 或光不透過部乃具有所定形狀,該所定形狀 之光罩。以解決上述之問題。 即,特定形狀之光透過部或光不透過部 如平面形狀爲圓(包含橢圓。以下亦相同)及 一者之形狀,將具有此等一部分重疊之形狀 光不透過部,排列於平面方向之故,製造附 基板時,可發揮優異之光散亂效果,有效防 生。 更且,將使用附有光反射膜之基板之液 之複數點部分,做爲基本單位時,例如將光 透過部,令對應於畫素RGB點之3點、6黑 一單位,於平面方向隨機加以排列時’可將 過部或光不透過部形成之圖案的資訊量變少 形狀之光透過部或光不透過部所成圖案’例 產生少之附有 膜之基板,如 光反射膜之基 膜之基板的電 數之點範圍之 入射光之光透 前述光透過部 間一部分重合 所成圖案,例 多角形、或任 之光透過部或 有光反射膜之 止干涉紋之產 晶顯不裝置等 透過部或光不 S、或12點爲 關於經由光透 。因此,特定 如平面形狀爲 -9 - (5) (5)594202 圓(包含橢圓。以下亦相同)及多角形、或任一者之形狀, 將形成具有此等一部分重疊之形狀之光透過部或光不透過 部所成圖案時,經由重覆相關基本單位’可極容易於短時 間進行光罩之設計。 然而,控制光透過部或光不透過部之平面形狀之理由 係對於構成附光反射膜基板之感光性樹脂’乃有透過光透 過部的光線所照射之地方進行光分解,對於顯像劑可溶化 之正片型與,透過光透過部的光所照射之地方被感光,對 顯像劑不溶化之負片型之緣故。 又,構成本發明之光罩時,光透過部或光不透過部之 口徑爲3〜1 5 μιη範圍內之値爲佳。 又,構成本發明之光罩時,具有口徑各爲不同的複數 之光透過部,或口徑各爲不同的複數之光不透過部爲佳。 即,例如令光透過部或光不透過部之口徑相異,設置 2〜10種之光透過部或光不透過部爲佳。 又,本發明之另一形態之光罩,屬於爲在於具有複數 之點範圍之基板形成圖案之光罩,其特徵係具備可透過入 射光之光透過部,和實質上不透過光線之光不透過部;前 述光透過部或光不透過部乃具有所定形狀,該所定形狀間 一部分重合,經由前述光透過部或光不透過部所形成之圖 案係將複數之點部分做爲一單位加以形成的同時,於該一 單位內包含成爲對稱之處所之光罩。 經由如此之構成,可效率製造干涉紋之產生少的附有 光反射膜之基板。即,於製造附有光反射膜之基板時,特 -10- (6) (6)594202 定之對稱圖案,例如經由一條之假想線,分割光罩’利用 對於該假想線在於鏡面對稱之圖案’可適當散亂光線之 故,可有效防止干涉紋之產生。又,利用對稱圖案,重複 使用該圖案,可使關於圖桿之資訊量變少,而容易進行附 有光反射膜之基板之製造。 又,本發明之其他之形態乃包含基材及反射層之附有 光反射膜之基板,其特徵係具備具有凸部或凹部之光反射 膜,前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀 間一部分重合之附有光反射膜之基板。 如此地,凸部或凹部具有特定形狀的同時,例如令對 應於畫素RGB點之3點、6點、或12點爲一單位,於平 面方向隨機加以排列之故,可發揮優異之光散亂效果,有 效防止干涉紋之產生。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,其中,凸 部之高度或凹部之深度於面內,實質上相等者爲佳。 例如,包含基材及反射層之附有光反射膜之基板中, 將獨立於該基材之表面形成之複數之凸部或凹部之高度, 實質上成爲相等者爲佳。 經由如此將複數之凸部之高度或凹部之深度,實質上 成爲相等者,在製造上可容易進行的同時,可得均一之反 射特性。 又,此將複數之凸部之高度或凹部之深度,實質上成 爲相等,成爲比較平坦之構成時,於與光散亂膜或液晶裝 置之保護板組合之時,即可有效抑制起因於各間隙之凹凸 -11 - (7) (7)594202 之顯示品質之下降。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,複數之凸 部或凹部之口徑係成爲3〜1 5 μπι之範圍內之値者爲佳。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,複數之凸 部或凹部之間隔係成爲2〜30 μπι之範圍內之値者爲佳。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,複數之凸 部之高度或凹部之深度係成爲0.1〜ΙΟμιη之範圍內之値者 爲佳。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,經由前述 複數之點所定義之單位,係較前述點範圍之數爲少,且複 數包含前述單位者爲佳。 又,構成本發明之附有光反射膜之基板時,具有口徑 各爲不同的複數之前述凸部,或口徑各爲不同的複數之前 述凹部爲佳。 又,本發明之其他形態之附有光反射膜之基板,屬於 爲在於具有複數之點範圍之基板形成光反射膜之附有光反 射膜之基板,其特徵係具備具有凸部或凹部之光反射膜, 前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一 部分重合,經由前述凸部或凹部所形成之圖案係將複數點 部分做爲一單位加以形成,且於單位內包含對稱之處所者 之附有光反射膜之基板。 又,本發明之其他形態係屬於爲在於具有複數之點範 圍之光電裝置,其特徵係具備有凸部或凹部形成光反射膜 之基板,支持於前述基板之光電裝置;前述凸部或凹部係 -12- (8) (8)594202 具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重合者之光電 裝置。 又,構成本發明之光電裝置時,凸部之高度或凹部之 深度於面內,實質上相等者爲佳。 又,構成本發明之光電裝置時,複數之點所定義之單 位爲較前述點範圍之數爲少,且包含複數個前述單位爲 佳。 又,構成本發明之光電裝置時,經由對應於複數之點 而設置各爲顏色不同的複數之著色層,和對應此等之複數 之點,形成1畫素,於前述一單位內至少對應1畫素者爲 佳。 又,本發明之其他形態之光電裝置,乃屬於具有複數 之點範圍之光電裝置,其特徵係具備具有凸部或凹部形成 光反射膜之基板,支持於前述基板之光電裝置;前述凸部 或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重 合,經由前述凸部或凹部所形成之圖案係將複數點部分做 爲一單位加以形成,且於單位內包含對稱之處所之光電裝 置。 又,構成本發明之光電裝置時’經由對應於複數之點 而設置各爲顏色不同的複數之著色層,和對應此等之複數 之點,形成1畫素,於前述一單位內至少對應1畫素者爲 佳。 又,本發明之其他形態之光電裝置,乃光電裝置中, 其特徵係具備光電層,和配置於前述光電層之一方側的光 -13- (9) (9)594202 散亂膜,和配置於前述光電層之另一方側的光反射膜;於 前述光反射膜,形成不規則排列之凸部或凹部,凸部或凹 部係具有所定形狀的同時,前述所定形狀間則一部分重合 之光電裝置。 又,構成本發明之光電裝置時,光散亂膜之霧度爲 10%以上60%以下者爲佳。 又,構成本發明之光電裝置時,具有複數之點範圍, 經由前述凸部或前述凹部所形成之圖案係於經由1點或2 點所定義之一單位內,不規則地加以排列,前述光散亂膜 之霧度爲40%〜60%之範圍內之値者爲佳。 又,構成本發明之光電裝置時,經由複數之點範圍, 和對應此等而設之顏色各爲不同的複數著色層,形成1畫 素,於前述一單位內至少對應1畫素者爲佳。 又’構成本發明之光電裝置時,具有複數之點範圍, 經由前述凸部或前述凹部所形成之圖案係於包含3以上之 點的一單位內’不規則地加以排列,前述光散亂膜之霧度 爲10%〜40%之範圍內之値者爲佳。 又,構成本發明之光電裝置時,具備配置於前述一方 側之保護膜爲佳。 又’本發明之其他形態乃屬於將光電裝置做爲顯示部 包含之電子機器中,其特徵係做爲前述光電裝置,具有複 數之點範圍之光電裝置,其特徵係具備具有凸部或凹部形 成光反射膜之基板,支持於前述基板之光電裝置;前述凸 部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重 -14- (10) (10)594202 合者之電子機器。 又,本發明之其他形態乃屬於將光電裝置做爲顯示部 包含之電子機器中,做爲前述光電裝置,採用具有複數之 點範圍之光電裝置,其特徵係具備具有凸部或凹部形成光 反射膜之基板,支持於前述基板之光電裝置;前述凸部或 凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重合, 經由前述凸部或凹部所形成之圖案係將複數點部分做爲一 單位加以形成,且於單位內包含對稱之處所之光電裝置的 電子機器。 又,本發明之其他形態乃屬於將光電裝置做爲顯示部 包含之電子機器中,做爲前述光電裝置,採用具備光電 層,和配置於前述光電層之一方側的光散亂膜,和配置於 前述光電層之另一方側的光反射膜;於前述光反射膜,形 成不規則排列之凸部或凹部,凸部或凹部係具有所定形狀 的同時,前述所定形狀間則一部分重合之光電裝置的電子 機器。 又,本發明之其他形態乃屬於在於具有複數之點範圍 之基材,形成光反射膜之方法,其特徵係具備於基材塗佈 感光性材料的工程,和曝光前述感光性材料之工程,和於 前述曝光之感光性材料,形成凹凸之工程,和於前述凹凸 上形成光反射膜之工程;前述凹凸係具有所定形狀的同 時,該所定形狀間一部分重合之形成光反射膜之方法。 又,關於形成本發明之其他之光反射膜之方法的形 態,屬於在於具有複數之點範圍之基材,形成光反射膜之 -15- (11) (11)594202 方法,其特徵係具備於基材塗佈感光性材料的工程,和曝 光前述感光性材料之工程,和於前述曝光之感光性材料’ 形成凹凸之工程,和於前述凹凸上形成光反射膜之工程; 前述凹凸係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重 合,前述凹凸之圖案,則將複數點部分做爲一單位,且於 該單位內包含對稱之處所的光反射膜之形成方法。 又,本發明之光電裝置之製造方法,其特徵係將於基 材塗佈感光性材料的工程,和曝光前述感光性材料之工 程,和於前述曝光之感光性材料,形成凹凸之工程,和於 前述凹凸上形成光反射膜之工程;前述凹凸係具有所定形 狀的同時,該所定形狀間一部分重合,於具有複數之點範 圍之基材形成光反射膜之方法,做爲工程加以包含的光電 裝置之製造方法。 又’本發明之其他之光電裝置之製造方法,其特徵係 將於基材塗佈感光性材料的工程,和曝光前述感光性材料 之工程’和於前述曝光之感光性材料,形成凹凸之工程, 和於前述凹凸上形成光反射膜之工程;前述凹凸係具有所 定形狀的同時,該所定形狀間一部分重合,前述凹凸之圖 案’則將複數點部分做爲一單位,且於該單位內包含對稱 之處所’於具有複數之點範圍之基材形成光反射膜之方 法’做爲工程加以包含的光電裝置之製造方法。 【實施方式】 [發明之實施型態] -16- (12) (12)594202 以下,參照圖面,關於本實施型態來進行說明,又, 當然以下所示之實施型態係表示本發明之一型態之構成並 不限定本發明之任何構成,可在本發明之技術思考上之範 Η內作任意之變更。 [第1實施型態] 第1實施形態乃於具有複數之點範圍之基板爲形成圖 案之光罩中,具備可透過入射光之光透過部,和實質上不 透過光線之光不透過部,光透過部或光不透過部乃具有所 定形狀,該所定形狀間一部分重合者。 即,例如爲製造圖2所示之附有光反射膜之基板的光 罩20中,將光透過部或光不透過部22,平面形狀成爲一 部分重疊之圓(包含橢圓)及多陛形、或任一方之形狀的同 時,使光透過部或光不透過部22,令較點範圍之數爲少 之數目之點部分,例如對應於將排列成爲不規則之特定畫 素的RGB點爲一單位,向平面方向隨機加以排列爲特徵 允之光罩。 1·光透過部或光不透過部 (1)形狀 將光罩的光透過部或光不透過部,如圖1(a)所示,成 爲一部分重疊的圓(包含橢圓)及多角形,或者任何一方之 平面形狀爲佳。 此理由係經由將光透過部或光不透過部之平面形狀成 -17- (14) (14)594202 著正確地控制凸部或凹部之平面形狀及配置圖案之困難情 況,另外,當光透過部或光不透過部之口徑未達3//m 時,在製造光罩本身亦有困難的狀況。 另一方面,當光透過部或光不透過部之口徑超過15 // m時,針對在所得到之光反射膜,使光適度地散亂之情 況將變爲困難,散亂特性將會降低而成爲暗反射之狀況。 因此,將光罩之光透過部或光不透過部之口徑做爲 3〜1 5 // m範圍內的値爲佳,而做爲6〜1 2 // m範圍內的値 則更佳。 另外,將針對在光罩之光透過部或光不透過部之至少 一個的口徑做爲3〜1 5 // m範圍內的値爲佳,即,對於有 不同口徑之光透過部或光不透過部之情況,將針對至少一 個之光透過部或光不透過邰的口徑做爲5//m以上的値, 而對於口徑不同之其他光透過部或光不透過部係即使其口 徑未達5 // m的値也可以。 此理由係當有關之光透過部或光不透過部之平面形狀 都未達5 // m之圓或多角形時,針對所得到之附有光反射 膜之基板’多會造成光過度散亂的情況,而成爲暗反射。 但,當光透過部或光不透過部之口徑過大時,將會使光散 亂效果下降,而產生干涉紋。 因此,令光罩之透過部或光不透過部之至少一個口 徑,成爲5〜15//m之範圍內之値爲佳,6〜12/zm之範圍 內之値爲更佳。 另外’將光罩之光透過部或光不透過部之間隔成爲 -19- (15) (15)594202 3 . 5〜3 0 // m範圍內的値爲使佳。 此理由係當有關之光透過部或光不透過部之間隔未達 3 . 5 // m的値時’光透過部或光不透過部的獨立性將會降 低,重疊會增大之緣故。 另一方面,當有關之光透過部或光不透過部之間隔超 過3 0 // m的値時,光透過部或光不透過部的隨機配置性 將會降低。 因此,將光罩之光透過部或光不透過部之間隔成爲 3〜2 0 // m範圍內的値則較佳,將光罩之光透過部或光不透 過部之間隔成爲4〜1 5 // m範圍內的値爲更佳。 又,有關之光透過部或光不透過部之間隔係爲從鄰接 之光透過部或光不透過部之中心至中心的距離,爲1 〇個 以上之平均値。 (3)種類 又,使光罩之光透過部或光不透過部之口徑成爲不 同,並設定2〜10種類光透過部或光不透過部者爲佳,例 如,如圖5所示,將具有不同口徑之光透過部或光不透過 部設置在一個隨機圖案內的構成。 此理由係如此地根據存在有不同口徑之光透過部或光 不透過部之情況,更可有效地製造干涉紋之產生少之附有 光反射膜之基板。即,在採用如此光罩來製造附有光反射 膜之基板時,所得到之凸部或凹部之配列更爲分散’而可 使光作適當的散亂。因此,對於使用如此附有光反射膜之 - 20- (16) (16)594202 基板於液晶顯示裝置之情況,更可有效防止干涉紋之產 生。 又,做爲光反射膜用光罩圖案之口徑不同之光透過部 或光不透過部而成之圖案的組合,可舉出下列的例子。 1) 7.5//m之重疊六角形圖案,和9//m之重疊六角形圖案 之組合 2) 5 // m之重疊六角形圖案,和7.5 // m之重疊六角形圖 案,和9//m之重疊六角形圖案之組合 3) 4.5//m之重疊正方形圖案,和5//m之重疊正方形圖 案,和7.5//m之重疊六角形圖案,和9//m之重疊六角 形圖案,和1 1 // m之重疊六角形圖案之組合之情況爲 佳。 (4)面積比率 又,將光罩的光透過部或光不透過部之面積比率對於 整體面積成爲10〜60 %範圍的値爲佳。 此理由係當有關之面積比率爲達1 〇%的値時,在製造 附有光反射膜之基板時,有著複數凸部或凹部之佔有面積 則將變小,平坦部則增加,光散亂效果則明顯降低之情 況,另一方面,即使有關之面積比率超過60%也會有,平 坦部則增加,光散亂效果則明顯降低之情況。 因此,將光罩的光透過部或光不透過部之面積比率對 於整體面積成爲15〜50%範圍的値之情況較佳,而成爲 20〜40%範圍的値之情況則更佳。 又,做爲構成基材的感光性樹脂,對於使用正片型之 -21 - (17) (17)594202 後對顯像劑進行溶化之情況,光罩之光不透過部之面積比 率將成爲問題,而對於使用負片型之情況係從透過光透過 部的光所照射的地方則硬化,然後對顯像劑不溶化之情 況,光罩之光不透過部之面積比率將成爲問題。 2.隨機排列 (1)隨機排列1 在第1實施型態之特徵中係例如圖1所示,將光罩 10之光透過部或光不透過部隨機排列在平面方向爲特 徵。 即,經由使用如此光罩,藉由曝光步驟,形成於附有 光反射膜之基板之時,對於基板,可令複數之凸部或凹部 容易地加以隨機排列,可進行適當之光散亂。 然而,隨機排列,直接來說係指無秩序地配列光透過 部或光不透過部的意思,但更正確的來說係指在每個單位 面積切割光罩,對於重疊這些光罩之情況,即使各個圖案 完全不同或有部份重疊的地方都不會完全一致之狀態的意 思。 (2)隨機排列2 又,將光反射膜用光罩圖案之光透過部或光不透過 部,令形成使用光反射膜的液晶顯示裝置等之畫素電極之 RGB點做爲基準,隨機排列於平面方向者爲佳。 即,使用光反射膜之液晶顯示裝置等之1畫素(RGB: 3 -22- (18) (18)594202 點),2畫素(RGB :6點),或 4畫(RGB: 12點)做爲一單 位,重複此,向平面方向隨機加以排列爲佳。 例如,如圖2所示,於縱方向之線L1及L2,將各別 分割之3種之RGB點做爲一單位,重複光透過部或光不 透過部3 2所成隨機圖案亦可。更且,如圖4所示,縱方 向之線L 1〜L5,和橫方向之線L6,將各別分割之1 2種之 RGB點做爲一單位,重複光透過部或光不透過部42所成 隨機圖案亦可。 此理由乃經由具有如此RGB點之數個集合做爲基本 單位之圖案的光罩,由此所得之光反射膜之複數之凸部或 凹部,將光線適當散亂,可有效防止干涉紋之產生的緣 故。又,將RGB點之數個集合做爲基本單位加以圖案化 之故,可使圖案之資訊量變少,可容易進行製造光反射膜 時之圖桿之位置調整, 然而,於本發明中,令光反射膜用光罩圖案之光透過 部或光不透過部,將液晶顯示裝置等之RGB點做爲基 準,向平面方向隨機排列之時,並不一定需要具有畫素構 件,例如無需侖用彩色濾光片,就結果而言,於RGB點 單位,形成特定之隨機圖案即可。 (3)隨機排列3 又,構成光罩時,經由至少一條之假想線,分割光 罩,對於該假想線,將經由光透過部或光不透過部形成之 圖案,成鏡面對稱加以排列爲佳。 -23- (19) (19)594202 經由如此之構成,可更有效率製造干涉紋之產生少的 附有光反射0吴之基板。即,於製造附有光反射膜之基板之 時,複數之凸部或凹部利用鏡面對稱圖案,適當地散亂光 線之故,可更有效防止干涉紋之產生。 又,利用鏡面對稱圖案之故,經由旋轉移動可形成同 一圖案。因此,可使圖案之資訊量變少,容易進行附有光 反射膜之基板之製造。 在此,參照圖6(a)及(b),對於做爲隨機排列之鏡面 對稱圖案,更具體加以說明。然而,圖6(a)及(b)中,鏡 面對稱圖案之關係可被容易理解地,乃將圓或多角形所成 光透過部或光不透過部所成圖案,做爲文字圖案(F)。 首先,如圖6(a)所示,對於一條之假想線(L1),將複 數之凸部或凹部所成文字圖案(F),排列成鏡面對稱,左 右對稱爲佳。經由如此構成,可利用一方之圖案,經由反 轉此等,形成另一方之圖案。 又,如圖6(b)所示,對於二條之假想線(L1及L2), 將複數之凸部或凹部所成文字圖案(F),各爲鏡面對稱, 排列成左右對稱及上下對稱爲佳。可經由如此構成,利用 一個之文字圖案63,可形成其他之3個文字圖案。即, 可令文字圖案63,將L1做爲軸加以反轉,形成文字圖案 65。又,將文字圖案63,將L2做爲軸加以反轉,形成文 字圖案67。更且,將文字圖案63令基點68爲中心經由 180度旋轉,形成文字圖案69。 然後,無論何者,圖案於鏡面對稱之時,將假想線對 -24- (20) (20)594202 稱所得之圖案間,無法向上下方向重合,可做爲本發明規 定之隨機圖案之一種,產生適切之光散亂。 [第2實施型態] 第2實施形態乃爲在於具有複數之點範圍之基板形成 光反射膜之附有光反射膜之基板,其特徵係具備具有凸部 或凹部之光反射膜,凸部或凹部係具有所定形狀的同時, 該所定形狀間一部分重合,經由凸部或凹部形成之圖案乃 於經由複數之點定義之一單位中,排列成爲不規則的附有 光反射膜之基板。 即,如圖7示,做爲一例表示有採用負片型感光性樹 脂之情況,但爲包含基材7 7及反射層7 2之附有光反射膜 之基板70中,使形成於該基板77之複數之複數凸部76 之局度或凹邰之深度,實質上成爲相等的同時,將該複數 之凸部或凹部76之平面形狀,成爲一部分重疊之圓及多 角形,或任一方之平面形狀,且將複數之凸部或凹部 76 ’向平面方向隨機加以排列之附有光反射膜之基板 70 〇 1.基材 做爲基材的構成,如圖7所示,從下方依序包含第 1基材76及第2基材79,而該第1基材76爲獨立之複數 凸部構成,而第2基材79爲連續層。 經由如此構成,可藉由爲連續層之第2基材79,使 •25- (21) (21)594202 經由如此構成,可藉由爲連續層之第2基材7 9,使 形成於其上之反射層72,成爲較爲圓滑之曲面之故,於 使用於液晶顯示裝置之情況,可有效地防止干涉紋之產 生,以下做爲適合例子,如圖1 2 3 4 5 6所示’將從下方基由第1 基材7及第2基材79構成基材77之情況舉例說明。 (1) 第1基材 令第1基材之獨立之複數凸部的高度或凹部的深度成 爲0.5〜5 // m範圍內的値爲佳。 此理由係當有關之凸部的高度或凹部的深度未達〇 · 5 Am的値時,有著藉由第2基材來設置具有適當曲面之反 射層困難之情況,另一方面,當有關之凸部的高度或凹部 的深度超過5 // m的値時,反射層之凹凸變大,容易造成 使光過度散亂或容易斷線之情況。 因此,將針對在第1基材之獨立之複數凸部的高度或 凹部的深度成爲0.8〜4 // m範圍內的値則爲佳,而成爲 1〜3 # m範圍內的値則更佳。 -26- 1 第2基材 2 將第2基材之連續之複數凸部的高度或凹部的深度成 3 爲〇 . 1〜3 // m範圍內的値爲佳。 4 此理由係當有關之凸部的高度或凹部的深度未達〇 · 1 5 的値時,有著對於其上方設置具有適當曲面之反射層 6 困難之情況,另一方面,當有關之凸部的高度或凹部的 (22) (22)594202 深度超過3 // m的値時,形成在其上方之反射層之凹凸變 · 大,容易造成使光過度散亂或容易斷線之情況。 · 因此,將第2基材之連續之複數凸部的高度或凹部的 深度成爲〇·1〜2 A m範圍內的値爲佳,而成爲0.3〜2 // m範 圍內的値更佳。 (3)複數凸部或凹部 凸部或凹部之平面形狀 φ 又,關於形成在基材之複數凸部或凹部之平面形狀, 成爲重合之圓及重合多角形,或任何一方之平面形狀之情 況爲佳。 此理由係經由成爲重合之圓型及多角形,或任何一方 之平面形狀之情況,將複數凸部或凹部之平面形狀或配畔 置圖案,採用曝光處理,可正確地控制。另外,如爲如此 之平面形狀之凸部或凹部,將可使光散亂,進而可有效地 防止干涉紋之產生。 · 又,做爲凸部之的平面形狀的適合例,可舉出如圖 8(a)所示之偏移的橢圓形(液滴形狀)或圖8(b)所示之偏移 之四角形(金字塔形),或是做爲凹部之的平面形狀的適合 例,可舉出如圖18〜圖22所示之橢圓之圓頂形狀或長圓 之圓頂形狀等。 此理由係’經由將複數凸部或凹部之平面形狀做爲如 此之平面形狀之情況,與高度方向的斜面相結合,如圖9 所示,維持著規定光散亂而提升光指向性,圖9中,一點 -27- (23) (23)594202 虛線a則對於如圖8(a)所示之偏移的橢圓形之情況,表示 著所辨識之光量,而實線b則對於無偏移之均等之圓型的 情況,表示著所辨識之光量,因此,根據做爲如此之平面 形狀之情況,從一定方向識別之情況,例如針對在角度 + 1 5 °之位置射入眼睛之光量將便多,而在其位置係可辨 識明亮之畫像。 凸部或凹部的口徑 又,關於形成在基板之複數凸部或凹部,將複數凸部 或凹部之口徑成爲3〜1 5 // m範圍內的値爲佳。 此理由係如爲具有有關範圍口徑之複數凸部或凹部, 採用曝光處理將可正確地控制平面形狀及位置圖案之同 時,使光作適度的散亂作有效防止干涉紋之產生,另外, 如爲具有有關範圍口徑之複數凸部或凹部觀察到不定型沾 染模樣之情況將會變少。 因此,將複數凸部或凹部之口徑成爲5〜13 // m範圍 內的値爲佳,而成爲6〜1 2 // m範圍內的値則更佳。 凸部之高度或凹部之深度 又,關於形成在基板之複數凸部或凹部,將其凸部之 高度或凹部之深度成爲0.1〜l〇//m範圍內的値爲佳。 此理由係當有關之凸部之高度或凹部之深度未達〇 · 1 // m的値時,即使採用曝光處理凹凸也會變小而有散亂特 性降低之情況,另一方面,當有關之凸部之高度或凹部之 深度超過10//m時,反射層之凹凸變大,容易造成使光 過度散亂或容易斷線之情況。 -28· (24) (24)594202 因此’將凸部的高度或凹部的深度成爲〇 · 2〜3 // m範 圍內的値較佳,而成爲〇 · 3〜2 // m範圍內的値則更佳。 隨機排列1 又,形成在基材表面之複數凸部或凹部,特別是將構 成第1基材之複數凸部之高度或凹部之深度,實質上成爲 相等的同時,將該複數之凸部或凹部向平面方向隨機排列 爲佳。 此理由係,複數凸部或凹部規則性地加以配置時,對 於使用在液晶顯示裝置之情況,將產生干涉紋,而畫像品 質則顯著降低。 又,關於複數凸部之高度或凹部之深度實質上成爲相 等乃相反地’會有如日本特開平6-2748 1號公報及日本特 開平1 1 - 2 8 1 9 7 2號公報所記載,將複數凸部的高度或凹部 的深度成爲不同時,製造上將變爲困難,且無法安定控制 干涉紋之產生。 又,使複數之凸部或凹部之口徑爲不同,例如設置 2〜1 0種類之凸部或凹部爲佳。 此理由乃是經由如此構成,可得1種類之凸部或凹部 所無法得到的複雜光反射,可使光線更爲分散而散亂。 因此,經由設置口徑不同之複數凸部或凹部,可更有 效防止干涉紋的產生。 隨機排列2 將複數凸部或凹部,使使用光反射膜之液晶顯示裝置 等之1畫素(RGB:3點)、2畫素(RGB:6點)或4畫素 -29- (25) (25)594202 佳。 此理由係將如此之幾個RGB點做爲單位之複數凸部 或凹部中’複數凸邰或凹部亦可使光作適當的散亂來有效 防止干涉紋之產生。又,將RGB點做爲基本單位來進行 圖案化之故,可將圖案之資訊量減少,進而在製造光反射 膜時之圖案位置之配合等將變爲容易。 然而,如此隨機排列,乃如上所述,藉由圖2〜圖4 所示光反射膜用光罩圖案,經由曝光步驟,可容易地形 成。 隨機排列3 又,將基材經由假想線分割,對於該假想線,令複數 之凸部或凹部,鏡面對稱地加以排列爲佳。 經由如此構成,利用鏡面對稱,可適切地散亂光線之 故,可更有效防止干涉紋之產生。又,利用鏡面對稱圖案 時經由旋轉移動可使之一致之故,可使圖案之資訊量娛 少,而可容易製造附有光反射膜之基板。 然而,當作成如此鏡面對稱圖案,可適切使用於第1 實施形態所說明之具有鏡面對稱圖案之光罩。 (4)開口部 於附有光反射膜之基板中,設置有爲使光線部份通過 之開口部爲佳,根據如此構成,可使用於反射透過兩用型 之液晶顯示裝置。 即,如圖1 0所示,根據設置開口部1 〇 2於光反射膜 -30- (26)594202 即,如圖1 0所示,根據設置開口部1 〇 2於光反射膜 1 00之一部份的情況,將可由光反射膜1 00來將從外部的 光作有效之反射的同時’關於從內部所發射的光’亦可通 過開口部1 02對外部作有效的射出。
然而,開口部的大小並無特別的限制,而根據光反射 膜之用途來決定之情況爲佳’但’如將光反射膜之整體面 積成爲1 〇 〇 %時,成爲5〜8 0 %範圍內的値之情況爲佳,而 成爲10〜70%範圍內的値之情況則較佳,又成爲20〜60%範 圍內的値之情況則更佳。 2.反射層 (1)厚度 將附有光反射膜之基板之反射層之厚度成爲0.05〜5 // m範圍內的値爲佳。 此理由係當有關之反射層之厚度未達0 . 〇 5 // m的値 時,將顯著缺乏反射效果,另一方面,當有關之反射層 之厚度超過5 // m的値時,將會造成所得到之附有光反射 膜之基板之可撓性降低及製造時間過長之情況。 因此,反射層之厚度成爲〇 · 〇 7〜1 // m範圍內的値之情 況爲較佳,而成爲〇 . 1〜0 · 3 // m範圍內的値之情況則更 佳。 (2)種類 又,反射層之構成材料係無特別限制,例如做爲對於 -31 - (27) (27)594202 鋁(Al),銀(Ag),銅(Cu),金(An),鉻(Cr),鉅(w),及鎳 (Ni)等導電性及光反射性優越之金屬材料之情況爲佳。 又,對於上述反射層之上方使用氧化銦錫(IT0)及氧 化銦,或氧化錫等之透明導電材料爲佳。 但,在採用如此之金屬材料及透明導電材料時,對於 有溶入於液晶之情況係設置電絕緣膜於由該金屬材料而成 之反射膜表面,或與金屬材料等同時將電絕緣膜進行濺鍍 等之情況爲佳。 (3) 基材層 另外,將反射層形成於第2基板之上方時,使密著力 提升之同時,爲將反射層作圓滑曲面,設置厚度0.01〜2 // m之基材層之情況爲佳。 又,做爲如此之基材層之構成材料,可舉出有機矽烷 偶合劑,鈦偶合劑,鋁偶合劑,鋁鎂合金,鋁矽烷合金, 鋁銅合金,鋁猛合金,銘金合金等之一種單獨或兩種以上 之組合。 (4) 鏡面反射率 又,將針對在反射層之鏡面反射率成爲5〜50%範圍 內的値之情況爲佳。 此理由係當有關之鏡面反射率未達5%時’對於使用 在液晶顯示裝置之情況,所得到之顯示畫像之亮度將會有 顯著下降之情況,另一方面,當有關之鏡面反射率超過 -32- (28) 594202 因此,將針對在反射層之鏡面反射率做爲10〜 範圍內的値之情況較佳,而做爲1 0〜4 0 %範圍內的値之情 況則更佳。 將上述之光反射膜,與其他構件,例如如圖1 5及圖 16所示,彩色濾鏡150,遮光層151,外敷層157,複數 之透明電極1 54,配向膜等組合之情況爲佳。
根據如此構成,將可有效提供干涉紋產生少之彩色液 晶顯示裝置等之構件,例如根據組合由RGB(紅,綠, 藍)3色之顏色要素構成之條紋配列,馬賽克配列或三角 配列等之彩色濾鏡1 5 0,將可容易謀求彩色化,又根據與 遮光層1 5 1來作組合之情況,將可得到對比優越之畫像, 另外光反射膜亦可做爲反射電極來使用,但根據設置其他 電極,例如透明電極1 54之情況,將可防止光吸收,還可 排除由複數凸部或凹部而成之反射膜的影響。
另外又,根據由YMC(黃,洋紅、紫藍)而成之3色之 顏色要素來構成彩色濾鏡之情況亦佳,而做爲對於光透過 性優越反射型液晶顯示裝置來使用之情況,更能得到明亮 之顯示。 [第3實施型態] 第3實施型態乃,屬於在於具有複數之點範圍之基 材,形成光反射膜之方法,具備於基材塗佈感光性材料的 工程,和曝光感光性材料之工程,和於曝光之感光性材 料,形成凹凸之工程,和於凹凸上形成光反射膜之工程, -33- 594202 (29) 凹凸係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重合, 該凹凸圖案將較點範圍數少之複數點部分做爲一單位,且 於該一單位內’成爲不規則地加以形成爲特徵之光反射膜 之形成方法。
即,包含將光透過部或光不透過部,例如成爲重合之 圓或重合之多角形、或任一方之平面形狀,而且於平面方 向使用隨機排列之光罩,對於塗佈之感光性樹脂,經由曝 光步飭,使高度實質上相等,於平面方向隨機排列,且平 面形狀,形成具有重合圓及重合之多角形,或任一方之平 面形狀之獨立複數之凸部或凹部的第1之基材的工程,各 和於該第1之基材之表面,塗佈感光性樹脂,經由曝光步 驟,形成具有連續複數之凸部或凹部的第2之基材的工 程,和於該第2之基材之表面,形成反射層之工程爲特徵 之附有光反射膜之基板的製造方法。
以下適宜地參照圖11及圖12,採用於第1之基材之 表面形成凹部時之例,具體說明附有光反射膜之基板之製 造方法。然而,圖 U係將附有光反射膜之基板之製造工 程圖示化之構成,而圖1 2係其流程圖。 1.形成第1基材之工程 將於平面方向隨機排列之複數凹部,利用在第1實施 型態所說明之光罩,由正片型感光性樹脂,經由曝光處理 加以形成爲佳。 即,將光透過部或光不透過部成爲重疊圓及重疊多角 -34- 594202 (30) 形,或者任何一方之平面形狀,採用於平面方向隨機排列 之光罩,對應於該光罩圖案,來將重疊圓及重疊多角形, 或任何一方之平面形狀之獨立複數凹部,由感光性樹脂加 以爲佳。 (1)感光性樹脂
構成第1基材之感光性樹脂種類係無特別限制,但可 舉出例如:丙烯基樹脂,環氧樹脂,矽樹脂,苯酚乙醛樹 脂,氧雜環丁烷樹脂等之單獨一種或二種以上之組合,另 外,欲可做爲精確度優良之特定之圓型或多角形情況地, 於感光性樹脂添加二氧化矽粒子,氧化鈦,氧化鈷,氧化 鋁等無機塡充物之情況亦爲佳。
又,如上述,做爲構成第1基材之感光性樹脂係可適 當地使用被透過光透過部的光所照射的地方,進行光分 解,對於顯像劑可溶解之正像型與,被透過光透過部的 光所照射的地方,進行硬化,對於顯像劑不可溶解之負片 型之構成的任何一種。 (2)曝光處理 如圖11(a)及圖12之工程P31所示,在形成獨立之複 數凹部之第1基材時,採用旋轉塗佈,來均.勻塗抹構成第 1基材之感光性樹脂於之支持部1 1 4,然後形成第1層 1 1 0爲佳。而此情況,做爲旋轉塗佈的條件,例如以 600〜2000rpm的旋轉數,進行5〜20秒之情況爲佳。 -35- (31) (31)594202 1 1 〇爲佳。而此情況,做爲旋轉塗佈的條件,例如以 ’ 600〜2000rpm的旋轉數,進行5〜20秒之情況爲佳。 < 接著,爲使解像度提升,如圖12工程P32示地,將 第1層1 1 0進行預烘焙爲佳。此情況,例如採用加熱板 8 0〜120 °C進行1〜10分之加熱情況爲佳。 接著,如圖1 1(b)及圖12之工程P33所示,使用第 1實施型態之光罩1 1 9,於由均勻塗抹之感光性樹脂所成 之地1層1 1 0之上,載置第1實施型態之光罩119之後’ Φ 將i線等進行曝光之情況爲佳,而此情況,將1線等之曝 光量例如做爲50〜3 00mJ/ cm1之範圍値內之情況爲佳。 接著,如圖1 1(c)及圖12之工程P34所示,根據顯 像劑,例如經由將透過光罩1 1 9之光透過部1 1 7之部份進 行正像顯像之情況,可形成將隨機排列在平面方向而形成 獨立之複數凹部所成之第1基材。 然而,在形成第2基材113之前,如圖12之工程 P 3 5及圖3 6所示,做爲一例,根據欲將曝光量成爲 · 3 00mJ/ cm1地進行全面性的曝光後,以200°C .50分的條 件下進行加熱情況來進行後烘烤,而將第1基材1 1 2成爲 更堅固爲佳。 -36- 1 .形成第2基材之工程 第2基材之工程係根據樹脂塗佈等來於第1基材上, 即,隨機排列在平面方向之複數凹部上形成做爲連續層之 第2基材之構成。 (32) (32)594202 (1) 感光性樹脂 構成第2基材之感光性樹脂種類係無特別限制,但可 舉出例如:丙烯基樹脂,環氧樹脂,矽樹脂,苯酚乙醛樹 脂等。 又,爲了提升第1基材及第2基材之間的密著力,將 構成第1基材之感光性樹脂與構成第2基材之感光性樹脂 做爲同一種之構成爲佳。 然而,爲了提升第1基材及第2基材之間的密著力, 於第1基材的表面施以有機矽烷偶合劑之處理爲佳。 -37- (33) (33)594202 P4 3〜P44所示,於第2基材1 13的表面,與作適度之光散 亂地形成具有圓滑曲面之反射層1 1 6之工程。 (1) 反射層材料 做爲反射層材料係如在地2實施型態說明過地做爲對 於鋁(A1)及銀(Ag)等光反射性優越之金屬材料之情況爲 佳。 (2) 形成方法 採用濺鍍等手法來形成反射層之情況爲佳,另外所望 地方以外之反射層材料係可利用微縮術等之手法來去除。 另外,因於第2基材1 1 3的表面有著凹凸,故反射層 材料有著無均勻厚度之堆積之情況,但在這樣的情況係採 用旋轉蒸鍍法或旋轉濺鍍法之情況爲佳。 又,另外,形成反射層之同時將該反射層對於 TFT (Thin Film Transistor)或,MIM(Metal Insulating Metal)等之端子,進行電接續之情況爲佳。 [第4實施型態] 第4實施型態係爲做爲主動元件採用2端子型之能動 元件之TFD(Thin Film Diode)之主動矩陣方式之液晶顯示 裝置,其特徵係具備有夾合在基板間的液晶元件與,設置 在與該液晶元件觀察側相反側之基板的附有光反射膜基 板,而該附有光反射膜基板則由基板及反射層而成,並根 -38- <47 (34) (34)594202 據隨機函數來分配形成在該基材表面之複數凸部或凹部之 位置’並將該複數凸部或凹部隨機排列於平面方向之液晶 顯示裝置。 以下參照圖2 3〜圖2 5來作具體之說明,但將可以以 選擇性的進行採用外部光之反射顯示與採用照明裝置之透 過顯示方式之半透過反射型液晶裝置舉例來說明。 首先,針對本實施型態,液晶裝置2 3 0亦如圖2 3所 示’由根據密封材來貼合第1基板2 3 1 a與第2基板 2 3 1 b,另又於根據密封材來包圍第1基板2 3丨a,第2基 板2 3 1 b之間隙,即,元件間隙,封入液晶之情況所形 成,又’於另一方之基板 231b的表面,例如根據 COG(Chip on glass)方式直接實裝液晶驅動ic(無圖示)之 情況爲佳。 然後,針對圖2 3表示構成液晶裝置2 3 0之顯示領域 之複數顯示點距之中,放大數個之剖面構造,而圖24係 表不1個顯不點距部份之剖面構造。 在此’如圖23所示,對於根據第2基板23 1 b之密封 材所包圍之內部範圍係有關行方向XX及列方向YY由點 距矩陣狀支配列來形成複數之畫素電極,另外,對於根 據第1基板2 3 1 a之密封材所包圍之內部範圍係形成條紋 狀之電極,並對於第2基板2 3 1 b側之複數電極來配置其 條紋狀之電極。 又,由第1基板23 1 a上之條紋狀電極與,第2基板 23 1 b上之1個畫素電極來夾合液晶之部份則形成1個顯 -39- (35) (35)594202 示點距,並此顯示點距之複數個則在由密封材所包圍之內 部範圍根據配列爲點距矩陣狀之情況來形成顯示範圍,另 外,液晶驅動用1C係根據選擇性地施加掃描信號及資 料信號於複數顯示點距內之對向電極間之情況,於每個顯 示點距控制液晶的配向,即,根據液晶之配向控制調製通 過該液晶的光來顯示文字,數字等之影像於顯示範圍內。 又,針對圖24, 第1基板231a係具有由玻璃,壓 克力等所形成之基材236a與,形成在其基材236a之內側 表面的光反射膜231與,形成在其光反射膜231上之彩色 濾鏡2 4 2,而對於其條紋狀電極2 4 3之上方係形成有配向 膜24 1 a,對於此配向膜24 1 a,施以做爲配向處理之包覆 處理,而條紋狀電極243係由例如ITO (Indium Tin Oxide) 等之透明導電材料所形成。 又,對向於第1基板231a之第2基板231b係具有由 玻璃,壓克力等所形成之基材23 6b與,做爲形成在其基 材2 3 6b之內側表面之做爲切換元件來發揮功能之主動元 件之 TFD(Thin Film Diode)247 與,接續在其 TFD247 之 畫素電極239,對於TFD247及畫素電極239之上方係形 成配向膜2 4 1 b,對於此配向膜2 4 1 b,施以做爲配向處理 之包覆處理,而畫素電極23 9係由例如ITO(Indium Tin Oxide)等之透明導電材料所形成。 又,屬於第1基板231a之彩色濾鏡242係於對向在 第2基板231b側之畫素電極239之位置,具有R(紅), G(綠),B(藍)或者是γ(黃),M(洋紅),c(紫紅)之各色之 -40- (36) (36)594202 任何顏色之濾光元件242a,並在無對向於畫素電極239 之位置具有黑色光罩2 4 2 b之情況爲佳。 另外,如圖24所示,第1基板231a與第2基板 23 1 b之間的間隔,即,元件間隔係由分散在任何一方之 基板表面之球狀間隔件3 04來維持尺寸,並將液晶封入於 其元件間隔。 在此,TFD247係如圖24所示,由第1金屬層244 與,形成在其第1金屬層244表面之絕緣層246與,形成 在其絕緣層246上方之第2金屬層248所構成,如此, TFD247係由第1金屬層/絕緣層/第2金屬層而成之堆積 構造,所謂由 MIM(Metal Insulating Metal)構造所構成 著。 又,第1金屬層244係例如由鉅單體,鉅合金等所 形成,而做爲第1金屬層244對於採用鉅合金之情況係在 主成份的鉅添加例如針對鎢,鉻,鉬,銶,釔,鑭,鏑等 週期表屬於第6〜第8之元素。 又,第1金屬層244係與綫路配線249之第1層 2 4 9 a所~'體成形’而此綫路配線2 4 9係將畫素電極239 夾合於其間形成爲條紋狀,並做爲爲了供給掃描信號於之 掃描線或爲了供給資料信號於畫素電極2 3 9之資料線來發 揮作用。 又,絕緣層2 4 6係根據由例如陽極氧化法氧化第1 金屬層2 4 4表面之情況所形成之氧化钽(T a 2 Ο 5 )所構成, 又,對於將第1金屬層244進行陽極氧化時係綫路配線 -41 - (37) (37)594202 249之第1層249a表面也同時被氧化來形成同樣由氧化 鉅而成之第2層249b。 又,第2金屬層248係例如由Cr等之導電材所形 成,而畫素電極23 9係其一部份重疊於第2金屬層248前 端地形成於基材23 6b表面,又對於基材23 6b表面係形成 第1金屬層244即綫路配線之第1層249a之前根據氧化 鉅來形成基材層,此係根據第2金屬層24 8之堆積後之熱 處理來防止第1金屬層244從基底剝離及防止不純物擴散 至第1金屬層244。 然後,形成在第1基板231a之光反射膜231係根據 例如鋁等光反射性金屬所形成,並在因應屬於第2基板 23 1b之畫素電極23 9之位置,即,因應各顯示點距之位 置形成光透過用之開口 241,另外,對於光反射膜231之 液晶側表面係例如由如圖8及圖1 8〜圖22所示之長圓形 狀形成蛋形狀之谷部或山部 80,84,180,190,200, 2 1 0,2 2 0之情況爲佳,即,有關之谷部或山部8 0,8 4, 1 8 0,1 9 0,2 0 0,2 1 0,2 2 0係將綫路配線之延伸方向之X 軸線方向做爲長軸,而與此之直角的 Y軸線方向則配列 成短軸之情況爲佳,另外,谷部或山部80,84,180, 190,200,210,220之長軸方向X係對於延伸於基材之 XX方向之端邊來設定爲平行,而短軸方向Y係對於延伸 於基材之YY方向之端邊來設定爲平行之情況爲佳。 第4實施型態之液晶顯示裝置23 0係因由以上方式所 構成,故該液晶顯示裝置23 0在進行反射型顯示之情況係 -42- (38) (38)594202 針對圖2 3 ,從觀察者即第2基板2 3 1 b,射入至液晶顯 示裝置23 0內部的外部光係通過液晶來到達至光反射膜 231 ’再由該光反射膜231反射再供給至液晶(參照圖2 4 之箭頭F 1 ),而液晶係根據施加於畫素電極2 3 9與條紋狀 之對向電極243之間的電壓,即,掃描信號及資料信號來 對於每個顯示點距控制其配向,由此,供給至液晶的反 射光係對於每個顯示點距進行調製,而由此對觀察者顯示 文字,數字等之影像。 另一方,對於液晶顯示裝置23 0再進行透過型顯示之 情況係配置在第1基板23 1 a之照明裝置(無圖示),即背 光進fl發光’而此發光則在通過偏光板2 3 3 a,相位差板 232a’基材236a, 光反射膜231之開口 241,彩色濾色 鏡242,電極243及配向膜241a之後供給到液晶(參照圖 24之箭頭F2),之後,與反射型顯示之情況相同地進行顯 示0 然後,在第4實施型態之中係在從針對附有光反射膜 基板之基材上根據隨機函數來分配凸部或凹部之同時,隨 機排列該複數凸部或凹部於平面方向之情況,將可減少干 涉紋之產生。 又,針對第4實施型態,如上述所述,對於使沿著針 對在複數凸部或凹部之X軸線的立體形狀與沿著Y軸線 之立體形狀做爲相互不同之情況係在控制減低對於一定視 野角方向之反射光量之後,將可使對於其他之特定視野角 方向之反射光量增加,其結果,觀察者係在採用光反射膜 -43- (39) (39)594202 所進行之反射形顯示時,在有關特定視野角方向可觀察到 非常明亮顯示顯示在液晶顯示裝置之顯示範圍內之影像。 第5實施型態係爲具備有夾合在基板間的液晶元件 與’設置在與該液晶元件觀察側相反側之基板的光反射膜 之液晶顯示裝置,其特徵爲該光反射膜係由基材即反射層 而成’並根據隨機函數來分配形成在該基材之複數凸部或 凹部之同時,隨機排列該複數凸部或凹部於平面方向之情 況之液晶顯示裝置。 以下適當地邊參照圖1 4邊將針對在第5實施型態之 被動矩陣方式之反射型液晶顯示裝置來作具體說明,又, 針對以下所示之各圖係爲將各層及各構件可在圖面上來作 辨識程度之大小,故對於每個各層及各構件有著不同比例 大小之情況。 1.構成 如圖1 4所示,此液晶顯示裝置1 4 0係相互對向之第 1基板141與第2基板142則藉由密封材1 5 8所貼合,並 於兩基板之間封入液晶1 44之構成,又,對於此液晶顯示 裝置141之觀察側係配置有具有光透過性之保護板145, 而此保護板1 45係爲了保護該液晶顯示裝置1 40從外部所 傳來之衝擊等之板狀構件,例如設置在搭載液晶顯示裝置 140之框體,另外,保護板145係接近於針對在液晶顯 示裝置140之第1基板141(觀察側之基板)之基版面地來 配置,又,針對在本實施型態係想定使由壓克力板而成之 -44- (40) (40)594202 保護板145接合在第丨基板ι41之構成要素之中最接近觀 察側位置之偏光板1 4 6表面之情況,如此由壓克力構成保 護板1 4 5之情況,則有著成形容易且可低成本製造之優 點’力 方面其表面將容易形成微細之凹凸。 另一方面’液晶顯示裝置140之第1基板141及第 2基板1 42係爲具有玻璃或石英,壓克力等之光透過性之 板狀構件’其中,對於位置在觀察側之第1基板1 4 1內側 (液晶1 44側)表面係形成有延伸在規定方向之複數透明電 極143 ’而各透明電極143係爲由ITO(Indium Tin Oxide) 等之透明導電材料所形成之帶狀電極,更加地,形成這些 透明電極143之第1基板141表面係由配向膜(略圖示)所 包覆著,而此配向膜係爲聚 亞胺等有機薄膜,並施以爲 了規定無施加電壓時之液晶1 4 4之配向方向的平磨處理。 2.光散亂膜 對於第1基板1 4 1外側(與液晶1 44相反側)係設置有 使射入光偏光於規定方向之偏光板1 46與,界在於第1基 板141與偏光板146之間的散亂層147,而其散亂層147 係爲爲了使透過該散亂層1 47的光進行散亂的層,並具有 爲了貼著偏光板146於第1基板141之接著劑148a與, 分散在該接著劑148a中的多數微粒子l48b,做爲此散亂 層147係可採用使由二氧化矽而成之微粒子148b分散之 構成之情況,並且,接著劑1 4 8 a之折射率與微粒子 1 4 8 b之折射率係爲不同’並射入至該散亂層1 4 7的光係 -45- 十1s 4 (41) (41)594202 針對在接著劑148a與接著劑148b之邊界,呈欲進行折 射,其結果將可使對於散亂層1 47之射入光在適度散亂之 狀態下進行射出。霧度値 Η 更且,針對第5實施型態之散亂層1 4 7係其霧度値Η 欲成爲10〜60%範圍內的値地選定分散在接著劑148a之微 粒子148b的數量或二者之折射率等,在此霧度値Η係指 表示對於某個構件之射入光透過該構件時進行散亂的程度 値,而根據以下的式子所定義。 霧度値 H =(Td/Tt)* 1 00% 在此,Tt係爲全光線透過率(%),而Td係爲散亂光 透過率(%),全光線透過率Tt係表示對於成爲霧度値Η之 測定對象之試料的射入光量之中透過該試料光量的比例 値,另一方面,散亂光透過率Td係對於試料從規定方 向照射光之情況,表示透過該試料光量之中射出於上述規 定方向以外方向之光量(β卩,散亂光量)之比例値,也就 是,將從試料之射出光量之中對於與射入光平行的方向之 射出光量的比例做爲平行光透過率Τρ(%)時,上述散亂光 透過率Td係根據上述全光線透過率Tt與平行光透過率 Tp的差(Td = Tt-Tp)所表示,而如從上述了解到,霧度値 Η越高越可將散亂程度變大(即,佔透過光量之散亂光量 的比例變大),相反的,霧度値Η越低越可將散亂程度 變小(即,佔透過光量之散亂光量的比例變小)。 又,關於上述霧度値Η係在JlS(Japanese Industrial
Standards)K6714-1977 有詳述。 -46- (42) (42)594202 3_反射層(光反射膜) 另一方面,對於第2基板142內側(液晶144側)表面 係形成有反射層1 4 9,而此反射層1 4 9係爲爲了從觀察側 使射入的光反射至液晶顯示裝置1 4 0的層,並根據例如鋁 或銀之具有光反射性之金屬所形成。 在此,如圖1 4所示地第2基板142內側表面之中由 反射層1 49所覆蓋的範圍係成爲形成多數細微之突起及凹 陷之粗面,而更具體係爲包含基材與反射層之光反射膜, 然後根據隨機函數來分配形成在該基材之複數凸部或凹部 之位置,並隨機排列該複數凸部或凹部於平面方向之反射 層 1 4 9。 因此,反射層149的表面係成爲反映第2基板142 表面之突起及凹陷之粗面,即,反射層149係具有使針 對在該表面的反射光做適度散亂來爲了實現廣視角之散亂 構造,而更具體來說係反射層1 49被形成在由複數凸部或 凹部而成之基材上,並且根據隨機函數來分配形成在基材 之複數凸部或凹部之位置,並隨機排列該複數凸部或凹部 於平面方向之構造。 4.其他構成 更且,對於覆蓋第2基板142之反射層149的面上係 形成有彩色濾光片150與,遮光層151與,爲了將由彩色 濾光片1 5 0及遮光層1 5 1所形成之凹凸進行平坦畫之外敷 -47- (43)594202 層157與,複數之透明電極154與,配向膜(略圖示)。 各透明電極1 5 4係爲延伸在與第1基板1 4 1上之 電極143延伸方向交差之方向(針對圖1 4之紙面左 向)之帶狀電極。 有關之構成下,液晶1 44係因應施加於透明電極 與透明電極1 5 4之間的電壓,其配向方向則進行變 即,透明電極143與透明電極154交差之範圍做爲 (副畫素)來發揮功能,而彩色濾光片150係爲因應這 個畫素所設置之樹脂層,並根據染料或顏料著色爲R 之任何一個。 另外,遮光層1 5 1係爲爲了將各畫素之間隙部份 遮光之格子狀層,並例如由分散黑碳之黑色樹脂材料 形成。 5.動作 經由以上之說明,實現反射型顯示。即,太陽光 內照明光等外光係透過保護板1 45射入至液晶顯示 140,再由反射層149來反射。 此反射光係透過液晶144及第1基板141’並在 層1 4 7做適度的散亂後透過偏光板1 4 6來射出於液晶 裝置140之觀察側,並且由液晶顯示裝置140之射出 透過保護板1 4 5,然後被觀察者所辨識。 在此,如以上所述,做爲保護板1 4 5之材料採用 力之情況,將其表面做爲完全平面之狀況係爲困難, 透明 右方 142 化, 畫素 些各 .G.B 進行 等所 或室 裝置 散亂 顯示 光係 壓克 而容 -48- (44) (44)594202 易形成複數細微之凹凸,如此,將形成細微凹凸之保護板 1 4 5接近於液晶顯示裝置1 4 0之第1基板1 4 1地配置之情 況,從液晶顯示裝置1 4 0之射出光在透過保護板1 4 5時干 擾的結果,因應該凹凸之干涉紋將重疊於顯示畫像而招致 顯示品質下降。 但,根據本發明者之試驗結果,如上述實施型態所 示,對於使透過液晶144至保護板145的光,根據散亂層 1 47來做散亂之情況係可實現高品質之顯示。 另外,針對圖1 4所示之液晶顯示裝置之構成,從控制干 涉紋發生之觀點係希望有高散亂層1 47之霧度値Η,也就 是高散亂程度之情況,但,將此霧度値Η做爲過高値(例 如70%以上的値)之情況,從液晶顯示裝置140至保護板 1 4 5的光過度散亂,顯示畫像之對比則降低,即,產生顯 示畫像模糊之新的問題,另一方面,將散亂層1 47之霧度 値Η做爲過低的情況,例如做爲1 0%以下的値之情況, 將容易看見因凹凸所造成之沾染。 根據本發明者之試驗的結果,對於針對在由1點距或 2點距所定義之一單位內,不規則地配置由凸部或凹部所 形成之圖案之情況係將散亂層147之霧度値Η設定爲 40%〜60%範圍內的値之情況爲佳,並可持續規避顯示畫像 之對比顯著降低而有效控制因保護板1 45之凹凸所造成之 顯示品質下降,並可確保良好的顯示品質。 另外,對於針對在由3點距以上所定義之一單位內, 不規則地配置由凸部或凹部所形成之圖案之情況係由將散 -49- (45)594202 亂層 147之霧度値Η設定爲10%〜40%範圍內的値 況,將可提高對比之設定。 如第5實施型態所示,採用使微粒子1 4 8 b分散 著劑1 4 8 a中之散亂層1 4 7之情況,例如可根據調節 子148b之添加量來任意選定霧度値Η。 即,如增加分散於接著劑148a中之微粒子148b 加量,因將可將對於該散亂層1 47之射入光更作散亂 可提高該散亂層1 4 7之霧度値Η,相反的如減少微 148b之添加量,將可降低該散亂層147之霧度値Η 況。 另外,根據第5實施型態,有著對於廣泛範圍將 易選定從液晶顯示裝置1 40射出之光的散亂程度之優 即,針對不具有上述散亂層1 47之液晶顯示裝置,對 了調節從液晶顯示裝置1 40射出之光的散亂程度係有 調節反射層1 4 9表面之形狀,例如,凸部的高度及凹 深度,或鄰接之凸部(或者凹部)間的距離等。 但,如此將反射層1 49表面正確地行程爲所希望 狀係指考慮形成所希望之凹凸於第2基板1 42上之製 術上之情況未必容易,又指根據調節反射層1 49表面 之情況係可調節從液晶顯示裝置1 4 0射出之光的散亂 的幅度將被限定於極小範圍。 對此,如根據本實施型態,即使不將反射層1 4 9 形狀作大幅變更,亦可根據變更散亂層1 47之霧度 之情況,由適度調節分散於接著劑1 4 8 a中之微粒子 之情 於接 微粒 之添 ,故 粒子 之情 可容 點, 於爲 必要 部的 之形 造技 形狀 程度 表面 値Η 148b -50- (46) (46)594202 之添加量的情況,有著對於廣泛範圍將可容易調節從液 晶顯示裝置1 4 0射出之光的散亂程度之優點。 [第6實施型態] 第6實施型態係爲具備有夾合在基板間的液晶元件 與,設置在與該液晶元件觀察側相反側之基板的光反射膜 之液晶顯示裝置,其特徵爲該附有光反射膜之基板係由基 材及反射層而成,令形成於該基板之複數凸部之高度或凹 部之深度實質上成爲相等的同時,將該複數之複數凸部或 凹部之平面形狀,成爲重疊之圓及重疊之多角形,或任一 方之平面形狀,且該複數之凸部或凹部於平面方向隨機加 以排列之被動矩陣方式之半透過反射型液晶顯示裝置。 在此,參照圖1 5就有關第6實施型態之被動矩陣方 式之半透過反射型液晶顯示裝置來做具體說明。 1.基本構成 如圖1 5所示,針對第6實施型態係於液晶顯示裝置 1 60背面(與觀察側相反側)配置有背光單元1 53,而此背 光單元153係具有做爲光源來發揮功能之複數LED 15 (針 對圖1 5係只圖示一個L E D 1 5 )與,引導從射入於側端面之 LED的光至針對在液晶顯示裝置160之第2基板142全面 之導光板1 5 2與,使根據此導光板1 5 2所引導的光對於液 晶顯示裝置1 6 0進行一樣擴散之擴散板1 5 5與,使從導光 板1 52射出於與液晶顯示裝置1 6〇相反側的光反射至液晶
-51 - (47) (47)594202 顯示裝置1 6 0之反射板1 5 6。 在此,L E D 1 5並非時常開啓,而對於外光幾乎沒有之 環境所使用之情況,因應使用者之指示或感應器之檢測信 號來啓動。 更且,針對有關第6實施型態之液晶顯示裝置1 6 0係 於反射層149之中因應各畫素之中央部附近之範圍形成有 開口部1 5 9,另外,對於第2基板1 4 2外側(與液晶1 4 4 相反側)係貼著另一對之偏光板,但,針對圖1 5係有關其 偏光板係省略圖示。 2.動作 如根據有關構成之液晶顯示裝置1 60,加上於針對上 述第5實施型態所示之反射型顯示將可實現透過型顯示, 即,從背光單元1 5 3照射至液晶顯示裝置1 60的光係通過 反射層149之開口部159,而此光係透過液晶144及第1 基板1 4 1,並在散亂層1 4 7進行散亂後透過偏光板1 4 6來 射出至液晶顯示裝置1 6 0之觀察側,並且,此射出光根據 透過保護板1 4 5來射出至觀察側之情況,實現透過型顯 示。 因此,即使針對在本實施型態亦與上述之第5實施型 態相同,即使爲接近於液晶顯示裝置1 60來設置形成細微 凹凸於表面之保護板1 45之情況亦可控制因該凹凸所造成 之顯示品質之下降。 -52 - (48)594202 [第7實施型態] 第7實施型態係爲爲具備有夾合在基板間的 與,設置在與該液晶元件觀察側相反側之基板的 之液晶顯示裝置,其特徵爲該附有光反射膜之基 即反射層而成,令形成於該基板之複數凸部之高 之深度實質上成爲相等的同時,將該複數之複數 部之平面形狀,成爲重疊之圓及重疊之多角形, 之平面形狀,且該複數之凸部或凹部於平面方向 排列之液晶顯示裝置之變形例。 (1 )變形例1 針對在上述各實施型態係將散亂層147做爲 1基板141與偏光板146之間,但散亂層147的 限定此構成,例如,將爲了補償干擾色之相位差 偏光板1 46與第1基板1 41之間之情況,亦可介 1 47於該相位差板與第1基板1 4 1之間,或可介 147於該相位差板與偏光板146之間,即,將散 對於液晶1 44設置在保護板1 45側之構成即可。 又,針對在上述各實施型態係採用使多I 1 4 8 b分散至接著劑1 4 8 a中之構成的散亂層1 4 7 層1 47的構成不限定此構成,而如爲可使射入光 的層,任何構成都可以,另對於採用包含接著劑 散亂層147之情況係夾合該散亂層147之構件, 據該接著劑148a可接著針對在上述各實施型態;; 液晶元件 光反射膜 板由基材 度或凹部 凸部或凹 或任一方 隨機加以 設置於第 位置並不 板設置在 插散亂層 插散亂層 亂層1 4 7 較微粒子 ,但散亂 進行散亂 148a 之 例如從根 匕第1基 -53- (49) (49)594202 板1 4 1與偏光板1 4 6之情況,比較於採用沒包含接著劑 1 4 8 a之散亂層1 1 2 7之情況,將有可謀求製造成本降低及 製造工程簡素化之優點。 (2) 變形例2 針對在上述第5實施型態係例示過反射型液晶顯示裝 置,而針對在第6實施型態例示過半透過型液晶顯示裝 置,但對於只進行無具有反射層149之透過型顯示之透過 型液晶顯示裝置亦可適用本發明,即,針對透過型液晶顯 示裝置係圖1 5所示之半透過型液晶顯示裝置之中做爲除 去反射層149之構成即可。 另外針對上述第4實施型態係根據具有開口部丨5 9之 反射層149來做爲實現反射型顯示與透過型顯示之雙方的 構成,但,取代於有關之反射層,對於使所照射的光之中 的一部份進行透過來使其他一部份反射,所謂採用半透明 鏡之半透過反射型液晶顯不裝置,當然亦可適用本發明。 -54 - 1 變形例3 針對在上述各實施型態係做爲保護板1 4 5例示過採用 壓克力之板狀構件之情況,而爲了在有關之保護板1 45表 面容易形成凹凸,根據適用本發明之情況特別得到顯著之 效果,但保護板1 45的材料並不限於此構成,而其他各式 各樣的材料之板狀構材也可做爲保護板1 4 5來使用。 2 變形例4 (50) (50)594202 又,針對在上述各實施型態係例示過形成彩色濾光片 1 5 0或遮光層1 5 1於第2基板1 4 2之情況,但對於形成這 些要素於第1基板1 4 1之構成的液晶顯示裝置及,無具備 彩色濾光片1 5 0或遮光層1 5 1之液晶顯示裝置當然也可適 用本發明,如此,如爲接近於觀察側來配置保護板1 4 5之 構成的液晶顯示裝置1 6 0,不管其他要素之型態爲如何都 可適用本發明。 (5 )變形例5 針對在上述第4實施型態係做爲主動元件例示過採用 2端子型能動元件之TFD之主動矩陣方式之液晶顯示裝 置,但如圖1 3所示,做爲主動元件亦可採用3端子型 能動元件之TFD之主動矩陣方式之液晶顯示裝置,而對 於此情況係如圖1 3所示,設置TFT元件於遮光範圍之情 況爲佳。 [第8實施型態] 第8實施型態係爲包含具備光反射膜之液晶顯示裝置 之電子機器,其特徵爲光反射膜包含基材及反射層,令形 成於該基板之複數凸部之高度或凹部之深度實質上成爲相 等的同時,將該複數之複數凸部或凹部之平面形狀,成爲 重疊之圓及重疊之多角形,或任一方之平面形狀,且該複 數之凸部或凹部於平面方向隨機加以排列爲特徵之電子機 器。 -55- (51)594202 (1)可攜型電腦 首先,關於將有關本發明之液晶顯示裝置適用在可搬 人電腦(所謂筆記型個人電腦)之顯示部的例子來進 明,圖1 6係表示此個人型電腦的構成斜視圖,如同 示,個人電腦161係具備有具有鍵盤162之主體部 與,採用有關本發明之液晶顯示裝置(略圖示)之顯 164,而顯示部164係於因應窗部165配置壓克力之 板1 45之框體1 66收納有有關本發明之液晶顯示裝置 之構成,而更爲詳細則是液晶顯示裝置1 6 0係其觀察 基版面則接近於保護板1 4 5地收納於框體1 6 6,又, 有關之個人電腦1 6 1係即使無充分外光之情況也應確 示之辨識性,如上述第6實施型態所示地,希望採用 背光單元1 5 3於背面側之半透過反射型液晶顯示裝置 況。 (2)行動電話 接著,關於將有關本發明之液晶顯示裝置適用在 電話之顯示部的例子來進行說明,圖1 7係表示此行 話的構成斜視圖,如同圖所示,行動電話1 7 0係具 受話器172,送話器173之同時亦具備有採用有關本 之液晶顯示裝置(略圖不)之顯不邰174,而針對在此 電話170係因應窗部174b配置壓克力之保護板175 體1 7 6收納有有關本發明之液晶顯示裝置之構成, 型個 行說 圖所 163 示部 保護 160 側之 針對 保顯 具備 之情 行動 動電 備有 發明 行動 之框 又, -56- (52)594202 針對在行動電話1 70亦與上述小型電腦相同,液 裝置係其觀察側之基版面則接近於保護板1 7 5地收 體 1 76。 又,做爲可適用有關本發明之液晶顯示裝置之 器係除了圖1 6所示之個人電腦及圖1 7所示之行動 可舉出液晶電視,取景型·監視直視型之錄影機, 航裝置,呼叫器,電子辭典,電子計算機,文書處 工作站,視訊電話,POS終端,具備觸控面板之機 如上述所述,如根據有關本發明之液晶顯示裝 使爲將具有細微凹凸於表面之保護板接近於該液晶 置之基板面地來配置之情況,亦可控制因該凹凸所 顯示品質之下降,因此,可不損及顯示品質,根據 板接近於液晶顯示裝置來配置之情況來謀求電子機 型化乃至小型化。 [其他之構成] 根據設有本發明之附有光反射膜之基板的液晶 置,以及具有附有光反射膜之基板之電子機器時, 表面具有微細之凹凸的保護板加以配設之時,可抑 於該凹凸的顯示品質之下降。 如此之效果乃於上述液晶顯示裝置或電子機器 中亦可獲得,經由以下構成亦可達成。 (1)於相互對向之一對基板間,具有液晶,接近於 板之基板面,配設保護板的液晶顯示裝置中,具備 晶顯示 納於框 電子機 電話還 汽車導 理機, 器等。 置,即 顯示裝 造成之 將保護 器之薄 顯示裝 接近在 制起因 之構成 一對基 爲散亂 -57- (53) (53)594202 透過之光線而設,對於液晶設於保護板側之散亂層,和對 於前述液晶設於與觀察側相反側,於表面形成複數之凹凸 的反射層爲特徵之液晶顯示裝置。 (2) 散亂層之霧度値爲10%以上60%以下爲特·徵之(1)所記 載之液晶顯示裝置。 (3) 反射層乃具有通過光線之開口部爲特徵之(1)或(2)所記 載之液晶顯示裝置。 (4) 於相互對向之一對基板間,具有液晶,接近於一對基 板之基板面,配設保護板的液晶顯示裝置中,具備對於液 晶設於保護板側之散亂層,散亂透過之光之散亂層中,具 霧度値爲10%以上60%以下之散亂層爲特徵之液晶顯示裝 置。 (5) 散亂層乃設於配設於觀察側之基板的偏光板,和該觀 察側之基板間爲特徵之(1)〜(4)之任一所記載之液晶顯示裝 置。 (6) 散亂層乃於黏著劑中,分散複數之微粒子爲特徵之 (1)〜(5)之任一所記載之液晶顯示裝置。 (7 )具備(1 )〜(5 )之任一所記載之液晶顯示裝置,和接近液 晶顯示裝置之觀察側之基板之基板面的保護板爲特徵之電 子機器。 [發明之效果] 如以上所說明,如根據本發明之光罩及由此所得到之 附有光反射膜之基板,經由各自將光透過部或光不透過 -58- (54) (54)594202 部’或複數之凸部或凹部具有特定之隨機圖案,可容易設 計或製造,其結果,於具有複數凸部或凹部之基材上,可 形成具有平坦部少,具有平滑斜面之反射層,對於使用在 液晶顯示裝置等之時,可有效控制干涉紋之產生。 又’如根據本發明之光罩,重覆使用資訊量少之圖案 之故,不但針對小型液晶顯示裝置,對於大型液晶顯示裝 置亦可將得到干涉紋產生少之光反射膜之光罩作容易且迅 速之設計。 又,如根據設置本發明之設置附有光反射膜之基板之 光電裝置及電子機器,可使干涉紋產生少之同時,關於製 造及設計上也變爲容易,又,如根據設置本發明之附有光 反射膜之基板之光電裝置及電子機器時,根據與光散亂膜 組合之情況,於附有光反射膜之基板之複數凸部或凹部成 爲隨機圖案時所產生之不定型沾染模樣亦可有效的控制。 更且,如根據設置本發明之附有光反射膜之光電裝 置,以及電子機器,即使爲將具有微細凹凸於表面之保護 板做爲接近來配置之時,亦可控制因該凹凸所造成之顯示 品質之下降。 又,本發明之附有光反射膜之基板,及光電裝置,以 及電子機器係對於在實施型態說明過之液晶顯示裝置等其 他,利用電泳之顯示裝置亦可適當地適用。 【圖式簡單說明】 [圖1]爲了說明本發明之光罩所提供之平面圖。 -59- (55) (55)594202 [圖2]爲了說明將1畫素(Rgb : 3點)做爲一單位來隨 機排列光透過部或光不透過部於平面方向之光罩之平面 圖。 [圖3 ]爲了說明將2畫素(r g B : 6點)做爲一單位來隨 機排列光透過部或光不透過部於平面方向之光罩之平面 圖。 [圖4]爲了說明將3畫素(RGB: 12點距)做爲一單位 來隨機排列光透過部或光不透過部於平面方向之光罩之平 面圖。 [圖5]爲了說明不同之光透過部或光不透過部之口 徑的光罩之平面圖。 [圖6 ]爲了說明光透過部或光不透過部爲鏡面對稱 之光罩之平面圖。 [圖7]爲包含第1基板及第2基板之光反射膜的剖面 圖。 [圖8 ]由實質上非對稱水滴型凸部所成之光反射膜之 平面圖及剖面圖。 [圖9]顯示視覺上之光量與所辨識之角度關係圖。 [圖10]具有開口部之光反射膜之剖面圖。 [圖1 1 ]光反射膜之製造工程圖。 [圖12]光反射膜之製造工程之流程圖。 [圖13]爲了說明電氣性連接於TFT元件之附有光反 射膜之基板所提供之剖面圖。 [圖14]爲顯示被動矩陣方式之液晶顯示裝置之構成剖 -60- (56) (56)594202 面圖。 [圖1 5 ]爲顯示其他之液晶顯示裝置之構成剖面圖。 [圖1 6 ]爲顯示做爲電子機器一例之個人電腦之構成之 斜視圖。 [圖17]爲做爲電子機器一例之行動電話之構成之斜視 圖。 [圖18]爲由實質上圓錐形之凹部而成之附有光反射膜 基板之平面圖及剖面圖。 [圖19]由實質上非對稱水滴型凹部而成之附有光反射 膜基板之平面圖及剖面圖。 [圖20]由實質上非對稱之金字塔狀之凹部而成之附有 光反射膜基板之平面圖及剖面圖。 [圖2 1 ]由實質上水平剖面在小曲率半徑之拋物線,由 垂直剖面比其曲率半徑還大拋物線凹部而成之附有光反射 膜基板之平面圖及剖面圖。 [圖22]實質上水平剖面爲長方型,於垂直方向由角錐 狀之凹部而成之附有光反射膜基板之平面圖及剖面圖。 [圖23] TFD方式之液晶顯示裝置之分解圖。 [圖24] TFD方式之液晶顯示裝置之部份剖面圖。 [圖25] TFD方式之液晶顯示裝置之部份斜視圖。 [圖26]顯示以往之液晶顯示裝置之構成剖面圖。 [圖27]顯示以往之液晶顯示裝置之其他構成剖面 圖。 [圖2 8 ]以往之液晶顯示裝置之製造工程圖。 -61 - (57)594202 [符號說明] 10, 20, 30, 40, 50 光罩
70,100 :附有光反射膜之基板 7 2,1 1 6 :反射層 7 6,1 1 2 :第1基材 7 9,1 1 3 :第2基材 102:開口部 1 4 0 : 仪晶顯不裝置 1 4 1 :第1基板(觀察側之基板) 142:第2基板 143:透明電極 144:液晶 1 4 5 :保護板 1 4 6 :偏光板 1 4 7 :散亂層
1 4 8 b :微粒子 1 4 9 :反射層 1 5 0 :彩色濾光片 1 5 1 :遮光板 1 5 2 :導光板 1 5 3 :背光單元 1 5 4 :透明電極 1 5 5 :擴散板 -62- (58) (58)594202 1 5 6 :反射板 1 5 7 :外敷層 1 5 8 :密封材 1 5 9 :開口部 160:液晶顯示裝置 161 :個人電腦(電子機器) 170:行動電話(電子機器)
2 3 0 :液晶顯示裝置 247: TFD
Claims (1)
- (1) (1)594202 拾、申請專利範圍 1. 一種光罩,屬於爲在於具有複數之點範圍之基板形 成圖案之光罩,其特·徵係具備 可透過入射光之光透過部, 和實質上不透過光線之光不透過部; 前述光透過部或光不透過部乃具有所定形狀,該所定形狀 間一部分重合者。 2. 如申請專利範圍第1項之光罩,其中,前述光透過 部或光不透過部之口徑爲3〜15μιη範圍內之値。 3 .如申請專利範圍第1項之光罩,其中,具有口徑各 爲不同的複數之前述光透過部,或口徑各爲不同的複數之 前述光不透過部。 4 . 一種光罩,屬於爲在於具有複數之點範圍之基板形 成圖案之光罩,其特徵係具備 可透過入射光之光透過部, 和實質上不透過光線之光不透過部; 前述光透過部或光不透過部乃具有所定形狀,該所定形狀 間一部分重合, 經由前述光透過部或光不透過部所形成之圖案係將複數之 點部分做爲一單位加以形成的同時,於該一單位內包含成 爲對稱之處所。 5 · —種附有光反射膜之基板,屬於爲在於具有複數之 點範圍之基板形成光反射膜之附有光反射膜之基板,其特 徵係具備 -64 - (2) (2)594202 具有凸部或凹部之光反射膜, 前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一 部分重合者。 6 .如申請專利範圍·第5項之附有光反射膜之基板, 其中’前述凸部之高度或凹部之深度於面內,實質上相等 者。 7 ·如申請專利範圍·第5項之附有光反射膜之基板, 其中’前述複數之凸部或凹部之口徑係成爲3〜15 μηι之範 圍內之値者。 8 ·如申請專利範圍.第5項之附有光反射膜之基板, 其中,前述複數之凸部或凹部之間隔係成爲2〜30 μηι之範 圍內之値者。 9 .如申請專利範圍.第5項之附有光反射膜之基板, 其中,前述複數之凸部之高度或凹部之深度係成爲 〇·1〜ΙΟμιη之範圍內之値者。 1 0 .如申請專利範圍.第5項之附有光反射膜之基板, 其中,經由前述複數之點所定義之單位,係較前述點範圍 之數爲少,且複數包含前述單位者。 1 1 .如申請專利範圍.第5項之附有光反射膜之基板, 其中,具有口徑各爲不同的複數之前述凸部,或口徑各爲 不同的複數之前述凹部。 1 2 . —種附有光反射膜之基板,屬於爲在於具有複數 之點範圍之基板形成光反射膜之附有光反射膜之基板,其 特徵係具備 -65- (3) (3)594202 具有凸部或凹部之光反射膜, 前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一 部分重合, 經由前述凸部或凹部所形成之圖案係將複數點部分做爲一 單位加以形成,且於單位內包含對稱之處所者。 1 3 · —種光電裝置,屬於爲在於具有複數之點範圍之 光電裝置,其特徵係具備 具有凸部或凹部形成光反射膜之基板, 支持於前述基板之光電裝置; 前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一 部分重合者。 1 4 ·如申請專利範圍·第1 3項之光電裝置,其中,前 述凸部之高度或凹部之深度於面內,實質上相等者。 1 5 .如申請專利範圍·第1 3項之光電裝置,其中,前 述複數之點所定義之單位爲較前述點範圍之數爲少,且包 含複數個前述單位。 1 6 ·如申請專利範圍·第1 3項之光電裝置,其中,經 由對應於複數之點而設置各爲顏色不同的複數之著色層, 和對應此等之複數之點,形成1畫素,於前述一單位內至 少對應1畫素者。 17.—種光電裝置,屬於具有複數之點範圍之光電裝 置,其特徵係具備 具有凸部或凹部形成光反射膜之基板, 支持於前述基板之光電裝置; -66 - (4)594202 前述凸部或凹部係具有所定形狀的同時,該所 部分重合, 經由前述凸部或凹部所形成之圖案係將複數點 單位加以形成,且於單位內包含對稱之處所者 1 8 ·如申請專利範圍.第1 7項之光電裝置 由對應於複數之點而設置各爲顏色不同的複數 和對應此等之複數之點,形成1畫素,於前述 少對應1畫素者。 19. 一種光電裝置,其特徵係具備 光電層, 和配置於前述光電層之一方側的光散亂膜, 和配置於前述光電層之另一方側的光反射膜; 於前述光反射膜,形成不規則排列之凸部或凹 凹部係具有所定形狀的同時,前述所定形狀間 合者。 20. 如申請專利範圍第19項之光電裝置, 光散亂膜之霧度爲10%以上60%以下者。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項之光電裝置, 複數之點範圍, 經由前述凸部或前述凹部所形成之圖案係於經 點所定義之一單位內’不規則地加以排列’ 前述光散亂膜之霧度爲40%〜6〇%之範圍內之値 22.如申請專利範圍·第21項之光電裝置 由複數之點範圍,和對應此等而設之顏色各爲 定形狀間一 部分做爲一 〇 ,其中,經 之著色層, 一單位內至 部,凸部或 則一部分重 其中,前述 其中,具有 由1點或2 者。 ,其中,經 不同的複數 -67- (5) (5)594202 著色層,形成1畫素,於前述一單位內至少對應1畫素 者。 2 3 .如申請專利範圍第1 9項之光電裝置,其中,具有 複數之點範圍, 經由前述凸部或前述凹部所形成之圖案係於包含3以上之 點的一單位內,不規則地加以排列, 前述光散亂膜之霧度爲10°/。〜40%之範圍內之値者。 24·如申請專利範圍第19項之光電裝置,其中,具備 配置於前述一方側之保護膜。 25. —種電子機器,屬於將光電裝置做爲顯示部包含 之電子機器中,其特徵係做爲前述光電裝置,採用如申請 專利範圍1 3項所記載之光電裝置。 26. —種電子機器,屬於將光電裝置做爲顯示部包含 之電子機器中,其特徵係做爲前述光電裝置,採用如申請 專利範圍1 7項所記載之光電裝置。 27. —種電子機器,屬於將光電裝置做爲顯示部包含 之電子機器中,其特徵係做爲前述光電裝置,採用如申請 專利範圍1 9項所記載之光電裝置。 2 8 · —種光反射膜之形成方法,屬於在於具有複數之 點範圍之基材,形成光反射膜之方法,其特徵係具備 於基材塗佈感光性材料的工程, 和曝光前述感光性材料之工程, 和於前述曝光之感光性材料,形成凹凸之工程, 和於前述凹凸上形成光反射膜之工程; - 68- (6) (6)594202 前述凹凸係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重 合者。 2 9 . —種光反射膜之形成方法,屬於在於具有複數之 點範圍之基材,形成光反射膜之方法,其特徵係具備 於基材塗佈感光性材料的工程, 和曝光前述感光性材料之工程, 和於前述曝光之感光性材料,形成凹凸之工程, 和於前述凹凸上形成光反射膜之工程; 前述凹凸係具有所定形狀的同時,該所定形狀間一部分重 合, 前述凹凸之圖案,則將複數點部分做爲一單位,且於該單 位內包含對稱之處所者。 30·—種光電裝置之製造方法,其特徵係將如申請專 利範圍第28項之光反射膜之形成方法,做爲工程加以包 含者。 3 1 · —種光電裝置之製造方法,其特徵係將如申請專 利範圍第29項之光反射膜之形成方法,做爲工程加以包 含者。 -69-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002108527A JP2003302740A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | マスク、光反射膜付基板、光反射膜の形成方法、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200403492A TW200403492A (en) | 2004-03-01 |
TW594202B true TW594202B (en) | 2004-06-21 |
Family
ID=28786521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092107651A TW594202B (en) | 2002-04-10 | 2003-04-03 | Mask, substrate with light reflecting film, method for forming light reflecting film, method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6995898B2 (zh) |
JP (1) | JP2003302740A (zh) |
KR (1) | KR100672144B1 (zh) |
CN (1) | CN1228670C (zh) |
TW (1) | TW594202B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111766413A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-10-13 | 强一半导体(苏州)有限公司 | 一种导引板mems探针结构与转接层的对接装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020183882A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-12-05 | Michael Dearing | RF point of sale and delivery method and system using communication with remote computer and having features to read a large number of RF tags |
JP3823961B2 (ja) | 2002-10-11 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
JP4241265B2 (ja) | 2003-08-25 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
TWI308242B (en) * | 2003-10-24 | 2009-04-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light guiding device and backlight module using the same |
JP2005157272A (ja) | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器 |
US20050130048A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-16 | Tomoyuki Nakano | Electro-optic device substrate and method for manufacturing the same electro-optic device and method for manufacturing the same, photomask, and electronic device |
TWI252947B (en) | 2004-02-25 | 2006-04-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device having various reflective pattern arrangements and method for arranging the same |
JP2006133625A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Nec Lcd Technologies Ltd | 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置 |
KR101196202B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2012-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
JP2007192969A (ja) | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP4858081B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2012-01-18 | ソニー株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP4858082B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2012-01-18 | ソニー株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5195092B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-05-08 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法 |
JP2010079075A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Hitachi Displays Ltd | 透過型液晶表示装置 |
JP5451672B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 光反射性フィルムの製造方法 |
JP2013023088A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Murakami Corp | モニター付バックミラー |
US8976436B2 (en) * | 2012-01-19 | 2015-03-10 | Kenneth A. Dean | Controlled diffuse scattering for displays |
KR102363666B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11437603B2 (en) * | 2017-12-29 | 2022-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light-emitting module, display device, and methods for manufacturing with color changing members disposed at non-white pixels |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3046730B2 (ja) * | 1994-11-28 | 2000-05-29 | シャープ株式会社 | 反射拡散板および反射型液晶表示装置 |
JP3043638B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2000-05-22 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3284187B2 (ja) * | 1998-01-29 | 2002-05-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4223094B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2009-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置 |
JP2002006774A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2002072184A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-04-10 JP JP2002108527A patent/JP2003302740A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-03 TW TW092107651A patent/TW594202B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-09 CN CNB031103464A patent/CN1228670C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-09 KR KR1020030022163A patent/KR100672144B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-09 US US10/410,580 patent/US6995898B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111766413A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-10-13 | 强一半导体(苏州)有限公司 | 一种导引板mems探针结构与转接层的对接装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6995898B2 (en) | 2006-02-07 |
KR100672144B1 (ko) | 2007-01-19 |
CN1228670C (zh) | 2005-11-23 |
TW200403492A (en) | 2004-03-01 |
US20030223121A1 (en) | 2003-12-04 |
JP2003302740A (ja) | 2003-10-24 |
KR20030081088A (ko) | 2003-10-17 |
CN1450391A (zh) | 2003-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW594202B (en) | Mask, substrate with light reflecting film, method for forming light reflecting film, method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US7085036B2 (en) | Mask, substrate with light reflection film, manufacturing method for light reflection film, manufacturing method for electro-optical device, and electro-optical device, and electronic apparatus | |
US7255981B2 (en) | Mask, substrate with light reflective film, method for manufacturing light reflective film, liquid crystal display device, and electronic apparatus | |
US8130343B2 (en) | Color filter for transflective type liquid crystal display | |
TW575785B (en) | Mask, substrate with light reflecting film, method for manufacturing light reflecting film, optical display device, and electronic apparatus | |
WO2012081410A1 (ja) | 光拡散部材およびその製造方法、表示装置 | |
JPWO2013099839A1 (ja) | 液晶表示装置、光制御フィルム、表示装置 | |
TW200302376A (en) | Color filter substrate and the manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and electronic machine | |
JP2003315515A (ja) | マスク、光反射膜付き基板、光反射膜の製造方法、及び光学表示装置、並びに電子機器 | |
JP3753724B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2003302633A (ja) | マスク、光反射膜付き基板、光反射膜の製造方法、および液晶表示装置、並びに電子機器 | |
JP2003315514A (ja) | マスク、光反射膜付基板、光反射膜の形成方法、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2003043232A (ja) | 反射板とその製造方法、液晶表示装置、電子機器 | |
JP2005062625A (ja) | 光反射性基板の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
JP2001215485A (ja) | 反射型液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |