TW591991B - Copper foil with low profile bond enhancement - Google Patents

Copper foil with low profile bond enhancement Download PDF

Info

Publication number
TW591991B
TW591991B TW90105554A TW90105554A TW591991B TW 591991 B TW591991 B TW 591991B TW 90105554 A TW90105554 A TW 90105554A TW 90105554 A TW90105554 A TW 90105554A TW 591991 B TW591991 B TW 591991B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
copper
metal
nickel
patent application
Prior art date
Application number
TW90105554A
Other languages
English (en)
Inventor
Szuchain Chen
Julius C Fister
Andrew J Vacco
Nina Yukov
A James Brock
Original Assignee
Olin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/522,544 external-priority patent/US6346335B1/en
Priority claimed from US09/784,547 external-priority patent/US6569543B2/en
Application filed by Olin Corp filed Critical Olin Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW591991B publication Critical patent/TW591991B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0335Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355Metal foils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0307Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/0723Electroplating, e.g. finish plating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

591991 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1 ) 本發明係關於—種具有插置之脱離層之複合材料。詳言 、 同’自層係可釋放地結合至一用以運輸及組裝之載體 層。琢脱離層係插置在載體層與銅箔層之間,以促使其分 離 3鋼洛層係可以在印刷電路板製造過程中層疊至一絕 幺备 "IL 4r* ' 土又。—低輪廓之結合增強層係形成在銅箔層其與該脱 離層相對之表面上。 /迎著思子裝置之發展,因此便有需要更薄及更小的印刷 私路。此一尺寸上之縮減係需要使線與線之間之間隔更爲 細小,以增加電路軌跡之密度。 、大4伤的印刷電路板係具有一絕緣基板,諸如環氧樹脂 或氷I亞氨’其係層積至一銅箔層。該銅箔係蝕刻成具有 適田的電路圖樣。由於更細小之線距的需求與日俱增,因 此便有品要更薄的銅箔。這係因爲當蚀刻該銅箔時,在垂 方向與水平方向上係皆會以相同之腐蚀速率來加以腐姓 L—方向之腐蚀係用以形成在相鄰電路軌跡之間的間隙 ,以達到電性隔離之目的,然而在執跡側邊上之水平方向 <腐蚀則係會破壞電路軌跡之完整性。因此,由於水平方 向又腐蝕,該線與線之間的最小間隔便會被限制在大約相 ^ 4孩銅箔之厚度。較厚之銅箔的另一個問題係在於,其 耑要化較長的時間來腐蚀該銅落,這係會增加製造成本, 並且會由於廢棄物或溶解之銅的回收物而造成環境問題。 目前在印刷電路板製程中所使用之銅箔,係所謂之半盘 司箔片。此一箔片之一平方英呎的重量係大約爲142公克 (0.5蠢司),且具有大約18微米之公稱厚度。在市面上亦 4- 本紙張尺度爾^國國家標準TCNSM4規格(210 X 297公爱) ----- (請先閱讀背面之注意事項再β本頁) -裝 太 «' -線· J. 591991 A7 ------ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2 ) 有更薄的箔片,諸如9微米厚度之箔片,但在處理該9微米 泊片時係需要特別小心,以避免使其產生皺摺及受損。 爲了方便9微米,甚至更薄之箔片的處理,因此便有採用 一種載體帶者。該載體帶係可撕離地黏合至箔片,以進行 製造及層積。一旦箔片完成層積且由一絕緣體承載時,該 載體帶便可以移除。一旦|遍常見的載體帶係鋁,其係可 以藉由化學腐蝕方式來移除,諸如藉由將其沉浸在氫氧化 鈉溶液中,且這不會使銅箔受損。腐蝕係相當耗時,且其 廢棄物係有可能會造成環境問題。 或者,在一通常係由銅所構成之載體層上覆上_脱離層 。該銅箔層通常係藉由電鍍方式而形成在該脱離層上。在 脱離層與銅箔層之間的黏性係高到足以使得該銅箔層永遠 不會由載體層上脱離,但又低到可使該載體層在層積完成 之後可以脱離,而不會使該銅箔層被撕破或受損。 美國專利第3,998,601號(Yates等人)係揭露一種脱離層, 其係由硫化物或鉻、鉛、鎳或銀之鉻酸鹽化合物所構成。 其中亦揭露一種由鉻金屬化物所製成之脱離層。美國專利 第4,503,112號(尺〇11。6]〇係揭露該鉻金屬脱離層係具有不可 預測的黏性,且最好該脱離層係包括有鎳、鎳/錫合金、鎳 /鐵合金、錯及錫/鉛合金。美國專利第5,ΐΐ4 Μ]號 (Kajiwara等人)係揭露一種複合脱離層,其係具有一種、、爲潰 艘覆之鉻酸鹽層體,其上係電艘一層銅/鎳合金。 美國專利第5,066,366號(Lin)係揭露一種在銅合金搭片載 體上形成一脱離層之方法,其係藉由將載體浸入至内含鉻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填9頁) .π»一 · · --線- 591991 A7 B7 經濟部—財產 五、發明說明(3 ) 酸及磷酸之水溶液中來進行處理。經過一段可接受之處理 程序之後’為一絡鱗脱離層直接形成在一銅合金載體上時 ,其便有可能會產生黏性過高的部位。 因此,便有需要發展一種改良型脱離層,其可以在一載 體層與一銅箔層之間提供適度的黏性,以確保在運送及處 理期間(諸如層積至一絕緣基板),該銅箔層係可以保持黏 附於載體層之狀態。然而,該脱離層之黏性亦不會過高, 使得在層積完成之後,該載體層可以輕易地移除,而不會 使該銅箔層受損。 因此’本發明之—目的係要提供一種薄金屬落片,其 可釋放地連結至一載體層。本發明之第二目的係要提供 種製造金屬箔片/載體層複合物之方法。本發明之另一目 :要提供-種薄銅’其係用以層積至_絕緣基板,以 造印刷電路板及可撓性電路。 ^發明之_特徵係在於該金屬落片係可釋放地連結至 ^門二!要至少〇.89公斤/公尺(〇·05碎/英对)之作用 =兩層^,藉此確保該金屬箱片層不會預先分離。 FIT ^ ^ 將至屬洎片層由載體層分 :二=大作用力係35 7公斤/分尺㈤/㈣,且通 離而不會損害該銅落層: -有助於將該載體層 本發明又-特徵係在於用以鍍 釋的水溶液,一般相信,相較=層〈化子❸夜係稀 之濃縮電解液而言,其對於環境係較口不會以有^覆害諸如金屬鉻 係 製 力 本 開 常 分 -6-
本紙張尺度適用t®mtJ%φ. (cns)m x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再 •數--------訂---------_____ 本頁) _ 591991 五、發明說明( 本發明 < 優點係在於該金屬箔片層可以 且厚度爲1 5微米或以下。此一薄产 .、^薄納箔, 徵之印刷電路板與可撓性電路之=係 在於該載體層係可以由金屬落片層上機械式地分離^係 需要使用腐蝕方式來加以移除。 啡且不 本發明之箔片的又一優點係在 ^ _ 丄、 具比白知万式構成夕炫 片這具有較小的表面粗耠度。 ' 情況便可以降低。 > β心+刀割 依照本發明,其係提供—種複合材料。該複 有一支撑層及一金屬落片層。-脱離層係插置在支撑^ 金屬箱片層之間,並且與其相接觸。該脱離層主要二 屬與非金屬之混合物所構成。 、由i 在本發明之-實施財,該複合材料接著便可以声 積在一絕緣基板上。 曰 本發明進一步提供一種用以製造複合材料之方法,其包 括以下之步驟:(1)提供一種導電性支撑層;(2)在内含第 一金屬離子與氫氧根離子之第一液態電解液中陽極化處理 泫導包性支撑層;(3 )接著進行陰極化處理步驟,其係在内 含第二金屬離子及氫氧根離子之第二液態電解液中,在該 導%性支撑層上陰極鍍覆一脱離層;以及(4 )在該脱離層上 電鍍一金屬箔片層。 · 涊製造方法之一實施例係包括一額外步驟,其係將金屬 4片層層積至絕緣基板,且接著將該導電性支撑層與脱離 層由層積體上分離開。該附著至絕緣層之金屬箔片層接著 本紙張尺度國家標準(CNS)A4規格(2llx 297公餐) 請 先 閱 背 之 注 意 事 項 再
頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 A7 五、發明說明() 便可以形成複數個電性隔離的電路軌跡。 上述之目的、特徵及優點,將可以由以下之說明及圖式 而獲致更深入之瞭解。 ’ 圖1係一截面示意圖,其中顯示本發明之複合材料。 圖2係一截面示意圖,其中顯示本發明之複合材料係層積 至一堅硬的絕緣體,而形成一種印刷電路板之半成口。 圖3係一截面示意圖,其中顯示本發明之複合材料係層積 至一可撓性絕緣體,而做爲可撓性電路板之半成品。曰貝 圖4係印刷電路板半成品在移除載體層之後的立體視圖。 圖5係一俯視平面圖,其中顯示由圖4之結構所構成之電 路。 % 圖6係另一脱離層之截面視圖。 圖7係放大5,000倍的顯微照片,其中顯示本發明之極低 表面輪廓結合強化劑。 圖8係圖7之極低表面輪廓結合強化劑埋入在絕緣基板之 截面視圖。 圖9係放大5,000倍的顯微照片,其中顯示一習知典型的 低表面輪廓結合強化劑。 & 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 0係圖9之低表面輪廓結合強化劑埋入在_絕緣夷板 中之截面視圖。 土 圖1 1係450倍之顯微照片’其中顯示一絕緣層在移除本發 明之極低表面輪廓結合強化劑之後的表面型態。 圖1 2係450倍之顯微照片,其中顯示一絕緣層在移除本發 明之低表面輪廓結合強化劑之後的表面型態。 8- 591991 A7 _B7 五、發明說明(6 ) ::係450倍之顯微照片,其中顯示一絕緣層在 面輪靡結合強化劑之後的表面型態,其中顯 ^ ^ 移除。 义兔的鋼 圖14係圖示該脱離層之分離力係層積溫度的函數。 圖1係-截面視圖’其中顯示依照本發明之複合材 。該複合材料10係包括-支撑層12以及-金屬落片居14 琢支撑層12係由任何可以支撑該金屬落片層14之材料户斤接 成。最好’支撑層12係由導電性材料所構成,且 少2〇微米(1微米=1晴6公尺)。適合做爲支撑層切料 係包括不銹鋼、鋁、鋁合金、銅及銅合金。 當該支撑層係不銹鋼時,-脱離層(將在下文中説明)便 可視情況選用。 取好,孩支撑層係由銅合金所構成,諸如CDA(美國紐約 市之銅發展協會)所標示之銅合金q 1〇(公稱成份係重量百 分比99·95%的銅(最少)以及〇 〇4%之氧)、窥合金C7i 5(公稱 成份係重量百分比70%的銅以及3〇%的鎳)、銅合金C5l〇( 公稱成份係重量百分比94.5%的銅、5%的錫以及〇 2%的磷 )、以及銅合金C102(具有銅含量最少爲重量百分比99 9%之 典氧鬲銅),以及黃銅與含鋅量高達4 〇 %之鋅銅混合物。 最好’該支撑層1 2係精煉材料,而非電鍍成型。該精煉 材料係具有較高的強度及較高的硬度,而有助於材料之處 理’並且可以強化一鍍覆箔片之可剝離性。該支撑層係可 藉由銅閃光粉來覆蓋瑕疵部位,諸如在滾軋期間所造成之 坪又戚邵位’因爲這些瑕疵部位可能會妨礙箔片層的鍍覆或 9 - 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 i⑵0 x 297公衫) c請先閱讀背面之注意事項再!^本頁)
•線·J · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 五、發明說明(7 ) 移除。 該支撑層1 2可以由單_材斜 $科構成,或者係由具有藉由任 何習知技術(包括滚軋、鲈嘈乃你姑、 ㈤,稭由仕 满八濺鍍)所形成之第二層體的 複a材枓所構成。-般相信,麵與錄以 係適合做爲複合支撑層。 < 成口& 最好,該支撑層12之厚声從人、 < 7子度係介於2 5微米至! 40微米之間 ,尤以35微米至70微米之間爲佳。 該金屬落片層14係由任何可以電鍍之金屬或合金所構成 ,且最好錢。該金屬荡片層通常係有少於15微米之厚度 ,且最好係少於1〇微米。最好,該金屬落片層係具^至 微未=厚度,且通常係大約爲5微米。如以下將説明者,該 金屬箔片層1 4係可以由單一雷組晳七 街早弘解貝或由多種電解質之組合 材料鍍覆而成。 -脱離層16係插置在支撑層12與金屬片層14且斑並相 接觸。該脱離層16主要係由金屬與非金屬混合而成,且一 般以非金屬材料佔大部分。一般而言,該脱離層之金屬成 份之原子量係約佔5 %至4 0 %。 適當之金屬係那些在一適當電解液中屬於可逆的、電化 學性且可氧化但不會溶解的金屬。適當的金屬係包括鎳、 鉻、鈥、銅、鐘、鉛、鎢、鉬及备。 片較佳的金屬係鎳、鉻及其混合體。較佳的非金屬材料係 氧化物、氫氧化物、金屬磷酸鹽及金屬鉻酸鹽,以及磷酸 鎳。該脱離層係相當地薄,大約係〇〇12微米(12〇埃)之厚度 ,且通常係具有0.001微米至〇 〇3微米之厚度。 又 本紙張尺度適时關家標準(CNS)A4規格⑵G χ 297公髮 項 6 貪 訂 10- 591991 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 取佳的脱離層主要係由絡盘至少一 …八处… 種非金屬材料所構成 ,包括3狀乳化物及含路之氫氧化物。已知欲藉由此一 最佳的脱離層而㈣金屬落片由載體帶上剥離所:要之外 力,-般係小於7」公斤/公尺(〇.4碎/英忖),甚:曝露在 300C南溫下達-小時之後亦然。由於金屬搭片層通常在盥 該支撑層分離之前係利用熱及壓力而層積至絕緣基板,因 此脱離力爲溫度函數便成爲一個重要的考量因素。 一或者,該脱離層16係一種複合材料,如圖6之截面圖所 示。脱離層16之第一部分30係一種金屬層,如上所述,且 其最好係選用鍊、鉻或其混合體。此第_部分3〇係直接與 支撑層12相接觸,且通常係藉由電鍍方式層積於其上。/亦 可採用其他的鍍覆方式,諸如浸鍍或蒸氣鍍覆。 脱離層16之第二部分32係一種金屬與非金屬之混合體, 如上所述。該第二部分32係直接與該金屬辖片層“相:^。 請再參照圖i,在金屬箔片層14其相對於脱離層“之表 面18上,係塗覆有結合強化作用劑2〇。適當的結合強化作 用劑20係包括可電解性鍍覆之銅樹突體或銅·鎳樹突體,其 係具有大約0.5及2.7微米之間的高度,且其高度對直徑之 縱深比係介於3至1 0之間。此類樹突體係可以利用銅電極 及以複合材料1 〇做爲陰極而由内含銅離子之水溶液電鍍而 成。直流電脈衝係供應至陽極與陰極之間,如在美國專利 第4,515,671號(Polan等人)中所揭露者。 其他的結合強度增強作用劑係包括鉻與鋅之可電錢性展 合體,如在美國專利第5,230,932號(Lin等人)中所揭露者, -11 - (請先閱讀背面之注音?事項再 _ 1 . I I 本頁) · •線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 591991 五、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以及:種石夕甲燒基塗覆物,如在美國專利第5,〇71,52〇號 (Lm寺人)中所揭露者,以及氧化銅、表面之機械研磨、交 说電腐蚀及微腐姓方法等等。 結合強度強化之加J1處理係可以形成極低的表面輪廊, 如在美國專利第4,515,671號所揭露之脈衝直流電可達成之 万法,此一万法係較佳的方法。最好,平均表面粗糙度 (Ra)係0.40微米或以下。平均表面粗糙度係定義爲所有粗 糙輪廓與測量長度範圍内之中心線之絕對距離的算術平均 値。孩粗糙輪廓係利用一種具有鑽石尖筆之輪廓計(接觸方 法)來測定。 一般低輪廓表面強化係具有大於3微米之團塊高度,且具 有超過0 · 4彳政米之公稱R a値。本發明之極低輪廓表面強化 係具有介於0.5微米至2.7微米之間的團塊高度。最好,最 大的團塊高度係介於1.8微米至2· 5微米之間。該Ra値係小 於0.4微米,且最好該1値係介於〇2〇及〇35微米之間。 車义低表面輪廓之優點係不同於一般僅能應用於較厚(大^ 1 2微米)之箔片的表面輪廓。一般而言,較高的表面輪廓係 用以加大當銅箔層積於絕緣電路板之後的剝離強度。 圖7係放大5,000倍的顯微放大照片,其中顯示本發明之 極低表面輪廓結合強度增強件。圖8係450倍放大照片之截 面視圖,其中顯示埋入絕緣基板22中之結合強度增強件2〇。 圖9係放大5,000倍的顯微放大照片,其中顯示習知技術 之低表面輪廓結合強度增加作用劑。圖1 〇係放大45〇倍之截 面視圖,其中顯示埋入絕緣基板2 2中之結合強度增加作用 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A,1規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項* 再I 本衣 頁! 訂 線 五、發明說明(10 劑20 〇 :圖11及12所示,當電路軌跡26係藉由腐 =成時,絕緣基板22之外露表面係具有一表面型雄,: 合表面加強作用劑之表面紋理。圖⑴系表面紋 理之頭微照片,其中兮矣 一 、Μ表面、,又理係猎由腐蝕本發明之且有 =表面輪廓結合強化劑之㈣而形成。該放大倍率係^ 表ΐ = ί450倍之顯微照片,其中顯示絕緣基板22之 =猎=蚀具有極低表面輪廊結合強化劑 :狀態。由圖13更可以看出典型低表面輪廊結 n二血其中圖13亦係放大450倍的放大圖。圖 具有典型低表面輪廊結合強化劑,金屬樹突體係备 :二=基了2中’且腐蚀係無法有效完全移除在相θ 2路軌細心間的銅,進而可能導致電路短路34情況的 再者,反映極低表面輪廓結合強 :爾絕緣表面,係比較不會受❹染,且相 ”型低表面輪廓結合強化、、; _包路軌跡時(例如,間隔25- 100微米之25·12 "(電路軌跡),較高的SIR値係相當重要的。 就製造印刷電路板而言,複合材料1〇係結合至 板22,而構成電路半成品I如圖2所示。金屬箱片層二 項
鄰 發 的 外 高 線 “仏㈣297公釦 -13- 591991 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明(11 接著便可以藉由加熱及加壓而層積在一堅硬的絕緣體上, 以製造出一印刷電路板。一般層積加工之參數係在大約1 8〇 C溫度下加熱達5 〇分鐘。視情況而定,亦可以採用聚合黏 膠以有助於結合。一般用於絕緣基板之堅硬材料係包括玻 璃纖維強化環氧樹脂,諸如FR4。該絕緣基板亦可以係覆有 絕緣材料之導電性材料,諸如包覆金屬之印刷電路板基板 或陽極電鏡之鋁。 或者’如圖3所示,該絕緣基板2 2亦可以爲一種可撓性 聚合薄板,諸如聚硫亞氨或聚氨基化合物。在此例中,最 好係使用諸如壓克力或環氧樹脂聚合物之聚合物結合作用 劑24 :如在前述實施例中,金屬箔片層i 4係結合至構成電 路半成3 6之絶緣基板2 2。不同於將可撓性聚合物層積至 金屬油片層,該可撓性聚合體可以液態或膠態來熔合至金 屬箔片層,然後硬化成可撓性薄膜。 在複合材料10結合至絕緣基板22之後,該支撑層12及脱 離層16係可以藉由機械方式來加以移除。一般而言,清除 動:係:藉由沿著一方向來施加一作用力至該載體層/脱離層 且/口考9 0。角万向施加一相反的作用力至絕緣期板,金屬箔 1層^達成。該作用力可以係手動施加或由機器施加。用 離之作用力,稱爲脱離力,係至少爲0.89公斤/公尺 (〇·=場/英忖),且最好至少爲i 79公斤/公尺(〇⑽英忖) 。而要最小脱離力係可以防止金屬落片層14與支撑層^產 生,諸如在運輸期間或在結合至絕緣基板期間 錢难力亦應小於35.7公斤/公尺(2碎/英付),且最 (請先閱讀背面之注意事項再填一^頁) --線· -14- 五、發明說明(12) 斤/公尺(1磅/英吁),以確保清除期間,該金屬 泊片層仍保持黏附至絕緣基板 '以1屬 部分地與複合材料10保持在—起’且不會被撕裂或 1.79公斤/公尺(〇」./英 ^斤賴離力係介於 英吋Upq H曰』 叮)乂及35·7公斤/公尺(2.0英磅/ =W讀料於3.57公斤/公尺(Q冰 P.9公斤/公尺(1.〇英磅/英吋)之間。 =係具金屬箱片層14結合至絕緣基板22之電路半成 ^广體視圖4然圖4係顯示—結合至絕緣基板η, :广、他的金屬落片層亦可以結合至金屬猪片層之上表面 2 5,以構成多層印刷電路板。 現請參照圖5,該金屬箱片層"係可經過化學腐蚀而構 成具有複數導電特徵之印刷電路板“,諸如具有電路軌跡 26及格墊28之印刷電路板。在導電性特徵之間的電氣隔離 係可以由絕緣基板22來提供。導電特徵係可以藉由任何習 知方法來形成,諸如光蝕刻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
以下將説明用以製造上述複合材料之方法。可以瞭解的 是,每種方法亦可以有不同的變化,且各種不同方法之特 點亦可以混合在一起,以得到所需要之結果。所有方法通 常都係以適當的除油或清潔來做爲第一步驟,且在適當步 驟之間係以諸如去離子水來加以清洗。 W 依照一第一實施例,由銅或銅合金所構成之載體層係具 有可以有效支撑金屬猪片層之厚度。載體帶之示例性公稱 厚度7 0微米。該載體帶係浸在一稀釋的液態、驗性重絡酸 鈉溶液中,其係具有表1所列之參數。在此所揭露之所有溶 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 591991 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(13 ) 液皆係液態的,除非有特別聲明。當給定一單一數値時, 該數値便係公稱値。 表1 氫氧化鈉 10-50公克/公升(g/Ι)(廣泛範圍) 20-35 g/Ι(較佳範圍) 絡離子,諸如由重絡酸鈉所解離者 0.1-10 g/Ι(廣泛範圍) 0.5-5 gA(較佳範圍) 操作溫度 35〇C-50〇C pH値 一般小於11 反電極 不銹鋼 電壓 1伏特-3伏特 電流密度陽極化步驟 5.4-107.6安培/平方公尺(A/m2) (0.5-10安培/平方英呎)(ASF)( 廣泛範圍) 10.8-53.8(A/m2)(l-5 ASF)(較 佳範圍) 電流密度陰極化步驟 5.4-430.4 A/m2(0.5-40 安培/平 方英呎)(ASF)(廣泛範圍) 10.8-215.2(A/m2)(l-20 ASF) (較佳範圍) 時間(陽極化步驟) 1-60秒(廣泛範圍) 5-20秒(較佳範圍) 時間(陰極化步骤) 1-60秒(廣泛範圍) 5-20秒(較佳範圍) -16- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) · _ 丨線. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 591991 A7 _B7_ 五、發明說明(14 ) 該載體帶係浸入在一内含電解質之電解電池中,且一電 壓係通過該電解池,且以該載體帶做爲陽極。陽極化處理 係會在載體帶之表面上產生一均勻的微粗糙度,且接著係 形成一均勻的金屬箔片層之銅鍍覆。在完成陽極化處理之 後,該載體帶係保持在相同的電解液中,且接著將電解電 池之極性倒轉。該載體帶接著變成陰極,以鍍覆一薄層(約 爲1 0-300埃),一般認爲其係在載體帶上之鉻與氧化鉻之混 合物。此一混合物係構成脱離層,其係有助於該載體層在 層積或其他加工處理之後的脱離。 該脱離層所形成之最大厚度係大約爲300埃。當脱離層之 厚度超過此一最大値時,便無法達到最小脱離作用力條件 。當脱離層之厚度係小於銅箔之微觀表面粗糙度時,該半 成品陽極處理便可用以達到更爲均勻的表面修整。 在清洗之後,利用在表2所列之參數,便可以在脱離層上 形成一具有公稱厚度介於0.1及0.5微米之銅的種層。 (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 銅離子,諸如由硫酸銅及/或焦磷 酸銅解離之銅離子 5-35 g/Ι(廣泛範圍) 15-25 g/Ι(較佳範圍) 視情況添加平整作用劑、合成劑 及表面作用劑 量値視所需要而定 操作溫度 3 5〇C-70〇C pH値 6-10 陽極材料 不銹鋼或銅 電壓 3-7伏特 電流金度 107.6-538.0 A/m2(10-50 ASF) 時間 40-100秒 -17- --線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 591991 A7B7 五、發明說明(15) 該種層係構成聚合劑,以使箔片層可以快速鍍覆。雖然 該種層最好係由銅所構成,然而任何與銅一樣可以在相同 化學溶液中被腐蝕之導電金屬皆可採用。做爲種層之其他 金屬係包括銅合金、鉻、鉬、鎢、鎳、姑等。該種層係可 保護脱離層免於受到用以鏡覆大量金屬箔片層厚度之電解 質之化學侵蝕。一般而言,爲了加快製造速度,其係採用 如表3所示之酸銅電解質。 表3 銅離子,諸如由硫酸銅 解離之銅離子 2〇-8〇 g/Ι(廣泛範圍) 50-70 g/Ι(較佳範圍) 硫酸 3〇-2〇0 g/Ι(廣泛範圍) 4〇-100 g/Ι(較佳範圍) 操作溫度 25〇C-60〇C pH値 小於1.5 陽極材料 鉛或銅 電壓 5-10伏特 電流密度 322.8-10,760 A/m2 (30-1000 ASF) (廣泛範圍) 430.4-5,380 A/m2 (40-500 ASF) (較佳範圍) 時間 0.5-8分鐘(廣泛範圍) 1-5分鐘(較佳範圍) -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -J- I 1 J·. 591991 Α7Β7 五、發明說明(16 ) 爲了加強附著性,其係可以採用一種樹突體處理,以使 該金屬箔片層之外表面粗糙化。一種適當的樹突體處理方 法係採用如表4所示之參數。或者,可以鍍覆一種抗變色層 ,諸如鉻及鋅之混合體,以增加附著性,而不會增加表面 粗糙度。 表4 銅離子,諸如由硫酸銅解離之銅 離子 15-70 g/Ι(廣泛範圍) 18-25 g/l·(較佳範圍) 硫酸 10-200 g/Ι(廣泛範圍) 35-100 g/l(較佳範圍) 硫代硫酸鋼 1-20 ppm 操作溫度 25〇C-55〇C pH値 小於1·5 陽極材料 鉛或銅 電壓· 5-10伏特 電流密度 538.0-10,760 A/m2 (50-1000 ASF)(廣泛範圍) 1076-5380 A/m2(100-500 ASF) (較佳範圍) 時間 4-60秒(廣泛範圍) 4-40秒(較佳範圍) 在一第二實施例中,一種如上述之載體帶係浸潰在表1之 溶液中達二十至六十秒的時間,而不需要供應電流。接著 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填ί頁) 訂: --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 A7B7 五、發明說明(17) ,具有公稱厚度5微米之銅箔層及樹突體便可以如上述之方 式來施加。 (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) 依照本發明之第三實施例,一種銅的載體帶,如上所述 ,係可以利用表5之參數而鍍覆薄的鎳層,其厚度約爲0.05 微米至2微米之間。 表5 硫酸鎳 15〇_6〇0 g/Ι(廣泛範圍) 400-500 g/Ι(較佳範圍) 氯化鎳 0-15 g/1 硼酸 25-50 g/1(廣泛範圍) 35-45 g/Ι(較佳範圍) 操作溫度 45〇C-60〇C pH値 2-5 陽極材料 鍊或不銹鋼 電壓 〇.5_5伏特 電流密度 215.2-645.6 A/m2(20-60 ASF) 時間 20-60秒(廣泛範圍) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著便可以藉由浸潰在具有表6所示之參數之稀釋的鉻酸 /磷酸溶液中,而在該鎳之薄層上形成一種磷酸鉻脱離層。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 9 9 9 5 A7 _B7 五、發明說明(18 ) 表6 鉻酸 0.1-20 gA(廣泛範圍) 0.2-10 g/l(較佳範圍) 磷酸 0.1-80 g/l(廣泛範圍) 0.5-40 g/l(較佳範圍) 操作溫度 20〇C-60〇C pH値 0.1-3 時間 5-2〇秒(廣泛範圍) 10-40秒(較佳範圍) (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在藉由上述樹突體處理之後,便可以鍍覆一公稱厚度5微 米之銅箔金屬層。 依照本發明之第四實施例,一介於0.05微米及2微米之間 之鎳薄層,便可以鍍覆在上述之銅合金載體帶上。接著, 由内含如表7所示之二氧化硫之水溶液中便可.以鍍覆一脱離 層0 表7 氫氧化鈉 10-80 g/l(廣泛範圍) 20-50 g/l(較佳範圍) 操作溫度 35〇C-60〇C pH値 一般小於II 反電極 不銹鋼或鎳 電壓 0.5-5伏特 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 591991 A7B7 五、發明說明(19 ) 電流密度(陽極化步驟) 107.6-538 A/m2 (10-50 ASF)(廣 泛範圍) 269-3 76.6(A/m2)(25-3 5ASF) (較佳範圍) 電流密度(陰極化步驟) 53.8-430.4 A/m2 (5-40 ASF) (廣泛範圍) 107.6-269 A/m2 (10-25 ASF) (較佳範圍) 時間(陽極化步驟) 2-60 秒 5-30 秒 時間(陰極化步驟) 2-60 秒 5-30 秒 n ϋ ϋ 1 ϋ 1 n I ί H (請先閱讀背面之注意事項本頁) 該覆鎳之載體帶係先進行陽極化再進行陰極1,以減少氧 化鎳。接著,在上4樹突體處理之後,大約5微米之銅便形 成爲金屬箔片層。 在實施例1 - 4中,其皆最好係採用鹼性鍍銅池,使得其在 一酸性電解池中電鍍高達5微米厚度之前,可以鍍覆一具有 大約0 . 1至0.5微米厚度之銅層。一開始使用鹼性銅池係可 以避免其可能受到氧化鉻、氧化鎳或磷酸鎳層之侵蝕,以 藉此增進該脱離界面之可靠性/整體性。第五及第六實施例 係説明用以構成一複合材料之方法,其中該複合材料係具 有相同的可靠度及整體性,而不需要鹼性銅電解池。 在第五實施例中,一光滑的鎳鍍層係利用一適當的鎳電 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 丨線」 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2Q ) 解池(諸如在表5中所列之硫酸鎳電解池)而形成在銅合金上 。該鍍鎳載體帶接著便浸潰在内含氫氧化鈉之電解液中, 如表6所列之參數。該載體帶係先陽極化,然後接著再進行 陰極化。接著,一種銅金屬箔片層便可以在樹突體處理(表 4 )之後利用一硫酸銅電解池(表3 )來加以鍍覆。 在第六實施例中,一具有大約介於0.05微米至2微米之間 之厚度的鎳薄層係施加至載體帶(表5),其係以上述方式而 在内含氫氧化鈉溶液中來加以處理,並且先以載體帶做爲 陽極,然後再以載體帶做爲陰極,如表5所示。接著,鎳係 先在酸性硫酸銅電解池中以低電流密度來進行陰極化處理 ,且其參數如表8所示。 表8 銅離子,如來自硫酸銅 40-80 g/Ι(廣的) 60-7〇 g/Ι(最佳) 硫酸 50-100 g/Ι(廣的) 60-75 gA(最佳) 操作溫度 35〇C-60〇C pH 小於1 陰極物質 錯或銅 電壓 5 - 8伏特 電流密度 0.32-21.5 A/m2 (0.03-2 ASF)(廣的) 0.54-5.4A/m2 (0.05-0.5 ASF)(最佳) 時間 3 0-120秒(廣的) 45-90秒(最佳) -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格mo X 297公釐) 591991 A7 ------------B7___ 五、發明說明(21 ) 接著在表3中之銅鍍覆之厚度係增加至5微米之公稱厚度 。如表4所列之樹突體處理便可以完成該程序。 由上述任何一種方法所構成之複合材料接著便可用以製 造如上述心印刷電路板或可撓性電路。本發明之優點將可 以由以下之實例獲得更深入之瞭解。 一種56·7公克(2盎司)之精煉銅箔係用以做爲一載體帶。 該載體帶係利用215.2 A/m2(20 ASF)電流密度而在鹼性清 潔劑中以電解方式加以清潔。該箔片係加以清洗,然後脱 離層處理係在20-35 g/Ι氫氧化鈉+0·5_5 g/1鉻離子來做爲 重鉻酸硫溶液,其係在1 0 8-215.2 A/m2( 1 - 20 ASF)之陰極 化電流處理5-20秒之後,再利用陽極化電流1〇 8巧3 8 A/m2(l-5 ASF)處理。該陽極化處理係用以在箔片之表面 上產生均勻的微粗糙度,且包括一均勻的銅積層。該陰極 化處理係用以層積鉻及氧化鉻的透明層,一般相信這對於 在層積之後有助於載體帶之脱離。 〇 · 1至0 · 5微米銅之種層係在一種鹼性的銅電鍍溶液中來 進行。接著,在樹突體銅或銅/鎳處理之後,便可以利用 60-70 g/Ι之硫酸銅之銅離子以及60_75 g/1之硫酸在43〇 4_ 1076 A/m2(40- 100 ASF)下電鍍處理達5.扣2」分鐘,而鍍 覆成一 5微米厚之銅積層。在層積FR-4環氧樹脂基板之後 ’该56.7公克(2金司)之載體帶便可以輕易地以1 79-17.9公 斤/公尺(0· 1-1 .0磅/英吋)之結合強度測量値來加以剝離。 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填Θ頁)
襄· SR 訂· _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 A7 B7 五、發明說明(22 實例2 種56.7公克(2盎司)之精煉銅箔係用以做爲一載體帶。 该載體帶係利用215.2 A/m2(2G ASF)電流密度而在驗性清潔 劑中以電解方式加以清潔40秒。該箔片係加以清洗,然後 脱離層處理係在2 0-3 5 g/Ι氫氧化鈉+0·5_5 g/丨之重鉻酸 硫溶液的鉻離子來進行電鍍處理。此一處理係用以層積鉻 及氧化鉻的透明層。 〇 · 1至0 · 5微米銅之種層係在一種鹼性的銅電鍍溶液中來 進行。接著,在樹突體銅或銅/鎳處理之後,便可以利用 6 0 7 Og/Ι之硫故銅之銅離子以及6 〇 · 75 g/i之硫酸在 1076 A/m2(40-l〇0 ASF)下電鍍處理達5 4_2」分鐘,而鍍 覆成一 5微米厚之銅積層。在層積fr_ 4環氧樹脂基板之後 ’该56·7公克(2盎斯)之載體帶便可以輕易地以1 79-17 9公 斤/公尺(0 · 1 - 1 · 0磅/英吋)之結合強度測量値來加以剥離。 實例3 在清潔完該銅載體帶之後,一鎳層係先在硫酸鎳電解池 中以322.8八/1112(30八3?)中電鍍達20秒,而電鍍成〇.15微米 厚度之鎳層。該箔片接著係在室溫下浸入一内含〇 2_ 1〇 〇 g /1絡酸及0 · 5 - 4 0 g /1之嶙酸的溶液中達丨〇 _ 4 〇秒。該驗性 的銅種層及酸性的銅層之鍍覆係依照實例1中之方式來進行 。在層積完成之後,該箔片之剝離係3.57-35.7公斤/公尺 (0.2-2.0碎/英吋)之脱離作用力來進行。 實例4 如實例2,一鎳層係先電鍍完成。該鎳表面接著係在2 〇 _ -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填^14頁) 訂: --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 五、發明說明(23 ) 5 0 g/l 氫氧化鈉溶液中以 5.38-107.6 A/m2(0. 5_ 10 ASF)之 兄况密度處理5 - 3 0秒,以產生氧化鎳脱離層。此一氧化鎳 層接著係在2 0 - 5 0 g /1之氫氧化鋼溶液中以5.3 8 - 5 3 8 A/m2(0.5-50 ASF)之電流密度進行陰極還原達5-3〇秒。此 一陰極處理係用以產生還原的氧化物,以及加大操作窗口 在不進行陰極化處理的情況下,若陽極化電流過低,則 便可以產生不可剝離的箔片。若陽極化電流過高,則鍍覆 之5微米箔片便會在層積之前便剝離或產生浮泡,而使產品 報銷。 在鎳及氧化鎳處理冗成之後,該驗性銅種層及5微米酸性 銅便可鍍覆完成。之後,所需之脱離力便可以爲6.25_17 9 公斤/公尺(0.35-1.0磅/英吋)。 實例5 就箔片製造之觀點而言,使用銅種層係相當麻煩,其原 因在於該製程係採用非消耗性(不銹鋼)陽極。因此,在生 產線之操作期間,電解液之銅含量係必須藉由添加可溶性 銅離子而保持一定。額外之銅離子係藉由添加適當的補充 鹽類來達成,其中該鹽類則係由電解池之製造 因此,雖然電解池銅含量係可以保持—定= =補 充鹽類中之其他化學物^ (焦嶙酸鹽、嶙酸、硫酸等等)之 濃度則係會增加。在此例中,本案發明人已經證實一種 法,其係可以達成上述目的而不需要由鹼性電解池來形成 一種層。 在一載體帶上形成一光滑鎳積層係已經證實可以藉由在 -26- U氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A/丨規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再 ·! I 本頁) 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591991 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(24 ) 一硫化鎳池中利用322.8 - 538 A/m2( 30-50 ASF)之電流密度 來電鍍2 0 - 3 0秒而輕易地達成。 接奢便可以藉由以215.2-430.4 A/m2(20-40 ASF)之電 流密度電鍍達40秒,然後在相同的溶液中以陽極電流密度 之25%至50%電鍍20秒,便可以在30 g/i之氫氧化硫溶液 中進行鍍鎳處理。在此例中並不需要形成種層,此不同於 在故性硫化銅池中以低電流密度,0.32-21.5 A/m 2 (0.03 ASF)電鍍達6 0秒,接著由酸性硫化銅池中以699.4 A/m2 ( 65 ASF)電鏡達3 . 5分鐘,而形成5微米厚度之覆鎳支撑層。在 層積之後,該箔片係保持其可剝離性。 相較而言,已經證實,上述的低電流處理係可以避免造 成可剝離箔片在利用相同條件下製造箔片時產生瑕症,但 若不採用低電流處理,則便會產生很多瑕疵,且在層積之 後無法剝離。 實例6 在需要將銅箔層由銅支撑層上分離所需作用在脱離層上 之分離力,係顯示在圖1 4之圖表中。如習知技術中已知者 ’在本發明中所揭露之鉻金屬脱離層以及鉻加上氧化絡之 脱離層,都是可以在室溫下提供較低,小於8 9公斤/公尺 (0.5磅/英吋)之分離力。甚至當加熱至高達2〇(rc之溫度且 保持在該溫度達一小時之情況下,所需之分離力仍係相同 的。然而,在高於20(TC之溫度下,作用於鉻脱離層之分離 力(參考線3 8 )係會迅速地增加,而對於絡加上氧化絡脱離 層而言(參考線4 0 ),其分離力則係不會增加。 -27- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再 I - ! · 獅本頁: .. •線· 591991 A7 --------— B7 —__ 五、發明說明(25 ) 此一實例説明利用本發明之脱離層可以加大處理窗口。 實例7 圖8及圖10係顯示相較於12微米之箔片,利用$微米之洛 片係可以得到較爲垂直的側壁42。爲了避免發生短路,腐 蝕係必須具有時效性,以確保後續將銅由絕緣體22之表面 上移除。由於羯片其相對於絕緣載體22之表面係比鄰貼該 絕緣載體之表面外露在腐蝕溶液中達到一段較長的時間, 因此在相對表面上便會發生厚度縮減的情況。由於針對12 微米箔片係需要較長的腐蝕時間,因此整體腐蝕時間便會 延長。 3 表9係顯不當藉由光佈一 3 8微米厚之乾膜光阻劑,然後 在鹼性溶液中於52乇之溫度下進行腐蝕,而具有如表中所 標示之公稱寬度的導電軌跡。5微米箔片係僅需要12微米 箔片之腐蚀時間的一半。由表9可以看出,該5微米箔片之 導體寬度係比1 2微米箔片之導體寬度還要接近指定之導體 寬度。 江 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^^ 表9 指定導體寬度(微米) 腐蝕導體寬度(微米) 5微米箔片 — 12微米箔片 50 40 --- 24 75 68 ------ 52 100 92 76 125 117 101 -28- --線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) 591991 A7 B7_ 五、發明說明(26 ) 表1 0 特徵 較少瑕疵比(%) (5微米對12微米) 50微米導體 30 75微米導體 4 100微米導體 65 125微米導體 62 50微米間隔 31 75微米間隔 19 100微米間隔 32 (請先閱讀背面之注意事項再 I · !. 本頁: 很明顯地,依照本發明,其係提供一種包括一可脱離之 金屬箔片層之複合材料,以及用以製造此一複合材料之方 法,其係可以完全滿足在本説明書中所述之目的、功效及 優點。雖然本發明已經參照實施例而説明如上,然而,可 以瞭解的是,習於此技者在看完上述説明之後,仍可以針 對本發明進行不同的替換、修飾及變化。因此,本發明後 附之申請專利範圍係將涵蓋此類不同的替換、修飾及變化。 · --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 公告本1 申請專利範圍 K 一種複合材料(10),其特徵在於: 一支撐層(1 2 ); 一金屬箔片層(14),其係具有相對之第一表面(18)及 第二表面,且其厚度係1 5微米或以下; 一結合強度增強作用劑(20),其係覆蓋在該金屬箔片 層(14)之第一表面(18)上,該結合強度增強作用劑(20) 係具有介於0.5微米與2·7微米之間的團塊高度;以及 一脫離層(1 6),其係可以有效地促使該金屬箔片層 (14)由支撐層(12)上分離,其中該脫離層(16)係配置在 該支撐層(12)與金屬箔片層(14)之間,並且與其相接觸 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之複合材料(1 〇 ),其中該支撐層 (1 2 )係由以下之物質中選出:不銹鋼、銘、銘合金、銅 及銅合金。 3 *如申請專利範圍第2項之複合材料(1 〇 ),其中該支撐層 (12)係由精煉銅或精煉銅合金所選出。 4·如申請專利範圍第3項之複合材料(10),其中該金屬箔 片層(1 4 )係電鍍之銅。 5 .如申凊專利範圍第4項之複合材料(1 〇 ),其中該金屬箔 片層(1 4)係具有介於1微米至6微米之厚度。 6 ·如申凊專利範圍第4項之複合材料(1 〇 ),其中該結合強 度增強作用劑(2 0 )係由以下物質中選出:銅樹突體及銅 /鎳樹突體。 7 ·如申請專利範圍第6項之複合材料(1 〇 ),其中該結合強 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 591991 A8 B8 C8 __________ D8 六、申請專利範圍 度增強作用劑(2 Ο)係具有〇 · 4微米或以下之平均表面粗 糙度。 8 .如申請專利範圍第1 - 7項任何一項之複合材料(1 〇 ),其 中該脫離層(1 6)主要係由絡以及氧化絡與氫氧化絡至少 其中一者所組合而成。 9 .如申請專利範圍第8項之複合材料(1 〇),其中該脫離層 (16)係具有介於0·001微米與〇.03微米之間的厚度。 1 0 · —種電路半成品(3 6 ),其特徵在於: 一絕緣基板(1 2 ); 一金屬箔片層(14),其係具有相對之第一表面(18)及 第二表面,且其厚度係小於丨5微米;以及 一結合強度增強作用劑(20),其係覆蓋在該金屬箔片 層(14)之第一表面(丨8)上,且埋入於該絕緣基板(12)中 ,該結合強度增強作用劑(2 0 )係具有介於〇 · 5微米與2 · 7 微米之間的團塊高度。 11·如申請專利範圍第1〇項之電路半成品(36),其中該金屬 箔片層(1 4)係電鍍銅。 1 2 ·如申請專利範圍第丨丨項之電路半成品(3 6 ),其中該結 合強度增強作用劑(2 0)係由以下物質中選出:銅樹突體 及銅/鎳樹突體。 1 3 · —種由申請專利範圍第丨2項之電路半成品㈠6 )所製成之 印刷電路板(44),其特徵在於,該金屬箔片層(14)係形 成有導電特徵(2 6、2 8 ),其係藉由該絕緣基板(2 2 )之部 分而彼此形成電性隔離。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNsT^i(2l〇X297公釐
    裝 訂
    591991 A B c D 六、申請專利範圍 1 4 ·如申明專利範圍第丨3項之印刷電路板(4 4 ),其中該絕緣 基板(2 2 )係一種堅硬的環氧樹脂。 1 5 ·如申印專利範圍第丨3項之印刷電路板(4 4),其中該絕緣 基板(22)係由絕緣材料包覆金屬心體所構成。 1 6 ·如申請專利範圍第1項之複合材料(1 〇 ),其中該脫離層 (1 6)係一種金屬與非金屬之混合物,其中該金屬係由以 下物負所選出:絡、鎳、鈥、銅、Μ、鐵、姑、鎢、銦 、艇及其混合物,而該非金屬則係由以下物質中選出: 氧化物、金屬磷酸鹽及金屬鉻酸鹽。 1 7 ·如申凊專利範圍第丨6項之複合材料(丨〇),其中該脫離層 (1 6 )係一種混合物,其係由以下物質中選出:鉻與氧化 鉻、鎳與氧化鎳、鉻及磷酸鉻、鎳及磷酸鎳、以及鎳及 鉻化鎳。 1 8 ·如申請專利範圍第1項之複合材料(丨〇),其中該支撐層 係一種複合體,其係由銅或銅合金之第一支撐層部分以 及一鎳、鋁、鎳合金或鋁合金之第二支撐層部分組合而 成。 19. 一種用以製造複合材料(1〇)之方法,其包含以下之步驟·· 提供一種導電性支撐層(1 2 ); 在内含第一金屬離子與氫氧根離子之第一液態電解液 中陽極化處理該導電性支撐層(丨2 ); 接著進行陰極化處理步驟,其係在内含第二金屬離子 及鼠氧根離子之第一液態電解液中,在該導電性支彳*展 (12)上陰極鍵覆一脫離層(16);以及 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X297公釐) 591991 A8 B8 C8 D8
    、申請專利範圍 在該脫離層(16)上電鍍一金屬箔片層(14)。 2 0 _如申請專利範圍第1 9項之方法,其中該第一液態電解液 係包含氫氧化硫及鉻離子。 2 1 _如申請專利範圍第2 0項之方法,其中該陰極化鍍覆步驟 係有效地鍍覆鉻及氧化鉻之混合物,其厚度係高達3〇〇埃 〇 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之方法,其中該電鍍一金屬箔片 層(1 4)步驟係包括先由鹼性銅電解液中鍍覆一銅種層, 然後再由一酸性銅電解液中鍍覆一粗銅層。 2 3 · 一種用以製造複合材料(1 0)之方法,其包含以下之步驟: 提供一種導電性支撐層(丨2 ); 在該導電性支撐層(1 2 )上形成一脫離層(1 6 ),該脫離 層(1 6 )係具有鄰貼該導電性支撐層(丨2 )之第一部分(3 〇 ) ’其中該第一部分係一種金屬,其係由以下之金屬中選 出:鎳、鉻及其混合物,且該脫離層(16)係具有一第二 部分(3 2 ),其係金屬與非金屬之混合物;以及 在該脫離層(16)上電鍍一金屬箔片層(14)。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之方法,其中該第一部分(3 0 )係 電鍍形成,而該第二部分(3 2 )係鉻及磷酸鉻之浸潰包覆 混合物。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之方法,其中該第一部分(3 0 )係 電鏡形成,而該第二部分(3 2 )係由鎳與氧化鎳之混合物 電解形成。 2 6 ·如申請專利範圍第2 4或2 5項之方法,其中該電鍍,金屬 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董)
    裝 訂
    591991 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 箔片層(1 4)步驟係包括先由鹼性銅電解液中鍍覆一銅種 層,然後再由一酸性銅電解液中鍍覆一粗銅層。 27.如申請專利範圍第26項之方法,其中該金屬箔片層(14) 之總厚度係小於1 〇微米,且該銅種層之厚度係介於0.2 微米及0.5微米之間。 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
TW90105554A 2000-03-10 2001-03-09 Copper foil with low profile bond enhancement TW591991B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/522,544 US6346335B1 (en) 2000-03-10 2000-03-10 Copper foil composite including a release layer
US09/784,547 US6569543B2 (en) 2001-02-15 2001-02-15 Copper foil with low profile bond enahncement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW591991B true TW591991B (en) 2004-06-11

Family

ID=27060851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW90105554A TW591991B (en) 2000-03-10 2001-03-09 Copper foil with low profile bond enhancement

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1133220B1 (zh)
JP (1) JP2001301087A (zh)
HK (1) HK1040960A1 (zh)
MY (1) MY120403A (zh)
TW (1) TW591991B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4612978B2 (ja) * 2001-09-20 2011-01-12 日本電解株式会社 複合銅箔及びその製造方法
JP3973197B2 (ja) 2001-12-20 2007-09-12 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付電解銅箔及びその製造方法
TW200420208A (en) 2002-10-31 2004-10-01 Furukawa Circuit Foil Ultra-thin copper foil with carrier, method of production of the same, and printed circuit board using ultra-thin copper foil with carrier
JP2004169181A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Furukawa Techno Research Kk キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
JP4748519B2 (ja) * 2002-10-31 2011-08-17 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
US7132158B2 (en) * 2003-10-22 2006-11-07 Olin Corporation Support layer for thin copper foil
US20050158574A1 (en) 2003-11-11 2005-07-21 Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Ultra-thin copper foil with carrier and printed wiring board using ultra-thin copper foil with carrier
TW200609109A (en) 2004-08-02 2006-03-16 Nippon Denkai Ltd Composite copper foil and method for production thereof
JP4649198B2 (ja) * 2004-12-20 2011-03-09 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法
TW200804626A (en) 2006-05-19 2008-01-16 Mitsui Mining & Smelting Co Copper foil provided with carrier sheet, method for fabricating copper foil provided with carrier sheet, surface-treated copper foil provided with carrier sheet, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil provided with carrier she
CN102203326A (zh) 2008-09-05 2011-09-28 古河电气工业株式会社 带有载体的极薄铜箔以及贴铜层压板或印刷线路基板
JP5416724B2 (ja) * 2011-01-26 2014-02-12 積水化学工業株式会社 複合体、複合体の製造方法及び多層ビルドアップ配線基板の製造方法
WO2012132572A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 銅キャリア付銅箔、同銅箔の製造方法、電子回路用銅箔、同銅箔の製造方法及び電子回路の形成方法
JP5156873B1 (ja) * 2012-07-25 2013-03-06 Jx日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔
JP5380615B1 (ja) * 2012-10-26 2014-01-08 Jx日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
JP6140481B2 (ja) * 2013-03-05 2017-05-31 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法
JP6140480B2 (ja) * 2013-03-05 2017-05-31 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法
MY176312A (en) * 2013-08-29 2020-07-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface-treated metal material, metal foil with carrier, connector, terminal, laminate, shielding tape, shielding material, printed wiring board, processed metal member, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
WO2016143117A1 (ja) * 2015-03-12 2016-09-15 三井金属鉱業株式会社 キャリア付き金属箔及び配線基板の製造方法
JP2016194112A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 Jx金属株式会社 キャリア付金属箔、積層体、プリント配線板、電子機器、キャリア付金属箔の製造方法及びプリント配線板の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2686756A (en) * 1953-05-20 1954-08-17 United Chromium Inc Chromium plating
US3998601A (en) * 1973-12-03 1976-12-21 Yates Industries, Inc. Thin foil
US4088544A (en) * 1976-04-19 1978-05-09 Hutkin Irving J Composite and method for making thin copper foil
US4357395A (en) * 1980-08-22 1982-11-02 General Electric Company Transfer lamination of vapor deposited foils, method and product
JPH0818401B2 (ja) * 1989-05-17 1996-02-28 福田金属箔粉工業株式会社 複合箔とその製法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1133220B1 (en) 2011-05-11
JP2001301087A (ja) 2001-10-30
HK1040960A1 (en) 2002-06-28
EP1133220A2 (en) 2001-09-12
MY120403A (en) 2005-10-31
EP1133220A3 (en) 2004-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW591991B (en) Copper foil with low profile bond enhancement
US6689268B2 (en) Copper foil composite including a release layer
US6893742B2 (en) Copper foil with low profile bond enhancement
CN101662892B (zh) 带有载体的极薄铜箔及其制造方法及布线板
TWI267569B (en) Surface-treated copper foil for low dielectric substrate, and copper clad laminate and printed wiring board both using the same
TW538142B (en) Electrodeposited copper foil, its manufacturing process, printed wiring board, and multilayer printed wiring board
JP4934409B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板
US6569543B2 (en) Copper foil with low profile bond enahncement
JP2007186797A (ja) キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
JP2004169181A (ja) キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
TWI229152B (en) Manufacturing method of electrodeposited copper foil
JP2001181886A (ja) 電解銅箔
JPH08222857A (ja) 銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板
JP3363155B2 (ja) プリント回路製造用の銅ホイルとその製法
JP4748519B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
JP2007046095A (ja) 銅箔およびその表面処理方法
TW200942112A (en) Manufacturing method of printed wiring substrate
JP2000501142A (ja) プリント回路製造用の銅ホイルとその製法
TW201010539A (en) Copper clad laminate, surface treated copper foil used for manufacturing the same, and printed wiring board manufactured using the same
TWI555449B (zh) Printed circuit board copper foil and its manufacturing method and the use of the copper foil printed circuit board
JP3046301B1 (ja) 電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板
KR100364052B1 (ko) 인쇄회로제조용동박및그의제조방법
JP2002105699A (ja) 銅張り積層板用電解銅箔及びその製造方法
JPS6369291A (ja) 導体回路板および導体回路板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees