JP3046301B1 - 電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板 - Google Patents
電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板Info
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- JP3046301B1 JP3046301B1 JP11161644A JP16164499A JP3046301B1 JP 3046301 B1 JP3046301 B1 JP 3046301B1 JP 11161644 A JP11161644 A JP 11161644A JP 16164499 A JP16164499 A JP 16164499A JP 3046301 B1 JP3046301 B1 JP 3046301B1
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Abstract
【要約】
【課題】 低塩素イオン濃度電解液を用いて電解銅箔を
製造する際に、電解銅箔中に共析するＰｂ微粉を効果的
に低減可能な電解銅箔の製造方法を提供する。 【解決手段】 硫酸銅を含む電解液を用いて、電解銅箔
を製造するに際して、電解液として、Ｃｌイオンを０．
１〜５．０ｍｇ／Ｌの量で含むものを使用し、かつ、電
解液に、炭酸ストロンチウムを、電解液中に含まれるＰ
ｂイオンの量に対して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加
し、電解液中に含まれるＰｂイオンを除去して電解銅箔
を形成する電解銅箔の製造方法。
製造する際に、電解銅箔中に共析するＰｂ微粉を効果的
に低減可能な電解銅箔の製造方法を提供する。 【解決手段】 硫酸銅を含む電解液を用いて、電解銅箔
を製造するに際して、電解液として、Ｃｌイオンを０．
１〜５．０ｍｇ／Ｌの量で含むものを使用し、かつ、電
解液に、炭酸ストロンチウムを、電解液中に含まれるＰ
ｂイオンの量に対して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加
し、電解液中に含まれるＰｂイオンを除去して電解銅箔
を形成する電解銅箔の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、電解銅箔の製造方法に関
する。さらに詳しくは、電解銅箔製造時に、電解液中に
含まれるＰｂイオンによるＰｂ微粉の析出を抑制する電
解銅箔の製造方法、および該方法で得られた電解銅箔、
該電解銅箔を用いて製造された銅張り積層板および該電
解銅箔を用いて製造されたプリント配線板に関する。
する。さらに詳しくは、電解銅箔製造時に、電解液中に
含まれるＰｂイオンによるＰｂ微粉の析出を抑制する電
解銅箔の製造方法、および該方法で得られた電解銅箔、
該電解銅箔を用いて製造された銅張り積層板および該電
解銅箔を用いて製造されたプリント配線板に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来、電解銅箔は、Ｔｉ製の円筒
型ドラムを陰極とし、不溶性の陽極と対峙させて、硫酸
銅などの電解液の電解を行い、円筒型ドラム表面に銅を
電着させることによって連続的に銅箔を製造している。
特に、近年、電子機器の小型化、高密度化されるのに伴
い、使用されるプリント配線板の回路幅、回路間隔は年
々細線化しており、それにともなって使用される銅箔
も、表面の粗度が低いものが要望されている。
型ドラムを陰極とし、不溶性の陽極と対峙させて、硫酸
銅などの電解液の電解を行い、円筒型ドラム表面に銅を
電着させることによって連続的に銅箔を製造している。
特に、近年、電子機器の小型化、高密度化されるのに伴
い、使用されるプリント配線板の回路幅、回路間隔は年
々細線化しており、それにともなって使用される銅箔
も、表面の粗度が低いものが要望されている。
【０００３】このような表面の粗度が低い銅箔を製造す
る際には、通常、塩素濃度が０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの
硫酸銅電解液浴が使用されている。しかしながら、この
ような低塩素濃度の電解液を使用して、電解銅箔を製造
する際には、電解液中に不純物としてＰｂが含まれてい
ると、電解時にデンドライド状のＰｂ微粉が発生し、電
解銅箔中に共析することがあった。Ｐｂ微粉は大きさが
１〜５０μｍの範囲にあり、特に５〜２０μｍの範囲に
あり、電解後の銅箔表面近くに多く共析している。な
お、「共析」とは浮遊している微粉が、電解によって析
出した銅中に取り込まれることをいう。
る際には、通常、塩素濃度が０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの
硫酸銅電解液浴が使用されている。しかしながら、この
ような低塩素濃度の電解液を使用して、電解銅箔を製造
する際には、電解液中に不純物としてＰｂが含まれてい
ると、電解時にデンドライド状のＰｂ微粉が発生し、電
解銅箔中に共析することがあった。Ｐｂ微粉は大きさが
１〜５０μｍの範囲にあり、特に５〜２０μｍの範囲に
あり、電解後の銅箔表面近くに多く共析している。な
お、「共析」とは浮遊している微粉が、電解によって析
出した銅中に取り込まれることをいう。
【０００４】このようなＰｂ微粉が含まれた銅箔を使用
して、プリント配線板にたとえば線幅５０μｍ／線間５
０μｍのファイン回路を形成すると、Ｐｂ微粉によっ
て、回路が断線したり、回路の短絡が生じるなどの問題
を引き起こすことがあった。しかも得られた電解銅箔
は、プリント配線板に必要な特性を具備させるための表
面処理が施され、たとえば限界電流密度以上の電流で電
解銅箔表面に粗化処理を施した後、ＺnやＮiメッキ、ク
ロメート処理、シランカップリング剤処理などの防錆処
理が施される。このため、銅箔中にＰｂ微粉があって
も、検出することが極めて難しいという問題があった。
して、プリント配線板にたとえば線幅５０μｍ／線間５
０μｍのファイン回路を形成すると、Ｐｂ微粉によっ
て、回路が断線したり、回路の短絡が生じるなどの問題
を引き起こすことがあった。しかも得られた電解銅箔
は、プリント配線板に必要な特性を具備させるための表
面処理が施され、たとえば限界電流密度以上の電流で電
解銅箔表面に粗化処理を施した後、ＺnやＮiメッキ、ク
ロメート処理、シランカップリング剤処理などの防錆処
理が施される。このため、銅箔中にＰｂ微粉があって
も、検出することが極めて難しいという問題があった。
【０００５】なお、特開平6-146051号公報、特開平6-14
6052号公報には、鉛合金を陽極として使用して金属箔の
電析を行う際に、電解液に炭酸ストロンチウムを添加す
ることによって、硫酸鉛などの鉛成分を共沈させて濾過
して除去することが記載されている。しかしながら、こ
の特開平6-146051号公報、特開平6-146052号公報には、
炭酸ストロンチウムを添加することは、電解液中のＰｂ
濃度が高い場合に有効な方法であるものの、電解液中の
Ｐｂ濃度が低くなると、鉛の共沈物を濾過できず、Ｐｂ
イオンは電解銅箔中に取り込まれてしまうと記載されて
おり、特に、本発明のように低塩素濃度の電解液におけ
る鉛の除去方法について何ら開示されていない。
6052号公報には、鉛合金を陽極として使用して金属箔の
電析を行う際に、電解液に炭酸ストロンチウムを添加す
ることによって、硫酸鉛などの鉛成分を共沈させて濾過
して除去することが記載されている。しかしながら、こ
の特開平6-146051号公報、特開平6-146052号公報には、
炭酸ストロンチウムを添加することは、電解液中のＰｂ
濃度が高い場合に有効な方法であるものの、電解液中の
Ｐｂ濃度が低くなると、鉛の共沈物を濾過できず、Ｐｂ
イオンは電解銅箔中に取り込まれてしまうと記載されて
おり、特に、本発明のように低塩素濃度の電解液におけ
る鉛の除去方法について何ら開示されていない。
【０００６】このような事情を鑑み、本発明者らは鋭意
検討した結果、電解液として、Ｃｌイオンを０．１〜
５．０ｍｇ／Ｌの量で含むものを使用する際に、電解液
に、炭酸ストロンチウムを、電解液中に含まれるＰｂイ
オンの量に対して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加するこ
とによって、電解液中に含まれている不純物中のＰｂイ
オンを、極めて少量にまで、効果的に減らすことがで
き、これにより、電解時にＰｂ微粉の共析が少ない電解
銅箔が得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
検討した結果、電解液として、Ｃｌイオンを０．１〜
５．０ｍｇ／Ｌの量で含むものを使用する際に、電解液
に、炭酸ストロンチウムを、電解液中に含まれるＰｂイ
オンの量に対して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加するこ
とによって、電解液中に含まれている不純物中のＰｂイ
オンを、極めて少量にまで、効果的に減らすことがで
き、これにより、電解時にＰｂ微粉の共析が少ない電解
銅箔が得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記のような従来技術に伴う問
題点を解決するためのものであって、低塩素イオン濃度
電解液を用いて電解銅箔を製造する際に、電解銅箔中に
共析するＰｂ微粉を効果的に低減しうる電解銅箔の製造
方法、および該方法によって得られた電解銅箔、さらに
該電解銅箔から製造された銅張り積層板およびプリント
配線板を提供することを目的としている。
題点を解決するためのものであって、低塩素イオン濃度
電解液を用いて電解銅箔を製造する際に、電解銅箔中に
共析するＰｂ微粉を効果的に低減しうる電解銅箔の製造
方法、および該方法によって得られた電解銅箔、さらに
該電解銅箔から製造された銅張り積層板およびプリント
配線板を提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係る電解銅箔の製造方法は、硫
酸銅を含む電解液を用いて、電解銅箔を製造するに際し
て、電解液として、Ｃｌイオンを０．１〜５．０ｍｇ／
Ｌの量で含むものを使用し、かつ、電解液に、炭酸スト
ロンチウムを、電解液中に含まれるＰｂイオンの量に対
して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加し、電解液中に含ま
れるＰｂイオンを除去して電解銅箔を形成することを特
徴としている。
酸銅を含む電解液を用いて、電解銅箔を製造するに際し
て、電解液として、Ｃｌイオンを０．１〜５．０ｍｇ／
Ｌの量で含むものを使用し、かつ、電解液に、炭酸スト
ロンチウムを、電解液中に含まれるＰｂイオンの量に対
して８〜１００(g/Pb-g)の量で添加し、電解液中に含ま
れるＰｂイオンを除去して電解銅箔を形成することを特
徴としている。
【０００９】また、本発明に係る電解銅箔は、上記方法
によって製造されるものであり、Ｐｂ微粉を含んでいな
い。さらにまた、本発明に係る銅張り積層板およびプリ
ント配線板はこのような電解銅箔を用いて製造されるも
のである。
によって製造されるものであり、Ｐｂ微粉を含んでいな
い。さらにまた、本発明に係る銅張り積層板およびプリ
ント配線板はこのような電解銅箔を用いて製造されるも
のである。
【００１０】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る電解銅箔の製
造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板
について具体的に説明する。［電解銅箔の製造方法］本
発明に係る電解銅箔の製造方法は、硫酸銅を含む電解液
を用いて、電解銅箔を製造するに際して、電解液とし
て、Ｃｌイオンを０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの量で含むも
のを使用し、かつ、電解液に、炭酸ストロンチウムを、
電解液中に含まれるＰｂイオンの量に対して８〜１００
(g/Pb-g)の量で添加し、電解液中に含まれるＰｂイオン
を除去して電解銅箔を形成することを特徴とするもので
ある。
造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板
について具体的に説明する。［電解銅箔の製造方法］本
発明に係る電解銅箔の製造方法は、硫酸銅を含む電解液
を用いて、電解銅箔を製造するに際して、電解液とし
て、Ｃｌイオンを０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの量で含むも
のを使用し、かつ、電解液に、炭酸ストロンチウムを、
電解液中に含まれるＰｂイオンの量に対して８〜１００
(g/Pb-g)の量で添加し、電解液中に含まれるＰｂイオン
を除去して電解銅箔を形成することを特徴とするもので
ある。
【００１１】このような製造方法では、たとえば、図１
に示されるような製造装置が使用される。図１は本発明
に係る電解銅箔の製造方法で使用される製造装置の一例
を示すものである。参照数字１は陰極ドラムが回転可能
に配置された電解槽、２は尾液槽、３は銅原料溶解槽、
４は補給液貯槽、５は添加剤槽、６は濾過機、７は巻き
取りドラム、８は銅原料である。また図中、Ｐは定量ポ
ンプを示している。
に示されるような製造装置が使用される。図１は本発明
に係る電解銅箔の製造方法で使用される製造装置の一例
を示すものである。参照数字１は陰極ドラムが回転可能
に配置された電解槽、２は尾液槽、３は銅原料溶解槽、
４は補給液貯槽、５は添加剤槽、６は濾過機、７は巻き
取りドラム、８は銅原料である。また図中、Ｐは定量ポ
ンプを示している。
【００１２】図１に示す製造装置では、電解液が供給さ
れる電解槽中１で、円筒状の陰極ドラム（図１中、１
a）と、該陰極ドラムに沿ってほぼ一定の距離に保たれ
て配置される電解用陽極（図１中、１b）との間に、硫
酸銅を含む電解液を流し、銅が電析するような量の電圧
を印加し、回転する陰極ドラム周囲に銅を電着させるよ
うになっている。所定の厚さになった銅箔は、連続的に
剥離され、巻き取りロール７によって巻き取られる。陰
極ドラム１aおよび電解用陽極１bの間に供給され、電析
により銅イオンが減少した電解液（本明細書では尾液と
いうこともある）は、オーバーフローして連続的に尾液
槽２に戻される。尾液は、尾液槽２から銅原料溶解槽３
に送液される。該溶解槽３内では、銅原料８から供給さ
れた銅原料と尾液とを接触させて銅を溶解し、銅イオン
の補充が行われる。銅溶解が終了した電解液は補給液貯
槽４に送液される。補給液貯槽４には炭酸ストロンチウ
ムが添加剤槽５より添加されたのち、濾過機６によっ
て、生成した液中の固形物（沈殿物）を除去したのち、
電解液の補給液として、電解槽１に供給される。
れる電解槽中１で、円筒状の陰極ドラム（図１中、１
a）と、該陰極ドラムに沿ってほぼ一定の距離に保たれ
て配置される電解用陽極（図１中、１b）との間に、硫
酸銅を含む電解液を流し、銅が電析するような量の電圧
を印加し、回転する陰極ドラム周囲に銅を電着させるよ
うになっている。所定の厚さになった銅箔は、連続的に
剥離され、巻き取りロール７によって巻き取られる。陰
極ドラム１aおよび電解用陽極１bの間に供給され、電析
により銅イオンが減少した電解液（本明細書では尾液と
いうこともある）は、オーバーフローして連続的に尾液
槽２に戻される。尾液は、尾液槽２から銅原料溶解槽３
に送液される。該溶解槽３内では、銅原料８から供給さ
れた銅原料と尾液とを接触させて銅を溶解し、銅イオン
の補充が行われる。銅溶解が終了した電解液は補給液貯
槽４に送液される。補給液貯槽４には炭酸ストロンチウ
ムが添加剤槽５より添加されたのち、濾過機６によっ
て、生成した液中の固形物（沈殿物）を除去したのち、
電解液の補給液として、電解槽１に供給される。
【００１３】本発明に係る製造方法で得られる電解銅箔
は、通常、陰極ドラム面側がシャイニー面（光沢面）と
なり、電着面側がマット面（粗面）となる。本発明で使
用される電解液は、塩素イオン濃度が０．１〜５．０ｍ
ｇ／Ｌの範囲にあり、かつ硫酸銅を含み、電解銅箔製造
用に使用されるものであれば、特に制限なく使用するこ
とができる。
は、通常、陰極ドラム面側がシャイニー面（光沢面）と
なり、電着面側がマット面（粗面）となる。本発明で使
用される電解液は、塩素イオン濃度が０．１〜５．０ｍ
ｇ／Ｌの範囲にあり、かつ硫酸銅を含み、電解銅箔製造
用に使用されるものであれば、特に制限なく使用するこ
とができる。
【００１４】通常、電解液中の銅濃度は、３０〜１００
g/Lの範囲にあり、硫酸濃度が５０〜３００g/Lの範囲に
あることが好ましい。上記のような電解液には、通常１
〜３０ｍｇ／Ｌ程度のＰｂ成分（主にＰｂイオン）が不
純物として含まれている。このＰｂ成分は、次に示すよ
うなところから混入してくる。たとえば、銅原料として
溶解する銅くず原料には不純物としてＰｂ成分が多く含
まれており、この他に同じく銅原料の硫酸銅中にも含ま
れる。また、銅箔製造装置の配管や各槽の内張りなどに
含まれているＰｂが溶出することによっても、電解液中
に含まれるようになる。
g/Lの範囲にあり、硫酸濃度が５０〜３００g/Lの範囲に
あることが好ましい。上記のような電解液には、通常１
〜３０ｍｇ／Ｌ程度のＰｂ成分（主にＰｂイオン）が不
純物として含まれている。このＰｂ成分は、次に示すよ
うなところから混入してくる。たとえば、銅原料として
溶解する銅くず原料には不純物としてＰｂ成分が多く含
まれており、この他に同じく銅原料の硫酸銅中にも含ま
れる。また、銅箔製造装置の配管や各槽の内張りなどに
含まれているＰｂが溶出することによっても、電解液中
に含まれるようになる。
【００１５】本発明では、以上のような電解液に、炭酸
ストロンチウムを添加して、Ｐｂ成分（Ｐｂイオン）を
除去する。炭酸ストロンチウムの添加量は、電解液中に
含まれるＰｂイオンの量に対して、８〜１００g/Pb-g、
好ましくは１０〜７０g/Pb-gの範囲にあることが好まし
い。このような範囲で、炭酸ストロンチウムを添加する
と、Ｐｂイオンを効率よく除去することができる。な
お、炭酸ストロンチウムの量が８g/Pb-gより少ない場合
は、炭酸ストロンチウムを添加する効果が充分ではな
く、また炭酸ストロンチウムの量を１００g/Pb-gより多
くしても、それ以上の効果は期待できない。
ストロンチウムを添加して、Ｐｂ成分（Ｐｂイオン）を
除去する。炭酸ストロンチウムの添加量は、電解液中に
含まれるＰｂイオンの量に対して、８〜１００g/Pb-g、
好ましくは１０〜７０g/Pb-gの範囲にあることが好まし
い。このような範囲で、炭酸ストロンチウムを添加する
と、Ｐｂイオンを効率よく除去することができる。な
お、炭酸ストロンチウムの量が８g/Pb-gより少ない場合
は、炭酸ストロンチウムを添加する効果が充分ではな
く、また炭酸ストロンチウムの量を１００g/Pb-gより多
くしても、それ以上の効果は期待できない。
【００１６】炭酸ストロンチウムを添加した電解液は、
そのまま電解液として使用することもできるが、図１に
示されるように炭酸ストロンチウム添加後の電解液を濾
過し、反応生成物を除去しておくことが望ましい。濾過
機としては、公知のものを使用することが可能であり、
具体的には、メンブランフィルター、カートリッジフィ
ルター、ウルトラフィルターなどが使用される。
そのまま電解液として使用することもできるが、図１に
示されるように炭酸ストロンチウム添加後の電解液を濾
過し、反応生成物を除去しておくことが望ましい。濾過
機としては、公知のものを使用することが可能であり、
具体的には、メンブランフィルター、カートリッジフィ
ルター、ウルトラフィルターなどが使用される。
【００１７】炭酸ストロンチウムを添加することによっ
て、電解液中に含まれるＰｂの量は、通常、２mg/L以下
に低減される。本発明のように０．１〜５．０ｍｇ／Ｌ
の低塩素イオン濃度の電解液に、特定量の炭酸ストロン
チウムを添加することによって、電解液中のＰｂイオン
の量を低減できる理由は、酸性の電解液中でＰｂ成分が
炭酸ストロンチウムと優先的に反応し、鉛−ストロンチ
ウム複合物の沈殿を生じ、これにより電解液中のＰｂイ
オンが除去されるものと考えられる。
て、電解液中に含まれるＰｂの量は、通常、２mg/L以下
に低減される。本発明のように０．１〜５．０ｍｇ／Ｌ
の低塩素イオン濃度の電解液に、特定量の炭酸ストロン
チウムを添加することによって、電解液中のＰｂイオン
の量を低減できる理由は、酸性の電解液中でＰｂ成分が
炭酸ストロンチウムと優先的に反応し、鉛−ストロンチ
ウム複合物の沈殿を生じ、これにより電解液中のＰｂイ
オンが除去されるものと考えられる。
【００１８】このようにＰｂイオンが除去された電解液
を用いて電解を行うと、Ｐｂ微粉を含まない電解銅箔が
製造できる。なお、特開平6-146051号公報、特開平6-14
6052号公報には、鉛濃度の少ない電解液に、炭酸ストロ
ンチウムを添加しても、微小な硫酸鉛のフロックを生じ
るのみで、充分に濾過して除去できない旨が記載されて
いる。しかしながら、本発明のように、塩素イオン濃度
が０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの電解液を使用する場合に
は、添加する炭酸ストロンチウムの量を、電解液中に含
まれるＰｂイオンに対して８〜１００(g/Pb-g)の量とす
れば、鉛−ストロンチウム複合物の沈殿物が生じ、しか
もこの沈殿物は、濾過などの方法によって除去できるの
であり、このことは、本発明者らによる新たな知見であ
る。
を用いて電解を行うと、Ｐｂ微粉を含まない電解銅箔が
製造できる。なお、特開平6-146051号公報、特開平6-14
6052号公報には、鉛濃度の少ない電解液に、炭酸ストロ
ンチウムを添加しても、微小な硫酸鉛のフロックを生じ
るのみで、充分に濾過して除去できない旨が記載されて
いる。しかしながら、本発明のように、塩素イオン濃度
が０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの電解液を使用する場合に
は、添加する炭酸ストロンチウムの量を、電解液中に含
まれるＰｂイオンに対して８〜１００(g/Pb-g)の量とす
れば、鉛−ストロンチウム複合物の沈殿物が生じ、しか
もこの沈殿物は、濾過などの方法によって除去できるの
であり、このことは、本発明者らによる新たな知見であ
る。
【００１９】また、本発明で使用する電解液には、必要
に応じて公知の添加剤が添加されていてもよい。添加剤
としては、たとえばブドウ糖、チオ尿素、グリシン、ポ
リ塩化ビニル、ポリエチレングリコール、トリエタノー
ルアミン、ヒドラジン、酢酸ビニルなどが挙げられる。
また、ニカワ、ゼラチンなどを添加剤として使用するこ
ともできる。
に応じて公知の添加剤が添加されていてもよい。添加剤
としては、たとえばブドウ糖、チオ尿素、グリシン、ポ
リ塩化ビニル、ポリエチレングリコール、トリエタノー
ルアミン、ヒドラジン、酢酸ビニルなどが挙げられる。
また、ニカワ、ゼラチンなどを添加剤として使用するこ
ともできる。
【００２０】なお、この硫酸銅を含む電解液を使用し
て、電解する場合、電解液の液温は、３０〜８０℃の範
囲にあることが望ましく、また電流密度は８〜１００Ａ
／ｄｍ 2の範囲あることが好ましい。このような本発明
に係る方法によって得られたＰｂ微粉を含まない電解銅
箔を使用して銅張り積層板およびプリント配線板を製造
することができる。
て、電解する場合、電解液の液温は、３０〜８０℃の範
囲にあることが望ましく、また電流密度は８〜１００Ａ
／ｄｍ 2の範囲あることが好ましい。このような本発明
に係る方法によって得られたＰｂ微粉を含まない電解銅
箔を使用して銅張り積層板およびプリント配線板を製造
することができる。
【００２１】電解銅箔を、銅張り積層板およびプリント
配線板の形成用銅箔として使用する場合、必要に応じ
て、電解銅箔のマット面（粗面）側上に、粒子状の銅電
着物層が形成される。この粒子状の銅電着物層を形成す
る処理を「コブ付け処理」あるいは「粗化処理」とい
う。このコブ付け処理は、マット面（粗面）側を電極に
対向させて配置させ、銅イオンを含む電解液を電解して
行われ、通常、ヤケメッキおよびカブセメッキからな
る。
配線板の形成用銅箔として使用する場合、必要に応じ
て、電解銅箔のマット面（粗面）側上に、粒子状の銅電
着物層が形成される。この粒子状の銅電着物層を形成す
る処理を「コブ付け処理」あるいは「粗化処理」とい
う。このコブ付け処理は、マット面（粗面）側を電極に
対向させて配置させ、銅イオンを含む電解液を電解して
行われ、通常、ヤケメッキおよびカブセメッキからな
る。
【００２２】ヤケメッキの一例としては、製造した電解
銅箔のマット面（粗面）側を電極に対向させて配置し、
以下の条件で電解液の電解を行うことができる。 銅濃度：５〜３０g/L 硫酸濃度：５０〜１５０g/L 液温：２０〜３０℃ 電流密度：２０〜４０A/dm2 時間：５〜１５秒 この電解条件により、ヤケメッキと呼ばれる樹枝状の銅
電着物層が、電解銅箔のマット面（粗面）側に形成され
る。
銅箔のマット面（粗面）側を電極に対向させて配置し、
以下の条件で電解液の電解を行うことができる。 銅濃度：５〜３０g/L 硫酸濃度：５０〜１５０g/L 液温：２０〜３０℃ 電流密度：２０〜４０A/dm2 時間：５〜１５秒 この電解条件により、ヤケメッキと呼ばれる樹枝状の銅
電着物層が、電解銅箔のマット面（粗面）側に形成され
る。
【００２３】カブセメッキの一例としては、上記のヤケ
メッキ工程を施した電解銅箔の表面に、さらに以下の条
件で電解を行うことができる。 銅濃度：４０〜８０g/L 硫酸濃度：５０〜１５０g/L 液温：４５〜５５℃ 電流密度：２０〜４０A/dm2 時間：５〜１５秒 この電解条件により、前記樹枝状銅電着物層の上に、銅
の被覆層（カブセメッキと呼ばれる）が形成され、コブ
状の電着層が形成される。
メッキ工程を施した電解銅箔の表面に、さらに以下の条
件で電解を行うことができる。 銅濃度：４０〜８０g/L 硫酸濃度：５０〜１５０g/L 液温：４５〜５５℃ 電流密度：２０〜４０A/dm2 時間：５〜１５秒 この電解条件により、前記樹枝状銅電着物層の上に、銅
の被覆層（カブセメッキと呼ばれる）が形成され、コブ
状の電着層が形成される。
【００２４】さらにこのようにカブセメッキが施された
表面は、必要に応じて、さらにヒゲメッキが行われても
よい。ヒゲメッキの一例としては、上記のカブセメッキ
を施した電解銅箔（プリント配線板用銅箔ということも
ある）の表面に、さらに以下の条件で電解を行うことが
できる。
表面は、必要に応じて、さらにヒゲメッキが行われても
よい。ヒゲメッキの一例としては、上記のカブセメッキ
を施した電解銅箔（プリント配線板用銅箔ということも
ある）の表面に、さらに以下の条件で電解を行うことが
できる。
【００２５】銅濃度：５〜３０g/L 硫酸濃度：３０〜６０g/L 液温：２０〜３０℃ 電流密度：１０〜４０A/dm2 時間：５〜１５秒 この電解条件により、前記銅の被覆層の上にヒゲ状の銅
層（ヒゲメッキと呼ばれる）が形成される。
層（ヒゲメッキと呼ばれる）が形成される。
【００２６】このようなプリント配線板用銅箔には、通
常、防錆処理が施される。防錆処理としては、特に制限
されるものではなく、たとえば、亜鉛メッキ処理、錫メ
ッキ処理、クロメート処理などが挙げられる。亜鉛メッ
キ処理では、通常、硫酸亜鉛、ピロリン酸亜鉛などを含
む電解液を使用して行われる。また、クロメート処理
は、通常、無水クロム酸を０．２〜５g/Lの量で含み、
かつｐHが９〜１３の範囲にある電解液を、０．１〜３A
/dm2の電流密度で電気分解することによって行われる。
このときの電解時間は、１〜８秒であることが望まし
い。
常、防錆処理が施される。防錆処理としては、特に制限
されるものではなく、たとえば、亜鉛メッキ処理、錫メ
ッキ処理、クロメート処理などが挙げられる。亜鉛メッ
キ処理では、通常、硫酸亜鉛、ピロリン酸亜鉛などを含
む電解液を使用して行われる。また、クロメート処理
は、通常、無水クロム酸を０．２〜５g/Lの量で含み、
かつｐHが９〜１３の範囲にある電解液を、０．１〜３A
/dm2の電流密度で電気分解することによって行われる。
このときの電解時間は、１〜８秒であることが望まし
い。
【００２７】上記プリント配線板用銅箔では、さらに必
要に応じてシランカップリング剤で、表面処理されてい
てもよい。シランカップリング剤としては、具体的に
は、エポキシアルコキシシラン、アミノアルコキシシラ
ン、メタクリロキシアルコキシシラン、メルカプトアル
コキシシランなどのシランカップリング剤などが使用さ
れる。なお、このようなシランカップリング剤は、２種
以上混合して使用してもよい。
要に応じてシランカップリング剤で、表面処理されてい
てもよい。シランカップリング剤としては、具体的に
は、エポキシアルコキシシラン、アミノアルコキシシラ
ン、メタクリロキシアルコキシシラン、メルカプトアル
コキシシランなどのシランカップリング剤などが使用さ
れる。なお、このようなシランカップリング剤は、２種
以上混合して使用してもよい。
【００２８】シランカップリング剤は、ケイ素原子換算
で、０．１５〜２０ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．３〜
２．０ｍｇ／ｍ2となるように塗布されていることが望
ましい。 ［銅張り積層板およびプリント配線板］上記方法で得ら
れた電解銅箔をプリント配線板用銅箔として、絶縁基材
と加熱圧着させることにより、電解銅箔と絶縁基材とか
ら形成された銅張り積層板が得られる。
で、０．１５〜２０ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．３〜
２．０ｍｇ／ｍ2となるように塗布されていることが望
ましい。 ［銅張り積層板およびプリント配線板］上記方法で得ら
れた電解銅箔をプリント配線板用銅箔として、絶縁基材
と加熱圧着させることにより、電解銅箔と絶縁基材とか
ら形成された銅張り積層板が得られる。
【００２９】絶縁基材としては、一般に電子機器用途と
して使用されている樹脂基材であればとくに限定されず
に使用できる。具体的には、紙−フェノール基材、紙−
エポキシ基材、ガラスエポキシ基材、ポリイミド基材な
どが挙げられる。次に、この銅張り積層板に、公知の方
法によりドライフィルムをラミネートし、所定のレジス
ト幅および回路間隔のパターンフィルムを用いてＵＶ露
光によって、パターンを形成し、公知の方法によってエ
ッチングを行うことによって、所望の配線パターンを有
するプリント配線板を得ることができる。なお、形成し
た回路パターンのエッチングは、市販の各種エッチング
液を用いて、公知の方法によって行うことができる。
して使用されている樹脂基材であればとくに限定されず
に使用できる。具体的には、紙−フェノール基材、紙−
エポキシ基材、ガラスエポキシ基材、ポリイミド基材な
どが挙げられる。次に、この銅張り積層板に、公知の方
法によりドライフィルムをラミネートし、所定のレジス
ト幅および回路間隔のパターンフィルムを用いてＵＶ露
光によって、パターンを形成し、公知の方法によってエ
ッチングを行うことによって、所望の配線パターンを有
するプリント配線板を得ることができる。なお、形成し
た回路パターンのエッチングは、市販の各種エッチング
液を用いて、公知の方法によって行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明のように塩素イオン濃度が０．１
〜５．０ｍｇ／Ｌの低塩素濃度の電解液に、特定の量の
炭酸ストロンチウムを添加することによって、電解液中
のＰｂイオンの量を極めて少なくすることが可能とな
り、製造設備や電解条件を変更することなく、Ｐｂ微粉
の偏在しない電解銅箔を製造することができる。しかも
製造された電解銅箔は、ファイン回路形成に適してい
る。
〜５．０ｍｇ／Ｌの低塩素濃度の電解液に、特定の量の
炭酸ストロンチウムを添加することによって、電解液中
のＰｂイオンの量を極めて少なくすることが可能とな
り、製造設備や電解条件を変更することなく、Ｐｂ微粉
の偏在しない電解銅箔を製造することができる。しかも
製造された電解銅箔は、ファイン回路形成に適してい
る。
【００３１】このような電解銅箔をプリント配線板用銅
箔として用いてプリント配線板を作製すると、たとえば
線幅５０μｍ／線間５０μｍのファイン回路を形成する
際に、Ｐｂ微粉によって、回路が断線したり、回路の短
絡が生じたりすることがなく、従来のプリント配線板用
銅箔と比較して信頼性が高いプリント配線板を作製する
ことができる。
箔として用いてプリント配線板を作製すると、たとえば
線幅５０μｍ／線間５０μｍのファイン回路を形成する
際に、Ｐｂ微粉によって、回路が断線したり、回路の短
絡が生じたりすることがなく、従来のプリント配線板用
銅箔と比較して信頼性が高いプリント配線板を作製する
ことができる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるもので
はない。
るが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるもので
はない。
【００３３】
【実施例１】電解銅箔の作製 塩素イオンを３．０ｍｇ／Ｌで、銅イオンを８０g/L、
硫酸を２５０g/Lの濃度で含み、かつPbイオンを７．４m
g/Lの量で含む電解液に、炭酸ストロンチウムを、電解
液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が５００mg/L
（電解液中のＰｂイオンに対して６８g/Pb-g）となるよ
うに添加した。次いで、該電解液を濾過して、Ｐｂイオ
ンが除去された電解液を調製した。
硫酸を２５０g/Lの濃度で含み、かつPbイオンを７．４m
g/Lの量で含む電解液に、炭酸ストロンチウムを、電解
液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が５００mg/L
（電解液中のＰｂイオンに対して６８g/Pb-g）となるよ
うに添加した。次いで、該電解液を濾過して、Ｐｂイオ
ンが除去された電解液を調製した。
【００３４】Ｐｂ除去後の電解液中のＰｂ濃度は、０．
２ｍｇ／Ｌ以下であった。得られたＰｂ除去後の電解液
を、連続的に、図１に示される電解槽１に供給し、５０
A/dm2の電圧を印加し、陰極ドラム１aに銅を電着させた
のち、得られた銅箔を、連続的に剥離して厚さ３５μｍ
の電解銅箔を作製した。Ｐｂ検出個数 得られた電解銅箔を１０cm×１０cmの大きさに切断した
のち、過硫酸アンモニウムを１００g/Lの濃度で含む化
学研磨液に浸漬して、銅箔を溶解させ、溶解液を０．２
μｍのメンブランフィルターで濾過した。濾紙上のＰｂ
残滓個数を光学顕微鏡により観察した。
２ｍｇ／Ｌ以下であった。得られたＰｂ除去後の電解液
を、連続的に、図１に示される電解槽１に供給し、５０
A/dm2の電圧を印加し、陰極ドラム１aに銅を電着させた
のち、得られた銅箔を、連続的に剥離して厚さ３５μｍ
の電解銅箔を作製した。Ｐｂ検出個数 得られた電解銅箔を１０cm×１０cmの大きさに切断した
のち、過硫酸アンモニウムを１００g/Lの濃度で含む化
学研磨液に浸漬して、銅箔を溶解させ、溶解液を０．２
μｍのメンブランフィルターで濾過した。濾紙上のＰｂ
残滓個数を光学顕微鏡により観察した。
【００３５】以上の操作を５回繰り返し、５回分のＰｂ
残滓個数の合計をＰｂ検出個数とした。また得られた銅
箔の物性（面粗さ、抗張力、伸び率）を評価した。結果
を表１に示す。
残滓個数の合計をＰｂ検出個数とした。また得られた銅
箔の物性（面粗さ、抗張力、伸び率）を評価した。結果
を表１に示す。
【００３６】
【実施例２】実施例１において、炭酸ストロンチウム
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が２
００mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して２７g/Pb-g）
となるように添加した以外は、実施例１と同様にして電
解銅箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例
１と同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価し
た。
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が２
００mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して２７g/Pb-g）
となるように添加した以外は、実施例１と同様にして電
解銅箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例
１と同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価し
た。
【００３７】結果を表１に示す。
【００３８】
【実施例３】実施例１において、炭酸ストロンチウム
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が１
００mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して１４g/Pb-g）
となるように添加した以外は、実施例１と同様にして電
解銅箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例
１と同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価し
た。
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が１
００mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して１４g/Pb-g）
となるように添加した以外は、実施例１と同様にして電
解銅箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例
１と同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価し
た。
【００３９】結果を表１に示す。
【００４０】
【比較例１】実施例１において、炭酸ストロンチウム
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が５
０mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して７g/Pb-g）とな
るように添加した以外は、実施例１と同様にして電解銅
箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例１と
同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価した。
を、電解液中に含まれる炭酸ストロンチウムの濃度が５
０mg/L（電解液中のＰｂイオンに対して７g/Pb-g）とな
るように添加した以外は、実施例１と同様にして電解銅
箔を作製した。得られた電解銅箔について、実施例１と
同様にしてＰｂ検出個数および銅箔物性を評価した。
【００４１】結果を表１に示す。
【００４２】
【比較例２】実施例１において、炭酸ストロンチウムを
添加せずに、実施例１と同様にして電解銅箔を作製し
た。得られた電解銅箔について、実施例１と同様にして
Ｐｂ検出個数および銅箔物性を評価した。
添加せずに、実施例１と同様にして電解銅箔を作製し
た。得られた電解銅箔について、実施例１と同様にして
Ｐｂ検出個数および銅箔物性を評価した。
【００４３】結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１から明らかなように、炭酸ストロンチ
ウムを添加することによって、得られる電解銅箔に含ま
れるＰｂ微粉の量を極めて少なくできることが判明し
た。しかも、得られた電解銅箔の銅箔特性は、従来の銅
箔と同程度のものであった。
ウムを添加することによって、得られる電解銅箔に含ま
れるＰｂ微粉の量を極めて少なくできることが判明し
た。しかも、得られた電解銅箔の銅箔特性は、従来の銅
箔と同程度のものであった。
【図１】 本発明に係る電解銅箔の製造方法にて使用さ
れる製造装置の一例を示す図である。
れる製造装置の一例を示す図である。
１……電解槽 １a……陰極ドラム １b……電解用陽極 ２……尾液槽 ３……銅原料溶解槽 ４……補給液貯槽 ５……添加剤槽 ６……濾過機 ７……巻き取りロール ８……銅原料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−221093（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−28895（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−37549（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 1/00 - 7/12 C25D 21/14 H05K 3/00
Claims (4)
- 【請求項１】硫酸銅を含む電解液を用いて、電解銅箔を
製造するに際して、 電解液として、Ｃｌイオンを０．１〜５．０ｍｇ／Ｌの
量で含むものを使用し、かつ、電解液に、炭酸ストロン
チウムを、電解液中に含まれるＰｂイオンの量に対して
８〜１００(g/Pb-g)の量で添加し、電解液中に含まれる
Ｐｂイオンを除去して電解銅箔を形成することを特徴と
する電解銅箔の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法によって製造された
Ｐｂ微粉を含まない電解銅箔。 - 【請求項３】請求項２に記載の電解銅箔を用いて製造さ
れた銅張り積層板。 - 【請求項４】請求項２に記載の電解銅箔を用いて製造さ
れたプリント配線板。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161644A JP3046301B1 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板 |
| TW089111033A TWI229152B (en) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Manufacturing method of electrodeposited copper foil |
| MYPI20002559 MY124018A (en) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Manufacturing method of electrodeposited copper foil, electrodeposited copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board |
| EP00304865A EP1059367B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-06-08 | Manufacturing method of electrodeposited copper foil, electrodeposited copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board |
| DE60031479T DE60031479T2 (de) | 1999-06-08 | 2000-06-08 | Verfahren zur Herstellung elektrolytisch abgeschiedener Kupferfolie, elektrolytisch abgeschiedene Kupfer-Folie, kupferkaschiertes Laminat und Leiterplatte |
| AT00304865T ATE343665T1 (de) | 1999-06-08 | 2000-06-08 | Verfahren zur herstellung elektrolytisch abgeschiedener kupferfolie, elektrolytisch abgeschiedene kupfer-folie, kupferkaschiertes laminat und leiterplatte |
| CNB001181955A CN1163638C (zh) | 1999-06-08 | 2000-06-08 | 电沉积铜箔的制造方法 |
| US09/590,528 US6444112B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-06-08 | Manufacturing method of electrodeposited copper foil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161644A JP3046301B1 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3046301B1 true JP3046301B1 (ja) | 2000-05-29 |
| JP2000345381A JP2000345381A (ja) | 2000-12-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161644A Expired - Fee Related JP3046301B1 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 電解銅箔の製造方法、電解銅箔、銅張り積層板およびプリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046301B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104294324A (zh) * | 2014-09-18 | 2015-01-21 | 北京科技大学 | 一种筛选和优化电解铜箔工艺的实验装置及方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4549774B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-09-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔の製造方法 |
| DE112013004539T5 (de) | 2012-09-18 | 2015-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumfilms und Verfahren zur Herstellung einer Aluminiumfolie |
| DE102017104906A1 (de) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Olav Birlem | Anordnung und Verfahren zum Bereitstellen einer Vielzahl von Nanodrähten |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP11161644A patent/JP3046301B1/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2000345381A (ja) | 2000-12-12 |
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