TW591266B - Liquid crystal display device and manufacturing method therefor - Google Patents

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591266 __案號 90130RQ7_年月日__修正_ 五、發明說明（1) [發明領域] 本發明係有關於矩陣型的液晶顯示裝置，特別是關於 該液晶顯示裝置的視野角特性的技術領域。 [習知技術說明]

液晶顯示裝置等的矩陣型顯示裝置，通常具有被設計 有薄膜電晶體（以下稱·· TFT)的薄膜電晶體配置基板（以下 稱：TFT配置基板），以及設計有彩色濾光器（color filter)和黑色矩陣（biack matrix)等的對向基板的2片基 板’而且’在該等基板之間夾有液晶等的顯示材料。而 且’經由選擇性地對該顯示材料施加電壓，而顯示晝像顯 示0 TFT配置基板的等價迴路則如第丨7圖所示。如第丨7圖 所示般地，畫素係被配置成矩陣狀。在第丨7圖中，G i、 G2、G3係掃描訊號線（以下稱··閘極導線）。而S1、S2、S3 係影像信號線（以下稱：源極導線）。Csl、Cs2、Cs3係為 了要女疋保持期間中的畫素電極的電位之儲存電容電極線 (以下稱：Cs導線）σ111至133係TFT。該等TFT係作為開關 的功能，而能控制往畫素電極的電荷的充放電。211至233 係保持電容（以下稱：Cs電容），經由在畫素電極與Cs導線 之間形成絕緣膜而製作。晝素的電極係由n〇(indium Tin

Oxide)等的透明電極所形成。311至333係形成在對向電極 和液晶之間的液晶電容C 1 c。 …1二7的0N和’，係經由施加電塵脈衝於被接續 ----、f亟的閘極導線來控制。晝素電極係藉由TFT而

IHII W1266 _修正 曰 -^^90130697 年 月 五、發明說明⑵ ----- Ϊΐίίϊί導線。經由該源極導線的信號程度的大小， 係被設定里ΐ電極内的電荷量變化之後，晝素電極的電位 晶量應畫素電極和對向電極間的電壓，液 量。因此： 能夠變化從裏面來的透過光的光 的信號變化而==導線的信號程度，而能控制光學 導線ίΐΐ提高影像的品質，則必須盡量地減小由於閘極 此、，在蚩:旎程度的變化而造成的晝素電位的變動。因 總電ί i cH設計有cs電容211〜233 ’而增大晝素的 導％ H s電谷係设叶絕緣膜於對向電極、同電位的Cs 導線和晝素電極之間而形成。 圖所ί者# f於習知的TFT配置基板的畫素佈局則如第18 ^所不。返有’第19圖係第18圖中的將書 斷的剖面圖。 丁一 I在A Α方向切 導體ΐ :18，中，符號2係表示閘極導線，符號4係表示半 媒_ ΐ膜，付號7係表示源極導線，符號8係表示源極電 "孫Ϊ唬9金係表示沒極電極，符號11係表示Cs導線，符號 ，、，不旦素電極。在第19圖中，符號i係表示玻璃基b =’符號2係表示丁以的閉極導線，符號3係表示閉極ς終 夺號4係表示半導體薄膜，符號5係表示由i層和所 構成的半導體薄膜，符號8係表示源極電極，符號9係^ 一 汲極電極，符號1 ；1係表示Cs導線，符號14係表示苎丁 極，符號103係表示絕緣膜。 至^电

在此，使用第1 9圖來說明習知的TFT配置基板的製造 方法。首先’在玻璃基板i上形成構成閘極電極的金屬绝 III w ,- ----------

2185-4535-PFl(N).ptc 591266 __案號 90130697 五、發明說明（3) 膜’然後經過光阻圖案顯像，而形成了閘極電極2。除去 光阻之後’如第1 9圖所示地，由下開始，形成閘極絕緣膜 3、由i層和η層所構成的半導體薄膜，然後經過光阻圖案 顯像及银刻该半導體薄膜而形成由i層和η層所構成的半導 體薄膜5。除去光阻之後，形成是晝素電極的丨τ〇薄膜，然 後經由光阻顯像及蝕刻IT0薄膜，而形成畫素電極14。除' 去光阻層之後’形成金屬膜’然後經過光阻圖案顯像、蝕 刻，而形成了源極電極8和汲極電極9。更者，蝕刻（回姓） TFT的背面通道側的全部的n層以及部分的丨層之後，形成 絕緣膜1 0 3。

接著’使用關於習知的T F T的構造和機能的例子來說 明。在充電電荷於在第18圖所示的TFT的畫素電極14中之 場合時，施加約9伏特的正電壓於源極電極8，以及施加約 20伏特的正電壓於閘極電極2。因此，TFT就會變成〇N狀 態’没極電極9和晝素電極1 4就會被充電至約9伏特。之 後’即使畫素電極14的電位十分地上升，施加約—5伏特的 負電壓於閘極電極2使TFT成為OFF狀態，而使電荷關在書 素中。 但是，對於液晶顯示元件的動作模式 • ..... ^ 丄 1 iN ^

(Twisted Nematic)，可以量測廣視野角化的ips(in Phase Switching)型和VA(Vertical Alignment)型等各種 的動作都被使用著。在此，關於TN型的液晶顯示元件的 normal ly white「黑顯示於白背景中，亦即白底黑字顯 示」模式的液晶施加電壓和透過率的關係（V — τ特性）則以 第2 0圖來表示。如第2 〇圖所示般地，透過率開始變化的起

2185-4535-PFl(N).ptc 第9頁 591266 修正 1 號 90130RQ7 五、發明說明（4) f值電壓（V t h )和透過率的變化係幾乎終了的電壓（飽和電 壓Vsat)之間例如有1〜2伏特的差。在將TFT當作是開關元 件使用的主動矩陣型液晶顯示元件中，經由設計該v t h和 Vsat之間的電壓差的程度，來進行階調顯示。 在關於TN型的液晶顯示元件的動作原理上，有改變視 野角時的透過率的變化大、視野角範圍小的問題存在。而 關於為了改善該問題的習知技術，則配合使用圖來詳細說 明0 在 的對向 的電場 1 9圖所 在該畫 留有該 對向基 區域上 降的情 中，g卩 在 畫素電 殘留有 下，施 有被施 壓的透 一個的 電極和爽有液晶而對向 個的畫素中，揭示在晝 電極之間施加同一的電壓，而且設計有施加於液晶 強度是不同的技術領域。關於該習知技術，則如第 不般地，在畫素電極1 4的上層形成絕緣膜丨3之後， 素電極1 4形成除去部分該絕緣膜丨〇 3的區域a，和殘 絕緣膜1 03的區域B。實際上，在TFT配置基板上和 板上，因為塗佈有配向膜，所以在第18圖中的晝素 形成配向膜後，即使該配向膜的部分發生了電壓下 形，因為是可以忽略的程度，所以在以下的說明 使省略了關於配向膜的說明也沒有問題。 去除畫素電極14上的絕緣膜1〇3的區域A中，施加於 極14和對向電極之間的電壓係被施加在液晶上。在 絕緣膜103的區域B中，在絕緣膜的部分發生電壓降 加於畫素電極14和對向電極之間的電壓係這樣而沒 力二亦即’在晝素電極14上，將對於電極間施加電 »率特性（y_T特性）係互相不同的區域A、b設計在 晝素中。 。〇

591266 五、發明說明（5) 第2 0 (a )圖係顯示在去除絕緣膜1 〇 3的區域A的晝素的 V- T特性曲線。還有，第2 0 (b )圖係顯示在殘留有絕緣膜 1 0 3的區域B的晝素的V-T特性曲線。經過觀察，如果與液 晶顯不裝置全體相比’而各晝素非常的小的話，畫素的 V-T特性曲線係如第20(c)圖所示般地，是第2〇(a)、（b)圖 的特性的總和。該結果’使Vth和Vsat的差會實質上地被 擴大。 隨著Vth和Vsat的差的擴大，進行階調顯示時的視野 角範圍的狹P益也會被減輕。第2 1圖係顯示經由ν — τ特性的 視野角方向的變化的樣子。第21(a)圖係顯示在畫素電極 上沒有设计被施加在液晶的電場強度是不同的區域的場 合。而第21(b)圖係如第18圖所示般地，顯示除去畫素電 極上部分的絕緣膜，而設計有被施加在液晶的度 不同的區域的場合。 $ /又疋 野自5 ί模ί係在TN型的的液晶顯示裝置中，經由改變視 予角向，使鈿加電壓和透過率的關係係從實線變成％ t 般地。因此，在書辛雷朽μ、乃女机，了攸貝深支成點線 ^ ^ ; 2! (a) /" ^ ^ ^ ^ ^ ^ 話，透過率也會Π )。對二^ 地，在設計電場強Γ曰不i21(b)圖所示般 不同的區域當作是二=二去二丄的％合時，經由將特性 變化，因為V-T特性的、旦素來看的場合的視野角方向的 施加電壓的透過率的變化係變緩n同，所以根據 透過率：變化減小、視野角範圍變大使根據視野角方向的 另一^顯示裝置的擴大視 第11頁 2185-4535-PFl(N).ptc 591266

荼號 SJ0130M7 五、發明說明（6) 野角的方法，有各種的方法被提案著。例如， 割而得到晝素内的液晶分子的配及由配項分 加電壓時的液晶分子的站立方向不同二大^ P經由使在施 由被施加不同的電壓於一個的畫 =現野’以及緩 壓輝度特性的傾斜度而擴大視5的j = M更2造而減緩電 相插板等的光學補償膜插入液晶和偏光板之，經由將位 行施加電壓於液晶的黑顯示狀態二，而抑制進 的方法等。 了的漏光，而能擴大視野 % 角的課題’係有中間調的階調反轉的Η 題：；ΤΝ模式中’具有階調反轉不容易發生在;= 上方向’而容易發生在下方向的特性向和 習知的ΤΝ模式液晶顯示裝置的面板正面的相：透在 1^〇^〇 ^ 75, 25% . ^ ^ |Μ ^ Λ 口時的上下方向的相斜读、洱变 的琢 22圖可、、眚楚J 1 與角度之間的關係。從第 22圖了，月楚侍知，在—2〇度左右形成中間調的 欠弟 會發生相對輝度曲線的交叉，所以就能瞭解從了厅、 顯示就會有變黑看不清楚的現象翻一 方向起的 變差了。 个以的現象’因而顯不品質就明顯地 [發明所欲解決的課題] 的* t ΐ述f地，為了擴大視野角範圍，是有必要在-個 的旦素内’製作施加於液晶的雷 曰χ tl· Α γ亜制& + %狀日日曰]也~強度疋不冋的區域。因 3了要1作該區域’而提案形成去除畫 膜的區域，以及殘留古pu ^ 位上自H，水 η 召有、，、巴、味膜的區域。所以，為了擴大視 1^· N 1疋有必i減緩綜合複數的v-τ特性的特性曲線 第12頁

2185-4535-PF1 (N) .ptc 591266 修正 曰 9Q1^nRQ7__^ Ά 五、發明說明（7) 2傾斜度’在形成絕緣膜厚之後，是有必要將該厚絕緣膜 從同—晝素電極上除去。 、、、由採用。亥構造’就能在同一畫素電極上形成局絕緣 t向低落差。因此，在面板製程中即使塗佈配向膜也不 1 /肖除南低落差’而造成在液晶顯示裝置中各個的畫素内 I成了报大的高低落差。該落差部的側壁以及側壁下周邊 1在面板製程中’由於不容易達成經由研磨（lapping)等 =配向處理’所以即使施加電壓也不易將液晶配向至所希 、方向上這也疋造成漏光的原因。因此，在normally whlte「黑顯示於白背景中“莫式的液晶顯示裝置中，為 使黑顯示而即使施加十分的電壓，因為漏光而造成黑 勺輝度變高，而會有導致對比低下的構造的問題。 士ΐ來’由於1^的顯示榮幕多使用液晶顯示裝置，因 古吝2同對比的要求也越來越高。另一方面，在中間調也 有產生階調反轉的問題點。 辛槿ί發：的？題係關於解決上述習知問題，提供-種晝 ^構w ’減少雨低落差，以及在一個的晝辛内，容易地製 於液晶的區域，而實現擴大視野角、 咼對比的液晶顯示裝置之目的。 η [解決課題的手段] φ 關於本發明的液晶顯示努 说目/ 於閘極導線2與源極導線7的^ ’係1有一電晶體，位 被接續於該電晶體；一對向，—畫素電極14，丨6 ’ w電極2 4，對向於兮者音雷托· 以及液晶’被挾持於該對向電極蛊兮佥2 ^ °亥旦素電極， ——;---；----3 電極之間〇其

2185-4535-PFl(N).ptc 第13頁 591266 修正

Ul 90130697 五、發明說明（8) 中’ δ亥晝素電極包括：一 一 素電極14’位於該第一書:旦素電極16 ;以及一第二畫 絕緣膜3及層間絕緣膜1〇H上之-絕緣層（包含閘極 極沒有對應重疊的區域。^上右並且具有與該第一畫素電 畫素電極係電性地連接。、有，該第一晝素電極與該第二 經由本發明，當作杲 各個的晝素内，能约角範圍的改善方法’由於在 場強度。還有，由於本私5區域而改變施加於液晶的電 緣膜的有無而造成落差有製作出如習知般地由於絕 ίί此：Π 液晶的混亂配向所造成的漏光現 範圍廣的液晶顯示裝置，、輝度低、對比度高以及視野角 積電Ξ有用在上述的液晶顯示裝置中，可以更包括：一蓄 蓄積電☆ #二；使保持期間申的晝素電位安定，其中，該 間，、以成於該第二晝素電極與儲存電容電極線之 間。 或該第二畫素電極與鄰接的前段的閘極導線之 =有，該第一畫素電極最好係與閘極導線同層。 而# Ϊ有，該絕緣膜102係被形成於該閘極導線的下層， ^…畫素電極即使被形成於該絕緣膜的下層也可以。 還有’上述液晶顯示裝置中，最好是設計有··一第一 絕緣膜（如第12圖的閘極絕緣膜3)，形成於該閘極導 上芦上^;該第一畫素電極，形成於該第一閘極絕緣膜的 带^ ，>一第二閑極絕緣膜（如第12圖的閘極絕緣膜103)， -5亥第一閘極絕緣膜的上層；一層間絕緣膜（如第1 2 mi 第14頁 2185-4535.PFl(N)7ptc 591266 案號 90130697 五、發明說明（9) 圖的層，絕緣膜1 〇 1 )，形成於該第二閘極絕緣膜的上層； 以及該第二晝素電極，形成於該層間絕緣膜的上層。 還有，該第一畫素電極即使與該電晶體的汲極導線9 同層也可以。 還有，該第一晝素電極即使直接接續於該電晶體的汲 極電極也可以。 更者’即使该第二畫素電極的中心部具有一開口部， 而在該開口部的該第一畫素電極與該對向電極之間，挾持 有該絕緣膜與該液晶也可以。

，有’關於本發明的其他的液晶顯示裝置（例如第工〇 圖所示之液晶顯示裝置）。也可以包括：一電晶體，位於 閘極導線與源極導線的交叉部；一畫素電極，被接續於該 電晶體；一對向電極，對向於該晝素電極；以及液晶，被 挾持於該，向電極與該晝素電極之間。其中，該畫素電極 ^括：一第一畫素電極；以及一第二畫素電極，位於該第 一畫素電極上之一絕緣層上，並且具有與該第一晝素電極 j有對應重疊的區域。其中，該第一畫素電極與該第二畫 素電極係電性地連接該汲極電極。

田其中，、δ亥第一畫素電極上的不與該第二晝素電極對應 重豐。的區域面積，最好係佔顯示有效的開口部面積的數％〜 數10%。還有，該絕緣層的膜厚最好係5〇〇ηηι以上。還有， 該畫素電極最好係透明電極。更者，施加於該第一畫素電 極與該第二晝素電極的電壓比最好係0.5:1〜0 9:1。。 ^有，關於本發明的其他的液晶顯示裝置（例如第14 i所示之液晶^裝置），係挾持液晶於一對的基板間， 591266

ΛΆ 90130637 五、發明說明 ΐ;ί:數，晝素’該液晶顯示裝置可以包括：-施加不 某板的、液^的晝素之構造；—配向膜’被設計於與該各 配向該液'；-偏光板，被 路一 # ^二各基板的液sa接觸的面上及反對侧的面上；以 i 2 膜’被設計於該偏光板與該基板之間，用以 階調；:向狀態。根據該構造，可以抑制中間調的 ^ ^ί Δη^^^ 關係。 木檟取奸係，雨足0. 3 g An · d g〇· 5 /zm的 另外，關於本發明液晶顯示裝置的製造方法，係包 有位=閘極導線與源極導線的交又部的一電晶 於該電晶體的-畫素電極、對向於該晝素電極的一對 極以及被挾持於該對向電極與該晝素電極之 晶顯示裝置的製造方法。該方法包括：形成一第一^ = 極之製程形成一絕緣層於該第一畫素電極上之製程y以 及形成一第二畫素電極於該絕緣層上之製程，其中嗜 晝素電極具有與該第-晝素電極沒有對應重疊的區域，: 且該第一畫素電極係電性地連接該第二晝素電極。 發明的實施例 第一實施例型態 茲以第卜3圖來詳細說明本發明之第一實施例型能。 第〗圖係顯示TFT配線基板上的晝素的平面圖。第^ ΙΙΗ 係顯示從第晝素的的剖面圖。而第:圖

2185-4535-PFl(N).ptc 第16頁 591266 案號 90130697 五、發明說明（Η) 係顯示由TFT/&線基板、對向基板、液晶等構成的液晶顯 示裝置的顯示部分的剖面構造圖。 在第1圊中，符號2係閘極配線、符號4係半導體薄 膜、符號7係源極配線、符號8係源極、符號9係汲極、符 號11係C s配線、符號1 4係由第二層的I τ 〇構成的畫素電 極、符號15係畫素電極14和汲極9的接觸插塞（contact)、 符號1 6 #由第一層的IT 0構成的晝素電極、符號丨7係由第 一層的I T0構成的晝素電極1 6和第二層的I το構成的晝素電 極1 4之間的接觸插塞（contact)。還有，接觸插塞1 5, 1 7係 經由延伸晝素電極1 4的一部份而構成。 在第2圖中，符號1係玻璃基板、符號3係閘極絕緣 膜、符號5係下層是本徵半導體層（以下稱i層），而上層是 由具有η型的不純物的η層所構成的半導體薄膜、符號1 〇 1 係層間絕緣膜。至於其他符號的構成則和第1圖所示的構 成同一或相當，在此省略其說明。 在第3圖中’符號2 1係玻璃基板、符號2 2係遮光膜、 符號2 3係彩色遽光器的色材、符號24係由I το等的透明導 電膜構成的對向電極、符號25係配向膜、符號26係液晶。 如第1 、2及3圖所示般地，本實施例型態的液晶顯示裝置 的畫素電極係具有2個的畫素電極1 4、畫素電極1 6。該書 素電極1 4係被設計在畫素電極1 6上的層間絕緣膜丨〇 i上。 還有’從對向電極2 4側來看，則晝素電極丨4和畫素電極i 6 係具有互相不重疊的區域。更者，畫素電極14係與電極9 電性接觸，並且也與晝素電極1 6電性接觸。 兹使用該等第1、2及3圖來說明液晶顯示裝置的製造

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:法二ϊ=用濺鍍方法而將金屬膜形成於玻璃基板1 線2和、=二1'刻製程而圖案化金屬膜而形成閘極配 婉由Ξ牵仆⑽。^者，利用濺鑛方法而形成1TQ膜，然後 釔：圖案化而形成由扪層的IT〇膜所構成的晝素電極16。 ί I图2 f閘極屺緣膜3。更者’形成半導體薄膜，然後 、=圖案化而形成TFT的半導體薄媒5。’然後，㈣形成金 屬膜，經由圖案化而形成源極導線7、源極電極8以及汲極 電極9。經由該圖案化製程中的蝕刻製程中，去除沒有金 屬導線的部分的η型半導體層和部分的1層，而形成打7。 更者，形成絕緣膜101後，形成接續畫素電極14和汲 極電極9的接觸窗15，以及形成接續畫素電極14和晝素電 極16的接觸窗17。然後，濺鍍形成ΙΤ〇膜，經由圖案化而 形成畫素電極14。

如第3圖所示般地，形成晝素電極14之後，在面板製 程中，塗佈配向膜18於晝素電極14上。另一方面，在對向 基板側也塗佈配向膜25，而配向處理配向膜18、25而使液 晶係90度地扭轉。然後，如第3圖般地挾持液晶26，並且 與上下基板的液晶接觸的面和反對側上的各一片的偏光 板，係貼附著而構成大約是9〇度的互相的吸收軸，而組立 成normal ly white「黑顯示於白背景中」的液晶顯示裝 置。還有，在第3圖中，關於接續晝素電極14和晝素電極 1 6的接觸部1 7，因為接觸部的落差大（由於閘極絕緣膜3、 絕緣膜1 0 1的落差），所以有因為研磨等而使配向處理不佳 而造成漏光的狀況，因此，為了要遮蔽該漏光，所以在與 對向基板側的玻璃基板21上的遮光膜22相對應重疊的位置

2185-4535-PFl(N).ptc 第 18 頁 591266 案號 9Q130697 發明說明（13) 上’配置接觸部1 7 月 曰 修正 五 晝素電極14和晝素電極16的ITO膜厚度，係選用在例 如是30〜150nm左右的薄膜厚度範圍，且最好將絕緣膜1〇1 的膜厚做厚（例如5 0 0nm以上），而能夠減小因為晝素電極 上的構造物造成的凹凸。 % 施例刑熊 茲以第4、5圖來詳細說明本發明之第二實施例型態的 主動矩陣型液晶顯示裝置。第4圖係顯示以了佈局基板上的 ，素的平面圖。第5圖係顯示將第4圖的晝素從A_A，方向切 斷的剖面圖。在第4、5圖中的構成物與第！、2圖中 物相同的話，將以相同符號來表示，並省略其說明 、：圖中’符號2a係鄰接的閘極導線。在第二實施例中， 在旦素電極14和鄰接前段的閘極導線2 保持期間中的晝素電位安定的蓄積電容。$成為了使 =::明關於第二實施例的液晶顯示裝置的製造方 製程鑛形成金屬膜，然後經由微剩

St开Ϊίϊί 23。接著，濺鑛形成1T0膜，圖案 6。然後，形成間極絕緣膜3。更者， 後圖案化而形成TFT的半導體薄膜5。然 後滅鍍形成金屬膜，經由圖案化而形成源極導線卜 Ϊ€ °^^ ,ι t 層，而形:TFT 部分的n型半導體層和部分的1 2 ’形成絕緣膜10Π1，上成接續晝素電極14和汲 第19頁 2185-4535-PFl(N).ptc 591266 - 案说 90130697 年月日 修正 五、發明說明（14) 極電極9的接觸窗1 5，以及形成接續晝素電極丨4和畫素電 極16的接觸窗17。然後，濺鍍形成IT〇膜，經由圖案化而 形成畫素電極1 4。晝素電極丨4係做成與鄰接前段的閘極導 線2a的部分相對應重疊的圖案，而在該相對應重疊的部分 形成保持電容。 晝素電極14和晝素電極16的1丁〇膜厚度，係選用在例 如是3 0〜150nm左右的薄膜厚度範圍，且最好將絕緣膜 的膜厚做厚（例如50〇nm以上），而能夠減小因為畫素電極 上的構造物造成的凹凸。 第三實施例切態 玆以第6、7圖來詳細說明本發明之第三實施例型態的 主動矩陣型液晶顯示裝置。第6圖係顯示TFT佈局基板上的 晝素的平面圖。第7圖係顯示將第6圖的晝素從A_A，方向切 斷的剖面圖。 在第6、7圖中的構成物與第丨、2圖中的構成物相同的 話，將以相同符號來表示，並省略其說明。在第6、7圖 中，符號2a係鄰接的閘極導線。在第三實施例中，在畫素 電極14和Cs導線Η之間，以及在晝素電極14和鄰接前段的

閘極導線2a之間’形成為了使保持期間巾的晝素電位安定 的蓄積電容。 、接著，說明關於第三實施例的液晶顯示裝置的製造方 法。在玻璃基板1上濺鍍形成金屬臈，然後經由微影蝕刻 製程而形成閘極導線2、2a。接著’濺鑛形成Ιτ〇膜，圖案 化而形成由第一層的ΙΤΟ所構成的晝素電極u 〇然後形成 591266

Γ半、d: 成半導體薄膜，圖案化而形成TFT 線源極電極8以及汲極電極9。經由該圖案 刻製程中’去除沒有金屬導線的部分的η型 丰^體層和部分的i層，而形成Ί7Τ。 更者，形成絕緣膜101後，形成接續晝素電極14和汲 極電極9的接觸窗15，以及形成接續畫素電極“和晝素電 極16的接觸窗17。然後，濺鍍形成IT〇膜，經由圖案化而 形j晝素電極14。晝素電極14係做成與。電極丨丨以及與鄰 接刖段的閘極導線2a的部分相對應重疊的圖案，而在該相 對應重疊的部分形成保持電容。 第四實施例刮能 茲以第8圖的剖面圖來詳細說明本發明之第四實施例 型態的主動矩陣型液晶顯示裝置。

在第8圖中的構成物與第1、2及3圖中的構成物相同的 話’將以相同符號來表示，並省略其說明。在第8圖中， 符號1 0 2係絕緣層。第4實施例中，在閘極導線2的下層設 計有絕緣膜1 0 2，而在該絕緣膜1 0 2的下層設計有畫素電極 16。最好的實施例的話，該絕緣膜102的厚度係2 OOnm，閘 極絕緣膜3的厚度係4 0 0 nm，層間絕緣膜1 0 1的厚度係 3 0 Onm 〇 接著，說明關於第四實施例的液晶顯示裝置的製造方 法。在玻璃基板1上濺鑛形成金屬膜，然後濺鐘形成I το 膜，圖案化而形成由第一層的I TO所構成的畫素電極1 6。

2185-4535-PFl(N).ptc 第21頁 591266 η 修正 曰 ΛΜ 90130fiQ7 五、發明說明（16) Π成絕緣膜102，然後在該絕緣膜102上形成金屬膜， n ^影韻刻製程而圖案化而形成閉極導線 』率：=1問極絕緣膜3。更者，形成半導體薄： 圖案化而形成TFT的半導體薄膜5。然#，賤錢形成金 於该半導體薄膜5上，經由圖案化而形成源極電極8以及及 極電極9。經由該圖案化製程中的蝕刻製程中，去除沒有

TfT屬導線的部分的n型半導體層和部分的i層，而形成又 更者，形成絕緣膜101後，形成接續畫素電極14 極電極9的接觸窗15，以及形成接續晝素電極“和畫雷 極16的接觸窗1 7。然後，濺鍍形成I TO膜，經由圖案化 形成畫素電極14。 、 方五實施例型熊 兹以第9圖的剖面圖來詳細說明本發明之第五實施 型態的主動矩陣型液晶顯示裝置。 、也歹 在第9圖中的構成物與第i 、2及3圖中的構成物相同的 治’將以相同符號來表示，並省略其說明。在第9圖中，、 要特別強調的是，晝素電極1 6係設計在與源極電極8以及 〉及極導線9同，-層。 接著，說明關於第五實施例的液晶顯示裝置的製造方 法。在玻璃基板1上錢鍵形成金屬膜，然後經由微影餘列 製程而圖案化形成閘極導線2及Cs導線11。接著，形成^ 極絕緣膜3。更者，形成半導體薄膜，然後經由圖^化: 形成TFT的半導體薄膜5。然後濺鍍形成IT0膜，圖案化而 591266

‘令屬1一層的IT0所構成的畫素電極16。然後，濺鍍形 娘經由圖案化而形成源極電極8以及汲極電極9。 Ϊ八圖案化製程中的蝕刻製程中，去除沒有金屬導線的 4分的η型半導體層和部分的1層，而形成汀了。 κ φ 者形成絕緣膜1 〇 1後，形成接續晝素電極1 4和汲 極電極9的接觸窗15，以及形成接續畫素電極“和晝素電 接觸窗17。然後，滅艘形成IT〇膜，經由圖案化而 形成畫素電極1 4。

、在本貝施例中，形成接觸窗1 7而與由第二層Iτο所構 成^晝素電極14及由第一層的IT〇所構成的畫素電極16相 接續。並且，如第1 〇圖所示般地，即使在形成源極電極8 之後，形成並圖案化由第一層的ΙΤ〇所構成的畫素電極 16，然後將由第一層的ΙΤ〇所構成的晝素電極16延伸至汲 極電極9的上部而直接接續汲極電極9及畫素電極丨6也可 以。 此時，雖然晝素電極1 4係也可以如第1 〇圖般地接續於 汲極電極9，也可以如第i丨圖般地接續於晝素電極丨6。當 然’晝素電極1 4也可以接續汲極電極9及畫素電極16。 第六實施例铟熊 兹以第1 2圖的剖面圖來詳細說明本發明之第六實施例 型態的主動矩陣型液晶顯示裝置。 在第12圖中的構成物與第1、2及3圖中的構成物相同 的話，將以相同符號來表示，並省略其說明。再第六實施 合"’㈣才亟導線2上設計有閘極絕緣膜3，還有，在該閘

2185-4535-PFl(N).ptc 第 23 頁 591266

極絶緣膜3上設計有晝素電極丨6。而且，在該畫素電極工6 上設計有閘極絕緣膜i 03，更者，在該閘極絕緣膜1〇3上設 计有層間絕緣膜1 0 1。而且，在該層間絕緣膜丨〇 1上設計有 畫素電極14。 接著’說明關於第五實施例的液晶顯示裝置的製造方 法。在玻璃基板1上濺鍍形成金屬膜，然後經由微影蝕刻 製程而圖案化形成閘極導線2及。導線丨丨。接著，形成第 一層的閘極絕緣膜3之後，濺鍍形成IT0膜·，然後經由圖案 化而形成由第一層的I TO所構成的畫素電極丨6。然後，形

成第二層的絕緣膜1 0 3。更者，形成半導體薄膜，然後經 由圖案化而形成TFT的半導體薄膜5。然後濺鍍形成金屬膜 於該半導體薄膜5上，經圖案化而形成源極電極8以及汲極 電極9。在經由該圖案化製程中的蝕刻製程中，去除沒有 金屬導線的部分的n型半導體層和部分的i層，而形成 TFT ° 更者，形成絕緣膜101後，形成接續晝素電極14和汲 極電極9的接觸窗1 5，以及形成接續晝素電極丨4和晝素電 極1 6的接觸窗1 7。然後，濺鍍形成第二層的丨τ〇膜，經由 圖案化而形成畫素電極1 4。

還有，在上述例子中，係以使用〗τ〇等的透明電極當 作是畫素電極的透過型液晶顯示裝置為例來說明本發明， 然而並非限定本發明。亦即，本發明係也可以適用於使用 链（Α1 )等的金屬電極當作是晝素電極的反射型液晶顯示裝 置。 、 還有’在上述例子中，雖然係在畫素電極14的上層，

591266 案號 90130697 修正

五、發明說明（19) _ 僅設計有配向膜1 8 ’但並非限定本 電極14與配向膜18之間設計有絕緣層也可;P使在晝素 如上述般地，關於本發明實施例的液晶顯 將晝素電極設計在第—層透明電極的上層的 ς ’係 後在該絕緣膜上形成有部分區域和戶、=、，然 應重疊的第二層透明電極，而且 電極沒有對 接續第一、二層的透明電極之構造、第一接觸插塞等來 極係被接續在相同的開關元件（TFT)，以及—層的透明電 電位程度，因此可以非常容易達 乂^供相同 設定。 逆珉旦素電極的電位程度的 的畫ΐί極顯示裝置，係將各個 對應重疊的第二層透明電極。而；υ透明電極沒有 來接續第一、二層的透明電極之構造因=接觸插塞等 上的不同區域而能容易地將大小 由於同一畫素 向電極之間的液晶，如此，由於^ 士電劳強度施加於對 作是一個的畫*來看的場合的視2同的複數區域當 性的透過率的差就能減小。更 η的變化的v-τ特 知般地，在同-畫素電極上形成殘明並不是如習 去的區域，所以就不用考量因為、，、緣膜的區域和除 上的落差而導致由於液晶配向混亂而^的有無而造成構造 的發生。還有本發明可以增厚絕 k成漏光等不良現象 角範圍。 色、，象膜’以及能夠擴大視野 第圖^^計於第一層晝 2185-4535-PFl(N),ptc 第25頁 麵 591266 j 號 90MnAQ7

五、發明說明（20) 素電極與第二層畫素曾 時，幾乎沒有任^的視^ =絕緣膜厚係·m程度 要有50 0〜60〇nm以上， σ效果’所以絕緣膜厚至少 而如果絕緣膜屋44 β η η ^ ^ 則能夠得到十分的視野角、/達800⑽程度以上， 中’視野角改善角係以；二善反 的意思。設計於第一層晝素電極與第二改善角度 '、邑、，水μ y子雖，、、、係根據通常用於ΤΝ模 方性以及絕緣膜材料的誘電率、 =日日的誘電率異 的絕緣膜厚以及誘電率的關#:^ j ^二層晝素電極 之間的液晶層的電壓，以；： = =⑽ 液晶的對向透明電極24之間的液晶層的電遷的㊁壓：= 示。在第13(a)圖中，絕緣膜厚400践係相當於 係0.9:1.0,因此，最好該電壓比是大的。 比大/ 動電壓、消費電力以及驅動迴路的成本等因田^^ 的上限最好是0 · 5 : 1 · 0。 “ Μ電壓比 還有，為了要擴大視野角，有必要將由於同一書 的不同區域而廣生的大小不同的電場強度施加於素上 之間的液晶’巧關於實際控制位在第一層晝素電極= 向電極之間的浪日日區域的各個畫素，有必要者磨册 才對 比例來構成。誃比例係能夠以在被規定是晝素的開口:檀 區域中沒有第夕層晝素電極而有第一層晝素電極部的 積，以及被規炙是晝素的開口部的區域面積的比例i的面 算。如第13(b)圖所示般地，為了要得到安定現野1角計 善效果，雖然多少必須要有數％以上的面積，位曰的改

2185-4535-PFl(N).ptc 第26頁 :二―一 —...-----------~ 為該 591266 _案號90川0即7 五、發明說明（21) 第比一Λ晝Λ電極的有效面積/晝素開口部面積)變大 及對比;：所以考量視野角改善效果以 擇數％〜數m左右的ιΓ圍/Λ比了例。該比例雖然可以選 改善效果以及對比度所以二疋挤V/得到良好的視野角 、m 7 所以取好疋在數％〜75%的範圍。 $ 關於本發明貫施例的主動矩陣型液晶顯示裝置 :各個的畫素電極形成於第一層透明電極的上層的絕 上，在該絕緣層上，然後在該絕緣膜上，形成有部分 區域和第一層透明電極沒有對應重叠的第二層透明電極。 而且，因為有以接觸插塞等來接續第一、二層的透明電極 之構造，以及因為本發明並不是如習知般地在同一畫素電 極上形成殘留有絕緣膜的區域和除去的區域，所以即使在 根據畫素上的區域而能夠大大地改變施加於液晶的電場強 度的場合，也能夠增加存在於第一層畫素電極與第二層晝 素電極之間的絕緣膜厚度，也不會有因為絕緣膜的有無而 造成構造上的落差而導致由於液晶配向混亂而造成漏光等 不良現象的發生。還有本發明可以減小黑顯示的輝度，而 能夠實現具有對比度高的性能的液晶顯示裝置。 第七實施例贺態

兹以第1 4圖來說明本發明之第七實施例型態的液晶顯 示裝置。在第14圖中，符號301a、301b係偏光板，符號 3 0 2 a、3 0 2 b係固定圓盤型（d i s c 〇 t i c)液晶的配向狀態之光 學補償膜，符號303a、303b係基板，符號304係液晶，符 號3 05a、30 5b係上下基板的研磨方向，符號30 6係背光。

2185-4535-PFl(N).ptc 第27頁 591266 案號 90130697 五、發明說明（22) 為了驅動主動矩陣的驅動迴路則省略圖示。 在此，光學補償膜302a、302b係固定圓盤型 (d 1 s c o 11 c)液晶的配向狀態之光學補償膜。該光學補償膜 的具體構成係被揭示於例如特開平8 — 5〇2〇4號公報、特開、 平8-50270號公報、特開平8 — 95030號公報、特開平 8 - 9 5 0 3 4號公報、特開平9 - 5 5 2 4號公報中。該光學補償膜 3 0 2a、3 0 2b係被在主動矩陣液晶的厚度方向，而使主軸方 向的角度連續地變化而混成配向（hybrid alignment)。因 此對於所，的方向，遲延度（retaditi〇n)的絕對值係具有 不是零的最小值，該方位係從光學補償膜的法線方向^ 5〜50度（請參閱第24圖）。圓盤型（disc〇tic)液晶的折射率 的異方性是負的。亦即，如第25圖的模式圖所示般地， 係有nr>nd的關係。因此，當作是光學補償膜全體，係如 第26(b)圖所不般地，圓盤型化 = 、ΩΖ，如此，面内的折射細、町和厚产 :向的折射率nz係有nx>ny>nz的關係。將該主 ^ 斜方向投影在膜面的方向係如 = 3 0 2a、3 02b上的箭頭太a “ u J尤子補償膜 和液晶層的厚別的乘積/二，液/曰3°4的複折射率Δη “以.5_關係積更’/好//'確認滿足〇.3^^ 心·1<0.42„的關更係者。’最好疋能確認滿足。.3“， 體構2有不ί:ϊί發Λ第二實施例的液晶顯示裝置的具 /、貫施例所述的構成也可以，對於 591266 _案號 90130697____年月曰 條正 五、發明說明（23) 單一的晝素而能夠如果有施加不同電壓的構造也可以。例 如，如第18、1 9圖所示之習知的構造，亦即，在晝素電極 上形成絕緣膜之後，即使對於去除畫素電極上的一部分的 絕緣膜的構造也可以適用。更者，不接續二層的晝素電 極，給予下側的畫素電極電位，而經由上下的畫素電極而 形成電容’以及由於杯環（c u P r i n g)而能夠控制上側的晝 素電極的電位，而能夠施加不同的電壓於單一的晝素。關 於該構造’例如有揭示於「Active-Matrix LCDs Using

Gray-Scale in Halftone Methods 」（Kalluri R. Sarma 荨著、Phoenix Technology Center, Honeywell, Inc. Phoenix， AZ SID 89 DIGEST p.148〜ρ·150)。 接著’說明關於本發明第七實施例的液晶顯示裝置的 製造方法。首先，在配置有矩陣狀晝素電極的基板3〇3b以 及形成有對向電極（圖未顯示）的基板3〇3a上，塗佈配向 膜’並進行2 0 0 °C、3 0分鐘的熱處理。接著，進行將配向 膜做成使液晶的配向方向係約9 〇度的研磨處理。在此，液 晶的配向方向成為約90度時，被夾在上下基板間的液晶^ 的扭轉角度係7 0〜1 〇 〇度的範圍。若液晶層的扭轉角係在前 述範圍内的話’則就能得到作為n〇rmaUy white Γ黑顯= 於白背景」的良好的電壓-透過率回應。還有，液晶的初^ 期傾斜角（pretilt angie)最好是3~9度。若初期傾斜角 小於3度的話，則在晝素的顯示有效部分就容易發生配向 異常區域，而導致顯示品質的劣化。另〆方面，若初期\ 斜角角大於9度的話，則在白顯示狀態的透過率會低下，員 而造成顯示輝度的低下。接著，如液晶層的厚度形成4 3

2185-4535-PFl(N) .ptc 第29頁 591266

般地，將由塑膠粒（piastic beads)構成的間隙物 (spacer )散佈在一方的基板上，然後重疊2片的基板“仏 及303b。此時，除了周圍的一部分而以密封材包圍，而再 經由真空注入法而注入液晶3 〇 4。被注入的液晶3 〇 4係採用 複折射率八1) = 0.0 89的液晶。接著，在基板3〇38及3〇31)的 各個上，貼有如第14圖般的被貼附有研磨方向和圓盤型 (d i s c o t i c)液晶的傾斜方向係一致的光學補償膜3 〇 2 a、 3021)的偏光板3013以及30113。偏光板3〇]^及3〇汕的吸收軸 之間的方向角度係約90度。更者，組合封裝驅動迴路的背 光，而形成normally white「黑顯示於白背景中」模式的 液晶顯示裝置。 第1 5圖係顯示關於在本發明實施例型態的液晶顯示裝 置的面板正面的相對透過率係1〇〇%、75%、5〇%、25%以及 施加成為黑顯示的電壓時的上下方向的相對透過率和角度 的關係。如圖所示般地，下方向的中間調的相對輝度係到 -50度都未交叉，所以到該角度之前都不會發生反轉^ 第1 6圖係顯示在TN模式中適用於施加不同的電壓於同 一晝素的構造，而且跟不貼附光學補償膜時的—25度程度 相比，產生階調反轉的角度係明顯地擴充至下方向X。 •還有，第23圖係顯示即使在將TN模式中的固定圓盤塑 (d 1 sco 11 c)液晶的配向狀態的光學補償膜插入上下基板和 偏光板之間的習知的液晶顯示裝置中所測定的結果 度相=，產生階調反轉的角度係明顯地擴充至^方向。 件到該結果的理由係如下述般地被判斷。雖然經由組 合液晶層和光學補償膜而進行光學補償，但在從斜方向來 591266 五 _ 案號 901306Q7

、發明說明（25) 看顯示黑或中間調狀態的液晶一 組合而有不能光學補償的遲延户7^面板的場合時，經由該 兩種類以上的電壓於一個的晝=。然而，經由採用能施加 調輝度特性的傾度緩和的效^ 了内的構造，以及加上使階 角度往下方向擴大。 而能夠將產生階調反轉的 還有，能夠使用於本發明的 矩陣用途的市販的液晶材料。逻=晶，最好係使用於主動 施例的發明具體地適用於第1〜6 ♦ A將關於本發明第七貫 合，設計於第-層的畫素電極/施例的液晶顯示褒置場 緣膜厚度係如第i 3 (a )圖所示般/ 一 ^素電極之間的絕 ^ ^, ^ " 在8 Ο Ο ηιη程度以上時就能夠得、 nm以上 果。 仔至j十分的視野角範圍改善效 [發明效果] r園3 : ί:述般地’若經由本發明的話，當作是視野角 耗圍的改善方法，由於在各個的畫素内，能夠 製作出如習知般地由於絕緣膜的有造尸 所以在落差部以及落差佈下週邊，不會發==造: 亂配向所造成的漏光現象。因此本發明能夠實現此 低、對比度高以及視野角範圍廣的液晶顯示裝置:又

591266 案號 90130697 年月曰_ 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明之第一實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側晝素平面圖。 第2圖係顯示本發明之第一實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素剖面圖。 第3圖係顯示本發明之第一實施型態的液晶顯示裝置 之晝素部剖面圖。 第4圖係顯示本發明之第二實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素平面圖。

第5圖係顯示本發明之第二實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素剖面圖。 第6圖係顯示本發明之第三實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素平面圖。 第7圖係顯示本發明之第三實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板侧畫素剖面圖。 第8圖係顯示本發明之第四實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素剖面圖。 第9圖係顯示本發明之第五實施型態的液晶顯示裝置 之佈局基板側畫素剖面圖。

第1 0圖係顯示本發明之第六實施型態的其他的液晶顯 示裝置之佈局基板侧晝素剖面圖。 第11圖係顯示本發明之第六實施型態的其他的液晶顯 示裝置之佈局基板側畫素剖面圖。 第1 2圖係顯示本發明之第六實施型態的液晶顯示裝置 之晝素部剖面圖。 第13(a)、（b)圖係顯示本發明之液晶顯示裝置中，第

2185-4535>PFl(N).ptc 第32頁 591266 1^ 90130697 修正 圖式簡單說明 一層畫素電極和第二層畫素電極的顯示有效运 特性，以及層間絕緣膜厚和顯示特性的一例。 第1 4圖係顯示本發明之第七實施型態的液晶顯示 之構成圖。 衣置 比和顯 示 第1 5圖係顯示本發明之第七實施型態的液晶顯示 之透過光強度的角度依存性之示意圖。 第1 6圖係顯示施加不同電壓於同一晝素之構造的 光強度的角度依存性之示意圖。 過 第1 7圖係顯示一般的TFT一LCD的TFT佈局的等價迴 例。 、^

第1 8圖係顯示習知的TFT一LCD的液晶顯示裝置之 基板側畫素平面圖。 局 第1 9圖係顯示習知的TFT —LCD的液晶顯示裝置之 基板側畫素剖面圖。 $屬 置的晝 配置有 的特性 第2 0(a)〜（c)圖係顯示在TFT-LCD的液晶顯示裝 素電極和對向電極間，沒有配置絕緣膜等的場合和 絕緣膜場合的各種的ν—τ特性和加總ν_τ特性的 說明圖 。 、第21(a)、（b)圖係顯示根據TFT-LCD的液晶顯示萝 :視野角來言兒明V — T特性的差的說明g!，以及形成本‘ 又的旦素構成的場合的V — τ特性的差的說明圖。 第22圖係顯示習知的液晶顯示裝置之透過光強度的角 度依存性之示意圖。 第23圖係顯示習知的液晶顯示裝置之透過光強度的角 度依存性之示意圖。

591266 案號 90130697 圖式簡單說明 第24圖係顯示遲延度和方位角的關係圖。 第25圖係關於為了要說明圓盤型（(113(：〇^(：)液晶的折 射率之說明圖。 第26(a)、（b)圖係關於為了要說明圓盤型（disc〇tic) 液晶的折射率之說明圖。 [符號說明] 1〜玻璃基板； 2〜閘極導線； 2a〜鄰接的閘極導線；3〜閘極絕緣膜；

4〜半導體薄膜； 5〜由i層（本徵層）層（摻雜層）構成的半導體薄膜； 7〜源極導線； 8〜源極電極； 9〜汲極電極； 11〜Cs導線； 1 4〜由第二層透明電極構成的畫素電極； 1 5〜接觸插塞； 1 6〜由第一層透明電極構成的畫素電極； 1 7〜接觸插塞； 18〜排列（array)基板侧的配向膜； 2 1〜對向基板側的玻璃基板；

22〜遮光膜； 23〜彩色濾光器的色材； 2 4〜透明電極； 2 5〜對向基板侧的配向膜； 2 6〜液晶； 1 0 1〜絕緣膜； 1〇 2〜絕緣膜； 1〇3〜第二層的閘極絕緣膜。

Claims (1)

1. 591266

   __案號 90130697 六、申請專利範圍 該第一晝素電極，形成於遠第 閘極、纟巴緣膜的上層； 一第二閘極絕緣膜，形成於該第 閘極絕緣膜的上 層； 一層間絕緣膜，形成於該第二閘極絕緣膜的上層；以 及 該第二畫素電極，形成於該層間絕緣膜的上層。 6 ·如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其 中，該第一畫素電極係與該電晶體的及極導線同層。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的液晶顯示裝置，其

   中，該第一晝素電極係直接接續於該電晶體的汲極電極。 8 ·如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其 中’該第二晝素電極的中心部具有一開口部，而在該開口 部的該第一晝素電極與該對向電極之間，挾持有該絕緣膜 與該液晶。 、 上 9 · 一種液晶顯示裝置，包括： 一電晶體，位於閘極導線與源極導線的交叉部； 一畫素電極，被接續於該電晶體； 一，向電極，對向於該畫素電極；以及 液晶’破挾持於該對向電極與該晝素電極之間； 其中’該畫素電極包括： 一第一畫素電極；以及 :ϋif極’位於該第一晝素電極上之-絕緣 笙一:I第一畫素電極沒有對應重疊的區域 a W贫一圭I …％ w，入3珂應更璺的區域， 且5亥旦素電極盘★女笛-t , °亥第一晝素電極係電性地連接該汲 2185-4535-PFl(N).ptc 第36頁

   案號 90130697 申讀專矛lj範圍 t槌。 其1 0 ·如申清專利範圍第1或9項所述的液晶顯示裝置， 、甲’該絕緣層的膜厚係5〇〇nm以上。11 ·如申请專利範圍第1或9項所述的液晶顯示裝置， 其中 其中 係〇· 間， 該畫素電極係透明電極 1 2 ·如申清專利範圍第i或9項所述的液晶顯示裝置， ’施加於該第一晝素電極與該第二晝素電極的電壓比 5 : 1 〜0· 9: 1。 1 3 · —種液晶顯不裝置，係挾持液晶於一對的基板 足具有複數的晝素，該液晶顯示裝置包括： 〜施加不同電壓於一個的晝素之構造； 〜配向膜，被設計於與該各基板的液晶接觸的面上， M靶向該液晶；反姐〜偏光板’被設計於與該各基板的液晶接觸的面上及 匈的面上；以及从闳二光學補償膜’被設計於該偏光板與該基板之間’用 定該液晶的配向狀態。 ，·如申請專利範圍第丨3項所述的液晶顯示裝置，其 竣液晶的複折射率An和液晶層的厚度d的乘積係滿足 取 ·<1$〇·5/ζιη的關係。 槌/ 5 · 一種液晶顯示裝置的製造方法’係包括有位於閘 緣與源極導線的交叉部的一電晶體、被接續於該電晶 中 的 抉持 晝素電極、對向於該晝素電極的一對向電極以及被 於該對向電極與該晝素電極之間的液晶之液晶顯示裝

   591266 _ 案號 90130BQ7

   六、申請專利範圍 置的製造方法，該方法包括·· 形成一第一畫素電極之製程； 形，一絕緣層於該第一畫素電極上之製 一第=晝素電極於該絕緣層上之製程，ΐϊ 二畫素電極具有與該第一畫素電極 其中該第 而且該第一畫素電極係電性地連接哕第二叠的區域， 16. -種液晶顯示裝置的製造方。;/，-二^ 極導線與源極導線的交又部的—電晶體、 有位於間 體之汲極電極的一畫素電極、對向於該查ΪΪ、，於該電晶 電極以及被挾持於該對向電極與該書素對向 液晶顯示裝置的製造方法，該方法包括：之間的液晶之 形成一第—晝素電極之製程，其中該 接續於該電晶體的汲極電極； I素電極係 形成一絕緣層於該第一畫素電極上之製程； 形成一第二晝素電極於該絕緣層上之製程， ' 旦不包惟 >叉负對應重 且該第二晝素電極係電性地連接該汲極電極 而 畫素與該第一畫素電極沒有對的第 且該第二晝素電極係電性地遠蛀钕说权# >及的^域’

   2185-4535-PFl(N).ptc 第38頁