TW589233B - Sputtering target and production method therefor - Google Patents

Description

589233 玖、發明說明 〔發明所屬之技術領域〕 本發明係關於藉由模鍛造來製造之具有複雜的三維（立 體）構造之濺鍍靶及其製造方法。 〔先前技術〕 _ 近年來，於電子領域、耐蝕性材料及裝飾的領域、觸 媒領域、切削、硏磨材及耐磨性材料的製作等眾多的領域 中，係使用濺鍍以形成金屬或陶瓷材料等的被覆。 濺鍍法本身係在上述的領域中所熟知的方法，惟，最 近，尤其是在電子領域中，殷切要求著適合於複雜的形狀 的被膜之形成及線路之形成的濺鍍靶。例如，截面爲帽狀 或圓頂狀或由其等連結成的三維（立體）構造之靶材日益廣爲 使用著。 通常，具有如此之三維構造的靶材之製造，係經由將 金屬熔解、鑄造成之鑄塊或坯料施以熱鍛造後，進行退火 ，再進行模鍛造來製造。於這樣的製程中，鑄塊或坯料的 熱鍛造，會破壞鑄造組織，使氣孔、偏析擴散或消失，藉 由更進一步將其退火而再結晶化，可使組織達到一定程度 的緻密化，並提高強度。 然後，藉由對此經鍛造及再結晶退火之材料進行模鍛 造，作成爲既定的三維構造之靶材形狀，更進一步進行模 鍛造後的再結晶退火及消除應力退火，最後再進行表面加 工作成靶材。 如此之靶材之製造方法，於通常的平板型靶材的製造

L 5 589233 中並不會有特別的問題，惟，於上述般的截面爲帽狀或圓 頂狀或由其等連結成的三維構造之靶材時，由於在模鍛造 中會出現接受強塑性變形的部位與未接受的部位，致其後 的再結晶退火及消除應力退火中結晶粒的尺寸出現異常的 差異之情形。 例如，於面向鍛造方向處，雖只受到壓縮力，於沿著 鍛造方向的處、亦即三維構造的側壁則接受到拉伸般的強 加工。 如此般，於接受塑性變形強的部位與弱的部位，於退 火時再結晶粒的大小之差異甚大。亦即，於接受塑性變形 強的部位結晶會微細化，於弱的部位結晶會粗化。又，於 如此之接受塑性變形強的部位與弱的部位之境界區域，結 晶粒係不規則地混合存在或爲漸進性的變化之結晶構造。 通常，於施行濺鍍的場合，靶材的結晶愈細愈能夠均 一地成膜，可使電弧（arcing)及粒子（particle)之產生變少， 而得到具有均一且安定的特性之膜。 因而，於模鍛造及其後的退火中所產生之上述般的結 晶粒之粗化及不規則的結晶粒之存在，會使得電弧及粒子 的發生增加。當然，殘存有應力之模鍛造品是無法以直接 使用，此會使品質更爲降低。 由上述，藉由模鍛造所製造之具有三維構造之濺鍍靶 ，隨著結晶粒的粗化，膜的性質會降低，是其問題。 〔發明內容〕 本發明之課題在於，爲了解決上述的問題，藉由對鍛 6 589233 之±10%以內。 6.如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其於 熱捏合鍛造或冷捏合鍛造中，係使真應變的絕對値之合計 ^ ---------. 爲4以上。 7·如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其材 料的熔點爲Tm時，模鍛造係於0.5Tm以下進行。 8. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其係 於模鍛造後進行消除應力退火或再結晶退火。 9. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其材 料的熔點爲Tm時，冷預成形後之再結晶退火係於0.6Tm以 下進行。 10. 如上述第8項之濺鍍靶之製造方法，其材料的熔 點爲Tm時，於模鍛造後，係於0.6Tm以下進行消除應力退 火或再結晶退火。 11. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其 係施行20〜90%的加工比之冷預成形者。 12. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其 係藉由冷預成形後之再結晶退火，使平均結晶粒徑最大的 部位之平均結晶粒徑DG與平均結晶粒徑最小的部位之平均 結晶粒徑dQ形成1.0<DQ/dQ<1.5。 13. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法’其 係藉由冷預成形後之再結晶退火，作成最終平均結晶粒徑 的200%以下。 14. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法’其 8 係藉由模鍛造後之結晶均質化退火或消除應力退火，使平 均結晶粒徑形成1〜500 // m的範圍。 15. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其 中，平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均結 晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d具有l.〇<D/d<2.〇的關 係。 16. 如上述第1項或第2項之濺鍍靶之製造方法，其 中，靶材料爲銅、鈦、鋁、鎳、鈷、鉅或其等的合金。 17. 如上述第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法，其 中，耙材料爲銅、鈦、錦、鏡、銘、組或其等的合金。 〔實施方式〕 本發明之濺鍍靶，係藉由後述般的製程所製造。其具 體例，爲先將銅、鈦、鋁、鎳、鈷、鉬或該等合金的金屬 材料熔解、鑄造，製造成鑄塊或坯料。然後，對此鑄塊或 坯料進行熱鍛造或冷鍛造。 藉由此鍛造，可將鑄造組織破壞，使氣孔、偏析擴散 或消失，藉由更進一步將其退火而再結晶化，藉由此熱鍛 造或冷鍛造與再結晶退火，可使組織緻密化，並提高強度 〇 前述熱锻造及冷鍛造以捏合锻造（Kneadmg)爲佳，反覆 施行熱鍛造或冷鍛造，於特性之改善上甚有效。又，再結 晶溫度雖依各金屬而異，可考.量變形量與溫度及時間來決 定最適的溫度。 前述熱捏合鍛造或冷捏合鍛造中，真應變的絕對値的 合計以4以上爲佳。此條件，尤其在鉬的鍛造上甚有效。 然後，進行冷預成形。此冷預成形，於材料的熔點爲 Tm時，宜控制在〇.3Tm以下，而以0.2Tm以下爲佳。 又，此時的加工度，雖依最終所要求的結晶粒徑而異 ，惟，以20%以上爲佳。尤以50〜90%的加工比來加工更佳 。藉此，可對材料賦予大的加工應變。 如上述般之須進行冷預成形的理由在於，可導入更大 的加工應變，及可使預成形製程中的材料的溫度儘可能地 保持固定。藉此，可導入甚大且均一的應變。 於進行此冷預成形後，再進行再結晶退火以調整結晶 粒。於材料的熔點爲Tm時，宜使此冷預成形後之再結晶退 火在0.6Tm以下、而以在0.4Tm以下進行爲佳。 藉此，可使平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑 Do與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑心形成 1.0<D0/d〇<1.5 〇 此冷預成形爲本發明的重要的製程之一，藉此，可於 最終製程中得到具有微細且均一的結晶之靶材。 然後，對此具有這樣的具有微細且均一的結晶之冷預 成形材進行模鍛造。又，於本模鍛造中亦可含有旋彎 (spinning)加工。亦即，本說明書中所記載之全部的模锻造 係包含此旋彎加工。 再者，在模锻造後進行結晶均質化退火或消除應力退 火。使平均結晶粒徑成爲1〜500 // m的範圍內。 於此模鍛造中，於如前述般產生之接受到強的應變的 589233 織破壞，並可使氣孔、偏析擴散或消失，而可得到均一的 組織之鍛造品。 然後，用該熱捏合鍛造材，於室溫下以50%的加工比 進行預成形。於施行此預成形後，在300°C下進行2小時的 再結晶化退火，調整結晶粒。藉此，調整成平均結晶粒徑 爲85//m的微細且均一的結晶粒度。 圖1爲於此製程所作成的帽形靶材的截面圖。圖1的 C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部，皆爲濺鍍側（於 濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 91 // m、B : 86/z m、C : 112// m 、D : 79 // m、E : 92 // m，平均結晶粒徑最大的部位之平均 結晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d 的比D/d=1.46，而作成具有均一粒徑之靶材。 將上述的結果與下述比較例一倂示於表1。 於模鍛造中會產生上述般接受到強應變的部位與幾乎 未接受的部位。於本方法中，模鍛造時接受到強應變的部 位，於其後的結晶粒均一化退火中雖會發生再結晶與晶粒 生長，惟係設定適當的結晶粒均一化退火條件，以使此時 的粒徑可與冷預成形、再結晶退火後的粒徑一致。 又，於未接受強應變的部位中，已於前製程的冷預成 形、再結晶化退火中將結晶粒調整成微細，只要施行本方 法之退火，則不會有晶粒顯著生長的情形，與接受到應變 的部位之間在結晶粒徑上不會產生大的差異。

求出此銅的帽形靶材的濺飩面之（111)面及（200)面的X 12 589233 射線繞射強度比1(111)/1(200)。又，測定部位爲圖3所示之 各測定位置。又，與後述之實施例2的場合同樣地，顯示 其與不規則配向作比較時之配向強度比。 測定之結果爲，a位置：2.6、b位置：2.7、c位置： 2.9、d 位置·· 2.5、e 位置：2.6、f 位置：2.5，朝（111)之配 向係較不規則配向1*(111)/1*(200)=2.08大，且在任一的位 置皆未見到配向之大的變動。由此可知：靶材的均一性得 到確保。 (比較例1) 作成與實施例1同樣的銅（6N)鑄塊。藉由對此鑄塊進 行冷鍛造，於冷狀態下以50%的加工比進行預成形，於300 °C下進行2小時的再結晶化退火。將此預成形材於400°C下 同樣地進行模鍛造作成帽形靶材。 模鍛造後於425°C下進行結晶粒均一化、消除應力退火 ，此時的A〜E部位的平均結晶粒徑同樣地示於表1。 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 344 // m、B : 184/z m、C : 211 // m、D : 192// m、E : 379 // m，全體呈現粗化的情形，且平 均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均結晶粒徑 最小的部位之平均結晶粒徑d的比D/d=2.06 ’係作成具有 不均一的粒徑之靶材。 吾人認爲這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑係因 於模鍛造溫度及模鍛造後的退火溫度過高所致。 13 589233 (比較例2) 作成與實施例1同樣的銅（6N)鑄塊。藉由對此鑄塊於 750°C下進行熱鍛造施行預成形。將此預成形材與實施例1 同樣地在280°C下模鍛造作成帽形靶材，模鍛造後在300°C 下進行2小時的結晶粒均一化、消除應力退火。此時的 A〜E部位之平均粒徑同樣地示於表1。又，此場合，於施行 預成形後未施行再結晶化退火。 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 724 /z m、B : 235 // m、C : 257 # m、D : 244 // m、E : 773 // m，全體呈現更爲粗化的情形， 且平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均結晶 粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d的比D/d=3.29，係作成 具有不均一的粒徑之靶材。 這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑，係由於預成 形未在冷狀態下進行致加工不充分、及未施行預成形後的 再結晶化退火所致。 (比較例3) 作成與實施例1同樣的銅（6N)鑄塊。藉由對此鑄塊於 750°C下進行熱锻造施行預成形。將此預成形材與在650°C 下同樣地模鍛造作成帽形靶材，模鍛造後在700°C下進行2 小時的結晶粒均一化、消除應力退火。將此時的A〜E部位 之平均粒徑同樣地示於表1。又，此場合，於施行預成形後 未施行再結晶化退火。 14 589233 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 2755 // m、B : 654 // m、C : 775 // m、D : 688 /z m、E ·· 2911 /z m，全體呈現異常的粗化的情 形，且平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均 結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d的比D/d=4.45，係 作成具有顯著地不均一的粗大粒徑之靶材。 吾等認爲，這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑， 係因於預成形未在冷狀態下進行致加工不充分及模鍛造溫 度過高所致。 (比較例4) 作成與實施例1同樣的銅（6N)鑄塊。藉由對此鑄塊於 400°C下進行熱鍛造施行預成形。將此預成形材與實施例1 同樣地在280°C下模鍛造作成帽形靶材，模鍛造後在300°C 下進行結晶粒均一化、消除應力退火。將此時的A〜E部位 之平均粒徑同樣地示於表1。又，此場合，於施行預成形後 未施彳了再結晶化退火。 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 121/z m、B : 88// m、C : 308 // m 、D : 105// m、E ·· 122// m，雖成爲比較細的結晶粒，惟獨 中央部C呈現粗化的情形，平均結晶粒徑最大的部位之平 均結晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑 d的比D/d=3.50，係作成具有不均一粒徑之靶材。 15 589233 吾等認爲，這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑， 係因於預成形未在冷狀態下進行致加工不充分所致。 表1 預成形 再結晶 化 模 鍛造 退火 平均結晶粒徑（//m) D/d A B C D E 實施例 1 冷狀態 300°C 280〇C 300°C 91 86 112 79 92 1.42 比較例 1 冷狀態 300°C 400°C 425〇C 344 184 211 192 379 2.06 比較例 2 750〇C — 280〇C 300°C 724 235 257 244 773 3.29 比較例 3 750〇C — 650〇C 700°C 2755 654 775 668 2911 4.45 比較例 4 400°C — 280〇C 300°C 121 88 308 105 122 3.50 (實施例2) 將鈦（4N5)材料溶解、鑄造，作成鑄塊。然後，對此鑄 _ 塊650在°(：下進行封閉鍛造，作成坯料。此時之真應變的 絕對値之合計爲4。 然後，用此坯料，於室溫下以50%的加工比進行預成 形。於施行此預成形後，在500°C下進行2小時的再結晶化 退火，調整結晶粒。藉此，調整成平均結晶粒徑爲35// m · 的微細且均一的結晶粒度。 將該具有微細且均一的結晶之冷預成形材進行模鍛造 作成帽形靶材。模鍛造係在450°C下進行。模鍛造後，在 500°C下進行2小時的結晶粒均一化、消除應力退火。 於此製程所作成之帽形靶材的截面圖，由於與前述圖1 相同，故依據圖1加以說明。圖1的C爲頂部，A、E爲凸 緣部，B、D爲側部，皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一 16 589233 預成形。將此預成形材於450°C下與比較例2同樣地進行模 -鍛造作成帽形靶材，於模鍛造後在500°C下進行結晶粒均一 化、消除應力退火。此時之A〜E部位的平均結晶粒徑示如 · 表2。又，此場合，於施行預成形後未施行再結晶化退火。 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， ^ 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 124# m、B : 45// m、C : 66// m 、D : 53# m、E : 133/z m，全體雖呈現比較小的粒徑，惟 ，凸緣部A、E則粗化，平均結晶粒徑最大的部位之平均結 · 晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d的 比D/d=2.96，係具有不均一粒徑之靶材。 這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑，係因於預成 形未在冷的狀態下進行致加工不充分及未施行預成形後的 再結晶化退火所致。 (比較例7) 用與實施例2同樣的封閉鍛造坯料，在750°C下進行熱 預成形。將此預成形材於450°C下進行模鍛造，於模锻造後 * 在500°C下進行結晶粒均一化、消除應力退火。此時之A〜E 部位的平均結晶粒徑示如表2。又，此場合，於施行預成形 後未施行再結晶化退火。 同樣地，C爲頂部，A、E爲凸緣部，B、D爲側部， 皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A: 156//m、B: 56//m、C: 87//m 、D : 61//m、E : 177//m，較比較例6更爲粗化，平均結 19 589233 晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均結晶粒徑最小 的部位之平均結晶粒徑d的比D/d=2.90，係作成具有不均 一粒徑之靶材。 這樣的平均粒徑的粗化與不均一的粒徑，係因於預成 形未在冷的狀態下進行致加工不充分及未施行預成形後的 再結晶化退火所致。 表2 預成形 再結晶 化 模 鍛造 退火 平均結晶粒徑（# m) D/d A B C D E 實施例 2 冷狀態 500°C 450〇C 500°C 37 31 34 29 39 1.35 比較例 5 冷狀態 500°C 700°C 750〇C 346 140 199 156 325 2.47 比較例 6 500°C — 450〇C 500°C 124 45 66 53 133 2.96 比較例 7 750〇C — 450〇C 500°C 156 56 87 61 177 2.90 (實施例3) 將銅（6N)材料溶解、鑄造，作成鑄塊。然後，對此鑄 塊於800°C下進行熱捏合鍛造。藉由此熱捏合鍛造將鑄造組 織破壞，並使氣孔、偏析擴散或消失，而可得到均一的組 織之鍛造品。 然後，用此熱捏合鍛造材，於室溫下以50%的加工比 進行預成形。於施行此預成形後，在300°C下進行2小時的 再結晶化退火，調整結晶粒。藉此，調整成平均結晶粒徑 爲85 // m的微細且均一的結晶粒度。 將該具有微細且均一的結晶之預成形材，進行模鍛造 作成截面由2個帽形靶材相連所成的形狀之靶材。模鍛造 20 589233 係在280°C下進行。於模鍛造後，在300°C下進行2小時的 結晶粒均一化、消除應力退火。 圖2爲此製程中所作成的靶材之截面圖。圖2的C爲 頂部，A爲凸緣部，B、D爲側部，Ef爲帽連結部，皆爲濺 鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 係作成爲：平均粒徑分別爲，A : 100// m、B : 94/z m 、C ·· 118/z m、D : 96// m、E’ ： 92/z m，平均結晶粒徑最大 的部位之平均結晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平 均結晶粒徑d的比D/d=l.28，係作成具有均一粒徑之靶材 將上述的結果與下述比較例一倂示於表3。 表3 預成形 再結晶 化 模 鍛造 退火 平均結晶粒徑（//m) D/d A B C D E, 實施例 3 冷狀態 300°C 280〇C 300°C 100 94 118 96 92 1.28 比較例 8 400°C 一 280〇C 300°C 127 123 278 101 113 2.46 (比較例8) 作成與實施例3同樣的銅（6N)鑄塊。藉由對此鑄塊進 行400°C的熱鍛造施行預成形。將此預成形材與實施例4同 樣地在280°C下進行模锻造，作成爲截面爲帽形靶材2個相 連結所成的形狀之靶材，於模鍛造後，在300°C下進行結晶 粒均一化、消除應力退火。 此時的A〜E’部位的平均結晶粒徑同樣地示於表3。又 ，此場合，於施行預成形後未施行再結晶化退火。 21 589233 同樣地，C爲頂部，A爲凸緣部，B、D爲側部，E’爲 帽連結部，皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A : 127// m、B : 123/z m、C : 278 /z m、D: 101#m、E: 113//m，平均結晶粒徑最大的部位之 平均結晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒 徑d的比D/d=2.46，係作成具有不均一粒徑之靶材。這樣 的不均一的平均粒徑，係因於預成形未於冷狀態下進行致 加工不充分所致。 (實施例4) 將鉬（5N)材料溶解、EB鑄造，作成鑄塊。然後，對此 鑄塊反覆進行室溫捏合鍛造及1200°C下之消除應力退火， 作成真應變的絕對値之合計爲8的坯料。 然後，用此坯料，在室溫下以70%的加工比施行軋製 預成形。於施行軋製預成形之後，在900°C下進行2小時的 再結晶化退火以調整結晶粒。藉此，調整成平均結晶粒徑 爲75/z m的微細且均一的結晶粒度。 將具有這樣的微細且均一的結晶之冷軋製預成形材， 藉由旋彎加工成形爲截面爲帽形靶材2個相連結所成的形 狀之靶材。旋彎加工係於室溫下進行。於模鍛造後，在925 °C下進行2小時之結晶粒均一化、消除應力退火。 於此製程所作成之帽形靶材的截面圖，由於與前述圖2 相同，故依據圖2加以說明。圖2的C爲頂部，A爲凸緣 部，B、D爲側部，Ef爲帽連結部，皆爲濺鍍側（於濺鍍時受 到濺蝕之一側）。 22 589233 平均粒徑分別爲，A : 87 // m、B : 76// m、C : 71 /z m、 D : 82# m、Ef : 80// m，平均結晶粒徑最大的部位之平均結 晶粒徑D與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d的 比D/d=1.23，係作成具有均一粒徑之靶材。 將上述的結果與下述比較例一倂示於表4。 表4 捏合 鍛造 比 預成 形 再結 晶化 模 鍛造 退火 平均結晶粒徑（"m) D/d A B C D E' 實施 例4 8 冷狀 態 900°C 室溫 925〇C 87 76 71 82 80 1.23 比較 例9 4 未滿 冷狀 態 900°C 室溫 925〇C 89 147 78 72 88 2.04 (比較例9) 與實施例4同樣，將鉬（5N)材料溶解、EB鑄造，作成 鑄塊。然後，對此鑄塊在室溫下進行鍛造，作成坯料。此 時，真應變的絕對値之合計爲4以下。 然後，用此坯料，在室溫下以70%的加工比施行軋製 預成形。於施行軋製預成形之後，雖在900°C下進行2小時 的再結晶化退火，惟，平均結晶粒徑依部位而參差不一， 爲 80〜150 // m 〇 將這樣的冷軋製預成形材，藉由旋彎加工成形爲截面 爲帽形之靶材2個相連結所成的形狀之靶材。旋彎加工係 於室溫下進行。於模鍛造後，在925°C下進行2小時之結晶 粒均一化、消除應力退火。 同樣地，C爲頂部，A爲凸緣部，B、D爲側部，E1爲 帽形連接部，皆爲濺鍍側（於濺鍍時受到濺蝕之一側）。 平均粒徑分別爲，A ·· 89// m、B : 147/z m、C : 78// m 23 589233 、D : 72 a m、88/z m，只在單方的B側壁有粗化的情 形，平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與平均結 晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d的比D/d=2.04，係作 成具有不均一粒徑之靶材。 如此般局部的結晶粒徑變大之原因，吾等認爲係因於 捏合鍛造時的鍛鍊比不充分之故。因此，鑄造一次結晶並 未完全破壞，維持著具備一次結晶的分布直到成形爲最終 形狀之故。 發明效果 本發明之藉由模鍛造之具有三維構造的濺鍍靶之製造 方法中，於進行材料鑄塊或坯料之熱鍛造及退火之後，進 行冷預成形及再結晶退火以調整結晶粒，藉由進一步進行 模鍛造，可使平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D 與平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d成爲1.0 <D/d<2.0,藉此，可使靶材的結晶粒微細化且維持均一性， 可抑制濺鍍時之電弧及粒子之發生，而可得到具有均一且 安定之特性的膜，故具有優異的效果。 〔圖式簡單說明〕 (一）圖式部分 圖1爲顯示經模鍛造作成帽形靶材之靶材構造的說明 圖。 圖2爲顯示經模鍛造作成2個帽形靶材相連的形狀之 靶材構造的說明圖。 圖3爲顯示面配向位置之圖。 24 589233 (二）代表元件符號 Α，Ε 緣部 B，D 側部 C 頂部 E， 帽連結部 a，b，c，d，e，f，g 沏ί 定咅 立

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Claims (1)

1. 合計爲4以上。 7·如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法 ’當材料的熔點爲Tm時，模鍛造係於〇.5Tm以下進行。 8·如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法 ’其係於模鍛造後進行消除應力退火或再結晶退火。 9.如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方法 ’當材料的熔點爲Tm時，冷預成形後之再結晶退火係於 0.6Tm以下進行。 10·如申請專利範圍第8項之濺鍍靶之製造方法，當材 料的熔點爲Tm時，於模鍛造後，係於0.6Tm以下進行消除 應力退火或再結晶退火。 11·如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 法，其係施行20〜90%的加工比之冷預成形者。 12. 如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 法，其係藉由冷預成形後之再結晶退火，使平均結晶粒徑 最大的部位之平均結晶粒徑DQ與平均結晶粒徑最小的部位 之平均結晶粒徑d〇成爲1.0<D〇/d()<1.5。 13. 如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 法，其係藉由冷預成形後之再結晶退火，作成最終平均結 晶粒徑的200%以下。 14. 如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 法，其係藉由模鍛造後之結晶均質化退火或消除應力退火 ，使平均結晶粒徑成爲1〜5〇〇//m的範圍。 15. 如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 27 589233 法，其中，平均結晶粒徑最大的部位之平均結晶粒徑D與 · 平均結晶粒徑最小的部位之平均結晶粒徑d係具有 1.0<D/d<2.0 的關係。 。 16·如申請專利範圍第1項或第2項之濺鍍靶，其中， 靶材料爲銅、鈦、鋁、鎳、鈷、鉅或其等的合金。 - 17·如申請專利範圍第4項或第5項之濺鍍靶之製造方 法，其中，靶材料爲銅、鈦、鋁、鎳、鈷、鉬或其等的合 金。 拾壹、顧式 如次頁 ' 28