TW587398B - Method for making a display panel - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 96
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 63
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 61
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 60
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 71
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2217/00—Gas-filled discharge tubes
- H01J2217/38—Cold-cathode tubes
- H01J2217/49—Display panels, e.g. not making use of alternating current
- H01J2217/492—Details
- H01J2217/49264—Vessels
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Description
587398
【發明所屬技術領域】 示文字或畫像等顯示裝置上的 本發明係相關使用於顯 顯示用面板之製造方法。 【習知技術】 般有機電激發光(Εί Electroluminescense)顯示裝 ^液晶顯示裝置中所採用的顯示面板,係由設有發光元 二液晶、或具有驅動該等的驅動元件等之顯示用元件所 、、。此外,此顯示基板通常為維持其機能與品質,大多 用適當的封裝構件而被封裝著。使用於此種用途上的封 f構件有如··金屬製罐(金屬罐)或玻璃等。上述顯示基板 糸利用黏著劑而與該等貼合並封裝。所以,此顯示用面板 的顯不基板封裝品質,便成為決定顯示裝置的品質與壽命 之重要因素。 第9圖所示係顯示基板利用封裝構件而封裝之 模式圖。 如第9(a)圖與第9(b)圖所示,在屬於顯示基板33之一 構造的玻璃基板31之一面上,利用薄膜形成程序形成構成 顯示區域的元件層32。另外,在此例中係顯示為一次統籌 製造複數(12個)顯示用面板,而在一片玻璃基板31上一次 統募形成複數(12個)元件層32,而且相關顯示基板33亦與 此同時產生複數個(12個)的情況。上述玻璃基板31係利用 辨識配置於元件層32相對向位置處之屬於封裝構件的封裝 用玻璃34之對位標誌39,然後朝第9(a)圖所示Z方向移 動,並貼合於該玻璃34上。此封裝用玻璃34順沿封裝顯示 IH 313757.ptd 0136' η ΒΠΗ 第5頁 1Γ 587398 五、 發明說明 (2) 基 板33(嚴格的說,為其元件層32)的 形 狀,預 先將 黏 著劑 依 圍繞上 述 顯 示區域的態樣而塗布 〇 此 外,封 裝用 玻 璃34 之 與顯示 基 板 33相對向面上,配合 上 述 元件層 32的 形 狀及 配 置,利 用 餘 刻處理等而被挖掘。 此 封 裝用玻 璃34的 挖掘 部 3 6係為 塗 布 上供維持被封裝之顯 示 基 板3 3特 性用 的 吸濕 劑 等而所 設 置 的。在第9(b)圖中省 略 玻 璃基板 31的 圖 示〇 再者 第 1 0圖所示係當上述玻 璃 基 板31貼 合於 封 裝用 玻 璃34時 之 戴 面狀態示意圖。如第 10 圖 所示, 玻璃 基 板31 係 被支撐 構 件 3 7所真空吸附著,此 被 真 空吸附 的玻 璃 基板 31 ,下降 至 配 置在檯面(未圖示)上 的 封 裝用玻 璃34上 並貼 合 。此時 依 玻璃基板31與封裝用 玻 璃 34間的 間隙 G形成 既 定值的 方 式 ’利用支撐構件3 7適 當 的 加壓玻 璃基 板 3 1 ° 如 此在間 隙 G達既定值之後,在施行黏著劑35的硬化處 理 ,並利 用 封 裝用玻璃34而封裝顯 示 基 板33 〇 另外 j 在此 封 裝之時 J 玻 璃基板31及封裝用玻 璃 34 ,在與 黏著 劑 3 5抵 接 的寬度 (即彌封線寬度W)係依黏著劑35的量與黏产 、及 間 隙G與上述加壓壓力、加壓時間等而決定。此外 ,在黏 著 劑35中 混 入具預定直徑之如圓 筒 狀 或球狀 的隔 離 子 38(在第10圖中乃模式圖示而已), 將 此 隔離子 38當 作 擋 止 ,並藉 由 上 述加壓而使上述間隙 G可獲得預定值< ) [ 發明欲 解 決 之課題】 上述 黏 著 劑3 5通常使用樹脂製 黏 著 劑。所 以此 情 況時 的 樹脂材 質 9 便配合顯示基板3 3的 種 類 或封裝 目的 等 而適 當 的選擇 〇 此 外,在該等樹脂申亦 有 無 法調整 黏度 者 〇 iramiHm313757 p〇1SC72~ iTi 〜--- 587398 五、發明說明(3) 譬如EL顯示裝置之顯示用面板中所採用的顯 Λ述元件層32上形成EL元件的顯示基板33等)阳 件特性屬於財熱性偏低’且隨水分的劣因 ?:因此便將水分穿透性較低’且硬化時不需要加孰二 外線硬化性環氧樹脂當作上述黏著劑35使用。此紫外2紫 化性,氧樹脂,因為不致隨溶劑而被稀釋,因此一般黏, 均較高,所以無法利用稀釋而調整至較容易使用程度的ς 度。此外,若改變此紫外線硬化性環氧樹脂的成分而調整 黏度的話’但卻頗難維持水分穿透性同屬較低之相同樹於 的特性。 q 當將如此高黏度的樹脂當作黏著劑3 5使用時,如前 述 “將玻璃基板3 1貼合於封裝用玻璃3 4時,便必須對二 者的貼合面施加更大的壓力,才能使間隙G達到所需值, 而且亦必須確保彌封線寬度W。但是,若急速增加使加壓 壓力的話’黏度較高的黏著劑35,便無法追隨此加壓壓力 的變化而形狀變化,在封裝用玻璃3 4俯視圖的第11圖中虛 線所示部分處,便將產生貼合不良的情形。 換句話說,當間隙G未達均勻所需值的情況時,對應 第11圖所附記的A至C,將產生下述不良現象。 (A)可形成殘留於被封裝之内部空間中的氣體脫氣用 密封通道; (B) 無法獲得穩定的彌封線寬度w ; (C) 黏著劑3 5將偏移既定的封裝位置。 該等貼合不良不僅產生形狀不良,而且依情況亦將產
^7398 五、發明說明(4) " --—----- & 良、與經加壓過的氣體將殘留於内部,或者水分
牙透性上斗隹rca A 對J: ο餅等象,在當作EL顯示裝置之顯示用面板上, ,、質與壽命將產生不少的不良影像。 顯_ 2外’不僅形成上述EL元件的顯示基板,即便如液晶 構板或電,顯示基板等,該等基板漿利用適當的封裝 黏度較高的樹脂黏著劑,而形成被封裝的顯示用面 ’在該等封裝之際,上述實情亦大略相同。 劑鐾鑑於上述實情,其目的在於提供-種當黏著 用^ 點度較高者的情況時,可迅速且正確的執行利 i裝構件及黏著劑的顯示基板封裝之顯示用面板之製造 【解決 中 域上之 面而配 塗布的 使該黏 該封裝 到該等 再 專利範 裝構件 重複複 將此經 課題之手段】 ,專利範圍第丨項之發明的主旨係將形成於顯示區 .、、員示用元件的顯示基板元件面,及相對向於該元件 置,封裝構件,依圍繞該顯示區域的態樣,透過所 ,著劑而貼合之後,施加壓力於該貼合面上,同時 著劑硬化的顯示用面板之製造方法,使其中施加於 構件與表面基板之貼合面上的壓力階段性的變化直 封裝構件與顯示基板間的間隙到達該目標值為止。 者’申請專利範圍第2項之發明的主旨,在於申請 圍第Y項之顯示用面板之製造方法中,施加於該封 與f不基板間之貼合面上的壓力之階段性變化,係 數次進行連續變化該施加壓力之壓力變更期間,與 增大過的壓力保持一定之壓力保持期間。
587398 五、發明說明(5) 再者’申咐專利範圍第3項之發明的主旨,在於申請 專利範園第2項之顯示用面板之製造方法中,該各壓力保 持期間係相互獨立設定。 再者’申咕專利範圍第4項之發明的主旨,在於申請 專利範園第2項或3項之顯示用面板之製造方法中,該壓力 變更期間的壓力變化量,係依該等每個壓力變更期間而獨 立設定。 再者’申請專利範圍第5之發明的主旨,在於申請專 利範圍第4項之顯示用面板之製造方法中,其中該各壓力 變更期間的壓力變化量中,將在最後的壓力變更期間之壓 力變化量,設定為小於其他壓力變更期間内的壓力變化 量。 再者,申請專利範圍第6項之發明的主旨,在於申請 專利範圍第2至5項申任一項之顯示用面板之製造方法中, 其中該壓力變更期間之至少其中一期間内,其壓力變化速 度可變化。 再者,申請專利範圍第7項之發明的主旨,在於申請 專利範圍第2至6項中任一項之顯示用面板之製造方法中, 其中施加於該封裝構件與顯示基板之貼合面上的壓力之階 段變化,係分別各三次重複實施該壓力變更期間與該壓力 保持期間。 再者,申請專利範圍第8項之發明的主旨’在於申請 專利範圍第1至7項中任一項之顯示用面板之製造方法中’ 其中該黏著劑係隨陽離子聚合而硬化的紫外線硬化性環氧
31375lptd' 第9頁 °1S676 587398 五、發明說明(6) 樹脂,利用紫外線照射而執行該黏著劑的硬化。 再者,申請專利範圍第9項之發明的主旨,在於申請 專利範圍第8項之顯示用面板之製造方法中,係合併使用 對該點著劑的溫度控制。 再者,申請專利範圍第10項之發明的主旨,在於申請 專利範圍第9項之顯示用面板之製造方法中,其中該溫度 控制係至少在對該封裝構件與顯示基板的貼合面施加壓力 之前,即施行將該黏著劑加熱至既定溫度的處理。 再者,申請專利範圍第11頊之發明的主旨,在於申請 專利範圍第9項之顯示用面板之製造方法中,其中該溫度 控制係將該黏著劑加熱至既定溫度,並執行對該封裝構件 與顯示基板的貼合面施加壓力。 再者,申請專利範圍第12項之發明的主旨,在於申請 專利範圍第10項或第丨丨項之顯示用面板之製造方法中,其 中顯示基板係具有有機電激發光元件而开>成並當作該顯示 用元件用;該既定溫度係設定為不影響到該有機電激發光 元件之元件特性的溫度。 ^者,申請專利範圍第13項之發明的主旨,在於申請 控9項之顯示用面板之製造方法中,其中該溫度 狀態下,執# < # ^ ^ π η基板的貼合面施加壓力的 卜執仃可變化供應該黏著劑的溫度。 冉者,申請專利範圍第〗4瑁夕旅^ 專利範圍第13項之顯示用面板之製:;旨使在於申請 基板係具有有機電激發光$# &裟以方法令,其中該顯示 有機電激發先70件而形成並當作該顯示用元件 313757.ptd °^^677 第10頁 587398 五、發明說明(7) 用;該可變之供應給該黏著劑的溫度,係設定在不影響及 當作有機電激發光元件的元件特性之溫度範圍内。 【發明實施態樣】 (第一實施態樣) 本發明的顯示用面板之製造方法,採用具備有該顯示 用元件為設有有機EL元件,所構成之顯示基板的顯示用面 板之製造方法為第一實施態樣,並利用第丨圖至第3圖說 明。另外,此第一實施態樣,基本上亦如之前第9圖與第 1 〇圖所示’將在玻璃基板上形成元件層的上述顯示基板, 利用封裝用玻璃進行封裝,並在該等封裝用玻璃與顯示基 板之貼合面上,依圍繞該顯示基板之顯示區域的態樣,預 先塗布黏著劑。然後,在將該等封裝用玻璃與顯示基板進 行貼合之後’將壓力施加於該等貼合面上,俾使二者間的 間隙達到目標值,並使上述黏著劑硬化。 第1圖所示係利用此第一實施態樣之製造方法,而製 造顯示用面板的裝置之構造例示意圖。 如第1圖所示,在顯示基板3之其中一構造的玻璃基板 1之其一^面上,利用薄膜形成程序形成由有機EL元件等所 構成的兀件層2。此外,在此亦為一次統籌製造複數顯示 用面板,、譬如前述第9圖所示,在一片玻璃基板丨上一次統 籌的形成複數元件層2,相關顯示基板3亦同時形成複數 個。然後’將上述玻璃基板1貼合於相對向於元件層2而所 配置之屬於封裝構件的封裝用玻璃4上。在此封裝用玻璃4 中 依燒者顯示基板3的型態,即順沿封裝上述元件層2
587398 五、發明說明(8) 的形狀而塗布黏 外線硬化性樹脂 所構成。此陽離 縮率較小,且水 元件等用途上。 示基板3的面上 2)之形狀與配置 4的挖掘部6係為 的吸濕劑等而所 上述各構件 用連接於外部的 所供排氣的氮氣 於環境中的水分 5 p p m以下者° 在上述處理 内部且經位置控 著。另外,在第 裝置之圖示。另 20底面上的石英 係根據利用處理 位標諸(未圖示) 朝其水平方向移 相對位置。帶此 置2 5,便將此支 著劑5 °此外,此黏著劑5係黏度較高的紫 ,譬如由陽離子系紫外線硬化性環氧樹脂 子系紫外線硬化性環氧樹脂具有硬化時收 分穿透性較低的特性,適用於封裝有機EL 另外,在封裝用玻璃4中,相對向於此顯 ,對應該顯示基板3(嚴格的說為其元件層 ,利用钱刻處理等而挖掘。此封裝用玻璃 塗布上供維持被封裝之顯示基板3特性用 設置者。 係配設於處理室2 0内。此處理室2 〇内部利 氣體導入口 21 a與氣體排放口 21b,而充滿 (D。此氮氣為使有機£^元件不致隨存在 而劣化之方式,而採用其含水率設定在 室20内,玻璃基板1係被設置於處理室2〇 制與加壓控制過的支撐構件7所真空吸附 1圖中’省略供真空吸附著此玻璃基板1的 外,封裝用玻璃4係配置於固定在處理室 玻璃11上。位置控制支撐構件7的裝置24 至2 0内所具備c C D照相機2 2所拍攝到的對 等的影像,使支撐構件7與玻璃基板1共同 動’而決定與相對向之封裝用玻璃4間的 定位完成之後,加壓控制支撐構件7的裝 樓構件7與玻璃基板1 一齊朝箭頭方向押向
313757 ptd 019079 第12頁 587398 五、發明說明(9) 於封裝用玻璃4上,俾對二者的貼合面施加壓力。另外 此加壓控制的裝置25,亦具有當在上述按壓之際,監視此 加壓壓力的機能,監視該壓力,並任意控制此加壓壓力。 此外’在第1圖所示製造裝置中,編號23係透過石英玻璃 1 1與封裝用玻璃4,藉由紫外線照射於由上述陽離子系紫 外線硬化性環氧樹脂所構成的黏著劑5,而使其硬化的紫 外線光源。 、 其次,針對採用此類裝置而製造EL顯示裝置之顯示用 面板的本實施例態樣之製造方法,進行詳細說明。 第2圖所示係利用加壓控制上述支撐構件7之裝置25的 壓力施加形態例之時間表。 在此第一實施態樣中,透過位置控制上述支撐構件7 的裝置24,而決定玻璃基板丄與封裝用玻璃4間的相對位置 之後,再依照第2圖所示的壓力施加形態,將壓力施加於 該等玻璃基板1與封裝用玻璃4間的貼合面上。 此壓力施加形態基本上係施行下述(丨)至(3)所示態樣 的壓力施加。 (1)依一定速度重複變化(增加)壓力的壓力變更期間 (第2圖所不期間ΤΙ、T3及T5),與將該等經變化(增加)過 的壓力維持為一定壓力的壓力維持期間(第2圖所示期間 T2、T4及T6),俾到達目標壓力與目標間隙。 (2 )上述各壓力保持期間τ 2、τ 4及T 6係設定為時間上 越後面的期間者屬於越長的期間。換句話說,該等期間 T2、T4及T6係成立以下關係。
3l3757.ptd 第13頁 019680 587398
T2 < T4 < Τ6 量) 壓力 P1、 δ 變 δ (3)最後的壓力變更期間Τ5中的壓力變化量(增加 Ρ5係設定為小於之前的壓力變更期間Ti a 化量(增加量)5P1與5P3。即,該蓉厥二 r w次寻愿:力變化晉Θ P3與5 P5係成立以下關係。 5 PI > (5 P5 5 P3 > (5 P5 依此利用對玻璃 既定形態的壓力,至 著劑5中的隔離子(參 目標值。此時的間隙 穿透,最好將此間隙 O-3/zm為佳。在之後 時間點16點亮上述紫 合面。此紫外線的照 濾波器,在上時期間 止0 基板1與封裝用坡璃4間的貼合面施 少在上述壓力保持期間T6内混入 照第10圖)將成為擋止,並使間隙 G值約5 // m。為抑制封裝部分的水分 G值設定為5 V m± 1 V m ,尤以5 // m± 的期間T7内亦持續施加此壓力,並於 外線光源2 3 ’使紫外線照射於上述貼 射’實際上通過未圖示的紅外線阻隔 Τ 7内進行照射’即直到時間點17為 另外’上述經塗布過黏著劑5之吐出口的截面形狀為 直徑約30 0//m的半圓狀,且玻璃基板1的尺寸為3〇〇mmx 40 0mm。當上述封裝後將其切斷而獲得9片至96片的顯示基 板3之情況時,在上述壓力保持期間T2、T4及T6内,施加 貼合面的壓力,如第2圖所示,分別為〇. 2kgw/cm2、 〇.4kgw/cm2及0.5kgw/cm2。此外,上述壓力施加形態的各 期間,由期間Τ1起至期間T 6為止,依序設定為5秒、5秒、
°19681 587398 五、發明說明(11) 1 0秒、1 0秒、5秒及1 5秒。換句話說,將壓力保持期間 T2、T4及T6的比’ 5又疋為1:2:3。此外,本發明者發現在 為將由黏著劑5所構成的封裝部分之間隙g與上述彌封線寬 度W (參照第1 0圖)設定為均勻,俾確保其封裝品質,最好 將上述各壓力值設定在± 20%以内的範圍内,尤以將該等 各值設定相對上述各期間在± 5 0 %以内的範圍内者為佳。 另外’相關紫外線照射期間Τ 7,譬如當紫外線照度約 1 OOmW/cm2的情況時,藉由將該等設定為6〇秒,便可確認 到黏著劑5可獲得充分硬化。 ^ 再者,為圖說明上的方便,相關上述各壓力將其施加 於平均lcm2的力,以重量kg所表示的值。換句話說利用 [kgw/cm2]表示,該等各值乘上常數98〇66 5,便轉換為依 據si單位系統之壓力單位的pascal[Pa]。譬如〇. 2kgw/cm2 轉換為 19.6kPa,0.4kgw/cm2 轉換為 39.2kPa,或 0· 5kgw/cm2轉換為 49. OkPa。 在此第一實施形態中,因為階段性的將壓力施加給玻 璃基板1與封裝用玻璃4之間,然後再使黏著劑5硬化,因 此在利用黏著劑5的玻璃基板1與封裝用玻璃4之封裝部 分’便可獲得更均勻的間隙G與彌封線寬度w。 在此僅供參考者,於上述封裝部分中,獲得如此的均 勻間隙G與彌封線寬度w之理由,參照第3圖進行說明。第3 圖所示係封裝部分中,黏著劑5利用玻璃基板1與封裝用玻 璃4而被擠押之狀況示意圖。如第3圖所示,在剛塗布後的 截面形狀呈略半圓狀的黏著劑5,在初期階段抵接上方玻
587398 五、發明說明(12) 璃面的接觸面積較小。因此施加於玻璃基板1的壓力即便 較小’亦可輕易的使此黏著劑5產生變形(參照第2圖之期 間T1) °但是’若隨按壓此封裝部分而使間隙g變小的話, 與上方的玻璃面之接觸面積將變大,而需要更大的壓力 (參照第2圖之期間τ 3、T 5 )。此外,黏度較高且具彈性的 黏著劑5,對上述所施加的壓力,具有一定時間遲滯而緩 慢的變形。所以’在增加所施加的壓力之後,利用將所增 加的壓力保持於既定期間内,黏著劑5便可確保對應此壓 力變化而變形的時間(參照第2圖之期間τ 2、T 4 )。然後, 因為增加次一階段的壓力,黏著劑5的形狀變化便將極為 圓滑’且自然的使間隙G與彌封線寬度w形成均勻。 再者’通常封裝空間内存在氣體,此將隨間隙G的縮 小而被加壓,並排放出於外部。而此現象,如之前第"圖 所例示,將構成引發起封裝不良(A)的主因。但是,當上 述情況時,通過壓力保持期間(第2圖的期間T2、T4及" Τ6 ),存在於其内部的氣體因為確保排放出外部的時間,
在封裝完成時封裝空間内部並未殘留被加壓的氣體。換句 話說,可適當的迴避上述封裝不良(Α)的發生等現象。、 另外,在第3圖中,塗布於封裝用玻璃4上的黏著劑$ 截面形狀,雖在剛塗布後便略呈半圓狀,但是盆形 即便除圓型等之外的其他形狀,基本上可謂相J 再者,單保封裝品質而言,除擁有上述壓力保持 期間之外,亦可緩慢的連續增加施加壓力並到饜、 力’此情況下,在顯示用面板的製造上,冑需要極長久的 313757.ptd f683 第16頁 587398 五、發明說明(13) 時間。 另外僅供參考’針對形成於當作上述有機EL顯示面板 用之顯不基板3上的元件層2構造例,說明如下。 第12圖所示係對顯示裝置之顯示單位(畫素)的各以元 件,針對附加屬於主動元件的薄膜便晶體(TFT)之主動矩 陣型EL顯示面板構造,放大其一個畫素週邊的平面圖。 EL顯示面板係利用EL元件藉由施加電場而發光之性質 的顯示裝置,在顯示基板上,縱橫矩陣狀的形成供驅動開 關用T F T的閘極信號線,與供顯示各畫素用的信號線。 如第12圖所示,在此EL顯示面板中,形成上述信號線 的閘極信號線5 1與汲極信號線5 2。對應該等的交叉部形成 構成畫素的有機EL元件60。另外,在此EL顯示面板中為實 現全彩顯示,而將發光色不同的三種有機EL元件6〇R,6〇G 及60B a又疋為一個重複早位而形成。將此三個形成一組, 並將發出任意顏色的全彩顯示裝置當作一個顯示單位。 在二信號線的交叉部附近,形成利用閘極信號線5 i而 執行切換的TFT70。TFT70若呈「導通(on)」時,汲極信號 線52的信號便將連接於源極71S,並施加於電容電極55 上。此電容電極55係連接於EL元件驅動用TFT80的閘極 81。此外,TFT80的源極83S則連接於有機EL元件60的陽極 61,没極83D則連接於構成將電流供應給有機EL元件6〇之 電流源的驅動電源線5 3。 再者’對應該等TFT70與80,形成平行於閘極信號線 51的保持電容電極線54。此保持電容電極線54係由鉻(Cr)
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成’形成透過絕緣膜而在與上述電容電極55之 第13圖所示係第12圖所示畫素週邊的截面圖。第 13(a)圖所示係沿D_D線之剖面圖。第i3(b)圖所示係沿ee 線之剖面圖。 的電容元件。此保持電容係為保持施加於 TFT80之閘極81上的電壓用而設置的。 如第13圖所示,上述有機EL顯示面板的顯示基板之元 件層,係在玻璃、合成樹脂、或導體或半導體基板等基板 90上,依序層積上TFT與有機EL元件60而形成。 首先,就控制電容電極55充電的TFT70之形成說明 之。 如第13(a)圖所示,在由石英玻璃、無鹼玻璃等所構 成的絕緣性基板9 0上,將雷射照射於非晶質矽膜,而形成 由多晶化的多晶梦膜所構成的主動層73。在此主動層73 中,設置所謂的LDD(Lightly Doped Drain)構造。換句話 說,在通道二側設置低濃度區域73LD,且在其外侧則形成 高濃度區域的源極73S與沒極73D。在其上方更形成閘絕緣 膜92、由Cr及鉬(Mo)等高熔點金屬所形成之構成閘極信號 線51其中一部份的閘極71。在此之同時形成保持電容電極 線54。接著,在閘絕緣膜92上整面設置依序層積氧化碎膜 (5102膜)及氮化矽膜(SiN膜)的層間絕緣膜95,在對應汲 極73D而所述設置的接觸窗内填充如鋁(A1)等金屬,同時 設置沒極信號線Μ與屬於其一部份之汲·極96。然後再於其 膜面上,設置譬如由有機樹脂所構成之將表面平坦化的平
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坦化絕緣膜9 7。 其次’就發光驅動有機EL元件60的TFT80之形成說 明。 如第13(b)圖所示,在由石英玻璃、無鹼玻璃等構成 的絕緣性基板90上,在形成之前的TFT70主動層73之同 時,形成由多晶矽膜所構成的主動層83。在此主動層83 中,於閘極81的下方真性或實質真性的通道83C,與對此 通道83C二侧施行p型雜質之離子摻雜的源極83S與汲極 83D,而構成p型通道TFT。在此主動層83上,設置閘絕緣 膜92、及由Cr、Mo等高熔點金屬所構成的閘極81。此閘極 81係如上述連接於TFT70的源極73S。然後,在閘絕緣膜92 與閘極81上的整面上,形成依序層積Si〇2膜、su膜及Si〇2 膜的層間絕緣膜95。在對應汲極83 D而所述設置的接觸窗 内填充如A 1等金屬,同時形成驅動電源線5 3。然後再於其 膜面上,設置譬如由有機樹脂所構成之將表面平坦化的平 坦化絕緣膜9 7。然後在此平坦化絕緣膜9 7上,形成供連接 於源極83S用的接觸窗,透過此接觸窗而在平坦化絕緣膜 97上形成連接於源極83S的透明電極61。此透明電極61係 屬於有機EL元件60的陽極,並使從其上所層積的有機£[元 件60所釋放出的光,穿透過至基板9〇端。此透明電極係採 用屬於銦與錫等氧化物的r IT〇」(InduiB1 Tin Oxide) 等0 有機EL元件60係在上述陽極61上層,依序層積發光元 件層66、與由A1所構成的陰極67而形成的。發光元件層66
313757.ptd 01S686 第19頁 587398 五、發明說明(17) 週邊則形成絕緣膜6 8 (虛線所示區域的外侧)。此乃為防止 隨陽極61厚度所造成梯度而引發發光層63切斷,且此所產 生陰極67與陽極61間之短路現象而設置的。 依此所形成之有機EL元件60的畫素,當利用上述 TFT7 0與TFT80而被驅動時,從陽極61所植入的電洞,與從 陰極6 7所植入的電子,便將在發光層6 6内部再結合而發 光。 另外,當構成有機EL元件60的各層係採用上述材料的 情況時,最好將在不致對各層造成特性劣化前提下,可施 加元件層2的溫度設定在9 0 °C以下。 如以上所說明,依照相關本第一實施態樣的顯示用面 板之製造方法的話,便獲得如下述的效果。 (1) 當將玻璃基板1與封裝用玻璃4,利用黏著劑5進行 貼合之際,將按壓於二者貼合面上之壓力的施加形態,設 定為壓力變更期間,與接著繼績所施行壓力保持期間的重 複形態。藉此便可追尋黏度較高之黏著劑5所被按壓的壓 力,而可確保適當的變形時間,甚至於可在更短的時間内 便將封裝部分的間隙G與彌封線寬度W形成均勻狀態。 (2) 再者,當上述貼合面加壓之際,可將存在於被封 裝之空間内的氣體被排放於外部的時間,確保在上述壓力 =時間β。因此’在封裝空間内部便不致殘留經加壓過 (3 )依此方式所獲得的間隙g與彌封線寬度w之均句 裝邓为,屬於信賴性較高者,可將顯示用面板長時間維持
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既定特性。 (4)再者’藉由上迷封裝 行,便可將殘留於上述封裝办3水率較低的氮環境中進 (第二實施態樣) 上間内的水分抑制最小極限。 其次,相關本發明 用同樣具有有機EL元件 之製造方法的第二實施 的部分為中心,使用第 在本第二實施態樣 述第一實施態樣中所示 示,確認到隨溫度的上 之潔淨室的標準溫度約 知屬於超過1 OOOOmPa · 正確的進行上述顯示基 而所構成的 態樣,以不 4圖至第6圖 中,亦採用 的相同黏著 升將急遽的 2 5°C,此時 秒的偏高值 板封裝時之 板之製 顯示基 同於上 進行說 如同上 劑。此 下降。 的黏著 。所以 一項阻 造方法,針對採 板之顯示用面板 述第一實施態樣 明。 述封襞時,在前 黏度如第4圖所 通常執行此封裝 劑由第4圖中得 此將造成迅速且 礙。 此處在第二實施態樣中,將此封装在上述氮氣的適當 溫度控制下進行。此設定溫度係若設定過高時,不僅將^ 致形成於上述顯示基板3上之有機EL元件的特性劣化,亦 將造成上述黏著劑5黏度過低而從貼合面流出的顧處。因 此在為將顯示基板3依所需態樣進行封装,考慮與上述所 施加壓力間的關係,最好將處理室2 0内的溫度,即將氣氣 溫度設定於適當的溫度範圍内。 第5圖所示係利用相關此類第二實施態樣之製造方 法,而製造顯示用面板之裝置的構造例示意圖。 如第5圖所示,在第二實施態樣中,於執行顯示基板3
019688 587398 五、發明說明(19) 的封裝時,將充滿處理室2 0内的氮氣溫度,利用溫度調節 器2 4可再進一步進行控制,藉此亦可一併控制黏著劑5的 溫度。 第6圖所示係將充滿上述處理室2 0内部的氮氣溫度設 定在35 °C,於處理室20内部中包含黏著劑5在内的各構件 到達相同溫度之後,將玻璃基板1貼合於封裝用玻璃4上 時,對貼合面所施加壓力的施加形態例。另外,此氮氣溫 度係根據使用於貼合面之按壓的黏著劑5黏度而所決定 者0
如第6圖所示,在本第二實施態樣中,對上述貼合面 的壓力施加形態,對應上述(丨)至(3 )分別如下述。 (1 )依一定速度重複變化(增加)壓力的壓 Γ第5圖所示期間ΤΓ、T3,乃τς,、 ^ Λ Γ1 過的壓力維持為-定壓力的壓力持:1等經5::增加) Τ2’、Τ4,及T6,)’俾到達目標壓第5圖所不期間 (2’)上述各壓力保持期間T2,、 示’、 部相等。換句話說,該等=ττ,、Τ4’及Τ6’係設定為全 〆 寻期間Τ2 、Τ4,及Τ6,係成立以下 關係。 Τ2, =Τ4’ =Τ6,
(3,)最後的壓力變更期„ TR,^ 量)δΡ5,係設定為小於之^ = ^5六中的壓力變化量(增加 各壓力變化量(增加量)d Ρ1,與5 更期間T1與Τ3’内之 …,、…係成r;v:,該等壓力變化 (5 ΡΓ > 5 P5J r 關係。
587398 五、發明說明(20) δ P3, > δ P5’ 依此利用對玻璃基板i與封裝用玻螭 既定形態的壓力,至少在上述壓力 的貼
黏著劑5中的隔離子(參照第10圖)將成為擋止6 =使間隙G =標\ = ”6值如同第一實施態樣所示之值, 約5”。然後即便在之後的期㈣,中,亦持續此壓力的 施加,在時間點t6點亮上述紫外線光源23 線 照射上述貼合面。此紫外線的照射,亦如上述第一實施態 樣中:說明般’實際上通過未圖示的紅外, 在上時期間T7’内進行照射,即直到時間點七?,為^。 古产,上述,塗布過黏著劑5之吐出口的截面形狀為 直,約300 "ffl的半圓狀,且玻璃基板丨的尺寸為3〇〇_ 40㈣二當上述封裝後將其切斷而獲得9片至96片的顯示基 板3之情況時,在上述壓力保持期間Τ2,、τ4,及内施 加貼合面的壓力,如第6圖所示,分別為〇 2kgw/cni2、
313757.ptd 第24頁 〇.4kgW/cin2及〇.5kgw/cm2。該等壓力的各設定值之所以設 定為等於上述第一實施態樣所示的值之原因乃為使間隙 G更實到達目標值的緣故所致。此外,上述壓力施加形 態的各期間,由期間ΤΓ起至期間T6,為止,依序設定為5 秒、5秒、10秒、10秒、5秒及15秒。換句話說將壓力保 持期間T2’、T4,及T6,的比,設定為1:2:3。此外,即便此 情=下,本發明者亦發現在為將由黏著劑5所構成的封裝 部分之間隙G與上述彌封線寬度W(參照第1〇圖)設定為均 勻,俾確保其封裝品質,最好將上述各壓力值設定在土 °^69〇 587398 五、發明說明(21) " ' 2 0 %以内的範圍内,尤以將該等各值設定相對上述各期間 在± 50%以内的範圍内者為佳。另外,相關紫外線照射期 間T77,亦如同上述第一實施態樣,當紫外線照度約 100mW/Cm2的情況時,藉由將該等設定為6〇秒,便可確蜮 到黏著劑5可獲得充分硬化。該等亦如同上述第一實施: 樣中所說明般。 ~ 另外,上述壓力亦可利用第一實施態樣中所說明的方 法,轉換為屬於SI單位系统之壓力單位的pascal [Pa]。 、此外,即便在第二實施態樣中,亦可在顯示基板上形 成如同上述第一實施態樣所說明之構造的有機阢元件層, 藉此便可構成有機EL顯示面板。 、如以上所說明’依照第二實施態樣的顯示用面板之製 把方法的話,除依照上述第一實施態樣所獲得的效果之 外’尚可獲得下述的效果。 (5)當利用黏著劑5將顯示用面板之顯示基板3,封裝 於封,用玻璃4上之時,因為透過溫度控制可適當的控制 該黏著劑5的黏度’因此便不需要將上述壓力保持期間的 關係,維持 T2, < T4, < T6, 的關係。故,便可在更短於上述第一實施態樣的短時間 内’完成上述顯示基板3的封裝。 ,(6 )利用將上述所控制的溫度設定在3 5 °C,便不致導 致形成於顯示基板3上之有機EL元件的特性劣化。 (其他實施態樣)
587398 五、發明說明(22) 另外,上述各實施態樣亦可實施如下的變更。 •,在^述各實施形態中,雖將最後的壓力保持期間 6,T6 ,又疋為玻璃基板1與封裝用玻璃4的貼合面間之間隙
G ,到達既定值(目標值)為止的時間,但未必僅限於此。 譬如亦可更具備監視間隙G的摘測器等,並根據來自該等 偵測器等的間隙G回饋值,開始黏著劑5的硬化處理。藉此 因為在間隙G達到目標值之後,便可馬上使黏著劑5硬化, 因此便可更進-步縮短上述封裝所耗時間。甚至於使黏著 劑5的硬化處理,未必在間隙G到達目標值後才開始實施, 亦可在硬化處理中便設定為預估間隙6可到達目標值。
•在上述各實施態樣中,雖針對施加於玻璃基板1與 封裝用玻璃4之貼合面上的壓力之施加形態,分別例示一 例,但是未必僅限於該等形態。譬如在第一實施態樣中, 將上述壓力保持期間設定為相等,反之在第二實施態樣 中,亦可將壓力保持期間獨立設定為丨:2 : 3,或亦可將上 述壓力變更期間與壓力保持期間重複2次,或重複$次以上 等的壓力施加形態。此外,針對在最後的壓力變更期間内 之壓力變化量(增加量)’亦未必之前的壓力變更期間内的 壓力變化量(增加量)屬於較小者。此外,上述壓力變更期 間中的壓力變化速度亦未必要設成一定。換句話說,壓力 變更期間的至少其中一期間,亦可積極的變化其壓力變化 速度。再者’在上述施加壓力到達目標值之際,未必需要 單調的增加該壓力,依情況所需,亦存在有減少該壓力的 期間。亦即說,僅要根據階段性施加按壓玻璃基板1與封
587398 五、發明說明(23) 裝用玻璃4間之貼合面的壓力,而可均勻且穩定的獲得該 玻璃基板1與封裝用玻璃4間之間隙G及彌封線寬度w的話便 〇 •上述各實施態樣中,例欲設置壓力保持期間,便可 跟隨間隙G的按壓壓力而確保變形的期間,但是未必僅限 於此。在黏著劑5變形的期間内,亦可停止玻璃基板 撐構件7)的移動。 •在上述各實施態樣中,使用於玻璃基板1與封裝用 玻璃4之貼合上的黏著劑5,雖為紫外線硬化性樹脂,但是 未必僅限於此。黏著劑5亦可為如熱硬化性樹脂,亦可為 利用其他手段而硬化的黏著劑。僅要確實的貼合於上述貼 口面並了確實的封裝顯示基板3的話便可,可為任何黏著 劑。 ^ •在上述各實施態樣中,雖例示充滿處理室2 0内部的 氣體,採用氮氣之情況,但是未必僅限於此。僅要含水率 較低且對顯示基板3不致造成不良影響的非活性氣體的 話’任何氣體均可使用為當作取代氮氣的氣體。 :在上述各實施態樣中,雖例示封裝形成有機EL元件 之颁示基板3的情況,但是未必僅限於此。發光用元件亦 了為开/成無機E L元件的顯示基板,此外譬如亦可為液晶顯 不基板或電漿顯示基板,其封裝均可採用本發明的方式。 由構成顯示用元件形成面的基板材質’如上述各實施 ^樣中所例示的玻璃基板丨,並非僅限於玻璃,嬖 可穿透紫外線等的適當透明樹脂基板》 ° 了為
587398 五、發明說明(24) ' •在上述各實施態樣中,封裝顯示基板3的封裝構 件’雖針對採用封裝用玻璃4的情況為例示,但是未必僅 限於此。譬如亦可利用金屬盒體(金屬罐)等封裳顯示芙板 3 °即便此情況下,僅要適當的選擇符合該等封裝構件ι的 點著劑的話便可。 、 •在上述各實施態樣中,雖例示形成顯示基板3的元 件層2構造’但是未必僅限於此,亦可利用任何構造形成 元件層。 •在上述第二實施態樣中,雖利用將執行上述封裝的 溫度設定在35X:的情況,但是未必僅限於此。執行上述封 褒的溫度僅要不致對形成於顯示基板3上的有機叽元件造 成特性劣化,且黏著劑5可形成適度黏度的2 7 °c至5 5 °C範 圍内的話便可,此外最好設定在29度C至40 °C的範圍内。 再者,為使封裝部分可獲得均勻且穩定的間隙G及彌封線 ^,W,以及為縮短完成封裝的時間,上述設定溫度最好 叹定在32至38C範圍内。另外,當採用上述第一實施態樣 所例示的物質,而構成第二實施態樣的有機虬元件6〇之情 况時’在不造成該等各層的特性劣化之前提下,可設定的 上述封裝溫度最好在95 °C以下。 •在上述第二實施態樣中,為降低黏著劑5黏度的溫 ,控制,雖例不藉由控制充滿處理室2 〇内的氮氣溫度而進 行之例子,但是未必僅限於此。譬如亦可如第7圖與第8圖 =示般,利用加熱器或紅外線等而局部加熱黏著劑5。藉 此便可將隨加熱有機EL元件的特性劣化壓抑至最小極限。
587398 五、發明說明(25) 附帶的在第7圖的例子中,在封裝用玻璃4上於塗布著黏著 劑5之部位下方的石英玻璃11 a内埋設加熱器2 7。此情況 下,埋設於石英玻璃11a内部者,亦可取代上述加熱器 2 7,而改用加熱管等其他熱源。此外,在第8圖之例子 中,從紅外線光源2 8照射出的紅外線,通過紅外線照射罩 幕2 9而僅照射於黏著劑5。依此製造方法的話,因為不論 何者均可局部加熱黏著劑5,因此可將有機E L元件的溫度 上升,抑制到最小極限,而確保有機EL顯示裝置的品質, 並可縮短此顯示用面板的製造時間。 •再者,在上述第二實施態樣中,雖例示將執行上述 封裝的溫度控制到一定值的情況,但是未必僅限於此種控 制方法。即便積極的變化此溫度,俾使封裝中所採用黏^ 劑5的黏度形成適合於此封裝所需的狀況,亦可得如同上 述第二實施態樣中所獲得效果相同的效果。依照此 話,最好譬如在不影響及EL元件等顯示用元件特性的 下進行控制溫度。 【發明之效果】 依照申請專利範圍第1項的顯示用面板之製 :配合該施加壓力的階段性變化,塗布於上述間’ J黏著劑形狀亦將階段性的變化。藉A,存在於 f構件與顯示基板所封裝的内部空間内之氣體,便2 排放出的期間,即便止述黏著劑屬於黏度較古更確保被 :的施加上述壓力。所w ’上述間隙距離、;:於::滑 迷貼合面的黏著劑抵接寬度均可均勾的形<,而;以
587398 五、發明說明(26) 執行確實具高可 再者,依照 方法,因為階段 叉重複執行使壓 持一定壓力的壓 劑滑順的跟隨變 示基板的封裝。 再者,依照 方法,因為相互 逃所施加壓力的 便可利用適 向的壓力施加形 再者,依照 方法,因為上述 又’因此可設定 用的黏著劑,便 再者,依照 方法,因為最後 t墨力變更期間 著劑的形狀變化 襟值之時,其間 再者,依照 方法,因為在上 其壓力變化速度 申請專 獨立設 增加, 合於黏 態。 申請專 壓力變 具更高 可更確 申請專 的壓力 内的壓 量。所 隙便形 申請專 述壓力 ^因此 利範圍 定上述 上述黏 者材料 利範圍 更期間 自由度 實的施 利範圍 變更期 力變化 以,當 成穩定 利範圍 變更期 可設定 靠性之顯不基板的封裝。 申請專利範圍第2項之_ Μ:从總儿> $之顯示用面板之製造 ^ ^ 逆貼合面上的壓力,交 力變化的壓力變更期門 .^ , ea笑文肩間,與接著將壓力保 力保持期間’因此隨貼合面的加壓,黏著 形。藉此便可更迅速且確實的執行上述顯 第3項之顯示用面板之製造 各壓力保持期間,因此隨上 著劑追隨變形的期間將變長 變形的形態,設定自由度較 第4項之顯示用面板之製造 的壓力變化量’分別獨立設 的壓力施加形態,對應所採 加壓力。 第5項之顯示用面板之製造 間内之壓力變化量,小於其 量,因此對應此亦可減小黏 施加於貼合面的壓力到達目 的極接近目標值的值。 第6項之顯示用面板之製造 間之至少一期間中,可變化 亦由度更高的壓力施加形
313757 第30頁 587398 五、發明說明(27) 態,且對應所採用的黏著劑可更確實的施加壓力。 再者,依照申請專利範圍第7項之顯示用面板之製造 方法,藉由交叉重複三次執行上述壓力變更期間與壓力保 持期間,藉由對貼合面的簡單壓力施加形態,便可迅速的 使對上述貼合面的施加壓力迅速到達目標值。 再者,依照申請專利範 法,因為上述黏著劑係利用 化,因此毋須加熱上述顯示 情況下便可進行封裝。因此 的顯示用元件所構成,或者 之特性的顯示元件所構成的 的情況下適當的進行封裝。 再者,依照申請專利範 方法,除對貼合面施加壓力 此時的黏著劑溫度。因此, 的黏著劑,藉由適當的控制 之時,便可將該黏著劑在適 此便可在更短時間内執行上 再者,依照申請專利範 方法,因為至少在對上述貼 黏著劑加熱至既定溫度,因 顯示基板的封裝。 再者,依照申請專利範 方法,因為將上述黏著劑的 圍第8項顯示用面板之製造方 紫外線照射的離子聚合而硬 基板’此外亦不致產生水分的 即便顯示基板由具耐熱性較低 即便由具有隨水分將促進劣化 話’將可在不致使其產生劣化 圍第9項之顯不用面板之製造 的施加形態之外,亦合併調整 隨溫度而使黏度產生較大變化 其溫度’在封裝上述顯示基板 當黏度的情況下進行塗布。藉 述顯示基板的封裝。 圍第10項之顯示用面板之製造 合面施加壓力之前,便將上述 此可在更加短時間内執行上述 圍第11項之顯示用面板之製造 溫度控制在既定的溫度,再對
587398 五、發明說明(28) 上述貼合面施加 示基板的封裝。 再者,依照 方法’上述顯示 溫度設定在不影 即便利用耐熱性 上;述顯示基板的 再者,依照 方法,因為對應 述黏著劑的溫度 執行更高自由度 再者,依照 方法’即顯示用 溫度將設定在不 熱性較低之ELS 基板的封裝變成 壓力, 中請專 用元件 響及該 較低之 封裝變 申請專 上述貼 5因此 的溫度 申請專 元件具 影響及 件的顯 南溫的 因此可更迅速且阓 的執行上述顯 利範圍第1 2項之龜〜 係形成具有EL元件7^用面板之製造 EL元件的元件特姓,並將上述既定 EL元件的顯示用=溫度。因此, 為高溫而可適當的Ϊ,亦可不致使 w執行。 利範圍第13項之顧—τ 觸不用面板之製造 合面的壓力施加形態,而可變1上 採用上述封裝的黏著劑,便可 控制。 利範圍第14項之顯示用面板之製造 有ELtg件而形成,且上述黏著劑的 元件特性的溫度。因此即便利用耐 不用面板’亦可在不致使上述顯示 情況下,便可適當的執行。 ❿
Π 1 〇 γ* λ
Claims (1)
- 587398 1_案號91112314_P年,> 月J曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 . 一種顯示用面板之製造方法,係將形成於顯示區域上 之顯示用元件的顯示基板元件面,及相對向於該元件 面而配置的封裝構件,依圍繞該顯示區域的態樣,透 過所塗布的黏著劑而貼合之後,施加壓力於該貼合面 上,同時使該黏著劑硬化的顯示用面板之製造方法; 其中 使施加於該封裝構件與表面基板之貼合面上的壓 力重複複數次進行連續變化該施加壓力之壓力變更期 間與將此經增大過的壓力保持一定之壓力保持期間之 方式階段性的變化,直到該等封裝構件與顯示基板間 的間隙到達抑制水分穿透之值為止。 2 .如申請專利範圍第1項之顯示用面板之製造方法,其中 該各壓力保持期間係相互獨立設定。 3. 如申請專利範圍第1項之顯示用面板之製造方法,其中 該壓力變更期間的壓力變化量,係依該等每個壓力變 更期間而獨立設定。 4. 如申請專利範圍第3項之顯示用面板之製造方法,其中 該各壓力變更期間的壓力變化量中,將在最後的壓力 變更期間之壓力變化量,設定為小於其他壓力變更期 間内的壓力變化量。 5. 如申請專利範圍第1項之顯示用面板之製造方法,其中 該壓力變更期間之至少其中一期間内,其壓力變化速 度可變化。 6. 如申請專利範圍第1項之顯示用面板之製造方法,其中313757.ptc 第36頁 2003.12. 03. 036 修正一 六、申請專利範圍 ___ 施加於該封裝m 段變化,係^別各1、顯示基板之貼合面上的壓力之階 壓力保持期間。二次重複實施該壓力變更期間與該 7 ·如申请專利範圍隹 造方法,其中誃 6項中任一項之顯示用面板之製 線硬化性環氧=和者劑係隨陽離子聚合而硬化的紫外 的硬化。 曰’利用紫外線照射而執行該黏著劑 8. 如申請專利範圍第_ 併使用對該黏著劑的溫产属不用面板之製造方法,係& 3 ·如申請專利範圍繁现又上制0 該溫度控制係至少、之顯示用面板之製造方法,其中 面施加壓力之前,在=戎封裝構件與顯示基板的貼合 的處理。 1 ,便施行將該黏著劑加熱至既定溫度 1 0 ·如申請專利範圍第- 該溫度控制係將該點菩之:不用面板之製造方法,其/ 該封裝構件與顯:至既定溫度,並執行對 如申請專利範圍第9項之的:_δ面施加壓力。 顯示基板係具有有機項電之數顯二用面板之製造方法,其中 示用元件用;該既定ί =光元件而形成並當作該顯 激發光元件之元件特=ς溫二,為不影響到該有機電 1 2 ·如申請專利範圍第一又 該溫度控制係對應對1封、、、不用面板之製造方法,其中 施加壓力的狀態τ 二裝構件與顯示基板的貼合面 度。 執仃可變化供應該黏著劑的溫 313757.ptc 第37頁 2003.12. 03. 037 587398 _案號91112314 卢年月3日 修正_ 六、申請專利範圍 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之顯示用面板之製造方法,其 中該顯示基板係具有有機電激發光元件而形成並當作 該顯示用元件用;該可變之供應給該黏著劑的溫度, 係設定在不影響及當作有機電激發光元件的元件特性 之溫度範圍内。 1 4. 一種顯示用面板之製造方法,係將形成於顯示區域上 之顯示用元件的顯示基板元件面,及相對向於該元件 面而配置的封裝構件,依圍繞該顯示區域的態樣,透 過所塗布的黏著劑而貼合之後,施加壓力於該貼合面 上,同時使該黏著劑硬化的顯示用面板之製造方法; 其中 使施加於該封裝構件與表面基板之貼合面上的壓 力連續的變化直到該等封裝構件與顯示基板間的間隙 到抑制水分穿透之值為止。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之顯示用面板之製造方法,其 中該黏著劑係隨陽離子聚合而硬化的紫外線硬化性環 氧樹脂,利用紫外線照射而執行該黏著劑的硬化。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之顯示用面板之製造方法,係 合併使用對該黏著劑的溫度控制。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之顯示用面板之製造方法,其 中該溫度控制係至少在對該封裝構件與顯示基板的貼 合面施加壓力之前,便施行將該黏著劑加熱至既定溫 度的處理。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之顯示用面板之製造方法,其313757.ptc 第38頁 2003. 12.03.038 587398 _案號91112314 A年β月j 日 修正_ 六、申請專利範圍 中該溫度控制係將該黏著劑加熱至既定溫度,並執行 對該封裝構件與顯示基板的貼合面施加壓力。 1 9 .如申請專利範圍第1 7或1 8項之顯示用面板之製造方 法,其中顯示基板係具有有機電激發光元件而形成並 當作該顯示用元件用;該既定溫度係設定為不影響到 該有機電激發光元件之元件特性的溫度。 2 0 .如申請專利範圍第1 6項之顯示用面板之製造方法,其 中該溫度控制係對應對該封裝構件與顯示基板的貼合 面施加壓力的狀態下,執行可變化供應該黏著劑的溫 度。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之顯示用面板之製造方法,其 中該顯示基板係具有有機電激發光元件而形成並當作 該顯示用元件用;該可變之供應給該黏著劑的溫度, 係設定在不影響及當作有機電激發光元件的元件特性 之溫度範圍内。313757.ptc 第39頁 2003.12. 03. 039
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001198925A JP4894987B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 表示用パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW587398B true TW587398B (en) | 2004-05-11 |
Family
ID=19036282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091112314A TW587398B (en) | 2001-06-29 | 2002-06-07 | Method for making a display panel |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7135086B2 (zh) |
JP (1) | JP4894987B2 (zh) |
KR (1) | KR100510003B1 (zh) |
CN (1) | CN1184520C (zh) |
TW (1) | TW587398B (zh) |
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-
2002
- 2002-06-07 TW TW091112314A patent/TW587398B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-27 US US10/183,785 patent/US7135086B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-28 KR KR10-2002-0036802A patent/KR100510003B1/ko active IP Right Grant
- 2002-06-28 CN CNB021251614A patent/CN1184520C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100510003B1 (ko) | 2005-08-26 |
CN1395133A (zh) | 2003-02-05 |
JP4894987B2 (ja) | 2012-03-14 |
KR20030003076A (ko) | 2003-01-09 |
CN1184520C (zh) | 2005-01-12 |
US7135086B2 (en) | 2006-11-14 |
JP2003015538A (ja) | 2003-01-17 |
US20030006003A1 (en) | 2003-01-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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