五、發明説明（1 ) [技術領域] 本發明係有關於-種各種電子機器上所使用之電容器 中尤其是使用有閥金屬之固體電解電容器用之陽極構件、 使用该構件之固體電解電容器及其製造方法。 [習知背景] / 一般殷望電源電路之2次側及個人電腦之CPU周邊所 使用之電解電容器為小型且大電容，進—步要求可對應高 頻率之低ESR(等效串聯電阻）化者。 第1圖係一顯示該型態之習知固體 極構件之透視圖。在該圖中，= 線、2為將组、鈮等閥金屬粉末成形為特定形狀且埋設有 上述引線1之陽極構件。如此結構即稱為片狀（pe㈣結 構，為一般常用者。 又，上述陽極構件2係將埋設有引線i之閥金屬粉末成 形為特疋形狀後施行燒結’再進-步進行陽極氧化 而於外 表面形成介電體氧化皮膜（未圖示）’接著在該介電體氧化 皮膜上依序形成固體電解質層（未圖示）、陰極層（未圖示） 而製得者。 然後對依上述程序製得之陽極構件2之引線丨連接外部 接續用之陽極端子（未圖示），並於上述陰極層連接外部接 續用之陰極端子（未圖示）後，利用環氧系樹脂進行模製成 形，以製得一被覆著陽極構件2之固體電解電容器。 又，最近為了進行低ESR化，而開發出一固體電解電 容器，其固體f解質是用#電率較習知之二氧化猛相差甚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-4 583698 A7 B7 五、發明説明（2 ) 巨之高導電性分子作為固體電解質，且已附諸於實用化。 惟’對於上述習知之固體電解電容器用之陽極構件與使 用該構件之固體電解電容器尚有一難成小型且大電容化之 課題。 具體而言，致力將如此之習知固體電解電容器小型大電 容化之其一為揭示於曰本專利公開公報特開2〇〇〇_3〇6782 號之習知技術。帛2圖係根據該習知技術之單層固體電解 質電容器之部分剖面立體圖。如第2圖所示，#出一固體 電解電容器，其係以由閥金屬箱構成之陽極體3、形成於 該陽極體3且以高CV之閥作用金屬粉末製並具有細孔之 燒結體所構成之薄片狀陽極層4、形成於該薄片狀陽極層4 上之固體電解質層5及陰極層6所構造成者。上述陽極體 與上述陽極層係經陽極氧化，並於各表面及上述陽極層内 之各細孔内壁面形成有介電體氧化皮膜。惟，朝上述陽極 體3之閥金屬箱之表面上易偏析出有η、驗金屬、驗 土類金屬等摻雜物。這是易於 一 匆、Ik治時之壓延時或熱處理 之當中衍生者。進而，該闕今屬铉 岡五屬治之表面積係與為片狀結 構時，用之0.25mm 口徑之引線的表面積相比相差極大。 因第2圖之結構比較容易受到金屬落組成中摻雜物的 影響，結果使得漏電流增加。即， 汁 I險極體3係使用閥金屬 '泊，因此使於藉陽極氧化所形成之介電體氧化皮膜上形成 陷，是故有所謂固體電解電容器之漏電流增加之課 [發明之揭示] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】〇χ297公着）
、一=0. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5. 3 ) 五、發明説明 本發明之目的係於楹 構件、使用… 種固體電解電容器用之陽極 解決上固體電解電容器及其製造方法，以期 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 大電容化二:二:且使用高⑺粉末，以謀求小型、 属電流極低，實現低ESR化者。 本發明之固體電解電容器用之 純度達99%以上之閥 +係…有.- 陽極體上且為閥金朴體 形成於前述 外 屬叔末燒結體製之陽極層。藉使龆厶Μ 箱中所含之摻雜物量抑制於1 s #使閥金屬 化形成之介電體氧化皮❹Γ 可減少以陽極氧 θ. 皮膜中之摻雜物即皮膜之缺陷，妹果 具有可減少固體電解電容器之漏電流之作用效果。、’ -、?τ— : 迷陽極體之表面形成有凹凸者為佳。藉此，可將偏析 盥金屬箱表面之摻雜物量減少，增加間金屬箱之陽極體 /、間金屬粉末燒結體製之電極層間之金屬接面性，結果且 有可減少固冑電解電容器漏電流之作用效果。 進而月'j述閥金屬箔係使用鈕或鈮，而前述閥金屬粉末 燒結體則使用純度達99%以上之叙或鈮者為佳。藉此，使 閥金屬粉末燒結體中所含之摻雜物量抑躲1%以下，使 得形成度良好’可將介電體氧化皮膜之組成與厚度均句形 j可減少彳電體氧化皮膜之缺陷，'结果減少固體電解電 容器之漏電流，具有可謀求大電容化之作用效果。 本發明之固體電解電容器係具有以下構造，即依序層積 有·純度達99%以上之閥金屬箔製之陽極體；一閥金屬 粉末燒結體製之陽極層；一固體電解質層；及，一陰極層； 且前述陽極層及前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層。藉 -6- 五、發明説明（4) 用 此，具有可穩定獲得一漏電流低之固體電解電容器的 效果。 、、進而，前述固體電解質層係構造成具有導電性高分子材 料者為佳。藉此，可使固體電解質層之導電率大大提高， 具·有可將ESR減低化之作用效果。 本發明之固體電解電容器，係具有層積2個以上固體電 解電容器元件者’該固體電解電容器元件係依序層積有： -純度達99〇/〇以上之閥金屬箔製之陽極體；一閥金屬粉末 燒結體製之陽極層；一固體電解質層；及，一陰極層；且 前述陽極層及前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層曰。藉 此’具有可提供一為低ESR且大電容之固體電解電容器之 作用效果。 本發明之固體電解電容器用之陽極構件之製造方法，該 方法具有以下步驟，即：對純度達99%以上之閥金屬箱製 之陽極體施行姓刻處理或喷砂處理，以於該陽極體之表面 形成凹凸狀態；及，於該陽極體上形成閥金屬粉末燒結體 製之陽極層。藉該方法，具有可容易獲得漏電流低之固體 電解電容器之作用效果。 [發明之實施形態] 以下，用圖式說明本發明之實施形態，並利用實施例進 一步說明，但本發明並不只限定於其等說明之内容者。 第3圖係使用+發明之陽極構件製得之本發明單層固 體電解質電容器之部分剖面立體圖。帛3圖中編號7為陽 極體，是以純度達99%以上之閥金屬之鈕或銳之箱製造 583698 A7 五、發明説明（5 ) -------------Φ裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _、tr— 者。陽極體之厚度係按用途而可做變更，但通常為2〇〜7〇 左右之厚度。將為高cv值之閥金屬之鈕或鈮之粉末 糊塗佈於陽極體7之表裏兩面，俟加壓成形為預定尺法及 厚度後’再將該成形體在真空下進行燒結，以於陽極體7 上形成閥金屬粉末燒結體製之陽極體8。陽極體7之閥金 屬箱與陽極層8之燒結體係於其間交界處做金屬接合。 又’ ％極層8内部具有多數細孔。陽極層8之厚度亦可按 用途而做改變，通常為5〇〜15〇 # m左右之厚度。以該陽極 體7與陽極層8構建成陽極構件。該陽極構件係於施加預 疋形成電壓後陽極氧化，最後在陽極層8之表面上及内部 細孔内壁面上與陽極體7之表面上的一部分，即，與陽極 層之金屬接合部外之表面上形成介電體氧化皮膜，該皮膜 係用以載負供固體電解電容器用之電容之主要要素。該介 電體氧化皮膜之厚度係與形成電壓成比例，諸如以2〇v形 成時則為數百A之厚度。 前述陽極體採用純度達99%以上之鈕或鈮製之閥金屬 泊疋本务明最大特點所在。也就是說，是根據本發明人所 見者’在純度達99%以上之領域下可將最終階段之固體電 解電谷器之漏電流到極小化者，且於該領域下，純度的不 勻帶給漏電流差異之影響也是最小者。純度較99%還低 時，就很難將最終階段之固體電解質電容器之漏電流減 少。又同時，閥金屬箔之純度不均對漏電流誤差的影響亦 隨之增加。這可想而知是因為介電體氧化皮膜厚度與組成 變得不均勻，而使介電體氧化皮膜中之缺陷增多所致者。
583698 五、發明説明（6 ) 之：置於：極體f面設有凹凸者為佳。這是因為業經凹凸 桎體表面之\ 極體之表面進行經由化學或機械研磨陽 極體录面之粗雜面虛拂， 訂 線 可減父偏析於陽極體閥金屬箔 2::上之摻雜物。又’經由凹凸的設置，增加表面的接 :，因此提升閥金屬箱與閥金屬燒結體間之金屬接面 性，藉此提高閥金屬落與閥金屬燒結體間的機械強度，社 果可抑制陽極構件的機械破損。藉使閥金屬fi表面之捧雜 物減少及陽極構件的機械破損之抑制，可降低最终階段之 固體電解電容器之漏電流。該凹凸之程度即凹凸之底部盥 頂部之平均距離以〇.5#m〜1〇#m範圍内者為佳。這是因 為低於0.5鋒時將使設置凹凸之效果減少外，高於i〇"m 時則使箱強度降低者所致。用以設置該凹凸之方法係以對 閥金屬箱製之陽極體施以噴砂處理或將之置於驗性或含酸 之蚀刻溶液中進行敍刻處理之方法較適當。惟，麵在化學 上極為穩定，鈮按此亦為穩定，因此在酸或鹼中必須選擇 蝕刻溶液的種類。最為恰當的蝕刻溶液為含氟之酸。 進而，前述陽極構件之前述閥金屬粉末燒結體係 度達99%以上之组或銳者為佳。這是為使可減少最終階段 之固體電解電容器之漏電流，以求大電容化而致者。這是 因為將閥金屬粉末燒結體中所含之掺雜物抑制於1〇/。以下 者’可提高陽極構件的形成度，且提高介電體氧化皮膜之 介電率所致者。該純度小於99%時，將使最終階段之固體 電解電容器之漏電流過大。 第3圖之編號9為固體電解質層。如上述製得之形成有 -9- 583698 A7 —----------B7_ 五、發明説明（7 ) "—' ----— 2電體氧化皮膜之陽極構件之陽極層8上被覆有固體電解 =二：必要處理後形成固體電解質層9。固體電解 》材枓亦可使用諸如：氧㈣般通常材料，但以且有高導 ”之導電性高分子材料由減少最終階段之固體電解電容 二ESR之觀點而言較佳。如此之導電性高分子材料係以 等車乂 k田。上述之導電性高分子材料係以聚吼略、聚嘆吩 或聚苯胺等為佳。 第3圖之編號10為形成於固體電解質層9上之阶極 層。在固體電解質層9上形成碳層，且於其上面塗佈銀糊 後’俟其硬化以形成銀電極層者是代表性的陰極層形成方 法。編號11係指單層的固體電解電容器，其係依序積層有 純度達99%以上之閥金屬箱製之陽極體7、閥金屬粉：燒 結體製之陽極層8、固體電解質層9及陰極層1();且前述 陽極體7與前述陽極層8各形成有介電體氧化皮膜。 其次一邊參考第4圖一邊說明據本發明之積層型之固 體電解電容器之一形態。第4圖係一剖面圖，顯示層積有 按本發明之使用有陽極體之固體電解電容器元件而成之積 層型固體電解質電容器之一形態。 編號41為固體電解電容器元件41，實質上具有與上面 說明過的單層m體電解電容器同—之結構。體電解電 容器41係於第4圖中層積有12個以構建成一電容器元件 S。各個固體電解電容器元件41的最外面為陰極層之碳 層，個別與使銀糊硬化後形成之銀極層42而做電接。因 此’亦可將該銀極層42成為固體電解電容器元件4〗之陰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】0X297公釐）
583698 五 、發明説明（8 ) 器^一，分。該銀極層在第4圖雖未圖示，亦存在電容 相：呈之側面成覆蓋全側面’藉此，全部的銀極層42 =電氣連接者。以假想線顯示之編號44為陰極 =卜=使1數相鄰接之固體電解電容器元件做機械 楚在第4圖之剖面上雖未非常清 疋在電谷器70件堆疊側面固定同一電 堆疊。編號43係外部陰極端子，其係與陰極串列介面：子 ^故電接，且料„性料於各㈣電解電^ 之陰極層俾聚電者。 訂 此外，編號47係指自各固體電解電容器元件^ :=陽=在第4圖之形態中，將相鄰4個固體電 ::…件之4個陽極體47聚集成一束。以假想線表示 電性ίΓ係於第4圖之剖面上未清楚顯示，但是指機械且 連接於各束％極體47之陽極串列介面端子，且各 線 互電接。編號46係指夕卜部陽極端子’其係與陽極串列介面 端子45電接，使“體電解電容器元件41之陽極體47 朝外部電氣連接以聚電者。編號48係指用以模製電 件堆疊等上述主要構件之外覆樹脂。 °
其次’一邊參考第5圖一邊說明本發明之積層型固體電 解電谷盗之另一形態。第5圖係積層型固體電解質電容写 之另-形態’該電容H係層積有按本發明❹陽極L 固體電解質電容器元件者。 編號51為固體電解電容器元件，實質上具有與上面說 明過的單層固體電解電容器同—之結構。該固體電解電容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -11 583698 A7 --- B7 _ 五、發明説明（9 ) " -~" 器元件51係於第5圖中層積有1〇個以構建成一電容器元 。隹且各個固體電解電容器元件51的最外面為陰極層之 碳層，個別與使銀糊硬化後形成之銀極層52而做電性連 接。因此，亦可將該銀極層52纟為固體電解電容器元件 51之陰極層的-部分。該銀極層52亦存在電容器元件堆 疊之側面成覆蓋全側面’藉此’全部的銀極層52相互呈電 接者。編號53係外部陰極端子，其係與銀極層52做電性 連接，且於外部電性連接於各固體電解電容器元件Η之陰 極層俾聚電者。 此外，編號57係指自各固體電解電容器元件51内部朝 外伸出之陽極體。編號56係指外部陽極端子，其係與各陽 極體57做電性連接，使各固體電解電容器元件51之陽極 體57朝外部電接俾聚電者。編號58係指用以模製電容器 元件堆疊等上述主要構件之外覆樹脂。 以下使用實施例說明具體表現本發明之形態，為比較其 專例子’顯示幾個習知例及比較例來加以具體說明。 [實施例1] 如以下說明，製作19個改變有單層固體電解電容器元 件之構成要素之樣本，調查靜電容量、位於1〇〇kHz之esr 及漏電流等各特性。將其等結果示於表丨。所改變之構成 要素為：閥金屬箔之鈕純度、閥金屬箔表面有無凹凸及閥 金屬粉末燒結體之粉末材質與純度。 <實施例1(1)> 即，首先將第1個樣本一實施例1(1)之樣本為第3圖所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 裝----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 線— -12- 583698 A7 ----------_ 五、發明説明（10 ) — 示之結構;依下列順序製造。準備一厚度3〇"m且純度99% 之叙泊作為閥金屬Μ，將該组荡浸泡於濃度5%之氟酸1〇 分鐘，對落表面施以钱刻處理，而於謂表面形成凹凸。另 一方面，對於閥金屬粉末則是準備純度99%且cV值為 1〇〇,〇〇〇之鈕粉末，於該粉末加入萜品醇（terpineol)成糊 狀，把該糊狀物塗佈在前述箔之表裏兩面並將之加壓後成 形。將該成形體置於10_5Torr以下之真空中，以溫度125〇 C之下燒結20分鐘後，製作一具有薄層狀陽極層且厚度 180# m之陽極構件。將該陽極構件在濃度1〇%之磷酸溶液 中，並在於與另外準備之對極（陽極氧化用陰極）間施加 10V電壓下進行120分鐘之陽極氧化，於同一陽極構件形 成介電體氧化皮膜。具有如此製作之介電體氧化皮膜之陽 極構件之上形成有厚度25 # m且以聚，比咯形成之固體電解 質層。該聚咄咯之製造方法係使用化學氧化聚合製程，即， 於由吼嘻單體與氧化劑構成之液狀材料浸泡前述具有介電 體氧化皮膜之陽極構件，重覆多次拉上及加熱硬化之程序 者。最後在該固體電解質層上形成碳層，進一步在上面塗 佈銀糊後使之硬化，以形成陰極層。藉此製得厚度〇 25 mm 之單層固體電解電容器元件之樣本。 以根據JIS(日本工業規格）C-5 120之測定方法測量如此 製得之實施例1(1)之樣本的3種特性—靜電容量、1〇〇kHz 下之ESR及漏電流。所得結果係如表1之實施例丨（丨）搁所 示者，即各為 150/zF、40mQ /100kHz、30 /z A。 <實施例1(2)> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| ▼線丨 -13- 583698 A7 _______B7_ 五、發明説明（η ) 接著，製造實施例1 (2)之樣本。該樣本之製作方法係以 與實施例1(1)同一方法進行者。惟，金屬粉末燒結體層之 粉末材料係採用純度達99%之鈮，以替代實施例丨（丨）中所 用之純度99%之鈕。將該實施例1(2)樣本之三種特性示於 表1之實施例1(2)之攔中。 <實施例1(3)> 接著，製造實施例1 (3)之樣本。該樣本之製作方法係以 與實施例1 (1)同一方法進行者。惟，該實施例1 (3)中不使 用實施例1 (1)中所採用之蝕刻處理步驟，未於閥金屬羯表 面上設置凹凸者。將該實施例1(3)樣本之三種特性示於表 1之實施例1(3)之攔中。 <實施例1(4)〜實施例1(8)> 以下，以與實施例1(1)〜實施例1(3)同一之方法，但如 表1之實施例（4)〜實施例1(8)之欄中所示，改變部分閥 金屬泪之组、泊純度、該羯有無設定凹凸及閥金屬粉末燒結 體之粉末材料之材質，製得實施例1(4)〜實施例1(8)之樣 本。其等樣本之三種特性亦示於表i。 各對應於上述之實施例1 (1)〜實施例1 (8)等8個樣 本，以同樣方法製作習知例3〜習知例10等8個樣本為習 知例。習知例3〜習知例1〇之樣本中，如表丨所示，改變 閥金屬箔之純度為97%與98%。其等8個習知例樣本之三 種特性亦示於表i。 針對上述16個樣本，將閥金屬箔之純度與漏電流間關 係示於第6圖之線圖。即，第6圖係用以顯示本發明使用 本紙張尺度適财關家鮮（_ A4規格⑵qx297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ¢- 訂— ►線丨 -14- 583698 A7 12 五、發明説明（ 具有純度99%以上之閥金屬箔之陽極構件之單層固體電解 質電容器’與習知使用具有純度不到99〇/〇之閥金屬箔之陽 極構件之單層電解質電容器間漏電流的差異之線圖。 在第ό圖線圖中，n 1之曲線為習知例6、1 〇、實施例 1 (4)、1(8)，亦即，閥金屬粉末是用鈮，且於閥金屬箔表面 上未設有凹凸之樣本之漏電流值。Τ1之曲線為習知例5、 9、實施例1(3)、1(7)，亦即，閥金屬粉末是用鈕，且於閥 金屬猪表面上未設有凹凸之樣本之漏電流值。 另外，Τ2之曲線為習知例3、7、實施例1 (1)、1 (5)， 亦即，閥金屬粉末是用鈕，且於閥金屬箔表面上設有凹凸 之樣本之漏電流值。又，Ν2之曲線為習知例4、8、實施 例1 (2)、1 (6)，亦即，閥金屬粉末是用鈮，且於閥金屬箔 表面上没有凹凸之樣本之漏電流值。此外，在第6圖線圖 中，將實施例1(3)之樣本的漏電流作為漏電流指數之基 準，即令之為漏電流指數1〇〇。 由第6圖線圖清楚可知，漏電流係於陽極體之閥金屬箱 之純度愈高時則愈低，直到99%以上時幾近飽和者。即， 閥金屬羯之純度達99%以上之領域時，可將最後階段之固 體電解電容器之漏電流極小化，且於該領域上，純度之不 均帶給漏電流誤差的影響也是極小。又可知，閥金屬箱之 純度較99%還低之領域上，最終階段之固體電解質電容器 之漏電流昇高，同時純度的不均帶給漏電流誤差之影響也 大增大者。 θ 又由第6圖線圖可知，於金屬箱表面上設有日凸與未設 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C- €- -15- 583698 A7 £7_ 五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 置凹凸之形態之間，設有凹凸之形態較能減少漏電流。此 外，在製作上述樣本時，雖經由蝕刻處理來設置凹凸，作 藉喷砂處理來設置凹凸時，已另行確認亦可得到與經由餘 刻處理之凹凸設定效果相同之凹凸設定效果。針對此點在 此不再加以詳述。 <實施例1(9)> 其次，為了調查閥金屬粉末燒結體粉末在純度上的變化 所帶來之影響，而製作實施例1(9)之樣本。該樣本之製造 方法係以與實施例1(1)之樣本同一方法製得。惟，採用純 度99.5%之鈕粉末來替代實施例1(1)中所用之純度99%之 鈕粉末。將該實施例1(9)之樣本的三種特性示於表1之實 施例1(9)攔中。為了比較，以與實施例1(1)同樣之樣本製 作方法，又各使用純度為97%及98%之鈕粉末來替代純度 99%之鈕粉末，作出比較例1(1)與比較例1(2)。其等兩比 較例樣本之三種特性示於表1。 如同表1之比較例1與2，及實施例1 (1 )與丨（9)攔所示 而清楚可知，閥金屬粉末之純度低於99%時，其間漏電流 有大到位數的差異。又可知’當粉末純度高於99%時，則 可縮小漏電流者。 [實施例2] 如以下說明，製作9個改變有固體電解電容器元件之構 成要素或多數固體電解電容器元件之積層數之樣本，調杳 靜電容量、位於100kHz之ESR及漏電流等各特性。亦將 其等結果示於表1。所改變之構成要素為：陽極體形狀、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -16- 583698 A7 ________B7__ 五、發明説明（！ΤΓ~ '----- 闊金屬箱之材質、閥金屬粉末燒結體之粉末材質、該粉末 之cv值、固體電解質之材質及電容器元件之積層數與厚 度（積層之形態則是指電容器元件堆疊之厚度）。 <實施例2(1)及2(2)> 各準備以實施例1(1)之樣本製作方法所造出之單層固 體電解電容器元件2個及8個，再採用第5圖所示之積層 方法堆積上述之2個及8個電容器元件，做出兩個電容器 元件堆疊。這兩個電容器元件堆疊則各為實施例2(1)及實 施例2(2)之樣本。由表丨可知，元件堆疊厚度、靜電容量 及漏電流係與積層數成正比而增加。而另一方面積層數愈 大，ESR值則愈少。 <實施例 2(3)、2(4)及 2(5)> 使用實施例1(1)之樣本製作方法，但對於閥金屬箱之材 質與閥金屬粉末之材質各替代成銳箔及銳粉末，將做出之 單層固體電解電容器元件各準備1個、2個及8個，及將2 個及8個電谷器元件各以第5圖所示之積層方法積層為電 容器元件堆疊兩個。上述之單層固體電解電容器元件、積 層2個之固體電解電容器元件堆疊及積層8個之固體電解 電容器元件堆疊各為實施例2(3)、2(4)及2(5)之樣本。由 表1可知，將钽箔與鈕粉末各換成鈮箔及鈮粉末，亦能得 到與替換前同樣之特性。又亦知，元件堆疊厚度、靜電容 量與漏電流與積層數成正比而增加。另一方面，積層數愈^ 增加，ESR值則愈少。 <實施例2(6)及2(7)> 本紙張尺度適用中國國家標準（°^) M規格（210X297公釐） -17- ί-ί- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、訂— ▼線丨丨· 583698 A7
採用實施例i⑴之樣本製作方法，惟將固體電解質之材 質各替換成聚嗔吩及聚苯胺，各做出i個單層固體電解電 容器元件。各單層固體電解電容器元件各為實施例2⑹及 ()樣本由表丨可知，即使將聚％略換成聚。塞吩及聚苯 胺’亦可得到與替換前同樣之特性。 進而’為以比較，做出使用有如第i圖所示般之片狀結 構之陽極構件之樣本2個為實施例。即，冑⑽腿口徑 之鈕線植入於閥金屬粉末之cv值為4〇〇〇〇且純度99%之 =末中，成形為歡形狀後，卩14⑽燒結2()分鐘， 製付-厚度G.84mm之陽極構件。將該陽極構件置於濃度 ίο%璘酸溶液中、在施加1GV電壓下進行12()分鐘陽極氧 化，於該陽極構件上形成介電體氧化皮膜。在具有如此製 出之^電體氧化皮膜之陽極構件上形成具有〇.❹5匪厚度 之二氧化錳層。該二氧化錳層之製造方法為採用在前述陽 極構件上被«⑽且使之熱分解者。最後在該固體電解 夤上形成碳層，進一步在其上塗抹銀糊後使之硬化，而形 成陰極層。依此，製作—厚纟〇.96mm之單層固體電解電 容器元件之樣本。此樣本為習知例丨之樣本。 習知例2之樣本係以與習知例1樣本製作方法同一方 法’惟固體電解質層並非以二氧化猛而是形成聚料製之 固體電解質層。該聚吡咯製作方法係使用化學氧化聚合製 ㈣將料進行化學氧化聚合之方法，將具有前述介電體 氧化皮膜之陽極構件於由対單體與氧化劑構成之液狀材 料中反覆歷經&泡、拉出、加熱硬化等步驟數次者。依此
-18 - 583698 A7 *~· ______Β7___ 五、發明説明（16 ) 做出厚度0.96mm之單層固體電解電容器元件之樣本作為 習知例2之樣本。 由表1可知，其等實施例2(1)〜2(7)樣本、進而實施例 1 (1)〜1 (9)樣本之各種特性之優點在於，與習知例1〜1 〇之 樣本，進而比較例1及2之樣本相較下，漏電流較為減少， 如果漏電流為同等減少時，則ESR值較為降低，可將元件 厚度縮小，可謀求小型且大電容化者。 如上，按本發明，藉使閥金屬中所含之摻雜量抑制於 1%以下者，可減少經陽極氧化而形成之介電體氧化皮膜中 之摻雜物即皮膜之缺陷，且可一邊維持最後階段之固體電 解電容器之ESR值為最低並一邊減少漏電流，同時使用高 CV粉末，可謀求固體電解電容器之小型大電容化者。 本紙張尺度適用中國國家標準（°^) A4規格（2〗0χ297公釐） 裝......ΤΓ^^線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 583698 A7B7 五、發明説明（Π ) 丧2 ο (Ν Ο 寸 r-H r-H r-H tn τ-Η ^H VO ^H oo 寸 (N Ό vo Ο m (Ν m m 寸 〇 寸 00 (Ν OS (Ν Ο 寸 (Ν 寸 〇 〇 m O o r-H Ο Ο (Ν m ο ο 〇 00 (Ν m 00 (Ν 嘴^ J ^ 8 ω α 旦 Ο Ο τ—Η ο 寸 o 寸 o 寸 Ο 寸 Ο 寸 ο 寸 ο 寸 〇 寸 〇 寸 Ο 寸 Ο 寸 〇 寸 〇 寸 Ο in Ο 寸 ο 寸 Ο 寸 〇 in »T) 寸 Ο 寸 (Ν (Ν Ο ο 寸 ο (Ν 00 00 m (Ν 寸 Φΐ (4 ^ Ι/Ί (Ν o IT) o ID ο IT) ο in ο IT) ο ΙΓί 〇 iT) 〇 iT) ο in ο in 〇 ΙΓί 〇 IT) ο IT) ο ι/^ ο \D Ο XT) ο CT) o ο ΚΓ) Ο 〇 Ο 〇 ο 〇〇 Ο Ό 〇 寸 ο 寸 Ο CT) 辆5 5 (Ν <Ν τ—Η τ*Η r-H τ-Η r-H r-H m (Ν m 寸。 * DVD ν〇 v〇 iD ID \Γ) IT) i〇 ι〇 1/^ l〇 l〇 ι〇 1/-) ΙΛ> ID Ό Ο 〇 l/~) Ο 〇 Ό Ό Os Ο ON d (N d <N d (Ν Ο (N d CN d (Ν ο (N d (Ν d (N d (Ν Ο (Ν d (Ν d (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (N d (Ν Ο ο Ο <Ν (Ν Ο Ο 〇 (Ν <Ν Ο (Ν Ο 耸制 ^ it Μ r-H H ^H r*H r-H τ-Η ^-Η r-H r-H r-H (Ν 〇〇 (Ν 〇〇 τ-Η Τ-Η 您 0 ^ 賴 AJ 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 5 Μ f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f 龄 k k k k k k k k k k k k k k k k 龄 龄 龄 龄 龄 鉍 b〇 ^ > ^ 〇 > Ο 〇 o 〇 O o 〇 O o 〇 ο ο 〇 o o 〇 o o 〇 ο ο 〇 〇 〇 〇 ο ο 〇 o o 〇 ο ο 〇 O o 〇 O o 〇 ο 〇 ο ο 〇 ο 〇 ο 〇 ο 〇 O o 〇 ο 〇 Ο 〇 Ο ο 〇 Ο ο 〇 Ο Ο 〇 〇 〇 Ο ο 〇 ο ο 〇 籴W cT 寸 cT 寸 o' 〇 ^H o' 〇 ^H θ' Ο ^-Η o' 〇 o' 〇 θ' Ο o' Ο θ' Ο o' 〇 θ' Ο o' 〇 o' 〇 cT ο θ' Ο θ' o' Ο o' o o' Ο τ·*Η θ' Ο θ' Ο θ' 00 θ' 00 〇" 00 1—H θ' Ο θ' F—Η 零A y- ^ 芝 ? ? 芝 芝 芝 芝 0's ON On Os Os as Cs Os Os as 〇> Os Os OS Os as σ> α OS as σ\ as as 〇s as as 〇\ σ> Os Os Os as 00 S as as ON as Os ο as Os Ον ΟΝ G\ Os 墙 M Ϊ ϊ M Ϊ Μ ϊ Μ M Μ ϊ Μ Μ ϊ 1 1 杯 碟 瑞 杯 碟 杷 杷 罐 碟 杷 杷 杷 你 杯 杷 杷 ? ? 1 g g I f ί ? «ο «ο »r> ξ 2 ktm ^ 1 1 已 已 已 ΟΝ 〇\ as ¥ 已 On 〇\ σ\ Q\ 0"\ 嫂w ϊ i I i I I I I i i 製¥ f ί 鲮 nr> 竣 nn 總 總 狹 狹 猓 猓 猓 狭 狹 狹 狹 狹 總 狹 狹 狹 狹 狭 狹 總 狭 拿？ — (N cn 寸 卜 OO Os ο 1-Ή ^s τ-Η S /—Ν ^-H S g r—s S ^N T"H s τ-Η g τ—Η ν-Η s (Ν m (Ν s (Ν £ CN S (Ν ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ 冢 冢 餅r 额r 辭r 辭I IK aJ Jj IK IK ♦®c (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -20- 五 、發明説明（ 18 [圖式之簡單說明] 之陽極槿Γ係』不習知固體電解電容器用被稱為片狀結構 之陽極構件之透視圖。 第2圖係使用習知另一形態之陽極構件之 電容器之部分截面透視圖。 曰電解質 第圖係使用本發明之陽極構件之單層電解質口 之部分截面透視圖。 、 裔 第4圖係積層使用據本發明陽極構件之電解電容 件而成之積層型固體電解質電容器之截面圖。 4 第5圖係按本發明之另一積層型固體電解 質電容器之截面圖。 u體電解 第6圖係用以顯示荡純度與漏電流之關係線 用本發明陽極構件之單層固體電解f電容器，與使 陽極構件之單層電解質電容器間漏電流之差異者。 〇 [圖中標號說明] 一裝----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1…引線 2.··陽極構件 3,7,47,57...陽極體 4，8 _ · ·陽極層 5,9…固體電解質層 6，10···陰極層 11···固體電解電容器 41，51··.固體電解電容器元件 4 2，5 2…銀極層 43,53·.·外部陰極端子 44···陰極串列介面端子 45 ·.·陽極串列介面端子 46,56.··外部陽極端子 48,58···外覆樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -21 -