TW583698B - An anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same - Google Patents
An anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW583698B TW583698B TW091110243A TW91110243A TW583698B TW 583698 B TW583698 B TW 583698B TW 091110243 A TW091110243 A TW 091110243A TW 91110243 A TW91110243 A TW 91110243A TW 583698 B TW583698 B TW 583698B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- anode
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- valve metal
- layer
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 13
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 9
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 4
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005206 Hibiscus Nutrition 0.000 description 1
- 235000007185 Hibiscus lunariifolius Nutrition 0.000 description 1
- 241001075721 Hibiscus trionum Species 0.000 description 1
- 241001354471 Pseudobahia Species 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309466 calf Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229940098465 tincture Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/26—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices with each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
五、發明説明(1 ) [技術領域] 本發明係有關於-種各種電子機器上所使用之電容器 中尤其是使用有閥金屬之固體電解電容器用之陽極構件、 使用该構件之固體電解電容器及其製造方法。 [習知背景] / 一般殷望電源電路之2次側及個人電腦之CPU周邊所 使用之電解電容器為小型且大電容,進—步要求可對應高 頻率之低ESR(等效串聯電阻)化者。 第1圖係一顯示該型態之習知固體 極構件之透視圖。在該圖中,= 線、2為將组、鈮等閥金屬粉末成形為特定形狀且埋設有 上述引線1之陽極構件。如此結構即稱為片狀(pe㈣結 構,為一般常用者。 又,上述陽極構件2係將埋設有引線i之閥金屬粉末成 形為特疋形狀後施行燒結’再進-步進行陽極氧化 而於外 表面形成介電體氧化皮膜(未圖示)’接著在該介電體氧化 皮膜上依序形成固體電解質層(未圖示)、陰極層(未圖示) 而製得者。 然後對依上述程序製得之陽極構件2之引線丨連接外部 接續用之陽極端子(未圖示),並於上述陰極層連接外部接 續用之陰極端子(未圖示)後,利用環氧系樹脂進行模製成 形,以製得一被覆著陽極構件2之固體電解電容器。 又,最近為了進行低ESR化,而開發出一固體電解電 容器,其固體f解質是用#電率較習知之二氧化猛相差甚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-4 583698 A7 B7 五、發明説明(2 ) 巨之高導電性分子作為固體電解質,且已附諸於實用化。 惟’對於上述習知之固體電解電容器用之陽極構件與使 用該構件之固體電解電容器尚有一難成小型且大電容化之 課題。 具體而言,致力將如此之習知固體電解電容器小型大電 容化之其一為揭示於曰本專利公開公報特開2〇〇〇_3〇6782 號之習知技術。帛2圖係根據該習知技術之單層固體電解 質電容器之部分剖面立體圖。如第2圖所示,#出一固體 電解電容器,其係以由閥金屬箱構成之陽極體3、形成於 該陽極體3且以高CV之閥作用金屬粉末製並具有細孔之 燒結體所構成之薄片狀陽極層4、形成於該薄片狀陽極層4 上之固體電解質層5及陰極層6所構造成者。上述陽極體 與上述陽極層係經陽極氧化,並於各表面及上述陽極層内 之各細孔内壁面形成有介電體氧化皮膜。惟,朝上述陽極 體3之閥金屬箱之表面上易偏析出有η、驗金屬、驗 土類金屬等摻雜物。這是易於 一 匆、Ik治時之壓延時或熱處理 之當中衍生者。進而,該闕今屬铉 岡五屬治之表面積係與為片狀結 構時,用之0.25mm 口徑之引線的表面積相比相差極大。 因第2圖之結構比較容易受到金屬落組成中摻雜物的 影響,結果使得漏電流增加。即, 汁 I險極體3係使用閥金屬 '泊,因此使於藉陽極氧化所形成之介電體氧化皮膜上形成 陷,是故有所謂固體電解電容器之漏電流增加之課 [發明之揭示] 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2】〇χ297公着)
、一=0. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5. 3 ) 五、發明説明 本發明之目的係於楹 構件、使用… 種固體電解電容器用之陽極 解決上固體電解電容器及其製造方法,以期 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 大電容化二:二:且使用高⑺粉末,以謀求小型、 属電流極低,實現低ESR化者。 本發明之固體電解電容器用之 純度達99%以上之閥 +係…有.- 陽極體上且為閥金朴體 形成於前述 外 屬叔末燒結體製之陽極層。藉使龆厶Μ 箱中所含之摻雜物量抑制於1 s #使閥金屬 化形成之介電體氧化皮❹Γ 可減少以陽極氧 θ. 皮膜中之摻雜物即皮膜之缺陷,妹果 具有可減少固體電解電容器之漏電流之作用效果。、’ -、?τ— : 迷陽極體之表面形成有凹凸者為佳。藉此,可將偏析 盥金屬箱表面之摻雜物量減少,增加間金屬箱之陽極體 /、間金屬粉末燒結體製之電極層間之金屬接面性,結果且 有可減少固冑電解電容器漏電流之作用效果。 進而月'j述閥金屬箔係使用鈕或鈮,而前述閥金屬粉末 燒結體則使用純度達99%以上之叙或鈮者為佳。藉此,使 閥金屬粉末燒結體中所含之摻雜物量抑躲1%以下,使 得形成度良好’可將介電體氧化皮膜之組成與厚度均句形 j可減少彳電體氧化皮膜之缺陷,'结果減少固體電解電 容器之漏電流,具有可謀求大電容化之作用效果。 本發明之固體電解電容器係具有以下構造,即依序層積 有·純度達99%以上之閥金屬箔製之陽極體;一閥金屬 粉末燒結體製之陽極層;一固體電解質層;及,一陰極層; 且前述陽極層及前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層。藉 -6- 五、發明説明(4) 用 此,具有可穩定獲得一漏電流低之固體電解電容器的 效果。 、、進而,前述固體電解質層係構造成具有導電性高分子材 料者為佳。藉此,可使固體電解質層之導電率大大提高, 具·有可將ESR減低化之作用效果。 本發明之固體電解電容器,係具有層積2個以上固體電 解電容器元件者’該固體電解電容器元件係依序層積有: -純度達99〇/〇以上之閥金屬箔製之陽極體;一閥金屬粉末 燒結體製之陽極層;一固體電解質層;及,一陰極層;且 前述陽極層及前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層曰。藉 此’具有可提供一為低ESR且大電容之固體電解電容器之 作用效果。 本發明之固體電解電容器用之陽極構件之製造方法,該 方法具有以下步驟,即:對純度達99%以上之閥金屬箱製 之陽極體施行姓刻處理或喷砂處理,以於該陽極體之表面 形成凹凸狀態;及,於該陽極體上形成閥金屬粉末燒結體 製之陽極層。藉該方法,具有可容易獲得漏電流低之固體 電解電容器之作用效果。 [發明之實施形態] 以下,用圖式說明本發明之實施形態,並利用實施例進 一步說明,但本發明並不只限定於其等說明之内容者。 第3圖係使用+發明之陽極構件製得之本發明單層固 體電解質電容器之部分剖面立體圖。帛3圖中編號7為陽 極體,是以純度達99%以上之閥金屬之鈕或銳之箱製造 583698 A7 五、發明説明(5 ) -------------Φ裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _、tr— 者。陽極體之厚度係按用途而可做變更,但通常為2〇〜7〇 左右之厚度。將為高cv值之閥金屬之鈕或鈮之粉末 糊塗佈於陽極體7之表裏兩面,俟加壓成形為預定尺法及 厚度後’再將該成形體在真空下進行燒結,以於陽極體7 上形成閥金屬粉末燒結體製之陽極體8。陽極體7之閥金 屬箱與陽極層8之燒結體係於其間交界處做金屬接合。 又’ %極層8内部具有多數細孔。陽極層8之厚度亦可按 用途而做改變,通常為5〇〜15〇 # m左右之厚度。以該陽極 體7與陽極層8構建成陽極構件。該陽極構件係於施加預 疋形成電壓後陽極氧化,最後在陽極層8之表面上及内部 細孔内壁面上與陽極體7之表面上的一部分,即,與陽極 層之金屬接合部外之表面上形成介電體氧化皮膜,該皮膜 係用以載負供固體電解電容器用之電容之主要要素。該介 電體氧化皮膜之厚度係與形成電壓成比例,諸如以2〇v形 成時則為數百A之厚度。 前述陽極體採用純度達99%以上之鈕或鈮製之閥金屬 泊疋本务明最大特點所在。也就是說,是根據本發明人所 見者’在純度達99%以上之領域下可將最終階段之固體電 解電谷器之漏電流到極小化者,且於該領域下,純度的不 勻帶給漏電流差異之影響也是最小者。純度較99%還低 時,就很難將最終階段之固體電解質電容器之漏電流減 少。又同時,閥金屬箔之純度不均對漏電流誤差的影響亦 隨之增加。這可想而知是因為介電體氧化皮膜厚度與組成 變得不均勻,而使介電體氧化皮膜中之缺陷增多所致者。
583698 五、發明説明(6 ) 之:置於:極體f面設有凹凸者為佳。這是因為業經凹凸 桎體表面之\ 極體之表面進行經由化學或機械研磨陽 極體录面之粗雜面虛拂, 訂 線 可減父偏析於陽極體閥金屬箔 2::上之摻雜物。又’經由凹凸的設置,增加表面的接 :,因此提升閥金屬箱與閥金屬燒結體間之金屬接面 性,藉此提高閥金屬落與閥金屬燒結體間的機械強度,社 果可抑制陽極構件的機械破損。藉使閥金屬fi表面之捧雜 物減少及陽極構件的機械破損之抑制,可降低最终階段之 固體電解電容器之漏電流。該凹凸之程度即凹凸之底部盥 頂部之平均距離以〇.5#m〜1〇#m範圍内者為佳。這是因 為低於0.5鋒時將使設置凹凸之效果減少外,高於i〇"m 時則使箱強度降低者所致。用以設置該凹凸之方法係以對 閥金屬箱製之陽極體施以噴砂處理或將之置於驗性或含酸 之蚀刻溶液中進行敍刻處理之方法較適當。惟,麵在化學 上極為穩定,鈮按此亦為穩定,因此在酸或鹼中必須選擇 蝕刻溶液的種類。最為恰當的蝕刻溶液為含氟之酸。 進而,前述陽極構件之前述閥金屬粉末燒結體係 度達99%以上之组或銳者為佳。這是為使可減少最終階段 之固體電解電容器之漏電流,以求大電容化而致者。這是 因為將閥金屬粉末燒結體中所含之掺雜物抑制於1〇/。以下 者’可提高陽極構件的形成度,且提高介電體氧化皮膜之 介電率所致者。該純度小於99%時,將使最終階段之固體 電解電容器之漏電流過大。 第3圖之編號9為固體電解質層。如上述製得之形成有 -9- 583698 A7 —----------B7_ 五、發明説明(7 ) "—' ----— 2電體氧化皮膜之陽極構件之陽極層8上被覆有固體電解 =二:必要處理後形成固體電解質層9。固體電解 》材枓亦可使用諸如:氧㈣般通常材料,但以且有高導 ”之導電性高分子材料由減少最終階段之固體電解電容 二ESR之觀點而言較佳。如此之導電性高分子材料係以 等車乂 k田。上述之導電性高分子材料係以聚吼略、聚嘆吩 或聚苯胺等為佳。 第3圖之編號10為形成於固體電解質層9上之阶極 層。在固體電解質層9上形成碳層,且於其上面塗佈銀糊 後’俟其硬化以形成銀電極層者是代表性的陰極層形成方 法。編號11係指單層的固體電解電容器,其係依序積層有 純度達99%以上之閥金屬箱製之陽極體7、閥金屬粉:燒 結體製之陽極層8、固體電解質層9及陰極層1();且前述 陽極體7與前述陽極層8各形成有介電體氧化皮膜。 其次一邊參考第4圖一邊說明據本發明之積層型之固 體電解電容器之一形態。第4圖係一剖面圖,顯示層積有 按本發明之使用有陽極體之固體電解電容器元件而成之積 層型固體電解質電容器之一形態。 編號41為固體電解電容器元件41,實質上具有與上面 說明過的單層m體電解電容器同—之結構。體電解電 容器41係於第4圖中層積有12個以構建成一電容器元件 S。各個固體電解電容器元件41的最外面為陰極層之碳 層,個別與使銀糊硬化後形成之銀極層42而做電接。因 此’亦可將該銀極層42成為固體電解電容器元件4〗之陰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2】0X297公釐)
583698 五 、發明説明(8 ) 器^一,分。該銀極層在第4圖雖未圖示,亦存在電容 相:呈之側面成覆蓋全側面’藉此,全部的銀極層42 =電氣連接者。以假想線顯示之編號44為陰極 =卜=使1數相鄰接之固體電解電容器元件做機械 楚在第4圖之剖面上雖未非常清 疋在電谷器70件堆疊側面固定同一電 堆疊。編號43係外部陰極端子,其係與陰極串列介面:子 ^故電接,且料„性料於各㈣電解電^ 之陰極層俾聚電者。 訂 此外,編號47係指自各固體電解電容器元件^ :=陽=在第4圖之形態中,將相鄰4個固體電 ::…件之4個陽極體47聚集成一束。以假想線表示 電性ίΓ係於第4圖之剖面上未清楚顯示,但是指機械且 連接於各束%極體47之陽極串列介面端子,且各 線 互電接。編號46係指夕卜部陽極端子’其係與陽極串列介面 端子45電接,使“體電解電容器元件41之陽極體47 朝外部電氣連接以聚電者。編號48係指用以模製電 件堆疊等上述主要構件之外覆樹脂。 °
其次’一邊參考第5圖一邊說明本發明之積層型固體電 解電谷盗之另一形態。第5圖係積層型固體電解質電容写 之另-形態’該電容H係層積有按本發明❹陽極L 固體電解質電容器元件者。 編號51為固體電解電容器元件,實質上具有與上面說 明過的單層固體電解電容器同—之結構。該固體電解電容 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) -11 583698 A7 --- B7 _ 五、發明説明(9 ) " -~" 器元件51係於第5圖中層積有1〇個以構建成一電容器元 。隹且各個固體電解電容器元件51的最外面為陰極層之 碳層,個別與使銀糊硬化後形成之銀極層52而做電性連 接。因此,亦可將該銀極層52纟為固體電解電容器元件 51之陰極層的-部分。該銀極層52亦存在電容器元件堆 疊之側面成覆蓋全側面’藉此’全部的銀極層52相互呈電 接者。編號53係外部陰極端子,其係與銀極層52做電性 連接,且於外部電性連接於各固體電解電容器元件Η之陰 極層俾聚電者。 此外,編號57係指自各固體電解電容器元件51内部朝 外伸出之陽極體。編號56係指外部陽極端子,其係與各陽 極體57做電性連接,使各固體電解電容器元件51之陽極 體57朝外部電接俾聚電者。編號58係指用以模製電容器 元件堆疊等上述主要構件之外覆樹脂。 以下使用實施例說明具體表現本發明之形態,為比較其 專例子’顯示幾個習知例及比較例來加以具體說明。 [實施例1] 如以下說明,製作19個改變有單層固體電解電容器元 件之構成要素之樣本,調查靜電容量、位於1〇〇kHz之esr 及漏電流等各特性。將其等結果示於表丨。所改變之構成 要素為:閥金屬箔之鈕純度、閥金屬箔表面有無凹凸及閥 金屬粉末燒結體之粉末材質與純度。 <實施例1(1)> 即,首先將第1個樣本一實施例1(1)之樣本為第3圖所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 線— -12- 583698 A7 ----------_ 五、發明説明(10 ) — 示之結構;依下列順序製造。準備一厚度3〇"m且純度99% 之叙泊作為閥金屬Μ,將該组荡浸泡於濃度5%之氟酸1〇 分鐘,對落表面施以钱刻處理,而於謂表面形成凹凸。另 一方面,對於閥金屬粉末則是準備純度99%且cV值為 1〇〇,〇〇〇之鈕粉末,於該粉末加入萜品醇(terpineol)成糊 狀,把該糊狀物塗佈在前述箔之表裏兩面並將之加壓後成 形。將該成形體置於10_5Torr以下之真空中,以溫度125〇 C之下燒結20分鐘後,製作一具有薄層狀陽極層且厚度 180# m之陽極構件。將該陽極構件在濃度1〇%之磷酸溶液 中,並在於與另外準備之對極(陽極氧化用陰極)間施加 10V電壓下進行120分鐘之陽極氧化,於同一陽極構件形 成介電體氧化皮膜。具有如此製作之介電體氧化皮膜之陽 極構件之上形成有厚度25 # m且以聚,比咯形成之固體電解 質層。該聚咄咯之製造方法係使用化學氧化聚合製程,即, 於由吼嘻單體與氧化劑構成之液狀材料浸泡前述具有介電 體氧化皮膜之陽極構件,重覆多次拉上及加熱硬化之程序 者。最後在該固體電解質層上形成碳層,進一步在上面塗 佈銀糊後使之硬化,以形成陰極層。藉此製得厚度〇 25 mm 之單層固體電解電容器元件之樣本。 以根據JIS(日本工業規格)C-5 120之測定方法測量如此 製得之實施例1(1)之樣本的3種特性—靜電容量、1〇〇kHz 下之ESR及漏電流。所得結果係如表1之實施例丨(丨)搁所 示者,即各為 150/zF、40mQ /100kHz、30 /z A。 <實施例1(2)> 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| ▼線丨 -13- 583698 A7 _______B7_ 五、發明説明(η ) 接著,製造實施例1 (2)之樣本。該樣本之製作方法係以 與實施例1(1)同一方法進行者。惟,金屬粉末燒結體層之 粉末材料係採用純度達99%之鈮,以替代實施例丨(丨)中所 用之純度99%之鈕。將該實施例1(2)樣本之三種特性示於 表1之實施例1(2)之攔中。 <實施例1(3)> 接著,製造實施例1 (3)之樣本。該樣本之製作方法係以 與實施例1 (1)同一方法進行者。惟,該實施例1 (3)中不使 用實施例1 (1)中所採用之蝕刻處理步驟,未於閥金屬羯表 面上設置凹凸者。將該實施例1(3)樣本之三種特性示於表 1之實施例1(3)之攔中。 <實施例1(4)〜實施例1(8)> 以下,以與實施例1(1)〜實施例1(3)同一之方法,但如 表1之實施例(4)〜實施例1(8)之欄中所示,改變部分閥 金屬泪之组、泊純度、該羯有無設定凹凸及閥金屬粉末燒結 體之粉末材料之材質,製得實施例1(4)〜實施例1(8)之樣 本。其等樣本之三種特性亦示於表i。 各對應於上述之實施例1 (1)〜實施例1 (8)等8個樣 本,以同樣方法製作習知例3〜習知例10等8個樣本為習 知例。習知例3〜習知例1〇之樣本中,如表丨所示,改變 閥金屬箔之純度為97%與98%。其等8個習知例樣本之三 種特性亦示於表i。 針對上述16個樣本,將閥金屬箔之純度與漏電流間關 係示於第6圖之線圖。即,第6圖係用以顯示本發明使用 本紙張尺度適财關家鮮(_ A4規格⑵qx297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ¢- 訂— ►線丨 -14- 583698 A7 12 五、發明説明( 具有純度99%以上之閥金屬箔之陽極構件之單層固體電解 質電容器’與習知使用具有純度不到99〇/〇之閥金屬箔之陽 極構件之單層電解質電容器間漏電流的差異之線圖。 在第ό圖線圖中,n 1之曲線為習知例6、1 〇、實施例 1 (4)、1(8),亦即,閥金屬粉末是用鈮,且於閥金屬箔表面 上未設有凹凸之樣本之漏電流值。Τ1之曲線為習知例5、 9、實施例1(3)、1(7),亦即,閥金屬粉末是用鈕,且於閥 金屬猪表面上未設有凹凸之樣本之漏電流值。 另外,Τ2之曲線為習知例3、7、實施例1 (1)、1 (5), 亦即,閥金屬粉末是用鈕,且於閥金屬箔表面上設有凹凸 之樣本之漏電流值。又,Ν2之曲線為習知例4、8、實施 例1 (2)、1 (6),亦即,閥金屬粉末是用鈮,且於閥金屬箔 表面上没有凹凸之樣本之漏電流值。此外,在第6圖線圖 中,將實施例1(3)之樣本的漏電流作為漏電流指數之基 準,即令之為漏電流指數1〇〇。 由第6圖線圖清楚可知,漏電流係於陽極體之閥金屬箱 之純度愈高時則愈低,直到99%以上時幾近飽和者。即, 閥金屬羯之純度達99%以上之領域時,可將最後階段之固 體電解電容器之漏電流極小化,且於該領域上,純度之不 均帶給漏電流誤差的影響也是極小。又可知,閥金屬箱之 純度較99%還低之領域上,最終階段之固體電解質電容器 之漏電流昇高,同時純度的不均帶給漏電流誤差之影響也 大增大者。 θ 又由第6圖線圖可知,於金屬箱表面上設有日凸與未設 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C- €- -15- 583698 A7 £7_ 五、發明説明(13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 置凹凸之形態之間,設有凹凸之形態較能減少漏電流。此 外,在製作上述樣本時,雖經由蝕刻處理來設置凹凸,作 藉喷砂處理來設置凹凸時,已另行確認亦可得到與經由餘 刻處理之凹凸設定效果相同之凹凸設定效果。針對此點在 此不再加以詳述。 <實施例1(9)> 其次,為了調查閥金屬粉末燒結體粉末在純度上的變化 所帶來之影響,而製作實施例1(9)之樣本。該樣本之製造 方法係以與實施例1(1)之樣本同一方法製得。惟,採用純 度99.5%之鈕粉末來替代實施例1(1)中所用之純度99%之 鈕粉末。將該實施例1(9)之樣本的三種特性示於表1之實 施例1(9)攔中。為了比較,以與實施例1(1)同樣之樣本製 作方法,又各使用純度為97%及98%之鈕粉末來替代純度 99%之鈕粉末,作出比較例1(1)與比較例1(2)。其等兩比 較例樣本之三種特性示於表1。 如同表1之比較例1與2,及實施例1 (1 )與丨(9)攔所示 而清楚可知,閥金屬粉末之純度低於99%時,其間漏電流 有大到位數的差異。又可知’當粉末純度高於99%時,則 可縮小漏電流者。 [實施例2] 如以下說明,製作9個改變有固體電解電容器元件之構 成要素或多數固體電解電容器元件之積層數之樣本,調杳 靜電容量、位於100kHz之ESR及漏電流等各特性。亦將 其等結果示於表1。所改變之構成要素為:陽極體形狀、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -16- 583698 A7 ________B7__ 五、發明説明(!ΤΓ~ '----- 闊金屬箱之材質、閥金屬粉末燒結體之粉末材質、該粉末 之cv值、固體電解質之材質及電容器元件之積層數與厚 度(積層之形態則是指電容器元件堆疊之厚度)。 <實施例2(1)及2(2)> 各準備以實施例1(1)之樣本製作方法所造出之單層固 體電解電容器元件2個及8個,再採用第5圖所示之積層 方法堆積上述之2個及8個電容器元件,做出兩個電容器 元件堆疊。這兩個電容器元件堆疊則各為實施例2(1)及實 施例2(2)之樣本。由表丨可知,元件堆疊厚度、靜電容量 及漏電流係與積層數成正比而增加。而另一方面積層數愈 大,ESR值則愈少。 <實施例 2(3)、2(4)及 2(5)> 使用實施例1(1)之樣本製作方法,但對於閥金屬箱之材 質與閥金屬粉末之材質各替代成銳箔及銳粉末,將做出之 單層固體電解電容器元件各準備1個、2個及8個,及將2 個及8個電谷器元件各以第5圖所示之積層方法積層為電 容器元件堆疊兩個。上述之單層固體電解電容器元件、積 層2個之固體電解電容器元件堆疊及積層8個之固體電解 電容器元件堆疊各為實施例2(3)、2(4)及2(5)之樣本。由 表1可知,將钽箔與鈕粉末各換成鈮箔及鈮粉末,亦能得 到與替換前同樣之特性。又亦知,元件堆疊厚度、靜電容 量與漏電流與積層數成正比而增加。另一方面,積層數愈^ 增加,ESR值則愈少。 <實施例2(6)及2(7)> 本紙張尺度適用中國國家標準(°^) M規格(210X297公釐) -17- ί-ί- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、訂— ▼線丨丨· 583698 A7
採用實施例i⑴之樣本製作方法,惟將固體電解質之材 質各替換成聚嗔吩及聚苯胺,各做出i個單層固體電解電 容器元件。各單層固體電解電容器元件各為實施例2⑹及 ()樣本由表丨可知,即使將聚%略換成聚。塞吩及聚苯 胺’亦可得到與替換前同樣之特性。 進而’為以比較,做出使用有如第i圖所示般之片狀結 構之陽極構件之樣本2個為實施例。即,冑⑽腿口徑 之鈕線植入於閥金屬粉末之cv值為4〇〇〇〇且純度99%之 =末中,成形為歡形狀後,卩14⑽燒結2()分鐘, 製付-厚度G.84mm之陽極構件。將該陽極構件置於濃度 ίο%璘酸溶液中、在施加1GV電壓下進行12()分鐘陽極氧 化,於該陽極構件上形成介電體氧化皮膜。在具有如此製 出之^電體氧化皮膜之陽極構件上形成具有〇.❹5匪厚度 之二氧化錳層。該二氧化錳層之製造方法為採用在前述陽 極構件上被«⑽且使之熱分解者。最後在該固體電解 夤上形成碳層,進一步在其上塗抹銀糊後使之硬化,而形 成陰極層。依此,製作—厚纟〇.96mm之單層固體電解電 容器元件之樣本。此樣本為習知例丨之樣本。 習知例2之樣本係以與習知例1樣本製作方法同一方 法’惟固體電解質層並非以二氧化猛而是形成聚料製之 固體電解質層。該聚吡咯製作方法係使用化學氧化聚合製 ㈣將料進行化學氧化聚合之方法,將具有前述介電體 氧化皮膜之陽極構件於由対單體與氧化劑構成之液狀材 料中反覆歷經&泡、拉出、加熱硬化等步驟數次者。依此
-18 - 583698 A7 *~· ______Β7___ 五、發明説明(16 ) 做出厚度0.96mm之單層固體電解電容器元件之樣本作為 習知例2之樣本。 由表1可知,其等實施例2(1)〜2(7)樣本、進而實施例 1 (1)〜1 (9)樣本之各種特性之優點在於,與習知例1〜1 〇之 樣本,進而比較例1及2之樣本相較下,漏電流較為減少, 如果漏電流為同等減少時,則ESR值較為降低,可將元件 厚度縮小,可謀求小型且大電容化者。 如上,按本發明,藉使閥金屬中所含之摻雜量抑制於 1%以下者,可減少經陽極氧化而形成之介電體氧化皮膜中 之摻雜物即皮膜之缺陷,且可一邊維持最後階段之固體電 解電容器之ESR值為最低並一邊減少漏電流,同時使用高 CV粉末,可謀求固體電解電容器之小型大電容化者。 本紙張尺度適用中國國家標準(°^) A4規格(2〗0χ297公釐) 裝......ΤΓ^^線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 583698 A7B7 五、發明説明(Π ) 丧2 ο (Ν Ο 寸 r-H r-H r-H tn τ-Η ^H VO ^H oo 寸 (N Ό vo Ο m (Ν m m 寸 〇 寸 00 (Ν OS (Ν Ο 寸 (Ν 寸 〇 〇 m O o r-H Ο Ο (Ν m ο ο 〇 00 (Ν m 00 (Ν 嘴^ J ^ 8 ω α 旦 Ο Ο τ—Η ο 寸 o 寸 o 寸 Ο 寸 Ο 寸 ο 寸 ο 寸 〇 寸 〇 寸 Ο 寸 Ο 寸 〇 寸 〇 寸 Ο in Ο 寸 ο 寸 Ο 寸 〇 in »T) 寸 Ο 寸 (Ν (Ν Ο ο 寸 ο (Ν 00 00 m (Ν 寸 Φΐ (4 ^ Ι/Ί (Ν o IT) o ID ο IT) ο in ο IT) ο ΙΓί 〇 iT) 〇 iT) ο in ο in 〇 ΙΓί 〇 IT) ο IT) ο ι/^ ο \D Ο XT) ο CT) o ο ΚΓ) Ο 〇 Ο 〇 ο 〇〇 Ο Ό 〇 寸 ο 寸 Ο CT) 辆5 5 (Ν <Ν τ—Η τ*Η r-H τ-Η r-H r-H m (Ν m 寸。 * DVD ν〇 v〇 iD ID \Γ) IT) i〇 ι〇 1/^ l〇 l〇 ι〇 1/-) ΙΛ> ID Ό Ο 〇 l/~) Ο 〇 Ό Ό Os Ο ON d (N d <N d (Ν Ο (N d CN d (Ν ο (N d (Ν d (N d (Ν Ο (Ν d (Ν d (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (Ν Ο (N d (Ν Ο ο Ο <Ν (Ν Ο Ο 〇 (Ν <Ν Ο (Ν Ο 耸制 ^ it Μ r-H H ^H r*H r-H τ-Η ^-Η r-H r-H r-H (Ν 〇〇 (Ν 〇〇 τ-Η Τ-Η 您 0 ^ 賴 AJ 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 皆 5 Μ f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f f 龄 k k k k k k k k k k k k k k k k 龄 龄 龄 龄 龄 鉍 b〇 ^ > ^ 〇 > Ο 〇 o 〇 O o 〇 O o 〇 ο ο 〇 o o 〇 o o 〇 ο ο 〇 〇 〇 〇 ο ο 〇 o o 〇 ο ο 〇 O o 〇 O o 〇 ο 〇 ο ο 〇 ο 〇 ο 〇 ο 〇 O o 〇 ο 〇 Ο 〇 Ο ο 〇 Ο ο 〇 Ο Ο 〇 〇 〇 Ο ο 〇 ο ο 〇 籴W cT 寸 cT 寸 o' 〇 ^H o' 〇 ^H θ' Ο ^-Η o' 〇 o' 〇 θ' Ο o' Ο θ' Ο o' 〇 θ' Ο o' 〇 o' 〇 cT ο θ' Ο θ' o' Ο o' o o' Ο τ·*Η θ' Ο θ' Ο θ' 00 θ' 00 〇" 00 1—H θ' Ο θ' F—Η 零A y- ^ 芝 ? ? 芝 芝 芝 芝 0's ON On Os Os as Cs Os Os as 〇> Os Os OS Os as σ> α OS as σ\ as as 〇s as as 〇\ σ> Os Os Os as 00 S as as ON as Os ο as Os Ον ΟΝ G\ Os 墙 M Ϊ ϊ M Ϊ Μ ϊ Μ M Μ ϊ Μ Μ ϊ 1 1 杯 碟 瑞 杯 碟 杷 杷 罐 碟 杷 杷 杷 你 杯 杷 杷 ? ? 1 g g I f ί ? «ο «ο »r> ξ 2 ktm ^ 1 1 已 已 已 ΟΝ 〇\ as ¥ 已 On 〇\ σ\ Q\ 0"\ 嫂w ϊ i I i I I I I i i 製¥ f ί 鲮 nr> 竣 nn 總 總 狹 狹 猓 猓 猓 狭 狹 狹 狹 狹 總 狹 狹 狹 狹 狭 狹 總 狭 拿? — (N cn 寸 卜 OO Os ο 1-Ή ^s τ-Η S /—Ν ^-H S g r—s S ^N T"H s τ-Η g τ—Η ν-Η s (Ν m (Ν s (Ν £ CN S (Ν ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ 冢 冢 餅r 额r 辭r 辭I IK aJ Jj IK IK ♦®c (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -20- 五 、發明説明( 18 [圖式之簡單說明] 之陽極槿Γ係』不習知固體電解電容器用被稱為片狀結構 之陽極構件之透視圖。 第2圖係使用習知另一形態之陽極構件之 電容器之部分截面透視圖。 曰電解質 第圖係使用本發明之陽極構件之單層電解質口 之部分截面透視圖。 、 裔 第4圖係積層使用據本發明陽極構件之電解電容 件而成之積層型固體電解質電容器之截面圖。 4 第5圖係按本發明之另一積層型固體電解 質電容器之截面圖。 u體電解 第6圖係用以顯示荡純度與漏電流之關係線 用本發明陽極構件之單層固體電解f電容器,與使 陽極構件之單層電解質電容器間漏電流之差異者。 〇 [圖中標號說明] 一裝----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1…引線 2.··陽極構件 3,7,47,57...陽極體 4,8 _ · ·陽極層 5,9…固體電解質層 6,10···陰極層 11···固體電解電容器 41,51··.固體電解電容器元件 4 2,5 2…銀極層 43,53·.·外部陰極端子 44···陰極串列介面端子 45 ·.·陽極串列介面端子 46,56.··外部陽極端子 48,58···外覆樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -21 -
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申凊專利範圍 1 ·種固體電解電容器用之陽極構件,係包含有··一純度 達99%以上之閥金屬箔製之陽極體;及一形成於前述陽 極體上且為閥金屬粉末燒結體製之陽極層。 2’如申明專利範圍第1項之固體電解電容器用之陽極構 件,其中該陽極體之表面形成有凹凸者。 如申哨專利範圍第i項之固體電解電容器用之陽極構 件’其t该閥金屬羯係使用短或銳,而冑述閥金屬粉末 燒結體則使用純度達99%以上之鈕或鈮。 4· 一種固體電解電容器,係依序層積有:-純度達99%以 上之閥金屬箔製之陽極體;一閥金屬粉末燒結體製之陽 極層;-固體電解質層;及_陰極層;且前述陽極層及 前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層。 5·如申請專利範圍第4項之固體電解^容器,其中該陽極 體之表面形成有凹凸者。 6.如申請專利範圍第4項之固體電解電容器,其中該間金 屬箱係使用鈕或鈮,而前述閥金屬粉末燒結體則使用純 度達9 9 %以上之紐或銳。 7·如申請專利範圍第4項之固體電解電容器,其中該固體 電解質層係具有導電性高分子材料。 8. —種固體電解電容器,係具有層積2個以上固體電解電 容器元件者,該固體電解電容器元件係依序層積有:一 純度達99%以上之閥金屬箱製之陽極體;一閥金屬粉末 燒結體製之陽極層;一固體電解質層;及一陰極層;且 使前述陽極層及前述陽極體各具有介電體氧化皮膜層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公复) — — — — — — II ^ --------- (請先閱讀背面之注咅2事項再填寫本頁) -22- A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 9. 一種固體電解電容器用之陽極構 具有以下步驟,即: %造方法’該方法 將純度達"%以上之閥金屬Μ之陽極體施行㈣ 處理或喷砂處理,以於該陽極體之表面形成凹凸狀態; 及 於該陽極體上形成閥金屬粉末燒結體製之陽極層。 π裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001170592A JP2002367867A (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | 固体電解コンデンサ用電極部材とその製造方法及びこれを用いた固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW583698B true TW583698B (en) | 2004-04-11 |
Family
ID=19012488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091110243A TW583698B (en) | 2001-06-06 | 2002-05-16 | An anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6522527B2 (zh) |
JP (1) | JP2002367867A (zh) |
CN (1) | CN1221993C (zh) |
SG (1) | SG98055A1 (zh) |
TW (1) | TW583698B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI674599B (zh) * | 2018-09-12 | 2019-10-11 | 鈺冠科技股份有限公司 | 堆疊型電容器組件結構 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005445B2 (en) * | 2001-10-22 | 2006-02-28 | The Research Foundation Of State University Of New York | Protein kinase and phosphatase inhibitors and methods for designing them |
US6678149B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor |
EP1592030B1 (en) * | 2003-01-31 | 2012-01-11 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing solid electrolytic capacitor |
EP1676285B1 (en) * | 2003-10-20 | 2012-03-14 | Showa Denko K.K. | Production method of a capacitor |
TWI270905B (en) * | 2004-07-14 | 2007-01-11 | Sanyo Electric Co | Solid electrolytic condenser and manufacturing method of the same |
US7106575B2 (en) * | 2004-08-26 | 2006-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
KR101000098B1 (ko) | 2004-09-29 | 2010-12-09 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 캐패시터용 전극부재, 그의 제조 방법 및 그 전극부재를구비하는 캐패시터 |
WO2006035846A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | 多孔質金属焼結体の製造方法 |
DE102005033839A1 (de) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung |
US8264819B2 (en) | 2005-08-19 | 2012-09-11 | Avx Corporation | Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them |
GB0517952D0 (en) * | 2005-09-02 | 2005-10-12 | Avx Ltd | Method of forming anode bodies for solid state capacitors |
US8414962B2 (en) | 2005-10-28 | 2013-04-09 | The Penn State Research Foundation | Microcontact printed thin film capacitors |
US7283350B2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-10-16 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount chip capacitor |
US8300386B2 (en) | 2005-12-28 | 2012-10-30 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Porous valve metal thin film, method for production thereof and thin film capacitor |
JP4879040B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-02-15 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
TWI320191B (en) * | 2006-12-29 | 2010-02-01 | Solid electrolytic capacitor and lead frame thereof | |
US7760487B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes |
US7768773B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-08-03 | Avx Corporation | Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor |
US7760488B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor |
US7852615B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-12-14 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound |
JP5137631B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-02-06 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサ用金属箔の製造方法、及び電解コンデンサ |
US8203827B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-06-19 | Avx Corporation | Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment |
TW201131601A (en) * | 2009-11-02 | 2011-09-16 | Japan Carlit Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and method for producing same |
CN102142321B (zh) * | 2010-02-03 | 2014-08-13 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 一种堆栈式固态电解电容器 |
JP2012049351A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
WO2013114759A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2022152802A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306782A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ用電極部材とこれを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3276113B1 (ja) * | 2000-05-26 | 2002-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
2001
- 2001-06-06 JP JP2001170592A patent/JP2002367867A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-16 TW TW091110243A patent/TW583698B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-31 SG SG200203259A patent/SG98055A1/en unknown
- 2002-06-04 US US10/160,258 patent/US6522527B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-06 CN CNB021228108A patent/CN1221993C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI674599B (zh) * | 2018-09-12 | 2019-10-11 | 鈺冠科技股份有限公司 | 堆疊型電容器組件結構 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002367867A (ja) | 2002-12-20 |
SG98055A1 (en) | 2003-08-20 |
CN1389883A (zh) | 2003-01-08 |
US20030007318A1 (en) | 2003-01-09 |
US6522527B2 (en) | 2003-02-18 |
CN1221993C (zh) | 2005-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW583698B (en) | An anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same | |
TW459256B (en) | Solid electrolytic capacitor and method of fabricating the same | |
US20060256506A1 (en) | Solid electrolyte capacitor and process for producing same | |
KR101083465B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
JP5072857B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
CN1883021B (zh) | 固体电解电容器 | |
WO2012017618A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
WO2007069670A1 (ja) | コンデンサチップ及びその製造方法 | |
WO2013088845A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US8018713B2 (en) | Solid electrolytic capacitor having dual cathode plates surrounded by an anode body and a plurality of through holes | |
JP2010056444A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ | |
JP5799196B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP6273492B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2004088073A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4398794B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4624017B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH06168855A (ja) | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
WO2022230818A1 (ja) | 電解コンデンサ | |
JP6476410B2 (ja) | 電解コンデンサ | |
WO2023171657A1 (ja) | 電解コンデンサ | |
JPH06204097A (ja) | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US20230402233A1 (en) | Electrolytic capacitor | |
JP4947888B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4942837B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2003272958A (ja) | 固体電解コンデンサ用電極部材とこれを用いた固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |