JP2012049351A - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低いＥＳＲを有する固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】固体電解コンデンサ１は、陽極端子１８と、陽極端子１８上に形成された弁作用金属の多孔質体からなる陽極１２と、陽極１２上に形成された誘電体層１４と、誘電体層１４上に形成された陰極１５とを備えている。陽極端子１８は、端子本体１８ａと、端子本体１８ａの表面上に形成された弁作用金属層１８ｂとを有する。陽極端子１８の表面には、凹部１７が形成されている。凹部１７内に陽極１２が形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、固体電解コンデンサ及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の高性能化に伴い、固体電解コンデンサに対する高性能化の要求も高まってきている。なかでも、固体電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ：Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）のさらなる低減に対する要求が特に高まってきている。

従来最も広く用いられている固体電解コンデンサは、弁作用金属からなる多孔体により構成されている陽極に円柱状の陽極端子の一部が埋設されたものである。しかしながら、この固体電解コンデンサでは、陽極端子の横断面積が小さくなるばかりか、陽極端子と陽極との接触面積も小さくなるため、陽極と陽極端子との接触部の電気抵抗を低くすることが困難である。よって、陽極端子の一部が陽極中に埋設されている固体電解コンデンサでは、ＥＳＲを十分に低くすることが困難である。

円柱状の陽極端子の一部が陽極中に埋設されている固体電解コンデンサ以外の形態を有する固体電解コンデンサとしては、例えば、直方体状の陽極の一の表面に接合されている板状の陽極端子を有する固体電解コンデンサが挙げられる（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００４−２４１４３５号公報

上記特許文献１に記載の固体電解コンデンサでは、陽極と陽極端子との接触面積を大きくできるため、ＥＳＲを低減することができる。しかしながら、固体電解コンデンサのＥＳＲをさらに低減したいという要求がある。

本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低いＥＳＲを有する固体電解コンデンサを提供することにある。

本発明に係る固体電解コンデンサは、陽極端子と、陽極と、誘電体層と、陰極とを備えている。陽極は、陽極端子上に形成された弁作用金属の多孔質体からなる。誘電体層は、陽極上に形成されている。陰極は、誘電体層上に形成されている。陽極端子は、端子本体と、弁作用金属層とを有する。弁作用金属層は、端子本体の表面上に形成されている。陽極端子の表面には、凹部が形成されている。凹部内に陽極が形成されている。

このように、本発明に係る固体電解コンデンサでは、陽極端子の表面に形成された凹部内に陽極が形成されている。このため、陽極端子の表面に凹部が形成されていない場合と比較して、陽極と陽極端子との接触面積を大きくすることができる。従って、陽極と陽極端子との接触部の電気抵抗を低くすることができる。その結果、固体電解コンデンサのＥＳＲをさらに低減することができる。

本発明に係る固体電解コンデンサでは、端子本体の表面に凹部が形成されていることが好ましい。

本発明に係る固体電解コンデンサには、凹部が複数形成されており、陽極が複数の凹部のそれぞれ内に分断して形成されていることが好ましい。この場合、陽極の応力が分断される。このため、陽極と陽極端子との間に生じる応力を小さくすることができる。よって、陽極と陽極端子との剥離や、陽極の破壊などを抑制することができる。従って、固体電解コンデンサの信頼性をより効果的に改善することができる。

本発明に係る固体電解コンデンサは、陽極端子と、陽極と、誘電体層と、陰極とを有するコンデンサ素子を複数備えていてもよい。この構成によれば、固体電解コンデンサの静電容量をより大きくすることができる。

本発明に係る固体電解コンデンサでは、凹部は、陽極端子の表面から内部に向かって先細り状に形成されていることが好ましい。この場合、弁作用金属層を、端子本体の上に形成することが容易となる。また、凹部の側壁と陽極との接合を確実に図ることができる。

本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、陽極端子に凹部を形成する。弁作用金属の多孔質体からなる陽極を凹部内に形成する。陽極を陽極酸化することにより、陽極上に誘電体層を形成する。誘電体層上に陰極を形成する。本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法によれば、ＥＳＲが低い固体電解コンデンサを製造することができる。また、陽極と陰極とが確実に絶縁されており、漏れ電流が抑制された固体電解コンデンサを製造することができる。

本発明によれば、低いＥＳＲを有する固体電解コンデンサを提供することができる。

第１の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的斜視図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 第１の実施形態に係る固体電解コンデンサの一部分を拡大した略図的断面図である。 図２の線ＩＶ−ＩＶに記載の略図的断面図である。 第２の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。 第３の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。 第４の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。 第５の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。 第６の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的斜視図である。 第７の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。

以下、本発明の実施形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は、単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。図３は、第１の実施形態に係る固体電解コンデンサの一部分を拡大した略図的断面図である。図４は、図２の線ＩＶ−ＩＶに記載の略図的断面図である。なお、図１においては、固体電解コンデンサの内部構造の描画を省略している。

まず、図１〜図４を参照しながら、本実施形態に係る固体電解コンデンサ１の構成について説明する。

図２に示すように、固体電解コンデンサ１は、コンデンサ素子１１を備えている。コンデンサ素子１１は、陽極１２と、誘電体層１４と、陰極層１５と、陽極端子１８とを備えている。

図３に示すように、陽極１２は、弁作用金属を含む多孔質体からなる。具体的には、陽極１２を構成している多孔質体は、弁作用金属からなるものであってもよいし、弁作用金属を含む合金からなるものであってもよいし、例えば一酸化ニオブなどの弁作用金属の酸化物からなるものであってもよい。陽極１２を構成している多孔質体が弁作用金属を含む合金からなる場合は、弁作用金属が５０質量％以上含まれていることが好ましい。

なお、弁作用金属の具体例としては、例えば、ニオブ、タンタル、チタン、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。なかでも、チタン、タンタル、アルミニウム、ニオブは、原料の入手が容易であるため、弁作用金属としてはこれらの金属を用いることが好ましい。

図２に示すように、陽極１２は、板状の陽極端子１８の上に形成されている。陽極端子１８は、端子本体１８ａと、弁作用金属層１８ｂとを有する。

端子本体１８ａは、例えば、銅、タングステン、ニッケル、チタン、銀、金、プラチナ、ロジウムなどの金属や、これらの金属のうちの一種以上を含む合金などの導電材料により形成することができる。端子本体１８ａは、弁作用金属層１８ｂの材料よりも電気抵抗の低い材料で形成されていることが好ましく、なかでも、電気抵抗が低く、安価である銅や、電気抵抗が低く、抗折強度が高いニッケル合金により形成されていることが好ましい。

弁作用金属層１８ｂは、端子本体１８ａの一方の表面１８ａ１（図２を参照）の上に形成されている。本実施形態では、この弁作用金属層１８ｂによって端子本体１８ａの表面１８ａ１が覆われている。このため、弁作用金属層１８ｂによって、陽極端子１８の表層が構成されている。

弁作用金属層１８ｂは、弁作用金属を含む。具体的には、弁作用金属層１８ｂは、例えば、弁作用金属や弁作用金属を含む合金により形成することができる。なお、弁作用金属層１８ｂに好ましく使用される弁作用金属としては、上記陽極１２の材料として列記した上記弁作用金属が挙げられる。

弁作用金属層１８ｂの厚みは、特に限定されない。弁作用金属層１８ｂの厚みは、例えば、０．２μｍ〜１μｍ程度とすることができる。

弁作用金属層１８ｂにより構成されている陽極端子１８の一の表面１８ｃには、複数の凹部１７が形成されている。具体的には、端子本体１８ａの表面に凹部が形成されており、その上に弁作用金属層１８ｂが形成されることにより、凹部１７が形成されている。

上記陽極１２は、凹部１７内に形成されている。具体的には、本実施形態では、陽極１２は、凹部１７の上を含む、表面１８ｃの全体の上に、表面１８ｃに接触するように形成されている。これにより、陽極１２と陽極端子１８とが電気的接続されている。

なお、本実施形態では、凹部１７は、陽極端子１８の表面から内部に向かって先細り形状に形成されている。すなわち、凹部１７は、先端側に向かって先細り状に形成されている。具体的には、凹部１７は、断面略逆台形状に形成されている。凹部１７の底角θの大きさは、特に限定されないが、例えば、４５°〜６０°の範囲内であることが好ましい。

凹部１７の深さは、例えば、１００μｍ〜５００μｍ程度であることが好ましい。また、凹部１７の深さの陽極端子１８の厚みに対する比（（凹部１７の深さ）／（陽極端子１８の厚み））は、０．５〜２程度であることが好ましい。

図２及び図３に示すように、陽極１２及び弁作用金属層１８ｂの表面上には、弁作用金属の酸化物からなる誘電体層１４が形成されている。具体的には、本実施形態では、弁作用金属層１８ｂは、陽極１２及び弁作用金属層１８ｂの表層が酸化されることにより形成されたものである。

なお、描画の便宜上、図２においては、誘電体層１４は、模式的に描画されている。実際は、図３に示すように、誘電体層１４は、陽極１２及び弁作用金属層１８ｂの外表面のみならず、陽極１２の内部の空隙に面する表面（以下、「内面」とする。）上にも形成されている。

誘電体層１４の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。誘電体層１４の厚みが厚すぎると、静電容量が低下する場合がある。また、誘電体層１４の陽極１２からの剥離が生じやすくなる場合がある。一方、誘電体層１４の厚みが薄すぎると、耐電圧が低下すると共に、漏れ電流が増大する場合がある。

誘電体層１４の上には、陰極層１５が形成されている。陰極層１５は、導電性高分子層１５ａを含む。具体的には、本実施形態においては、陰極層１５は、導電性高分子層１５ａと、カーボン層１５ｂと、銀層１５ｃとの積層体により構成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。陰極層は、例えば、導電性高分子層１５ａのみにより構成されていてもよいし、導電性高分子層１５ａと、カーボン層１５ｂ及び銀層１５ｃのうちの一方とにより構成されていてもよい。

導電性高分子層１５ａは、誘電体層１４の上に形成されている。詳細には、図３に示すように、導電性高分子層１５ａは、陽極１２の内部にも形成されている。すなわち、陽極１２の外表面上に形成されている誘電体層１４の上のみならず、陽極１２の内面の上に形成されている誘電体層１４の上にも形成されている。

導電性高分子層１５ａは、例えば、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子により形成することができる。

カーボン層１５ｂは、導電性高分子層１５ａの上に形成されている。詳細には、カーボン層１５ｂは、導電性高分子層１５ａの陽極１２の外面上に形成されている部分の上に形成されている。銀層１５ｃは、カーボン層１５ｂの上に形成されている。

図２に示すように、陰極層１５には、導電性接着剤により陰極リードフレーム２０が接続されている。一方、陽極端子１８には、導電性接着剤により陽極リードフレーム１３が
接続されている。なお、導電性接着剤は、特に限定されないが、例えば、銀微粒子を含む銀ペーストなどであってもよい。

コンデンサ素子１１は、樹脂モールドされている。すなわち、コンデンサ素子１１は、樹脂外装体１０により覆われている。これにより、コンデンサ素子１１が封止されている。なお、陽極リードフレーム１３及び陰極リードフレーム２０は、固体電解コンデンサ１の裏面１ａにまで引き出されている。

樹脂外装体１０は、コンデンサ素子１１を封止することができるものであれば特に限定されない。樹脂外装体１０は、例えば、電子部品用の封止剤として用いられている熱硬化性樹脂組成物により形成することができる。熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、電子部品用の封止剤として用いられている熱硬化性樹脂組成物には、通常、シリカ粒子などの充填剤、フェノール樹脂などの硬化剤、イミダゾール化合物などの硬化促進剤、シリコーン樹脂などの可撓化剤などが含まれている。

次に、本実施形態に係る固体電解コンデンサ１の製造方法の一例について説明する。

まず、凹部１７が形成されている板状の陽極端子１８を用意する。具体的には、まず、端子本体１８ａを構成するための銅板などの金属板を用意する。次に、その金属板に凹部を形成することにより端子本体１８ａを作製する。凹部の形成方法は、特に限定されない。凹部は、例えば、ドリルなどの研削手段を用いて、機械的に形成する、あるいは、プレス加工等により形成することができる。また、凹部は、例えば、炭酸ガスレーザー等のレーザー光を照射することにより形成することができる。なお、照射する炭酸ガスレーザーの出力は、例えば、１０ｍＪ〜６ｍＪ程度とすることができる。

レーザー光の照射による凹部の形成工程においては、照射するレーザー光のエネルギーを調整することにより、得られる凹部の形状を制御することができる。具体的には、パルス状のレーザー光を複数回照射することにより、凹部を形成することができる。その際、照射するパルス状のレーザー光の出力を照射毎に徐々に弱くしていくことにより、内部に向かって先細り形状の凹部を形成することができる。なお、レーザー光の出力分布によっては、凹部の底面が中央部付近で深くなる形状となる場合もある。すなわち、凹部の底面は、平坦でない場合もある。

なお、上記レーザー光の照射による凹部の形成工程において、バリが発生した場合は、例えば、過酸化水素・硫酸を主体としたエッチング液などのエッチング液を用いてエッチングすることによりバリを除去することができる。

次に、端子本体１８ａの上に、弁作用金属層１８ｂを形成することにより、凹部１７が形成されている陽極端子１８を完成させる。弁作用金属層１８ｂの形成方法は特に限定されない。弁作用金属層１８ｂは、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。

次に、陽極端子１８の上に、弁作用金属の多孔質体からなる陽極１２を形成する。陽極１２は、凹部１７内にも形成されるようにする。具体的には、陽極１２は、例えば、以下のような方法で形成することができる。まず、バインダーと溶媒とを含む溶液に弁作用金属を含む粉末を添加し、分散機や混練機を用いて弁作用金属を含む粉末を分散させ、スラリーを形成する。このスラリーを陽極端子１８の弁作用金属層１８ｂの上に、スクリーン
印刷法などにより塗布した後に、乾燥、脱脂及び焼成することにより陽極１２を形成することができる。

なお、使用する弁作用金属を含む粉末の粒子径は、例えば、０．０８μｍ〜１μｍ程度であることが好ましく、０．２μｍ〜０．５μｍ程度であることがより好ましい。この粉末の粒子径が大きすぎると、得られる陽極１２の単位体積当たりの表面積が小さくなる傾向にある。一方、粉末の粒子径が小さすぎると、多孔質体に形成される空隙が小さくなりすぎる場合がある。

また、スラリーに添加するバインダーの具体例としては、例えば、アクリル系樹脂や、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）や、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリ酢酸ビニルなどが挙げられる。

スラリーの焼成温度は、用いる弁作用金属の種類や、粉末の粒子径などに応じて適宜設定することができる。スラリーの焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃程度とすることができる。焼成温度が低すぎると、バインダー等が残留してしまう場合がある。一方、焼成温度が高すぎると、焼成が進みすぎて形成される空隙が少なくなってしまう場合がある。

次に、一体形成された陽極１２及び陽極端子１８を、リン酸などを含む水溶液に浸漬することにより表層を陽極酸化することにより誘電体層１４を形成することができる（化成工程）。なお、陽極端子の表面が弁作用金属を含んでいない場合は、陽極端子の表面の露出部の上に誘電体層が形成されない場合がある。従って、陽極端子１８と陰極層１５とが電気的に短絡してしまう場合がある。それに対して、本実施形態では、陽極端子１８の表層が弁作用金属を含んでいるため、表層の上にも確実に誘電体層１４が形成される。従って、陽極端子１８と陰極層１５とが電気的に短絡してしまうことを効果的に抑制することができる。

次に、誘電体層１４の上に、陰極層１５を形成する。具体的には、まず、導電性高分子層１５ａを形成する。導電性高分子層１５ａは、例えば、化学重合法や、電解重合法により形成することができる。例えば、化学重合法を用いる場合、酸化剤を用いてモノマーを酸化重合することにより、導電性高分子層１５ａを形成する。

次に、カーボン層１５ｂの形成を行う。具体的には、導電性高分子層１５ａの上に、カーボンペーストを塗布し、乾燥させることによりカーボン層１５ｂを形成する。続いて、カーボン層１５ｂの上に、銀ペーストを塗布し、乾燥させることにより、銀層１５ｃを形成する。

次に、陽極リードフレーム１３及び陰極リードフレーム２０の接続を行う。最後に、樹脂外装体１０を形成し、固体電解コンデンサ１を完成させる。

以上説明したように、本実施形態では、陽極端子１８の表面１８ｃに凹部１７が形成されており、表面１８ｃの表面積が大きくされている。そして、その大きな表面積を有する表面１８ｃの上に陽極１２が形成されている。このため、表面１８ｃに凹部１７が形成されていない場合よりも、陽極１２と陽極端子１８との接触面積を大きくすることができる。従って、陽極１２と陽極端子１８との接触部の電気抵抗を低くすることができる。その結果、固体電解コンデンサ１のＥＳＲをさらに低減することができる。

陽極１２と陽極端子１８との接触面積を大きくする観点からは、底角θが大きいことが好ましい。このため、底角θは、４５°以上であることが好ましい。また、底角θを４５
°以上とすることによって、陽極１２の体積を大きくすることができる。従って、静電容量を大きくすることができる。

但し、底角θが大きすぎると、凹部１７の側壁の上に、弁作用金属層１８ｂを適切な厚みで形成することが困難となる。凹部１７の側壁の上に、弁作用金属層１８ｂを形成できたとしても、側壁の上における弁作用金属層１８ｂの厚みが薄くなりすぎる場合がある。その場合は、陽極端子１８の表面の露出部に誘電体層１４が好適に形成されない場合がある。従って、漏れ電流が大きくなりすぎる場合がある。また、凹部１７の側壁における陽極１２と陽極端子１８との接合強度も低くなり、得られる静電容量が小さくなりすぎたり、固体電解コンデンサの信頼性が低くなってしまったりする場合がある。また、底角θが大きすぎると、凹部の両側の角部に応力が集中しやすく、信頼性が低下してしまう場合がある。従って、凹部１７は、陽極端子１８の表面から内部に向かって先細り状に形成されていることが好ましい。さらには、底角θが６０°以下であることが好ましい。

また、陽極１２のうち、凹部１７の上に位置する部分と、凹部１７以外の部分の上に位置する部分とで厚みが異なる。このため、例えば、凹部１７が設けられておらず、陽極１２が均一な厚さで形成されている場合よりも陽極１２の応力を小さくすることができる。よって、陽極１２と陽極端子１８とが剥離することを抑制することができる。また、陽極１２の破壊も抑制することができる。従って、固体電解コンデンサ１の信頼性を効果的に改善することができる。

また、本実施形態では、図４に示すように、平面視において、固体電解コンデンサ１の中央部には凹部１７が設けられていない。従って、固体電解コンデンサ１の中央部においては、陽極１２の厚みが小さい。従って、固体電解コンデンサ１に外力が付与され、中央部に大きな応力が印加された場合であっても、陽極１２が剥離したり、破壊されたりすることをより効果的に抑制することができる。従って、より高い信頼性を実現することができる。

本実施形態の固体電解コンデンサ１の製造方法では、弁作用金属を含む陽極端子１８の表層上に陽極１２を形成してから、陽極酸化を行うことにより、誘電体層１４を形成する。このため、弁作用金属を含む陽極端子１８の表層の露出部にも誘電体層１４を確実に形成することができる。従って、漏れ電流の抑制された固体電解コンデンサ１を容易に製造することができる。

以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。

上記第１の実施形態では、陽極端子１８の凹部１７以外の部分の上にも陽極１２が形成されている場合について説明したが、第２の実施形態では、図５に示すように、陽極端子１８に形成されている複数の凹部１７のそれぞれ内に陽極１２が独立して形成されている。すなわち、陽極１２が複数の凹部１７のそれぞれ内に分断して形成されているため、陽極１２の応力を複数に分断することができる。従って、陽極１２と陽極端子１８とが剥離したり、陽極１２が破壊されたりすることをより効果的に抑制することができる。

但し、この場合は、陽極１２の体積が小さくなるため、陽極１２の表面積も小さくなる。従って、静電容量が小さくなる傾向にある。大きな静電容量を得る観点からは、第１の
実施形態のように、陽極端子１８の凹部１７以外の部分の上にも陽極１２が形成されていることが好ましい。

（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。

上記第１の実施形態では、凹部１７を２個形成する例について説明したが、第３の実施形態では、図６に示すように、３個以上の凹部１７がマトリクス状に形成されている。この場合においても、上記第１の実施形態と同様に、固体電解コンデンサ１の平面視における中央部には凹部１７を形成しないことが好ましい。

なお、本実施形態では、凹部１７を８個形成する例について説明したが、凹部１７を３２個形成するようにしてもよい。

（第４及び第５の実施形態）
図７は、第４の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。図８は、第５の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。

上記第１の実施形態では、固体電解コンデンサ１が一つのコンデンサ素子１１を備えている例について説明したが、第４及び第５の実施形態では、図７や図８に示すように、固体電解コンデンサは、複数のコンデンサ素子１１を有している。この構成によれば、固体電解コンデンサの静電容量をより大きくすることができる。なお、ひとつの固体電解コンデンサ内に複数のコンデンサ素子１１を設ける場合、複数のコンデンサ素子１１を積層して設けることが好ましい。その場合において、例えば、図７に示すように、複数のコンデンサ素子１１を陽極端子１８側が同じ方向を向くように配列してもよい。また、図８に示すように、複数のコンデンサ素子１１を陽極端子１８側が積層方向の一方側を向くものと、他方側を向くものとを交互に積層してもよい。そうすることにより、陽極リードフレーム１３または陰極リードフレーム２０のコンデンサ素子１１に積層されている部分１３ａ、２０ａを、積層方向において隣り合うコンデンサ素子１１間で共通化することができる。その結果、固体電解コンデンサを低背化することができる。

なお、図７に示す固体電解コンデンサでは、陽極リードフレーム１３と陰極リードフレーム２０との間には、絶縁層１６が設けられている。この絶縁層１６によって、陽極リードフレーム１３と陰極リードフレーム２０とが絶縁されている。

（第６の実施形態）
図９は、第６の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的斜視図である。なお、図９においては、固体電解コンデンサの内部構造の描画を省略している。

上記第１の実施形態では、固体電解コンデンサの裏面１ａにおいて、陰極リードフレーム２０と陽極リードフレーム１３とが直線状に対向して配置されている例について説明したが、第６の実施形態では、図９に示すように、固体電解コンデンサの裏面１ａにおいて、陰極リードフレーム２０と陽極リードフレーム１３とが対向しないように、陰極リードフレーム２０と陽極リードフレーム１３とが形成されている。

（第７の実施形態）
図１０は、第７の実施形態に係る固体電解コンデンサの略図的断面図である。

上記第１の実施形態では、陰極リードフレーム２０が、固体電解コンデンサ１の片側に１カ所だけ露出している例について説明したが、第７の実施形態では、図１０に示すよう
に、陰極リードフレーム２０が、固体電解コンデンサの両側に２カ所露出している。具体的には、本実施形態では、固体電解コンデンサの裏面１ａにおいて、陰極リードフレーム２０の露出している部分の間に、陽極リードフレーム１３が露出している。すなわち、本実施形態の固体電解コンデンサは、所謂３端子型のコンデンサである。

１…固体電解コンデンサ
１０…樹脂外装体
１１…コンデンサ素子
１２…陽極
１３…陽極リードフレーム
１４…誘電体層
１５…陰極層
１６…絶縁膜
１５ａ…導電性高分子層
１５ｂ…カーボン層
１５ｃ…銀層
１７…凹部
１８…陽極端子
１８ａ…端子本体
１８ｂ…弁作用金属層
１８ｃ…陽極端子の表面
２０…陰極リードフレーム

Claims (6)

1. 陽極端子と、
   前記陽極端子上に形成された弁作用金属の多孔質体からなる陽極と、
   前記陽極上に形成された誘電体層と、
   前記誘電体層上に形成された陰極とを備え、
   前記陽極端子は、端子本体と、端子本体の表面上に形成された弁作用金属層とを有し、
   前記陽極端子の表面には、凹部が形成されており、前記凹部内に前記陽極が形成されている、固体電解コンデンサ。
2. 前記端子本体の表面に凹部が形成されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
3. 前記凹部が複数形成されており、
   前記陽極が前記複数の凹部のそれぞれ内に分断して形成されている、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
4. 前記陽極端子と、前記陽極と、前記誘電体層と、前記陰極とを有するコンデンサ素子を複数備えた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
5. 前記凹部は、前記陽極端子の表面から内部に向かって先細り状に形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
6. 凹部が形成されている陽極端子を用意する工程と、
   弁作用金属の多孔質体からなる陽極を前記凹部内に形成する工程と、
   前記陽極を陽極酸化することにより、前記陽極上に誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層上に陰極を形成する工程とを備えた、固体電解コンデンサの製造方法。

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