TW583225B - Block copolymer and high molecule ligh emitting element - Google Patents

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583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 A7 _______________ 五、發明說明（1 ) [技術領域] 本發明係有關於固態而具螢光之嵌段共聚物及其製造 方法，以及使用該嵌段共聚物之高分子發光元件（以下或 稱高分子LED)。 [先行技術] 高分子發光材料（高分子螢光體）因可溶於溶劑而與低 分子系發光材料不同，而可以塗布法形成發光元件之發光 層，已多受研討例如聚芴（jpn. j· Appl. Phys.第30卷， L1941頁（1991年））、聚對亞苯衍生物（Adv. Mater.第4卷， 36頁（1992年））等聚亞芳系高分子螢光體已具揭示。 被用作高分子螢光體，固態具螢光之嵌段共聚物，有 例如日本專利特表平8-505 167所揭示之聚噻吩不介以冗- 冗共輛結構而嵌段結合之欲段共聚物，特表平12-60660 之聚乙烯主鏈有咔唑基取代之嵌段與含呃二唑取代基取代 之散段所構成之共聚物。另外，特開2〇〇〇·159846也揭示， 具電洞輸送性及電子輸送性之單體交互共聚而成之嵌段， 與具電洞輸送性之單體聚合而成之嵌段共聚而得之嵌段共 聚物。更於特表平8-510483揭示有亞苯亞乙烯共聚物 (PPV) 〇 然而，嵌段與喪段間，以共輛結構連結之喪段共聚物 則未有所知。 上述之習知嵌段共聚物之製造方法，有將嵌段部聚合 後導入官能基，再與其它喪段反應之製程之方法（特表平 8-505 167) •’被認為難以切實構建嵌段部之方法（特表平 本紙浪义度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)"—" "— --- 313627 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) iMW,------訂---------線！ 583225

五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 11-60660、特表平 8-510483、特開 2000-159846)。任一者 均有煩雜之問題。 本發明之目的在提供，固態具螢光而嵌段與嵌段間以 共概結構結合之新穎嵌段共聚物，及使用該嵌段共聚物之 咼分子發光元件（以下或稱為高分子LED)。 [發明之揭示] 亦即本發明係有關含2個以上之嵌段、固態具螢光之 嵌段共聚物，其特徵為其嵌段可為相同或不同，各嵌段内 有1種以上重複單元構造以共概結構結合，叙段與後段間 以具共扼結構之接合單元連結，並且，至少一嵌段之聚苯 乙烯換算數均分子量在IX 1〇3至1X 1〇8。 又本發明係有關，含2個以上嵌段、固態而具螢光之 嵌段共聚物，其特徵為該嵌段至少有互異2者，其各嵌段 内有1種以上之重複單元構造以共軛結構結合，並且，至 ’ 欣#又之1本乙烯換箅數均分子量在1χ 1〇3至1〇8。 而該嵌段共聚物之至少一嵌段其較佳聚苯乙烯換算數均分 子量在2χ 1〇3至1X 1〇8。 又再’本發明之叙段共聚物係以含2個以上嵌段之嵌 段共聚物，其中有不同2者，各嵌段内有1個以上重複單 元以7Γ - 7Γ共輛結構連結，固態而具螢光，喪段與叙段間 亦以7Γ - 7Γ共軛結構連結者為較佳。 本發明之散丨又共聚物，有例如下述一般式（1 a)所表 者0 -A-block-(B)-block-C 本紙張尺度1¾財關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (la) 2 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線！ 583225 A7 B7 五、發明說明（3 ) (式中A、C示相同或不同之嵌段，b示嵌段以外之接合 單元，具共軛結構。） A及C僅由1種重複單元構成時，a及C具同一重 複單元a時，接合單元以B表示，該嵌段共聚物即如 -aaaaaaa-bloek_B-block- 所示。 若A與C不同，則接合單元B可有可無。此時以構 成A之重複單元為a，構成C之重複單元為c，則該嵌段 共聚物如 -aaaaaaa-block-B-block-cccccccc- 或 aaaaaaa-block-cccccccc- 所示 A及C之任一由2種以上重複單元構成時，接合單 元B可有可無。 例如，構成A之重複單元為a及c，構成C之重複單 元為c時，欲段共聚物如 -accacaaaca-block-B-block-cccccccc- 或 -accacaaaca-block- cccccccc-所示。此時構成A及C之c可係相同或不同，構成A之 重複單元a、c可係規則排列或隨機排列。 A及C均以2種以上重複單元構成時，若A及C係 由同一重複單元構成，則有接合單元B。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 583225 A7 ---- B7 五、發明說明（4 ) 例如，構成A、C二者之重複單元均係a及c時，嵌 段共聚物如 -accacaaaca-block-B-block-accacacaaa- 所示。 構成A、C之重複單元a、c可係規則排列或隨機排 列。 A及C二者均由2種以上重複單元構成時，構成A 之重複單元中至少其1不含於構成C之重複單元，或， 構成C之重複單元中至少其1不含於構成a之重複單元 時’上述一般式（la)中之接合單元B可有可無。 例如，構成A之重複單元為a、b及c，構成C之重 複單元為a及c時，後段共聚物如 -acbacabacab-block-B-block-accacaaca- 或 acbacabacab-block-accacaaaca- 所示。 上述例中，若係具接合單元B之嵌段共聚物時，接 合單元與接合單元之間稱作嵌段。 本發明之嵌段共聚物係固態具螢光，例如上述一般式 (la)所表之嵌段共聚物。式中A、C表相同或不同嵌段， B表嵌段以外，具共軛結構之接合單元。又，一般式（la) 所示聚合物薄膜之螢光高峰波長係以比僅含嵌段A之聚 合物薄膜之螢光高峰波長，或僅含嵌段C之聚合物薄膜 之螢光高峰波長中任一者較長5奈米以上為佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583225 A7 B7 五、發明說明（5 ) 又再’本發明之嵌段共聚物係固態具螢光，例如下述 一般式（lb)之嵌段共聚物。 -A-blockC- (lb) 在此，A及C表互異嵌段，嵌段與嵌段間共軛鏈不間斷 而以直接結合連結。式（lb)之聚合物薄膜其螢光高峰波長 係以比僅含嵌段A之聚合物薄膜之螢光高峰波長大5奈 米以上為佳。 本發明中，具2個以上嵌段之嵌段共聚物，有至少一 組相鄰之嵌段D、E時，僅各由其嵌段形成之聚合物其最 低非占有軌道（LUMO)舆最高占有軌道（H〇M〇)之值作比 較時，係以 HOMO(D)>HOMO(E) LUMO(D)>LUMO(E) 之關係成立者為特佳。 比較HOMO值之大小關係之方法，差值夠大時，可 藉計算或實測求出離子化勢，相當於工作函數之值作比 較。又，比較LUMO值之大小關係之方法，差值夠大時， 可藉計算或實測求出電子親和力之相當值作比較。以下本 案中所包含之此等參數，各簡稱為H〇M〇、LUM〇。 求出HOMO、LUMO之方法，已知有ups(紫外線光 電子分光法）、以分子執道法計算之方法等。以分子執道 法计算之方法，若將來可具充分之精度應可成為理想方 法，但目前仍難以用於複雜之高分子。以採用ups或以 一下所示方法求出為佳。例如’關於ϋΡ3有例如P〇1ymer f〇r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公麓j------ 313627 C請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁)

--I I I I 訂------II I 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 5 583225 A7

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7 313627 583225 A7 B7 五、發明說明（8 ) 之值。 本發明之嵌段共聚物，更佳者乃重複單元以共軛結構 結合形成之上述式（la)或（lb)之嵌段A及C中至少其一具 有由下述式（2)及式（3)構成之重複單元構造。 •ArCR«|—— CRg ^ (2) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 (在此Aq係亞芳基或2價雜環化合物基，該亞芳基或2 價雜環化合物基亦可有取代基。Ri、R2各自獨立，示選 自氫原子、烷基、芳基、1價雜環化合物基及氰基所成群 組之基，該芳基、1價雜環化合物基亦可具取代基。η係 0 或 1。） -Ar2-(CR3 = CR4)m_ (3) (在此，Aq係下述一般式（4)之2價芳族胺基。&、&各 自獨立表示如同R^、R2之基，或1。） -Ar3-N(Ar4)-Ar5- (4) (在此Ar*3及Aq各自獨立表示亞芳基、下述一般式（5)之 芳族化合物基、或下述一般式（6)之具芳族胺骨架之基， 示芳基、下述一般式（7)之具芳族胺骨架之基、或如下述 一般式（8)之具芳族亞乙烯骨架之基。而A。與之間、 An與Ah之間、或Ah與Ars之間亦可形成環。 如 αγ6—Ar7— I I 1 Re (5) _(式中八~及Ar7各自獨立表示亞芳基，該亞芳其n右 本紙張尺度_中關家標準（CNS)A4規格⑽X 297"公« )---丞邓勺碉 313627 (請先閱讀背面之注音？ί項再填寫本頁) ---------訂---------線 — · 8 583225 A7 B7 五、發明說明（ 代基。115及r6各自獨立表示如同Ri、R2之基，】係〇或

Ini -Ar8-N一Ar9-Ar10 ⑹ (在此A。及Aq各自獨立表示亞关其斗，★ _也丁兑方基，該亞芳基可有取代 基。Ar1G係可有取代基之芳基。 万丞又，八1*8與Ari。之間、Ar: 與A。之間、或Aq與Ar1()之間亦可形成環。

-Ar”H _R7 ⑺ (在此八〜示亞芳基，該亞芳基亦可有取代基。^及& 各自獨立表示如同Ri、r2之基，而斛"與&之間、从 與R8之間、或R7與Rs之間亦可形成環。） 4-Ar12-9=9^)一Ar13I I p 白9白10 ⑻ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f ------訂-----I---線i · 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 9 (式中αΓι2及Ari3各自獨立表示亞芳基，該亞芳基亦可有 取代基。I及r1g各自獨立表示Rl、R2之基，？係〇或卜） 上述式（3)之A。係以下述式（9)者為佳。 -(Ar 14-N(Ar!5))t- Ar16- (9) (在此Ah及Arle表示如同Ars及Ah之基，ΑΓι5表示如 同Ar4之基。t係！或2。） 轉明中，具共軛結構之接合單元B若非嵌殺之一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】G x 297公爱丁 " --- 313627 583225 Α7

部份之共㈣即無特殊限制’以上述式（2)之亞芳基、2價 雜環化合物基、亞芳亞乙嫦基、上述式⑺及（9)之2價芳 族胺基等為佳。 接。單;^’右上述式⑺中G時以及上述式（3) 中m係G時’係以具下述―般式⑽之構造為佳。 _Ar” 丨"二1 ΑΓι8- R” R12 (10) (式中Arp、Aris係亞芳基或2價雜環化合物基，R"& & 表如同K及R2之基。） 上述式（2)中n係1時以及上述式（3)中m係丨時接 合單元B係以具下述一般式（11)之構造為佳。

Ar 19* (11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中ΑΓΐ9係亞芳基或2價雜環化合物基。） 本發明之嵌段共聚物之製造方法，若可達成上述構造 即無特殊限制，用以下方法時，於構造控制上較佳。 [1] 其特徵為分子内有可互相反應之2反應活性基（Xi、χ2 之單體（I)，與分子内有與該反應活性基（Χι、χ2)反應可產 生結合之反應活性基（Χ3)及該反應活性基（Χι、χ2)與（χ3) 反應可產生結合之反應條件下不反應之基（YJ之單體（Π) 反應得分子末端有基（Υ〇之初聚物，於基（Yl)間反應可產 生結合之條件下反應之嵌段共聚物之製造方法。及 [2] 其特徵為，分子内有可互相反應之2反應活性基（X〆 X2)之單體（I)，與分子内有與該反應活性基（Xi、χ2)反應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 313627 ---------訂---------線！ 583225 A7

五、發明說明（U ) 可產生結合之反應活性基（X3)及該反應活性基（Χι、χ2)反 應可產生結合之反應條件下不反應之基（Υι)之單體（H)反 應而得分子末端有基（γ〇之初聚物，與分子内有與基（Υι) 反應可產生結合之2基（Υ2、Yd之單體（Ιπ)，於基\與 Y2及Y3反應可產生結合之條件下反應之礙段共聚物之製 造方法。 本發明之製造方法無特別之限制，但較佳者為基（Yi、 Y2、Y3)間之反應可產生；Γ _ π結合，更佳者為π _兀結合 係雙鍵或芳基-芳基結合。 本發明之製造方法中，所用單體之構造無特別之限 制’以具如下構造者為佳。亦即，以選自下述一般式（j 2) 之1種以上單體（I)’與選自下述一般式（13)之1種以上單 體（II)反應得初聚物後’再進行1種以上之初聚物間之反 應，或與一般式（14)所表之！種以上單體（111)反應為佳。 又，有反應活性基之聚合物，依構成其聚合物之重複 單元Ar2G之種類，可形成單聚物或共聚物。 重複單元Ar^由單一化合物構成時係形成單聚物， 而重複單元At*2。由2種以上化合物構成時，通常係形成 交互共聚物或隨機共聚物。 較佳單體（I)係如下述一般式（12)所示。 X!-Ar20.X2 (12) (在此，X!、X2示相互反應可產生結合之反應活性基，這 些可係相同或不同。Αγ20示同上Aq之基。） 單體（II)之較佳者係如下述一般式（13)所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —-----訂---------^線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 583225 A7 B7 五、發明說明（ 12 X3-Ar21-Y1 (13) (在此Ar"示如同Aq之基。Χ3示與上述Xi、χ2反應可 產生結合之反應活性基，Yi示Χι、χ2與χ3反應可產生 結合之反應條件下不反應之基。） 以上述製法所得之初聚物如下述一般式所示。 (丫1-Ar21^(-Ar20)--^

Ar2i—Yt b 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (在此s示1以上之整數。a、b係1。） 又，單體（III)之較佳者如下述式（14)所示。 Y2-Ar25-Y3 (14) (在此Ar*25示如同ΑΓι之基。γ2、γ3各自獨立表示如同\ 之基，這些可係相同或不同。） 本發明中’亞芳基係由芳族烴去除2個氫原子後之原 子團’通常碳原子數在6至60左右，以6至20為佳。在 此芳族烴包含具縮合環者、獨立苯環或2個以上縮合環直 接或介由亞乙烯等基結合者。 亞方基有例如亞苯基（例如下圖式1至3)、蔡二基（下 圖式4至13)、亞蒽基（下圖式14至19)、亞聯笨基（下圖 式20至25)、芴二基（下圖式36至38)、三鄰亞笨基（下圖 式26至28)、芪二基（下圖式a至D)、二芪二基（下圖式 E、F)、縮合環化合物基（下圖式29至38)等。其中以亞苯 基、亞聯苯基、芴二基、芪二基為佳。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) — — — — — — ·11111111 I · 本紙張尺度適用中1¾國冢標準（CNS)A4規格⑽χ 297公爱） 12 313627 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明（D )

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — ^ · I I I I I I I I I · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 313627 583225 A7 B7 五、發明說明（14 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 313627 583225 A7 B7 五、發明說明（)

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ϋ n ϋ I I ϋ^OJ· ϋ ϋ ϋ ϋ n ·ϋ I ^1 ϋ I ϋ ^1 ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ n ϋ I ϋ «^1 ·1 ^1 ϋ ^1 ϋ I 15 313627 583225 A7 五、發明說明（ 16 本發明中，2價雜環基指自雜環化合物去除2個氫原 子後之殘餘原子團，碳原子數通常在3至6〇左右。 雜環化合物指具環狀構造之有機化合物中，構成環之 元素不僅只碳原子’環内含氧、硫、氮、磷、硼、神等雜 原子者。 2 4貝雜環基有例如以下者。 含氮雜原子之2價雜環基；吡啶二基（下圖式39至 44)、二吖亞苯基（下圖式45至48)、喹啉二基（下圖式49 至63)、喹喔啉二基（下圖式64至68)、吖啶二基（下圖式 69至72)、聯吡啶二基（下圖式73至乃）、菲二基（了圖式 76至78)等。*含雜原子矽、氮、硫、硒等之芴構造之基 (下圖式79至93)。 砸等之雜原子5員環雜環基（下圖式 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 着— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 含矽、氮、硫 94 至 98) 〇 含矽、氮、硫 圖式99至1〇8)。 含石夕、氮、硫、砸等雜原子之5員雜環基，於其雜原 子之α位結合之2聚物、低聚物之基（下圖式1〇9至113)。 含石夕、氮、硫、砸等雜原子之5員雜環基，於其雜原 子之位結合有苯基之基（下圖式113至119)。 含氧、氮、硫等雜原子之5員環縮合雜環基以笨基、 呋喃基、噻吩基取代之基（下圖之式120至125)。 砸等雜原子之5員環縮合雜環基（下 16 313627

— — — — — — ·11111111 I 583225 A7 B7 五、發明說明（17 )

R R 44 R 45

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R R 313627 n ϋ n ϋ ϋ n 一：OJ鬱 βββ β··· β·· ββ · _ 線 11---------------------- 583225 A7 B7 五、發明說明（l8 )

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公蹵） 18 313627 583225 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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ϋ ϋ ϋ n i-i βϋ ϋ * ϋ I an ϋ n ϋ ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 19 313627 583225 A7 B7 五、發明說明（20

R R

R R 113 R R

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

R R R R 125 上述式1至125之例中，R各自獨立表示氫原子、烷 基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、 — — — — — — — ·1111111· u 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 313627 583225 A7 ----- B7__— _ 五、發明說明（^ ) 务烧氧基、务烧硫基、芳稀基、芳快基、胺基、取代胺基、 石夕烧基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醢氧基、亞胺基、 醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、鲮基、取代羧基或氰基。 又，有式1至132之基之碳原子可經氮原子、氧原子或硫 原子取代，氫原子可由氟原子取代。 本發明中，2價芳族胺基指由芳族胺去除2個氫原子 後所殘餘之原子團，碳原子數通常在4至6〇左右，更具 體地，可例示以下之基。

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公t ) 21 313627 叫225 A7

五、發明說明（22 ) 上述式中R同上述式1至125者。上述例中1構造 式中有多數之R時其可係相同或不同。為提高溶劑之溶 解度’以有1以上氫原子以外者為佳，並以含取代基之重 複單元之形狀對稱性低者為佳。 本發明中之烷基可係直鏈、分枝或環狀。碳原子數通 常在1至20左右，具體有甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、三級丁基、戊基、己基、環己基、庚基、 辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7_二曱基辛基、月桂 基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛 基等’以戊基、己基、辛基、2 -乙基己基、癸基、3,7-二 曱基辛基為佳。 烧氧基可係直鏈、分枝或環狀。碳原子數通常在1至 2〇左右，具體有甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、 丁氧基、異丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、己氧基、環己 氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、 3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟曱氧基、五氟乙氧基、 全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、曱氧基甲氧基、 2-甲氧基乙氧基等，以戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基 己氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基為佳。 烷硫基可係直鏈、分枝或環狀。碳原子數通常在1至 20左右，具體有曱硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、 丁硫基、異丁硫基、三級丁硫基、戊硫基、己硫基、環己 硫基、庚硫基、辛硫基、2 -乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、 3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟曱硫基等，以戊硫基、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再壤寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

ϋ ϋ H ϋ I n n I n I I ϋ I ϋ I n n ϋ ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ I I I I I 22 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 A7 五、發明說明（23 ) 己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3,7_二甲基辛 硫基為佳。 芳基之碳原子數通常在6至60左右，具體有苯基、 Cm之烷氧基苯基（Clel2示碳原子數在1至12。下同。）、 C^2之烧基苯基、1_萘基、2-萘基、1-蒽基、2_蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，以CM,之烷氧基苯基、Ci i2之烷基 苯基為佳。其中芳基係自芳族烴去除1個氫原子之原子 團。芳族烴包含具縮合環者，獨立之苯環或縮合環2個以 上直接或介由亞乙稀基等結合者。 之烷氧基，具體例有甲氧基、乙氧基、丙氧基、 異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、己 氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧 基、癸氧基、3,7_二曱基辛氧基、月桂氧基等。

Cl·!2之烧基苯基’具體例有甲笨基、乙苯基、二甲 苯基、丙苯基、菜基、甲基乙苯基、異丙苯基、丁苯基、 異丁苯基、三級丁苯基、戊苯基、異戊苯基、己苯基、庚 苯基、辛苯基、壬苯基、癸苯基、十二基苯基等。 方氧基之碳原子數通常在6至60左右，具體例有苯 氧基、C^2之烷氧基笨氧基、C!·〗2之烷基苯氧基、i•萘 氧基、2 -萘氧基、五氟苯氧基等，以〇1-12之烧氧基苯氧 基、Ct.u之烧基苯氧基為佳。 之烷氧基，具體例有曱氧基、乙氧基、丙氧基、 異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、己 氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2 -乙基己氡基、壬氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂----------線U 583225 A7 B7 五、發明說明（24 ) 基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基等。

Cm之烷基苯氧基，具體例有甲基苯氧基、乙基苯 氧基、二曱基苯氧基、丙基苯氧基、1，3,5-三曱基苯氧基、 甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基笨 氧基、三級丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、已 基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基 苯氧基、十二基苯氧基等。 芳硫基之破原子數通常在3至60左右，具體例有笨 硫基、Cb12之烷氧基苯硫基、〇:1-12之烷基苯硫基、1-萘 硫基、2_萘硫基、五氟苯硫基等，以Cbu之烷氧基苯硫 基、Clel2之烧基苯硫基為佳。 芳基烷基之碳原子數通常在7至60左右，具體例有 苯基-C1-12烧基、C1-12烧氧基苯基烧基、燒基 苯基-CV12烷基、1-萘基-(νΐ2烷基、2-萘基-Cm2烷基等， 以〇V12烷氧基苯基-CV12烷基、Ch12烷基苯基-Cm2烷基 為佳。 芳基烷氧基之碳原子數通常在7至60左右，具體例 有苯基甲氧基、苯基己氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、 笨基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基_CN12烷氧 基，匕.12烷氧基苯基-Clel2烷氧基、匕^烷基苯基-CVu 烷氧基、1-萘基<1-12烷氧基、2-萘基/卜^烷氧基等，以 Cb12之烷氧基苯基-(^^烷氧基、（^_12烷基苯基-匕^烷 氧基為佳。 芳基烷硫基之碳原子數通常在7至60左右，具體例 &氏張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐) 24 313627 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 · I I ϋ I ϋ ϋ I I I I ϋ I ϋ I- ϋ ϋ n I I I I I ϋ — — — — — — — 583225 A7

五、發明說明（25 ) 有苯基-Cbu烷硫基、烷氧基苯基-Cii2烷硫基、C, 1-12 烷基苯基-Cbu烷硫基、1-萘基-C112烷硫基、2-萘基 1-12 烧硫基專，以Cm2烧氧基苯基-Ci」2烧硫基、C112烧基笨 基-C1-12 烧硫基為佳。 芳基烯基之碳原子數通常在7至60左右，具體例有 笨基-(：2_12烯基、（：1]2烷氧基苯基-〇1-12烯基、（：1-12烷基 本基-Cm稀基、1-萘基-Cm烯基、2-萘基-C2_12烯基等， 以Cm2烷氧基苯基_(：2]2烯基' (：2_12烷基苯基-C1-12烯基 為佳。

芳基炔基之碳原子數通常在7至60，具體例有苯基-C^i2炔基、（V12烷氧基苯基_C2_12炔基、(^_12烷基苯基_c2_12 炔基、1·萘基-C 2-12 炔基、2_萘基-C2_12炔基等，以（^_12 烧氧基本基- C2-12快基、烧基苯基- C2_12快基為佳。 取代胺基指以選自烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基 之1或2個基取代之胺基，該烷基、芳基、芳烷基或1價 雜環基可另有取代基。不含該取代基之碳原子數，碳原子 數通常在1至60左右。 具體例有甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、丙 胺基、二丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、異丁 胺基、三級丁胺基、戊胺基、己胺基、環己胺基、庚胺基、 辛胺基、2 -乙基己胺基、壬胺基、癸胺基、3,7-二甲基辛 胺基、月桂胺基、環戊胺基、二環戊胺基、環己胺基、二 環己胺基、吡咯烷基、哌啶基、二（三氟甲基）胺基、苯胺 基、二苯胺基、烷氧基苯胺基、二（Cl-12烷氧基苯基） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 313627 請 先 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 25 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 A7 B7 五、發明說明（26 ) 胺基、二（Chu烷基苯基）胺基、1-萘胺基' 2-萘胺基、五 氟苯胺基、吡啶胺基、嗒畊胺基、嘧啶胺基、吡畊胺基、 三畊胺基、苯基烷基胺基、Ci_12烷氧基苯基-Ci l2 炫基胺基、C1-12烧基苯基-Cm烧基胺基、二（Cb12烧氧 基苯基- Cu〗烧基）胺基、二（Cbu烧基本基- Cm烧基）胺 基、1-萘基-CVu烧基胺基、2-萘基-C1-12燒基胺基等。 取代矽烷基指以1、2或3個選自烷基、芳基、芳烷 基或1價雜環基之基取代之矽烷基，碳原子數通常在1至 60左右。而該烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基亦可有 取代基。 具體例有三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷 基、三異丙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二乙基異丙 基矽烷基、三級丁基矽烷基甲基矽烷基、戊基二甲基矽烷 基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二甲基 矽烷基、2·乙基己基二甲基矽烷基、壬基二甲基矽烷基、 癸基二甲基矽烷基、3,7-二甲基辛基二甲基矽烷基、月桂 基二甲基矽烷基、笨基_Ci 12烷基矽烷基、Cl_12烷氧基苯 基-C1-12烷基矽烷基、（^.12烷基苯基-C1-12烷基矽烷基、1-萘基-〇νΐ2烷基矽烷基、2-萘基-Cm2烷基矽烷基、苯基-CVu 烷基二甲基矽烷基、三苯基矽烷基、三對二甲苯基矽烷基、 三苯甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、三級丁基苯基矽烷 基、*一甲基本基碎烧基等。 鹵素原子有例如氟、氣、溴、碘原子。 醯基之碳原子數通常係在2至20左右，具體例有乙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ ϋ n I ϋ ϋ ϋ^^· H ϋ n ϋ «ϋ ϋ I ϋ I 1 ϋ I ϋ ϋ up n ϋ ϋ ϋ 1· -1 I n I ϋ ϋ ϋ I 583225 A7 B7 五、發明說明（27 ) 醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、苯甲 醯基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基等。 醯氧基之碳原子數通常在2至20左右，具體例有乙 醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、三甲基乙醢 氧基、苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基等。 亞胺基之碳原子數在2至20左右，具體例有以下構 造式之基等。

醢胺基之碳原子數通常在1至20左右，具體例有甲 醯胺基（碳原子數1)、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、 苯甲醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯胺 基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲醯胺 基、二（三氟）乙醯胺基、二（五氟）苯甲醯胺基等。 醯亞胺基之碳原子數通常在2至60，具體例如下示 基0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公嫠） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — ^ ·11111111 I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 583225 A7 B7 五、發明說明（28

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1價雜環基指由雜環化合物去除i個氫原子所餘留之 原子團’破原子數通常在4至60，以4至20為佳。而雜 環基之碳原子數不含取代基之碳原子數。雜環化合物指具 環狀構造之有機化合物中，構成環之元素不僅係碳原手， 環内尚含氧、硫、氮、磷、硼等雜原子者。具體例有噻吩 基、cVu烧基噻吩基、卩比洛基、咲喃基、吼咬基、c 1-12 烧基吡啶基、哌啶基、喹琳基、異嗟啉基等，以噻吩基、 烷基噻吩基、吡啶基、Ciw烷基吡啶基為佳。 取代竣基之碳原子數通常在2至60左右，指以烧基、 芳基、芳烷基或1價雜環基取代之羧基，有曱氧基戴基、 乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基艘基、 異丁氧基羰基、三級丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基幾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28 313627

訂---------線U -^1 ^1 ϋ ϋ ϋ ϋ n .1 1 H ϋ n ϋ ϋ ϋ I n n - ^3225

五、發明說明（29 ) :環己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己 =基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，、二甲基辛氧基 羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基幾基、五氟乙氧基幾 王氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、 =氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。而該烷基、 方基、芳烷基或1價雜環基亦可另有取代基。取代羧基之 後原子數不含該取代基之碳原子數。 上述取代基之例中，含烷鏈之取代基，其可係直鏈、 分枝或環狀或其組合，非直鏈時，有例如異戊基、2_乙基 己基、3,7-二甲基辛基、環己基、4_Ci i2烷基環己基等。 又，亦可2烷鏈末端連結成環。又再，烷鏈之一部份之曱 基、亞甲基亦可經含雜原子之基、以一個以上之氟取代之 甲基、亞甲基取代，該雜原子之例有氧原子、硫原子、氮 原子等。 又再，取代基之例中，其含芳基、雜環基作為其一部 份時，其可更含1個以上之取代基。 用於本發明嵌段共聚物之製造之式（12)及式（1 3)之單 體之Xi、X2、X3，較佳者係各自獨立之鹵素原子、可經 氟原子取代之烷基磺醯氧基、可經烷基取代之芳基磺醯氧 基、爛酸、或硼酸酯（但至少1個以上係齒素原子、可經 氟原子取代之烷基磺醯氧基或可經烷基取代之芳基磺醯氧 基）’此時，式（13)之單體之Υι，及式〇4)之單體之γ2、 丫3各自獨立，係以醛基、羰基、膦酸酯或鱗鹽（但至少！ 個以上係醛基或羰基）為佳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規(21G X 297公爱） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} —I-----^ -----I---1^ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 29 583225 A7 —----- B7 五、發明說明（30 ) 又，用於本發明喪段共聚物之製造之式（12)及（13)之 單體之Xi、X2、X3，較佳者係各自獨立之醛基、羰基、 膦酸酯或鱗鹽（但至少1以上係醛基或羰基），此時，式（13) 之單體之Yi，及式（14)單體之γ2、γ3係以各自獨立，為 幽素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可經烷基取 代之芳基磺醯氧基、硼酸、或硼酸酯（但至少1者以上係 鹵素原子、可經氟原子取代之烷基磺醢氧基或可經烷基取 代之芳基磺醯氧基）為佳。 又’本發明之嵌段共聚物之製造方法，係以一般式（12) 及（13)之單體之選自之基中，1者以上係硼酸 或硼酸酯，1者以上係鹵素原子、可經氟原子取代之烷基 績醯氧基或可經烷基取代之芳基磺醯氧基，一般式（13)之 單體之Yi係選自酸基、幾基、膦酸醋基或鱗鹽之反應活 性基’於Pd(〇)觸媒存在下反應，得末端有駿基、幾基、 膦酸酯基或鱗鹽基之初聚物而進行為佳。 又’本發明之嵌段共聚物之製造方法，係以一般式（12) 及（13)之單體之Xi、X2、係鹵素原子、可經氟原子取 代之烷基磺醯氧基、可經烷基取代之芳基磺醯氧基，一般 式（13)之单體之Yi係選自酸基、幾基、膦酸g旨基或鱗鹽 之反應活性基，於Ni(O)存在下反應得末端有醛基、幾基、 膦酸酯基或鱗鹽基之初聚物而進行為佳。 所得之該初聚物係末端有醛基及/或羰基者間之組合 時’藉低原子價鈇等存在下之還原反應，可得具雙鍵之喪 段共聚物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — — — —— — — ·11111111 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — 30 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 31 A7 五、發明說明（31 ) 同樣，一般式（14)之單體之γ2、\係醛基及/或羰基 時，藉與該初聚物反應，可得具雙鍵之嵌段共聚物。 又，當係末端有醛基及/或羰基與有膦酸酯基及/或鱗 鹽基者之組合時，鹼之存在下可得具雙鍵之嵌段共聚物。 同樣，一般式（14)之單體之γ2、\係醛基及/或羰基， 及膦酸酯基及/或鱗鹽基時，藉與該初聚物反應，可得具 雙鍵之嵌段共聚物。 又，本發明嵌段共聚物之製造方法，係以一般式（12) 及（13)之單體其X!、X2、Χ3之1者以上係醛基或羰基，i 者以上係膦酸酯或鱗鹽，一般式（13)之單體其γι係選自 南素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可經烷基取 代之芳基磺醯氧基之反應活性基於鹼存在下反應，得末端 有鹵素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可經烷基 取代之芳基績醯氧基之初聚物而進行為更佳。 所得之具i素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧 基、可經烷基取代之芳基磺醯氧基之該初聚物，藉Ni(〇) 存在下之反應，可得有芳基-芳基結合之嵌段共聚物。 同樣，一般式（14)之單體之γ2、γ3係鹵素原子、可 經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可經烷基取代之芳基磺醯 氧基時，藉與該初聚物反應，可得具芳基_芳基之嵌段共 聚物。 上述製造法中’經組合可得含嵌段共聚物之混合物， 例如使用有不同重複構造之初聚物（下式（16)、（17))時， _— Yl"F"Yl (16) 本紙張〒國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公ϋ---- 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

一OJI an n I I ϋ Βϋ I It I. n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ Mmmt I ϋ 1_1 *1 H ϋ I ϋ I 583225 A7 B7 五、發明說明（32 Y1-G-Y2 (17) 反應所得之聚合物有接合單元時，可得 -F-block_(B)_block_G- -F_block-(B)-block_F- -G-block-(B)-block-G- 之混合物。無接合單元時，可得 _F_block-G- -F-bl〇ck-F- -G-bl〇ck-G- 之混合物。 此於使用該初聚物及-般式（14)之單體之方法亦同。 又南素原子有例如氣原子、漠原子埃原子以氣 原子、溴原子為佳，溴原子為特佳。 可差敦原子取代之烧基績醯氧基，有三氟甲垸績酿氧 基可經燒基取代之芳基績醯氧基，有苯基績酿氧基、甲 苯基確醯氧基。 上述製造方法中，初聚物之合成方法，若係合成時基 (Υι)不分解之反應即無特殊限制，可用同樣已知文獻上之 方法。 又，上述製造方法中，初聚物間或其與反應活性基 (2 丫3)反應產生結合之反應活性基於分子内有2之單體 (III)反應之方法，無特殊限制，可用以下已知文獻等 法。 較佳者有，Wittig反應、Horner反應、MCMllrry反 規格咖 x 297 --_ 313627 r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線U 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32 583225 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3〇 應、Suzuki反應、使用Ni(0)之芳基-芳基偶合反應等。 又，製造中必要時可用適當保護基保護反應活性基 (YD，得初聚物後脫保護。 已知文獻有例如，Organic Reactions，第 14 卷，270-490 頁，John Wiley of Sons，Inc·，1965 年；Organic Reactions， 第 27 卷，345-390 頁，John Wiley of Sons，Inc·，1982 年； Organic Syntheses，Collective Volume VI，407-411 頁，John Wiley of Sons, Inc·，1988 年；Chem· Rev·，第 95 卷，2457 頁（1995 年）；J. 〇rganomet· chem.)，第 5 76 卷，147 頁（1999 年）；J· Prakt· Chem·，第 336 卷，247 頁（1994 年）；Makromol. Chem. Macromol. Symp·，第 12 卷，229 頁（1987 年）等。 有機溶劑隨所用化合物、反應而異，但一般為抑制副 反應’以對所用溶劑施以充分之脫氧處理，於惰性環境下 反應為佳。又，同理以施行脫水處理為佳。（但如Suzuki偶合反應般係於與水之2相系中反應時不在此限。） 更具體說明反應條件，則Wittig反應、H〇rner反應 等時，係用對單體官能基當量以上，較佳者為丨至3當量 之鹼反應。鹼無特殊限制，可用例如三級丁醇鉀、三級丁 醇納、々乙醇納、曱醇鐘等金屬醇鹽，氮化納等氣化試劑， 氨基鈉等醯胺類等。溶劑可用N，N-二甲基甲醯胺、四氫 呋喃、二呃烷、曱苯等。反應溫度則通常可於室溫至15Q C左右進行反應。反應時間係例如5分鐘至4〇小時，聚 合可充分進行之時間即可，且反應完後不必長久放置，故 以10分鐘至24,丨、rz nte ..一:二佳。反應之際之濃度，若過於稀釋 本紙張尺度適用中國®ii^(CN3A4規格⑵g χ 297公爱 313627 (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 丨 --I--—訂----— II--線 — 33 583225 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（34 ) 則反應效率差’過濃則難以控制反應，故宜適當選在約Q 〇 1 重量％至可溶最大濃度之範圍，通常係在〇丨重量％至2〇 重量％之範圍。 Suzuki偶合反應時之催化劑係用例如，肆（三苯膦）合 鈀、醋酸鈀類等，碳酸鉀、碳酸鈉、氫氧化鋇等無機鹼， 三乙胺等有機鹼，氟化鈽等無機鹽，對單體添加當量以上， 以1至10當量為佳而反應。無機鹽可用水溶液，以2相 系反應。溶劑之例有N，N-二甲基甲醯胺、甲苯、二曱氧 基乙烷、四氫呋喃等。固隨溶劑而異，但以用5〇至16〇 C左右之溫度為合適。亦可升溫至近於溶劑之沸點，使其 回流。反應時間係1小時至2 〇 〇小時左右。 茲說明零價鎳錯合物之使用。鎳錯合物者，有直接使 用零價鎳之方法，及鎳鹽於還原劑存在下反應，於系内產 生零價鎳而反應之方法等。 零價鎳錯合物之例有，式（1，5-環辛二烯）合鎳（〇)、（乙 烯）貳（三苯膦）合鎳（0)、肆（三苯膦）合鎳等，其中貳〇,5_ 環辛二烯）合鎳（0)由泛用性及廉價之觀點係為較佳。 又，中性配位基之添加，由收率提升之觀點係為較佳。 在此，中性配位基係不具陰離子、陽離芋之配位基， 有例如比淀、l二氮雜m啉μ 四甲基乙二胺等含氮配位基；2苯麟、三甲苯麟、三丁鱗、 三苯氧膦等三級膦配位基等，由泛用性、廉價等以含氮配 位基為佳，2,2，·聯吼淀因反應性高、收率高而為特性。 __尤以由聚合體收率提升之觀點，係以於含貳 本紙張尺度過用中關家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱V----一 ， 34 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 響丨 ------^----------^丽 ----------------------- A7 I、發明說明(35 ) ---- 辛二烯）合鎳（0)之系中加入中性 丫汪配位基2,2，-聯吡啶為佳。 系内零價錄之反應方法中，鎳鹽有氣化錄、醋_等。 還原劑，有鋅、氫化鈉、讲及其衍生物、氮化鐘銘等，必 要時可用峨化鍵、埃化鐘、峨化钟等添加物。 聚合溶劑若無妨礙聚合即無特殊限制，以含丨種以上 之芳族烴系溶劑及/或醚系溶劑者為佳。 在此芳族烴系溶劑係芳族烴化合物所構成之溶劑，有 例如苯、曱苯、二甲笨、三曱基苯、四曱基苯、丁笨、萘、 四啡等，以甲苯、二甲苯、四哄、四甲基苯為佳。 又’醚系溶劑係氧原子結合於烴基之化合物所構成之 溶劑，有例如二異丙_、四氫咲味、二呃烧、二苯鍵、 乙一醇一曱鱗、三級丁基甲崎等，以對高分子發光體為強 溶劑之四氫呋喃、1，4_二呃烷等為佳。 又，由改良聚合性、溶解性之觀點，若無礙聚合反應， 心劑可用芳族烴系溶劑及/或醚系溶劑與芳族烴系溶劑及 _系溶劑以外溶劑之混合溶劑。 反應操作等可依例如特開2〇〇〇_44544號公報之方法 進行。 本發明中，例如，聚合反應通常係於氬、氮等惰性氣 體環境下，四氫呋喃溶劑中，6(rc之溫度，於零價鎳錯合 物、中性配位基之存在下進行。 聚合時間通常在〇·5至100小時左右，從製造成本之 觀點，係以10小時以内為佳。 聚合溫度通常在〇至200°c左右，從高收率、低加熱 ΐ紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（21〇 χ 297公釐)---- 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

I I ϋ n I ϋ ϋ a I ϋ ϋ ϋ ϋ I- ϋ I I H I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ H 1 ϋ I ϋ n H ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ I 35 583225 A7

五、發明說明（36 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 費用之觀點，係以20至l〇〇°C為佳。 反應完後可直接用於次一反應，但可於反應結束後， 必要時，對聚合物施以酸洗、驗洗、中和、水洗、有機溶 劑清洗、再沈殿、離心分離、萃取、管柱層析等常用分離 操作、純化操作、乾燥及其它操作。從次—反應之收率提 升之觀點，以施行分離操作、純化操作、乾燥為佳。 又用作间分子LED之發光材料時，為利用薄膜之 發光，該高分子螢光體以用固態時具螢光者為合適。 該高分子螢光體之強溶劑有例如氣仿、二氣甲烷、二 氣乙烷、四氫呋喃、甲苯、二甲苯、菜、十氫萘、正丁笨、 一呃烷等。雖然隨高分子螢光體之構造、分子量而異，通 常可溶於此等溶劑至0 1重量％以上。 本發明之高分子螢光體組成物，其特徵為含本發明之 嵌段共聚物。嵌段共聚物之量，通常占高分子螢光體組成 物全體之10重量％以上。 其a說明本發明之局分子led。本發明高分子led 之構造，其特徵為至少其一係透明或半透明之一對陽極及 陰極構成之電極間有發光層，該發光層中含本發明之嵌段 共聚物或高分子勞光體組成物。 又’本發明之高分子LED，包括陰極與發光層之間 设電子輸送層之高分子LED、陽極與發光層之間設電洞 輸送層之高分子LED ,陰極與發光層之間設電子輸送層、 並於陽極與發光層之間設電洞輸送層之高分子led等。 例如，具體構造有以下之幻至d)。 本紙張尺度過用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 36 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 騫丨 ------^----------線 — 583225 A7 B7 五、發明說明（37 ) a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (在此，/表各層相鄰積層。下同。） 在此，發光層係具發光功能之層，電洞輸送層係具電 洞輸送功能之層，電子輸送層係具電子輸送功能之層。而 電子輸送層及電洞輸送層統稱為電荷輸送層。發光層、電 洞輸送層、電子輸送層各可獨立使用2層以上。 又，鄰接電極而設之電荷輸送層中，具有改善自電極 注入電荷之效率之功能，可降低元件之驅動電壓者，一般 或特稱之為電荷注入層（電洞注入廣、電子注入層）。 又再，為提升與電極之密合性、改善自電極之電荷注 入，可鄰接電極設上述電荷注入層或膜厚2奈米以下之絕 緣層’又，為提升界面之密合性、防止混合等，亦可於電 荷輪送層、發光層之界面插入薄緩衝層。 積層順序、層數及各層厚度，可考慮發光效率、元件 壽命適當採用。 本發明中，設電荷注入層（電子注入層、電洞注入層） 之高分子LED，可例舉鄰接陰極設電荷注入層之高分子 LED，鄰接陽極設電荷注入層之高分子LED。 例如，具體構造有以下之e)至p)。 e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 0陽極/發光層/電荷注入層/陰極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------訂--— II----線 — . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 37 583225 A7 ______ B7 五、發明說明（38 ) g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 1)陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 k) 陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/陰極 l) 陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 η)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 〇)陽極/電洞輪送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 Ρ)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷 注入層/陰極 電荷注入層之具體例有，含導電高分子之層，設於陽 極與電洞輸送層間，含離子化勢值在陽極材料與含於電洞 輸送層之電洞輸送材料間之材料之層，設於陰極與電子輸 送層之間’含電子親和力值在陰極材料與含於電子輸送層 之電子輸送材料間之材料之層。 上述電荷注入層係含導電高分子之層時，該導電高分 子之導電度以在1〇-5姆歐/公分（s/cm)以上1〇3姆歐/公分 (s/cm)以下為佳，為降低發光像素間之漏電流，以1〇-5姆 歐/公分（s/cm)以上1〇2姆歐/公分（s/cm)以下為佳，10-5姆 歐/公分（s/cm)以上101姆歐/公分（s/cm)以下為更佳。 通常為使該導電高分子之導電度在10·5姆歐/公分（s/cm)以 上103姆歐/公分(s/cm)以下，係於該導電高分子摻以適量離子。 所摻離子種類，若在電洞注入層為陰極子，若在電子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 • I n ϋ ϋ ϋ I «ϋ 一OJI I I n ϋ i_l ϋ I ϋ ϋ n ·ϋ ϋ i^i I ϋ ϋ n I t ft— ϋ 38 313627 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------—____B7__^ ^ ( 39 ) " 注入層則為陽離子。陰離子有例如聚笨乙稀續酸離子、尸 基苯績酸離子、樟腦魏離子等，陽離子之例有鐘離子: 鈉離子、钾離子、四丁銨離子等。 電荷注入層之膜厚在例如1奈米至1〇〇奈米，以2奈 米至50奈米為佳。 ' 用於電荷注入層之材料，可依與電極、鄰接層之材料 之關係適當選擇，有例如聚苯胺及其衍生物、聚嚷吩及其 何生物、聚吡咯及其衍生物、聚亞苯亞乙烯及其衍生物、 聚亞噻吩亞乙烯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔 啉及其衍生物、主鏈或侧鏈含芳族胺構造之聚合物等導電 高分子，金屬酞菁（銅酞菁等）、碳等。 膜厚2奈米以下之絕緣層，具有容易注入電荷之功 月b °上述絕緣層之材料，有金屬氟化物、金屬氧化物、有 機絕緣材料等。設膜厚2奈米以下絕緣層之高分'子LED， 有鄰接陰極設膜厚2奈米以下絕緣層之高分子LED，鄰 接陽極設膜厚2奈米以下絕緣層之高分子LED等。 具體例有以下q)至ab)之構造。 q) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/陰極 r) 陽極/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 s) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/膜厚2nm以下之 絕緣層/陰極 t) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 u) 陽極/電洞輸送層/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 v) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/膜厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 39 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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40 313627 請 US 讀 背 面 意 事 存 填 % 本 t

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I 583225 —__B7 五、發明說明（41 ) 本發明之高分子LED中，含上述高分子螢光體以外發光 材料之發光層，亦可積層於含上述高分子螢光體之發光 層。 該發光材料可用已知物。低分子化合物可用例如，蔡 衍生物、蒽或其衍生物、花或其衍生物、聚甲快系、咕吨 系、薰草素系、菁系等色素類，8-羥基喹啉或其衍生物之 2屬錯合物’芳族胺、四苯基環戊二稀或其衍生物，或四 本基丁二稀或其衍生物等。 π具體而言，可用例如特開昭57-51781號、同59·194393 號公報所記載者及已知者等。 本發明之高分子LED有電洞輸送層時，所用電洞輸 送材料有例如，聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生 物、側鏈或主鏈有芳族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生 物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三笨二胺衍生物、聚笨胺 或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚 (對亞苯亞乙烯）或其衍生物、或聚（2,5·亞噻吩亞乙烯）或 其衍生物。 該電洞輸送材料之具體例有，特開昭63_7〇257號公 報、同63-175860號公報、特開平2-135359.號公報、同 2_135361號公報、同2_2〇9988號公報、同3_37992號公 報、同3-152184號公報所記載者。 其中’用於電洞輸送層之電洞輸送材料係以聚乙烯咔 唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈有芳族胺 ,_口物基之t梦氧燒衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩 &張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21“297公爱 41 313627 583225 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（42 或其衍生物、聚（對亞苯亞乙烯）或其衍生物、或聚（2 5_亞 噻吩亞乙烯）或其衍生物等之高分子電洞輸送材料為隹， 聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈 有芳族胺之聚矽氧烷衍生物為更佳。低分子之電洞輸送材 料係以分散於高分子黏結劑使用為佳。 聚乙烯咔唑或其衍生物，可藉例如乙烯單體之陽離子 聚合或自由基聚合製得。 聚梦烧或其衍生物有例如Chem. Rev•第89卷，1359 頁（1989年）、英國專利GB23〇〇196號公開說明書所記載 之化合物等。合成方法亦可用以上文獻中之方法，尤以 Kipping法為合適。 聚矽氧烷或其衍生物，因矽氧烷骨架構造幾無電洞輸 送性，以用側鏈或主鏈有上述低分子電洞輸送材料構造者 為合適。尤以於侧鏈或主鏈有電洞輸送性之芳族胺者可為 例。 、 電洞輸送層之成膜方法無限，其例有以低分子電洞輸 送材料與高分子黏結劑之混合溶液成膜之方法。而高分子 電洞輸送材料以溶液成膜之方法亦係一例。 用於溶液成膜之溶劑，若可溶解電洞輸送材料即無特 殊限制。其例有氣仿、二氣甲炫、二氣乙院等含氣溶劑， 四氫咲味等_系溶劑，甲苯、二甲苯等芳族煙系溶劑，丙 嗣、丁酮等_系溶劑、醋酸乙醋、醋酸丁醋、乙基溶纖劑 醋酸醋等g旨系溶劑。 ' 經溶液之成膜方法，可用溶液之旋塗法、澆灌法、微 本紙張尺度適用中國國家標準（ais)A4規格⑽x 297公麓） ' 42 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ n n ϋ i-i ϋ 1^dJ« ϋ I —i ϋ ti ϋ I -ϋ ϋ «I ϋ ϋ a— A— I I ϋ I ·1 n ϋ n ϋ ϋ I ^ . 583225 A7 五、發明說明（43 ) 凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、繞線棒 、、爲徐*、土、法法，土、to!匕" · · _ 1 ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 法 '浸塗法、喷塗法、網 喷印法等塗布法。 混合之高分子黏結劑’係以對電荷輪送極度 佳，並以對可見光有強吸收者為合適。核高分子黏結劑之 例有’聚碳酸醋、聚丙_醋、聚甲基丙烯酸輯、乙 烯、聚氣乙烯、聚矽氧烷等。 電洞輸送層之膜厚隨利材料其最適值不同，可選擇 以使驅動電麼及發光效率達適當值，但至少須係無針孔產 生之厚度，過厚則元件之驅動電壓高而不佳。因此，該電 洞輸送層之膜厚在例如i奈米至丨微米，以2奈米至乃⑼ 奈米為佳，5奈米至200奈米為更佳。 本發明之高分子LED有電子輸送層時/所用電子輸 送材料可係已知者，例如呃二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其 衍生物、苯醌或其衍生物、蔡醒或其衍生物m其衍 生物、四氡基蒽醌二甲烷或其衍生物、苟_衍生物、二苯 基二氰基乙烯或其衍生物、二酚蒽醌衍生物、或8•羥基 喹啉或其衍生物之金屬錯合物，聚喹啉或其衍生物、聚喹 喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物。 具體例有特開昭63-70257號公報、同63_17586〇號 公報、特開平2-135359號公報、同2_135361號公報、同 2-209988號公報、同3_37992號公報、同3_152184號公 報所記載者等。 其中以呃二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Gx297公爱） — "1 1 一 印法、軟版印刷法、平版印刷法、 43 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • ·-------訂——線—βί----------------------- 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（44 生物、或8_羥基喹啉或其衍生物之金屬錯體，聚_啉或 其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚努或其衍生物為佳， =2-(4-聯苯基）5-(4_三級丁基苯基）_13 4_呢二唑、苯醒、 恩醌、參（8-喹啉醇）合鋁、聚喹啉為更佳。 電子輸送層之成膜法無特殊限制，各有例如低分子電 子輸送材料時之粉末真空蒸鑛法，或經溶液或炼融狀態成 膜之方法，高分子電子輸送材料者之經溶液或溶融狀態成 膜之方法。經溶液或熔融狀態成膜時，可併用冑分子黏结 劑。 、口 用於經溶液成膜之溶劑，若可溶解電子輸送材料及/ 或高分子黏結劑即無特殊限制。有例如氣仿、二氣甲烷、 二氣乙烷等之含氣溶劑，四氫呋喃等之醚系溶劑，甲苯、 二甲苯等芳族烴系、溶劑，丙_、丁 _等酮系溶劑，醋酸乙 酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯系溶劑。 經溶液或熔融狀態之成膜方法，可用旋塗法、澆灌法、 微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、繞線棒塗 布法、浸塗法、喷塗法、網印法、軟版印刷法、平版印刷 法、喷印法等塗布法。 混合之高分子黏結劑，係以極度無礙於電荷輸送者為 佳，並以用對可見光吸收強者為合適。該高分子黏結劑之 例有聚（N-乙烯咔唑）、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍 生物、聚（對亞苯亞乙烯）或其衍生物、聚（2,弘亞噻吩亞乙 烯）或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙稀酸甲酯、 聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氣乙烯或聚矽氧燒等 k紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 313627 --------^----------^ 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -«· ⑹225 A7

1 I I I I I I — — — — — — — — — 冊^^^— — — —— — — — — — — — — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -f 45 313627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 583225 A7 -----------_Β7___ 五、發明說明（46 ) ,、銘銳、飢、鋅、紀、銦、鈽、彭、销、錢、镱等金 屬’及其2以上之合金，或其1種以上與金、銀、麵、鋼、 錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中之丨種以上之合金，石墨或石 墨層間化合物等。合金之例有鎂_銀合金、鎂_銦合金、鎂 _鋁合金、銦-銀合金、鋰、鋁合金、鋰、鎂合金、鋰_銦 金飼·銘合金等。陰極亦可係2層以上之積層構造。 陰極之膜厚可考慮導電度、耐久性作適當選擇，例如 w奈米至10微米，以2〇奈米至i微米為佳，5〇奈米至 500奈米為更佳。 製作陰極之方法，可用真空蒸鍍法、濺鍍法、或將金 屬膜熱壓合之積層法等。又，陰極與有機物‘層之間，可設 導電高分子層、或金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材 料等之平均膜厚2奈米以下之層。陰極製作後亦可裝上保 護該高分子LED之保護層。4長期穩定使用該高分子 led’從外部保護元件，以裝設保護層及/或保護罩為佳。 該保護層可用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氣化 物、金屬蝴化物等。又，保護罩可用玻璃板、表面經低透 水率處理之塑膠板等，可將該罩以熱效應樹脂、光硬化樹 脂與元件基板貼合而密閉。使用間隔物以保有空間，即可 輕易防止元件之受損。若於該空間封入氮、氬等惰性氣體， 可防陰極氧化，更以氧化銷等乾燥劑置於該空間内，可輕 易抑制製程中吸附之水分對元件之損壞。以採用其中任】 種以上之對策為佳。 _用本發日月之高分子led以得面狀之發光，面狀陽 本紙張尺度標準（CNS)A4規格⑽x 297公爱广〜---- 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

— — — — — — — ^ ·1111111 U 583225 A7 五、發明說明（47 ) 極及陰極可重合配4。又，為得圖㈣發光，有於上述面 狀發光元件之表面設置開有圖案窗之遮罩之方法，將非發 光部之有機物層形成極端之厚而實質上不發光之方法，將 陽極或陰極之任一，或二者之電極形成圖案狀之方法。以 其任一方法形成圖案，將若干電極配置成可獨立 ον/off ’即可得能顯示數字、文字、簡單符號等之區段 式顯示元件。又再，為作點陣元件，可將陰極及陽極均形 成長條狀垂直交叉配置。以多種發光色之不同高分子螢光 體分別塗布之方法，使用彩色渡光片或勞光變換渡光片之 方法，可作部份彩色顯示、多重彩色顯示。點陣元件可被 動驅動，亦可與TFT等組合主動驅動。此等顯示元件可 用作電腦、電視、行動終端機、行動電話、汽車導航系統、 攝錄機之取景窗等之顯示裝置。 又再，上述面狀發光元件係自發光薄型，適用作液晶 顯示裝置之背光用面狀光源，或面狀照明光源。又，若用 軟性基板，可用作曲面狀光源、顯示裝置。 又’本發明之嵌段共聚物可用作雷射用色素、有機太 陽電池用材料、有機電晶體用之有機半導體、導電薄膜、 有機半導體薄膜等之傳導性薄膜用材料。 以下舉實施例更詳細說明本發明，惟本發明不限於 此。 在此，重均分子量、數均分子量者，係以氣仿溶液， 藉凝膠滲透層析（GPC)求出之聚苯乙烯換算平均分子量。 <初聚物（1)之合成> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

^1 ϋ ϋ ·ϋ 11 ϋ· n^OJt n I n I n ϋ I I I ϋ ϋ ϋ »1 I ϋ ϋ ϋ H ^1 ϋ n n I ϋ I I 47 ^225 ^225

五、發明說明（48 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9,9-二辛基-2,7-二溴苟 2·7 克’ 4_溴_2 5_(3 7_二曱基 辛氧基）苯曱搭2.3克及2,2，_聯卩比咬27克入料於反應容 器後’反應系以氬氣取代。於此加人已先經氬氣冒泡脫氣 之四氫呋喃(脫水溶劑)150毫升。其次，於該混合溶液加 武（1，5-環辛二烯）合錄（0)5 〇克，於室溫攪拌ι〇分鐘後， 於60。(：反應7小時。反應係在氬氣環境中進行。反應後 將該溶液冷卻後，注入25%氨水50毫升/甲醇2〇〇毫升/ 離子交換水150毫升混合溶液中，攪拌約丨小時。其次， 過濾回收產生之沈澱。該沈澱物乾燥後溶於氣仿。過濾該 溶液，去除不溶物後，將該溶液注入曱醇中再沈澱，回收 產生之沈澱。減壓乾燥該沈澱物，得初聚物（1)14克。 所得初聚物（1)之聚苯乙稀換算重均分子量為6 1χ 1〇4 ’數均分子量為2.4χ 104。 由入料單體推測之初聚物（1)之構造如下。

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 〈高分子螢光體1之合成〉 甲氧基_5-(2-乙基己氧基）-對苯二甲化二氣與亞磷 酸二乙酯反應所得之膦酸酯0.016克，及上述初聚物（1)〇 5 克入料於反應容器後，反應系以氬氣取代。於此加入已先 不尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 48 313627 583225 A7 B7 五、發明說明（49 ) 經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）5〇毫升。其文，於 該溶液’室溫下以約10分鐘滴入事先將三級丁醇卸〇 〇7' 克/谷於經氬氣冒泡脫氣之四風D夫Π南（脫水溶劑）5毫升之、、容 液。持續於室溫反應2.5小時。 反應後，加入醋酸中和後，將該溶液注入曱醇中，授 拌約1小時。其次’將產生之沈殿物過渡回收。將該沈搬 物減壓乾燥，得聚合物0.46克。所得聚合物稱作高分子 螢光體1 〇 高分子螢光體1之聚苯乙烯換算重均分子量為9 6χ 1〇4，數均分子量為3·7χ 104。 由入料之單體推測高分子螢光體1之構造如下。所得 高分子螢光體1之薄膜以實施例9之方法測量螢光光譜， 結果螢光之高峰波長為504奈米。

比較例1 <聚芴之合成> 除了使用9,9-二辛基-2,7-二溴苟取代9,9-二辛基_27_ 二溴芴及4-溴-2,5-(3,7-二甲基辛氧基）苯甲醛以外，如同 上述聚合物（1)之合成，得聚（9,9-二辛基苗-2,7-二基）。所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公嫠 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 ,1-------訂！i_·!------------------- 49 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 50 A7 B7 五、發明說明（％ ) 得聚芴之聚苯乙烯換算重均分子量為4.4χ 1〇5，數均分子 量為1 ·2x 105。所得聚芴薄膜以實施例9之方法測量榮光 光譜，結果螢光高峰波長為428奈米。 如上述’高分子螢光體1之螢光高峰波長，比構成叙 段之聚芴者長76奈米。 實施例2 <初聚物（2)之合成> 9，9_二辛基二溴芴2.7克，3·溴-對茴香駿克 及2,2’-聯吡啶2.7克入料於反應容器後，反應系内以氮 氣取代。於此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫咲味（脫水 溶劑）150毫升。其次，於該混合溶液加入式（15_環辛二 烯）合鎳（0)5.0克，在室溫攪拌10分鐘後，於6〇〇c反應7 小時。反應係在氬氣環境中進行。反應後，將該溶液冷卻 後，注入25%氨水50毫升/甲醇200毫升/離子交換水15〇 毫升混合溶液中’擾拌約1小時。其次，將產生之沈澱物 過;慮回收。該沈殿物乾燥後溶於氣仿。過據該溶液去除不 溶物後，將該溶液注入甲醇中再沈澱，回收沈澱物。將該 沈澱物減壓乾燥得初聚物（2)1.2克。 所得初聚物（2)之聚苯乙烯換算重均分子.量為29χ 104，數均分子量為l.lx 1〇4。 由入料之單體推測初聚物（2)之構造如下。

CHO 313627 _ T -^1 ϋ ϋ J— n ϋ ϋ I ϋ I —i ·-1 t-i ϋ ϋ ϋ 2fJ· «1 ·_ϋ ·ϋ ϋ ϋ ϋ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------- 583225 A7 r~-------— Β7__ ------- 五、發明說明（51 ) <鬲分子螢光體2之合成> 2_曱氧基·5·(2-乙基己氧基）_對笨二甲化二氣與亞碟 酸三乙醋反應而得之鱗酸醋0.032克，及上述初聚物 (2)0.66克入料於反應容器後，反應系内以氬氣取代。於 此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）3〇毫 升。其次，於該溶液在室溫下以約1〇分鐘滴入事先將三 級丁醇鉀0_07克溶於經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶 劑）5毫升之溶液。持續於室溫反應2小時。 反應後加入醋酸中和後，將該溶液注入甲醇中授掉 約1小時。其次將產生之沈殿物過濾回收。將該沈殿物減 壓乾燥，得聚合物0.6克。所得聚合物稱之為高分子螢光 體2。 高分子螢光體2之聚苯乙烯換算重均分子量為〗ΐχ 1〇5，數均分子量為2.7χ 104。 由入料單體推測高分子螢光體2之構造如下。所得高 分子螢光體2之薄膜以實施例9之方法測量螢光光譜，結 果螢光之高峰波長為456奈米。

之聚芴者長26奈米。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — — — — — — — « — — — — 111 — — — — — — — — — — — — ! — — — — — — — — — — 51 A7 583225 ____B7_____ 五、發明說明（52 ) 實施例3 <初聚物（3)之合成> N，N’-二苯基-N，N’-二（3_甲基_4_溴苯基）聯苯胺3.4 克’ 4-溴-2,5-(3，7-二甲基辛氧基）苯甲駿2.3克及2,2，-聯 吡唆2.7克入料於反應容器後，反應系内以氬氣取代。於 此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫咲喃（脫水溶劑）丨5〇亳 升。其次於該混合溶液加武（1，5-環辛二烯）合錄（〇)5〇克， 在室溫擾拌10分鐘後於6 0 °C反應7小時。而反應係在氯 氣環境中進行。反應後將該溶液冷卻後，注入25%氨水5〇 毫升/甲醇200毫升/離子交換水150毫升之混合溶液中， 搜摔約1小時。其次，將產生之沈澱物過濾回收。將該沈 澱物乾燥後溶於氣仿。過濾該溶液去除不溶物後，將該溶 液注入甲醇中再沈澱，回收沈殿物。將該沈澱物減壓乾燥， 得初聚物（3)1.5克。 所付初聚物（3)之聚苯乙稀換鼻重均分子量為1 1〇4，數均分子量為5.8χ 103。 由入料之單體推測初聚物（3)之構造如下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — ^ 11111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ n I I H ϋ ^1 n «ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ·

52 313627 經 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 工 消 費 合 作 社 印 製 53 583225 A7 ---------- -----B7_______ 五、發明說明（53 ) 9,9-二辛基 _2,7-二溴芴 2.8 克，4-溴-2,5·(3,7-二甲基 辛氧基）苯甲膦酸二乙酯2·3克及2,2，-聯D比啶2.7克入料 於反應容器後，反應系内以氬氣取代。於此加入已用氬氣 冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）150毫升。其次，於該混 合溶液加貳（1，5-環辛二烯）合鎳（〇)5·〇克，在室溫攪拌10 分鐘後，於60°C反應7小時。反應係在氬氣環境中進行。 反應後將該溶液冷卻後，注入曱醇250毫升/離子交換水 150毫升之混合溶液中，攪拌約1小時。其次將產生之沈 澱物過濾回收。該沈澱物乾燥後溶於氣仿。過濾該溶液去 除不溶物後，將該溶液注入甲醇中再沈澱，回收沈澱物。 將該沈澱物減壓乾燥得初聚物（4) 1.1克。 所得初聚物（4)之聚苯乙烯換算重均分子量為5·〇χ 1〇3，數均分子量為4.0χ 103。 由入料單體推測初聚物（4)之構造如下。

<高分子螢光體3之合成> 上述初聚物（3)0.4克及上述初聚物（4)〇 3克入料於反 應容器後，反應系内以氬氣取代。於此加入已先經氬氣冒 泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）50毫升。其次於該溶液在室 度適財關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)"------------- 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（54 ) 溫下以約1 0分鐘滴入已將三級丁醇鉀〇丨丨克溶於經氬氣 冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）5毫升之溶液。持續於室 溫反應2 · 5小時。 反應後加入醋酸中和後，將該溶液注入甲醇中，攪拌 約1小時。其次將產生之沈殿物過濾回收。該沈澱物經減 壓乾燥得聚合物0.5克。所得聚合物稱之為高分子螢光體 3 ° 高分子螢光體3之聚苯乙烯換算重均分子量為25χ 1〇4，數均分子量為l.〇x 1〇4。 由入料單體推測高分子螢光體3之構造如下。所得高 分子勞光體3之薄膜以實施例11之方法測量其螢光光譜， 結果螢光之高峰波長為470奈米。

比較例2 <比較聚合物1之合成> 除原料用N，N，-二苯基-N，N，-二（3_甲基-4_溴笨基）聯 苯胺2.0克，2,2，-聯吡啶1.1克，貳（1，5_環辛二烯）合鎳 (〇)2·0克以外，如同實施例ι<聚合物ι>之合成，得比較 聚合物1 〇· 75克。所得聚合物之聚苯乙烯換算重均分早 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公6 ___ 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I____訂-------------------------------- 54 A7 B7

之方法測量螢光 583225 五、發明說明（55 ) 里為2·8χ 1〇4克，數均分子量為1 8χ ι〇4 所得比較聚合物1之薄膜以實施例9 光譜’結果螢光之高岭波長為422奈米 如上述’高分子螢光體3之螢光高峰波長，比構成嵌 段之聚芴者長42奈米，且較之比較聚合物1長48奈米。 實施例4 ’丁…、 <初聚物（5)之合成> 2,5-雙（氣甲基）_4_(3,7_二甲基辛氧基）聯笨與亞磷酸 三乙酯反應而得之膦酸酯3.0克，對酞醛士 凡 』TO醛0.6克及仁溴苯 甲醛0.28克入料於反應容器後，反應系内以氬氣取代。 於此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫h(脫水溶劑）4〇毫 升。其次，於該溶液在室溫以約20分鐘滴入已將三級丁 醇卸2.2克溶於經氬氣冒泡脫氣之四氣吹喃（脫水溶—劑川 毫升之溶液。持續於室溫反應3小時。 反應後加入醋酸中和後，將該溶液注人甲醇中，㈣ 約1小時。其次將產生之沈澱物過濾回收。該沈殿物用乙 醇清洗後減壓乾燥得聚合物2·8克。所得聚合物稱之 聚物（5) 〇 ° 馬初 初聚物（5)之聚笨乙稀換算重均分子量為a n 數均分子量為1.8χ 1〇3。 由入料之單體推測初聚物（5)之構造所含簟元‘ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公麓） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 •I · n n I— emmaw I ϋ ϋ 1· ϋ Βιν n n ϋ ^1 ϋ 11 ϋ n ϋ 1 ι 55 583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56 A7 __B7 五、發明說明（56 )

<高分子螢光體4之合成> 9,9_二辛基-2,7-二溴芴2·1克、初聚物（5)0.25克、以 及2,2’-聯吡啶1.37克入料於反應容器後，反應系内以氬 氣取代。於此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水 溶劑）1 00毫升。其次，於該混合溶液加貳（1，5-環辛二婦） 合鎳（0)2.5克，在室溫攪拌10分鐘後於60°C反應7小時。 反應係在氬氣環境中進行。反應後將該溶液冷卻後，注入 25%氨水25毫升/甲醇150毫升/離子交換水1〇〇毫升之混 合溶液中，攪拌約1小時。將產生之沈澱物過濾回收。該 沈澱物經乾燥後溶於曱苯。過濾該溶液去除不溶物後，將 該溶液注入甲醇中再沈澱，回收沈澱物。該沈澱物經減壓 乾燥得聚合物1.1克。該聚合物稱之為高分子螢光體4。 所得高分子螢光體4之聚苯乙烯換算重均分子量為 2·7χ 105，數均分子量為5.8x 1〇4。 由入料單體推測高分子螢光體4之構造所含單元如下 2構造。 所得高分子螢光體4之薄膜以實施例9之方法測量榮 光光譜，結果螢光之高峰波長為510奈米，比構成高分子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱1 ---- 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ ϋ ·ϋ I n n*^-OJI AB1 I ϋ I ϋ n I— V Α7

583225 五、發明說明（57 ) 螢光體4之欲段聚芴長82奈卡

ο$η17 c8h17

C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 麵 <初聚物（6)之合成> 訂· 2 5 5 —辛氧i基-對望 了本一甲化二氣與三苯膦反應而得 鱗鹽4.8克、對酞醛〇·6岁、 Ό兄、以及4-溴苯曱醛0.28克入 料於反應容器後，反應系内 # ^ ^ ^ 丁 Π Μ鼠乳取代。於此加入已先經 線· 氮氣冒泡脫氣之四氫料（脫水溶，〇毫升。其次於該溶 液，室溫下以約20分鐘滴入已將三級丁醇鉀2 2克溶於 經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水溶劑）1〇毫升之溶液。持 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 續於室溫反應3小時。 反應後加入醋酸中和後，將該溶液注入甲醇中，攪拌 約1小時。其次將產生之沈澱物過濾回收。該沈澱物用乙 醇清洗後減壓乾燥，得聚合物1 · 5克。所得聚合物稱之為 初聚物（6)。 初聚物（6)之聚苯乙烯換算重均分子量為4.7χ 103， 數均分子量為3·3χ103。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 57 313627 583225 A7 -- B7 五、發明說明（58 ) 由入料單體推測初聚物（6)之構造所含單元如下。

<高分子螢光體5之合成> 9,9-二辛基-2,7-二溴芴2.丨克、初聚物（6)〇 25克以 及2,2’-聯吡啶1.37克入料於反應容器後，反應系内以氬 氣取代。於此加入已先經氬氣冒泡脫氣之四氫呋喃（脫水 溶劑）100毫升。其次於該混合溶液加入貳（15-環辛二稀） 合鎳（0)2.5克，在室溫攪拌10分鐘後，於6(rc反應7小 時。反應係在氬氣環境中進行。反應後將該溶液冷卻後， 注入25%氨水25毫升/甲醇150毫升/離子交換水ι〇〇毫 升之混合溶液中，攪拌約1小時。其次將產生之沈澱物過 濾、回收。該沈澱物乾燥後溶於甲苯。過濾該溶液去除不 溶物後，將該溶液注入甲醇中再沈澱，回收沈澱物。該沈 殿物經減壓乾燥得聚合物1.0克。該聚合物稱之為高分子 螢光體5。 所得高分子螢光體5之聚苯乙烯換算重均分子量為 2·4χ 105，數均分子量為6.3x 104。 由入料單體推測高分子螢光體5之構造所含單元如 下。 所得高分子螢光體5薄膜以實施例9之方法測量螢光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 )OJ· ϋ ϋ amm§ I n ϋ ϋ 0 ϋ i ϋ ϋ ϋ ·1 i_i ϋ ϋ Αϋ H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 ϋ ϋ ·ϋ - 58 583225 A7 B7 五、發明說明（59 ) 光譜，結果螢光之高峰波長為524奈米，比構成高分子螢 光體5之嵌段聚芴長96奈米。

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例6 <初期聚合物（7)之合成> 除原料用9,9-二辛基-2,7-二溴芴1.64克、雙（4-溴苯 基）-(4-(4-三級丁基）苯乙烯基）胺〇·42克、4-溴苯曱醛〇.〇9 克、2,2、聯吡啶1.38克、以及貳（1，5-環辛二烯）合鎳（0)2.5 克以外，如同實施例1<聚合物1>之合成得初聚物（7)1.0 克。所得初聚物（7)之聚苯乙烯換算重均分子量為9.2χ 1〇4，數均分子量為4.2χ 1〇4。 由入料單體推測初聚物（7)之構造所含單元如下。

OHC

CeHi7 C8H17 0.3

Or

CHO 訂· -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x挪） 59 313627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583225 Α7 Β7 五、發明說明（60 ) 之初聚物（8)之合成> 除原料用9,9_二辛基_2,7_二溴芴3.6克、4-溴苯甲膦 酸二乙酯0.61克、2,2、聯吡啶5.5克、以及貳（1，5-環辛 二烯）合鎳（0)10克以外，如同實施例3<聚合物（4)>之合 成，得初聚物（8)2·7克。所得初聚物之聚苯乙烯換算重均 分子量為2.5χ 104，數均分子量為l.lx 1〇4。 由入料單體推測初聚物（8)之構造所含單元如下。 (Et0)2(0)P-^^-—^^-P(0)(0Et)2

CeHi7 CeHi7 分子營光體6之合成〉 除原料用上述初聚物（7)〇·3克、上述初聚物（8)0.08 克、以及三級丁醇鉀〇·1克以外，如同實施例3<高分子 螢光體3>之合成，得高分子螢光體6 〇· 18克。所得高 分子螢光體6之聚苯乙烯換算重均分子量為9·2χ 1〇4，數 均分子量為4·2χ 104 〇 由入料單體推測南分子榮光體6之構造所含單元如 下0

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線—扇 60 583225 Α7 Β7 五、發明說明（61 ) 光譜，結果螢光之高峰波長為456奈米，比構成高分子榮 光體6之嵌段聚芴長28奈米。 <初聚物（9)之合成> 除原料用9,9-二辛基_2,7-二溴芴1.64克、N，N•雙（4_ 溴苯基）-N，N、二苯基苯二胺1.0克、4-溴笨甲醛〇 09克、 2,2’_聯吡啶丨65克、以及貳（1，5_環辛二烯）合鎳（〇)3 〇克 以外，如同實施例1<聚合物1>之合成，得初聚物（9)〇 9 克。所得聚合物之聚苯乙烯換算重均分子量為3.9χ 1〇4， 數均分子量為1.4χ 104。 由入料單體推測初聚物（9)之構造所含單元如下。

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------------I J----I I I I. ^---------0 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <南分子螢光體7之合成> 除原料用上述初聚物（9)0.2克、上述初聚物（8)0.2克、 以及三級丁醇鉀〇· 1克以外，如同實施例3<高分子螢光 體3>之合成，得高分子螢光體7 〇·24克。所得高分子 螢光體7之聚苯乙烯換算重均分子量為&3x 1〇4,數均分 子量為2.1Χ 1〇4 〇 由入料單體推測高分子螢光體7之構造所含單元如 下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 61 313627 .· 583225 A7 B7 五、發明說明（62 )

所得高分子螢光體7薄膜以實施例9之方法測量其螢 光光譜’結果螢光之高峰波長為474奈米，比構成南分子 螢光體7之嵌段聚芴長46奈米。 實施例8 〈初聚物（10)之合成〉 除原料用二溴-2,5-雙（3,7-二甲基辛氧基）苯1.54 克、N，N-雙（4_溴苯基）-N’，N’·二苯基苯二胺1·6克、4-溴 苯甲醛0·09克、2,2，_聯吡啶2.2克、以及貳（1，5-環辛二 稀）合錄（0)4.0克以外，如同實施例ι<初聚物1>之合成， 得初聚物（10)0.9克。所得聚合物之聚苯乙烯換算重均分 子量為2.0χ 1〇4’數均分子量為ιΐχ 1〇4。由入料單體推 測初聚物（10)之構造所含單元如下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨丨丨丨丨丨丨訂丨丨丨丨丨丨丨-線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

OHC

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Ph#N*Ph <初聚物（11)之合成> 除原料用4,4’-二溴-3,3，-雙（3,7_ 甲基辛氧基)芪1.46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 62 313627

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

583225 五、發明說明（63 ) 克、4-漠苯甲膦酸二乙醋〇·21克、22，-聯〇比 以及武（1，5-環辛一稀）合錄（0)1·5克以外，如 初聚物⑷>之合成’得初聚物⑴)0 4克：實施例3< 聚苯乙烯換算重均分子量為8· 8χ 103,數私得聚〇物之 χ1〇3。 數均分子量為7.8

<高分子榮光艘8之合成> 除原料用上述初聚物（1〇)〇1克、上琉、 义初聚物（11)0·14 克、以及三級丁醇鉀〇· 1克以外，如同實施例3〈高分子 螢光體3>之合成，得高分子螢光體7 0.12克。所得聚 合物之聚苯乙烯換算重均分子量為6·8χ 104，數均分子量 為 1·8χ 104 〇 由入料單體推測高分子螢光體8之構造所含單元如 下。

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 64 583225 Α7 ---- Β7 五、發明說明（64 ) 比較例3 <比較聚合物2之合成> 除原料用4,4，-二溴-3,3，-雙（3,7-二甲基辛氧基）芪〇_71 克、2,2、聯吡啶〇 5克、貳（1，5_環辛二烯）合鎳（〇)1 〇克 以外’如同實施例K聚合物卜之合成，得比較聚合物2 〇·28克。所得聚合物之聚苯乙烯換算重均分子量為2 1χ 1〇5 ’數均分子量為5·3χ 104。

所得高分子螢光體8之薄膜以實施例9之方法測量螢 光光譜’結果螢光之高峰波長為465奈米，比構成高分子 螢光體8之嵌段，比較聚合物2之螢光高峰波長438奈米 長27奈米。 實施例1 <螢光特性> 高分子螢光體（1)至（8)之0.2重量％氣仿溶液旋塗於 石英上’各製成高分子螢光體薄膜。用螢光分光光度計（日 立製作所850)測量這些薄膜之螢光光譜。每一均具強螢 光。 實施例10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公董） 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

583225 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ----—---_ — 五、發明說明（65 ) <元件之製作及評估> 經以濺鍍法施以厚15〇奈米ITO膜之玻璃基板，旋 塗聚（乙烯二氧基噻吩）/聚苯乙烯磺酸溶液（bayer公司， Baytron)成厚50奈米之膜，於熱板上以12〇ti〇分鐘乾 燥。其次，旋塗高分子螢光體（1)之丨5重量％甲苯溶液， 成厚約1〇〇奈米之膜。再於減壓下8(rc乾燥i小時後， 蒸鍍氟化鋰0.4奈米為陰極緩衝層，鈣25奈米加上鋁4〇 奈米作為陰極，製成高分子LED。蒸鍍時之真空度均為ι 至8x 10_6托。製得之元件施加電壓可得來自高分子螢光 體（1)之EL發光。EL發光之強度約與電流密度成比例。 該元件於約5.3伏特之亮度超過ι新燭光/平方米， 最南發光效率3.2新燭光/安培，最高亮度達13〇〇〇新燭 光/平方米以上。 實施例11 <元件之製作及評估> 除高分子螢光體（1)改用高分子螢光體（4)以外，如同 實施例10製成高分子LED。蒸鍍時之真空度均為ι至8 X 1〇_6托。所得元件施加電壓可得來自高分子螢光體（4)之 EL發光。EL發光之強度約與電流密度成比例。 該元件於約6.1伏特之亮度超過〖新燭光/平方米， 最高發光效率1.8新燭光/安培，最高亮度丨0440新燭光/ 平方米。 實施例12 <元件之製作及評估> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 65 313627 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

583225 A7 ---------- B7_ " _丨.1 丨_丨丨__丨 — 五、發明說明（66 ) 除高分子螢光體（1)改用高分子螢光體（5)以外，如同 實施例10製作高分子led。蒸鍍之真空度均為i至8χ 1〇^ 托。所得元件施以電壓可得來自高分子螢光體（5)之發 光。EL發光之強度約與電流密度大致成比例。 該疋件於6.3伏特之亮度超過1新燭光/平方来，最 南發光效率2.2新燭光/安培，最高亮度1〇542新燭光/平 方米。 [產業上之利用可能性] 本發明之南分子螢光體，有強螢光及/或伏良電荷輸 送能力，適用作高分子LED用發光材料、電荷輸送材料。 又，本發明之高分子螢光體可用作雷射用色素、有機太陽 電池用材料、有機電晶體用之有機半導體、導電薄膜用材 料。又再，使用該高分子螢光體之高分子LED，係可低 電壓、高效率驅動之高性能高分子led。因此，該高分 子LED可利用於液晶顯示器之背光或照明用之曲面、平 面光源、區段式顯示元件、點陣式平面顯示器等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I----丨訂·-------•線丨--- 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) 66 313627

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 科4 I 第91 108512號專利申請案 申請專利範圍修正本 (92年9月17曰） 1 _ 一種肷段共聚物，係含2段以上之嵌段、固態具螢光之 嵌段共聚物，其特徵為：其嵌段可係相同或不同，各嵌 段内有1種以上之重複單元構造以共軛結構結合，嵌段 與後段之間以具共軛結構之接合單元連結，並且，至少 甘欠丰又之I本乙稀換算數均分子量在1〇3至 108。 2· —種散段共聚物，係含2段以上之嵌段、固態具螢光之 彼段共聚物，其特徵為：該嵌段之至少2者係不同者， 各嵌段内有1種以上之重複單元構造以共軛結構結 合’嵌段與嵌段間共軛鏈不斷而以直接鍵結連結，並 且’至少一嵌段之聚苯乙烯換算數均分子量在1Χ 1〇3 至 lx 108 〇 3 ·如申請專利範圍第1項之嵌段共聚物，係如下述一般式 (la)所示者： -A-block-(B)-block-C (la) (其中A及C表相同或不同之嵌段，b表具有共輛結構 之接合單元，並且，一般式（la)所表聚合物薄膜之螢光 高峰波長，比僅由嵌段A構成之聚合物薄膜之螢光高峰 波長及僅由嵌段C構成之聚合物薄膜之螢光高峰波 長’均長5奈米以上）。 4.如申請專利範圍第2項之嵌段共聚物，係如下述一般式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） ! 313627 583225 H3 (lb)所示者： •A-bl〇ck-C- (lb) (其中A及C表不同嵌段，式（ib)所表聚合物之薄膜之 螢光高峰波長，比僅由嵌段A構成之聚合物薄膜之螢光 高峰波長，長5奈米以上）。 5.如申請專利範圍第3或4項之嵌段共聚物，其中上述式 (la)或（lb)中，表嵌段之a及C之至少其一具有一種以 上下述式（2)及/或式（3)所示之重複單位構造者： (2) (其中ΑΓι係亞苯基或2價雜環化合物基，Ri、R2各自 獨立示選自氫原子、烷基、芳基、1價雜環化合物基， 以及氰基之群組之基，η係〇或1) -Ar2-(CR3=CR4)m (3) (其中Ar2係下述一般式（4)所示之2價芳族胺基，R3、 R4各自獨立表如同&、R2之基，m係0或1) -Ar3-N(Ar4)-Ar5- (4) (其中Αγ3及Αγ5各自獨立係亞芳基、下述一般式（5)所 表芳族化合物基、或下述一般式（6)之具有芳族胺骨架 之基，Αγ4示芳基、一價雜環化合物基、下述一般式（7) 所表具有芳族胺骨架之基、或下述一般式（8)所表具有 芳族亞乙烯骨架之基，又，Ar3與Ar4之間、Α“與Ar 之間、或Ar3與Αγ5之間亦可形成環） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 2 313627 583225 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 4-ΑΓ6-0=〇4γΑτ7- Rs Rg (5) (其中Ar6及Αγ7各自獨立示亞芳基，R5及R6各自獨立 係如同Ri、R2之基，1係0或1) -Are一Ν一Αγ9- (6) (其中Αγ8及Ar9各自獨立示亞芳基，Ar10係芳基，又， Ar8與Ar10之間、Ar8與Αγ9之間、或Αγ9與Ar1()之間亦 可形成環） -Ar” 一 Ν: ⑺ (其中Arn示亞芳基，117及各自獨立表如同心、R2 之基，又，Aru與R7之間、Arn與R8之間、或R7與R8 之間亦可形成環） -f-Ar12-C=c4~Ar13l ip Π9 Π10 (8) (其中Ar12及Αγ13各自獨立示亞芳基，R9及R10各自獨 立表如同Ri、R2之基，p係0或1)。 6.如申請專利範圍第5項之嵌段共聚物，其中上述式（3) 中之Ar2係如下述式（9)所示者： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 3 313627 H3 -(Ar14-N(Ar15))t- Ar16_ (9) (其中Ar14及Ar16表如同Ar3及Ar5之基，A、表如同 之基，t係1或2)。 7·如申請專利範圍第5項之嵌段共聚物，其中上述式（2) 之η係〇時，及上述式（3)中m係0時，上述式（la)之接 合單元B係如下述一般式（10)所示者：

   經濟部中央標準局員工福利委員會印製 (其中Ar1T、Arls係亞芳基、或2價雜環化合物基，Rn 及Ru表如同K及R2之基）。 8·如申請專利範圍第6項之嵌段共聚物，其中上述式（2) 之η係1時，及上述式（3)中m係1時，上述式〇a)之接 合單元B係如下述一般式（11)所示者·· -Ar19， (11) (其中Ar!9係亞芳基、或2價雜環化合物基）。 9· 一種兩分子螢光體組成物，其特徵為含有如申請專利範 圍第1至8項中任一項之嵌段共聚物者。 10·如申請專利範圍第9項之高分子螢光體組成物，其特徵 為含有嵌段共聚物10重量％以上者。 11· 一種嵌段共聚物之製造方法，其特徵為：分子内具有可 互相反應之2反應活性基（Xi、X2)之單體⑴與分子内具 有與該反應活性基（Xi、X2)反應可產生鍵結之反應活性 基（X3)及該反應活性基（Xi、X2)與（χ3)反應可產生鍵結 本紐尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公爱) " 4 313627 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 之反應條件下不反應之基（Υι)之單體（II)反應得分子末 端具有基（Υ〇之初聚物，於基（Yl)間相互反應可產生鍵 結之條件下反應者。 12·—種嵌段共聚物之製造方法，其特徵為：分子内具有可 互相反應之2反應活性基（X!、χ2)之單體⑴與分子内具 有與該反應活性基（Xi、χ2)反應可產生鍵結之反應活性 基（X3)及該反應活性基（Xi、χ2)與（χ3)反應可產生鍵結 之反應條件下不反應之基（YJ之單體（π)反應而得之分 子末端有基（Υ〇之初聚物，與分子内具有與基（Υι)反應 可產生鍵結之2基（Υ2、Υ3)之單體（in),於基Υι與γ2 及Υ3反應可產生鍵結之條件下反應者。 13.如申請專利範圍第11或12項之嵌段共聚物之製造方 法，其特徵為使用2種以上之初聚物者。 14·如申請專利範圍第u項之嵌段共聚物之製造方法，其 特徵為上述基（Yi、Υ2、YD係可產生；r—疋鍵結之基者。 15·如申請專利範圍第14項之嵌段共聚物之製造方法，其 特徵為上述基（Yi、Υ2、Υ0反應產生之；Γ—冗鍵結係雙 鍵者。 16·如申請專利範圍第11項之嵌段共聚物之製造方法，其特 徵為單體（I)係下述一般式（12)所示之1種以上之單艘，單 體（Π)係下述一般式（13)所示之1種以上之單髏者： Χ1-Αγ2〇-Χ2 (12) (其中Χ^Χ2示相互反應可產生鍵結之反應活性基，其 可係相同或不同，Ar20示同上述Aq之基） 本紐尺度適財國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） '' - 5 313627 583225

   X3_Ar21-Yi (13) (其中Ar21示如同Aq之基，X3示與上述、γ 互相反應可產生鍵結之反應活性基，Yi示Χι、χ ν 1 八2、λ3 產生鍵結之反應條件下不反應之基）。 17·如申請專利範圍第12項之嵌段共聚物之製造方法，其 特徵為單體（III)係下述一般式（14)所示之單體者： Y2-Ar25-Y3 (14) (其中Αγη示如同Ar!之基，Y2、YS各自獨立表示如同 Yi之基，其可係相同或不同）。 18·如申請專利範圍第16或17項之嵌段共聚物之製造方 法’其特徵為式（12)及（13)所示單體之X!、Χ2、χ3各自 獨立係_素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可 經统基取代之芳基磺醯氧基、硼酸、或硼酸酯（但至少1 者以上係南素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基或 可經烷基取代之芳基磺醯氧基），式（13)、（14)所示單體 之各自獨立係醛基、羰基、膦酸酯、或鎸 鹽（但至少1者以上係醛基或羰基）。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 19·如申請專利範圍第16或17項之嵌段共聚物之製造方 法’其特徵為式（12)及（13)所示單體之Xi、X2、X3各自 獨立係醛基、羰基、膦酸酯基、或鱗鹽（但至少1者以 上係醛基或羰基），式（13)、（14)所示單艎之 各自獨立係_素原子、可經氟原子取代之统基確酿氧 基、可經燒基取代之芳基續醯氧基、硼酸、或硼酸酯（但 至少1者以上係由素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格⑽χ297公麓）--一 6 313627 氧基或可經烷基取代之芳基磺醯氧基）。 2〇·如申請專利範圍第16或17項之嵌段共聚物之製造方 法’其特徵為選自一般式（12)及（13)所示單體之ΧΓΧ2、 X3之基中，1者以上係硼酸或硼酸酯，1者以上係鹵素 原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基或可經烷基取代 之芳基磺醯氧基，一般式（13)所示單體之Yi，及一般式 (14)所示γ2、γ3係選自醛基、羰基、膦酸酯基、或鱗 鹽之反應活性基，於Pd(〇)催化劑之存在下反應可得初 聚物者。 21.如申請專利範圍第16或17項之嵌段共聚物之製造方 法’其特徵為一般式（12)及（13)所示單體之X!、Χ2、χ3 係鹵素原子、可經氟原子取代之烷基磺醸氧基、可經烷 基取代之芳基磺醯氧基，一般式（13)所示單體之Yi及 一般式（14)所表之γ2、γ3係選自醛基、羰基、膦酸酯、 或鎸鹽之反應活性基，於Ni(0)之存在下反應可得初聚 物者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 22·如申請專利範圍第16或17項之嵌段共聚物之製造方 法，其特徵為一般式（12)及（13)所示單體之Xi、χ2、χ3 之1者以上係膝基或叛基、1者以上係膦酸或鐫盥， 一般式（13)所示單體之—般式（14)所表之γ2、γ3 係選自i素原子、可經氟原子取代之烷基磺醯氧基、可 經烷基取代之芳基磺醯氧基之反應活性基，於鹼之存在 下反應可得初聚物者。 23·—種高分子發光元件，係於至少其一為透明或半透明之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x297公釐） 7 313627 583225 一對陽極及陰極所構成之電極間至少具有發光層之高 分子發光元件’其特徵為：該發光層含有如申請專利範 圍第1至8項中任一項之嵌段共聚物者。 24_—種尚分子發光元件，係於至少其一為透明或半透明之 一對陽極及陰極所構成之電極間至少具有發光層之高 分子發光元件，其特徵為··該發光層含有如申請專利範 圍第8、9或10項之高分子螢光體組成物者。 25·如申請專利範圍第23或24項之高分子發光元件，其特 徵為陰極與發光層之間，鄰接該發光層設有電子輸送性 化合物所構成之層者。 26.如申請專利範圍第23或24項之高分子發光元件，其特 徵為陽極與發光層之間，鄰接該發光層設有正孔輸送性 化合物所構成之層者。 27·如申請專利範圍第23或24項之高分子發光元件，其特 徵為陰極與發光層之間，鄰接該發光層設有電子輸送性 化合物構成之層，及於陽極與發光層之間，鄰接該發光 層設有正孔輸送性化合物所構成之層者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 28·—種面狀光源，其特徵為：使用如申請專利範圍第23 至27項中任一項之高分子發光元件者。 29·—種區段顯示裝置，其特徵為：使用如申請專利範圍第 23至27項中任一項之高分子發光元件者。 30·—種點陣顯示裝置，其特徵為：使用如申請專利範圍第 23至27項中任一項之高分子發光元件者。 31· —種液晶顯示裝置’其特徵為：以如申請專利範圍第23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公爱） 8 313627 583225 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 H3 至27項中任一項之高分子發光元件作為背光者。 32.—種電子設備，其特徵為：其顯示部位係使用如申請專 利範圍第29至31項中任一項之顯示裝置者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x 297公釐） 9 313627