JP3972493B2 - 高分子蛍光体および高分子発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子(以下、高分子LEDということがある)に関する。
【0002】
【従来の技術】
無機蛍光体を発光材料として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子(以下、無機EL素子ということがある)は、例えばバックライトとしての面状光源やフラットパネルディスプレイ等の表示装置に用いられているが、発光させるのに高電圧の交流が必要であった。
【0003】
近年、Tangらは有機蛍光色素を発光層とし、これと電子写真の感光体等に用いられている有機電荷輸送化合物とを積層した二層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ということがある)を作製した(特開昭59−194393号公報)。有機EL素子は、無機EL素子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られるという特徴があることから素子構造や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多くの試みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys.)第27巻、L269頁(1988年)〕、〔ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(J.Appl.Phys.)第65巻、3610頁(1989年)〕。
【0004】
また、主に低分子の有機化合物を用いる有機EL素子とは別に、高分子量の発光材料を用いる高分子LEDについては、WO9013148号公開明細書、特開平3−244630号公報、アプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)第58巻、1982頁(1991年)などで提案されていた。WO9013148号公開明細書の実施例には、可溶性前駆体を電極上に成膜し、熱処理を行うことにより共役系高分子に変換されたポリ(p−フェニレンビニレン)薄膜が得られることおよびそれを用いた素子が開示されている。
【0005】
さらに、特開平3−244630号公報には、それ自身が溶媒に可溶であり、熱処理が不要であるという特徴を有する共役系高分子が例示されている。アプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)第58巻、1982頁(1991年)にも、溶媒に可溶な高分子発光材料およびそれを用いて作成した高分子LEDが記載されている。
【0006】
高分子LEDは、塗布により容易に有機層を製膜することができるので、低分子を蒸着する場合と比較して、大面積化や低コスト化に有利であり、高分子であることから膜の機械的強度も優れていると考えられるが、よりいっそうの発光効率の改善が求められている。すなわち高分子LEDにおいて、発光効率の高い素子が求められており、それに用いる高蛍光収率の高分子蛍光体が求められている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高蛍光収率の高分子蛍光体およびその製造方法、さらにそれを用いた発光効率の高い高分子発光素子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、このような事情をみて鋭意検討した結果、アリーレンビニレン系高分子蛍光体において、ビニレン基のトランス/シス比を小さくすることにより、強い蛍光を有する高分子蛍光体となり、これを用いれば、発光効率の高い高分子発光素子が得られることを見出し、本発明に至った。
【0009】
すなわち本発明は、〔1〕固体状態で可視の蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜107である高分子蛍光体において、該高分子蛍光体が下記式(1)および式(2)で示される繰り返し単位をそれぞれ少なくとも1種類含むとともに下記式(3)で示される関係が成り立ち、かつ式(1)および式(2)で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の50モル%以上である高分子蛍光体に係るものである。
【0010】
【化5】
−Ar1−CR1=CR2− ・・・・・(1)
〔ここで、Ar1は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。−CR1=CR2−は、トランスビニレンであり、R1、R2は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。〕
【0011】
【化6】
−Ar2−CR3=CR4− ・・・・・(2)
〔ここで、Ar2は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。−CR3=CR4−は、シスビニレンであり、R3、R4は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。〕
【0012】
【数2】
M/N ≦ 0.70 ・・・・・(3)
〔ここで、Mは該高分子蛍光体に含まれる式(1)で表される繰り返し単位の数、Nは該高分子蛍光体に含まれる式(2)で表される繰り返し単位の数を示す。〕
【0013】
また、本発明は、〔2〕下記式(4)で示される芳香族化合物と芳香族ホスフィンを反応させて得られる塩と、下記式(5)で示される芳香族ジアルデヒド化合物とを、アルカリの存在下、15℃以下で反応させる〔1〕記載の高分子蛍光体の製造方法に係るものである。
【0014】
【化7】
XCH2−Ar4−CH2X ・・・・・(4)
〔ここで、Ar4は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。Xはハロゲン基を示す。〕
【0015】
【化8】
OHC−Ar3−CHO ・・・・・(5)
〔ここで、Ar3は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。〕
【0016】
さらに、本発明は、〔3〕少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも高分子蛍光体を含む発光層を有する高分子発光素子において、該発光層が〔1〕記載の高分子蛍光体を含む高分子発光素子に係るものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の高分子LEDの構造としては、本発明の高分子蛍光体を含む発光層を有していれば良い。
例えば、以下のa)〜e)の構造が例示される。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は積層を示す。)
【0018】
すなわち、本発明の高分子LEDは、a)少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも高分子蛍光体を含む発光層を有する高分子発光素子において、該発光層が本発明の高分子蛍光体を含むことを特徴とする。また、本発明の高分子LEDは、b)陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送性化合物を含む層を設けたことを特徴とするa)記載のものである。また、本発明の高分子LEDは、c)陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層化合物を含む層を設けたことを特徴とするa)記載のものである。さらに、本発明の高分子LEDは、d)陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送性化合物を含む層、および陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送性化合物を含む層を設けたことを特徴とするa)記載のものである。
【0019】
また、発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に2層以上用いてもよく、さらに電荷注入の改善あるいは界面の密着性向上や混合の防止等のためにいずれかの界面にバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、および各層の厚さについては特に制限はないが、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【0020】
本発明の高分子発光素子の発光層に用いる高分子蛍光体は、シスビニレン基を多く含むポリアリーレンビニレンおよびその誘導体であり、固体状態で可視の蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜107であるとともに、下記式(1)および式(2)で示される繰り返し単位をそれぞれ少なくとも1種類含むとともに下記式(3)で示される関係が成り立ち、かつそれら式(1)および式(2)で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の50モル%以上であることを特徴とする。
【0021】
【化9】
−Ar1−CR1=CR2− ・・・・・(1)
〔ここで、Ar1は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。−CR1=CR2−は、トランスビニレンであり、R1、R2は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。〕
【0022】
【化10】
−Ar2−CR3=CR4− ・・・・・(2)
〔ここで、Ar2は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基である。−CR3=CR4−は、シスビニレンであり、R3、R4は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す〕
M/N ≦ 0.70 ・・・・・(3)
〔ここで、Mは該高分子蛍光体に含まれる式(1)で表される繰り返し単位の数、Nは該高分子蛍光体に含まれる式(2)で表される繰り返し単位の数を示す〕該繰り返し単位の構造にもよるが、式(1)および式(2)で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の70モル%以上であることが好ましい。該高分子蛍光体は、式(1)または式(2)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、2価の芳香族化合物基もしくはその誘導体、2価の複素環化合物基もしくはその誘導体、またはそれらを組み合わせて得られる基などを含んでいてもよい。また、式(1)または式(2)で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
【0023】
上記式(1)のAr1および上記式(2)のAr2としては、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基であり、特開平9−45478号公報の化9に示された2価の芳香族化合物基もしくはその誘導体基、2価の複素環化合物基もしくはその誘導体基、またはそれらを組み合わせて得られる基などが例示される。
【0024】
これらのなかで、フェニレン基、置換フェニレン基、ビフェニレン基、置換ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、置換ナフタレンジイル基、アントラセン−9,10−ジイル基、置換アントラセン−9,10−ジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基、置換ピリジン−2,5−ジイル基、チエニレン基または置換チエニレン基が好ましい。さらに好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基またはチエニレン基である。
【0025】
式(1)のR1、R2が水素またはシアノ基以外の置換基である場合について述べると、炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
【0026】
アリール基としては、フェニル基、4−C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、4−C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが例示される。
【0027】
式(1)のAr1または式(2)のAr2が1つ以上のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を有している場合には、これらの置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、イソアミル基、2−エチルヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、イソアミルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、イソアミルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基などが挙げられる。
【0028】
高分子蛍光体の蛍光強度と溶解性の観点からは、Ar1またはAr2が2つ以上の置換基を有するものを含むことが好ましく、それらが同一でないことがより好ましい。また、同じ炭素数を有する置換基で比較すると、アルキル鎖に関しては直鎖状のものよりは枝分かれのある置換基がより好ましい。
【0029】
また、該高分子蛍光体に含まれるアリーレンビニレン中のビニレン基は、上記式(3)を満たすように、シス体が多く含まれる。該高分子蛍光体に含まれる式(1)で表される繰り返し単位の数M、該高分子蛍光体に含まれる式(2)で表される繰り返し単位の数Nの比は、トランスビニレンとシスビニレンの比を示しており、この値は0.70以下である。繰り返し単位の構造にもよるが、シスビニレンの割合が多いほど、蛍光強度が強く、また、溶媒への溶解性が高くなる傾向があるので、0.65以下であることがより好ましい。なお、これらの値は、該高分子蛍光体の平均としての値であり、必ずしも一つ一つの分子がすべてこれらの値を満たしている訳ではない。
【0030】
また、高分子蛍光体の末端基は、特に限定されないが、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていることが好ましい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものがより好ましく、例えば、ビニレン基を介してアリール基または複素環化合物基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9−45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。
【0031】
該高分子蛍光体の合成法としては、特に限定されないが、例えば特開平5−202355号公報に記載の方法が挙げられる。特に、ジアルデヒド化合物とジホスホニウム塩化合物とのWittig反応による重合において、シスビニレンを多く含む高分子蛍光体を製造することが容易である。
【0032】
具体的には、例えばジアルデヒド化合物とジホスホニウム塩化合物とのWittig反応による重合では、芳香族ホスホニウム塩として、例えばトリフェニルホスフィンの塩を用いた方が、シスビニレンが多くなる。また、反応温度が低いほどシスビニレンが多くなり、例えば15℃以下、好ましくは10℃以下、さらに好ましくは5℃以下で重合することにより、本発明の高分子蛍光体が得られやすくなる。
【0033】
なお、該高分子蛍光体は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が3つ以上ある場合も含まれる。
【0034】
また、薄膜からの発光を利用するので該高分子蛍光体は、固体状態で蛍光を有するものが好適に用いられる。
【0035】
該高分子蛍光体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、デカリン、n−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子蛍光体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。
【0036】
該高分子蛍光体は、分子量がポリスチレン換算で103〜107であり、それらの重合度は、繰り返し構造やその割合によっても変わる。成膜性の点から一般には繰り返し構造の合計数が、好ましくは10〜10000、さらに好ましくは10〜3000、特に好ましくは20〜2000である。
【0037】
これらの高分子蛍光体を高分子LEDの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【0038】
高分子LED作成の際に、これらの有機溶媒可溶性の高分子蛍光体を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【0039】
発光層に例えば該高分子蛍光体以外の発光材料を混合使用してもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
【0040】
具体的には、例えば特開昭57−51781号、同59−194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【0041】
本発明の高分子LEDが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、特に制限はないが、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体が例示される。
【0042】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【0043】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【0044】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【0045】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【0046】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【0047】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【0048】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【0049】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【0050】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【0051】
本発明において、高分子LEDが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体等が例示される。
【0052】
具体的には、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【0053】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムがさらに好ましい。
【0054】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【0055】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および/または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【0056】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【0057】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
【0058】
本発明において、透明または半透明の陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、ZnO、SnO2が好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【0059】
次に、本発明で用いる陰極の材料としては、イオン化エネルギー仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。
【0060】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極作製後、該高分子LEDを保護する保護層を装着していてもよい。
【0061】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。
【0062】
実施例1
<高分子蛍光体1の合成>
2−メトキシ−5−オクチルオキシ―p―キシリレンジクロライドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩(1)を合成した。また、2,5−ジオクチルオキシ−p−キシリレンジクロライドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩(2)を合成した。得られたホスホニウム塩(1)4.29gとホスホニウム塩(2)4.78gとテレフタルアルデヒド1.01gと1−ピレンカルボキシアルデヒド1.15gとを、エタノール/トルエン(1/1)混合溶媒140gに溶解させた。次に、このホスホニウム塩とアルデヒドのエタノール/トルエン混合溶液を氷冷した。この液に、12%リチウムメトキシドメタノール溶液10mlとエチルアルコール40mlとを混合した溶液50mlを滴下した。引き続き、0〜5℃で4時間反応させた。
【0063】
反応後、酢酸で中和した後、一夜室温で放置した。次に、生成した沈殿を回収した。次に、この沈殿をエタノールで洗浄した。次に、この沈殿をトルエンに溶解し、これにエタノールを加えて再沈精製した。再沈精製は2回行った。これを減圧乾燥して、重合体2.2gを得た。得られた重合体を高分子蛍光体1と呼ぶ。
【0064】
モノマーの仕込み比から計算される高分子蛍光体1の繰り返し単位を下記に示す。該二つの繰り返し単位のモル比は、1:1である。該高分子蛍光体1は、ランダム共重合体であり、その分子末端には主にピレニル基を有する。
【0065】
【化11】
【0066】
【化12】
該高分子蛍光体1のポリスチレン換算の数平均分子量は、2.5×103であった。該高分子蛍光体1の構造については1H−NMR、IRスペクトルで確認した。この場合のM/Nは、0.65であった。
【0067】
比較例1
<高分子蛍光体2の合成>
反応温度を室温(約25℃)とした以外は、実施例1と同じ方法で高分子蛍光体2を得た。該高分子蛍光体2のポリスチレン換算の数平均分子量は、2.5×103であった。該高分子蛍光体2の構造については1H−NMR、IRスペクトルで確認した。該高分子蛍光体2の繰り返し単位とそのモル比および分子末端の構造は、実施例1と同様であるが、ビニレン基のシス、トランスの比が異なる。この場合のM/Nは、0.79であった。
【0068】
実施例2
<高分子蛍光体3の合成>
2,5−ジオクチルオキシ−p−キシリレンジクロライドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩(2)を合成した。得られたホスホニウム塩(2)4.78gとテレフタルアルデヒド0.67gとを、エタノール/トルエン(1/1)混合溶媒70gに溶解させた。次に、このホスホニウム塩とアルデヒドのエタノール/トルエン混合溶液を氷冷した。この液に、12%リチウムメトキシドメタノール溶液5mlとエチルアルコール20mlとを混合した溶液25mlを滴下した。引き続き、0〜5℃で4時間反応させた。
【0069】
反応後、酢酸で中和した後、一夜室温で放置した。次に、生成した沈殿を回収した。次に、この沈殿をエタノールで洗浄した。次に、この沈殿をトルエンに溶解し、これにエタノールを加えて再沈精製した。再沈精製は2回行った。これを減圧乾燥して、重合体1.1gを得た。得られた重合体を高分子蛍光体3と呼ぶ。
【0070】
高分子蛍光体3の繰り返し単位を下記に示す。
【化13】
該高分子蛍光体3のポリスチレン換算の数平均分子量は、7.2×103であった。該高分子蛍光体3の構造については1H−NMR、IRスペクトルで確認した。この場合のM/Nは、0.56であった。
【0071】
実施例3
<高分子蛍光体4の合成>
2−メトキシ−5−オクチルオキシ−p−キシリレンジクロライドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩(1)を合成した。得られたホスホニウム塩(1)4.29gとテレフタルアルデヒド0.67gとを、エタノール/トルエン(1/1)混合溶媒70gに溶解させた。次に、このホスホニウム塩とアルデヒドのエタノール/トルエン混合溶液を氷冷した。この液に、12%リチウムメトキシドメタノール溶液5mlとエチルアルコール20mlとを混合した溶液25mlを滴下した。引き続き、0〜5℃で4時間反応させた。
【0072】
反応後、酢酸で中和した後、一夜室温で放置した。生成した沈殿を回収した。次に、この沈殿をエタノールで洗浄した。次に、この沈殿をトルエンに溶解し、これにエタノールを加えて再沈精製した。再沈精製は2回行った。これを減圧乾燥して、重合体0.9gを得た。得られた重合体を高分子蛍光体4と呼ぶ。
【0073】
高分子蛍光体4の繰り返し単位を下記に示す。
【化14】
該高分子蛍光体4のポリスチレン換算の数平均分子量は、7.8×103であった。該高分子蛍光体4の構造については1H−NMR、IRスペクトルで確認した。この場合のM/Nは、0.57であった。
【0074】
比較例2
<高分子発光体5の合成>
ホスホニウム塩(1)の代わりに、2−メトキシ−5−オクチルオキシ−p−キシリレンジクロライドのトリ−n−ブチルホスホニウム塩(3)3.68gを用い、反応温度を室温(約25℃)とした以外は、実施例3と同じ方法で高分子蛍光体5を得た。該高分子蛍光体5のポリスチレン換算の数平均分子量は、1.3×104であった。該高分子蛍光体5の構造については1H−NMR、IRスペクトルで確認した。該高分子蛍光体5の繰り返し単位とそのモル比および分子末端の構造は、実施例3と同様であるが、ビニレン基のシス、トランスの比が異なる。この場合のM/Nは、2.69であった。
【0075】
実施例4
<吸収スペクトル、蛍光スペクトルの測定と蛍光の量子収率の評価>
高分子蛍光体1〜5は、クロロホルムに容易に溶解させることができた。その0.4%クロロホルム溶液を石英板上にスピンコートして重合体の薄膜を作成した。この薄膜の紫外可視吸収スペクトルと蛍光スペクトルをそれぞれ島津製作所製分光光度計UV3500および日立製作所製蛍光分光光度計850を用いて測定した。蛍光の量子収率の算出には410nmで励起したときの蛍光スペクトルを用いた。蛍光強度は、横軸に波数をとってプロットした蛍光スペクトルの面積を、410nmでの吸光度で割ることにより相対値として求めた。
【0076】
高分子蛍光体1、4の蛍光強度は、表1に示すとおり、対応する高分子蛍光体2、5よりもそれぞれ蛍光が強かった。
【0077】
【表1】
【0078】
実施例5
<素子の作成および評価>
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、高分子蛍光体1の2.0wt%デカリン溶液を用いてスピンコートにより40nmの厚みで成膜した。さらに、これを減圧下120℃で1時間乾燥した後、電子輸送層として、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)を0.1〜0.2nm/秒の速度で50nm蒸着した。その上に陰極として、リチウムーアルミニウム合金(リチウム濃度:1wt%)を50nm蒸着して、高分子発光素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて8×10-6Torr以下であった。
【0079】
得られた素子は電圧を印加することにより、緑色で明るく発光した。発光ピーク波長は、高分子蛍光体薄膜の蛍光ピーク波長とほぼ一致しており、高分子蛍光体からのEL発光が確認された。輝度はほぼ電流密度に比例していた。発光効率は、2.1cd/Aであり、最高輝度は、16500cd/m2であった。
【0080】
【発明の効果】
本発明のシスビニレンを多く含むアリーレンビニレン系高分子蛍光体は、高蛍光収率を有しており、溶解性も高いので塗布成膜が容易であり、高分子発光素子の発光層に該高分子蛍光体を用いることで発光効率が高い高分子発光素子が容易に得られる。したがって、該高分子蛍光体は、特に高分子発光素子の材料として好適に用いることができ、該高分子発光素子は、バックライトとしての曲面状や面状光源、フラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
Claims (1)
- 下記式(4)で示される芳香族化合物と芳香族ホスフィンを反応させて得られる塩と、下記式(5)で示される芳香族ジアルデヒド化合物とを、アルカリの存在下、15℃以下で反応させることを特徴とする、
固体状態で可視の蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜107であり、下記式(1)および式(2)で示される繰り返し単位をそれぞれ少なくとも1種類含むとともに下記式(3)で示される関係が成り立ち、かつ式(1)および式(2)で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の50モル%以上である高分子蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34558898A JP3972493B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 高分子蛍光体および高分子発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34558898A JP3972493B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 高分子蛍光体および高分子発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000169839A JP2000169839A (ja) | 2000-06-20 |
JP3972493B2 true JP3972493B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=18377618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34558898A Expired - Fee Related JP3972493B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 高分子蛍光体および高分子発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3972493B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG100772A1 (en) * | 2000-12-06 | 2003-12-26 | Sumitomo Chemical Co | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emiting device using the same |
WO2002088223A1 (fr) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Copolymere bloc et element luminescent polymere |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34558898A patent/JP3972493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000169839A (ja) | 2000-06-20 |
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