JPH1160660A - ブロック共重合体およびその製造方法 - Google Patents
ブロック共重合体およびその製造方法Info
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- JPH1160660A JPH1160660A JP9216486A JP21648697A JPH1160660A JP H1160660 A JPH1160660 A JP H1160660A JP 9216486 A JP9216486 A JP 9216486A JP 21648697 A JP21648697 A JP 21648697A JP H1160660 A JPH1160660 A JP H1160660A
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- vinylcarbazole
- oxadiazole
- vinylphenyl
- naphthyl
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光効率が高く、耐久性に優れた有機EL素
子を得ることのできるブロック共重合体およびその製造
方法を提供すること。 【解決手段】 ブロック共重合体は、下記式(1)で表
されるブロック成分(A)と、下記式(2)で表される
ブロック成分(B)とよりなり、前記ブロック成分
(A)を構成する構造単位と前記ブロック成分(B)を
構成する構造単位との割合が、モル比で0.1:99.
9〜99.9〜0.1である。製造方法は、リビングカ
チオン重合またはリビングラジカル重合により上記のブ
ロック共重合体を製造する。 【化1】
子を得ることのできるブロック共重合体およびその製造
方法を提供すること。 【解決手段】 ブロック共重合体は、下記式(1)で表
されるブロック成分(A)と、下記式(2)で表される
ブロック成分(B)とよりなり、前記ブロック成分
(A)を構成する構造単位と前記ブロック成分(B)を
構成する構造単位との割合が、モル比で0.1:99.
9〜99.9〜0.1である。製造方法は、リビングカ
チオン重合またはリビングラジカル重合により上記のブ
ロック共重合体を製造する。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばエレクトロ
ルミネッセンス素子等を構成するために用いられる高分
子材料として好適なブロック共重合体に関する。
ルミネッセンス素子等を構成するために用いられる高分
子材料として好適なブロック共重合体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス素子を
構成する正孔輸送材料や電子輸送材料として、有機材料
が使用され始めており、このような有機材料を使用した
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL
素子」という。)の研究が活発に行われている。かかる
有機EL素子を構成する有機材料においては、優れた耐
久性を有するものであること、高い発光効率が得られる
ものであることが要求される。
構成する正孔輸送材料や電子輸送材料として、有機材料
が使用され始めており、このような有機材料を使用した
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL
素子」という。)の研究が活発に行われている。かかる
有機EL素子を構成する有機材料においては、優れた耐
久性を有するものであること、高い発光効率が得られる
ものであることが要求される。
【0003】従来、正孔輸送性能を有する有機材料とし
ては、ジアミン誘導体、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’,ジアミノ
ビフェニル(以下、「TPD」ともいう。)等のアリー
ルアミン系化合物などの低分子有機材料、ポリビニルカ
ルバゾールなどの高分子有機材料が知られている。然る
に、上記の低分子有機材料は、物理的または熱的な耐久
性に乏しいものであるため、当該低分子有機材料により
正孔輸送層を構成する場合には、有機EL素子の駆動中
または保存中に当該正孔輸送層が変質してしまう、とい
う欠点がある。また、ポリビニルカルバゾールなどの高
分子有機材料は、ガラス転移点(Tg)が非常に高いも
のであるので、優れた耐久性を有する正孔輸送層が得ら
れるが、駆動電圧が非常に高く、また、正孔輸送性能が
十分なものではないために発光効率が低く、実用上問題
がある。
ては、ジアミン誘導体、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’,ジアミノ
ビフェニル(以下、「TPD」ともいう。)等のアリー
ルアミン系化合物などの低分子有機材料、ポリビニルカ
ルバゾールなどの高分子有機材料が知られている。然る
に、上記の低分子有機材料は、物理的または熱的な耐久
性に乏しいものであるため、当該低分子有機材料により
正孔輸送層を構成する場合には、有機EL素子の駆動中
または保存中に当該正孔輸送層が変質してしまう、とい
う欠点がある。また、ポリビニルカルバゾールなどの高
分子有機材料は、ガラス転移点(Tg)が非常に高いも
のであるので、優れた耐久性を有する正孔輸送層が得ら
れるが、駆動電圧が非常に高く、また、正孔輸送性能が
十分なものではないために発光効率が低く、実用上問題
がある。
【0004】一方、電子輸送材料としては、2−(4−
ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、「PB
D」ともいう。)が知られているが、このPBDよりな
る薄膜は安定性に欠ける、という問題がある。
ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、「PB
D」ともいう。)が知られているが、このPBDよりな
る薄膜は安定性に欠ける、という問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
発光効率が高く、耐久性に優れた有機EL素子を得るこ
とのできるブロック共重合体およびその製造方法を提供
することにある。
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
発光効率が高く、耐久性に優れた有機EL素子を得るこ
とのできるブロック共重合体およびその製造方法を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のブロック共重合
体は、下記式(1)で表されるブロック成分(A)と、
下記式(2)で表されるブロック成分(B)とよりな
り、前記ブロック成分(A)を構成する構造単位と前記
ブロック成分(B)を構成する構造単位との割合が、モ
ル比で0.1:99.9〜99.9〜0.1であること
を特徴とする。
体は、下記式(1)で表されるブロック成分(A)と、
下記式(2)で表されるブロック成分(B)とよりな
り、前記ブロック成分(A)を構成する構造単位と前記
ブロック成分(B)を構成する構造単位との割合が、モ
ル比で0.1:99.9〜99.9〜0.1であること
を特徴とする。
【0007】
【化2】
【0008】本発明のブロック共重合体の製造方法は、
リビングカチオン重合により上記のブロック共重合体を
製造することを特徴とする。また、本発明のブロック共
重合体の製造方法は、リビングラジカル重合により上記
のブロック共重合体を製造することを特徴とする。
リビングカチオン重合により上記のブロック共重合体を
製造することを特徴とする。また、本発明のブロック共
重合体の製造方法は、リビングラジカル重合により上記
のブロック共重合体を製造することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 〔ブロック共重合体〕本発明のブロック共重合体は、ポ
リN−ビニルカルバゾールよりなるブロック成分(A)
と、ポリ2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールよりなるブロック成分(B)と
よりなるものである。
する。 〔ブロック共重合体〕本発明のブロック共重合体は、ポ
リN−ビニルカルバゾールよりなるブロック成分(A)
と、ポリ2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールよりなるブロック成分(B)と
よりなるものである。
【0010】ブロック成分(A)であるポリN−ビニル
カルバゾールは、上記式(1)で表されるものである。
式(1)において、nの値すなわちブロック成分(A)
におけるN−ビニルカルバゾールの平均重合度は、10
〜1000であることが好ましい。nの値が10未満の
場合には、得られるブロック共重合体は、耐熱性および
安定性が不十分なものとなりやすく、一方、nの値が1
000を超える場合には、得られるブロック共重合体
は、その溶液粘度が著しく高いものとなりやすく、ま
た、ブロック度が低下するため好ましくない。
カルバゾールは、上記式(1)で表されるものである。
式(1)において、nの値すなわちブロック成分(A)
におけるN−ビニルカルバゾールの平均重合度は、10
〜1000であることが好ましい。nの値が10未満の
場合には、得られるブロック共重合体は、耐熱性および
安定性が不十分なものとなりやすく、一方、nの値が1
000を超える場合には、得られるブロック共重合体
は、その溶液粘度が著しく高いものとなりやすく、ま
た、ブロック度が低下するため好ましくない。
【0011】ブロック成分(B)であるポリ2−β−ナ
フチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾー
ルは、上記式(2)で表されるものである。式(2)に
おいて、mの値すなわちブロック成分(B)における2
−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサ
ジアゾールの平均重合度は、10〜1000であること
が好ましい。mの値が10未満の場合には、得られるブ
ロック共重合体は、耐熱性、安定性および機械的強度が
不十分なものとなりやすく、一方、mの値が1000を
超える場合には、得られるブロック共重合体は、その溶
液粘度が著しく高いものとなりやすく、有機EL素子の
製造において、ハンドリング性が低下し、また、溶液の
糸引き性が生じるため、好ましくない。
フチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾー
ルは、上記式(2)で表されるものである。式(2)に
おいて、mの値すなわちブロック成分(B)における2
−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサ
ジアゾールの平均重合度は、10〜1000であること
が好ましい。mの値が10未満の場合には、得られるブ
ロック共重合体は、耐熱性、安定性および機械的強度が
不十分なものとなりやすく、一方、mの値が1000を
超える場合には、得られるブロック共重合体は、その溶
液粘度が著しく高いものとなりやすく、有機EL素子の
製造において、ハンドリング性が低下し、また、溶液の
糸引き性が生じるため、好ましくない。
【0012】本発明のブロック共重合体においては、ブ
ロック成分(A)を構成するN−ビニルカルバゾールに
由来する構造単位とブロック成分(B)を構成する2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で0.
1:99.9〜99.9〜01、好ましくは1:99〜
99:1とされる。N−ビニルカルバゾールに由来する
構造単位の含有割合が過小の場合には、得られるブロッ
ク共重合体は、電子トラップ性能が不十分なものとな
り、一方、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールに由来する構造単位の含有割合
が過小の場合には、正孔トラップ性能が不十分なものと
なり、当該ブロック共重合体により発光層を形成する場
合には、ポリN−ビニルカルバゾール部分とポリ2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾール部分との界面が少なく、発光サイトも減少するこ
とがあるため、好ましくない。
ロック成分(A)を構成するN−ビニルカルバゾールに
由来する構造単位とブロック成分(B)を構成する2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で0.
1:99.9〜99.9〜01、好ましくは1:99〜
99:1とされる。N−ビニルカルバゾールに由来する
構造単位の含有割合が過小の場合には、得られるブロッ
ク共重合体は、電子トラップ性能が不十分なものとな
り、一方、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールに由来する構造単位の含有割合
が過小の場合には、正孔トラップ性能が不十分なものと
なり、当該ブロック共重合体により発光層を形成する場
合には、ポリN−ビニルカルバゾール部分とポリ2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾール部分との界面が少なく、発光サイトも減少するこ
とがあるため、好ましくない。
【0013】また、本発明のブロック共重合体の平均分
子量は、例えばポリスチレン換算で5000〜1000
000、好ましくは10000〜500000である。
子量は、例えばポリスチレン換算で5000〜1000
000、好ましくは10000〜500000である。
【0014】このようなブロック共重合体は、優れた耐
久性を有し、しかも、正孔輸送性能を有するブロック成
分(A)および電子輸送性能を有するブロック成分
(B)の両方が含有されてなるものであるので、このブ
ロック共重合体により得られる有機EL素子は、発光効
率が高いものとなる。
久性を有し、しかも、正孔輸送性能を有するブロック成
分(A)および電子輸送性能を有するブロック成分
(B)の両方が含有されてなるものであるので、このブ
ロック共重合体により得られる有機EL素子は、発光効
率が高いものとなる。
【0015】〔ブロック共重合体の製造方法〕次に、本
発明のブロック共重合体の製造方法について説明する。
本発明の製造方法においては、リビングカチオン重合法
およびリビングラジカル重合法のいずれかによって、ブ
ロック共重合体を製造する。
発明のブロック共重合体の製造方法について説明する。
本発明の製造方法においては、リビングカチオン重合法
およびリビングラジカル重合法のいずれかによって、ブ
ロック共重合体を製造する。
【0016】(1)リビングカチオン重合法:この方法
においては、適宜の重合溶媒中において、例えばN−ビ
ニルカルバゾールをカチオン重合触媒の存在下にカチオ
ン重合することにより、N−ビニルカルバゾールのカチ
オン性リビングポリマーを形成し、このカチオン性リビ
ングポリマーに2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフ
ェニル)−オキサジアゾールを添加して共重合すること
により、ブロック共重合体が得られる。
においては、適宜の重合溶媒中において、例えばN−ビ
ニルカルバゾールをカチオン重合触媒の存在下にカチオ
ン重合することにより、N−ビニルカルバゾールのカチ
オン性リビングポリマーを形成し、このカチオン性リビ
ングポリマーに2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフ
ェニル)−オキサジアゾールを添加して共重合すること
により、ブロック共重合体が得られる。
【0017】以上において、重合溶媒としては、メチレ
ンクロライド、クロロベンゼン等に代表されるハロゲン
化炭化水素類、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒、アセトニトリル、ニトロベンゼン等の高極性溶媒な
どを用いることができる。カチオン重合触媒としては、
HI−ZnI2 、I2 、I2 −HIなどの触媒を用いる
ことができ、その他には、メタルハライド・エーテル錯
体などのルイス酸と塩基とを組合わせてなる触媒を用い
ることもできる。このようなカチオン重合触媒の使用割
合は、最初に重合されるN−ビニルカルバゾール1モル
に対して0.01〜0.00001モルである。反応温
度は、例えば−150〜50℃である。
ンクロライド、クロロベンゼン等に代表されるハロゲン
化炭化水素類、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒、アセトニトリル、ニトロベンゼン等の高極性溶媒な
どを用いることができる。カチオン重合触媒としては、
HI−ZnI2 、I2 、I2 −HIなどの触媒を用いる
ことができ、その他には、メタルハライド・エーテル錯
体などのルイス酸と塩基とを組合わせてなる触媒を用い
ることもできる。このようなカチオン重合触媒の使用割
合は、最初に重合されるN−ビニルカルバゾール1モル
に対して0.01〜0.00001モルである。反応温
度は、例えば−150〜50℃である。
【0018】(2)リビングラジカル重合法:この方法
においては、適宜の重合溶媒中において、例えば2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾールをラジカル重合触媒の存在下にラジカル重合する
ことにより、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェ
ニル)−オキサジアゾールのラジカル性リビングポリマ
ーを形成し、このラジカル性リビングポリマーにN−ビ
ニルカルバゾールを添加して共重合することにより、ブ
ロック共重合体が得られる。
においては、適宜の重合溶媒中において、例えば2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾールをラジカル重合触媒の存在下にラジカル重合する
ことにより、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェ
ニル)−オキサジアゾールのラジカル性リビングポリマ
ーを形成し、このラジカル性リビングポリマーにN−ビ
ニルカルバゾールを添加して共重合することにより、ブ
ロック共重合体が得られる。
【0019】以上において、重合溶媒としては、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドンなどのアミド系溶媒、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶
媒、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類、
シクロヘキシルベンゾフェノン、シクロヘキサノン等の
ケトン系溶媒などを用いることができる。ラジカル重合
触媒としては、過酸化物と、4−メチルスルホニルオキ
シ−2,2’,6,6’−テトラメチル−1−ピペリジ
ン−N−オキシド、2,2’,5,5’−テトラメチル
ピロリデインオキシド、4−オキソ−2,2’,6,
6’−テトラメチル−1−ピペリジン−N−オキシドな
どのN−オキシラジカルとの組合せよりなる系、スルフ
ィド系の触媒を用いることができる。このようなラジカ
ル重合触媒の使用割合は、モノマー1モルに対して0.
01〜0.00001モルである。反応温度は、末端保
護されたリビンググループが解裂されるのに必要なエネ
ルギーによって決定され、例えば60〜200℃であ
る。
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドンなどのアミド系溶媒、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶
媒、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類、
シクロヘキシルベンゾフェノン、シクロヘキサノン等の
ケトン系溶媒などを用いることができる。ラジカル重合
触媒としては、過酸化物と、4−メチルスルホニルオキ
シ−2,2’,6,6’−テトラメチル−1−ピペリジ
ン−N−オキシド、2,2’,5,5’−テトラメチル
ピロリデインオキシド、4−オキソ−2,2’,6,
6’−テトラメチル−1−ピペリジン−N−オキシドな
どのN−オキシラジカルとの組合せよりなる系、スルフ
ィド系の触媒を用いることができる。このようなラジカ
ル重合触媒の使用割合は、モノマー1モルに対して0.
01〜0.00001モルである。反応温度は、末端保
護されたリビンググループが解裂されるのに必要なエネ
ルギーによって決定され、例えば60〜200℃であ
る。
【0020】〔有機EL素子〕本発明のブロック共重合
体によれば、例えば以下のような構成の有機EL素子を
得ることができる。図1は、本発明のブロック共重合体
を利用した有機EL素子の一例における構成を示す説明
用断面図である。この有機EL素子においては、ガラス
基板1上に、陽極(正孔注入電極)としてITO膜2が
設けられ、このITO膜2上には、本発明のブロック共
重合体よりなる発光層3が設けられ、この発光層3上に
は、陰極(電子注入電極)としてアルミニウム膜4が設
けられている。このような有機EL素子においては、直
流電源5により、ITO膜2とアルミニウム膜4との間
に直流電圧が印加されると、発光層3が発光し、この光
はITO膜2およびガラス基板1を介して放射される。
上記の構成の有機EL素子によれば、本発明のブロック
共重合体よりなる発光層が設けられており、発光層3そ
れ自体が正孔輸送能および電子輸送能を有するため、高
い発光効率が得られる。また、正孔輸送層および電子輸
送層を設けることが不要となるため、有機EL素子の生
産性の向上を図ることができる。
体によれば、例えば以下のような構成の有機EL素子を
得ることができる。図1は、本発明のブロック共重合体
を利用した有機EL素子の一例における構成を示す説明
用断面図である。この有機EL素子においては、ガラス
基板1上に、陽極(正孔注入電極)としてITO膜2が
設けられ、このITO膜2上には、本発明のブロック共
重合体よりなる発光層3が設けられ、この発光層3上に
は、陰極(電子注入電極)としてアルミニウム膜4が設
けられている。このような有機EL素子においては、直
流電源5により、ITO膜2とアルミニウム膜4との間
に直流電圧が印加されると、発光層3が発光し、この光
はITO膜2およびガラス基板1を介して放射される。
上記の構成の有機EL素子によれば、本発明のブロック
共重合体よりなる発光層が設けられており、発光層3そ
れ自体が正孔輸送能および電子輸送能を有するため、高
い発光効率が得られる。また、正孔輸送層および電子輸
送層を設けることが不要となるため、有機EL素子の生
産性の向上を図ることができる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下
において、「部」は、「重量部」を意味する。
本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下
において、「部」は、「重量部」を意味する。
【0022】〈実施例1〉500ミリリットルの耐圧ビ
ン内に、窒素気流下にN−ビニルカルバゾール15.5
部が溶解されたメチレンクロライド溶液を仕込み、その
後、この溶液を−78℃に冷却した。この溶液を攪拌し
ながら、カチオン重合触媒としてHI−ZnI2 をN−
ビニルカルバゾール1モルに対して1/500モルとな
る量で添加することにより、N−ビニルカルバゾールの
カチオン重合を行った。TSC法により、N−ビニルカ
ルバゾールの反応率が98%以上に到達したことを確認
した後、この反応系に、窒素気流下に2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール1.
5部を添加することにより、リビングカチオン重合によ
るオキサジアゾールのブロック共重合を8時間行った。
得られたポリマー溶液の温度を徐々に上昇させて室温に
戻し、このポリマー溶液に対してその5倍量のメタノー
ルを添加することにより、得られたブロック共重合体を
凝固させて回収した。このブロック共重合体を常法によ
り再沈精製し、その後、50℃で1日間減圧乾燥した。
ン内に、窒素気流下にN−ビニルカルバゾール15.5
部が溶解されたメチレンクロライド溶液を仕込み、その
後、この溶液を−78℃に冷却した。この溶液を攪拌し
ながら、カチオン重合触媒としてHI−ZnI2 をN−
ビニルカルバゾール1モルに対して1/500モルとな
る量で添加することにより、N−ビニルカルバゾールの
カチオン重合を行った。TSC法により、N−ビニルカ
ルバゾールの反応率が98%以上に到達したことを確認
した後、この反応系に、窒素気流下に2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール1.
5部を添加することにより、リビングカチオン重合によ
るオキサジアゾールのブロック共重合を8時間行った。
得られたポリマー溶液の温度を徐々に上昇させて室温に
戻し、このポリマー溶液に対してその5倍量のメタノー
ルを添加することにより、得られたブロック共重合体を
凝固させて回収した。このブロック共重合体を常法によ
り再沈精製し、その後、50℃で1日間減圧乾燥した。
【0023】上記のブロック共重合体を分析したとこ
ろ、N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位と2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で9
5:5であった。また、ポリN−ビニルカルバゾールよ
りなるブロック成分(A)の平均重合度は500であ
り、ポリ2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールよりなるブロック成分(B)の
平均重合度は10であり、ブロック共重合体のポリスチ
レン換算平均分子量は63800であった。
ろ、N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位と2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で9
5:5であった。また、ポリN−ビニルカルバゾールよ
りなるブロック成分(A)の平均重合度は500であ
り、ポリ2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニ
ル)−オキサジアゾールよりなるブロック成分(B)の
平均重合度は10であり、ブロック共重合体のポリスチ
レン換算平均分子量は63800であった。
【0024】〈実施例2〜5〉下記表1の配合処方に従
って、N−ビニルカルバゾールおよび2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールを用
いたこと以外は実施例1と同様にしてブロック共重合体
を製造した。得られたブロック共重合体におけるN−ビ
ニルカルバゾールに由来する構造単位と2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールに
由来する構造単位との割合、ポリN−ビニルカルバゾー
ルよりなるブロック成分(A)およびポリ2−β−ナフ
チル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール
よりなるブロック成分(B)の平均重合度、並びにブロ
ック共重合体のポリスチレン換算平均分子量を表1に示
す。
って、N−ビニルカルバゾールおよび2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールを用
いたこと以外は実施例1と同様にしてブロック共重合体
を製造した。得られたブロック共重合体におけるN−ビ
ニルカルバゾールに由来する構造単位と2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールに
由来する構造単位との割合、ポリN−ビニルカルバゾー
ルよりなるブロック成分(A)およびポリ2−β−ナフ
チル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール
よりなるブロック成分(B)の平均重合度、並びにブロ
ック共重合体のポリスチレン換算平均分子量を表1に示
す。
【0025】
【表1】
【0026】上記表1において、「構造単位(A)」と
は、「N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位」を
意味し、「構造単位(B)」とは、「2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールに由
来する構造単位」を意味する。
は、「N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位」を
意味し、「構造単位(B)」とは、「2−β−ナフチル
−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールに由
来する構造単位」を意味する。
【0027】〈実施例6〉300ミリットルのガラス耐
圧容器内を十分に窒素置換した後、このガラス耐圧容器
内に、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)
−オキサジアゾール10.5部と、脱水、窒素シールさ
れたジメチルホルムアミド30部とを仕込み、この溶液
に、ラジカル重合触媒としてTEMPO−BPO1.5
部を添加し、90℃で3時間の条件で、2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールの
重合を行った。反応系はワイン色となった。次いで、反
応系の温度を135℃に上昇させ、更に2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールの
重合を60時間行った。その後、反応系に、窒素気流下
にN−ビニルカルバゾール2.5部を添加し、ラジカル
リビング重合によるN−ビニルカルバゾールの共重合を
60時間行った。得られたポリマー溶液を室温に戻し、
このポリマー溶液に対してその10倍量のメタノールを
添加することにより、得られたブロック共重合体を凝固
させて回収した。次いで、このブロック共重合体を常法
により再沈精製し、その後、50℃で1日間減圧乾燥し
た。
圧容器内を十分に窒素置換した後、このガラス耐圧容器
内に、2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)
−オキサジアゾール10.5部と、脱水、窒素シールさ
れたジメチルホルムアミド30部とを仕込み、この溶液
に、ラジカル重合触媒としてTEMPO−BPO1.5
部を添加し、90℃で3時間の条件で、2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールの
重合を行った。反応系はワイン色となった。次いで、反
応系の温度を135℃に上昇させ、更に2−β−ナフチ
ル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールの
重合を60時間行った。その後、反応系に、窒素気流下
にN−ビニルカルバゾール2.5部を添加し、ラジカル
リビング重合によるN−ビニルカルバゾールの共重合を
60時間行った。得られたポリマー溶液を室温に戻し、
このポリマー溶液に対してその10倍量のメタノールを
添加することにより、得られたブロック共重合体を凝固
させて回収した。次いで、このブロック共重合体を常法
により再沈精製し、その後、50℃で1日間減圧乾燥し
た。
【0028】上記のブロック共重合体を分析したとこ
ろ、N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位と2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で3:
7であった。また、ポリN−ビニルカルバゾールよりな
るブロック成分(A)の平均重合度は30であり、ポリ
2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキ
サジアゾールよりなるブロック成分(B)の平均重合度
は70であり、ブロック共重合体のポリスチレン換算平
均分子量は27000であった。
ろ、N−ビニルカルバゾールに由来する構造単位と2−
β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジ
アゾールに由来する構造単位との割合が、モル比で3:
7であった。また、ポリN−ビニルカルバゾールよりな
るブロック成分(A)の平均重合度は30であり、ポリ
2−β−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキ
サジアゾールよりなるブロック成分(B)の平均重合度
は70であり、ブロック共重合体のポリスチレン換算平
均分子量は27000であった。
【0029】〈ブロック共重合体の評価〉実施例1〜実
施例6で得られたブロック共重合体を用い、以下のよう
にして図1に示す構成の有機EL素子を作製した。ブロ
ック共重合体を、クロロベンゼン/クロロホルム混合溶
剤(重量比が2/8)に溶解し、この溶液を、スピンコ
ーターによって、表面にITO膜が形成された5cm角
のガラス基板上に塗布した後、溶剤の除去処理を行うこ
とにより、厚みが500Åの発光層を形成した。次い
で、この発光層上に、蒸着法によって厚みが1000Å
で5mm角のアルミニウム膜を形成した。また、比較例
1としてポリN−ビニルカルバゾール(平均分子量30
000を、比較例2としてポリ2−β−ナフチル−5−
(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール(平均分子
量28000)を用い、上記と同様にして有機EL素子
を作製した。このようにして作製された有機EL素子に
対し、ITO膜を陽極とし、アルミニウム膜を陰極とし
て直流電圧を印加し、発光層を発光させた。印加した電
圧値および発光輝度を表2に示す。
施例6で得られたブロック共重合体を用い、以下のよう
にして図1に示す構成の有機EL素子を作製した。ブロ
ック共重合体を、クロロベンゼン/クロロホルム混合溶
剤(重量比が2/8)に溶解し、この溶液を、スピンコ
ーターによって、表面にITO膜が形成された5cm角
のガラス基板上に塗布した後、溶剤の除去処理を行うこ
とにより、厚みが500Åの発光層を形成した。次い
で、この発光層上に、蒸着法によって厚みが1000Å
で5mm角のアルミニウム膜を形成した。また、比較例
1としてポリN−ビニルカルバゾール(平均分子量30
000を、比較例2としてポリ2−β−ナフチル−5−
(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾール(平均分子
量28000)を用い、上記と同様にして有機EL素子
を作製した。このようにして作製された有機EL素子に
対し、ITO膜を陽極とし、アルミニウム膜を陰極とし
て直流電圧を印加し、発光層を発光させた。印加した電
圧値および発光輝度を表2に示す。
【0030】
【表2】
【0031】表2から明らかなように、実施例1〜6に
係るブロック共重合体よりなる発光層を有する有機EL
素子は、ポリN−ビニルカルバゾールまたはポリ2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾールよりなる発光層を有する有機EL素子に比べ、高
い発光効率が得られることが確認された。
係るブロック共重合体よりなる発光層を有する有機EL
素子は、ポリN−ビニルカルバゾールまたはポリ2−β
−ナフチル−5−(4−ビニルフェニル)−オキサジア
ゾールよりなる発光層を有する有機EL素子に比べ、高
い発光効率が得られることが確認された。
【0032】
【発明の効果】本発明のブロック共重合体によれば、ポ
リN−ビニルカルバゾールよりなるブロック成分(A)
が正孔輸送性能を有し、ポリ2−β−ナフチル−5−
(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールよりなるブ
ロック成分(B)が電子輸送性能を有するため、発光効
率が高く、しかも、耐久性に優れた有機EL素子を得る
ことができ、正孔輸送層および電子輸送層を別個に設け
ることが不要となるため、有機EL素子の生産性の向上
を図ることができる。また、本発明の製造方法によれ
ば、上記のブロック共重合体を確実にかつ有利に製造す
ることができる。
リN−ビニルカルバゾールよりなるブロック成分(A)
が正孔輸送性能を有し、ポリ2−β−ナフチル−5−
(4−ビニルフェニル)−オキサジアゾールよりなるブ
ロック成分(B)が電子輸送性能を有するため、発光効
率が高く、しかも、耐久性に優れた有機EL素子を得る
ことができ、正孔輸送層および電子輸送層を別個に設け
ることが不要となるため、有機EL素子の生産性の向上
を図ることができる。また、本発明の製造方法によれ
ば、上記のブロック共重合体を確実にかつ有利に製造す
ることができる。
【図1】本発明のブロック共重合体を利用した有機エレ
クトロルミネセンス素子の一例における構成を示す説明
用断面図である。
クトロルミネセンス素子の一例における構成を示す説明
用断面図である。
1 ガラス基板 2 ITO膜 3 発光層 4 アルミニウム膜 5 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08F 212:14 226:12) (72)発明者 竹内 安正 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 (72)発明者 丁 定国 東京都目黒区鷹番3丁目23番10号
Claims (3)
- 【請求項1】 下記式(1)で表されるブロック成分
(A)と、下記式(2)で表されるブロック成分(B)
とよりなり、 前記ブロック成分(A)を構成する構造単位と前記ブロ
ック成分(B)を構成する構造単位との割合が、モル比
で0.1:99.9〜99.9〜0.1であることを特
徴とするブロック共重合体。 【化1】 - 【請求項2】 リビングカチオン重合により請求項1に
記載のブロック共重合体を製造することを特徴とするブ
ロック共重合体の製造方法。 - 【請求項3】 リビングラジカル重合により請求項1に
記載のブロック共重合体を製造することを特徴とするブ
ロック共重合体の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9216486A JPH1160660A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
KR1019980032390A KR19990023487A (ko) | 1997-08-11 | 1998-08-10 | 전자 발광 소자 |
US09/131,691 US6007928A (en) | 1997-08-11 | 1998-08-10 | Electroluminescence light-emitting cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9216486A JPH1160660A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1160660A true JPH1160660A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16689194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9216486A Withdrawn JPH1160660A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6007928A (ja) |
JP (1) | JPH1160660A (ja) |
KR (1) | KR19990023487A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1999052992A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
WO2000055927A1 (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Cambridge Display Technology Limited | Polymers, their preparation and uses |
JP2001126875A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Jsr Corp | 有機エレクトロルミネッセンス材料 |
WO2002088223A1 (fr) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Copolymere bloc et element luminescent polymere |
JP2008024797A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Jsr Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010126583A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Otsuka Chem Co Ltd | ブロック共重合体およびその製造方法 |
US8809876B2 (en) | 2006-02-14 | 2014-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Absorbing film |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000159846A (ja) | 1998-11-27 | 2000-06-13 | Jsr Corp | エレクトロルミネッセンス用材料およびエレクトロルミネッセンス素子 |
TW200300154A (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | Jsr Corp | Light emitting polymer composition, and organic electroluminescene device and production process thereof |
US6856088B2 (en) * | 2001-12-31 | 2005-02-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same |
JP2003253258A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Jsr Corp | 燐光発光剤、その製造方法および発光性組成物 |
US7205366B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hole transport polymers and devices made with such polymers |
US7135241B2 (en) * | 2002-05-24 | 2006-11-14 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Light-emitting block copolymers composition, process and use |
GB0222510D0 (en) * | 2002-09-27 | 2002-11-06 | Riso Nat Lab | Conducting polymer devices for inter-converting light and electricity |
KR100518419B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2005-09-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US9410080B2 (en) | 2010-05-05 | 2016-08-09 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Polymer-based organic electroluminescent device |
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---|---|---|---|---|
JP2844135B2 (ja) * | 1991-05-24 | 1999-01-06 | 旭化成工業株式会社 | 有機発光素子の駆動方法 |
KR950006078B1 (ko) * | 1991-09-16 | 1995-06-08 | 아사히가세이고오교 가부시끼가이샤 | 전계발광소자 |
JP3569993B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2004-09-29 | チッソ株式会社 | オキサジアゾール重合体 |
JPH0982473A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP3698481B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2005-09-21 | ケミプロ化成株式会社 | オキサジアゾール基含有高分子およびそれを用いた有機el素子 |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP9216486A patent/JPH1160660A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-08-10 US US09/131,691 patent/US6007928A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-10 KR KR1019980032390A patent/KR19990023487A/ko not_active Application Discontinuation
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---|---|---|---|---|
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WO1999052992A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
US6773831B2 (en) | 1998-04-09 | 2004-08-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6861502B1 (en) | 1999-03-12 | 2005-03-01 | Dow Global Technologies Inc. | Polymers, their preparation and uses |
WO2000055927A1 (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Cambridge Display Technology Limited | Polymers, their preparation and uses |
CN100461487C (zh) * | 1999-03-12 | 2009-02-11 | 住友化学株式会社 | 聚合物及其制备和应用 |
JP2001126875A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Jsr Corp | 有機エレクトロルミネッセンス材料 |
JP4544671B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2010-09-15 | Jsr株式会社 | 正孔輸送層形成用有機エレクトロルミネッセンス材料 |
WO2002088223A1 (fr) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Copolymere bloc et element luminescent polymere |
EP2333006A1 (en) | 2001-04-27 | 2011-06-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Block copolymer and polymeric luminescent element |
US8809876B2 (en) | 2006-02-14 | 2014-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Absorbing film |
JP2008024797A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Jsr Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010126583A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Otsuka Chem Co Ltd | ブロック共重合体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6007928A (en) | 1999-12-28 |
KR19990023487A (ko) | 1999-03-25 |
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---|---|---|---|
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