JP3188885B2 - カラーチューニングが優れる高効率の電気発光高分子 - Google Patents
カラーチューニングが優れる高効率の電気発光高分子Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気発光高分子お
よびかかる高分子を用いた電気発光素子に関する。より
具体的に本発明は、発光効率が向上された電気発光高分
子に関するもので、ポリ（ｐ―フェニレンビニレン）基
を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導入されたフェニルシ
リコンを側鎖に含むカラーチューニング（color tunin
g）が優れる電気発光高分子およびかかる高分子を用い
た電気発光素子に関する。
よびかかる高分子を用いた電気発光素子に関する。より
具体的に本発明は、発光効率が向上された電気発光高分
子に関するもので、ポリ（ｐ―フェニレンビニレン）基
を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導入されたフェニルシ
リコンを側鎖に含むカラーチューニング（color tunin
g）が優れる電気発光高分子およびかかる高分子を用い
た電気発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンが半導体の材料として用いられ
た以来、目覚ましい発展を重ねた電子技術は人類の文化
生活を多く向上させた。特に、最近光通信とマルチメデ
ィア分野の早い成長は、高度の情報化社会への発展を加
速化させている。光子（photon）の電子（electron）へ
の変換、または電子の光子への変換を用いる光電子素子
（optoelectronic device）は現代情報電子産業の核と
なっている。このような半導体光電子素子は、大きく電
気発光素子、収光素子、及びこれらが結合された素子に
分類することができる。今まで大部分のディスプレーは
収光形に対して、自記発光形の電気発光ディスプレー
（electroluminescent display:ELD）は応答速度が早
く、背面光（backlight）が必要なく、かつ輝度が優れ
るなどのいろんな長所を有していて、電気発光素子の開
発は未来形天然色表示素子への応用性のため最近もっと
も研究が活発に進行されている分野である。このような
電気発光現象は、ＧａＮ、ＺｎＳ、及びＳｉＣなどを用
いた無機物半導体でよく開発され実際的な表示素子とし
て用いられている。しかし、無機物からなる電気発光
（ＥＬ）素子の場合、駆動電圧が交流２００Ｖ以上必要
であり、素子の制作方法が真空蒸着からなるため、大型
化が難しく値段も高価という短所がある。無機素子以外
に有機及び高分子素材を用いた電気発光素子も開発され
てきた。１９６３年ポッペ（Ｐｏｐｅ）らにより有機物
質の電気発光現象が発表され、１９８７年イストマンコ
ダク（Eastmann Kodak）でタング（Tang）らはπ−共役
構造のアルミナ−キノン（Ａｌｑ3）を制作した。この
素子は１０Ｖ以下で量子効率が１％であり、輝度が１０
００ｃｄ／ｍ2である。発光素子が発表された以後、多
くの研究が進行している。これらは合成経路が簡単なた
め多様な形態の物質合成が容易であり、カラーチューニ
ング（color tuning）ができるという長所がある。しか
し、これら素子の重合物質は加工性や熱安定性が低く、
かつ素子に電圧をかけた時発光層内でジュール（Joul
e）熱が発生し、これにより分子が再配列されて発光効
率や素子の寿命に問題を起こす。このような短所を補完
して特定の構造を有する“π−共役高分子”を有機電気
発光素子に利用してきた。高分子主鎖にあるπ−電子波
動函数の重畳によりエネルギー準位が伝導帯と価電子帯
に分離され、そのエネルギーの差に当該するバンドギャ
ップ（band gap）エネルギーにより高分子の半導体的な
性質が決定され、そのバンドギャップの調節により完全
色相（full color）の具現ができる。
た以来、目覚ましい発展を重ねた電子技術は人類の文化
生活を多く向上させた。特に、最近光通信とマルチメデ
ィア分野の早い成長は、高度の情報化社会への発展を加
速化させている。光子（photon）の電子（electron）へ
の変換、または電子の光子への変換を用いる光電子素子
（optoelectronic device）は現代情報電子産業の核と
なっている。このような半導体光電子素子は、大きく電
気発光素子、収光素子、及びこれらが結合された素子に
分類することができる。今まで大部分のディスプレーは
収光形に対して、自記発光形の電気発光ディスプレー
（electroluminescent display:ELD）は応答速度が早
く、背面光（backlight）が必要なく、かつ輝度が優れ
るなどのいろんな長所を有していて、電気発光素子の開
発は未来形天然色表示素子への応用性のため最近もっと
も研究が活発に進行されている分野である。このような
電気発光現象は、ＧａＮ、ＺｎＳ、及びＳｉＣなどを用
いた無機物半導体でよく開発され実際的な表示素子とし
て用いられている。しかし、無機物からなる電気発光
（ＥＬ）素子の場合、駆動電圧が交流２００Ｖ以上必要
であり、素子の制作方法が真空蒸着からなるため、大型
化が難しく値段も高価という短所がある。無機素子以外
に有機及び高分子素材を用いた電気発光素子も開発され
てきた。１９６３年ポッペ（Ｐｏｐｅ）らにより有機物
質の電気発光現象が発表され、１９８７年イストマンコ
ダク（Eastmann Kodak）でタング（Tang）らはπ−共役
構造のアルミナ−キノン（Ａｌｑ3）を制作した。この
素子は１０Ｖ以下で量子効率が１％であり、輝度が１０
００ｃｄ／ｍ2である。発光素子が発表された以後、多
くの研究が進行している。これらは合成経路が簡単なた
め多様な形態の物質合成が容易であり、カラーチューニ
ング（color tuning）ができるという長所がある。しか
し、これら素子の重合物質は加工性や熱安定性が低く、
かつ素子に電圧をかけた時発光層内でジュール（Joul
e）熱が発生し、これにより分子が再配列されて発光効
率や素子の寿命に問題を起こす。このような短所を補完
して特定の構造を有する“π−共役高分子”を有機電気
発光素子に利用してきた。高分子主鎖にあるπ−電子波
動函数の重畳によりエネルギー準位が伝導帯と価電子帯
に分離され、そのエネルギーの差に当該するバンドギャ
ップ（band gap）エネルギーにより高分子の半導体的な
性質が決定され、そのバンドギャップの調節により完全
色相（full color）の具現ができる。
【０００３】１９９０年イギリスのキャンブリッジ大学
研究陣により共役二重結合を有する高分子であるポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）（poly(p-phenylenevinyle
ne):PPV）を用いた電気発光素子が最初発表された後、
有機高分子を用いた研究が活発に進められている。即
ち、短い期間にもかかわらず、可視光領域での効率が既
存の無機物半導体より作られたＥＬＤを凌駕する特定の
高分子ＥＬＤが開発されたのみならず、完全色相化に必
要な赤（red）、緑（green）及び青（blue）の発光高分
子も開発された。しかし、完全色相化を実現するために
は発光効率、駆動電圧などで解決すべきたくさんの問題
点がある。
研究陣により共役二重結合を有する高分子であるポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）（poly(p-phenylenevinyle
ne):PPV）を用いた電気発光素子が最初発表された後、
有機高分子を用いた研究が活発に進められている。即
ち、短い期間にもかかわらず、可視光領域での効率が既
存の無機物半導体より作られたＥＬＤを凌駕する特定の
高分子ＥＬＤが開発されたのみならず、完全色相化に必
要な赤（red）、緑（green）及び青（blue）の発光高分
子も開発された。しかし、完全色相化を実現するために
は発光効率、駆動電圧などで解決すべきたくさんの問題
点がある。
【０００４】代表的な有機電気発光素子の材料として用
いられるπ−電子共役高分子誘導体であるポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）（ＰＰＶ）の場合、高分子合成及び
素子（device）の再現性が不足であり、高分子の精製
（purification）、有機溶媒に対する溶解度、高分子重
合時間、製造工程などの問題点で大量生産の限界点が存
在する。また、素子駆動時のジュール（Joule）熱を克
服するため、Ｔｇ及び分子量が非常に高くなければなら
ない。
いられるπ−電子共役高分子誘導体であるポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）（ＰＰＶ）の場合、高分子合成及び
素子（device）の再現性が不足であり、高分子の精製
（purification）、有機溶媒に対する溶解度、高分子重
合時間、製造工程などの問題点で大量生産の限界点が存
在する。また、素子駆動時のジュール（Joule）熱を克
服するため、Ｔｇ及び分子量が非常に高くなければなら
ない。
【０００５】一般的にＰＰＶ系有機電気発光材料は次の
ような問題点がある。一つ、ＰＰＶの前駆体であるポリ
スルホニウムは重合時間が非常に長時間必要とし、収率
が低く、更に製造費用がたくさんかかる。二つ、完全な
ＰＰＶ誘導体を作るためスルホニウム塩を完全に除去し
なければならないが、完全に除去し難しい。三つ、薄膜
（６００Å、オングストローム）を形成する場合、未反
応スルホニウム塩が徐々に除去されながらピンホール
（pin hole）が生じて膜の均一性がよくない。四つ、合
成及び重合条件の難しさにより、可溶性のＰＰＶを合成
することが難しい。五つ、ＰＰＶの製造工程が環境に非
常に有害であるなどである。
ような問題点がある。一つ、ＰＰＶの前駆体であるポリ
スルホニウムは重合時間が非常に長時間必要とし、収率
が低く、更に製造費用がたくさんかかる。二つ、完全な
ＰＰＶ誘導体を作るためスルホニウム塩を完全に除去し
なければならないが、完全に除去し難しい。三つ、薄膜
（６００Å、オングストローム）を形成する場合、未反
応スルホニウム塩が徐々に除去されながらピンホール
（pin hole）が生じて膜の均一性がよくない。四つ、合
成及び重合条件の難しさにより、可溶性のＰＰＶを合成
することが難しい。五つ、ＰＰＶの製造工程が環境に非
常に有害であるなどである。
【０００６】それで、本発明者達は既存に広く知られて
いるＰＰＶ系発光高分子の短所を克服するため、ポリフ
ェニレンビニレン基を主鎖としながら脂肪族アルキル基
を含むフェニルシリコンを側鎖に導入することにより、
発光効率がより一層向上され、特にカラーチューニング
が優れる電気発光高分子を開発することに至る。
いるＰＰＶ系発光高分子の短所を克服するため、ポリフ
ェニレンビニレン基を主鎖としながら脂肪族アルキル基
を含むフェニルシリコンを側鎖に導入することにより、
発光効率がより一層向上され、特にカラーチューニング
が優れる電気発光高分子を開発することに至る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン基）（ＰＰＶ）を主鎖とし、
脂肪族アルキル基が導入されたフェニルシリコンを側鎖
に含むことにより、発光効率が優れる電位発光高分子を
提供することにある。
（ｐ−フェニレンビニレン基）（ＰＰＶ）を主鎖とし、
脂肪族アルキル基が導入されたフェニルシリコンを側鎖
に含むことにより、発光効率が優れる電位発光高分子を
提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、フェニルシリコン誘
導体を側鎖に導入することにより、有機溶媒に対する溶
解性が優れる電気発光高分子を提供することにある。本
発明のまた他の目的は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）高分子主鎖に置換基が導入されたフェニルシリコン
を導入して電極との界面特性が優れた電気発光高分子を
提供することにある。本発明のまた他の目的は、ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）高分子主鎖に置換基が導入
されたフェニルシリコンを導入して薄膜形成能力が優れ
た電気発光高分子を提供することにある。
導体を側鎖に導入することにより、有機溶媒に対する溶
解性が優れる電気発光高分子を提供することにある。本
発明のまた他の目的は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）高分子主鎖に置換基が導入されたフェニルシリコン
を導入して電極との界面特性が優れた電気発光高分子を
提供することにある。本発明のまた他の目的は、ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）高分子主鎖に置換基が導入
されたフェニルシリコンを導入して薄膜形成能力が優れ
た電気発光高分子を提供することにある。
【０００９】本発明のまた他の目的は、ＰＰＶを主鎖と
し、脂肪族アルキル基を含むフェニルシリコンが側鎖に
導入された電気発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶ（methoxy
ethylhexyloxy-PPV）とを共重合することにより、カラ
ーチューニングが優れる電気発光高分子を提供すること
にある。
し、脂肪族アルキル基を含むフェニルシリコンが側鎖に
導入された電気発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶ（methoxy
ethylhexyloxy-PPV）とを共重合することにより、カラ
ーチューニングが優れる電気発光高分子を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の前記及びその他
の目的は下記で説明される本発明によって全て達成され
ることができる。
の目的は下記で説明される本発明によって全て達成され
ることができる。
【００１１】本発明の目的は、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）（ＰＰＶ）を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導
入されたフェニルシリコンが側鎖として導入される下記
化学式（１）で表されることを特徴とするカラーチュー
ニングが優れる電気発光高分子：
ニレン）（ＰＰＶ）を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導
入されたフェニルシリコンが側鎖として導入される下記
化学式（１）で表されることを特徴とするカラーチュー
ニングが優れる電気発光高分子：
【００１２】
【化３】
【００１３】前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、そ
れぞれ独立に線形（または直鎖）脂肪族アルキル（alip
hatic alkyl）基、分枝されたアルキル基（branched al
kyl）またはフルオロ化アルキル基（fluorinated alky
l）である、によって達成される。
れぞれ独立に線形（または直鎖）脂肪族アルキル（alip
hatic alkyl）基、分枝されたアルキル基（branched al
kyl）またはフルオロ化アルキル基（fluorinated alky
l）である、によって達成される。
【００１４】また、本発明の目的は、発光層が前記化学
式１で表される電気発光高分子からなり、陽極／発光層
／陰極、陽極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バファ
層／正孔伝達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔
伝達層／発光層／電子伝達層／陰極、及び陽極／バファ
層／正孔伝達層／発光層／正孔遮断層／陰極よりなる群
から選択されることを特徴とする電気発光素子、によっ
て達成される。
式１で表される電気発光高分子からなり、陽極／発光層
／陰極、陽極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バファ
層／正孔伝達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔
伝達層／発光層／電子伝達層／陰極、及び陽極／バファ
層／正孔伝達層／発光層／正孔遮断層／陰極よりなる群
から選択されることを特徴とする電気発光素子、によっ
て達成される。
【００１５】さらに、本発明の目的は、ポリ（ｐ―フェ
ニレンビニレン）を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導入
されたフェニルシリコンが側鎖として導入される高分子
と、ＭＥＨ−ＰＰＶ（メトキシエチルヘキシルオキシ―
ＰＰＶ）との共重合からなり、下記化学式（２）で表さ
れることを特徴とする共重合電気発光高分子：
ニレンビニレン）を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導入
されたフェニルシリコンが側鎖として導入される高分子
と、ＭＥＨ−ＰＰＶ（メトキシエチルヘキシルオキシ―
ＰＰＶ）との共重合からなり、下記化学式（２）で表さ
れることを特徴とする共重合電気発光高分子：
【００１６】
【化４】
【００１７】前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、そ
れぞれ独立に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアルキ
ル基またはフルオロ化アルキル基であり、そしてｘは
０．９〜０．１、ｙは０．１〜０．９（ただし、ｘ＋ｙ
＝１である）であり、−ｃｏ−はｃｏの前後の構成単位
からなる共重合体であることを示す、によって達成され
る。
れぞれ独立に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアルキ
ル基またはフルオロ化アルキル基であり、そしてｘは
０．９〜０．１、ｙは０．１〜０．９（ただし、ｘ＋ｙ
＝１である）であり、−ｃｏ−はｃｏの前後の構成単位
からなる共重合体であることを示す、によって達成され
る。
【００１８】本発明の別の目的は、発光層が前記化学式
２で表される共重合電気発光高分子からなり、陽極／発
光層／陰極、陽極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バ
ファ層／正孔伝達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／
正孔伝達層／発光層／電子伝達層／陰極、及び陽極／バ
ファ層／正孔伝達層／発光層／正孔遮断層／陰極よりな
る群から選択されることを特徴とする電気発光素子、に
よって達成される。
２で表される共重合電気発光高分子からなり、陽極／発
光層／陰極、陽極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バ
ファ層／正孔伝達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／
正孔伝達層／発光層／電子伝達層／陰極、及び陽極／バ
ファ層／正孔伝達層／発光層／正孔遮断層／陰極よりな
る群から選択されることを特徴とする電気発光素子、に
よって達成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の内容を下記に詳細
に説明する。
に説明する。
【００２０】有機発光高分子において、ＥＬ素子の駆動
電圧を支配するのは正孔の移動であり、発光効率を支配
するのは電子の移動である。発光高分子の中で正孔の流
入は易い反面、電子の流入は難しい。
電圧を支配するのは正孔の移動であり、発光効率を支配
するのは電子の移動である。発光高分子の中で正孔の流
入は易い反面、電子の流入は難しい。
【００２１】一般的に発光高分子を用いた電気発光素子
において、正孔は陽極（anode）から電気発光高分子層
に注入され、電子は陰極（cathode）から電気発光高分
子層に注入される。このような高分子で正孔と電子は再
結合により励起子（singletexciton）を形成する。前記
励起子が放射崩壊（radiative decay）されながら物質
のバンドギャップ（band gap）に当たる波長の光が放出
されるのである。またこの時、発光効率も決定される。
即ち、流入した正孔と電子の量が互いに均衡を保つ時、
最大の発光効率を表すことができる。
において、正孔は陽極（anode）から電気発光高分子層
に注入され、電子は陰極（cathode）から電気発光高分
子層に注入される。このような高分子で正孔と電子は再
結合により励起子（singletexciton）を形成する。前記
励起子が放射崩壊（radiative decay）されながら物質
のバンドギャップ（band gap）に当たる波長の光が放出
されるのである。またこの時、発光効率も決定される。
即ち、流入した正孔と電子の量が互いに均衡を保つ時、
最大の発光効率を表すことができる。
【００２２】また、キャリアー（carrier）の輸送は正
孔と電子の移動により決定されるため、優れるキャリア
ーの輸送のために正孔と電子の移動が均衡を保つべきで
ある。しかし、一般的に正孔の輸送がずっと有利であっ
てキャリアー間の不均衡が発生し、効率を低下させる要
因となる。特に、π−電子共役高分子では正孔の移動が
ずっと大きい。それでこれを補完するため電子の移動度
がよい電子伝達層（electron transport layer）を導入
した多層膜形態の素子を制作する。
孔と電子の移動により決定されるため、優れるキャリア
ーの輸送のために正孔と電子の移動が均衡を保つべきで
ある。しかし、一般的に正孔の輸送がずっと有利であっ
てキャリアー間の不均衡が発生し、効率を低下させる要
因となる。特に、π−電子共役高分子では正孔の移動が
ずっと大きい。それでこれを補完するため電子の移動度
がよい電子伝達層（electron transport layer）を導入
した多層膜形態の素子を制作する。
【００２３】有機電気発光物質の発光効率を高める方法
の中でもっとも代表的なものとして、陰極として仕事函
数（work function）が小さいものを用いたり、または
電子親和力が大きい高分子物質を用いて電子が通過すべ
きエネルギー障壁（energy barrier）の高さを低くする
方法がある。高分子物質の電子親和力を大きくする方法
は、共役高分子鎖に電子親和度の性質がある置換基を置
換させ、発光高分子の真空下でのＬＵＭＯ（lowest uno
ccupied molecular orbital）及びＨＯＭＯ（highest o
ccupied molecular orbital）の高さを低くし、流入す
る電子が超えるべきエネルギー障壁の高さを低くするの
である。今まで発表された電子親和度置換基としては−
ＣＦ3、−ＣＮなどがある。
の中でもっとも代表的なものとして、陰極として仕事函
数（work function）が小さいものを用いたり、または
電子親和力が大きい高分子物質を用いて電子が通過すべ
きエネルギー障壁（energy barrier）の高さを低くする
方法がある。高分子物質の電子親和力を大きくする方法
は、共役高分子鎖に電子親和度の性質がある置換基を置
換させ、発光高分子の真空下でのＬＵＭＯ（lowest uno
ccupied molecular orbital）及びＨＯＭＯ（highest o
ccupied molecular orbital）の高さを低くし、流入す
る電子が超えるべきエネルギー障壁の高さを低くするの
である。今まで発表された電子親和度置換基としては−
ＣＦ3、−ＣＮなどがある。
【００２４】本発明の電気発光高分子はポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）（ＰＰＶ）を主鎖とし、脂肪族アルキ
ル基の導入されたフェニルシリコンが前記フェニレンリ
ングに側鎖として導入される構造を有する。即ち、前記
脂肪族アルキル基を含むフェニルシリコンが反復単位で
あるポリ（ｐ―フェニレンビニレン）と結合している。
本発明の電気発光高分子の中の一つは下記化学式（１）
で表される：
ニレンビニレン）（ＰＰＶ）を主鎖とし、脂肪族アルキ
ル基の導入されたフェニルシリコンが前記フェニレンリ
ングに側鎖として導入される構造を有する。即ち、前記
脂肪族アルキル基を含むフェニルシリコンが反復単位で
あるポリ（ｐ―フェニレンビニレン）と結合している。
本発明の電気発光高分子の中の一つは下記化学式（１）
で表される：
【００２５】
【化５】
【００２６】前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、そ
れぞれ独立的に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアル
キルまたはフルオロ化アルキル基であり、より具体的に
前記線形脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）nＣＨ3（ｎは０
ないし１２の整数）で、前記分枝されたアルキル基はＣ
Ｈ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2）bＣＨ3ＣＨ（ＣＨ3）2（ａ
は０ないし５の整数、ｂは０ないし１０の整数）で、そ
して前記フルオロ化アルキル基はＣＨ2（ＣＦ2）nＣＦ3
（ｎは０ないし１２の整数）である。
れぞれ独立的に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアル
キルまたはフルオロ化アルキル基であり、より具体的に
前記線形脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）nＣＨ3（ｎは０
ないし１２の整数）で、前記分枝されたアルキル基はＣ
Ｈ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2）bＣＨ3ＣＨ（ＣＨ3）2（ａ
は０ないし５の整数、ｂは０ないし１０の整数）で、そ
して前記フルオロ化アルキル基はＣＨ2（ＣＦ2）nＣＦ3
（ｎは０ないし１２の整数）である。
【００２７】本発明による前記電気発光高分子のフェニ
ルシリコン基は、シリコンアルキル基がメタ―またはパ
ラ―位置に結合したフェニル基である。前記フェニルシ
リコン基の例としては、シリコンアルキル基が前記フェ
ニル基のメタ−位置に連結したポリ｛２−（３′−ジメ
チルアルキルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビ
ニレン｝（m-SiPhPPV）及びシリコンアルキル基が前記
フェニル基のパラ−位置に連結したポリ｛２−（４′−
ジメチルアルキルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（p-SiPhPPV）がある。側鎖であるフェニ
ルシリコン基は一般的な有機溶媒に対する電気発光高分
子の溶解度を増加させ、電極に界面特性を付与して優れ
た高分子層を形成する。フェニルシリコンが導入された
前記発光高分子は、駆動電圧が約５〜７Ｖで、緑（gree
n）色を発する発光ディスプレーが制作でき、更に電気
光学特性が優れる。
ルシリコン基は、シリコンアルキル基がメタ―またはパ
ラ―位置に結合したフェニル基である。前記フェニルシ
リコン基の例としては、シリコンアルキル基が前記フェ
ニル基のメタ−位置に連結したポリ｛２−（３′−ジメ
チルアルキルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビ
ニレン｝（m-SiPhPPV）及びシリコンアルキル基が前記
フェニル基のパラ−位置に連結したポリ｛２−（４′−
ジメチルアルキルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（p-SiPhPPV）がある。側鎖であるフェニ
ルシリコン基は一般的な有機溶媒に対する電気発光高分
子の溶解度を増加させ、電極に界面特性を付与して優れ
た高分子層を形成する。フェニルシリコンが導入された
前記発光高分子は、駆動電圧が約５〜７Ｖで、緑（gree
n）色を発する発光ディスプレーが制作でき、更に電気
光学特性が優れる。
【００２８】本発明による他の電気発光高分子は、主鎖
のポリフェニレンビニレンと側鎖の脂肪族アルキル基を
含むフェニルシリコン基からなる高分子と、ＭＥＨ−Ｐ
ＰＶ（メトキシエチルヘキシルオキシ―ＰＰＶ）との共
重合高分子である。前記共重合高分子は、前記化学式
（１）で表される本発明の電気発光高分子とＭＥＨ−Ｐ
ＰＶとを共重合して製造される。前記共重合高分子はポ
リ［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）
−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキ
シ）｝−１，４−フェニレンビニレン］（m-SiPhPPV-co
-MEH-PPV）またはポリ［｛２−（４′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチ
ルヘキシルオキシ）｝−１，４−フェニレンビニレン］
（p-SiPhPPV-co-MEH-PPV）（−ｃｏ−はｃｏの前後の構
成単位からなる共重合体であることを示す、以下同様）
の形態で製造される。前記共重合電気発光高分子は下記
化学式（２）で表される：
のポリフェニレンビニレンと側鎖の脂肪族アルキル基を
含むフェニルシリコン基からなる高分子と、ＭＥＨ−Ｐ
ＰＶ（メトキシエチルヘキシルオキシ―ＰＰＶ）との共
重合高分子である。前記共重合高分子は、前記化学式
（１）で表される本発明の電気発光高分子とＭＥＨ−Ｐ
ＰＶとを共重合して製造される。前記共重合高分子はポ
リ［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）
−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキ
シ）｝−１，４−フェニレンビニレン］（m-SiPhPPV-co
-MEH-PPV）またはポリ［｛２−（４′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチ
ルヘキシルオキシ）｝−１，４−フェニレンビニレン］
（p-SiPhPPV-co-MEH-PPV）（−ｃｏ−はｃｏの前後の構
成単位からなる共重合体であることを示す、以下同様）
の形態で製造される。前記共重合電気発光高分子は下記
化学式（２）で表される：
【００２９】
【化６】
【００３０】前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、そ
れぞれ独立に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアルキ
ル基またはフルオロ化アルキル基であり、ｘは０．１〜
０．９であり、そしてｙは０．９〜０．１（ただし、ｘ
＋ｙ＝１である）であり、−ｃｏ−はｃｏの前後の構成
単位からなる共重合体であることを示し、より具体的に
前記線形脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）nＣＨ3（ｎは０
ないし１２の整数）で、前記分枝されたアルキル基はＣ
Ｈ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2）bＣＨ3ＣＨ（ＣＨ 3）2（ａ
は０ないし５の整数、ｂは０ないし１０の整数）で、前
記フルオロ化アルキル基はＣＨ2（ＣＦ2）nＣＦ3（ｎは
０ないし１２の整数）である。
れぞれ独立に線形脂肪族アルキル基、分枝されたアルキ
ル基またはフルオロ化アルキル基であり、ｘは０．１〜
０．９であり、そしてｙは０．９〜０．１（ただし、ｘ
＋ｙ＝１である）であり、−ｃｏ−はｃｏの前後の構成
単位からなる共重合体であることを示し、より具体的に
前記線形脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）nＣＨ3（ｎは０
ないし１２の整数）で、前記分枝されたアルキル基はＣ
Ｈ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2）bＣＨ3ＣＨ（ＣＨ 3）2（ａ
は０ないし５の整数、ｂは０ないし１０の整数）で、前
記フルオロ化アルキル基はＣＨ2（ＣＦ2）nＣＦ3（ｎは
０ないし１２の整数）である。
【００３１】前記共重合電気発光高分子（２）は、前記
化学式（１）の発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶとの共重合
を通じて合成される。前記共重合高分子において、前記
化学式（１）の高分子に共重合されるＭＥＨ−ＰＰＶの
含量により緑（green）から赤味を帯びたオレンジ（red
dish orange）までのカラーチューニングができる。本
発明の共重合高分子を用いて発光ディスプレーを制作す
る場合において、前記ディスプレーは駆動電圧が３．９
Ｖ、最大発光効率は約２．２ ｌｍ／ｗであり、最大発
光輝度は約１１０００ｃｄ／ｍ2を有する。
化学式（１）の発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶとの共重合
を通じて合成される。前記共重合高分子において、前記
化学式（１）の高分子に共重合されるＭＥＨ−ＰＰＶの
含量により緑（green）から赤味を帯びたオレンジ（red
dish orange）までのカラーチューニングができる。本
発明の共重合高分子を用いて発光ディスプレーを制作す
る場合において、前記ディスプレーは駆動電圧が３．９
Ｖ、最大発光効率は約２．２ ｌｍ／ｗであり、最大発
光輝度は約１１０００ｃｄ／ｍ2を有する。
【００３２】本発明の電気発光高分子及び共重合高分子
を製造する場合において、ウィッティヒ（Wittig）重合
法よりギルチ（Gilch）重合法がもっと好ましい。ウィ
ッティヒ（Wittig）縮合重合法により合成された発光高
分子の分子量が約１万程度であることに比べ、ギルチ
（Gilch）重合法による高分子及び共重合高分子は数平
均分子量（Ｍｎ）が約１万ないし１００万程度で、分子
量分布は１．５ないし５．０である。
を製造する場合において、ウィッティヒ（Wittig）重合
法よりギルチ（Gilch）重合法がもっと好ましい。ウィ
ッティヒ（Wittig）縮合重合法により合成された発光高
分子の分子量が約１万程度であることに比べ、ギルチ
（Gilch）重合法による高分子及び共重合高分子は数平
均分子量（Ｍｎ）が約１万ないし１００万程度で、分子
量分布は１．５ないし５．０である。
【００３３】図１は、本発明による電気発光高分子及び
共重合電気発光高分子の製造工程を表す工程図である。
共重合電気発光高分子の製造工程を表す工程図である。
【００３４】図１の第１工程と同様に、前記式（１）で
表される一つの電気発光高分子は次のように製造され
る：無水ＴＨＦ及び１，４―ジブロモベンゼンを窒素で
充鎮されたフラスコ（schlenk flask）にいれる。ｎ−
ＢｕＬｉ（１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）をシリンジ
（syringe）を通じて前記溶液に徐々に加える。ジメチ
ルドデシル―シリルクロライドを前記反応混合物に徐々
に加えて１―ブロモ―４―（ジメチルドデシルシリル）
ベンゼン（I）を製造する。前記化合物（I）と化合物
（II）とを反応させて１，４―ジメチル―２―（４′―
ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（III）を
製造する。前記化合物（III）から１，４―ビス（ブロ
モ―メチル）―２―（４′―ジメチルドデシルシリルフ
ェニル）ベンゼン（IV）を製造する。前記化合物（IV）
からポリ｛２―（４′―ジメチルドデシルシリルフェニ
ル）―１，４―フェニレンビニレン｝）（ｐ―ＳｉＰｈ
ＰＰＶ）（V）を製造する。
表される一つの電気発光高分子は次のように製造され
る：無水ＴＨＦ及び１，４―ジブロモベンゼンを窒素で
充鎮されたフラスコ（schlenk flask）にいれる。ｎ−
ＢｕＬｉ（１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）をシリンジ
（syringe）を通じて前記溶液に徐々に加える。ジメチ
ルドデシル―シリルクロライドを前記反応混合物に徐々
に加えて１―ブロモ―４―（ジメチルドデシルシリル）
ベンゼン（I）を製造する。前記化合物（I）と化合物
（II）とを反応させて１，４―ジメチル―２―（４′―
ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（III）を
製造する。前記化合物（III）から１，４―ビス（ブロ
モ―メチル）―２―（４′―ジメチルドデシルシリルフ
ェニル）ベンゼン（IV）を製造する。前記化合物（IV）
からポリ｛２―（４′―ジメチルドデシルシリルフェニ
ル）―１，４―フェニレンビニレン｝）（ｐ―ＳｉＰｈ
ＰＰＶ）（V）を製造する。
【００３５】図１の第２工程と同様に、前記式（２）で
表される一つの共重合電気発光高分子は次のように製造
される：１，４―ビス（ブロモ―メチル）―２―（４′
―ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（IV）と
１，４―ビス（クロロメチル）―２―（（２―エチルヘ
キシル）オキシ）５―メトキシベンゼン（VI）とを共重
合してポリ［｛２―（３′―ジメチルドデシルシリルフ
ェニル）―ｃｏ―（２―メトキシ―５―エチルヘキシル
オキシ）｝―１，４―フェニレンビニレン］（m―SiPhP
PV-co-MEH-PPV）（VII）を製造する。
表される一つの共重合電気発光高分子は次のように製造
される：１，４―ビス（ブロモ―メチル）―２―（４′
―ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（IV）と
１，４―ビス（クロロメチル）―２―（（２―エチルヘ
キシル）オキシ）５―メトキシベンゼン（VI）とを共重
合してポリ［｛２―（３′―ジメチルドデシルシリルフ
ェニル）―ｃｏ―（２―メトキシ―５―エチルヘキシル
オキシ）｝―１，４―フェニレンビニレン］（m―SiPhP
PV-co-MEH-PPV）（VII）を製造する。
【００３６】本発明の電気発光高分子または共重合電気
発光高分子を発光層として用いて発光ダイオード（EL d
iode）を制作する。
発光高分子を発光層として用いて発光ダイオード（EL d
iode）を制作する。
【００３７】前記発光素子は、陽極／発光層／陰極、陽
極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝
達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝達層／発
光層／電子伝達層／陰極または陽極／バファ層／正孔伝
達層／発光層／正孔遮断層／陰極からなる構造を有す
る。前記バファ層は、ポリチオフェン、ポリアニリン、
ポリアセチレン、ポリピロールまたはポリ（ｐ―フェニ
レンビニレン）誘導体であるのが好ましく、前記正孔遮
断層はＬｉＦまたはＭｇＦ2である。図５は本発明によ
る発光高分子を用いた発光素子の断面図である。前記発
光素子は陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／正孔遮
断層／陰極の構造からなる。前記陰極はアルミニウムま
たはカルシウムまたはアルミニウムとリチウムとの合金
（alloy）である。
極／バファ層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝
達層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝達層／発
光層／電子伝達層／陰極または陽極／バファ層／正孔伝
達層／発光層／正孔遮断層／陰極からなる構造を有す
る。前記バファ層は、ポリチオフェン、ポリアニリン、
ポリアセチレン、ポリピロールまたはポリ（ｐ―フェニ
レンビニレン）誘導体であるのが好ましく、前記正孔遮
断層はＬｉＦまたはＭｇＦ2である。図５は本発明によ
る発光高分子を用いた発光素子の断面図である。前記発
光素子は陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／正孔遮
断層／陰極の構造からなる。前記陰極はアルミニウムま
たはカルシウムまたはアルミニウムとリチウムとの合金
（alloy）である。
【００３８】前述したように、本発明は駆動電圧が低
く、最大輝度及び最大発光効率は増加し、緑（green）
から赤味がかったオレンジ（reddish orange）までのカ
ラーチューニングができる電気発光高分子または共重合
高分子を提供する。
く、最大輝度及び最大発光効率は増加し、緑（green）
から赤味がかったオレンジ（reddish orange）までのカ
ラーチューニングができる電気発光高分子または共重合
高分子を提供する。
【００３９】本発明は下記の実施例により詳細に説明さ
れるが、下記の実施例は本発明の具体的な実施様態の例
示目的だけで、本発明の保護範囲を制限したり限定しよ
うとするのではない。
れるが、下記の実施例は本発明の具体的な実施様態の例
示目的だけで、本発明の保護範囲を制限したり限定しよ
うとするのではない。
【００４０】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施例を具体的に説
明する。ただし、それによって本発明はそれらの実施例
のみに限定されるものでないことはいうまでもない。
明する。ただし、それによって本発明はそれらの実施例
のみに限定されるものでないことはいうまでもない。
【００４１】実施例１．電気発光高分子（高分子１）の
製造 （１）１−ブロモ−４−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（1-bromo-4-(dimethyldodecylsilyl)benzene）
（I）の製造 窒素雰囲気でフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に約
１００ｍＬの無水ＴＨＦと８．５ｇ（０．０３６ｍｏ
ｌ）の１，４−ジブロモベンゼン（1,4-dibromobenzen
e）をともに入れて撹拌した。この時、温度はアセトン
／ドライアイスを用いて約−７８℃に維持した。前記反
応混合物にｎ−ＢｕＬｉ（ｎ−Butyl lithium）（１．
６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）２２．６ｍＬ（０．０３６ｍ
ｏｌ）を徐々に約１０分間滴下させた。５〜１０分後、
白い塩が生成され始めた。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全て終
わると約１時間更に撹拌し、約２０ｍＬ ＴＨＦに溶解
しているジメチルドデシル−シリルクロライド（dimeth
yldodecyl-silylchloride）１０ｇを徐々に前記の溶液
に落とすと溶液がだんだん清くなる。約３時間後、溶液
を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出し
た。無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過した後溶媒を蒸発し
た。得られたオイルを真空下で蒸留（ｂｐ１６０〜１７
０℃／１．５ｍｍＨｇ）したり、シリカゲルコラムクロ
マトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製
した。１−ブロモ−４−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（I）を９０％以上の収率で得て、その構造は1Ｈ
−ＮＭＲを通じて確認し、次のようである。1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２４（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2）、０．７２（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８
９（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２７（ｍ，２ＯＨ，
（ＣＨ2）10）、７．３７と７．４９（ｄ，４Ｈ，芳香
族プロトン（Aromatic protons））。
製造 （１）１−ブロモ−４−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（1-bromo-4-(dimethyldodecylsilyl)benzene）
（I）の製造 窒素雰囲気でフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に約
１００ｍＬの無水ＴＨＦと８．５ｇ（０．０３６ｍｏ
ｌ）の１，４−ジブロモベンゼン（1,4-dibromobenzen
e）をともに入れて撹拌した。この時、温度はアセトン
／ドライアイスを用いて約−７８℃に維持した。前記反
応混合物にｎ−ＢｕＬｉ（ｎ−Butyl lithium）（１．
６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）２２．６ｍＬ（０．０３６ｍ
ｏｌ）を徐々に約１０分間滴下させた。５〜１０分後、
白い塩が生成され始めた。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全て終
わると約１時間更に撹拌し、約２０ｍＬ ＴＨＦに溶解
しているジメチルドデシル−シリルクロライド（dimeth
yldodecyl-silylchloride）１０ｇを徐々に前記の溶液
に落とすと溶液がだんだん清くなる。約３時間後、溶液
を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出し
た。無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過した後溶媒を蒸発し
た。得られたオイルを真空下で蒸留（ｂｐ１６０〜１７
０℃／１．５ｍｍＨｇ）したり、シリカゲルコラムクロ
マトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製
した。１−ブロモ−４−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（I）を９０％以上の収率で得て、その構造は1Ｈ
−ＮＭＲを通じて確認し、次のようである。1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２４（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2）、０．７２（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８
９（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２７（ｍ，２ＯＨ，
（ＣＨ2）10）、７．３７と７．４９（ｄ，４Ｈ，芳香
族プロトン（Aromatic protons））。
【００４２】（２）ｐ―キシレン―２―マグネシウムブ
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は一
般的なグリニャール試薬製造方法により製造した。溶媒
は無水ＴＨＦを用い、前記ｐ―キシレン―２―マグネシ
ウムブロマイド（II）を約２−３時間程度還流（reflu
x）してから用いた。
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は一
般的なグリニャール試薬製造方法により製造した。溶媒
は無水ＴＨＦを用い、前記ｐ―キシレン―２―マグネシ
ウムブロマイド（II）を約２−３時間程度還流（reflu
x）してから用いた。
【００４３】（３）１，４−ジメチル−２−（４′−ジ
メチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-dimeth
yl-2-(4′-dimethyldodecylsilylphenyl)benzene）（II
I）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に実
施例１で製造した１−ブロモ−４−（ジメチルドデシル
シリル）ベンゼン１２．４５ｇ（０．０３２５ｍｏｌ）
及びＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）０．１１ｇ（０．５ｍｏｌ
％）を約６０−７０ｍＬの無水ＴＨＦに加えた後、前記
（２）段階で製造されたグリニャール試薬を用いて前記
フラスコに移す。前記混合物を夜通し還流した。前記溶
液を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出し
た。この有機溶液を無水ＭｇＳＯ 4で乾燥させ、ろ過後
溶媒を蒸発させた。得られたオイルをシリカゲルコラム
クロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて
精製した。１，４−ジメチル−２−（４′−ジメチルド
デシルシリルフェニル）ベンゼン（III）を８０％以上
の収率で得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認し
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２７（ｓ，６
Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７７（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ
2）、０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，
２ＯＨ，（ＣＨ 2）10）、２．２４と２．３４（ｓ，６
Ｈ，２ＣＨ3 ベンゼン環上で（on Benzene ring））、
７．０５−７．５５（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（Arom
atic protons））。
メチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-dimeth
yl-2-(4′-dimethyldodecylsilylphenyl)benzene）（II
I）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に実
施例１で製造した１−ブロモ−４−（ジメチルドデシル
シリル）ベンゼン１２．４５ｇ（０．０３２５ｍｏｌ）
及びＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）０．１１ｇ（０．５ｍｏｌ
％）を約６０−７０ｍＬの無水ＴＨＦに加えた後、前記
（２）段階で製造されたグリニャール試薬を用いて前記
フラスコに移す。前記混合物を夜通し還流した。前記溶
液を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出し
た。この有機溶液を無水ＭｇＳＯ 4で乾燥させ、ろ過後
溶媒を蒸発させた。得られたオイルをシリカゲルコラム
クロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて
精製した。１，４−ジメチル−２−（４′−ジメチルド
デシルシリルフェニル）ベンゼン（III）を８０％以上
の収率で得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認し
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２７（ｓ，６
Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７７（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ
2）、０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，
２ＯＨ，（ＣＨ 2）10）、２．２４と２．３４（ｓ，６
Ｈ，２ＣＨ3 ベンゼン環上で（on Benzene ring））、
７．０５−７．５５（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（Arom
atic protons））。
【００４４】（４）１，４−ビス（ブロモメチル）−２
−（４′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン
（1,4-bis(bromomethyl)-2-(4′-dimethyldodecylsilyl
phenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（３）段階の１，４−ジメチル−２−（４′−ジメチ
ルドデシルシリルフェニル）ベンゼン１０．０ｇ（０．
０２４５ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド８．８７
ｇ（９８％含量）（０．０４９ｍｏｌ）及び触媒として
ベンゾイルパオキシド（ＢＰＯ）を約２００ｍＬの無水
ＣＣｌ4に加えた後、約１２時間加熱した。生成した白
い固体のスクシンイミドを除去するため熱い状態でこの
溶液をろ過した。ろ過したＣＣｌ 4溶液を蒸発乾燥器を
用いて濃縮した後、シリカゲルコラムクロマトグラフィ
ー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製した。１，４
−ビス（ブロモメチル）−２−（４′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン（IV）を４０−５０％の収
率で得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２９（ｓ，６Ｈ，Ｓ
ｉ（ＣＨ3）2）、０．７９（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、
０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，２Ｏ
Ｈ，（ＣＨ2）1 0）、４．４５と４．５０（ｓ，４Ｈ，
２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２９−７．６２（ｄ，７Ｈ，芳
香族プロトン（Aromatic protons））。
−（４′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン
（1,4-bis(bromomethyl)-2-(4′-dimethyldodecylsilyl
phenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（３）段階の１，４−ジメチル−２−（４′−ジメチ
ルドデシルシリルフェニル）ベンゼン１０．０ｇ（０．
０２４５ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド８．８７
ｇ（９８％含量）（０．０４９ｍｏｌ）及び触媒として
ベンゾイルパオキシド（ＢＰＯ）を約２００ｍＬの無水
ＣＣｌ4に加えた後、約１２時間加熱した。生成した白
い固体のスクシンイミドを除去するため熱い状態でこの
溶液をろ過した。ろ過したＣＣｌ 4溶液を蒸発乾燥器を
用いて濃縮した後、シリカゲルコラムクロマトグラフィ
ー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製した。１，４
−ビス（ブロモメチル）−２−（４′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン（IV）を４０−５０％の収
率で得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２９（ｓ，６Ｈ，Ｓ
ｉ（ＣＨ3）2）、０．７９（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、
０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，２Ｏ
Ｈ，（ＣＨ2）1 0）、４．４５と４．５０（ｓ，４Ｈ，
２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２９−７．６２（ｄ，７Ｈ，芳
香族プロトン（Aromatic protons））。
【００４５】（５）ポリ｛２−（４′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビニレン｝
（poly[2-(4′-dimethyldodecylsilylphenyl)-1,4-phen
ylenevinylene]）（ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ）（V）の製造 前記（４）段階で製造された単量体である１，４−ビス
（ブロモメチル）−２−（４′−ジメチルドデシルシリ
ルフェニル）ベンゼンを無水ＴＨＦに溶解させ（単量体
濃度：１質量％）、０℃で前記溶液を撹拌しながらシリ
ンジ（Ｓｙｒｉｎｇｅ）に入っているカリウムｔｅｒｔ
−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して
約３当量）をカニューラー（cannula）を通じて徐々に
３０分間滴下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの
量が１．５〜２．０当量を越え始めながら溶液がだんだ
ん粘着性を表しはじめた。約３時間撹拌後、この混合物
を多量のＭｅＯＨまたはイソプロピルアルコールに沈澱
させた。得られた高分子をソックスレー（Soxhlet）抽
出器を用いて精製、再沈澱及び乾燥し最終高分子（V）
を得た（収率（Yield）約８０％）。得られた高分子の
数平均分子量は約３００，０００ないし６００，０００
程度であった。前記高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−Ｎ
ＭＲを通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ
０．３０（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−
０．９８（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０
−１．５２（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．１０−
７．８０（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic pro
tons）とビニルプロトン（vinyl protons））。
ルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビニレン｝
（poly[2-(4′-dimethyldodecylsilylphenyl)-1,4-phen
ylenevinylene]）（ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ）（V）の製造 前記（４）段階で製造された単量体である１，４−ビス
（ブロモメチル）−２−（４′−ジメチルドデシルシリ
ルフェニル）ベンゼンを無水ＴＨＦに溶解させ（単量体
濃度：１質量％）、０℃で前記溶液を撹拌しながらシリ
ンジ（Ｓｙｒｉｎｇｅ）に入っているカリウムｔｅｒｔ
−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して
約３当量）をカニューラー（cannula）を通じて徐々に
３０分間滴下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの
量が１．５〜２．０当量を越え始めながら溶液がだんだ
ん粘着性を表しはじめた。約３時間撹拌後、この混合物
を多量のＭｅＯＨまたはイソプロピルアルコールに沈澱
させた。得られた高分子をソックスレー（Soxhlet）抽
出器を用いて精製、再沈澱及び乾燥し最終高分子（V）
を得た（収率（Yield）約８０％）。得られた高分子の
数平均分子量は約３００，０００ないし６００，０００
程度であった。前記高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−Ｎ
ＭＲを通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ
０．３０（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−
０．９８（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０
−１．５２（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．１０−
７．８０（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic pro
tons）とビニルプロトン（vinyl protons））。
【００４６】実施例２．電気発光高分子（高分子２）の
製造 （１）１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（1-bromo-3-(dimethyldodecylsilyl)benzene）
（I）の製造 窒素雰囲気でＳｃｈｌｅｎｋフラスコに約１００ｍＬの
無水ＴＨＦと１，３−ジブロモベンゼン０．０１９ｍｏ
ｌ（４．６２ｇ）とをともに入れて撹拌した。この時、
温度はアセトン／ドライアイスを用いて約−７８℃に維
持した。１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液にｎ−ＢｕＬｉ
０．０１９ｍｏｌ（１１．８７５ｍＬ）を徐々に約１０
分間滴下した。５〜１０分後、白い塩が生成され始め
た。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全て終わると約１時間更に撹
拌し、ジメチルドデシル−シリルクロライド０．０１９
ｍｏｌ（５ｇ）を徐々に前記溶液に落とした。−７８℃
に約１時間維持させた後、徐々に常温に温度を上げると
溶液がだんだん清くなった。約３時間後、溶液を水３０
０ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出した。その有
機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥しろ過した後、溶媒を蒸
発させた。得られたオイルを真空下で蒸留（ｂｐ１６０
℃／１ｍｍＨｇ）したり、シリカゲルコラムクロマトグ
ラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製した。
１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシリル）ベンゼン
（I）を７０％以上の収率で得て、構造は1Ｈ−ＮＭＲを
通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２
８（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．９（ｔ，２Ｈ，
ＳｉＣＨ2）、１．２（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．５
（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．２−７．６２
（ｄ，４Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons））。
製造 （１）１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシリル）ベ
ンゼン（1-bromo-3-(dimethyldodecylsilyl)benzene）
（I）の製造 窒素雰囲気でＳｃｈｌｅｎｋフラスコに約１００ｍＬの
無水ＴＨＦと１，３−ジブロモベンゼン０．０１９ｍｏ
ｌ（４．６２ｇ）とをともに入れて撹拌した。この時、
温度はアセトン／ドライアイスを用いて約−７８℃に維
持した。１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液にｎ−ＢｕＬｉ
０．０１９ｍｏｌ（１１．８７５ｍＬ）を徐々に約１０
分間滴下した。５〜１０分後、白い塩が生成され始め
た。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全て終わると約１時間更に撹
拌し、ジメチルドデシル−シリルクロライド０．０１９
ｍｏｌ（５ｇ）を徐々に前記溶液に落とした。−７８℃
に約１時間維持させた後、徐々に常温に温度を上げると
溶液がだんだん清くなった。約３時間後、溶液を水３０
０ｍＬに投入してエチルアセタートで抽出した。その有
機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥しろ過した後、溶媒を蒸
発させた。得られたオイルを真空下で蒸留（ｂｐ１６０
℃／１ｍｍＨｇ）したり、シリカゲルコラムクロマトグ
ラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製した。
１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシリル）ベンゼン
（I）を７０％以上の収率で得て、構造は1Ｈ−ＮＭＲを
通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２
８（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．９（ｔ，２Ｈ，
ＳｉＣＨ2）、１．２（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．５
（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．２−７．６２
（ｄ，４Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons））。
【００４７】（２）ｐ―キシレン―２―マグネシウムブ
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は前
記実施例１の（２）段階と同一な方法で製造した。
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は前
記実施例１の（２）段階と同一な方法で製造した。
【００４８】（３）１，４−ジメチル−２−（３′−ジ
メチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-dimeth
yl-2-(3′-dimethyldodecylsilylphenyl)benzene）（II
I）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（１）段階の１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシ
リル）ベンゼン１２．４５ｇ（０．０３２５ｍｏｌ）及
びＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）０．００６ｇ（０．００１ｍ
ｏｌ％）を約６０−７０ｍＬの無水ＴＨＦに溶かした
後、前記（２）段階で製造されたグリニャール試薬とと
もに混合した。前記混合物を一夜間還流させた。この混
合溶液を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽
出した。その有機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過及
び蒸発させる。得られたオイルをシリカゲルコラムクロ
マトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製
した。１，４−ジメチル−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン（III）を７０％の収率で
得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2）、０．７７（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８
２（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，２ＯＨ，
（ＣＨ2）10）、２．４と２．６（ｓ，６Ｈ，２ＣＨ3
ベンゼン環上で（on Benzene ring））、６．９−７．
７（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic proton
s））。
メチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-dimeth
yl-2-(3′-dimethyldodecylsilylphenyl)benzene）（II
I）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（１）段階の１−ブロモ−３−（ジメチルドデシルシ
リル）ベンゼン１２．４５ｇ（０．０３２５ｍｏｌ）及
びＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）０．００６ｇ（０．００１ｍ
ｏｌ％）を約６０−７０ｍＬの無水ＴＨＦに溶かした
後、前記（２）段階で製造されたグリニャール試薬とと
もに混合した。前記混合物を一夜間還流させた。この混
合溶液を水３００ｍＬに投入してエチルアセタートで抽
出した。その有機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過及
び蒸発させる。得られたオイルをシリカゲルコラムクロ
マトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて精製
した。１，４−ジメチル−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン（III）を７０％の収率で
得て、その構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2）、０．７７（ｔ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８
２（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、１．２６（ｍ，２ＯＨ，
（ＣＨ2）10）、２．４と２．６（ｓ，６Ｈ，２ＣＨ3
ベンゼン環上で（on Benzene ring））、６．９−７．
７（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic proton
s））。
【００４９】（４）１，４−ビス（ブロモメチル）−２
−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン
（1,4-bis(bromomethyl)-2-(3′-dimethyldodecylsilyl
phenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（３）の１，４−ジメチル−２−（３′−ジメチルド
デシルシリルフェニル）ベンゼン（III）７ｇ（０．０
１９２ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．９ｇ
（９８％含量）（０．０４４２ｍｏｌ）及び触媒として
ベンゾイルパオキシド（ＢＰＯ）を約２００ｍＬの無水
ＣＣｌ4に加えた後、約３時間還流させた。生成した白
い固体のスクシンイミドを除去するため熱い状態でこの
溶液をろ過した。ろ過したＣＣｌ4溶液を蒸発乾燥器を
用いて濃縮した後、シリカゲルコラムクロマトグラフィ
ー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて分離精製した。前
記化合物（IV）の収率は２５％で、構造は1Ｈ−ＮＭＲ
を通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．
２９（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７９（ｔ，２
Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、
１．５（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、４．２と４．５
０（ｓ，４Ｈ，２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２−７．６２
（ｄ，７Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons））。
−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼン
（1,4-bis(bromomethyl)-2-(3′-dimethyldodecylsilyl
phenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（３）の１，４−ジメチル−２−（３′−ジメチルド
デシルシリルフェニル）ベンゼン（III）７ｇ（０．０
１９２ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．９ｇ
（９８％含量）（０．０４４２ｍｏｌ）及び触媒として
ベンゾイルパオキシド（ＢＰＯ）を約２００ｍＬの無水
ＣＣｌ4に加えた後、約３時間還流させた。生成した白
い固体のスクシンイミドを除去するため熱い状態でこの
溶液をろ過した。ろ過したＣＣｌ4溶液を蒸発乾燥器を
用いて濃縮した後、シリカゲルコラムクロマトグラフィ
ー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて分離精製した。前
記化合物（IV）の収率は２５％で、構造は1Ｈ−ＮＭＲ
を通じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．
２９（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７９（ｔ，２
Ｈ，ＳｉＣＨ2）、０．８８（ｔ，３Ｈ，−ＣＨ3）、
１．５（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、４．２と４．５
０（ｓ，４Ｈ，２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２−７．６２
（ｄ，７Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons））。
【００５０】（５）ポリ｛２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビニレン｝
（poly[2-(3′-dimethyldodecylsilylphenyl)-1,4-phen
ylenevinylene])(m-SiPhPPV）（V）の製造 前記で製造された単量体１，４−ビス（ブロモメチル）
−２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベン
ゼン（IV）を無水ＴＨＦに溶解させ（単量体濃度：１質
量％）、０℃でその溶液を撹拌しながらシリンジ（Syri
nge）に入っているカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド
（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して約６当量）を
シリンジポンプ（syringe pump）により１時間徐々に滴
下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの量が１．５
〜２．０当量を超えはじめながら溶液がだんだん粘着性
を現しはじめた。２時間撹拌後、その混合物を多量のＭ
ｅＯＨまたはイソプロピルアルコールに沈澱させる。得
られた高分子をソックスレー（Soxhlet）装置を用いて
低分子量のオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨ
に再沈澱し乾燥させて最終高分子（V）を得た（収率（Y
ield）約８０％）。約８万未満の高分子を除去するた
め、スペクトル社のダイアリシス膜（Dialysis Membran
es）を通じて低分子量を除去した。得られた高分子の数
平均分子量は約３００，０００程度で、多分散性は２程
度である。高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通
じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３０
（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−０．９８
（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０−１．５
２（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．１０−７．８０
（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons）と
ビニルプロトン（vinyl protons））。
ルシリルフェニル）−１，４−フェニレンビニレン｝
（poly[2-(3′-dimethyldodecylsilylphenyl)-1,4-phen
ylenevinylene])(m-SiPhPPV）（V）の製造 前記で製造された単量体１，４−ビス（ブロモメチル）
−２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベン
ゼン（IV）を無水ＴＨＦに溶解させ（単量体濃度：１質
量％）、０℃でその溶液を撹拌しながらシリンジ（Syri
nge）に入っているカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド
（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して約６当量）を
シリンジポンプ（syringe pump）により１時間徐々に滴
下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの量が１．５
〜２．０当量を超えはじめながら溶液がだんだん粘着性
を現しはじめた。２時間撹拌後、その混合物を多量のＭ
ｅＯＨまたはイソプロピルアルコールに沈澱させる。得
られた高分子をソックスレー（Soxhlet）装置を用いて
低分子量のオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨ
に再沈澱し乾燥させて最終高分子（V）を得た（収率（Y
ield）約８０％）。約８万未満の高分子を除去するた
め、スペクトル社のダイアリシス膜（Dialysis Membran
es）を通じて低分子量を除去した。得られた高分子の数
平均分子量は約３００，０００程度で、多分散性は２程
度である。高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通
じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３０
（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−０．９８
（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０−１．５
２（ｍ，２ＯＨ，（ＣＨ2）10）、７．１０−７．８０
（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic protons）と
ビニルプロトン（vinyl protons））。
【００５１】実施例３．電気発光高分子（高分子３）の
製造 （１）１−ブロモ−４−（パフルオロオクチルジメチル
シリル）ベンゼン（1-bromo-4-(1H,1H,2H,2H-perfluoro
octyldimethylsilyl)benzene）（I）の製造 窒素雰囲気でフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に約
１００ｍＬの無水ＴＨＦと１，４−ジブロモベンゼン
０．０５５ｍｏｌ（１２．９８ｇ）とをともに入れて撹
拌した。この時、温度はアセトン／ドライアイスを用い
て約−７８℃に維持した。前記反応混合物にｎ−ＢｕＬ
ｉ０．０５５ｍｏｌ（２７．５ｍＬ、２．０Ｍ ｎ−ペ
ンタン溶液）を徐々に約１５分間滴下させた。５〜１０
分後、白い塩が生成し始めた。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全
て終わった後、−１０℃で約１時間更に撹拌し、１Ｈ，
１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルクロロ
シラン（1H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylchlorosi
lane）０．０５５ｍｏｌ（２４．２５ｇ）を徐々に前記
溶液に落とすと溶液がだんだん清くなる。約３時間後、
溶液を水３００ｍＬに投入してクロロホルムで抽出し
た。その有機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過した後
溶媒を蒸発させた。得られたオイルをシリカゲルコラム
クロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて
精製した。１−ブロモ−４−（パフルオロオクチルジメ
チルシリル）ベンゼン（I）を７０％以上の収率で得
て、前記化合物（I）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じ
て確認した。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３４
（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、１．０１（ｍ，２Ｈ，
ＳｉＣＨ2）、２．００（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ2ＣＦ2）、
７．３８と７．５４（ｄ，４Ｈ，芳香族プロトン（Arom
atic protons））。
製造 （１）１−ブロモ−４−（パフルオロオクチルジメチル
シリル）ベンゼン（1-bromo-4-(1H,1H,2H,2H-perfluoro
octyldimethylsilyl)benzene）（I）の製造 窒素雰囲気でフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に約
１００ｍＬの無水ＴＨＦと１，４−ジブロモベンゼン
０．０５５ｍｏｌ（１２．９８ｇ）とをともに入れて撹
拌した。この時、温度はアセトン／ドライアイスを用い
て約−７８℃に維持した。前記反応混合物にｎ−ＢｕＬ
ｉ０．０５５ｍｏｌ（２７．５ｍＬ、２．０Ｍ ｎ−ペ
ンタン溶液）を徐々に約１５分間滴下させた。５〜１０
分後、白い塩が生成し始めた。ｎ−ＢｕＬｉの滴下が全
て終わった後、−１０℃で約１時間更に撹拌し、１Ｈ，
１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルクロロ
シラン（1H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylchlorosi
lane）０．０５５ｍｏｌ（２４．２５ｇ）を徐々に前記
溶液に落とすと溶液がだんだん清くなる。約３時間後、
溶液を水３００ｍＬに投入してクロロホルムで抽出し
た。その有機溶液を無水ＭｇＳＯ4で乾燥、ろ過した後
溶媒を蒸発させた。得られたオイルをシリカゲルコラム
クロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサン）を用いて
精製した。１−ブロモ−４−（パフルオロオクチルジメ
チルシリル）ベンゼン（I）を７０％以上の収率で得
て、前記化合物（I）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じ
て確認した。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３４
（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、１．０１（ｍ，２Ｈ，
ＳｉＣＨ2）、２．００（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ2ＣＦ2）、
７．３８と７．５４（ｄ，４Ｈ，芳香族プロトン（Arom
atic protons））。
【００５２】（２）ｐ―キシレン―２―マグネシウムブ
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は実
施例１の（２）段階と同一な方法で製造した。
ロマイド（p-xylene-2-magnesiumbromide）（II）の製
造 ｐ―キシレン―２―マグネシウムブロマイド（II）は実
施例１の（２）段階と同一な方法で製造した。
【００５３】（３）１，４−ジメチル−２−（４′−１
Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシ
リルフェニル）ベンゼン（1,4-dimethyl-2-(4′-1H,1H,
2H,2H-perfluorooctyldimethylsilylphenyl)benzene）
（III）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（１）段階の１−ブロモ−４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，
２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリル）ベンゼン１
６．１６ｇ（０．０２８８ｍｏｌｅ）及びＮｉＣｌ
2（ｄｐｐｐ）０．１１ｇ（０．５ｍｏｌ％）を約６０
〜７０ｍＬの無水ＴＨＦに加え、一般的な方法で製造さ
れたグリニャール試薬、ｐ−キシレン−２−マグネシウ
ムブロマイドを前記フラスコに移す。この混合物を夜通
し還流させた。前記溶液を水３００ｍＬに投入してエチ
ルアセタートで抽出した。この有機溶液を無水ＭｇＳＯ
4で乾燥、ろ過及び蒸発させた。得られたオイルをシリ
カゲルコラムクロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサ
ン）を用いて精製した。前記化合物（III）の収率は６
３％以上で、構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．５１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ
（ＣＨ3）2）、１．１７（ｍ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2−）、
２．１７（ｍ，３Ｈ，−ＣＨＣＦ2−）、２．３７と
２．２７（ｓ，６Ｈ，キシレン成分中の２ＣＨ3 （of
xylene moiety））、７．２０−７．３１（ｍ，キシレ
ン成分の芳香族プロトン（aromatic protons of xylene
moiety））、７．４９と７．６６（ｄ，４Ｈ，芳香族
プロトン（aromatic protons））。
Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシ
リルフェニル）ベンゼン（1,4-dimethyl-2-(4′-1H,1H,
2H,2H-perfluorooctyldimethylsilylphenyl)benzene）
（III）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に前
記（１）段階の１−ブロモ−４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，
２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリル）ベンゼン１
６．１６ｇ（０．０２８８ｍｏｌｅ）及びＮｉＣｌ
2（ｄｐｐｐ）０．１１ｇ（０．５ｍｏｌ％）を約６０
〜７０ｍＬの無水ＴＨＦに加え、一般的な方法で製造さ
れたグリニャール試薬、ｐ−キシレン−２−マグネシウ
ムブロマイドを前記フラスコに移す。この混合物を夜通
し還流させた。前記溶液を水３００ｍＬに投入してエチ
ルアセタートで抽出した。この有機溶液を無水ＭｇＳＯ
4で乾燥、ろ過及び蒸発させた。得られたオイルをシリ
カゲルコラムクロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサ
ン）を用いて精製した。前記化合物（III）の収率は６
３％以上で、構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．５１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ
（ＣＨ3）2）、１．１７（ｍ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2−）、
２．１７（ｍ，３Ｈ，−ＣＨＣＦ2−）、２．３７と
２．２７（ｓ，６Ｈ，キシレン成分中の２ＣＨ3 （of
xylene moiety））、７．２０−７．３１（ｍ，キシレ
ン成分の芳香族プロトン（aromatic protons of xylene
moiety））、７．４９と７．６６（ｄ，４Ｈ，芳香族
プロトン（aromatic protons））。
【００５４】（４）１，４−ビス（ブロモメチル）−２
−（４′−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチ
ルジメチルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-bis(bromom
ethyl)-2-(4′-1H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylsi
lylphenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に
１，４−ジメチル−２−（４′−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２
Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフェニル）ベン
ゼン１０．５ｇ（０．０１８１ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモス
クシンイミド６．４３ｇ（９８％含量）（０．０３６２
ｍｏｌ）及び触媒としてベンゾイルパオキシド（ＢＰ
Ｏ）を約２００ｍＬの無水ＣＣｌ4に加えた後、約１２
時間加熱した。生成した白い固体のスクシンイミドを除
去するため熱い状態でこの溶液をろ過した。ろ過したＣ
Ｃｌ4溶液を蒸発乾燥器を用いて濃縮させた後、シリカ
ゲルコラムクロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサ
ン）を用いて精製した。この化合物（IV）の収率は３５
〜４０％で、構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３８（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ
（ＣＨ3）2）、１．０４（ｍ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2−）、
２．０６（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ2ＣＦ2−）、４．４４と
４．５０（ｓ，４Ｈ，２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２６−
７．６０（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（aromatic proto
ns））。
−（４′−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチ
ルジメチルシリルフェニル）ベンゼン（1,4-bis(bromom
ethyl)-2-(4′-1H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylsi
lylphenyl)benzene）（IV）の製造 ２５０ｍＬのフラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋフラスコ）に
１，４−ジメチル−２−（４′−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２
Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフェニル）ベン
ゼン１０．５ｇ（０．０１８１ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモス
クシンイミド６．４３ｇ（９８％含量）（０．０３６２
ｍｏｌ）及び触媒としてベンゾイルパオキシド（ＢＰ
Ｏ）を約２００ｍＬの無水ＣＣｌ4に加えた後、約１２
時間加熱した。生成した白い固体のスクシンイミドを除
去するため熱い状態でこの溶液をろ過した。ろ過したＣ
Ｃｌ4溶液を蒸発乾燥器を用いて濃縮させた後、シリカ
ゲルコラムクロマトグラフィー（eluent：ｎ−ヘキサ
ン）を用いて精製した。この化合物（IV）の収率は３５
〜４０％で、構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確認した。1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３８（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ
（ＣＨ3）2）、１．０４（ｍ，２Ｈ，ＳｉＣＨ2−）、
２．０６（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ2ＣＦ2−）、４．４４と
４．５０（ｓ，４Ｈ，２−ＣＨ2Ｂｒ）、７．２６−
７．６０（ｍ，７Ｈ，芳香族プロトン（aromatic proto
ns））。
【００５５】（５）ポリ｛２−（４′−１Ｈ，１Ｈ，２
Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフェニ
ル）−１，４−フェニレンビニレン｝（poly[2-(4′-1
H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylsilylphenyl)-1,4-
phenylenevinylene]）（ｐ−ＳｉＲｆＰｈＰＰＶ）
（V）の製造 １，４−ビス（ブロモメチル）−２−（４′−１Ｈ，１
Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフ
ェニル）ベンゼン（IV）単量体を無水ＴＨＦに溶解させ
（単量体濃度０．０１６−０．０３２Ｍ）、０℃でその
溶液を撹拌させながら他のフラスコに入っているカリウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量
体に対して約３当量）をカニューラーにより徐々に３０
分間滴下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの量が
１．５〜２．０当量を超えはじめながら溶液がだんだん
粘着性を現しはじめた。約３時間撹拌後、その混合物を
多量のＭｅＯＨに沈澱させる。得られた高分子をソック
スレー装置を用いて精製した後、再沈澱、乾燥を通じて
最終高分子（V）を得た（収率（Yield）約７０％）。得
られた高分子の数平均分子量は約１１００００程度であ
った。前記高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通
じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３８
（ｂｒ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．９２（ｂｒ，２
Ｈ，ＳｉＣＨ 2−）、２．０４（ｂｒ，３Ｈ，−ＣＨ2Ｃ
Ｆ2−）、７．０８−７．７０（ｍ，９Ｈ，芳香族プロ
トン（aromatic protons）及びビニルプロトン（vinyl
protons））。
Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフェニ
ル）−１，４−フェニレンビニレン｝（poly[2-(4′-1
H,1H,2H,2H-perfluorooctyldimethylsilylphenyl)-1,4-
phenylenevinylene]）（ｐ−ＳｉＲｆＰｈＰＰＶ）
（V）の製造 １，４−ビス（ブロモメチル）−２−（４′−１Ｈ，１
Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パフルオロオクチルジメチルシリルフ
ェニル）ベンゼン（IV）単量体を無水ＴＨＦに溶解させ
（単量体濃度０．０１６−０．０３２Ｍ）、０℃でその
溶液を撹拌させながら他のフラスコに入っているカリウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量
体に対して約３当量）をカニューラーにより徐々に３０
分間滴下させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの量が
１．５〜２．０当量を超えはじめながら溶液がだんだん
粘着性を現しはじめた。約３時間撹拌後、その混合物を
多量のＭｅＯＨに沈澱させる。得られた高分子をソック
スレー装置を用いて精製した後、再沈澱、乾燥を通じて
最終高分子（V）を得た（収率（Yield）約７０％）。得
られた高分子の数平均分子量は約１１００００程度であ
った。前記高分子（V）の化学的構造は1Ｈ−ＮＭＲを通
じて確認した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３８
（ｂｒ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．９２（ｂｒ，２
Ｈ，ＳｉＣＨ 2−）、２．０４（ｂｒ，３Ｈ，−ＣＨ2Ｃ
Ｆ2−）、７．０８−７．７０（ｍ，９Ｈ，芳香族プロ
トン（aromatic protons）及びビニルプロトン（vinyl
protons））。
【００５６】実施例４．共重合電気発光高分子（高分子
４）の製造 （１）ワン−ポット（Ｏｎｅ−Ｐｏｔ）製造 実施例２の（４）段階で製造された単量体である１，４
−ビス（ブロモメチル）−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン及び１，４−ビス（クロロ
メチル）−２−（（２−エチルヘキシル）オキシ）５−
メトキシベンゼン（VI）（1,4-bis(chloromethyl)-2-
((2-ethylhexyl)oxy)5-methoxybenzene(VI)）を多様な
モル構成比で調節しながら無水ＴＨＦに溶解させ（単量
体濃度：１質量％）、０℃でその溶液を撹拌した。カリ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単
量体に対して約６当量）をシリンジポンプ（syringe pu
mp）を用いて１時間徐々に滴下させた。カリウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシドの量が１．５〜２．０当量を超えはじめ
ながら液がだんだん粘着性を現しはじめた。０℃で２時
間撹拌後、その混合物を多量のＭｅＯＨまたはイソプロ
ピルアルコールに再沈澱させた。ソックスレー装置を用
いてオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨに再沈
澱させ、乾燥を通じて最終発光共重合高分子であるポリ
［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）−
ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキシ）｝
−１，４−フェニレンビニレン］（poly[[2-(3′-dimet
hyldodecylsilylphenyl)-co-(2-methoxy-5-ethylhexylo
xy)]-1,4-phenylenevinylene]）（m-SiPhPPV-co-MEH-PP
V）を得た（収率（Yield）約７０％）。スペクトル社の
ダイアリシス膜（Dialysis Membranes）を通じて分子量
が８０，０００より少ない共重合発光高分子を除去し
た。得られた高分子の数平均分子量は約３．０×１０6
〜６．６×１０6程度で、多分散性は２．３程度であ
る。前記共重合高分子のモル比は１Ｈ−ＮＭＲ分析を通
じて確認した。ＭＥＨ−ＰＰＶ単位での−ＯＣＨ 3及び
−ＯＣＨ2（５Ｈ、〜４．０ｐｐｍ）陽子の構成及びｍ
−またはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位での一つのＳｉ−（Ｃ
Ｈ3）2（６Ｈ、〜０．３ｐｐｍ）の構成を比較した。図
４はポリ［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェ
ニル）−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオ
キシ）｝−１，４−フェニレンビニレン］（ｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶ）［単量体供給比＝
３：１；実際モル比＝９（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位）：
１（ＭＥＨ−ＰＰＶ単位）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル
である。
４）の製造 （１）ワン−ポット（Ｏｎｅ−Ｐｏｔ）製造 実施例２の（４）段階で製造された単量体である１，４
−ビス（ブロモメチル）−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼン及び１，４−ビス（クロロ
メチル）−２−（（２−エチルヘキシル）オキシ）５−
メトキシベンゼン（VI）（1,4-bis(chloromethyl)-2-
((2-ethylhexyl)oxy)5-methoxybenzene(VI)）を多様な
モル構成比で調節しながら無水ＴＨＦに溶解させ（単量
体濃度：１質量％）、０℃でその溶液を撹拌した。カリ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単
量体に対して約６当量）をシリンジポンプ（syringe pu
mp）を用いて１時間徐々に滴下させた。カリウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシドの量が１．５〜２．０当量を超えはじめ
ながら液がだんだん粘着性を現しはじめた。０℃で２時
間撹拌後、その混合物を多量のＭｅＯＨまたはイソプロ
ピルアルコールに再沈澱させた。ソックスレー装置を用
いてオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨに再沈
澱させ、乾燥を通じて最終発光共重合高分子であるポリ
［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）−
ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキシ）｝
−１，４−フェニレンビニレン］（poly[[2-(3′-dimet
hyldodecylsilylphenyl)-co-(2-methoxy-5-ethylhexylo
xy)]-1,4-phenylenevinylene]）（m-SiPhPPV-co-MEH-PP
V）を得た（収率（Yield）約７０％）。スペクトル社の
ダイアリシス膜（Dialysis Membranes）を通じて分子量
が８０，０００より少ない共重合発光高分子を除去し
た。得られた高分子の数平均分子量は約３．０×１０6
〜６．６×１０6程度で、多分散性は２．３程度であ
る。前記共重合高分子のモル比は１Ｈ−ＮＭＲ分析を通
じて確認した。ＭＥＨ−ＰＰＶ単位での−ＯＣＨ 3及び
−ＯＣＨ2（５Ｈ、〜４．０ｐｐｍ）陽子の構成及びｍ
−またはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位での一つのＳｉ−（Ｃ
Ｈ3）2（６Ｈ、〜０．３ｐｐｍ）の構成を比較した。図
４はポリ［｛２−（３′−ジメチルドデシルシリルフェ
ニル）−ｃｏ−（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオ
キシ）｝−１，４−フェニレンビニレン］（ｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶ）［単量体供給比＝
３：１；実際モル比＝９（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位）：
１（ＭＥＨ−ＰＰＶ単位）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル
である。
【００５７】（２）段階的製造 実施例２の（４）段階で製造された単量体である１，４
−ビス（ブロモメチル）−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼンと共単量体である２，５−
ビス（クロロメチル）−４−（２−エチルヘキシルオキ
シ）アニソールとの反応性が非常に異なるため、１，４
−ビス（クロロメチル）−２−（（２−エチルヘキシ
ル）オキシ）５−メトキシベンゼンを先に重合させた
後、単量体である１，４−ビス（ブロモメチル）−２−
（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼンを
加えて共重合体を合成した。まず、多様なモル構成比で
調節しながら前記単量体を無水ＴＨＦに溶解させた（単
量体濃度：１質量％）。前記溶液を０℃で撹拌させなが
らシリンジポンプを用いて約２当量のカリウムｔｅｒｔ
−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して
約６当量）を２０分間徐々に滴下した。ある程度重合反
応が進行すると二番目の付加単量体を付加した後、残り
のカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを添加すると重合反応
物がだんだん粘着性を現しはじめた。０℃で２時間撹拌
後、その混合物を多量のＭｅＯＨまたはイソプロピルア
ルコールに再沈澱させる。ソックスレー装置を用いて低
分子量のオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨに
再沈澱させ、乾燥を通じて最終発光共重合高分子である
ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを得た（収
率（Ｙｉｅｌｄ）約７０％）。スペクトル社のダイアリ
シス膜（Dialysis Membranes）を通じて分子量が８０，
０００より少ない共重合発光高分子を除去した。得られ
た共重合高分子の数平均分子量は約２．０×１０6ない
し８．０×１０6程度で、多分散性は２．３程度であ
る。前記共重合高分子の構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確
認し、次のようである：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ
０．３０（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−
０．９８（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０
−１．５２（ｍ，２０Ｈ，（ＣＨ2）10）、７．１０−
７．８０（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic pro
tons）とビニルプロトン（vinyl protons））。
−ビス（ブロモメチル）−２−（３′−ジメチルドデシ
ルシリルフェニル）ベンゼンと共単量体である２，５−
ビス（クロロメチル）−４−（２−エチルヘキシルオキ
シ）アニソールとの反応性が非常に異なるため、１，４
−ビス（クロロメチル）−２−（（２−エチルヘキシ
ル）オキシ）５−メトキシベンゼンを先に重合させた
後、単量体である１，４−ビス（ブロモメチル）−２−
（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）ベンゼンを
加えて共重合体を合成した。まず、多様なモル構成比で
調節しながら前記単量体を無水ＴＨＦに溶解させた（単
量体濃度：１質量％）。前記溶液を０℃で撹拌させなが
らシリンジポンプを用いて約２当量のカリウムｔｅｒｔ
−ブトキシド（１．０Ｍ ＴＨＦ溶液、単量体に対して
約６当量）を２０分間徐々に滴下した。ある程度重合反
応が進行すると二番目の付加単量体を付加した後、残り
のカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを添加すると重合反応
物がだんだん粘着性を現しはじめた。０℃で２時間撹拌
後、その混合物を多量のＭｅＯＨまたはイソプロピルア
ルコールに再沈澱させる。ソックスレー装置を用いて低
分子量のオリゴマーと触媒とを除去した後、ＭｅＯＨに
再沈澱させ、乾燥を通じて最終発光共重合高分子である
ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを得た（収
率（Ｙｉｅｌｄ）約７０％）。スペクトル社のダイアリ
シス膜（Dialysis Membranes）を通じて分子量が８０，
０００より少ない共重合発光高分子を除去した。得られ
た共重合高分子の数平均分子量は約２．０×１０6ない
し８．０×１０6程度で、多分散性は２．３程度であ
る。前記共重合高分子の構造は1Ｈ−ＮＭＲを通じて確
認し、次のようである：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ
０．３０（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2）、０．７０−
０．９８（ｍ，５Ｈ，ＳｉＣＨ2と−ＣＨ3）、１．１０
−１．５２（ｍ，２０Ｈ，（ＣＨ2）10）、７．１０−
７．８０（ｂｒ，９Ｈ，芳香族プロトン（Aromatic pro
tons）とビニルプロトン（vinyl protons））。
【００５８】〈ＥＬ ｄｅｖｉｃｅの制作〉実施例１と
実施例２でそれぞれ製造された発光高分子ｐ−ＳｉＰｈ
ＰＰＶとｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ及び実施例４で製造された
共重合発光高分子であるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−Ｍ
ＥＨ−ＰＰＶを用いてそれぞれ電気発光素子（device）
を制作した。制作されたＥＬ素子の構造は図５のようで
ある。ＥＬ素子の制作過程は次のようである。ＩＴＯ
（indium-tin oxide）をガラス基板の上にコーティング
した後、この透明電極基板をきれいに洗浄した。感光性
樹脂（photoresist resin）とエッチャント（etchant）
を用いて前記ＩＴＯをパターニング（patterning）し、
再びきれいに洗浄した。その上に電導性があるバファ層
としてバットロン（Ｂａｙｅｒ社のＢａｔｒｏｎ Ｐ
４０８３）を約５００Åの厚さでコーティングした後、
１８０℃で約１時間ベーキング（baking）した。クロロ
ベンゼンに溶解させて製造された有機電気発光高分子溶
液をスピンコーティング（spin coating）してベーキン
グ処理後、真空オブンの内で溶媒を完全に除去して高分
子薄膜を形成させた。高分子溶液は０．２μｍフィルタ
ーでフィルタリングしてスピンコーティングし、高分子
薄膜の厚さは高分子溶液の濃度とスピン速度を調節する
ことにより自由に調節できる。発光高分子の厚さは約５
０〜２００ｎｍ程度である。そして絶縁層及びメタル電
極は真空蒸着機（熱蒸発乾燥機）により真空度を４×１
０-6ｔｏｒｒ以下に維持しながら蒸着させて形成した。
蒸着時の膜の厚さ及び膜の成長速度はクリスタルセンサ
ー（crystal sensor）を用いて調節し、発光面積は４ｍ
ｍ2、駆動電圧は直流電圧で順方向バイアス電圧（forwa
rd biasvoltage）を用いた。
実施例２でそれぞれ製造された発光高分子ｐ−ＳｉＰｈ
ＰＰＶとｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ及び実施例４で製造された
共重合発光高分子であるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−Ｍ
ＥＨ−ＰＰＶを用いてそれぞれ電気発光素子（device）
を制作した。制作されたＥＬ素子の構造は図５のようで
ある。ＥＬ素子の制作過程は次のようである。ＩＴＯ
（indium-tin oxide）をガラス基板の上にコーティング
した後、この透明電極基板をきれいに洗浄した。感光性
樹脂（photoresist resin）とエッチャント（etchant）
を用いて前記ＩＴＯをパターニング（patterning）し、
再びきれいに洗浄した。その上に電導性があるバファ層
としてバットロン（Ｂａｙｅｒ社のＢａｔｒｏｎ Ｐ
４０８３）を約５００Åの厚さでコーティングした後、
１８０℃で約１時間ベーキング（baking）した。クロロ
ベンゼンに溶解させて製造された有機電気発光高分子溶
液をスピンコーティング（spin coating）してベーキン
グ処理後、真空オブンの内で溶媒を完全に除去して高分
子薄膜を形成させた。高分子溶液は０．２μｍフィルタ
ーでフィルタリングしてスピンコーティングし、高分子
薄膜の厚さは高分子溶液の濃度とスピン速度を調節する
ことにより自由に調節できる。発光高分子の厚さは約５
０〜２００ｎｍ程度である。そして絶縁層及びメタル電
極は真空蒸着機（熱蒸発乾燥機）により真空度を４×１
０-6ｔｏｒｒ以下に維持しながら蒸着させて形成した。
蒸着時の膜の厚さ及び膜の成長速度はクリスタルセンサ
ー（crystal sensor）を用いて調節し、発光面積は４ｍ
ｍ2、駆動電圧は直流電圧で順方向バイアス電圧（forwa
rd biasvoltage）を用いた。
【００５９】〈光学的特性評価〉実施例１、２及び４で
製造された発光高分子溶液をガラス基板の上にスピンコ
ーティングして高分子薄膜を形成した後、ＵＶ吸収ピー
クとＰＬ（photoluminescence）を測定した。形成され
た薄膜はピンホール（pin hole）なしに均一であり、基
板に対する接着性が非常に優れていた。図６はｐ−Ｓｉ
ＰｈＰＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルであり；図７はｍ
−ＳｉＰｈＰＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルであり；図
８はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶのＰＬスペクトルであり；図９
はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶのＰＬスペクトルであり；そして
図１０はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの
ＰＬスペクトルである。
製造された発光高分子溶液をガラス基板の上にスピンコ
ーティングして高分子薄膜を形成した後、ＵＶ吸収ピー
クとＰＬ（photoluminescence）を測定した。形成され
た薄膜はピンホール（pin hole）なしに均一であり、基
板に対する接着性が非常に優れていた。図６はｐ−Ｓｉ
ＰｈＰＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルであり；図７はｍ
−ＳｉＰｈＰＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルであり；図
８はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶのＰＬスペクトルであり；図９
はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶのＰＬスペクトルであり；そして
図１０はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの
ＰＬスペクトルである。
【００６０】ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶの場合、ＵＶ最大吸収
ピークは４３５ｎｍ、励起波長を４３５ｎｍにして測定
したＰＬスペクトルでのＰＬ最大ピークは５２７ｎｍで
あり、肩（shoulder）ピークは５５８ｎｍで表された。
ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶの場合、最大吸収ピークは４２７ｎ
ｍ、ＰＬ最大ピークは５２４ｎｍであった。
ピークは４３５ｎｍ、励起波長を４３５ｎｍにして測定
したＰＬスペクトルでのＰＬ最大ピークは５２７ｎｍで
あり、肩（shoulder）ピークは５５８ｎｍで表された。
ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶの場合、最大吸収ピークは４２７ｎ
ｍ、ＰＬ最大ピークは５２４ｎｍであった。
【００６１】実施例４で製造された共重合体ｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの場合、ＵＶ最大吸収
ピークが４６５ｎｍ、励起波長を４６５ｎｍにして測定
したＰＬスペクトルでのＰＬ最大ピークは５９２ｎｍと
測定された。前記共重合体は、電子供与（electron-don
ating）効果が優れるオレンジ色を浮かぶ赤色を発光す
るＭＥＨ−ＰＰＶが導入されることにより、ｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶまたはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶより赤色の領域に移
動（red-shift）したスペクトルが観測された。
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの場合、ＵＶ最大吸収
ピークが４６５ｎｍ、励起波長を４６５ｎｍにして測定
したＰＬスペクトルでのＰＬ最大ピークは５９２ｎｍと
測定された。前記共重合体は、電子供与（electron-don
ating）効果が優れるオレンジ色を浮かぶ赤色を発光す
るＭＥＨ−ＰＰＶが導入されることにより、ｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶまたはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶより赤色の領域に移
動（red-shift）したスペクトルが観測された。
【００６２】〈電気的特性評価〉実施例１、２及び４で
製造された発光高分子を用いて制作されたＥＬ素子（EL
device）から電気発光特性を評価して図１１、１２及び
１３に表した。図１１はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製
造したＥＬ素子（EL device）から測定されたＥＬスペ
クトルであり；図１２はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製
造したＥＬ素子（EL device）から測定されたＥＬスペ
クトルであり；そして図１３はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃ
ｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥ
ＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオードのＥＬス
ペクトルである。ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／高分子／（Ｌｉ
Ｆ）／Ａｌ構造の単層形ＥＬ素子らは、全て典型的な整
流ダイオード（rectifying diode）特性を見せた。ｍ−
ＳｉＰｈＰＰＶの場合、駆動電圧（turn-on voltage）
は図１５から分かるように約１１Ｖで始まり、最大輝度
は図１８から分かるように２５０ｃｄ／ｍ2で、素子の
最大効率は０．０４９０ ｌｍ／Ｗであった（ＩＴＯ／
ＰＥＤＯＴ／高分子／Ｃａ／Ａｌ構造の場合：駆動電圧
は約６．６Ｖ、最大輝度は２１５３ｃｄ／ｍ2、素子の
最大効率は０．６５７ ｌｍ／Ｗで測定された）。図１
５はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／
ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構
造のＩ−Ｖ特性であり、そして図１８はｍ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高
分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性であ
る。ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶの場合、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／
高分子／ＬｉＦ／Ａｌ素子構造で駆動電圧は７．２Ｖ
（図１４）で始まり、最大輝度は９１０ｃｄ／ｍ２（図
１７）で、最大発光効率は０．１７１８ ｌｍ／Ｗであ
った（ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／高分子／Ｃａ／Ａｌ構造の
場合：駆動電圧は約６．７Ｖ、最大輝度は５８９０ｃｄ
／ｍ2、素子の最大効率は０．２５１ ｌｍ／Ｗで測定
された）。図１４はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性であり、図１７はｐ−
ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯ
Ｔ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−
Ｖ特性である。共重合体であるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃ
ｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの駆動電圧は約３．９Ｖで、最大輝
度は約１１０００ｃｄ／ｍ 2で、最大発光効率は２．１
９８３ ｌｍ／Ｗであった。共重合体の場合、ＭＥＨ−
ＰＰＶが導入されてｍ−ＳｉＰｈＰＰＶまたはｐ−Ｓｉ
ＰｈＰＰＶよりＨＯＭＯレベル（level）は高め、ＬＵ
ＭＯレベル（level）は低くすることにより、駆動電圧
は相対的に低く、最大発光輝度だけでなく発光効率も急
激に増加することが分かり、その結果素子の安定性も非
常に優れることを確認した。共重合体ｍ−ＳｉＰｈＰＰ
Ｖ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの場合、ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ
またはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶより優れた電流−電圧（図１
６）及び光度−電圧特性を表した（図１９）。制作され
たＥＬ素子は数回の反復駆動後にも最初の電圧−電流密
度特性をそのまま維持する安定性を見せた。図１６は本
発明によるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶ
を用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子
／Ａｌ：Ｌｉ］のＩ−Ｖ特性であり、そして図１９はｍ
−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造
された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌ
ｉ］のＬ−Ｖ特性である。
製造された発光高分子を用いて制作されたＥＬ素子（EL
device）から電気発光特性を評価して図１１、１２及び
１３に表した。図１１はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製
造したＥＬ素子（EL device）から測定されたＥＬスペ
クトルであり；図１２はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製
造したＥＬ素子（EL device）から測定されたＥＬスペ
クトルであり；そして図１３はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃ
ｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥ
ＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオードのＥＬス
ペクトルである。ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／高分子／（Ｌｉ
Ｆ）／Ａｌ構造の単層形ＥＬ素子らは、全て典型的な整
流ダイオード（rectifying diode）特性を見せた。ｍ−
ＳｉＰｈＰＰＶの場合、駆動電圧（turn-on voltage）
は図１５から分かるように約１１Ｖで始まり、最大輝度
は図１８から分かるように２５０ｃｄ／ｍ2で、素子の
最大効率は０．０４９０ ｌｍ／Ｗであった（ＩＴＯ／
ＰＥＤＯＴ／高分子／Ｃａ／Ａｌ構造の場合：駆動電圧
は約６．６Ｖ、最大輝度は２１５３ｃｄ／ｍ2、素子の
最大効率は０．６５７ ｌｍ／Ｗで測定された）。図１
５はｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／
ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構
造のＩ−Ｖ特性であり、そして図１８はｍ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高
分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性であ
る。ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶの場合、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／
高分子／ＬｉＦ／Ａｌ素子構造で駆動電圧は７．２Ｖ
（図１４）で始まり、最大輝度は９１０ｃｄ／ｍ２（図
１７）で、最大発光効率は０．１７１８ ｌｍ／Ｗであ
った（ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／高分子／Ｃａ／Ａｌ構造の
場合：駆動電圧は約６．７Ｖ、最大輝度は５８９０ｃｄ
／ｍ2、素子の最大効率は０．２５１ ｌｍ／Ｗで測定
された）。図１４はｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性であり、図１７はｐ−
ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯ
Ｔ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−
Ｖ特性である。共重合体であるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃ
ｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの駆動電圧は約３．９Ｖで、最大輝
度は約１１０００ｃｄ／ｍ 2で、最大発光効率は２．１
９８３ ｌｍ／Ｗであった。共重合体の場合、ＭＥＨ−
ＰＰＶが導入されてｍ−ＳｉＰｈＰＰＶまたはｐ−Ｓｉ
ＰｈＰＰＶよりＨＯＭＯレベル（level）は高め、ＬＵ
ＭＯレベル（level）は低くすることにより、駆動電圧
は相対的に低く、最大発光輝度だけでなく発光効率も急
激に増加することが分かり、その結果素子の安定性も非
常に優れることを確認した。共重合体ｍ−ＳｉＰｈＰＰ
Ｖ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶの場合、ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ
またはｐ−ＳｉＰｈＰＰＶより優れた電流−電圧（図１
６）及び光度−電圧特性を表した（図１９）。制作され
たＥＬ素子は数回の反復駆動後にも最初の電圧−電流密
度特性をそのまま維持する安定性を見せた。図１６は本
発明によるｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶ
を用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子
／Ａｌ：Ｌｉ］のＩ−Ｖ特性であり、そして図１９はｍ
−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造
された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌ
ｉ］のＬ−Ｖ特性である。
【００６３】図２０は本発明による実施例１、２及び４
で製造した発光高分子を用いて製造された［ＩＴＯ／Ｐ
ＥＤＯＴ／発光高分子／（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード
のＩ−Ｖ特性であり、そして図２１は本発明の実施例
１、２及び４の発光高分子を用いて製造された［ＩＴＯ
／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／（ＬｉＦ）／Ａｌ］のＬ−
Ｉ特性である。
で製造した発光高分子を用いて製造された［ＩＴＯ／Ｐ
ＥＤＯＴ／発光高分子／（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード
のＩ−Ｖ特性であり、そして図２１は本発明の実施例
１、２及び４の発光高分子を用いて製造された［ＩＴＯ
／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／（ＬｉＦ）／Ａｌ］のＬ−
Ｉ特性である。
【００６４】比較例 比較例では発光層としてＭＥＨ−ＰＰＶを用い、電気的
光学特性を本発明の実施例と比較した。電圧は１０Ｖに
固定させ、ＥＬスペクトルを測定して図２２に表した。
前記素子は赤みがかったオレンジ（reddish orange）の
領域で発光を見せた。I−Ｖ特性を図２３に表し、駆動
電圧は７Ｖであった。即ち、駆動電圧が７Ｖで電流が徐
々に流れ始めた。
光学特性を本発明の実施例と比較した。電圧は１０Ｖに
固定させ、ＥＬスペクトルを測定して図２２に表した。
前記素子は赤みがかったオレンジ（reddish orange）の
領域で発光を見せた。I−Ｖ特性を図２３に表し、駆動
電圧は７Ｖであった。即ち、駆動電圧が７Ｖで電流が徐
々に流れ始めた。
【００６５】
【発明の効果】本発明は、既存の発光高分子であるポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）基を主鎖とし、
脂肪族アルキル基が導入されたシリコン原子を含むフェ
ニル基を側鎖として含むことにより、有機溶媒に対する
溶解性が優れ、発光効率、電極との界面特性及び薄膜形
成能力が優れる電気発光高分子を提供し、または前記電
気発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶとを共重合することによ
り、特にカラーチューニングが優れ、優れるディスプレ
ー特性を有する共重合電気発光高分子を提供する効果を
有する。
（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）基を主鎖とし、
脂肪族アルキル基が導入されたシリコン原子を含むフェ
ニル基を側鎖として含むことにより、有機溶媒に対する
溶解性が優れ、発光効率、電極との界面特性及び薄膜形
成能力が優れる電気発光高分子を提供し、または前記電
気発光高分子とＭＥＨ−ＰＰＶとを共重合することによ
り、特にカラーチューニングが優れ、優れるディスプレ
ー特性を有する共重合電気発光高分子を提供する効果を
有する。
【００６６】本発明の単純な変形ないし変更は、全てこ
の分野の通常の知識を有する者により容易に実施でき、
かかる変形や変更は全て本発明の領域に含まれる。
の分野の通常の知識を有する者により容易に実施でき、
かかる変形や変更は全て本発明の領域に含まれる。
【図１】本発明による電気発光高分子及び共重合電気発
光高分子の製造工程を表す工程図である。
光高分子の製造工程を表す工程図である。
【図２】本発明のある具体例であるポリ｛２−（４′−
ジメチルドデシルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ）の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。
ジメチルドデシルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（ｐ−ＳｉＰｈＰＰＶ）の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。
【図３】本発明の他の具体例であるポリ｛２−（３′−
ジメチルドデシルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ）の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。
ジメチルドデシルシリルフェニル）−１，４−フェニレ
ンビニレン｝（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ）の1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。
【図４】本発明のまた他の具体例であるポリ［｛２−
（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）−ｃｏ−
（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキシ）｝−１，
４−フェニレンビニレン］（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ
−ＭＥＨ−ＰＰＶ）［単量体供給比＝３：１；実際モル
比＝９（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位）：１（ＭＥＨ−ＰＰ
Ｖ単位）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
（３′−ジメチルドデシルシリルフェニル）−ｃｏ−
（２−メトキシ−５−エチルヘキシルオキシ）｝−１，
４−フェニレンビニレン］（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ
−ＭＥＨ−ＰＰＶ）［単量体供給比＝３：１；実際モル
比＝９（ｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ単位）：１（ＭＥＨ−ＰＰ
Ｖ単位）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図５】本発明による発光高分子を用いたＥＬ素子（de
vice）の断面図である。
vice）の断面図である。
【図６】本発明による発光高分子であるｐ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルである。
ＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルである。
【図７】本発明による発光高分子であるｍ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルである。
ＰＶのＵＶ−ＶＩＳスペクトルである。
【図８】本発明による発光高分子であるｐ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶのＰＬスペクトルである。
ＰＶのＰＬスペクトルである。
【図９】本発明による発光高分子であるｍ−ＳｉＰｈＰ
ＰＶのＰＬスペクトルである。
ＰＶのＰＬスペクトルである。
【図１０】本発明による共重合発光高分子であるｍ−Ｓ
ｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶのＰＬスペクトル
である。
ｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶのＰＬスペクトル
である。
【図１１】本発明の発光高分子であるｐ−ＳｉＰｈＰＰ
Ｖを用いて製造したＥＬ素子（device）から測定された
ＥＬスペクトルである。
Ｖを用いて製造したＥＬ素子（device）から測定された
ＥＬスペクトルである。
【図１２】本発明の発光高分子であるｍ−ＳｉＰｈＰＰ
Ｖを用いて製造したＥＬ素子（device）から測定された
ＥＬスペクトルである。
Ｖを用いて製造したＥＬ素子（device）から測定された
ＥＬスペクトルである。
【図１３】本発明の共重合発光高分子であるｍ−ＳｉＰ
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造された
［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイ
オード構造のＥＬスペクトルである。
ｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ−ＰＰＶを用いて製造された
［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイ
オード構造のＥＬスペクトルである。
【図１４】本発明のｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
【図１５】本発明のｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
【図１６】本発明のｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ
−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発
光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性で
ある。
−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発
光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性で
ある。
【図１７】本発明のｐ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性である。
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性である。
【図１８】本発明のｍ−ＳｉＰｈＰＰＶを用いて製造さ
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性である。
れた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／ＬｉＦ／Ａ
ｌ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性である。
【図１９】本発明のｍ−ＳｉＰｈＰＰＶ−ｃｏ−ＭＥＨ
−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発
光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性で
ある。
−ＰＰＶを用いて製造された［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発
光高分子／Ａｌ：Ｌｉ］ダイオード構造のＬ−Ｖ特性で
ある。
【図２０】実施例１、２及び４でそれぞれ製造された発
光高分子を用いた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／
（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性であ
る。
光高分子を用いた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／
（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード構造のＩ−Ｖ特性であ
る。
【図２１】実施例１、２及び４でそれぞれ製造された発
光高分子を用いた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／
（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−Ｉ特性であ
る。
光高分子を用いた［ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光高分子／
（ＬｉＦ）／Ａｌ］ダイオード構造のＬ−Ｉ特性であ
る。
【図２２】比較例で製造したＭＥＨ−ＰＰＶ発光高分子
を用いたダイオード構造のＥＬスペクトルである。
を用いたダイオード構造のＥＬスペクトルである。
【図２３】比較例で製造したＭＥＨ−ＰＰＶ発光高分子
を用いたダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
を用いたダイオード構造のＩ−Ｖ特性である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許5558904（ＵＳ，Ａ) 欧州特許出願公開745658（ＥＰ，Ａ １) 欧州特許出願公開652243（ＥＰ，Ａ ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 61/00 - 61/02 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (14)
- 【請求項１】 ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰ
Ｖ）を主鎖とし、脂肪族アルキル基が導入されたフェニ
ルシリコンが側鎖として導入される下記化学式（１）で
表されることを特徴とするカラーチューニングが優れる
電気発光高分子： 【化１】 前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に
線形脂肪族アルキル（aliphatic alkyl）基、分枝され
たアルキル基（branched alkyl）またはフルオロ化アル
キル基（fluorinated alkyl）である。 - 【請求項２】 前記脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）nＣＨ
3（ｎは０ないし１２の整数）で、前記分枝されたアル
キル基はＣＨ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2）bＣＨ3ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2（ａは０ないし５の整数、ｂは０ないし１０の整
数）で、そして前記フルオロ化アルキル基はＣＨ2（Ｃ
Ｆ2）nＣＦ3（ｎは０ないし１２の整数）であることを
特徴とする請求項１記載の電気発光高分子。 - 【請求項３】 前記脂肪族アルキル基を含むシリコンは
前記フェニル基のメタ（meta-）またはパラ（para-）位
置に結合されることを特徴とする請求項１記載の電気発
光高分子。 - 【請求項４】 前記発光高分子の数平均分子量（Ｍｗ）
が約１０，０００ないし１，０００，０００、そして分
子量分布は約１．５ないし５であることを特徴とする請
求項３記載の電気発光高分子。 - 【請求項５】 発光層が請求項１記載の電気発光高分子
からなり、陽極／発光層／陰極、陽極／バファ層／発光
層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／陰
極、陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／電子伝達層
／陰極、及び陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／正
孔遮断層／陰極よりなる群から選択されることを特徴と
する電気発光素子。 - 【請求項６】 前記バファ層はポリチオフェン（polyth
iophene）、ポリアニリン（polyaniline）、ポリアセチ
レン（polyacetylene）、ポリピロール（polypyrrole）
及びポリ（ｐ―フェニレンビニレン）誘導体よりなる群
から選択されることを特徴とする請求項５記載の電気発
光素子。 - 【請求項７】 前記正孔遮断層はＬｉＦまたはＭｇＦ2
であることを特徴とする請求項５記載の電気発光素子。 - 【請求項８】 ポリ（ｐ―フェニレンビニレン）を主鎖
とし、脂肪族アルキル基が導入されたフェニルシリコン
が側鎖として導入される高分子と、ＭＥＨ−ＰＰＶ（メ
トキシエチルヘキシルオキシ―ＰＰＶ）との共重合から
なり、下記化学式（２）で表されることを特徴とする共
重合電気発光高分子： 【化２】 前記式において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に
線形脂肪族アルキル基、分枝されたアルキル基またはフ
ルオロ化アルキル基であり、そしてｘは０．９〜０．
１、ｙは０．１〜０．９（ただし、ｘ＋ｙ＝１である）
であり、−ｃｏ−はｃｏの前後の構成単位からなる共重
合体であることを示す。 - 【請求項９】 前記線形脂肪族アルキル基は（ＣＨ2）n
ＣＨ3（ｎは０ないし１２の整数）で、前記分枝された
アルキル基はＣＨ2（ＣＨ2）aＣＨ（ＣＨ2） bＣＨ3ＣＨ
（ＣＨ3）2（ａは０ないし５の整数、ｂは０ないし１０
の整数）であり、そして前記フルオロ化アルキル基はＣ
Ｈ2（ＣＦ2）nＣＦ3（ｎは０ないし１２の整数）である
ことを特徴とする請求項８記載の共重合電気発光高分
子。 - 【請求項１０】 前記脂肪族アルキル基を有するシリコ
ンは、前記フェニル基のメタ−またはパラ−位置に結合
されることを特徴とする請求項８記載の共重合電気発光
高分子。 - 【請求項１１】 前記発光高分子の数平均分子量（Ｍ
ｗ）が約１０，０００ないし１，０００，０００、そし
て分子量分布は約１．５ないし５であることを特徴とす
る請求項１０記載の共重合電気発光高分子。 - 【請求項１２】 発光層が前記請求項８記載の共重合電
気発光高分子からなり、陽極／発光層／陰極、陽極／バ
ファ層／発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝達層／
発光層／陰極、陽極／バファ層／正孔伝達層／発光層／
電子伝達層／陰極、及び陽極／バファ層／正孔伝達層／
発光層／正孔遮断層／陰極よりなる群から選択されるこ
とを特徴とする電気発光素子。 - 【請求項１３】 前記バファ層はポリチオフェン（poly
thiophene）、ポリアニリン（polyaniline）、ポリアセ
チレン（polyacetylene）、ポリピロール（polypyrrol
e）及びポリ（ｐ―フェニレンビニレン）誘導体よりな
る群から選択されることを特徴とする請求項１２記載の
電気発光素子。 - 【請求項１４】 前記正孔遮断層はＬｉＦまたはＭｇＦ
2であることを特徴とする請求項１２記載の電気発光素
子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR99P35040 | 1999-08-23 | ||
| KR1019990035040A KR100323606B1 (ko) | 1999-08-23 | 1999-08-23 | 칼라 튜닝이 우수한 고효율의 전기발광 고분자 |
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|---|---|
| JP2001114873A JP2001114873A (ja) | 2001-04-24 |
| JP3188885B2 true JP3188885B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=19608369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000251531A Expired - Fee Related JP3188885B2 (ja) | 1999-08-23 | 2000-08-22 | カラーチューニングが優れる高効率の電気発光高分子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6368732B1 (ja) |
| JP (1) | JP3188885B2 (ja) |
| KR (1) | KR100323606B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3203776U (ja) * | 2016-02-05 | 2016-04-14 | 坪田 正雄 | 面ファスナーによる２つの部品の係脱構造 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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