TW581854B - Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces - Google Patents

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Kayle M Hanson
Thomas L Ritzdorf
Gregory J Wilson
Paul R Mchugh
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Description

581854 A7 ___Β7__ 五、發明說明（丨） 相關申請案之相互參考 本申請案乃係美國申請案號第09/804,697，名稱”用於 電化學處理一工件之系統”，申請日爲2001年三月十二曰 :其係國際申請案第PCT/US00/10120之連續案，在國際 公告號WOOO/61498中之英文公告及英文說明書中係主張 在1999年四月十三日申請之臨時申請案之優先權，上面所 有申請案皆倂入做爲參考。此外，本申請案亦與下述相關 (a) 在2001年六月一日申請之美國專利申請案，且爲 Perkins Coie事務所確認之文件號29195.8153US00，其名 稱爲”在一處理機器之一環境內用於處理微電子工件之傳送 裝置以及在微電工件之處理中製造和使用該裝置之方法”。 (b) 在2001年六月一日申請之美國專利申請案，且爲 Perkins Coie事務所確認之文件號29195.8153US01，其名 稱爲”用於處理微電子工件之具有傳送裝置之整合性工具” 〇 (c) 在2001年六月一日申請之美國專利申請案，且爲 Perkins Coie事務所確認之文件號29195.8155US01，其名 稱爲”用於微電子工件處理工具之分配式功率供應器”。 (d) 在2001年六月一日申請之美國專利申請案，且爲 Perkins Coie事務所確認之文件號29195.8156US00，其名 稱爲”可調整式電化學處理室”。 (e) 在2001年六月一日申請之美國專利申請案，且爲 Perkins Coie事務所確認之文件號29195.8154US00，其名 ________4—---— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝 tl· · i線- 581854 A7 B7 五、發明說明（>〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 稱爲”使用在一工作站中之上舉以及旋轉組件以及附著該組 件之方法”。 (f)在2001年五月四日申請之美國專利申請案號第 09/849,505，其名稱爲”使用在一用於電化學處理一微電子 工件之反應器中之調整式電極”，以及另兩件在2001年五 月24曰申請之申請案且分別爲P^kins Coie事務所確認之 文件號 9195.8154US00 以及 29195.8157US03。 上述之第(a)至(f)段之前述美國專利申請案皆係在此倂入做 爲參考。 技術領域 本申請案係相關於反應容器以及在電化學處理微電子 工件中之製造以及使用該反應容器之方法。 發明背景 微電子工件，比如半導體元件以及場發射顯示裝置， 係使用數個不同型態機器(“工具“)而被大部份地製造在該 微電子工件之上以及/或是在其內。許多如此處理機器具 有一可執行一或是更多在該工件上之程序之單一處理站。 其他處理器具有複數個處理站，且該複數個處理站可執行 在該各別工件或是各批工件上之一系列不同程序之單一處 理站。在一典型之製造過程中，一或是更多導電層在沈積 階段被形成在該工件上。該工件係接著典型地再經歷蝕刻 及/或是拋光程序（即平坦化)以除去該導電層之一部份而 形成電性絕緣地接點及/或是導電線。 可將金屬或是其他材質電鍍在該工件上之電鍍工具係 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 广 —____Β7__ 五、發明說明（h ) 變爲處理工具之更爲有用之型態。電鍍以及非電鍍之技術 能被用來沈積銅，焊錫，坡莫合金，金，銀，白金，以及 其他金屬至工件上以形成表面層或是圖案化層。一典型之 電鍍製程係牽涉至使用化學氣相沈積(CVD)，物理氣相沈 積(PVD)，非電鍍製程，或是其他適當之方法將一銅種子 層沈積至該工件之表面上。在經形成該種子層之後，一銅 之表面層或是圖案化層係藉由使用一適當的介於該種子層 以及在一電處理溶液出現中之一陽極之間的電位而被電鍍 至該工件之上。該工件係接著於被傳送至另一處理機器之 前在後續程序中再被淸洗，蝕刻以及/或是退火。 、 圖1係解說一單一工件處理站之一實施例，且該處理 站1係包括一容器2以用於在該容器2之底部處接收來自 一流體入口 3之電鍍溶液之一流。該處理站1能包括一陽 極4，一具有數個小孔7之平板狀擴散器6，以及一用於 攜帶一工件5之工件保持器9。該保持器9能包括複數個 用於可提供電流至在該工件5表面上之一種子層的電性接 點。當該種子層係以一相對於該陽極4爲負電位所偏壓時 ，該種子層就作用如一陰極。在操作中，該電鍍流體沿著 該陽極4流動，穿過在擴散器6中f小孔7並且碰著該該 工件5之電鍍表面。該電鑛溶液係一電解液，其可傳導電 流在介於該陽極4以及該在該工件5之表面上的陰極種子 層之間。因此，在該電鍍溶液中之離子則電鍍至該工件5 之表面上。 被使用在製造微電子元件中之電鍍機器必需符合許多 —-一 _6-- — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1. • W· I----1----— — — — — · I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線· 581854 A7 _ B7___ 五、發明說明（α〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 功能準則。例如，許多製程必需能夠在通孔(VIA)中形成小 接點，且該通孔係小於0.5微米寬，以及最所需是少於0.1 微米該電鍍金屬層因而經常必需可塡充通孔或是槽溝 ，該槽溝乃爲0.1微米寬之級數而且該電鍍材質之層亦必 需被沈積至橫過該工件5之表面的一所希求，且均勻之厚 度。影響該電鍍層之均勻度的一因素爲在該工件之表面處 的電鍍溶液之質量傳遞。此一參數一般係受到垂直於該工 件之表面的電鍍溶液流之速度所 影響。而另一因素乃爲影響該電鍍層之均勻度係橫過該工 件之表面的電場之電流密度。 --線· 存在電鍍設備之一課題係提供一在該工件之表面處之 質量傳遞。請參考圖1，目前存在之電鍍工具一般係使用 該擴散器6以增強垂直於該工件之表面的流體之均勻。雖 然該擴散器6改善了該流體流之均勻度，但是其產生了複 數個被增加流動速度之局部化區域，其係垂直於該工件5 ( 以箭頭8來指示)之表面。該局部份區域一般係相對應於在 該擴散器6中之小孔7的位置。垂直於在該局部化區域中 的基底之流體流所增加速度將增加在這些區域中之該電鍍 溶液的質量傳遞。此將典型地造成了在該小孔7上方之該 電鍍溶液之更快電鑛速度。雖然許多小孔之不同架構已被 使用在平板狀擴散器中，但是這些擴散器可能無法提供適 當的均勻度以用於在許多電流應用中所要求之精確度。 另一現有電鍍工具之一課題乃爲鄰近於該工件5之表 面的中之擴散層能被氣泡或是雜粒所分裂。例如，氣泡能 _____2--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 581854 A7 _____B7_—___ 五、發明說明（S ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 夠藉由該處理設備之管子以及抽氣系統而被引入該電鍍溶 液內，或是該氣泡能夠從惰性陽極來生成。消耗性陽極係 經常被用來防止或是減少在該電鍍溶液中之氣泡的生成， 但是這些陽極會腐蝕並且它們能夠形成一必需被保持之保 護性薄膜表面。甚而，消耗性陽極經常產生雜粒，其係可 被攜帶在該電鍍溶液中。最終之結果，氣泡以及/或是雜 粒能夠流至該工件5之表面，如此則破壞了均勻度以及影 響該電鍍層之品質。、 要電鍍均勻薄膜之尙有另一挑戰係提供一在該工件5 之表面處所希求之電場。在該電鍍溶液中之電流的分佈係 以橫過該接觸表面之該種子層的均勻度，該陽極之架構/ 條件，以及該反應室之架構來做爲函數。然而，在該電鍍 溶液上之該電流密度外廓形狀能夠改變。例如，在一電鍍 周期時，該電流密度外廓形狀會典型地改變，此乃因電鍍 材質覆蓋該種子層；或是該電流密度外廓形狀能夠改變爲 期一較長的時間，其係由於當消耗性電極腐蝕時在其表面 之外形會改變以及在該電鍍溶液中之成份的濃度會改變。 因此，在該工件5之表面處就很難予以保持一所希求之電 流密度。 摘要 本發明係被導向至可用於微電子工件之電化學處理之 反應容器，並導向至包括如此反應容器之處理站，以及用 於使用這些裝置之方法。根據本發明之反應容器的數個實 施例能解決在該工件處之可提供一所希求之質量傳遞的問 _ _ _« _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ____—_Β7___ 五、發明說明（b ) 題，此係藉由該電極之架構來達成以使得在該反應容器中 之一主要流引導器及/或是一場整形單元能將一實質地均 勻的主要流體流導向至該工件。此外，根據本發明之數個 實施例的場整形單元將製造虛電極以使得該工件係被屏蔽 且與該電極相隔離。如此將允許較大電極之使用以增加電 極之壽命，並且消除了 "強化”電極之希求以減少停機時間 ，以及/或是藉由僅控制在該容器中之一或是更多電極的 電流來提供操作該電場之能力。更進而言之，本發明之額 外實施例係包括在該反應容器中之介面元件，其可阻止在 該反應容器中之雜粒，氣泡以及其他不需要的物質而免於 接觸該工件以增強在該工件上之已完成表面之均勻度以及 品質。該介面元件亦可允許二不同型的流體被使用在該反 應容器中，比如一陰極液以及一陽極液，以減少如平常地 需補塡添加物之需求以及加入更多的彈性度至在該反應容 器中之設計電極以及其他零件。 在本發明之一實施例中，一反應容器係包括具有一外 部壁之外部容器，一被架構成引導一主要流至該外部容器 之第一出口，以及至少一被架構成引導一輔助流至該外部 容器並與該主要流相隔離之第二出口。該反應容器亦包括 在該外部容器中之一場整形單元以及至少一電極。該場整 形單元可以爲一介電組件，其係被藉合至該第二出口以接 收該輔助流以及被架構成可容納與該主要流相隔離之穿過/ 至少一部份該外部容器之輔助流。該場整形單元亦具有至 少電極分隔室，且該輔助流可穿通過該電極分隔室並與該 ____9_ -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝 —線- 581854 A7 _____B7_______ 五、發明說明（1 ) 主要流相隔離。該電極係被設置在該電極分隔室之內。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一特定之實施例中，該場整形單元係具有一分隔室 組件，其具有複數個電極分隔室以及一虛電極單元。該分 隔室組件能包括複數個環狀壁，其係包括一被中心地設置 在一共同軸之內部或是第一環狀壁以及一外部或是第二環 狀壁，其係與該第一環狀壁爲同心地且與其向外輻射狀地 隔開。該場整形單元之環狀壁能夠被設置在該外部容器之 外部壁之內側以使得介於該第一以及第二壁之一環狀空間 可定義一第一電極分隔室以及介於該第二壁與該外部壁之 間環狀空間可定義一第二電極分隔室。此一特定實施例之 反應容器能具有在該第一電極分隔室中之第一環狀電極以 及/或是在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 該虛電極單元能包括複數個部份，其具有側面區域以 附著至相對應之該電極分隔室的環狀壁以及附著至自該側 面區域突出之唇部。在一實施例中，該第一部份具有一可 定義一中心開口之環狀第一唇部，以及該第二部份具有一 環狀第二唇部，其係圍繞該可定義一環狀開口之第一唇部 Ο 在該另一實施例中，該反應容器能更進包括一被耦合 至該外部容器之分配器以及在該外部容器中之一主要流引 導器。該分配器能包括該第一出口以及該第二出口以使得 該第一出口可引入該主要流體流進入該主要流引導器以及 該第二出口可引入該輔助流體流進入該場整形單元並與該 主要流體流相隔開。該主要流引導器能調整該主要流體流 — —____________________m _________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 _____B7____ 五、發明說明（？） 以用於提供一所需的流體流至一工件處理場所。在一特定 之實施例中’該主要流引導器將導引該主要流體流穿過該 第一部份之第一環狀唇部之中心開口。該輔助流體流係被 分配至該場整形單元之該電極分隔室以建立在該反應容器 中之一電場。 在一實施例之操作中，該主要流能穿通過一第一流通 道，其至少一部份地被主要流引導器以及該第一部份之唇 部所定義。該主要流可以是爲一穿過該反應容器之最重要 流，所以該主要流就控制了在該工件處之質量傳遞。該輔 助流一般地係被包含在該場整形單之內，所以該電極之電 場可藉由該虛電極單元以及該電極分隔室來予以整形。例 如，在一具有第一以及第二環狀電極的實施例中，該第一 電極之電效應能動作爲就如其係被放置在由該第一部份之 唇部所定義之中心開口中，以及該第二電極之電效應能動 作爲就如其係被放置在位於該第一部份以及第二部份之唇 部之間的環狀開口中。然而，該實際電極能夠藉由該場整 形單元而被屏蔽且與工件相隔離以使得該實際電極之尺寸 以及外形並不會影響被該工件所感受之電場。 數個實施例之一特點是該場整形單元自該電極而屏蔽 該工件。最終的結果，該電極可以爲較不具有該場整形單 元時之電極來得大許多，此乃因該實際電極之尺寸以及架 構並不嚴重地影響到該工件所感受之電場。當該電極係消 耗性電極時，此一現象將別地有用；此乃因該電極所增加 之尺寸可延長它們的壽命，藉此可減少一工具之停機時間 —_____U--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -l· - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} —裝 Ίδτ_ i線- 581854 A7 __B7____ 五、發明說明（彳） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。此外，如此亦減少”強化"陽極之需求，此乃因該場整形 單元可減少在該陽極上之薄膜對於該工件所感受電場之外 形的衝擊。這兩個優點大大地改善了該反應容器之操作效 ° 本發明之數個實施例之另一優點係它們可提供一在該 工件之表面處之均勻質量傳遞。因爲該場整形單元係將該 實際電極與該工件中所感受電場之有效區域相隔開，該實 際電極能被架構成容納一內部結構，且該內部結構引導該 流沿著一更所希求之流路徑。例如，如此可允許該主要流 沿著一中心路徑流動。甚而，一特定實施例係包括一中心 主要流引導器，其將該主要流沿著完全相反向量之輻射地 向內予以投射，藉此產生在一垂直於該工件之表面的方向 上之高度均勻主要流速度。 該反應容器亦能夠包括一被該場整形單元攜帶且位於 該電極之下游處。該介面元件能夠流體連通至在該電極分 隔室中之該輔助流。例如，該介面元件可以爲一過濾器或 是一離子薄膜。在其中任一種情況，該介面元件能夠阻止 在該輔助流中之雜粒(即來自一陽極之粒子）以及氣泡而免 於到達該工件之表面處以減少在該被處理表面上之非均勻 度。因而如此將增加該工件之表面的品質。此外，在一離 子薄膜之情況下，該介面元件能被架構爲防止流體流過介 於該輔助流與該主要流之間，但可允許所需要的離子得以 流過。如此可允許該主要流以及該輔助流可以爲不同型態 之流體。比如一陰極液以及一陽極液，以減少如平常地需 ...—_____J2____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ___B7_ 五、發明說明（i。） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 補塡添加物之需求以及加入更多的彈性度至在該反應容器 中之設計電極以及其他零件。 圖示簡單說明 圖1爲根據習知技術之一電鍍室的槪略圖。 圖2爲根據本發明之一實施例的一具有用於處理微電 子工件之電處理站之電處理機器的等比例圖。 圖3爲根據本發明之一實施例的一具有使用在一電處 理機器中的電處理室之電處理站的截面圖。在圖3中之所 選定零件係被槪略地揭示。 圖4爲一等比例圖，其揭示一沿著圖8A之線4-4的一 電處理室之截面圖。 圖5A-5D爲根據本發明之一實施例之一用於處理室的 分配器之截面圖。 -線· 圖6爲一等比例圖，其揭示一在圖4中沿著圖8B之 線6-6之處理室的不同截面部份。 圖7A爲根據本發明之一實施例的一使用在處理室之 介面元件的等比例圖。 圖7B爲圖7A之介面元件之截面圖。 圖8A以及8B爲一處理室之俯視圖，其係分別提供圖 4以及6之做爲參考的等比例截面圖。 元件符號說明 1處理站，2容器，3入口，4陽極，5工件，6擴散器 ，7小孔，9保持器， 1〇〇處理機器，1〇1微電子工件，102櫃盒，1〇4內部區 --—______13____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 --------- -B7_ 五、發明說明（U ) 域，105外部區域，106孔口，120電化學處理站，110 裝載/卸下站，112支撐架，113遮蓋物，114工件容器 ’ 122淸洗/蝕刻艟，130傳送裝置，132線性軌道， U4機器人單元，150頭組件，200處理室，152馬達， 152轉子，155背平板，156密封，160接觸組件，162 支撐元件，164接觸，202外部罩，204反應室容器， 210汲水道，220外部容器，222外部壁，224螺旋間隔 物，300分配器，400主要流引導器，500場整形單元， 600 電極，700a，700b，700c，700d 介面元件， 312a，312b，312c，312d 環狀階，314 環狀凹溝，320 第一入 口，330塡充空間，322環狀洞，324通道，332上部管 口，334下部管器口，310本體，342第二通道，344第 三通道，346第四通道，410內部擋板，420外部擋柅板 ，412基台，414壁，416,424孔口，418鎖住元件， • 422 外部壁，520a，520b，520c，520d 電極分隔室， 510a，510b，510c，510d 壁，600a，600b，600c，600d 電極， 530a，530b，530c，530d 部份，534 裙部， 536a，536b，536c，536d 唇部，522,525 孔，535 開口， 710a，710b，710c，710d 介面組件，720 固定物，732 開口， 730第一框，740第二框，742孔，744齒 較佳實施例之詳細說明 下面之說明係揭露電化學反應容器之數個實施例之詳 細及其特點，且該容器係使用在電化學處理站以及整合性 ________1/1 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規ί各(210 X 297公釐） (請先5a*讀背面之注意事項再填寫本頁) 11· _ -線· 581854 A7 ____B7 五、發明說明（θ) 工具以處理微電子工件。該詞語”微電子工件”係被使用在 整個說明書以包括自一基底來形成一工件，在該基底之上 及/或在其中可以製造出微電子電路或是零件，資料儲存 元件或是層，及/或微機械元件。吾人應重視到在下面所 提出之數個細節係被提供以一種足夠使熟悉本行業者能據 以製造和實施所揭露實施例之方式來描述下面之實施例。 然而，下面所描述之數個細節及優點可以不必要去實施本 發明之特定實施例。此外，本發明亦能包括額外之實施例 ，且該實施例並未脫離申請專利之範疇，但是對於圖2-8Β 則未被詳加描述。 電化學反應容器之操作及其優點最好以環境及設備之 揭露來被了解，其中該反應容器係能被用來電化學處理微 電子工件（即電鍍及/或電拋光）。就因爲如此，與具有該 電化學反應容器相整合之工具的實施例係初始地被描述並 參考圖2以及3。電化學反應容器之數個實施例之細節及 其優點係接著再被描述並參考圖4-8Β。 Α.與電化學處理站相整合之工具的選定實施例 圖2根據本發明之一實施例之一具有一電化學處理站 120的處理機器100之等比例圖。該處理機器100之一部 份係以剖視圖之方式來加以揭示以解說被選定之內部零件 。在此一實施例之一觀點中，該處理機器100能包括一具 有一內部區域104之櫃盒102，且該內部區域定義出一內 部圍籬，其係至少一部份地與一外部區域105相隔離。該 櫃盒102亦能包括複數個孔口 106(在圖1中僅揭示一個）， -------15-____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： .線· 581854 A7 --- -B7 ___ 五、發明說明（4 ) 且微電子工件101能夠進入及離開於該內部區域104與一 裝載/卸下站110之間。 該裝載/卸下站110能具有兩個容器支撐架112,其 各一個係被容納在一保護性遮蓋物Π3。該容器支撐架112 係被架構成將該工件容器114定位在相對於在該櫃盒102 中之孔口 106的位置。該工件容器114能每一個包含在一 ’’MINI"乾淨環境中之複數個微電子工件101並攜帶該複數 個工件穿過那不合乎乾淨室標準之其他環境中。每一工件 容器114係可以自該櫃盒102之內部圍籬104穿過該孔口 106來取得的。 該處理機器100亦能包括複數個處理站120以及在該 櫃盒102之該內部圍籬104中之傳送裝置130。例如，該 處理機器100可以爲一電鍍工具，其亦包括淸洗/蝕刻艙 122，非電鍍處理，退火站，及/或量度站。 該傳送裝置130亦包括一線性軌道132，其係在介於 這些處理站之間且延伸在該內部區域之一長度方向上。該 傳送裝置130能更進而包括被該軌道132所攜帶之一機器 人單元134。在圖2中所揭示之一特定實施例中，一第一 組處理係被安裝成沿著一第一列R卜R1以及一第二組處理 站係被安裝成沿著一第二列R2-R2。該線性軌道132係延 伸於處理站之該第一與第二列之間，以及該機器人單元 134能沿著軌道132而接達至任一處理站。 圖3係解說一具有一頭組件150以及一處理室200之 電化學處理室120。該頭組件150係包括一自轉馬達152， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·裝 --線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ___ B7_ 五、發明說明（叫） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一被耦合至該自轉馬達152之轉子154，以及被該轉子154 攜帶之一接觸組件160。該轉子154能具有一背平板155 以及一密封156。該背平板155能橫向地移動至一工件 1〇1(箭號T)，其是介於一第一位置，其係該背平板155接 觸該工件101之背側(在圖3中以實線表示)之位置，與一 第二位置之間，且該第二位置係該背平板與該工件之背側 相隔開之位置(在圖3中以斷線表示）。該接觸組件160能 具有一支撐元件162，複數個被該支撐元件162所攜帶之 接觸164，以及自介於該支撐元件162與該轉子154之間 延伸之複數個轉軸166。該接觸164能爲環形之彈簧接觸 ，或是其他形之可被架構成可連接在該工件1〇1上之一部 份種子層。市面上可購得之頭組件150以及接觸組件160 能被使用在電處理室120中。特定的頭組件150以及接觸 組件160係被揭露在美國專利號第6,228,232以及第 6,080,691號中；以及在美國專利申請號第09/385,784,第 09/386,803，第 09/386,610，第 09/386，197,第 09/501，002, 第 09/501,002,第 09/733,608,及第 09/804,696 號中。它們在 此皆倂入做爲參考。 該處理室200係包括一外部罩202(被槪略地揭示在圖 3中)以及在該外部罩202中之一反應室容器2〇4(亦被槪略 地揭示在圖3中）。該反應容器202攜帶至少一電極(在圖3 中未揭示)並且將電處理溶液之一流導向至該工件1〇1。例 如，該電處理溶液能流過一控制壁（箭號F)以及進入該外 部罩202，其將捕捉該電處理溶液且將其送回至一槽。反 ______12-__-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 _____B7___ 五、發明說明（/ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 應容器204之數個實施例係倂合圖4-8B而予以詳細地揭示 及描述。 在操作中，該頭組件150固持該工件在該反應容器 204之一工件處理場所以使得至少一該工件之電鍍表面可 接觸到該電處理溶液。一電場係在該溶液中被建立，其係 藉由經過該接觸組件160以及該反應容器204中之一或是 更多電極來施加一電位於該工件之電鍍表面之間而達成。 例如，該接觸組件160能夠被以一相對於在該反應容器 204之電極爲一負電位來加以偏壓。在另一方面，該接觸 組件160能夠被以一相對於在該反應容器204之電極爲一 正電位來加以偏壓以使得(a)自該工件去除電鍍或是電拋光 該電鍍材質或是(b)沈積其他的金屬（即起電阻抗材質）。因 此，一般而言，材質能夠以當該工件係作爲一陰極或是一 陽極而被沈積在工件上或是自該工件上被予以去除，且該 陽極或是陰極係依使用在該電化學處理中之材質的特定型 態而決定的。 B.使用在電化學處理室中之反應容器的選定實施例 圖4-8B解說了被使用在該電處理室中之反應容器204 之數個實施例。就如上面所述的，該罩202攜帶該反應容 器204。該罩202能夠具有一汲水道210以用於將處理流 體回流至一儲存槽，且該處理流體係從該反應容器204流 出，以及複數個用於接收入口及電配件之開口。該反應容 器204能夠包括一具有一與該罩202向內地輻射狀隔開之 外部壁222之外部容器220。該外部容器220亦能夠具有 _18_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ____B7__ 五、發明說明（山） 一介於該外部壁222與該罩202間之螺旋間隔物224以提 供一螺旋斜坡道(即一螺旋線）；在該螺旋斜坡道上該處理 流體能夠向下地流至該罩202之底部。該螺旋斜坡道減少 了該回流流體之湍流以阻止在該回流流體中之氣體的輸送 〇 被揭示在圖4中之該反應容器204的特定實施例能包 括一用於接收一主要流體流Fp以及一輔助流體流F2之分 配器300，一被耦合至該分配器300以調整該主要流體流 Fp之主要流引導器400，以及一場整形單元500，其係被 耦合至該分配器300以一種可以將在該該反應容器204中 之電場整形之方式來容納該輔助流體流F2。該反應容器 204亦能夠包括在該場整形單元500之一分隔室中之至少 一電極600以及至少一過濾器或是其他型之介面元件700 ，其係被該場整形單元500所攜帶且位於該電極之下游處 。該主要流引導器400能藉由以相對於一共同軸A-A方向 且輻射狀向內地投射該主要流，而且該場整形單元500之 一部份引導該輔助流體流Fp至該工件。在數個實施例中， 該主要流體流穿過該主要流引導器400以及該場整形單元 500之中心係控制了在該工件之表面處之處理溶液的質量 傳遞。該場整形單元500亦定義了該電場的形狀，以及如 果該輔助流體流通穿過該場整形單元，則該電場能影響到 在該工件之表面處的質量傳遞。該反應容器204亦能夠具 有零件之其他架構以引導該主要流體流Fp以及該輔助流體 流F2穿過該處理室200。例如，該反應容器204可以不具 _________19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝 -線 581854 A7 ______B7_ __ 五、發明說明（J ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有在該處理室中之一分配器，但反而是，具有各別流之分 開流體線能夠被耦合至該反應容器204以提供一所希求的 流之分配來穿過該主要流引導器及該場整形單元。例如， 該反應容器204能夠具有在該外部容器220中之一第一出 口以將該主要流體流引入該反應容器之內，以及在該外部 容器中之一第二出口以將該輔助流體流引入反應容器204 之內。這些零件之每一將詳細地予以在下面中描述。 圖5A-5D係解說該分配器300之一實施以用於引導該 主要流體流至該主要流引導器400以及該輔助流體流至該 場整形單元500。請參考圖5A，該分配器300係包括一本 體，其具有複數個環狀階312(其以參考數値312a-d來各別 表示）以及在該環狀階312中之環狀凹溝314。該最外階 312d係該外部容器220(圖4 )之外部壁(被揭示在斷線)的向 內輻射處。以及每一該內部階312a-c能攜帶在一對應凹溝 中之該場整形單元500的一環狀壁(被揭示在斷線）。該分 配器300亦能包括一用於接收該主要流體流Fp之一第一入 口 320以及用於接收該輔助流體流F2之一塡充空間330。 該第一入口亦能具有一傾斜，環狀洞322以形成一通道 324(揭示在圖4中)以用於在該主要流引導器400下引導該 主要流體流Fp。該分配器亦能具有在沿著該塡充空間330 之上部份的複數個上部管口 332以及沿著該塡充空間330 之下部份的複數個下部管口 334。就如在下面之更詳細描 述中，該上部及下部管口係打開成通道穿過該本體310以 分配該輔助流體流F2至該階312之豎板。該分配器300亦 _20___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ________Β7__ 五、發明說明（) 能夠具有其他架構，比如，一’’無階”圓盤或是非圓之外形 〇 圖5A-5D更進而解說該分配器300之穿過本體310之 的一通道架構。請參考圖5A，數個第一通道310係自一些 該下部管口 334延伸至在該第一階312a之豎板處的開口。 圖5B揭示數個第二通道342係自一些該上部管口 332延 伸至在該第二階312b之豎板處的開口，以及圖5C揭示數 個第三通道344係自一些該上部管口 332延伸至在該第三 階312c豎板處的開口。同樣地圖5D揭示數個第四通道 346係自一些該下部管口 334伸至在該第四312d豎板處 的開口。 在圖5A-5D中之該通道340-346的特定實施例係被架 構成可傳送收集在該可塡空間330之氣泡向外輻射狀地儘 可能地遠以使得這些氣泡可被補捉以及自該輔助流體流f2 予以去除。這是有利的因爲該場整形單元500可藉由向外 輻射狀地依序傳送該氣泡穿過電極分隔室而自該輔助流體 流F2除去該氣泡。例如，在該第一階312a上方之分隔室 中之一氣泡B能依序地降落穿過在該第二及第三階312b-c 上方之內部分隔室，以及接著再被自該第四階312d上方之 分隔室予以去除。該第一通道340(圖5A)因而攜帶來自下 部管口 334之流體，且該流體係該氣泡較不像需收集，以 減少那需要自該第一階312a上方之內部分隔室一直地降落 出去至該外部分隔室之氣體的量。在該輔助流體流F2中之 氣泡係更像是在其未穿通過該通道340-346之前需收集在 ___21_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
581854 A7 __B7 五、發明說明（θ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該塡充空間330之頂部處。該上部管口 332係因而被藉合 至該第二通道342以及該第三通道344以可降落穿過這麼 多的分隔室。在此一實施例中，該上部管口 332並未被連 接至該第四通道346，此乃因如此將製造一通道，其係自 該共同軸向下地傾斜以使得其可能與該在該第三階312c中 之凹溝314相碰撞。因而，該第四通道346係自下部管口 334延伸至該第四階312d。 再參考圖4，該主要流引導器400係經由該分配器300 之該第一入口 320而接收該輔助流體流F2，在此一實施例 中，該主要流引導器400係包括一內部擋板410以及一外 部擋板420。該內部擋板具有一基台412以及自該基台412 輻射狀向外及向上突出之一壁414。例如，該壁414能具 有一倒轉截頭之角錐的外形以及複數個孔口 416。該孔口 416可以爲洞，延長狹槽或是其他型的開口。在所解說之 實施例中，該孔口 416爲環狀延伸之輻射狀狹槽，其係相 對於該共同軸向上傾斜以沿著複數個完全相反向量之將該 主要流相對於該共同軸向內及向上予以投射。該內部擋板 410亦能包括一鎖住元件418，其將該內部擋板410耦合至 該分配器300。 該外部擋板420能包括具有複數個孔口 424之一外部 壁422。在此一實施例中，該孔口 424爲延長的狹槽，其 係在一橫向至該狹部擋板410之孔口 416的方向上延伸。 該主要流體流Fp係穿過(a)該第一入口 320，（b)該內部擋 板410之平台412的底下之通道324，（c)該外部擋板420 ___22_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 _______^Β7_ 五、發明說明（/) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之孔口 424 ’以及接著(d)該內部檔板410之孔口 416。該 外部擋板420與該內部擋板410之組合能調整在該內部擋 板410之孔口 416之出口處之流的方向。該主要流引導器 400能因而投射該主要流沿著完全相反方向，其係相對於 該共同軸向上傾斜以製造一具有一高度均勻之速度在另一 實施例中，該孔口 416並不相對於該共同軸向上地傾斜以 使得它們能夠以相對於該共同軸之垂直，或是甚而向下的 方向投射該主要流。 圖4揭示該場整形單元500之一實施例，其係接收自 該主要流引導器400之該主要流體流Fp之下流。該場整形 單元500亦包括該第二流體流F2以及該場整形單元500具 有一分隔室結構，其再具有複數個可定義電極分隔室520( 其係以參考數値520a-d來各別表示)之壁510(其係以參考 數値510a-d來各別表示）。該壁510能夠爲環狀裙或是分 割器，以及它們能接收在該分配器300之一環狀凹溝314 之內。在一實施例中，該壁510並不是被固定至該分配器 3〇〇以使得該場整形單元500能夠很快地自該分配器300 而予以去除。如此將可允許容易接達至該電極分隔室520 以及/或是快速地去除該場整形單元500以改變該電場之 外形。 該場整形單元500能具有至少一自該主要流引導器 400向外之一壁510以防止該主要流體流Fp接觸到一電極 。在圖4中所揭示之一特定的實施例中，該場整形單元 5〇〇具有一由第一壁510a以及一第二壁510b所定義之一 _23 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 _ B7___ 五、發明說明（π) 第一電極分隔室520a，由一第二壁510b以及一第三壁 51〇c所定義之一第二電極分隔室520b，由一第三壁510c 以及一第四壁510d所定義之一第三電極分隔室520c，由 一第四壁510d以及該容器220之外部壁222所定義之一第 四電極分隔室520d。此一實施例之該壁510a-d同心圓環 狀分割器，其定義出環狀電極分隔室520a-d。該場整形單 元500之另一實施例能有具不同架構之壁以製造非環狀電 極分隔室以及/或是每一電極分隔室能進而被分成小室。 該第二至第四壁510b-d亦能夠包括孔522以用於允許在該 第一至第三電極分隔室520a-c可向下地”降落”至下一個更 外面之電極分隔室520,其就如下面所描述之圖5A-5D。 該氣泡能接著再離開該第四電極分隔室520d並過一出口孔 525以及穿過該外部壁222。在另一實施例中，該氣泡能穿 過一出口孔524而離開。 該電極分隔室520係提供爲電性分離部件來容納具有 至少一電極以及兩個或是更多電極600(其以參考數値 600a-d來各別表示)之一電極組件。該電極600能夠爲轘狀 兀件（即環狀圓環或是弧狀區段），且該環狀元件可被架成 適合在環狀電極部件內，或是它們能夠具有其他合適於該 特定工件（如直線狀）之外形。在該解說之實施例，例如， 在該第一電極分隔室520a內之第一環狀電極600a,在該 第二電極分隔室520b內一第二環狀電極600b，在該第三 電極分隔室520c內一第三環狀電極600c，以及在該第四 電極分隔室520d內一第四環狀電極600d。就如在美國申 _______24 _ 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
581854 A7 ___B7 __ 五、發明說明（ 請案號第 06/206,661，09/845,505，以 09/804,697，它們全 部在此皆倂入做爲參考，每一電極600a-d能夠以相對於該 工件相同或是不同之電位加以偏壓以控制橫跨該工件之表 面的電流密度。在另一實施例，該電極600能夠爲非圓形 外形或是其他形狀之區段。 那包括複數個電極之該反應容器204之實施例係可供 數個優點以用於電鍍或是電拋光。在電鍍應用中，例如， 該電極6 0 0能被以相#於該工件之不问電位以偏壓以提供 在不同工件上之均勻電鍍；就算是該種子層在該相互工件 間係不同或是電鍍溶液之槽室具有不同之導電度以及或是 不同之成份濃度。此外，具有一多重電極設計之優點係電 鍍能夠被控制以達成電鍍層之最後不同塡充厚度或是在一 電鍍週期間或是在不同電鍍週期間之不同電鍍速率。特定 實施例之其他優點爲該電流密度能被控制以(a)提供在一圖 形塡充期間之一均勻電流密度以及/或是(b)達成電鍍至一 橫過該工件之特定薄膜之外廓形狀(即成凹形，凸形，平坦 )。因此，該多重電極之架構之內的電極係相互間隔離以提 供數個優點以用於控制該電化學製程到達(a)補償在介於工 件間之種子層之不足或是差異，（b)調整在各電鍍溶液之浴 室間之變化，以及/或是(c)達成一預定之圖形塡充或是薄 膜外廓形狀。 該場整形單元500亦能包括一虛電極單元，其係被耦 合至該分隔室組件之壁510以用於各別整形由該電極600 所產生之電場。在圖4所之特定之實施例中，該虛電極單 ___25_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •-裝 '--ο·
581854 A7 ___ B7_____ 五、發明說明（4) 元更包括分別的第一至第四部份530a至530d。第一部份 530a能具有一第一區段532a，其係被耦合至該第二壁 510b，一向下垂在該第一壁510a之上的裙部534，以及向 上突出之一唇部536a。該唇部536a具有一內部表面537， 其可引導該主要流體流Fp從該主要流引導器400流出。該 第二部份530b能具有一被連接至該第三壁510c之第一區 段532b以及一自該第一區段532c向上突出之唇部536b， 該第三部份530c能具有一被連接至該第四壁510d之第一 區段532c以及一自該第一區段532c向上突出之唇部536c ，以及該第四部份530d能具有一被該容器220之外壁222 所攜帶之第一區段532d以及一自該第一區段532d向上突 出之唇部536d。該第四部份530d可以不必被連接至該外 壁222以使得該場整形單元500能藉由簡單地將該虛電極 上舉而自該容器204移除。介於該第四部份530d以及該外 壁222之間介面係被一密封527所封住以阻止該流體及該 電流兩者自該第四電極分隔室520d漏出。該密封527可以 是一唇形密封。此外，每一區段532a-d可以爲自該共同軸 橫向延伸之側向區段。 該各別部份530a-d能夠被加工至介電材質之單件或是 被模鑄成介電材質之單件，或是它們可以爲被焊接在一起 之各別介電元件。在另一實施例中，該各別部份530a-d並 不互相地連接以及/或是它們能夠具有不同之架構。在所 揭示在圖4中之特定實施例中，該部份530a-d爲環狀之水 平元件。以及每一該唇部536a-d爲被安置成同心地圍繞該 _26__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝
581854 A7 _B7___ 五、發明說明（v屮） 共同軸之環狀垂直元件。 該壁510以及該部份530a-d係一般爲介電材，其容納 該處理容液之第二流F2以用於將由該電極600a-d所產生 之電場予以整形。例如，該第二流F2通過(a)穿過每一電極 分隔室520a-d，（b)介於該各別部份530a-d之間，以及接 著(c)向上地穿過介於該唇部536a-d之間的環狀開口。在此 一實施例，穿過過該第一電極分隔室520a之該第二流F2 能會合在位於該主要流引導器400之前方的一前室中之該 主要流體流Fp，以及穿過過該第二至第四電極分隔室 520b-d之該輔助流體流F2能會合超過該唇部536a-d之頂 部邊緣的主要流體流Fp。該電處理溶液之流再流過一被附 著至邊緣538之保護堰而進入介於該罩202以及該容器 220之該外部壁222間的間隙，其就如被揭露在國際申請 案號第No· PCT/US00/10120。在該第二流F2之流體能被防 止免於自該電極分隔室520a-d流出而會合至該主要流體流 體流Fp，但是可充許電流通過該電極600至該主要流體流 Fp。在此一另外實施例，該輔助流體流F2能自該反應器 204離開而穿過在該壁510中之孔522以及在該外部壁222 中之孔525。在此一另外實施例中該輔助流並不與該主要 流會合，反而是一排泄管能夠被耦合至在該外部壁222中 之出口孔525以使得該輔助流之回流通過場整形單元500 且並未不會與該主要流之回流相混合，且該回流係向下通 過在該外部壁222之外側的該螺旋坡道。該場整形單元 5〇〇能具有其他的架構，其係不同於被示在圖4中之實施 27 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) " " 〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 I , -線 581854 A7 __B7__ 五、發明說明（，） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例。例如，該電極分隔室組件能具有可義一單一電極分隔 室520之單一壁510，以及該反應容器204能僅包括一單 一電極600。任一實施例之場整形單元仍然隔開該主要流 以及該輔助流以使得該主要流並不會連接該電極，並且因 而它可從該單一電極中保護該工件。自該電極600a-d中屏 蔽該工件之一優點係該電極能因而比沒具有該場整形單元 時之電極來得大許多，此乃因該電極之尺寸並不會影響到 出現在該工件之電場。在一使用耗性電極之情況下，這一 點將是特別地有利。此乃因該電極之尺寸的增加會延長每 一電極之壽命，藉此可減少用於服務以及更換電極之停機 時間。 -線 被揭示在圖4中之反應容器204的實施例能因而可具 有一第一導管系統以用於將該主要流體流Fp調整及導向至 該工件，以及一第二以用於調整及導向該輔助流體流F2。 例如，該第一導管系統能包括該分配器300之入口；介於 該主要流引導器400之該基台412以及該分配器300之傾 斜洞322之間的通道344 ;介於該外部板420之壁422與 該場整形單元500之第一壁510之間的一塡充空間；該主 要流引導器400，以及該第一唇部之內部表面537。該第一 導管系統可藉由使該主要流體流Fp通過該主要流引導器 400及沿著該內部表面537而調整該主要流體流Fp之方向 。該主要流體流及該工件之旋轉能因而被控制得以決定在 該工件之電處理溶液之質量傳遞。 該第二導管系統，例如，該塡充空間330以及該分配 ___28_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 _____Β7 _ 五、發明說明（>〇 器300之通道340-346，該場整形單元500之壁510，以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 該場整形單元500之部份530。該輔助流F2接觸該電極 600以建立在該場整形單元500之各別電場，且該電場係 被電性地耦合至該主要流體流Fp。該場整形單元500，例 如，將隔開由該電極600a-d所製造之電場以製造一位於由 該部份之唇部536a-d所定義之開口之頂部的”虛電極”。在 此一特定之實施例中，在該第一唇部536a之內的中心開口 將定出一第一虛電極，介於該第一與第二唇部536a-b之間 的環狀開口定義出一第二虛電極，介於該第二與第三唇部 536b-c之間的環狀開口定義出一第三虛電極，以及介於該 第三與第四唇部536c-d之間的環狀開口定義出一第四虛電 極。這些虛電極因爲該場整形單元500而將該實際電極 600a_d之別電場予以整形以使得該電極600a-d之反應就好 像是它們被放置在介於該唇部536a-d之頂部邊緣間。如此 將允許該實際電極600a-d自該主要流體流而被隔離，藉此 可提供將在下面中予以詳細描述之數個優點。 該處理室200之一另一實施例包括一介面元件700(其 係由參考數値700a-d所確認）以用於更進而調整該電處理 溶液之該輔助流體流F2。該介面元件700，例如，可以是 一過濾器，其可補捉被該電極(即陽極)所產生的輔助流中 之粒子或其他的粒子源。該過瀘型介面元件7〇〇亦能夠阻 止在該輔助流體流F2中之氣泡而不會通過該電處理溶液之 主要流體流Fp。如此將有效地迫使該氣泡向外輻射地通過 該場整形單元500之壁510中之孔522。在另一實施例中 _ _29_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 581854 A7 _____B7_______ 五、發明說明（A ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，該過瀘型介面元件700可以是一離子薄膜，其允許在該 輔助流體流F2中之離子穿通過該介面元件700。該過濾型 介面元件700能被選擇以(a)允許該電處理溶液之流體及離 子穿通過該介面元件700,或是（b)允許僅該所要之離子穿 通過該介面元件以使得該流體本身避免穿通過離子薄膜。 圖6爲圖4之反應容器204之等比例圖，其揭示沿著 一不同截面之一截面部份。更特別地，圖4之截面係被揭 示在圖8A中以及該圖6之截面係被揭示在圖8B中。請回 至圖6,此一解說更進而揭示一用於相對於該場整形單元 500之部份530a-d的架構數個介面元件700 a-d之實施例 。一第一介面元件700 a能被附著至該第一部份530a之裙 部534以使得該輔助流體流F2之一第一部份流過該第一電 極600a，並穿過在該裙部534中之一開口 535，以及接著 再至第一介面元件700a。該輔助流體流F2之另一部份能流 過該第二電極600b而至該第二介面元件700 b。同樣地， 該輔助流體流F2之部份能流過該第三及第四電極600c-d 而至該第三及第四介面元件700 c-d。 當介面元件700 a-d爲過濾器或是離子薄膜，其允許 該輔助流體流F2中之流體穿通過該介面元件700 a-d ’則 該輔助流體流F2與該主要流體流Fp會和。在該第一電極 分隔室520a中之該輔助流體流F2的部份能穿通過該裙部 534中之一開口 535以及該第一介面元件700 a。並然後進 入一介於該第一壁51〇a與該擋板420之外部壁422間之一 塡充空間。該輔助流體流h之此一部份因而與該輔助流體 _30__— 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ___B7_ 五、發明說明（ 流F2及穿通該主要流引導器400。在此一特定之一實施例 中之該輔助流體流F2的其他部份穿通過該第二至第四電極 分隔室520b-d並且然後穿過介於該唇部536a-d間之該環 狀開口。該第二至第四介面元件7〇〇 a-d能因而被著至該 場整形單元500且位於自該第二至第四電極600b-d之下游 〇 在一被揭示在圖6之特定實施例中，該第二介面元件 700b垂直地被置放在介於該第一與第二部份530a-b之間 ，第三介面元件700c垂直地被置放在介於該第二與第三部 份530b-c之間，以及第四介面元件700d垂直地被置放在 介於該第三與第四部份530c-d之間。該介面組件710a-d 一般係被垂直地組裝，或是至少以一相對於水平向上傾斜 的角度而被組裝以迫使該氣泡上升而使得它們能夠逃逸並 穿過在該壁510a-d(圖4)中之孔522。如此則防止該氣泡聚 集，且該聚集會潛在性地從該一各別電極而分裂該電場。 圖7A及圖7B解說一介面元件710以用於根據本發明 之實施例來安裝介面元件710至該場整形單元500。該介 面元件710能包括一環狀介面元件700以及一用於握持該 介面元件700之固定物720。該固定物720能包括一具有 複數個開口 732之一第一框730和一具有複數個開口 742( 最佳被揭示在圖7A)之一第二框740。在該第一框中之孔 732能被與在該第二框740中之孔742相對準。該第二框 能更進而包括複數個環狀齒744,其延伸成圍繞該第二框 之周邊。吾人應重視到該齒744能以另一種方式地在其他 __31_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
--線 581854 A7 __B7__ _ 五、發明說明（v1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例中而在該第二框740的外部表面上沿一不同方向延 伸。但是該齒744 —般地延伸成圍繞在一上部環狀帶及一 下部環狀帶中之該第二框740的周邊以提供具有部份 536a-d(圖6)之環狀密封。該介面元件700能夠被擠壓在介 於該第一框730與該第二框740之間以穩固地握持該介面 元件700在一位置。該介面元件710亦能包括一延伸成圍 繞該框730與740之上部周邊之上部環狀帶以及一延伸成 圍繞該框730與740之 底部周邊之底部環狀帶。該上部及底部環狀帶750a-b能夠 藉由環狀銲接物而被銲接至該框730以及740。此外，該 第一框730與該第二框740能藉料銲接物754而相互地銲 接一起。亦應重視到該介面元件710能具有不同之實施例 ，其係由該場整形單元500(圖6)之架構與該電極分隔室 520a-d之特定的架構所定義出。 當該介面元件700爲一過濾器材質，其允許電處理溶 液之該輔助流體流F2穿通過在該第一框730中之開口 732 ，該溶液之被過濾部份繼續沿著一路徑（箭號Q)而與如上 所述之該主要流體流Fp相會合。一用於一過濾型介面元件 700之適當材質係OREX®，其係可過濾粒子以防止它們穿 通過該介面元件之多孔塑膠。在一使用消耗性電極(即，銅 磷或是鎳化硫)之電鍍系統中，該介面元件700能夠防止由 該陽極 所產生之粒子到達該工件之電鍍表面處。 在另一實施例，其中該介面元件700爲一離子薄膜， ____32_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ___B7____ 五、發明說明（V) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 則該介面元件700對所欲之離子爲穿透性以允許這些離子 能穿通過該介面元件700並且進入該主要流體流Fp。一適 當之離子薄膜是由杜邦公司所製造之NAFION®全氟化元件 。在一用於銅電鍍之應用中，一 NAFION 450型之離子薄 膜係被使用到。其他型之用於電鍍之離子薄膜可以爲聚合 物，其係對於陽離子爲穿透性，但是阻礙陰離子以及非極 性物質。亦應重視到在該電鍍應用中，該介面元件700可 以被選擇爲對該陽離子爲爲穿透性，但是阻礙陰離子以及 非極性物質。所欲之離子可藉一驅動力而被傳送穿過該離 子薄膜介面元件700，比如在該薄膜之任一側之濃度上的 差異，一電位上之差異，或是流體靜力之壓力。 使用一可防止該電鍍溶液之流體穿通過該介面元件 700之離子薄膜則可允許該電流穿通過該介面元件，但卻 可過濾掉粒子，有機添加物以及在該流體中之氣泡。例如 ，在該介面元件700對於陽離子爲穿透性之電鍍應用中， 該接觸該工件之主要流體流Fp可以是陰極液並且那並未接 觸該工件之該輔助流體流F2可以爲一單獨陰極液，此乃因 這些流體在此一實施例中並不會相互混合。具有各別之陽 極液及陰極液之優點是其消除了在陽極之消耗並且因而亦 消除該如平常需要重新塡充添加物之需求。此外，此一特 點可倂合該反應容器204之”虛電極”之觀點以減少"強化" 該陽極的需求，且該需求係爲確保在該電極之上的一致性 薄膜以達到預定的電流分佈，此乃因該電流分佈係被該場 整形單元500所控制。另一優點是它亦消除了在該輔助流 __ 33__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581854 A7 ______Β7___ 五、發明說明（Μ ) 體流F2中之可預測消耗附加物的需求，其因爲至在該輔助 流體流F2之附加並不會影響到該主要流體流Fp，且此影 響係發生在此兩流體相互隔開之時。 從前述中，亦應種視到本發明之特定實施例在此爲了 解說之目的而予以詳述之 脫離本發明之範疇。所以 加之申請專利範圍。 但是各種修正皆可做成且並未 本發明並非受限於此除非是附 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1. 一種用於微電子工件之電化學處理之裝置，其包括 一反應容器，且該反應容器係包括： 一具有外部壁之外部容器； 一第一出口，其係被架構成可引入一主要流進入該外 部容器； 至少一第二出口，其係被架構成可引入一輔助流進入 該外部容器並與該主要流相隔開； 一在該外部容器中之介電場整形單元，其係被耦合至 該第二出口以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構 成容納該輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要 流相隔開，以及該介電場整形單元具有至少一電極分隔室 且該輔助流可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主 要流相隔開彳以及 一在該電極分隔室中之1電極。 2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更進而包括 一主要流引導器，且該引導器係包括： 一第一擋板，其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於該第一擋板之下游之第二擋板，該第二擋板具 有複數個第二孔口且該主要k在穿通過該第一擋板之後， 能再穿通過該該孔口。 3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更進而包括 一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 _1_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內’該內部擋板具有複數個第二孔口，其中該主要流穿通 過該外部擋板之該第一孔口以及再穿過該內部擋板之該第 二孔口。 4_如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更進而包括 一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有一倒轉截頭角錐狀壁，且該壁具有相 對於該共同軸向上傾斜之複數個環狀延伸之輻射狹槽，其 中該主要流穿通過該外部擋板之該垂直狹槽以及再穿通過 該內部擋板之該環狀狹槽以可輻射向內地及相對於該共同 軸向上地投射，且該投射亦沿著複數個完全相反之向量。 5. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該場整形 單元係包括一被置放在該外部容器之該外部壁內部之介電 壁而且該電極分隔室係介於該介電壁與該外部壁之間’其 中該輔助流穿通過在該介電壁之一側上之電極分隔室以及 該主要流穿通過該介電壁之另一側。 6. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該場整形 單元係包括在該外部容器中之一環狀壁，該環狀壁係向內 輻射狀地與該外部壁相隔開以定義出一中心被設置在一共 同軸上之中心開口以及該電極分隔室係介於該環狀壁與該 _____0_-_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 外部壁之間以使得該主要流穿通過該中心開口並且該輔助 流穿通過該電極分隔室。 7·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中··該場整 形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一共同軸之上 的第一環狀壁，且該第一環狀壁自該外部容器之向內且輻 射狀地相隔開，以及一在該外部容器中且與該第一環狀壁 爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的第二環狀 壁，其中該第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極 分隔室之外部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出 一第二電極分隔室之一內部側；以及 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 8·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中： 該場整形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一 共同軸之上的第一環狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之 向內且輻射狀地相隔開； 一第二環狀壁，其係在該外部容器中且與該第一環$ 壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的’其+ 第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極分隔室之外 部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出一第二^_ 分隔室之一內部側；以及 一虛電極單元，其具有一第一部份以及一第二部份’ 且該第一部份具有一被耦合至該第一以及該第二環狀壁之 第一側面區段以及一自該第一側面區段突出之第一環狀唇 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂-丨 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 2^7公愛3 ^^ A8B8C8D8 581854 六、申請專利範圍 部以定義出一用於該主要流之內部流路徑’以及一第二部 份具有位在該第一側面區段上方之一第二側面區段以及一 自該第二側面區段突出之第二環狀唇部，且該第二環狀唇 部係圍繞該第一環狀唇部以定義出在其間之一環狀開口； 以及 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環狀電 極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 9.如申請專利範圍第1項所述之裝置’其更進而包括 一被耦合至該外部容器之分配器，且該分配器具有一中心 出口以定義該第一出口以及可定義第二出口之複數個外部 出口。 10-如申請專利範圍第9項所述之裝置’其中該分配器 係包括： 一用於接收該主要流之入口以及一被耦合至該入口之 環狀洞，且該環狀洞可定義一中心出口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口，以 及複數個自該管口延伸至其對應之外部出口之通道° 11.如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該分配器 係包括： 一環狀本體，其具有複數個環狀階； 一入口，其延伸穿過該本體以接收該主要流； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、一 線!· 581854 D8____ 六、申請專利範圍 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，以及在該塡充、空間之一下部部份中設有複數個下部管口 :以及 複數個通道，其係自該管口延伸至該環狀本體之在階 梯處之對應外部出口。 12·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更進而包括 一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下游之介面元件， 且該介面元件係流體連通至在該第二電極分隔室中之該第 二流，以及該介面元件係被架構成防止該第二流之選定物 質通過該主要流以及/或是防止該主要流之選定物質通過 該輔助流。 13.如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該介面 元件包括一過濾器，其能夠自該輔助流以及/或是該主要 流除去粒子。 H·如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 子通過該主要流與該輔助流之間。 15.如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 子通過該主要流與該輔助流之間，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流及該主要流之流體爲不能滲透的 〇 16·如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 -—_____j_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 子通過該主要流與該輔助流之間，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流以及/或是該主要流之流體爲不 能滲透的。 17·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更進而定義 出一包括該反應容器之處理工具，該裝置更進包括： 一具有內部圍籬之櫃盒； 在該圍籬中之一電化學處理站，且該處理站具有： 一包括一用於握持一工件之一工件支撐架的頭組件； 以及 一具有一罩之處理室，其中該反應容器係在該罩之內 ;以及 在該圍籬中之一傳送裝置，且該傳送裝置具有一終端 控制器以用於處理在該櫃盒內之微電子工件。 18·如申請專利範圍第17項所述之裝置，其中該反應 容器更進而包括一主要流引導器，且該引導器包括： 一第一擋板，其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於自第一擋板之下游之第二擋板，其具有複數個 第二孔口且至少該主要流能在穿通過該第一孔口之後再穿 過該第二孔口。 19·如申請專利範圍第17項所述之裝置，其中該反應 容器之該場整形單元係包括一介電壁，其係被置放在該容 器之外部壁的內部並且該電極分隔室係介於該介電壁與該 外部壁之間，其中該輔助流穿通過該介電壁之一側上之電 _____6______ 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -έ 線 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 極分隔室以及該主要流通過該介電壁之另一側。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 20. 如申請專利範圍第17項所述之裝置，其中該反應 容器更進而包括一被耦合至該外部容器之分配器，且該分 配器具有一中心出口以定義該第一出口以及複數個可定義 第二出口之外部出口。 21. 如申請專利範圍第17項所述之裝置，其中該反應 容器更進而包括一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下 游之介面元件，且該介面元件係被架構成防止該第二流之 選定物質通過該主要流以及/或是防止該主要流之選定物 質通過該輔助流。 22. —種使用於處理微電子工件之電化學處理室之反應 容器，係包括： 一具有外部壁之外部容器； 一分配器，其係被耦合至該外部容器且具有一被架構 成引導一主要流進入該外部容器之第一出口以及至少一第 二出口，其係被架構成引導一輔助流進入該外部容器並與 該主要流相隔離； 一在外部容器中之介電場整形單元，其係被耦合至該 分配器以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構成容 納該輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要流相 隔開，以及該介電場整形單元具有至少一電極分隔室且該 輔助流可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主要流 相隔開； 一在該電極分隔室中之電極； _2_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 C8 __D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下游之介面元 件’且該介面元件係流體連通至在該電極分隔室中之該輔 助流，以及該介面元件係被架構成防止該輔助流之選定物 質通過該主要流以及/或是防止該主要流之選定物質通過 該輔助流。 23. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其更進 而包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一第一擋板’其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於自第一擋板之下流之第二擋板，其具有複數個 第二孔口且至少該主要流能在穿通過該第一孔口之後再穿 過該第二孔口。 24. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其更進 而一主要流引導器，且該引導器係包括： 線 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有複數個第二孔口，其中該主要流穿通 過該外部擋板之該第一孔口以及再穿過該內部擋板之該第 二孔口。 25·如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 場整形單元係包括一介電壁，其係被置放在該外部容器之 外部壁內部並且該電極分隔室係介於該介電壁與該外部壁 之間，其中該輔助流穿通過該介電壁之一側上之電極分隔 __g__________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 A8 骂 D8 六、申請專利範圍 室以及該主要流通過該介電壁之另一側。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 26. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中： 該場整形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一 共同軸之上的第一環狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之 向內且輻射狀地相隔開，以及一在該外部容器中且與該第 一環狀壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的 第二環狀壁，其中第二環狀壁之一內部表面係定義出一第 一電極分隔室之外部側以及該第二環狀壁之一外部表面係 定義出一第二電極分隔室之一內部側；以及 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 27. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 場整形單元係包括： 一中心被置放在該外部容器之一共同軸之上的第一環 狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之向內且輻射狀地相隔 開； 一第二環狀壁，其係在該外部容器中且與該第一環狀 壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間，其中第 二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極分隔室之外部 側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出一第二電極分 隔室之一內部側；以及 一虛電極單元，其具有一第一部份以及一第二部份， 且該第一部份具有一被耦合至該第一以及該第二環狀壁之 第一側面區段以及一自該第一側面區段突出之第一環狀唇 _ ___9___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 D8 六、申請專利範圍 部以定義出一用於該主要流之內部流路徑’以及一第二部 份具有在該第一側面區段上方之一第二側面區段以及一自 該第二側面區段突出之第二環狀唇部，且該第二環狀唇部 係圍繞該第一環狀唇部以定義出在其間之一環狀開口；以 及 該容器更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 28. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 分配器係包括： ' 一用於接收該主要流之入口’該第一出口係流體連通 至該入口，以及 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，以及在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口 ，以及複數個自該管口延伸至複數外部出口之通道’其中 該外部出口定義第二出口。 29. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器’其中該 分配器係包括： 一環狀體，其具有複數個環狀階； 一入□，其延伸穿過該本體以接收該主要流’該第一 出口係流體連通至該入口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，以及在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口 ______LQ______ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、1Τ_· 581854 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 :以及 複數個通道，其係自該管口延伸至該環狀本體之在階 梯處之複數個外部出口，該外部出口係定義第二出口。 30.如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一過濾器，其能夠在該輔助流與該主要流會 合之則自該輔助流除去粒子。 31·如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流。 32. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流之流體爲不能滲透的。 33. 如申請專利範圍第22項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流之流體爲不能滲透的。 34. —種使用於處理微電子工件之電化學處理室之反應 容器，係包括： 一具有外部壁之外部容器； 一分配器，其係被耦合至該外部容器且具有一被架構 成引導一主要流進入該外部容器之第一出口以及至少一第 二出口，其係被架構成引導一輔助流進入該外部容器並與 該主要流相隔離； 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一在該外部容器中之主要流引導器，其係被耦合至該 分配器以自該第一出口接收該主要流並且將其導向至一工 件處理場所； 一在外部容器中之介電場整形單元，其係被耦合至該 分配器以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構成容 納該輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要流相 隔開，以及介電場整形單元具有至少一電極分隔室且該輔 助流可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主要流相 隔開； 一在該電極分隔室中之電極； 一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下游之介面元 件，且該介面元件係流體連通至在該電極分隔室中之該輔 助流，以及該介面元件係被架構成防止該輔助流之選定物 質通過該主要流。 35. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其更進 而包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一第一擋板，其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於自第一擋板之下流之第二擋板，其具有複數個 第二孔口且至少該主要流能在穿通過該第一孔口之後再穿 過該第二孔口。 36. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其更進 而包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8B8C8D8 581854 六、申請專利範圍 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有複數個第二孔口 ’其中該主要流穿通 過該外部擋板之該第一孔口以及再穿過該內部擋板之該第 二孔口。 37·如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其更進 而包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 線!4 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有一倒轉截頭角錐狀壁，且該壁具有相 對於該共同軸向上傾斜之複數個環狀延伸之輻射狹槽；其 中該主要流穿通過該外部擋板之該垂直狹槽以及再穿通過 該內部擋板之該環狀狹槽以可輻射向內地及相對於該共同 軸向上地投射，且該投射亦沿著複數個完全相反之向量。 38. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 場整形單元係包括一被置放在該外部容器之該外部壁內部 的介電壁以及該電極分隔室係介於該介電壁與該外部壁之 間，其中該輔助流穿通過在該介電壁之一側上之電極分隔 室以及該主要流穿通過該介電壁之另一側。 39. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 場整形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一共同軸 之上的第一環狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之向內且 輻射狀地相隔開，以及一在該外部容器中且與該第一環狀 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的第二環 狀壁，其中第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極 分隔室之外部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出 一第二電極分隔室之一內部側；以及 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 40.如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 場整形單元係包括： 一中心被置放在該外部容器之一共同軸之上的第一環 狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之向內且輻射狀地相隔 開； 一^第—^環狀壁’其係在該外部容器中且與該第一^環狀 壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的，其中 第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極分隔室之外 部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出一第二電極 分隔室之一內部側；以及 一虛電極單元，其具有一第一部份以及一第二部份， 且該第一部份具有一被親合至該第一以及該第一環狀壁之 第一側面區段以及一自該第一側面區段突出之第一環狀唇 部以定義出一用於該主要流之內部流路徑，以及一第二部 份具有在該第一側面區段上方之一第二側面區段以及一自 該第二側面區段突出之第二環狀唇部，且該第二環狀唇部 係圍繞該第一環狀唇部以定義出在其間之一環狀開口；以 及 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) t· 、IT: 線 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 41. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器’其中該 分配器係包括： 一用於接收該主要流之入口以及一被稱合至該入口之 環狀洞，且該環狀洞可定義一第一出口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口，以 及複數個自該管口延伸至複數個外部出口之通道’其中該 外部出口定義第二出口。 42. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 分配器係包括= 一環狀本體，其具有複數個環狀階； 一入口，其延伸穿過該本體以接收該主要流，該第一 出口係流體連通至該入口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，以及在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口 :以及 複數個通道，其係自該管口延伸至該環狀本體之在階 梯處之複數個外部出口。 43. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一過濾器，其能夠在該輔助流與該主要流會 ____L5___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、1T: 線J 581854 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 合之前自該輔助流除去粒子。 44_如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流。 45. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 介面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流之流體爲不能滲透的。 46. 如申請專利範圍第34項所述之反應容器，其中該 介面元件包括~離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選 定離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係 至少實質上對於該輔助流之流體爲不能滲透的。 47_ —種使用於處理微電子工件之電化學處理室之反應 容器，係包括： 一具有外部壁之外部容器； 一被該外部容器所攜帶之第一流體導管，且該第一流 體導管具有一第一入口以及一被耦合至該第一入口之主要 流通道，該主要流通道係位於該外部容器之內且被架構成 引導一主要流朝向一工件處理場所； 一被該外部容器所攜帶之第二流體導管，且該第二流 體導管具有一場整形單元，其係包括至少一電極分隔室， 該第二流體導管可容納一輔助流體流並與穿通過至少一部 份之該外部容器之主要流相隔離； 至少一該場整形單元所攜帶之介面元件且被架構成可 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 防止該輔助流之選定物質通過而至該主要流體流；以及 在該至少一電極分隔室中之至少一電極。 48. —種使用於處理微電子工件之電化學處理室之反應 容器，係包括： 一具有外部壁之外部容器； 在該容器中之複數個分隔室，其係包括至少一第一電 極分隔室以及一穿過至少一部份容器並與該第一電極分隔 室相隔開之第二電極分隔室，該電極分隔室係被架構成可 容納電化學處理溶液； 複數個各別電極，其係包括在該第一電極分隔室中之 至少一電極以及在該第二電極分隔室中之一第二電極；以 及 在該第一電極分隔室處並介於該第一電極與該一工件 場所間之至少一介面元件，且在該工件場所處一工件係可 被處理，及該第一介面元件係被架構成可防止被選定物質 流通過該第一介面元件。 49. 如申請專利範圍第48項所述之反應容器，其更進 而包括在該第二電極分隔室處並介於該第二極與該工件場 所間之一第二介面元件，以及其中該第二介面元件係被架 構成可防止被選定物質流通過該第二介面元件。 50. 如申請專利範圍第48項所述之反應容器，其更進 而包括： 一第一環狀壁係位於該容器之內部，以及一第二環狀 壁係位於該容器之內部，且該第二環狀壁係位於該第一環 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、IT: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 狀壁與該外部壁之間，以及其中一第一環狀空間係介於該 第一環狀壁與第二環狀壁之間以定義該第一電極分隔室以 及一第二環狀空間係位於該第二環狀壁之外側以定義該第 二電極分隔室；以及 其中該第一電極係一在該第一電極分隔室中之第一環 狀電極，以及該第二電極係一在該第二電極分隔室中之第 二環狀電極。 51. 如申請專利範圍第48項所述之反應容器，其中： 該反應容器更進而包括一第一環狀壁係位於該容器之 內部，以及一第二環狀壁係位於該容器之內部，且該第二 環狀壁係位於該第一環狀壁與該外部壁之間，以及其中一 第一環狀空間係介於該第一環狀壁與第二環狀壁之間以定 義該第一電極分隔室以及一第二環狀空間係位於該第二環 狀壁之外側以定義該第二電極分隔室； 該第一電極係一在該第一電極分隔室中之第一環狀電 極，以及該第二電極係一在該第二電極分隔室中之第二環 狀電極；以及 該容器亦更進而包括在該第二電極分隔室處並介於該 第二極與該工件場所間之一第二介面元件，以及其中該第 二介面元件係被架構成可防止被選定物質流通過該第二介 面元件。 52. 如申請專利範圍第51項所述之反應容器，其中該 第一以及第二介面元件係爲過濾器，其能夠自穿過該第一 以及第二電極分隔室之該處理溶液流來除去粒子。 _____L8___ t紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " 581854 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 53_如申請專利範圍第51項所述之反應容器，其中該 第一以及第二介面元件係包括離子薄膜且被架構成可允許 被選定離子通過該薄膜。 54·如申請專利範圍第51項所述之反應容器，其中該 第一以及第二介面元件係包括離子薄膜且被架構成可允許 被選定離子通過該薄膜，以及其中該第一以及第二介面元 件係對於在該處理溶液中之流係不滲透性的。 55. 如申請專利範圍第51項所述之反應容器，其中該 第一以及第二介面元件係包括離子薄膜且被架構成可允許 被選定離子通過該薄膜，以及其中該第一以及第二介面元 件係對於在該處理溶液中之流係不滲透性的。 56. 如申請專利範圍第48項所述之反應容器，其更進 而包括： 在該外部容器內且被架構成接收該處理溶液之一介電 場整形單元，且該介電場整形單元具有被架構成來定義該 第一及第二電極分隔室之第一以及第二壁，以及該第一壁 具有一開口；以及 在該第二電極分隔室處並介於該第二電極與該一工件 場所間之一第二介面元件，其中該第二介面元件係被架構 成可防止被選定物質流通過該第二介面元件，以及其中該 第一介面元件係被該第一壁所攜帶且位於在該第一壁中之 開口的上方以及該第二介面元件係被該場整形單元所攜帶 以接觸被容納在該第一壁與該第二壁間之處理溶液。 57·—種用於電化學處理微電子工件之裝置，係包括： 張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一處理站，係包括： (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一具有一接觸組件之頭組件，且該接觸組件係被架構 成握持一工件在一處理溶液之內，以及複數個接點係被架 構成可接觸在該處理溶液中之一部份工件；以及 一處理室，其具有被架構成以接收該接觸組件以及在 罩中之一反應容器之一罩；其中該反應容器 係包括： 一具有一外部壁之外部容器； 一第一出口，其係被架構成可引導一主要流進入該外 部容器； 至少一第二出口，其係被架構成可引導一輔助流進入 該外部容器並與該主要流相隔離； 在外部容器中之一介電場整形單元係被耦合至該第二 出口以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構成容納 該輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要流相隔 開，以及介電場整形單元具有至少一電極分隔室且該輔助 流可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主要流相隔 開；以及 一在該電極分隔室中之電極。 58.如申請專利範圍第57項所述之裝置，其更進而包 括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一第一擋板，其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於自第一擋板之下游之第二擋板，其具有複數個 _20_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 098822 ABCD 六、申請專利範圍 第二孔口且至少該主要流能在穿通過該第一孔口之後再穿 過該第二孔口。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 59. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其更進而一 主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有複數個第二孔口，其中該主要流穿通 過該外部擋板之該第一孔口以及再穿過該內部擋板之該第 二孔口。 60. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其中該場整 形單元係包括一介電壁，其係被置放在該外部容器之外部 壁內部並且該電極分隔室係介於該介電壁與該外部壁之間 ，其中該輔助流穿通過該介電壁之一側上之電極分隔室以 及該主要流通過該介電壁之另一側。 61. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其中該場整 形單元係包括在該外部容器中之一環狀壁，該環狀壁係向 內輻射狀地與該外部壁相隔開以定義出一中心被設置在一 共同軸上之中心開口以及該電極分隔室係介於該環狀壁與 該外部壁之間以使得該主要流穿通過該中心開口並且該輔 助流穿通過該電極分隔室。 62. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其中該場整 形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一共同軸之上 的第一環狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之向內且輻射 _2J_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 狀地相隔開，以及一在該外部容器中且與該第一環狀壁爲 同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的第二環狀壁 ，其中第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一電極分隔 室之外部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定義出一第 二電極分隔室之一內部側；以及 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及在該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 63. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其更進而包 括一被耦合至該外部容器之分配器，且該分配器具有一中 心出口以定義該第一出口以及可定義第二出口之複數個外 部出口。 64. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其中該分配 器係包括\ 一用於接收該主要流之入口以及一被親合至該入口之 環狀洞，且該環狀洞可定義一中心出口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口，以 及複數個自該管口延伸至複數個外部出口之通道，其中該 外部出口係定義該第二出口。 65·如申請專利範圍第57項所述之裝置，其更進而包 括一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下流之介面元件 ，且該介面元件係流體連通至在該電極分隔室中之該輔助 流，以及該介面元件係被架構成防止該輔助流之選定物質 一 —_____22_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " ' (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 通過該主要流。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 66. 如申請專利範圍第65項所述之裝置，其中該介面 元件包括一過濾器，其能夠在該輔助流與該主要流會合之 前自該輔助流除去粒子。 67. 如申請專利範圍第65項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 子自該主要流流至該輔助流。 68. 如申請專利範圍第65項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係至少 實質上對於該第二流之流體爲不能滲透的。 69. 如申請專利範圍第65項所述之裝置，其中該介面 元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定離 子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係至少 實質上對於該第二流之流體爲不能滲透的。 70. 如申請專利範圍第57項所述之裝置，其更進而定 義出一包括該反應容器之處理工具，該裝置更進 包括： 一具有內部圍籬之櫃盒； 在該圍籬中之一傳送裝置，且該傳送裝置具有一終端 控制器以用於處理在該櫃盒內之微電子工件；以及 在該圍籬中之一電化學處理站。 71. 如申請專利範圍第70項所述之裝置，其更進而包 括一主要流引導器，且該引導器係包括： _23_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一第一檔板，其具有複數個第一孔口且至少該主要流 能穿通過該孔口； 一位於該第一擋板之下游之第二擋板，該第二擋板具 有複數個第二孔口且該主要流在穿通過該第一擋板之後， 能再穿通過該該孔口。 72. 如申請專利範圍第70項所述之裝置，其中該反應 容器之場整形單元係包括一被置放在該外部容器之該外部 壁內部的介電壁以及該電極分隔室係介於該介電壁與該外 部壁之間，其中該輔助流穿通過在該介電壁之一側上之電 極分隔室以及該主要流穿通過該該介電壁之另一側。 73. 如申請專利範圍第70項所述之裝置，其更進而包 括一被耦合至該外部容器之分配器，且該分配器具有一中 心出口以定義該第一出口以及可定義第二出口之複數個外 部出口。 74. 如申請專利範圍第70項所述之裝置，其中該反應 容器更進而包括一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下 流之介面元件，該介面元件係被架構成防止該第二流之選 定物質通過該主要流以及/或是防止該主要流之選定物質 通過該輔助流。 75. —種用於電化學處理微電子工件之處理站，係包括 一具有一接觸組件之頭組件，且該接觸組件係被架構 成握持一工件在一處理溶液之內，以及複數個接點係被架 構成可接觸在該處理溶液中之一部份工件；以及 _2A_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 581854 儲 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一處理室，其具有被架構成以接收該接觸組件以及在 罩中之一反應容器之一罩；其中該反應容器係包括： 一具有一外部壁之外部容器； 一被耦合至該外部容器之分配器，該分配器具有一第 一出口，其係被架構成可引導一主要流進入該外部容器以 及至少一第二出口，其係被架構成可引導一輔助流進入該 外部容器並與該主要流相隔離； 在外部容器中之一介電場整形單元係被耦合至該分配 器以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構成容納該 輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要流相隔開 ，以及介電場整形單元具有至少一電極分隔室且該輔助流 可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主要流相隔開 ， 一在該電極分隔室中之電極；以及 一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下游之介面元 件，且該介面元件係流體連通至在該電極分隔室中之該輔 助流，以及該介面元件係被架構成防止該輔助流之選定物 質通過該主要流。 76.如申請專利範圍第75項所述之處理站，其更進而 包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有複數個第二孔口，其中該主要流穿通 ____25___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297;釐） 581854 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 過該外部擋板之該第一孔口以及再穿過該內部擋板之該第 二孔口。 77. 如申請專利範圍第75項所述之處理站，其更進而 包括一主要流引導器，且該引導器係包括： 一環狀外部擋板，其中心被設於一共同軸之上且該外 部擋板具有複數個大致垂直之狹槽；以及 一環狀內部擋板，其同心圓地被設置在該外部擋板之 內，該內部擋板具有一倒轉截頭角錐狀壁，且該壁具有相 對於該共同軸向上傾斜之複數個環狀延伸之輻射狹槽，其 中該主要流穿通過該外部擋板之該垂直狹槽以及再穿通過 該內部擋板之該環狀狹槽以可輻射向內地及相對於該共同 軸向上地投射，且該投射亦沿著複數個完全相反之向量。 78. 如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中該場 整形單元係包括一被置放在該外部容器之該外部壁內部的 介電壁以及該電極分隔室係介於該介電壁與該外部壁之間 ，其中該輔助流穿通過在該介電壁之一側上之電極分隔室 以及該主要流穿通過該介電壁之另一側。 79. 如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中： 該場整形單元係包括一中心被置放在該外部容器之一 共同軸之上的第一環狀壁，該第一環狀壁自該外部容器之 向內且輻狀地相隔開，以及一在該外部容器中且與該第一 環狀壁爲同心圓及位於該第一環狀壁與該外部壁之間的第 二環狀壁，其中第二環狀壁之一內部表面係定義出一第一 電極分隔室之外部側以及該第二環狀壁之一外部表面係定 __2β___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 _s__ 六、申請專利範園 義出一第二電極分隔室之一內部側；以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該裝置更進而包括在該第一電極分隔室中之一第一環 狀電極以及該第二電極分隔室中之一第二環狀電極。 80·如申請專利範圍第75項所述之處理站’其中該分 配器係包括： 一用於接收該主要流之入口以及一被耦合至該入口之 環狀洞，且該環狀洞可定義該第一出口； 一塡充空間，其係與該用於接收該輔助流之入口相隔 開，且在該塡充空間之一上部部份中設有複數個上部管口 ，在該塡充空間之一下部部份中設有複數個下部管口，以 及複數個自該管口延伸至複數個外部出口之通道，其中該 外部出口係定義該第二出口。 81. 如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中該介 面元件包括一過濾器，其能夠在該輔助流與該主要流會合 之前自該輔助流除去粒子。 82. 如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中該介 面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定 離子自該主要流流至該輔助流。 83·如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中該介 面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定 離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係至 少實質上對於該第二流之流體爲不能滲透的。 84.如申請專利範圍第75項所述之處理站，其中該介 面元件包括一離子薄膜，其係被架構成能夠可允許被選定 _____22_____ 用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " 581854 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 離子自該主要流流至該輔助流，以及其中該離子薄膜係至 少實質上對於該第二流之流體爲不能滲透的。 85.—種用於電化學處理微電子工件之處理站，係包括 一具有一接觸組件之頭組件，且該接觸組件係被架構 成握持一工件在一處理溶液之內，以及複數個接點係被架 構成可接觸在該處理溶液中之一部份工件；以及 一處理室’其具有被架構成以接收該接觸組件之一罩 以及在該罩中之一反應容器，其中該反應容器係包括： 一具有一外部壁之外部容器； 一被耦合至該外部容器之分配器，該分配器具有一第 一出口，其係被架構成可引導一主要流進入該外部容器以 及至少一第二出口，其係被架構成可引導一輔助流進入該 外部容器並與該主要流相隔離； 一位於該外部容器中且被耦合至該分配器之主要流引 導器’其可接收該主要流以及將其導向至一工件處理場所 ’ 在外部容器中之一介電場整形單元係被耦合至該分配 器以接收該輔助流，該介電場整形單元係被架構成容納該 輔助流並與該穿過至少一部份的外部容器之主要流相隔開 ’以及介電場整形單元具有至少一電極分隔室且該輔助流 可穿通過該電極分隔室，但該輔助流係與該主要流相隔開 y 一在該電極分隔室中之電極；以及 ___2S____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) '~ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、\\1 口 581854 A8 B8 _ξ!_ 六、申請專利範圍 一被該場整形單元所攜帶且位於該電極下游之介面元 件，且該介面元件係流體連通至在該電極分隔室中之該輔 助流，以及該介面元件係被架構成防止該輔助流之選定物 質通過該主要流。 86·—種用於電化學處理微電子工件之處理站，係包括 一具有一接觸組件之頭組件，且該接觸組件係被架構 成握持一工件在一處理溶液之內，以及複數個接點係被架 構成可接觸在該處理溶液中之一部份工件；以及 一處理室，其具有被架構成以接收該接觸組件之一罩 以及在罩中之一反應容器，其中該反應容器係包括： 一具有一外部壁之外部容器； 一被該外部容器所攜帶之第一流體導管，且該第一流 體導管具有一第一入口以及一被耦合至該第一入口之主要 流通道，該主要流通道係位於該外部容器之內且被架構成 引導一主要流朝向一工件處理場所； 一被該外部容器所攜帶之第二流體導管，且該第二流 體導管具有一場整形單元，其係包括至少一電極分隔室， 該第二流體導管可容納一輔助流體流並與穿通過至少一部 份之該外部容器之主要流體流相隔離； 至少一被該場整形單元所攜帶之介面元件，且該介面 元件係被架構成防止該輔助流體流之選定物質通過該主要 流體流，以及 至少一在該電極分隔室中且位該介面元件之上游之電 ____22____ 度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 極。 87·—種用於電化學處理微電子工件之方法，係包括： 一主要流體流沿著一第一流路徑穿通過一反應容器； 一輔助流體流沿著一第二流路徑穿通過該反應容器， 其中該第二流路徑係穿過至少一部份外部容器而與該第一 流路徑相隔開； 施加一電位至〜在該輔助流體流中之一位置的電極， 且在該位置中之該輔助流體流係與該主要流體流相隔開。 88·—種用於電化學處理微電子工件之方法，係包括： 一主要流體流沿著一第一流路徑穿通過一反應容器； 一輔助流體流沿著一第二流路徑穿通過該反應容器， 其中該第二流路徑係穿過至少一部份外部容器而與該第一 流路徑相隔開； 施加一電位至〜在該輔助流體流中之一位置的電極， 且在該位置中之該輔助流體流係與該主要流體流相隔開； 以及 防止(a)自該輔助流體流之物質之進入該主要流體流以 及/或是(b)自該主要流體流之物質之進入該輔助流體流。 89.—種用於電化學處理微電子工件之方法，係包括： 一主要流體流沿著一第一流路徑穿通過一反應容器； 一輔助流體流沿著一第二流路徑穿通過該反應容器， 其中該第二流路徑係穿過至少一部份外部容器而與該第一 流路徑相隔開； 施加一電位至一在該輔助流體流中之一位置的電極， ____________ 國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T: 線- 581854 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 且在該位置中之該輔助流體流係與該主要流體流相隔開； 以及 擋住自該輔助流體流進入該主要流體流。 90.—種用於電化學處理微電子工件之方法，係包括： 一主要流體流沿著一第一流路徑穿通過一反應容器； 一輔助流體流沿著一第二流路徑穿通過該反應容器， 其中該第二流路徑係穿過至少一部份外部容器而與該第一 流路徑相隔開； 施加一電位至一在該輔助流體流中之一位置的電極， 且在該位置中之該輔助流體流係與該主要流體流相隔開； 以及 允許僅有自該輔助流體流中之被選定物質可進入該主 要流體流。 _Ή 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
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