TW580663B - Raster distortion correction circuit - Google Patents

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580663 五、發明説明（i ) 發_明背景 本發明乃關於一種用於陰極射線管之水平偏轉電路，提 供光域失真之修正，例如針墊式内或桶形光域失真内之修 正等〇 、 多 水平偏轉電路一般採用諧振掃描及返馳原理。在返驰期 間，偏轉電路構成一高頻並聯諧振電路，以於偏轉電路中 儲存來自回掃變壓器初級繞組之電能。返驰提供偏轉電路 快速返回。 在掃描間距期間，偏移開關提供一具有掃描諧振頻率並 由偏轉繞組與“s”形電容器構成之低頻掃描諧振電路。從 而在一個掃描周期中，電能自偏轉線圈環流至“s，，電容器 再返回至偏轉線圈。此含偏轉繞組及“ s，，電容器之諧振電 路於掃描諧振頻率上產生一正弦波形偏轉成分之電流。 “ S ’’電容器之值決定偏轉電流之“ s，，整形。故選定“ s，，電 容器以改善水平直線性。跨於“s，，電容器兩端之電壓呈餘 弦形。其幅度於偏轉電流為零時，在掃描中點處最高。 内部光域失真之修正需“S”形調變為光域顯示垂直軸線 上距離之函數，亦即自光域之頂至中點並自中點至其底 部。此係由調變跨於“S”電容器以水平速率變化之電壓的 峯至峯幅度成分而達成者。調變後電壓出現在水平偏轉繞 組兩端，而使偏轉電流調變0其偏轉角大於一百一十度之 陰極射線管需掃描諧振頻率依陰極射線管電子束之垂直位 置而變化，以提供針墊或桶形失真内之修正。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公 580663 五、發明説明（ 在實現發明特點方面，將一電感電容（LC)網路經可控轉 換電晶體於掃描間距部分期間镇合至“ 電容器，而—成 一可調式光域修正。此LC網路構成第二掃插諧振電路。 第二掃描讀振電路之電流形狀略呈正弦曲線形，周期等於 可控式轉換電晶體之導電時間。為控制該可控式轉換電晶 體足導電時間，而選定電感電容網路中電流之大小及頻 率。合成之偏轉電流形狀為LC網路中可控之略呈正弦曲 線電流及“ S，，電容器中電流兩者之和。 發明概< 偏轉裝置具體而言包含耦合至返驰電容器之偏轉繞組， 以構成返.驰間距期間之返驰諧振電路，並耦合至掃描電容 器，以構成掃描間距期間含有偏轉繞組及掃描電容器之第 一掃描諧振電路。第一轉換半導體響應與第一偏移頻率相 關頻率之第一同步信號，並耦合至偏轉繞組以於與同步信 號相同步《偏轉繞組中產生偏轉電流。調變電感於择描間 距期間輕合入第二掃描諧振電路中。提供與第二偏轉頻率 相關之頻率以調變第二信號源。第二轉換半導體響應第一 及第一信號，於掃描間距第一部分期間具第一轉換狀態， 巧於=插間距第二部分期間則具第二轉換狀態。第一:第 一部分依第二信號而改變。第二轉換半導體耦合至調變電 ^以：調變電感與掃描電容器中產生調變電流，此電流調 欠依第一^號於掃描電容器中所產生之電壓而提供光域 真之修正。 Ιϋϋ說明 本纸張尺度Α4胁(加Χ2@ -6 ‘ 580663 A7 B7 五、發明説明（ 圖1顯示本發明特點具體化之偏轉電路之簡化圖； 圖2a，2b及2c顯示用以說明圖1電路運作模式之波形.； 圖3a，3b及3c顯示用以說明圖1電路另一運作模式之諸 波形； 圖4顯示圖1之替代性轉換配置； 圖5 a，5 b及5 c顯示用以說明含替代性轉換配置之圖1電 路另一運作模式之諸波形； 圖6顯示圖1電路之詳細線路圖；以及 圖7顯示與特點2 a，2 b及2 c相關之圖1之替代性轉換配 置。 較佳具體，實例說明 圖1顯示本發明具體化之偏轉電路（1〇〇)之簡化線路圖。 偏轉電路（100)於水平頻率，例如3 U千赫上操作。偏轉 電路（100)包含初級繞組（W1)耦合至恆定之直流供應電壓 源（Β + )。傳統式回掃變壓器（τ)之繞組（wi)並耦合至水平 輸出或轉換電晶體（Q 1)之集極端點（5 1)。電晶體（q 1)之 基極由具有約百分之五十作循環之水平激勵信號（5〇)所控 制。電晶體（Q1)之射極係在共線電位或地電位。第一返驰 電容器（cb)耦合至電晶體（Q1)之集極端點（51)。端點（51) 並耦合至第二返驰電容器（ci a)。 電容器（Cl a)之端點（52)經由串聯之第三返驰電容器 (Clb)耦合至地線。阻尼二極體（Dla)與電容器（Cla)並聯 耦合。阻尼二極體（Dlb)與電容器（cib)並聯耦合。點點 (52)耦合至東-西調變電感器（Lew)。電感器（Lew)之端點 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210X297公羞) ----- 580663 A7

(53)韓合至東.西調變器電晶體（Qew)之集極，並核合至減 波電容器(Cew)，構成傳統式二極體調變器以提供外部： 墊式失真之修正。 電w m ( Qew)由具有周期（v)之垂直率拖物線調變信號 (E/W-DRIVE)依傳統方式控制，以提供東·西光域失^修 2。其中“V”表示電視標準中之垂直周期，例如二十毫秒 等。反饋電阻器（Rew)耦合於電晶體（Qew)之集極與基極 之間提供甲類操作。故在電感器（Lew)之端點（53)處以 傳統方式產生垂直率拋物線調變電壓（Vm)。偏轉繞組（Ly) 耦。於翊點（5 1 )與端點（5 4)兩者之間。傳統式“ s，，整形電 谷器（Cs)耦合於端點（52)與（54)之間。 在水平掃描之前半期間，二極體（Dla，mb)導電而磁能 即以傳統方式儲存於繞組（W1) +。同時，偏轉電流（ILy) 流入一極體（Dla，d lb)。在水平掃描之後半期間，電晶體 (Q1)導電，偏轉電流（ILy)流入電晶體（Q!)。在掃描終了 時，電晶體（Q1)截止，即以傳統方式在電容器（Cla)中產 生返驰脈衝電壓（Via)，並於電容器（Clb)中生成返驰脈衝 電壓（Vlb)。 本發明特點具體化之主控掃描諧振電路1〇1耦合於端點 (5 2)與（5 4)之間，並與“ s ’’電容器（c s)並聯。掃描諧振電 路包括電感器（Lx)，電容器（Cx)及可控轉換配置（30〇)三 者之串聯配置。脈寬調變器（6〇)於可控轉換配置（300)之 控制端點（66)處產生一相位調變信號（6〇a) ^信號（6〇a) 依據輸入信號（IPcor)與電流感測器（6 2)所產生之反饋信號 -8 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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580663 A7 B7 五、發明説明（ (Fb)兩者之差，而控制可控轉換配置（3〇〇)中之轉換計 時。信號( IPcor)為一垂直率修正波形，用以修正内部針墊 式失真。信號（Fb)指示可控掃描諧振電路中電流（ΐχ)之幅 度’且屬在電路（63)中與輸入信號（IPC0r)相減後而產生之 相差信號（63 a)以控制脈寬調變器（60)。另一計時信號 (60b)耦合至脈寬調變器（60)做同步之用。反饋信號（Fb) 改善需大修正時之操作直線性。 在主拄掃描諧振電路（101)之第一電路組構及操作模式 中，圖1中電容器（Cx)之選定值為三百三十奈法拉，電感 器（Lx)之值為一百五十微亨利，電容器（cz)為六百八十微 微法拉，電阻器（RZ)為八百二十歐姆。可控轉換配置（3〇〇) 包括電晶體（Q2)。電晶體乃屬金屬氧化半導體電晶體，源 極導流端點（64)經電流感測器（62)之低阻抗徑路耦合至電 容器（Cs)之端點（54)。轉換電晶體（Q2)之汲極導流端點 (65)經電感器（Lx)及電容器（Cx)耦合至電容器（Cs)之端 點（5 2)。電容器（Cz)與電阻器（Rz)串聯成一串聯配置， 耦合於電晶體（Q2)之端點（64)與（65)兩者之間，以消除 轉換相關之暫態現象。電容器（Cz)及電阻器（RZ)之所以需 要乃由於内部二極體（DQ2)中剩餘反相恢復時間之故，該 一極體和金屬氧化半導體電晶體（Q2)係於晶元内同時構成 產製者。亦可使用一電壓感測器跨接於電晶體（q2)以代替 電流感測器（62)。 圖3a，3b及3c顯示圖1電路第一操作模式，當電流（Ιχ) 於垂直率調變時用以說明該模式之諸波形。圖丨中相似符 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ·； 裝 訂

580663 A7 ___ · B7 五、發明説明（6 ) 號與數字亦表7ir3a , 3b及3c中相似項目或功用。具有周 期（Th)之圖3c中偏轉電流（iLy)包含掃描部分（ILyt)及返驰 部分（ILyr)。圖1之轉換電晶體（q 2)在圖3 c之間距（丁丨）期 間導電。發生於圖3c掃描部分（ILyt)期間之間距（τ丨）於圖 3 c掃描部分（ILyr)之中點時（Ttc)結束。在間距（丁丨）期間， 由圖1電容器（Cs)中圖3a之電壓（VCs)激勵圖i之諧振電路 (101)，而於圖1電路（1〇丨）中產生圖38之電流（Ιχ)之負向 部分。 圖3&之緊接間距（丁2)與相對中點時間（1^勻之間距（71) 以對稱式出現。在圖3a緊接間距（丁2)期間，產生電流（Ιχ) 之正向部分，流入圖1之内部順向導電之反向二極體 (DQ2)。二極體（DQ2)含於電晶體（q2)之同一包封内。在 總和期間（Τ1+Τ2)，圖3a之電流（Ιχ)略呈正弦電流波形， 於圖3a之電流（ILy)每一水平週中其零交點發生在中心時 間（Ttc)處。 圖1之脈寬調變信號（6 0&)依圖1之信號（11>(：〇1：)，以垂直 率拋物線方式於圖3a電流（ΐχ)之間距（T1)及（T2) 一段時 間内變化。從而電晶體（Q2)總導電時間以垂直率拋物線方 式而改變，導致電流（lx)之各幅度及垂直率拋物線方式之 諧振頻率。因此，偏轉·電流（ILy)於圖3a之總和間距 (τι + τ2)期間予以調變。其優點為不會變生龛流峯 至輋幅度上之返驰時調變及低度效應，其於本文中稱為串 擾者。所以如此者及由於電流（Ix)在返驰期間其值為零。 不發生串擾之優點在於可獨立調整内部與外部針塾失真之

580663 A7 ____B7_ 五、發明説明（7~~) 一 ^ 修正參數。 圖6顯示圖1脈寬調變器之詳細線路圖β圖6，1，3a， 3b及3c中相同符號與數字表示相同項目或功用。另外由於 圖1中二極體（DQ2)較長反向恢復時間，不屬電晶體（qw 包封内之圖6中快速反向二極體（DQ2b)耦合至電晶體 (Q2)，擔任圖1二極體（DQ2)之功能。圖6中第二二極體 (DQ2)與電晶體（Q2)串聯耦合。二極體（DQ2a)消除圖1二 極體（DQ2)之效應。因此，圖6之二極體（DQ2b)與二極體 (DQ2a)及電晶體（Q2)構成之串聯配置並聯耦合。 信號（IPcor)屬與垂直同步信號（未顯示）相同步之垂直率 東-西拋物線信號。水平返驰信號（60b)為峯至峯值約二百 伏特之正向水平返驰脈衝，以傳統方式自回掃變壓器（未 顯示）之次級繞組取得。電流感測器（62)之電流變壓器（T3) 包含傳導電流（lx)之初級繞組（T3a)。次級繞組（T3b)耦合 至橋式整流器（DFb)。橋式整流器（DFb)耦合至濾波電容器 (CFb)，以於電容器（CFb)中產生電壓（VCFb)，其幅度與 電路（101)中電流（IX)之幅度成比例《電流變壓器（τ 3 )具 有等於一百之高變壓比（T3b/T3a)。電流變壓器（T3 )將經 橋式整流器（DFb)所施加之阻抗轉變至初級邊（T3 a)處之極 小值。從而諧振電路（101)即不受經橋式整流器加載的影 響。 電壓（VDFb)經電阻器（Rpil)耦合至操作放大器（0pa)之 倒相輸入端點第六腳。操作放大器倒相輸入端點處之直流 電壓成分由_合於操作放大器倒相輸入端點第六腳之電位 _；___-11 - _ 本纸張尺度適用巾g Η家料(CNS) A4規格(210X297公釐) "'爾~ 裝 訂

580663 A7 ____^_B7_ 1、發明説明（8 ) ^ 器電阻（IPIN)調整。脈寬調變器（60)之操作放大器（〇Pa) 以放大東·西拋物線信號（IPcor)與全波整流器反饋電壓 (VCFb)兩者之差，而提供反饋補償控制信號（v〇pa)。放 大器（OPa)之高增益低通濾波特性係由積分電容器（Cpi)與 電阻器（Rpi2)所組成之並聯配置建立，以提供穩定操作時 之小封閉環路誤差。 鋸齒波產生器（103)由斜坡產生電阻器（R8)耦合至斜波 產生電容器（C12)所構成。轉換電晶體（Q6)經集極電阻器 (R7)耦合至電容器（C12)，於輸入返驰信號（60b)之返驰 脈衝出現時供電容器（C12)放電。電號（60b)經由含耦合電 容器（C11.)及電容器（C10)之電容性分壓器而耦合至電晶體（q6) 之基極。電容器（C10)及鉗位二極體（D11)跨接於電晶體 (Q6)之基射極結點。由二極體（D11)於水平返驰後半期間 導電，迫使電晶體（Q6)呈不導電狀態。電容器（C10)防止 電晶體（Q6)中在掃描第一部分期間，由於二極體（Dla， Dlb)中存有暫態所致之減幅振盪，此種振盪或會不當觸發 電晶體（Q6)。 返驰信號（60b)於放大器（OPb)之倒相輸入端點處產生鋸 齒波電壓（VSW)。如此，即於一發光二極體（OPTOA)中產 生脈寬調變電流（ipw)。發光二極體（OPTOA)陰極端點耦 合至放大器（OPb)之開路集極輸出端點第七腳。 當放大器（OPb)之開路集極輸出端點七呈高阻抗時，發 光二極體（OPTOA)中電流（ipw)為零。如此，則光耦合放 大器（OPTOB)之開路集極輸出腳六即呈高阻抗狀態。上牵 ____-12- __ ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) " " 580663

電阻器（R4)耦合至光耦合放大器（〇ρτ〇Β)之開路集極輸出 腳穴，並耦合至電晶體（q5)之基極。因此，在發光二極體 (POTOA)截止時，電晶體（Q5)即導電。電晶體（Q5)之集 極經二極體（D6)及電阻器（R2)耦合至電晶體（Q2)之閘極 端點（66)。電晶體（Q5)導電時，使電晶體（q2)截止。電 晶體（Q5)之集極並耦合至上牽電阻器（R3)及電晶體（q3) 之基極。電晶體（Q3)之射極耦合至二極體（D6)的陽極， 而二極體（D6)的陰極耦合至電晶體（Q3)之基極及電晶體 (Q4)的集極。此外，當放大器（〇Pb)之開路集極輸出端點 (7)呈低阻抗狀態時，電流（ipw)即流入發光二極體 (OPTOA).。故電晶體（5 )截止而電晶體（q 3 )經上牵電阻器 (Q3 )導電。從而電晶體（Q2)即經由電阻器（R2)導電。 在圖3a中水平周期（Th)之各間距（T1)中，圖6中電晶體 (Q2)在圖3a中Tla至Tib範圍内變化之時點上，於電子束 位置以垂直方向改變時呈導電。在間距（τ 2 )期間進行對稱 操作。圖6中電晶體（Q2)於返驰間距期間並聯之二極體 (DQ2b)中止導電前，應該且最好呈截止。 轉合至電阻器（R3 ) ’電晶體（Q3 )集極，電阻器（R4)以 及光耦合放大器（OPTOB)等處之供應電壓（VFS)乃於電荷 儲存電容器（C8)中產生。電壓（VFS)以電容器（Cs)之端點 (54)為參考點’且由電壓（VCS)交流成分產生，而電壓 (VCS)又於經電容器（C9)以電容性耦合至整流二極體（D8) 之“S”電容器（Cs)中產生。整流器二極體（D8)與（D9)為 一半波整流器，於電容器（C8)中儲存電荷而產生供應電壓 •13- 本紙張尺度適用中國國家標^(CNS) A4規格(210X297公釐) " ----- 580663 A7 B7 五、發明説明（ (VFS)。與電容器（C7)並聯之齊納二極體經電阻器（R5)耦 合至電壓（BFS)，以五伏特之供應電壓（V5V)激勵光耦合 放大器（OPTOB) 0 在掃描前半及返馳後半期間，保護性電晶體（q 4 )經由電 容器（C 6)及（C 5 )所組成之電容性分壓器而導電。故電晶 體（Q5)與電晶體（Q2)解耦，而電晶體（Q2)保持截止。 二極體（D12, D13, D14)於電容器（C13)中產生保護電壓 (V13)。電容器（C13)在返驰前半期間經二極體（D14)充 電。於返驰後半期間，電容器（C13)經二極體（D12)及 (D13)放電。二極體（D12)導電時，則發光二極體（〇ρτ〇Α) 中之電流(ipw)即為零。故光耦合放大器（optob)之輸出 端點（腳6)形成高阻抗，而電晶體（Q5)使電晶體（Q2)呈截 止。 調整耦合至操作放大器（OPa)之倒相輸入端點（腳6)之可 變電阻器（IPIN)係改變流經電感器（Lx)及電容器（Cx)之電 流（lx)的平均值。如此即獲得靜態或非調變直線性修正。 另外，直線性亦可由頻率電壓轉換器（6〇〇)之輸出信號 (600a)調整之。信號（600a)依水平率信號（50)頻率之函數 而變化。頻率電壓轉換器（600)可由微處理器（未顯示）所控 之數位類比轉換器輸出信號而達成，其功能與可變電阻器 (IPIN)相當。例如，為保持各選定之水平偏轉頻率之直線 性，可採用頻率電壓轉換器（600)改變流經電感器（Lx)及 電谷器（Cx)之電流（Ιχ)的平均值。如此，即可省略以前工 藝中於不同選定之水平頻率上選定不同值之電容器（Cs)之

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轉換配置。 在第二電路組構與操作模式中，圖1中電容器（C幻選定 之值為（470)奈法拉，電感器（Lx)之值為（3〇〇)微亨利，電 容益（Cz)為（470)微微法拉以及電阻器（Rx)之值為（1，5〇〇) Sv姆。圖7中電晶體（q 2，）取代圖1之可控轉換配置中之轉 換電晶體（Q2)。電晶體（Q2，）屬金屬氧化半導體電晶體。 電晶體（Q2’）之導流源極耦合至圖i中端點（65) ^圖7中電 晶體（Q 2 ’）之導流汲極耦合至圖j中端點（6 4)。圖7中電晶 體（Q2’）<閘極耦合至圖j中端點（66)。圖，以及2^顯 示用以說明圖1電路第二操作模式之諸波形，其具與第二 操作模式相關之前述組件值，且以垂直率調變電流（ΐχ) 者。圖7 ’ 1，2a，2b，2c，3a，3b及3c中類似符號表示 類似功能。 圖2c中偏轉電流（ILy)含有掃描部分（ILyt)及返馳部分 (ILyr)。圖7中轉換電晶體（q 2，）於圖2 a之間距（丁 j，）期間 導電。間距（T1’）於圖2C之掃描部分期間（ILyt)開始，而 於圖2c返驰部分（iLyr)之中心時點（Trc)結束。 在圖2a之間距（TP)期間，圖1中諧振電路（101)由電容 器（Cs)中電壓（VCs)激勵而於圖i電路（1〇1)中產生圖。之 正向部分電流（lx)。在圖2a中後繼之間距（T2，）期間（其就 中心時點Trc而言與間距T1，對稱），經由電晶體（Q2，）同一 包封所含之内部逆向二極體（DQ2，）而產生圖2&之負向部分 電流（lx)。圖2a之電流（Ix)略呈正弦電流波形，其零交點 在圖2c中電流（ILy)每周内之中心時點（Trc)處。

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580663 A7 B7 五、發明説明（ 12 圖1中仏號（60a)依圖1之信號（IPe〇r)，以垂直率拋物線 方式於圖2a間距（T1，）之一段時間中變化。從而電晶體 (Q2，）之總導電時間即以垂直率拋物線方式改變。結果是 圖1電路（101)中電流（lx)之幅度及諧振頻率即以垂直率拋 物線方式變化。因此，偏轉電流（ILy)即於圖2〇中併合間 距（Tl’+T2，）期間予以調變。 會導致可厭之返驰時間改變之外部針墊失真修正信號 (E/W-ddve)的串擾效應乃由返驰期間圖2a中電流（Ιχ)之量 決定。在返驰期間，電流（Ιχ)屬低量。故外部針墊串擾極 微。 在弟二·電路組構與操作模式中，圖1中電容器（Cx)之選 定值為（470)奈法拉，電感器（Lx)之值為（13〇)微亨利，電 容器（Cz)之值為（680)微微法拉以及電阻器（Rx)為（82〇)歐 姆。圖4中串聯耦合之金屬氧化半導體電晶體（Q2a)及 (Q2b)取代圖1之可控轉換配置（3〇〇)中所含之轉換電晶體 (Q2)/電晶體（Q2a)之導流汲極經結合端點（67)耦合至電 晶體（Q2b)之導流汲極。電晶體（Q2a)之導流源極耦合至圖 1之端點（64)。圖4中電晶體（Q2b)之導流源極取代圖1電 印體（Q2)之導流汲極’而轉合至端點（65)。圖4電晶體 (Q2a，Q2b)之閘極皆耦合至圖1端點（66)。 圖5a，5b及5c顯示之波形用以說明圖！電路（1〇〇)之第 二操作模式’其含與第三操作模式相關之前述組件值t例 如其中電流（lx)乃以恒定速率調變者。圖1，2a，2b， 2c , 3a，3b , 3c , 4 , 5a , 5b及5c中類似符號與數字表

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580663 A7 B7 五、發明説明（13 ) 示類似之項目或功能。 在第三操作模式中，圖4中轉換電晶體（Q2a)及電晶體 (Q2b)之順向偏壓内建式二極體（DQ2a)呈串聯耦合，並於 間距（T1”）及緊隨之圖5a之間距（T2，，）期間導電。間距 (T1”）及（T2”）乃出現於圖5 c之掃描部分（ILy)期間。間距 (T2”）在圖5c之掃描部分（ILy)中心時點（Ttc)之前結束。 圖4中轉換電晶體（Q2b)及電晶體（Q2a)之順向偏壓内建式 二極體（DQ2c)呈串聯耦合，並於間距（T3，，）及緊隨之圖5a 之間距（T4”）期間導電。間距（T3，，）及（T4”）亦出現於圖5e 之掃描部分（ILy)期間。間距（T3，，）於圖5c中掃描部分（ILy) 中心時點.（Ttc)之緊後開始，以使電晶體（Q2a)&(Q2b)於 間距（T 2 ’’）與間距（T 3 ’’）兩者間所發生之間距（τ S，，）期間皆 不導電。間距（T4”）於圖5 c中掃描部分（ILy)終止前結束。 在間距（T1”）及（T2，，）期間，圖1中諧振電路（1〇1)由電 谷器（Cs)中電壓（VCs)激勵。因而於圖1之電路（1〇1)中產 生圖5a中電流（IX)之負性部分。此電流（Ix)之負性部分於 圖5a之間距（T1，，）與（T2，，）期間，以正弦波形（18〇-36〇)度 間變化方式而改變。同樣，於圖5 a中間距（τ 3，，）與（T 4，，） 期間’此等間距就中心時點而言分別與間距（Τ 1，，）及（τ 2，，） 對稱’故亦產生圖5a中電流（Ιχ)之正性部分。此電流（Ιχ) 之正性部分於圖5a之間距（Τ3，，）與（Τ4，，）期間，以正弦波 形（0-180)度間變化方式而改變。在與中心時點（Ttc)相對 稱之間距（T5”）期間’圖4中電晶體（Q2a)及（Q2b)皆呈截 止，而圖5c中電流（Ιχ)為零。 -17·

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k 五、發明説明（14 圖5b顯示激勵信號（6〇a，，）之波形。圖4中電晶體（Q2a)在 圖5b中信號（60a，，）呈低狀態時，呈順向導電。而圖$中電 晶體（Q2b)則在圖5b中信號（60a，，）呈高狀態時，呈順向導 電。此種方法產生最低之外部針墊串擾，且因在返驰間距 期間電流（lx)為零，故無返驰時之調變。 為獲得圖1中電流（lx)之垂直率調變，需要一對稱電路 控制（未顯示）以提供圖5 a，5 b及5 c中之調變的修正。調變 修正或需將圖5b中激勵信號（60a，，）之過渡邊緣（6〇a，，(A))以 垂直率移相一可變量。同時，激勵信號（6〇a，，(B))過渡邊緣 之移相應由同一可變量但為反方向，且與中心時點（TfC)對 稱而達成。 第一，第二及第三操作模式可分立實施，或依陰極射線 管螢幕上空間幾何誤差分佈而合併之。第一操作模式提供 於水平掃描中心之最高“S”整形調變。第二操作模式提供 於水平掃描邊界之最高“S”整形調變。第三操作模式提供 於水平掃描四分之一及四分之三處之最高“s，，整形調變。 由於各操作模式能於陰極射線管螢幕之垂直方向採用調 變’故此等操作模式提供陰極射線管應用方面之各種問題 之解決方法。 ____-18- 本紙張尺度適用中S g家料(CNS) Α4規格(21GX297公爱)

Claims (1)

1. 580663 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一種具光域失真修正功能之偏轉裝置，含有： 偏轉繞組（Ly)，耦合至返驰電容（cia)以於返馳間距 期間構成返驰諧振電路，並耦合至掃描電容器（Cs)以於 掃描間距期間構成包括該偏轉繞組與掃描電容器之第一 掃描諧振電路； 第一轉換半導體（Q1)，響應與第一偏轉頻率（水平）相 關頻率之同步第一信號（50)，並耦合至該偏轉繞組，以 於孩同步第一信號所同步之偏轉繞組内產生偏轉電流 (ILy)； 碉變電感器（Lx)，於掃描間距期間耦合入第二掃描諧 振電路（Lx，C?〇 ; 碉變第二信號（ipc0r)之源，其屬第二偏轉頻率（垂直） 相關之頻率上；以及該裝置之特點為： 第二轉換半導體（Q2)響應第一及第二信號，於掃描 間距之罘一部分期間（掃描部分在圖3a-3c中T1及T2 之外）具第一轉換狀態（關斷），且於掃描間距之第二部 分期間（T1及T2)具第二轉換狀態（接通），該第一及第 二部分依第二信號而變化，該第二轉換半導體耦合至 調變電感，以於調變電感與掃描電容器中產生調變電 流（lx)，以調變依第二信號在掃描電容器中所生成之 電壓（VCs)，而提供光域失真修正。 2·如申凊專利範圍第i項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置其特點在於該掃描電容器電壓（VCs)經調變以提供 “S”形修正。 " 適家樣準(CNS) A4規格(摩撕公釐) 19· 六、申請專利範圍 3·如申請專利範圍第.j項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置其另一特點為脈寬調變器（60),響應同步第一信號 (60b)及調變第二信號（Ipc〇r)以控制第二轉換半導體 (Q2)之轉換狀態。 s 4·如申請專利範圍第丨項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其另一特點為調變電容（Cx),耦合至掃描電容器 (Cs)及調變電感（Lx),以於掃描間距之第二部分期間 (圖3a-3c T1及T2)構成第二掃描諧振電路(Cx，“）。 5·如申請專利項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其另一特點為東-西光域失真修正電路（qew， Lew)，響應與垂直偏轉頻率相關頻率上之調變第三信號 (E/W-DRIVE),以提供東-西光域失真之修正。 … 6.如申請專利範圍第5項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其特點在於該東·西光域失真修正電路（QEW， 含有一二極體調變器。 7·如申請牟利範圍第1項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其另一特點為轉換控制器（60)，響應該調變第二信 號（IPWR)及反饋信號（pb)以控制負反饋封閉環路中之第 二轉換半導體（Q2)。 &如申請專利範圍第7項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其特點在於該反饋信號（Fb)係於電流感測器中產 生。 9 ·如申請專利範圍第丨項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其特點在於第二轉換半導體（q2)於掃描間距之第二 本紙張尺度適財® 8家料(CNS) A4規格(2似297公董） •20- 申請專利範圍 部分期間將該調變電咸 於掃尸·間阳、^心（LX)耦合至掃描電容器（Cs)，而 分），+之罘一邵分期間（T1及丁2以外之掃描部 刀，夺琢電感自掃描電容器解麵。 10·如申，範圍第9項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置、、特點在於掃描間距之第二部分(圖3a_3c，口及 )，就掃描間距之中心而言乃屬對稱配置。 11·如申料㈣圍第9項之具光域失真修正功能之偏轉裝 ，其特點在於該掃描間距之第二部分乃於每掃描間距 期間以非鄰接方式配置者。 申明專利範圍第9項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其特點在於該掃描間距之第二部分（τι，，，丁2，，， Τ3，Τ4 )乃就返驰間距之中心而以對稱配置者。 13.如申請專利範圍第!項之具光域失真修正功能之偏轉裝 置，其特點在於該第-轉換半導體包含第_轉換電晶體 (Q1),且其中第二轉換半導體（Q2)包含第二轉換電晶 體。 14·種具光域失真修正功能之偏轉裝置，包含： 偏轉繞組（Ly),耦合至返馳電容器（cla)以於返驰間 距期間構成返驰諧振電路； 率 以 第一轉換半導體（Q1),響應第一偏轉頻率相關之頻 (水平）< 同步第一信號（5 〇 ),並耦合至該偏轉繞組， 於與同步第一信號相同步之偏轉繞組中產生調變電 (ILy)； 一阻抗（Lx，Ly);且其特點為： -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 580663 A8 B8 C8 申請專利範圍 第二轉換半導艟（Q2)響應該第一信號，並於掃描間 距之第一部分期間（圖3a_3c，丁夏及丁]之外）具第一轉 換狀態（切斷），且於該掃描間距之第二部分期間（τι 及T2)具第二轉換狀態（接通），該第二轉換半導體耦 合至該阻抗及偏轉繞組，以於掃描間距之第二部分期 間在該阻抗中產生調變電流（lx); 與第二偏轉頻率（垂直）相關頻率之調變第二信號 (IPcor)之源；以及 調變器（60)響應調變第二信號及指示調變電流之反饋 信號（Fb)，並耦合至該第二轉換半導體，以控制負反饋 封閉環路中之第二轉換半導體。 15·如申請專利範圍第14項之具光域失真修正功能之偏轉 裝置，其特點在於該阻抗（Lx，Ly)含有調變電感器 (Lx)，耦合至“S”形電容器（Cs)構成諧振電路，以提供 調變之“S”修正。

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