TW579386B - Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent - Google Patents
Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent Download PDFInfo
- Publication number
- TW579386B TW579386B TW087121277A TW87121277A TW579386B TW 579386 B TW579386 B TW 579386B TW 087121277 A TW087121277 A TW 087121277A TW 87121277 A TW87121277 A TW 87121277A TW 579386 B TW579386 B TW 579386B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- fluoride
- scope
- item
- patent application
- chemical formulation
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title abstract description 16
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- -1 BPSG and PSG layers Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 5
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N malic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O triethanolammonium Chemical compound OCC[NH+](CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 4
- 229940049920 malate Drugs 0.000 claims description 3
- HGLYTTWJVOQBNH-UHFFFAOYSA-M [F-].F[N+](F)(F)F Chemical compound [F-].F[N+](F)(F)F HGLYTTWJVOQBNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BEGYIGUSONFFPM-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.OC(=O)C(O)=O.OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CNCC(O)=O Chemical compound OB(O)O.OC(=O)C(O)=O.OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CNCC(O)=O BEGYIGUSONFFPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 1
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L Malonate Chemical compound [O-]C(=O)CC([O-])=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- QDQUEZGOEPABPZ-UHFFFAOYSA-N N(CCO)(CCO)CCO.CN(CCN(CCN(C)C)C)C.C1(CCCCC1)NC1CCCCC1 Chemical compound N(CCO)(CCO)CCO.CN(CCN(CCN(C)C)C)C.C1(CCCCC1)NC1CCCCC1 QDQUEZGOEPABPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RMLFFXFBUSQFJY-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C(O)=O.OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O Chemical compound OC(=O)C(O)=O.OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O RMLFFXFBUSQFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DOHHWWVVHONAGP-UHFFFAOYSA-N [Cl-].[NH4+].[F] Chemical compound [Cl-].[NH4+].[F] DOHHWWVVHONAGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XFCFYXYRYOKBJS-UHFFFAOYSA-N [F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+] XFCFYXYRYOKBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims 1
- HXQOOYKLTKQCRR-UHFFFAOYSA-N oxalyl fluoride Chemical compound FC(=O)C(F)=O HXQOOYKLTKQCRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XYZHJCFOXMAZHY-UHFFFAOYSA-J tetramethylazanium tetrafluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)C.[F-].[F-].[F-].C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C XYZHJCFOXMAZHY-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241000237519 Bivalvia Species 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical class N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical class [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRWRYXRXVZEJKF-UHFFFAOYSA-N beryllium;ethane Chemical class [Be+2].[CH2-]C.[CH2-]C VRWRYXRXVZEJKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- AMMDUCMWSZNHCB-UHFFFAOYSA-N butanedioic acid 2-(carboxymethylamino)acetic acid oxalic acid propanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CNCC(O)=O AMMDUCMWSZNHCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000020639 clam Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N n'-amino-n-iminomethanimidamide Chemical compound N\N=C\N=N VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N renifolin D Natural products CC(=C)[C@@H]1Cc2c(O)c(O)ccc2[C@H]1CC(=O)c3ccc(O)cc3O BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 五、發明說明（1) 本發明一般性地有關於蝕刻不同種類氧化矽的蝕刻劑調 配物，且特別有關於在不同的相對蝕刻速率下，較之於前 用技藝之蝕刻劑更足以蝕刻不同種類氧化矽的蝕刻劑調配 物；本發明的調配物包括螯合劑、氟化鹽、二元醇溶劑， 及選用之胺。 背景和前用技藝 多種不同種類的氧化矽被使用於製造半導體元件。其中 兩種最常用的種類被稱為「熱氧化物」（thermal oxide) 和「B PS G」。熱氧化物典型地係由純二氧化矽組成並且當 需要絕緣層的時條被使用。例如，熱氧化石夕的薄「堰板」 (ga t e)層時常被使用於相互分開傳導層。在半導體晶B上 的熱氧化物層通常得自高溫氧化作用在聚矽晶圓上的表面 矽。B P S G層包含摻雜硼和磷的氧化矽。這些層係用為「收 集」鹼金屬離子雜質的目的，否則該等雜質會遷移至下面 的層且對層材料的電性質造成逆效應而致使元件的可信度 降低。BPSG層之製得典型地係藉由大氣化學蒸氣沉積 ("CVDn )以沉積適當的前軀物物質，再而熱處理以強化及 平面化該層。PSG層如同BPSG層相同地做為收集功能，但 不含硼。 如將於下文中所述之不同前案技藝中的調配物用於蝕刻 不同種類的氧化矽化合物，典型地在蝕刻B P S G層和P S G層 較之於熱氧化物層更為快速，此情形在製造半導體元件時 有時會成為一種限制因素。 氫氟酸水溶液的範圍可由極稀釋的溶液（< 1 %重量）至濃 縮液（至高至4 9 %重量）。該等溶液的缺點除了缺少選擇性
O:\56\56352-911106.ptc 第5頁 579386 --麵87121277_月 日 修正 _ 五、發明說明（2) 外’具有極高的蝕刻速率及金屬腐蝕性，其使它們僅適於 在未存有曝露金屬下大量飯刻氧化石夕。 氟化氫的非水溶液，Gaj da，u. S. 4, 2 3 0, 5 2 3，揭示一 種在有機溶劑，例如甘油或另外的多元醇，的氟化氫蝕刻 劑溶液。該溶液使用於蝕刻二氧化矽而不蝕刻矽。
Watanabe及其研究同仁在U.S· 5,112,437中揭示一種氟化 氫氣體在甲咢中的溶液，其係使用於由半導體基質中移除 氧化矽。 經緩衝的氧化物蝕刻劑（"BOE s")含有氟化銨（或聚氟化 烧基銨）溶液和氫氟酸溶液。Oh m丨及其研究同仁在u · S · 5， 2 7 7，8 3 5中揭示氟化氫的水溶液和氟化銨的水溶液使用-於 半導體晶圓的表面清潔。Kiusbron及其研究同仁在U.S. 4，3 4 3，6 7 7中使用在水/乙二醇溶劑中的氟化銨/氫氟酸為 約10:1莫耳比率來圖案化二氧化矽薄膜。R〇che在us· 4，921，572中揭示由水、鼠化氫、和二氟化伸乙基二鈹或 二氟化二伸乙基三銨製得的姓刻劑水溶液使用於钱刻二氧 化矽。 氟化銨水溶液 ’Scardera 和 Roche，U.S. 4，871，422， 揭示由氟化銨與於水中之濕潤劑所組成之溶液使用於姓刻 二氧化矽。 氟化錄非水溶液，B 〇 w d e η和S w i t a 1 s k i，u. S . 5,320,709，揭不^一種由無水亂化敍在乙二醇中之溶液所 組成之蝕刻劑使用於移除有機金屬和有機矽殘餘物。 相關之溶液’Ward及其研究同仁’U.S· 5,571,447 ,揭 示剝離組成物，其含有氟硼酸、水、不同於乙二醇之多元
O:\56\56352-911106.ptc 第6頁 579386 案號 87121277 五、發明說明（3) 醇，和含氟化合物- 前 案技藝中之所有溶液均有其限 物層，它們更快速地蝕刻BPSG層和’即為較之於埶 藝中之溶液^言，BPSG對熱氧化物^層。對所有前案 1。換句話說，BPSG層之蝕刻比熱化刻迷率比率為〃 倍。另一種說明為’ BPSG對熱氧化匕物層更快逮約四勺 性」為4 : 1。以發明者之知識而言，、蝕刻迷率「 商用蝕刻溶液可避免此限制。 未有任何前案技蓺戋 發明概$ 本發明的調配物以速率大於戋 例如熱氧化物，之钕刻速率钱刻、摻雜之氧化砂， BPSG和PSG層。這些調配物具有聲^雜之氧化矽夕’ 為弱至中度的酸（〇 .丨_丨〇% ; Q蜊的一般組 其可為，化錄，或氣化銨或==2-2.8%) I::佳 (1 . 65-7% ,較佳為2. 25_7%);二 的―有機衍生物 佳為9 0 - 9 8 % );和選用之胺。 。〉谷劑（7 1 — 9 8 · 2 5 % ; j 本發明之另一個優點為所含之氧= = =。 刻。 +導體兀件可使用實質均勻的蝕刻速 本發明之上述及其他優點在參閱下列詳細敘述後更 解。 鲛佳具體實施例的詳細敘述 本發明#刻劑調配物，其在半導體應用時不易或不 本發明之-個優點為含有換雜氧 刻速率大於或等於未摻雜氧化矽層^^的物品可使月 本發明之另 優點為所含
O:\56\56352-911i06.ptc 第7頁 579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 五、發明說明（4) 以前案技藝之濕式化學方法達到蝕刻特定種類氧化矽之速 率下足以使用。本發明的目標為提供蝕刻劑調配物，其對 經摻雜之氧化矽，例如BPSG和PSG層，之蝕刻速率顯示出 相同或更高於未經摻雜之氧化矽，例如熱氧化物。本發明 之詳細調配物將被敘述。通常，調配物成分包含： 1.螯合劑，較佳為弱至中度的酸（〇 . 1 - 1 〇 % ;較佳為 0 · 2 - 2 · 8 〇/〇 )。 2 .氟化鹽，其可為氟化銨，或氟化銨或聚氟化銨的有機 衍生物（1.6 5-7% ;較佳為2. 25-7%)。 3 ·二元醇溶劑（7 1 - 9 8 · 2 5 % ;較佳為9 0 - 9 8 % );和 4.選用之胺。 須要認知的是，上述之各種組份之相對比例在本發明廣 闊的實施範圍下可以有大幅度的變化。舉例來說，在本發 明之一具體實施例中，若選用之胺組份存在時，二元醇溶 劑可以在大約7 3 - 9 8 . 2 5 %的範圍内，又例如，在另一具體 實施例中，若選用之胺組份不存在時，在調配物中的二元 醇溶劑可以具有約8 3 - 9 8 · 2 5 %以調配物重量計之濃度。 較佳的螯合劑為： 亞胺基二乙酸 丙二酸 草酸 琥珀酸 可產生可接受結果之其他螯合劑為： 硼酸 鄰苯二酚
O:\56\56352-911106.ptc 第8頁 579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 五、發明說明（5) 蘋果酸 2, 4-戊基二酮 螯合劑通常含有二個羧酸基，或二個羥基，或二個羰 基，以致於在螯合劑中的二個基相互地靠近。也是弱至中 度的酸且在結構上相似於上述之其他螯合劑亦預期為適當 者。 較佳的氟化鹽為： 氟化銨 三氟化五甲基二伸乙基三4安 氟化四曱基銨 氟化三乙醇銨 其他之氟化銨有機衍生物預期具有相同的功能。較佳的 溶劑為乙二醇，然而其他的二元醇溶劑亦預期為適當者。 較佳的選用胺為： 二環己基胺 五甲基二伸乙基三胺 三乙醇胺 當使用胺時，其數量為足夠地少使調配物溶液的酸鹼值 不大於7. 0。 其亦預期，併用選用之成份，例如界面活性劑、安定 劑、腐#抑制劑、緩衝劑、和有機共溶劑，對熟於此藝者 而言為顯而易知的添加。 較佳調配物實施例 草酸 2 · 5 °/〇 氟化四曱基銨 4.5%
O:\56\56352-911106.ptc 第9頁 579386 案號 87121277 Λ_η 修正 五、發明說明（6) 乙二醇 9 3% 草酸 三氟化五甲基二伸乙基三銨 乙二醇 1.3% 4. 6 °/〇 9 4. 1 °/〇 草酸 氟化三乙醇銨 乙二醇 1.25% 5%93.75% 丙二酸 氟化四曱基銨 乙二醇 2. 8 °/〇 5. 1 °/〇 9 2. I % 亞胺基二乙酸 氟化銨 乙二醇 2% 7% 9 1% 號珀酸 2.8% 氟化銨 5 % 乙二醇 92.2% 當相較於未含胺之調配物，沒有任何一種含胺調配物為 較佳者，然而，一種具有顯著效果之含胺調配物為： 2, 4-戊 氟化銨 Μ 10% 5%
O:\56\56352-911106.ptc 第10頁 579386 _案號87121277_年月日 修正_ 五、發明說明（7) 五甲基二伸乙基三胺 10% 乙二醇 7 5 % 所使用之氧化矽種類及蝕刻速率之測定 二種類型氧化石夕層之#刻速率被測定，其係在#刻前及 以不同時間蝕刻後測定該等層的厚度。二種類型的氧化矽 層為： 在矽晶圓上之熱成長氧化矽層（1000埃（Angstroms) 厚）。 在矽晶圓上含有約5%硼和8%磷之CVD-沉積之BPSG氧化物 層（ 4 8 0 0埃厚）。 較佳處理條件 一 晶圓層處理包括在2 0 - 6 0 °C下該晶圓浸潰於調配物浴中 3 0分鐘，接著以去離子水清洗且以氮氣流乾燥。其係預期 該等調配物亦可使用自動化喷霧工具藉由喷霧而施加至晶 圓上，接著以水清洗。 上述之較佳調配物在溫度2 0 - 6 0 °C下對兩種類型之氧化 物均顯示出每分鐘4-7埃的蝕刻速率。較佳調配物中熱氧 化物：B P S G的蝕刻速率比為在1 : 1 . 3至1 : 0. 2 7的範圍。發 明者預期，相似於熱氧化物與BPSG之其他種類氧化矽可能 顯示出類似的選擇性。例如，PSG氧化物為另一種類型經 摻雜之氧化矽，其相似於BPSG，及APCVD氧化物為未摻雜 之氧化石夕，其一般性地顯示相似於熱氧化物的钱刻速率。 由前案技藝中之實施例可知，許多案例中使用相同或相 似的氟化物成份與二元醇，但是其中全未使用螯合劑。在 本發明調配物中成份之組合可得到獨特的蝕刻選擇性性
O:\56\56352-911106.ptc 第11頁 579386 _案號 87121277_年月日___ 五、發明說明（8) 質；此種組合並未存於任何前用技藝之調配物中。 本發明已使用相關的較佳具體實施例敘述。熟於此藝者 應理解，其中可能的一些變更和修改並未偏離本發明的實 際精神和範圍。因此本案發明者意圖以下列的申請專利範 圍涵蓋所有之此類變更與修改且仍包括於本發明的實際精 神和範圍。
O:\56\56352-911106.ptc 第12頁 579386 _案號87121277_年月日 修正 圖式簡單說明 O:\56\56352-911106.ptc 第13頁
Claims (1)
- 579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 亞胺基二乙酸 丙二酸 草酸 琥珀酸。 6. 根據申請專利範圍第2項之化學調配物，其中該螯合 劑係選自包含： 亞胺基二乙酸 丙二酸 草酸 琥珀酸 硼酸 鄰苯二酚 蘋果酸 2，4 -戊基二酮。 7. 根據申請專利範圍第3項之化學調配物，其中該螯合 劑係選自包含： 亞胺基二乙酸 丙二酸 草酸 琥珀酸 硼酸 鄰苯二酚 蘋果酸 2，4 -戊基二酮。O:\56\56352-920923.ptc 第15頁 579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 8 .根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氟化五甲基二伸乙基三按 氟化四甲基銨 氟化三乙醇銨。 9.根據申請專利範圍第2項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氟化五甲基二伸乙基三銨 氟化四甲基銨 氟化三乙醇錄。 1 0.根據申請專利範圍第3項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氟化五曱基二伸乙基三銨 氟化四甲基銨 氟化三乙醇銨。 1 1.根據申請專利範圍第4項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氟化五甲基二伸乙基三I安 氟化四甲基錄 氟化三乙醇銨。O:\56\56352-920923.ptc 第16頁 579386 _案號87121277_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 2.根據申請專利範圍第5項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氣化五甲基二伸乙基三錄 氟化四甲基銨 氟化三乙醇銨。 1 3.根據申請專利範圍第6項之化學調配物，其中該氟化 鹽係選自包含： 氟化銨 三氣化五甲基二伸乙基三敍 氟化四甲基銨 氟化三乙醇銨。 1 4.根據申請專利範圍第3項之化學調配物，其中該胺係 選自包含： 二環己基胺 五甲基二伸乙基三胺 三乙醇胺。 1 5.根據申請專利範圍第5項之化學調配物，其中該胺係 選自包含： 二環己基胺 五甲基二伸乙基三胺 三乙醇胺。 1 6 .根據申請專利範圍第1 0項之化學調配物，其中該胺 係選自包含：O:\56\56352-920923.ptc 第17頁 579386 案號 87121277 Λ_η 曰 修正 六、申請專利範圍 二環己基胺 五甲基二伸乙基三胺 三乙醇胺。 1 7.根據申請專利範圍第1 2項之化學調配物，其中該胺 係選自包含： 二環己基胺 五甲基二伸乙基三胺 三乙醇胺。 1 8.根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 草酸 2.5% 氟化四甲基銨 4.5% 乙二醇 93% 1 9.根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 草酸 1.3% 三氟化五甲基二伸乙基三銨 4.6% 乙二醇 9 4 · Γ/〇 2 0 .根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 草酸 1.25% 氟化三乙醇銨 5 % 乙二醇 93.75% 2 1 .根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 丙二酸 2.8% 氟化四曱基銨 5.1% 乙二醇 92.1%O:\56\56352-920923.ptc 第18頁 579386 案號 87121277 曰 修正 六、申請專利範圍 2 2 ·根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 亞胺基二乙酸 2 % 氟化銨 7 % 乙二醇 9 1 % 2 3.根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其包含： 琥珀酸 2.8% 氟化銨 5 % 乙二醇 92.2% 2 4.根據申請專利範圍第3項之化學調配物，其包含： 2, 4 -戊基二酮 10% 氟化銨 5% 五甲基二伸乙基三胺 10% 乙二醇 7 5 % 2 5.根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其中該氟化 鹽具有，基於調配物之總重，在調配物中1 . 6 5〜7 %之濃 度。 2 6.根據申請專利範圍第1項之化學調配物，其中該二元 醇溶劑具有，基於調配物之總重，在調配物中7 1 %〜 9 8 . 2 5 %之濃度。O:\56\56352-920923.ptc 第19頁 Λ 發明名稱 中文 發明專利說明書 579386 i括·、f合麟二轉劑之娜爾^州刻劑調^ " 英文 %PlElUHANT F〇_LAT^ INCLUDING FLU〇RIDE s此 CHELATING AGENT, AND GLYCOL SOLVENT 二 發明人 姓名 (中文） 1. 風廉A.渥特寇札克 2. 龍恩古顏 3. k帝分A.凡 姓名 (英文） 1. WILLIAM A. WOJTCZAK 2. LONG NGUYEN ' 3. STEPHEN A. FINE 國籍 1.美國2.美國3.美國 住、居所 1.美國加州聖瓊斯市艾倫村街350號 2·美國加州麥珮達斯市愛德衔510號 3.美國麻州匹寶帝市強斯路7號 二 申請人 姓名 (名稱） (tX) 1.美商先進科技材料公司 姓名 (名稱） (英文） 1. ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 國籍 1.美國 住、居所 (事務所) 1·美國康乃迪克州丹伯利市商業大道7號 代表人 姓名 (中文） 1·吳利佛·濟茲曼 代表人 姓名 (英文） 1.OLIVER ZITZMANNO:\56\56352-911106.ptc 第1頁 57938# 案號" 712127! 年 曰 修正 六r▼讀專^範圍 一種用於#刻各種不同類型氧化石夕之化學調配物，其 包含： 硼酸，蘋果酸 之螯合劑，其 %之濃度存在 一種選自由亞胺基二乙酸，丙二酸，草酸，琥珀酸， 與2，4 -戊基二酮所組成之群之弱至中度酸性 中該螯合劑以調配物之總重計以0. 1 -1 0重量 的有 物總 二元 存在 2. 醇溶 3. 括胺 度。 機衍生物 重計以1. 醇溶劑， 種選自由氟化錄、氟化銨的有機衍生物及聚氟化銨 所組成之群之氟化鹽，其中該氟化鹽以調配 65-7重量％之濃度存在；及 其以調配物總重計以7 1 - 9 8 . 2 5重量％之濃度 根據申請 劑以該調 根據申請 ，該胺具 專利範圍第1項之化學調配物，其中該二元 配物總重計以8 3 - 9 8 . 2 5重量％之濃度存在。 專利範圍第1項之化學調配物，其進一步包 有以該調配物總重計呈不超過1 0重量％之濃 4. 根據申請專利範圍第2項之化學調配物，其中該螯合 劑係選自包含： 亞胺基二乙酸 、 丙二酸 草酸 琥珀酸。 5. 根據申請專利範圍第3項之化學調配物，其中該螯合 劑係選自包含：O:\56\56352-920923.ptc 第14頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US6833997P | 1997-12-19 | 1997-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW579386B true TW579386B (en) | 2004-03-11 |
Family
ID=22081929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW087121277A TW579386B (en) | 1997-12-19 | 1998-12-19 | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1062682B1 (zh) |
| JP (1) | JP2001527286A (zh) |
| KR (1) | KR100607530B1 (zh) |
| AT (1) | ATE319186T1 (zh) |
| DE (1) | DE69833692T2 (zh) |
| TW (1) | TW579386B (zh) |
| WO (1) | WO1999033094A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI686461B (zh) * | 2019-02-01 | 2020-03-01 | 才將科技股份有限公司 | 一種具有高矽／二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| EP1680806A4 (en) * | 2003-10-28 | 2008-07-30 | Sachem Inc | CLEANING SOLUTIONS AND MEDICAMENTS AND METHOD FOR THEIR USE |
| US20070207622A1 (en) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Micron Technology, Inc. | Highly selective doped oxide etchant |
| WO2007140193A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Honeywell International Inc. | Selective tantalum carbide etchant, methods of production and uses thereof |
| TWI591158B (zh) * | 2008-03-07 | 2017-07-11 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | 非選擇性氧化物蝕刻濕清潔組合物及使用方法 |
| KR101296797B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2013-08-14 | 구수진 | 폐태양전지로부터 고순도 폴리 실리콘을 회수하는 방법 |
| KR102111056B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2020-05-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 |
| CN112410036B (zh) * | 2020-10-29 | 2021-09-07 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种低选择性的bpsg和peteos薄膜的蚀刻液 |
| JP7395795B1 (ja) | 2022-03-14 | 2023-12-11 | 日本化薬株式会社 | 処理液およびその使用方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3979241A (en) * | 1968-12-28 | 1976-09-07 | Fujitsu Ltd. | Method of etching films of silicon nitride and silicon dioxide |
| US4568540A (en) * | 1984-04-18 | 1986-02-04 | Johnson & Johnson | Oral hygiene compositions |
| US4921572A (en) * | 1989-05-04 | 1990-05-01 | Olin Corporation | Etchant solutions containing hydrogen fluoride and a polyammonium fluoride salt |
| SU1737024A1 (ru) * | 1990-01-02 | 1992-05-30 | Новочеркасский Политехнический Институт Им.Серго Орджоникидзе | Электролит блест щего никелировани |
| US5320709A (en) * | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
| US5421906A (en) * | 1993-04-05 | 1995-06-06 | Enclean Environmental Services Group, Inc. | Methods for removal of contaminants from surfaces |
| US5571447A (en) * | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
| US5698503A (en) * | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
-
1998
- 1998-12-16 AT AT98964096T patent/ATE319186T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-12-16 EP EP98964096A patent/EP1062682B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-16 DE DE69833692T patent/DE69833692T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-16 KR KR1020007006817A patent/KR100607530B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-12-16 WO PCT/US1998/026989 patent/WO1999033094A1/en active IP Right Grant
- 1998-12-16 JP JP2000525910A patent/JP2001527286A/ja active Pending
- 1998-12-19 TW TW087121277A patent/TW579386B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI686461B (zh) * | 2019-02-01 | 2020-03-01 | 才將科技股份有限公司 | 一種具有高矽／二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1062682A1 (en) | 2000-12-27 |
| DE69833692T2 (de) | 2006-11-23 |
| ATE319186T1 (de) | 2006-03-15 |
| WO1999033094A1 (en) | 1999-07-01 |
| EP1062682A4 (en) | 2001-07-04 |
| EP1062682B1 (en) | 2006-03-01 |
| JP2001527286A (ja) | 2001-12-25 |
| KR20010033352A (ko) | 2001-04-25 |
| DE69833692D1 (de) | 2006-04-27 |
| KR100607530B1 (ko) | 2006-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6383410B1 (en) | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent | |
| KR102330127B1 (ko) | 에칭 조성물 | |
| US7938982B2 (en) | Silicon wafer etching compositions | |
| JP2000133631A (ja) | 窒化ケイ素膜の選択的腐食組成物および方法 | |
| TW579386B (en) | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent | |
| KR102283723B1 (ko) | 표면 잔류물 제거용 세정 제형 | |
| KR102071598B1 (ko) | 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 | |
| TW201527523A (zh) | 用來移除表面殘餘物的清洗調配物 | |
| EP1680806A2 (en) | Cleaning solutions and etchants and methods for using same | |
| EP3389083A1 (en) | WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME | |
| TW201938622A (zh) | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 | |
| TWI746935B (zh) | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 | |
| CN112410036B (zh) | 一种低选择性的bpsg和peteos薄膜的蚀刻液 | |
| CN111742392A (zh) | 抑制了氧化铝的损伤的组合物及使用了其的半导体基板的制造方法 | |
| JP2005166924A5 (zh) | ||
| JP7180667B2 (ja) | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 | |
| JP2020097765A (ja) | エッチング液、被処理体の処理方法、及び半導体素子の製造方法。 | |
| KR102071599B1 (ko) | 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 | |
| TWI686461B (zh) | 一種具有高矽／二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 | |
| EP3850123B1 (en) | Etching compositions | |
| KR20090020815A (ko) | 실리콘/실리콘산화물의 세정 및 식각 조성물 | |
| JP2002134468A (ja) | 犠牲またはマスク酸化膜除去液 | |
| JP2005109318A (ja) | 酸化タンタルのエッチング用組成物 | |
| TW202208596A (zh) | 矽蝕刻液以及使用該蝕刻液之矽元件之製造方法及矽基板之處理方法 | |
| JP2005109319A (ja) | 酸化タンタルのエッチング用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |