TWI686461B - 一種具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 - Google Patents
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- TWI686461B TWI686461B TW108104163A TW108104163A TWI686461B TW I686461 B TWI686461 B TW I686461B TW 108104163 A TW108104163 A TW 108104163A TW 108104163 A TW108104163 A TW 108104163A TW I686461 B TWI686461 B TW I686461B
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 100
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- RNVYQYLELCKWAN-UHFFFAOYSA-N solketal Chemical compound CC1(C)OCC(CO)O1 RNVYQYLELCKWAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims description 4
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims description 4
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- GVIVQCNNFDHBAG-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3-dioxole Chemical compound CC1(C)OC=CO1 GVIVQCNNFDHBAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YYEZYENJAMOWHW-UHFFFAOYSA-N 2-(2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl)ethanol Chemical compound CC1(C)OCC(CCO)O1 YYEZYENJAMOWHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 41
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- ZVVOWUWUXVCFHC-UHFFFAOYSA-N CC1(OCC(O1)CCO)C.CC1(OCC(O1)CCO)C Chemical compound CC1(OCC(O1)CCO)C.CC1(OCC(O1)CCO)C ZVVOWUWUXVCFHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZYHICNHOBCFQCD-UHFFFAOYSA-N CC1(OCC(O1)CN)C.CC1(OCC(O1)CN)C Chemical compound CC1(OCC(O1)CN)C.CC1(OCC(O1)CN)C ZYHICNHOBCFQCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- CQBPOPVKDNHISM-UHFFFAOYSA-N propane-1,2,3-triol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.OCC(O)CO CQBPOPVKDNHISM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXOYWCSTHVTLOW-UHFFFAOYSA-N (2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl)methanamine Chemical compound CC1(C)OCC(CN)O1 HXOYWCSTHVTLOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SIJBDWPVNAYVGY-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3-dioxolane Chemical compound CC1(C)OCCO1 SIJBDWPVNAYVGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNPOTXLWPZOESZ-UHFFFAOYSA-N CC1(C)OC(CCl)CO1 Chemical compound CC1(C)OC(CCl)CO1 BNPOTXLWPZOESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RVPAGRVOSVAXSH-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylmethanamine;ethanol Chemical compound CCO.CN(C)C RVPAGRVOSVAXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
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- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本發明係關於一種具有高矽/二氧化矽蝕刻選擇比的矽蝕刻劑及其應用。所述的矽蝕刻劑包含至少一縮酮類化合物和至少一四級銨氫氧化物,以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是20~99重量%,該四級銨氫氧化物所佔的重量百分比是0.1~10重量%。
Description
本發明係關於一種具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用。特別的,上述具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑包含至少一縮酮類化合物和至少一四級銨氫氧化物,且矽/二氧化矽蝕刻選擇比大於500。該具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑是應用在半導體奈米製程的矽圖案蝕刻程序。
在半導體先進的奈米製程,必須進行微小線寬的矽圖案蝕刻程序,且同時需要保護二氧化矽絕緣層及介電層結構,因此在半導體先進的奈米製程中需要使用特殊的矽蝕刻劑。
習知的矽蝕刻劑的組成包含四級銨、有機胺和多元醇,但是此類型的矽蝕刻劑會腐蝕二氧化矽,因此無法保護
二氧化矽絕緣層和介電層結構,所以不能應用在半導體奈米製程中的矽圖案蝕刻程序。
目前半導體奈米製程的蝕刻程序所使用的矽蝕刻劑未能有效保護二氧化矽絕緣層和介電層結構,所以無法在更先進的製程達到微縮線寬的矽圖案蝕刻的效果,導致製程良率過低,無法符合產業需求。有鑒於此,開發一具有高蝕刻選擇性的矽蝕刻劑是目前半導體產業亟需研究開發的技術領域。
鑒於上述之發明背景,為了符合產業上之要求,本發明之第一目的在於提供一種矽蝕刻劑,該矽蝕刻劑具有高矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比,因此能有效地保護二氧化矽絕緣層和介電層結構,並應用在半導體奈米製程的矽圖案蝕刻程序。
具體地,本發明所提供的矽蝕刻劑具有大於500:1矽/二氧化矽蝕刻的選擇比;所述的矽蝕刻劑包含至少一縮酮類化合物和至少一四級銨氫氧化物;以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是20~99重量%,該四級銨氫氧化物所佔的重量百分比是0.1~10重量%。較佳地,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是60~90重量%。
本發明所述的縮酮類化合物之一具有以下的結構通式:其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支的碳數1~6的烷基。
較佳地,本發明所述的縮酮類化合物還包含2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲醇(丙酮縮甘油,2,2-Dimethyl-1,3-dioxolane-4-methanol)、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-乙醇(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-ethanol)、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲基氯(4-Chloromethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane)和2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲胺(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-methylamine)。
本發明所述的四級銨氫氧化物具有R5R6R7R8N+OH-的結構通式,其中R5、R6、R7及R8可獨立為相同或不同之直鏈或分支的碳數1-4的烷基或碳數1-4的醇。
本發明之第二目的在於提供一種矽圖案的蝕刻方法,該矽圖案的蝕刻方法係使用本發明第一目的所述的矽蝕刻劑。該矽蝕刻劑具有高矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比,因此能有效地保護二氧化矽絕緣層和介電層結構,減少蝕刻程序中二氧化矽絕緣層及介電層結構的腐蝕損害,非常適合
應用在半導體先進的奈米製程進行微小線寬的矽圖案蝕刻。
具體的,上述的矽蝕刻劑對矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比是大於500:1。較佳地,上述的矽蝕刻劑對矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比是在1000:1以上。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中],將可清楚的呈現。為了能徹底地瞭解本發明,將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地,本發明的施行並未限定於該領域之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面,眾所周知的組成或步驟並未描述於細節中,以避免造成本發明不必要之限制。本發明的較佳實施例會詳細描述如下,然而除了這些詳細描述之外,本發明還可以廣泛地施行在其他的實施例中,且本發明的範圍不受限定,其以之後的專利範圍為準。
根據本發明第一實施例,本發明提供一種矽蝕刻劑,該矽蝕刻劑包含至少一縮酮類化合物和至少一四級銨氫氧化物,以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是20~99重量%,該四級銨氫氧化物所佔的重量百
分比是0.1~10重量%。
於一較佳實施例,本發明所述的矽蝕刻劑,以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是60~90重量%。
於一實施例,本發明所述的縮酮類化合物之一具有以下的結構通式:其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支的碳數1~6的烷基。
於一較佳實施例,本發明所述的縮酮類化合物包含:2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲醇(丙酮縮甘油,2,2-Dimethyl-1,3-dioxolane-4-methanol)、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-乙醇(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-ethanol)、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲基氯(4-Chloromethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane)和2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲胺(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-methylamine)。
上述之2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲醇(丙酮縮甘油,2,2-Dimethyl-1,3-dioxolane-4-methanol)具有如下的結構式。
上述之2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-乙醇(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-ethanol)具有如下的結構式。
上述之2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲基氯(4-Chloromethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane)具有如下的結構式。
上述之2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲胺(2,2-dimethyl-1,3-dioxolane-4-methylamine)具有如下的結構式。
於一實施例,本發明所述的四級銨氫氧化物具有R5R6R7R8N+OH-的結構通式,其中R5、R6、R7及R8可獨立為
相同或不同之直鏈或分支的碳數1-4的烷基或碳數1-4的醇。
於一較佳實施例,本發明所述的四級銨氫氧化物包含:氫氧化四甲基銨(TMAH;Tetramethylammonium hydroxide)、氫氧化四乙基銨(TEAH;Tetraethylammonium hydroxide)、氫氧化乙基三甲基銨(ETMAH;Ethyltrimethylammonium Hydroxide)和氫氧化2-羥基乙基三甲基銨(2-Hydroxyethyl trimethylammonium hydroxide)。
於一實施例,本發明所述的矽蝕刻劑還包含一水性介質。較佳地,該水性介質是水。
於一代表實施例,本發明所述的矽蝕刻劑的組成是上述之縮酮類化合物、上述之四級銨氫氧化物和水。其中以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是20~99重量%,該四級銨氫氧化物所佔的重量百分比是0.1~10重量%,不足重量百分之百的部分,只需要補充水分直到總重量為百分之百。
於一實施例,本發明所述的矽蝕刻劑是一具有矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比大於500:1的矽蝕刻劑。
於一較佳實施例,本發明所述的矽蝕刻劑是一具有矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比大於1000:1的矽蝕刻劑
於一實施例,本發明所述的矽蝕刻劑是應用在半導體奈米製程的矽圖案蝕刻程序。
根據本發明第二實施例,本發明提供一種矽圖案的蝕刻方法,該矽圖案的蝕刻方法係使用本發明第一實施例所述的矽蝕刻劑。該矽蝕刻劑具有高矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比,因此能有效地保護二氧化矽絕緣層和介電層結構,減少蝕刻程序中二氧化矽絕緣層及介電層結構的腐蝕損害,非常適合應用在半導體先進的奈米製程進行微小線寬的矽圖案蝕刻。
以下範例係依據上述實施例所述之內容所進行的實驗,並據此做為本發明的詳細說明。
範例一:矽蝕刻劑的蝕刻率測試和矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比的評估方法
所述的矽蝕刻劑的蝕刻率測試是在溫度為攝氏60℃的環境進行實驗。測試樣本分別是以表面是無晶型矽(a-Si)薄膜,其厚度是2000Å的晶圓(wafer)和表面是二氧化矽(SiO2)薄膜,其厚度是50Å的晶圓(wafer)作為測量矽(Si)蝕刻率和二氧化矽(SiO2)蝕刻率的測試樣本。測量蝕刻率的實驗步驟如下所述:首先以橢圓偏光測厚儀分別測量上述晶圓樣本表面薄膜的初始膜厚X Å,再將該晶圓樣本完全浸泡置入攝氏60℃的蝕刻劑中進行T(2~60)分鐘的晶圓表面薄膜蝕刻,時間到後立即取出晶圓用純水充分清洗乾淨,再以橢圓偏光測厚儀測量得到蝕刻後晶圓表面的薄膜膜厚Y Å。
用以上述實驗方法和計算,可以分別得到矽蝕刻劑對矽(Si)和二氧化矽(SiO2)的蝕刻率。
最後再將Si的蝕刻率除以SiO2的蝕刻率,就可得到所述的矽蝕刻劑的矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比。
根據範例一所述的實驗方法,分別進行實施例1~6和比較例1~5所述的矽蝕刻劑的矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比的評估。實施例1~6和比較例1~5所使用的矽蝕刻劑組成、矽(Si)蝕刻率、二氧化矽(SiO2)蝕刻率和矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比如表一所示。
根據表一所示,實施例1~6是本發明所述包含縮酮
類化合物和四級銨氫氧化物的矽蝕刻劑的實驗結果,其矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比大於500;特別是當矽蝕刻劑的丙酮縮甘油的重量百分比是在60%以上時,其矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比大於1000。相較之下,比較例1~4是習知不包含縮酮類化合物的矽蝕刻劑的實驗結果,其矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比都小於500;比較例5是使用丙酮縮甘油重量百分比低於20%的矽蝕刻劑進行對照實驗,其矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比也小於500;據此,本發明所提供的包含20~99重量%的縮酮類化合物和0.1~10重量%的四級銨氫氧化物的矽蝕刻劑相較於習知的矽蝕刻劑具有提高矽/二氧化矽(Si/SiO2)選擇比的功效。其次,因為本發明所述的矽蝕刻劑具有高於500的矽/二氧化矽(Si/SiO2)蝕刻的選擇比,所以非常適合應用在半導體先進的奈米製程進行微小線寬的矽圖案蝕刻。
以上雖以特定範例說明本發明,但並不因此限定本發明之範圍,只要不脫離本發明之要旨,熟悉本技藝者瞭解在不脫離本發明的意圖及範圍下可進行各種變形或變更。此外,摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用,並非用來限制本發明之權利範圍。
Claims (10)
- 如申請專利範圍第1項所述的矽蝕刻劑,以該矽蝕刻劑的總重量計,該縮酮類化合物所佔的重量百分比是60~90重量%。
- 如申請專利範圍第1項所述的矽蝕刻劑,該縮酮類化合物包含:2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲醇、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-乙醇、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲基氯和2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲胺。
- 如申請專利範圍第1項所述的矽蝕刻劑,該四級銨氫氧化物包含:氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化乙基三甲基銨和氫氧化2-羥基乙基三甲基銨。
- 如申請專利範圍第1項所述的矽蝕刻劑,該矽蝕刻劑還包含一水性介質。
- 如申請專利範圍第5項所述的矽蝕刻劑,該水性介質是水。
- 如申請專利範圍第1項所述的矽蝕刻劑,該矽蝕刻劑是一具有矽/二氧化矽蝕刻的選擇比大於500:1的矽蝕刻劑。
- 如申請專利範圍第1~7項中之任一項所述的矽蝕刻劑,該矽蝕刻劑是應用在半導體奈米製程的矽圖案蝕刻程序。
- 一種矽圖案的蝕刻方法,該矽圖案的蝕刻方法係使用如申請專利範圍第1~7項中之任一項所述的矽蝕刻劑。
- 如申請專利範圍第9項所述的矽圖案的蝕刻方法,該矽圖案的蝕刻方法是應用在半導體奈米製程的蝕刻程序。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108104163A TWI686461B (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 一種具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 |
CN202010015570.3A CN111518561B (zh) | 2019-02-01 | 2020-01-07 | 一种硅蚀刻剂及其应用 |
US16/743,291 US11084981B2 (en) | 2019-02-01 | 2020-01-15 | Silicon etchant with high Si/SiO2 etching selectivity and application thereof |
KR1020200009937A KR102368613B1 (ko) | 2019-02-01 | 2020-01-28 | 실리콘/이산화실리콘의 식각 선택비가 높은 실리콘 식각용액 및 그 적용 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108104163A TWI686461B (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 一種具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI686461B true TWI686461B (zh) | 2020-03-01 |
TW202030311A TW202030311A (zh) | 2020-08-16 |
Family
ID=70766876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108104163A TWI686461B (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 一種具有高矽/二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11084981B2 (zh) |
KR (1) | KR102368613B1 (zh) |
CN (1) | CN111518561B (zh) |
TW (1) | TWI686461B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11959004B2 (en) * | 2020-12-07 | 2024-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Wet anisotropic etching of silicon |
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TW201720903A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-16 | 樹輝 方 | 用以加速碳化矽晶圓化學機械研磨材料移除速率之亞鹵酸鹽碳化矽蝕刻劑 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234299A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | クリーニングガス及びエッチングガス |
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US20080096785A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Stripper Containing an Acetal or Ketal for Removing Post-Etched Photo-Resist, Etch Polymer and Residue |
JP5869368B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2016-02-24 | 富士フイルム株式会社 | キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
KR101913859B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2018-11-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 잉곳 슬라이싱 공정용 접착재료 탈착제 조성물 |
JP6050170B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-12-21 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 |
KR20160084428A (ko) * | 2013-11-08 | 2016-07-13 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 은 나노 재료를 포함하는 투명 전도성 기질의 구조화 방법 |
WO2017064527A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Rhodia Poliamida E Especialidades Ltda | Cleaning formulations with improved performances |
CN108603144B (zh) * | 2016-01-14 | 2022-02-11 | 罗地亚聚酰胺特殊品公司 | 上光剂去除剂配制品 |
-
2019
- 2019-02-01 TW TW108104163A patent/TWI686461B/zh active
-
2020
- 2020-01-07 CN CN202010015570.3A patent/CN111518561B/zh active Active
- 2020-01-15 US US16/743,291 patent/US11084981B2/en active Active
- 2020-01-28 KR KR1020200009937A patent/KR102368613B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102368613B1 (ko) | 2022-02-25 |
KR20200096424A (ko) | 2020-08-12 |
TW202030311A (zh) | 2020-08-16 |
US20200248074A1 (en) | 2020-08-06 |
CN111518561A (zh) | 2020-08-11 |
CN111518561B (zh) | 2021-09-28 |
US11084981B2 (en) | 2021-08-10 |
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