TW201938622A - 用於半導體製程之組成物及半導體製程 - Google Patents
用於半導體製程之組成物及半導體製程 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201938622A TW201938622A TW108107297A TW108107297A TW201938622A TW 201938622 A TW201938622 A TW 201938622A TW 108107297 A TW108107297 A TW 108107297A TW 108107297 A TW108107297 A TW 108107297A TW 201938622 A TW201938622 A TW 201938622A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substituted
- unsubstituted
- composition
- group
- semiconductor process
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 186
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 24
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000000739 C2-C30 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 7
- -1 fluoramine Chemical compound 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMYNYHDLUBOBOQ-UHFFFAOYSA-N C[Ge](C)(C)[Si](Cl)(Cl)Cl Chemical compound C[Ge](C)(C)[Si](Cl)(Cl)Cl ZMYNYHDLUBOBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 239000005947 Dimethoate Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- MCWXGJITAZMZEV-UHFFFAOYSA-N dimethoate Chemical compound CNC(=O)CSP(=S)(OC)OC MCWXGJITAZMZEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- HSZCIIHXQDBPOI-UHFFFAOYSA-N fluorourea Chemical compound NC(=O)NF HSZCIIHXQDBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N germanium dichloride Chemical compound Cl[Ge]Cl QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNPKAOCQMDJBIK-UHFFFAOYSA-N nitrocyanamide Chemical compound [O-][N+](=O)NC#N ZNPKAOCQMDJBIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- PKLMYPSYVKAPOX-UHFFFAOYSA-N tetra(propan-2-yloxy)germane Chemical compound CC(C)O[Ge](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C PKLMYPSYVKAPOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXMNGLIMQIPFEB-UHFFFAOYSA-N tetraethoxygermane Chemical compound CCO[Ge](OCC)(OCC)OCC GXMNGLIMQIPFEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACOVYJCRYLWRLR-UHFFFAOYSA-N tetramethoxygermane Chemical compound CO[Ge](OC)(OC)OC ACOVYJCRYLWRLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- AKDCEFLFIHALOT-UHFFFAOYSA-N trimethyl-tris(trimethylsilyloxy)germyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Ge](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C AKDCEFLFIHALOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/042—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/162—Organic compounds containing Si
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/20—Water-insoluble oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本發明提供一種用於半導體製程之組成物,其包括一包含無機酸或有機酸的第一組分及一包含由式1或2表示之矽化合物的第二組分;及一種半導體製程,其包含使用該組成物來選擇性清潔及/或移除一有機物質或一無機物質。
Description
發明領域
具體實例係關於一種施用至半導體製程的組成物及使用其之半導體製程。
具體實例係關於一種施用至半導體製程的組成物及使用其之半導體製程。
發明背景
半導體係藉由多種製程,在由矽(Si)、砷化鎵(GaAs)或其類似材料作為基礎材料所製得之晶圓上形成一圖案而製造。此用以製造半導體的製程包含多個使用多種有機或無機材料的步驟。特別是,該半導體製程包含諸如晶圓製造製程、氧化製程、曝光製程、蝕刻製程、離子植入製程、沈積製程、研磨製程及清潔製程此等步驟。
半導體係藉由多種製程,在由矽(Si)、砷化鎵(GaAs)或其類似材料作為基礎材料所製得之晶圓上形成一圖案而製造。此用以製造半導體的製程包含多個使用多種有機或無機材料的步驟。特別是,該半導體製程包含諸如晶圓製造製程、氧化製程、曝光製程、蝕刻製程、離子植入製程、沈積製程、研磨製程及清潔製程此等步驟。
特別是,在晶圓製造製程中,將呈二氧化矽或矽酸鹽形式存在的矽加工成多晶矽,然後藉由物理精煉方法加工成單晶矽。生長此單晶矽以製造出圓柱狀晶棒,薄切其並進行研磨以製造出一碟形晶圓。
在氧化製程中,氧化該晶圓以於其表面上形成一氧化矽膜。在該晶圓表面上形成的氧化物膜係提供作為在擴散製程中之保護膜,以保護及安定化該表面及保證該表面電絕緣。
在曝光製程中,使用一具有電路影像的遮罩於該晶圓表面上形成一電路圖案。在該晶圓表面上薄薄塗佈一光阻以形成一光阻膜,及使用曝光設備照射光以於該晶圓上形成一電路。該光阻膜可提供作為在蝕刻製程、離子植入製程及其類似製程中之保護膜。除了光外,該曝光製程可使用電子束或X射線進行。
在蝕刻製程中,選擇性移除上面已經形成該光阻膜圖案的晶圓表面。該蝕刻製程係劃分成溼式製程及乾式製程。在溼式製程中,使用蝕刻溶液來蝕刻。在乾式製程中,使用電漿、濺鍍器、離子束或其類似工具來蝕刻。
在離子植入製程中,將摻雜離子植入晶圓中以將其製成半導體。晶圓在純狀態下不傳導電力。當透過離子植入製程植入離子時,則其允許電力流動。
在沈積製程中,於晶圓上沈積一具有電特徵的材料。至於該沈積製程,可使用諸如化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)方法。
在研磨製程中,研磨粗糙的晶圓表面以形成一鏡面平坦化區域。使用化學及/或機械方法來進行該研磨製程,其可指為CMP(化學機械研磨)製程。在CMP製程中,同步施加化學作用及物理作用二者來研磨晶圓表面。
清潔製程指為用以移除晶圓雜質的任何製程。該清潔製程自該晶圓表面移除不需要的有機或無機物質,因此使得隨後的製程容易。
這些不同半導體製程可經設計而呈如需要的適當順序,以製造出具有多種功能之高品質半導體。此外,在此等半導體製程中使用多種組成物。因為晶圓的製程效率及最後物理性質會依此組成物而變化,重要的任務之一係設計出合適於每種目的的組成物。
發明概要
技術問題
本發明的具體實例提供一種用於半導體製程之組成物,其中該組成物係施用至該半導體製程以提供一具有優良的表面性質之晶圓。
技術問題
本發明的具體實例提供一種用於半導體製程之組成物,其中該組成物係施用至該半導體製程以提供一具有優良的表面性質之晶圓。
本發明的另一個具體實例提供一種半導體製程,其係使用該用於半導體製程的組成物進行。
問題之解決
問題之解決
在本發明的具體實例中,有提供一種用於半導體製程之組成物,其包括一包含無機酸或有機酸的第一組分;及一包含由下列式1表示之化合物或由下列式2表示之化合物的第二組分。
[式1]
[式2]
[式1]
[式2]
在上述式1及2中,R1
至R6
可各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1
-C30
烷基、經取代或未經取代的C1
-C30
烷氧基、經取代或未經取代的C2
-C30
烯基、經取代或未經取代的C2
-C30
炔基、經取代或未經取代的C6
-C30
脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4
-C30
雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6
-C30
芳香族環基團、經取代或未經取代的C4
-C30
雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團、氧化物(=O)基團及下列式3之基團。
[式3]
[式3]
在上述式3中,M係矽(Si)或鍺(Ge);A係選自於單鍵、經取代或未經取代的C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代的C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代的C2
-C30
伸炔基、經取代或未經取代的二價C6
-C30
脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C4
-C30
雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C6
-C30
芳香族環基團、經取代或未經取代的二價C4
-C30
雜芳香族環基團、經取代或未經取代的二價胺基團、-O-、-S-、-S(=O)2
-及-C(=O)-;及
R7 至R9 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團及氧化物(=O)基團。
R7 至R9 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團及氧化物(=O)基團。
在本發明的另一個具體實例中,有提供一種半導體製程,其包含一清潔製程,其中使用該用於半導體製程之組成物來選擇性清潔一有機物質或一無機物質;一移除製程,其中使用該用於半導體製程之組成物來選擇性移除一有機物質或一無機物質;或其二者。
本發明的優良效果
本發明的優良效果
該用於半導體製程的組成物係一種適當地摻合特定組分之組成物。其可施用至一滿足該製造目的之半導體製程以表現出優良功能。經由該製程製造出之半導體可具有改良的品質。
較佳實施例之詳細說明
本發明的優點及特徵及達成其之方法將伴隨著參照於此之後所描述的具體實例變明瞭。但是,本發明不限於下列所描述的具體實例而是可以多種不同形式具體化。提供這些具體實例以便本發明之揭示將透徹及完全,並將本發明之範圍完整傳達給熟習該項技術者。本發明僅由申請專利範圍之範圍界定。
本發明的優點及特徵及達成其之方法將伴隨著參照於此之後所描述的具體實例變明瞭。但是,本發明不限於下列所描述的具體實例而是可以多種不同形式具體化。提供這些具體實例以便本發明之揭示將透徹及完全,並將本發明之範圍完整傳達給熟習該項技術者。本發明僅由申請專利範圍之範圍界定。
此外要了解的是,除非其它方面有指示出,否則與本文所使用的組分、反應條件及其類似表示之量相關的全部數值範圍及用詞係由用語「約」修飾。
此外,如於本文中所使用,用語「經取代」意謂著經選自於由下列所組成之群的至少一種取代:氘、鹵素基團(-F、-Cl、-Br、-I)、羥基、氰基、硝基、胺基、脒基、肼基團、腙基團、酯基團、酮基團、羧基、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烯基、經取代或未經取代的炔基、經取代或未經取代的烷氧基、經取代或未經取代的脂環族有機基團、經取代或未經取代的雜環基團、經取代或未經取代的芳基及經取代或未經取代的雜芳基。上述列舉的取代基可彼此連接以形成一環。
用語「第一」、「第二」及其類似用語於本文中係使用來描述多種組分,及該等組分應該不由該等用語限制。該等用語僅使用於互相區別組分的目的。
在本發明的具體實例中,有提供一種用於半導體製程的組成物,其包括一包含無機酸或有機酸的第一組分;及一包含由下列式1表示之化合物或由下列式2表示之化合物的第二組分。
[式1]
[式2]
[式1]
[式2]
在上述式1及2中,R1
至R6
可各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1
-C30
烷基、經取代或未經取代的C1
-C30
烷氧基、經取代或未經取代的C2
-C30
烯基、經取代或未經取代的C2
-C30
炔基、經取代或未經取代的C6
-C30
脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4
-C30
雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6
-C30
芳香族環基團、經取代或未經取代的C4
-C30
雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團、氧化物(=O)基團及下列式3之基團。
[式3]
[式3]
在上述式3中,M係矽(Si)或鍺(Ge);A係選自於單鍵、經取代或未經取代的C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代的C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代的C2
-C30
伸炔基、經取代或未經取代的二價C6
-C30
脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C4
-C30
雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C6
-C30
芳香族環基團、經取代或未經取代的二價C4
-C30
雜芳香族環基團、經取代或未經取代的二價胺基團、-O-、-S-、-S(=O)2
-及-C(=O)-;及
R7 至R9 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團及氧化物(=O)基團。
R7 至R9 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團及氧化物(=O)基團。
在具體實例中,該第二組分可包含上述式1之化合物。在上述式1中,R1
至R4
可各自獨立地選自於經取代或未經取代的C1
-C30
烷基、經取代或未經取代的C1
-C30
烷氧基、羥基、羰基、羧基、鹵素基團、氧化物(=O)及上述式3之基團。
在此情況中,於上述式3中的M係矽(Si)之情況中,A可選自於單鍵及-O-,及R7
至R9
可各自獨立地選自於經取代或未經取代的C1
-C30
烷基及鹵素基團。
同時期間,在上述式3中的M係鍺(Ge)之情況中,A可選自於單鍵及-O-,及R7
至R9
可各自獨立地選自於經取代或未經取代的C1
-C30
烷基、羰基、羧基及氧化物(=O)基團。
在另一個具體實例中,該第二組分可包含上述式2之化合物。在上述式2中,R5
及R6
可各自獨立地選自於鹵素基團及氧化物(=O)基團。
特別是,該第二組分可包含由下列式1-1至1-10所表示的化合物之至少一種。
在上述式1至3中,鍺(Ge)可係二價或四價。此外,若在R1
至R4
中包含氧化物(=O)基團時,R1
至R4
之二個基團可結合形成一個氧化物(=O)基團。類似地,若在R7
至R9
中包含氧化物(=O)基團時,R7
至R9
之二個基團可結合形成一個氧化物(=O)基團。
在上述式3中,*代表鍵結位置。
如上所述,該用於半導體製程的組成物包含一包括二價或四價鍺(Ge)作為核心金屬的化合物作為該第二組分。因此,其可在清潔或蝕刻及移除製程中具有優良的選擇性。
該用於半導體製程的組成物可進一步包含該第一組分與第二組分之反應產物。
特別是,當將該用於半導體製程的組成物施用至半導體製程時,可相繼地施用該第一組分及第二組分;或可預先混合該第一組分與第二組分,然後施用。
在該第一組分及第二組分係相繼施用至半導體製程的情況中,於該半導體製程中形成該二種組分之反應產物,其係包括在該用於半導體製程的組成物中。同時期間,在預先混合該第一組分與第二組分然後施用至半導體製程之情況中,該二種組分的反應產物可於將其施用至半導體製程前已經在該用於半導體製程的組成物中形成,或該反應產物可於特定溫度條件下在該用於半導體製程的組成物係施用至半導體製程後形成。
同時期間,當該用於半導體製程的組成物係施用至半導體製程時,有可能在該半導體製程之特定製程條件下,該第一組分會彼此反應或該第二組分會彼此反應。在此情況中,該用於半導體製程的組成物可進一步包含該第一組分之反應產物或該第二組分之反應產物。
該用於半導體製程的組成物可依其應用而進一步包含一溶劑。特別是,該溶劑可包含水或極性有機溶劑。在此情況中,與使用非極性有機溶劑的情況比較,該用於半導體製程之組成物具有高清潔或移除效果之優點。
在具體實例中,該極性有機溶劑可包含選自於由下列所組成之群的至少一種:醇、二醇、內酯、內醯胺、亞碸、碸、醯胺、尿素、咪唑啶酮、腈及吡咯啶酮。
在該用於半導體製程的組成物中之溶劑含量可在該等組分排除溶劑的總含量與該溶劑的含量之總和係總共100重量%的範圍內決定。
該第一組分係一酸組分,其在該用於半導體製程的組成物中進行氧化動作。其可包含無機酸、有機酸或二者。
在具體實例中,該第一組分在該用於半導體製程的組成物中之含量可係約50重量%至約99重量%,例如,約50重量%至約90重量%,例如,約70重量%至約90重量%,例如,約75重量%至約90重量%,例如,約75重量%至約85重量%。在此情況中,該用於半導體製程的組成物可合適於使用在蝕刻應用中。
在另一個具體實例中,該第一組分在該用於半導體製程的組成物中之含量可係約0.5重量%至約30重量%,例如,約0.5重量%至約10重量%,例如,約0.5重量%至約5重量%。在此情況中,該用於半導體製程的組成物可合適於使用在清潔應用中。
特別是,該無機酸可包含選自於由下列所組成之群的至少一種:硫酸、硝酸、磷酸、矽酸、硼酸、鹽酸、氫氟酸及過氯酸。此外,該有機酸可包含選自於由下列所組成之群的至少一種:醋酸、蟻酸、葡萄糖酸、乳酸、草酸及烴酸(hydrocarbonic acid)。
在具體實例中,該第一組分可包含選自於由硫酸、磷酸及氫氟酸所組成之群的至少一種。在該第一組分包含硫酸的情況中,其可提高有機物質移除功能。在其包含氫氟酸的情況中,其可提高清潔功能。在其包含磷酸的情況中,其可提高金屬氮化物膜移除功能。
該第二組分提供在半導體製程中形成一用於特定組分的保護膜或協助蝕刻或移除特定組分。
該第二組分在該用於半導體製程的組成物中之含量可大於約0.001重量%小於約2重量%,例如,約0.01重量%至約1重量%。
該用於半導體製程的組成物可依其應用及目的而進一步包含多種添加劑。特別是,該添加劑可包含選自於由界面活性劑及腐蝕抑制劑所組成之群的至少一種,但是其不限於此。
更特別是,該用於半導體製程的組成物可包含下列作為添加劑:過氧化氫、過硫酸鹽、環狀胺化合物、氟化銨化合物、過渡金屬鹽、鉀化合物、尿素氟化物及其類似物。
根據如上所述的組成物,該用於半導體製程的組成物具有合適於施用至半導體製程之性質。特別是,該用於半導體製程的組成物其活性可滿足用於金屬膜或金屬氧化物膜之特定條件。
更特別是,該用於半導體製程的組成物可具有金屬氮化物膜對金屬氧化物膜之蝕刻選擇性比率100或更大,例如,100至700,例如,200至700,例如,300至700。因此,該用於半導體製程的組成物可多樣地使用在需要此選擇性活性之半導體製程中。
此外,該用於半導體製程的組成物可具有金屬氮化物膜對金屬膜之蝕刻選擇性比率200或更大,例如,200至700,例如,300至700。
如將在下列描述,「蝕刻選擇性比率」指為當在溫度約150℃至約200℃下使用該用於半導體製程的組成物對金屬膜、金屬氧化物膜及金屬氮化物膜每種進行蝕刻製程時,該金屬膜、金屬氧化物膜及金屬氮化物膜之蝕刻速率的相對比率。
在另一個具體實例中,有提供一種半導體製程,其係使用該用於半導體製程的組成物進行。
特別是,該半導體製程包含一清潔製程,其中使用該用於半導體製程的組成物來選擇性清潔一有機物質或無機物質;一移除製程,其中使用該用於半導體製程的組成物來選擇性移除一有機物質或無機物質;或其二者。
也就是說,該半導體製程可包含一使用該用於半導體製程的組成物之清潔製程;一使用該用於半導體製程的組成物之移除製程;或其二者。
該用於半導體製程的組成物可使用來在該清潔製程或移除製程中選擇性清潔或移除特定的有機物質或特定的無機物質。因為該用於半導體製程的組成物對特定的有機物質或特定的無機物質具有特定的反應性,有可能藉由使用其來選擇性清潔/移除該物質。
特別是,在該清潔製程或移除製程中,可選擇性清潔或移除非為金屬、包括金屬的有機物質、金屬的氧化物之其它物質。
在此情況中,該金屬可包含選自於由下列所組成之群的至少一種:鍺(Ge)、矽(Si)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)及鉭(Ta)。
因為該用於半導體製程的組成物對由金屬製得的膜物質、由包括金屬的有機物質製得之膜物質或由金屬的氧化物製得之膜物質形成一保護膜,可移除或清潔除了上述外之鄰近的其它組分。
例如,欲使用該用於半導體製程的組成物選擇性移除之無機物質可包括金屬氮化物膜或變性的金屬氮化物膜。此外,欲使用該用於半導體製程的組成物選擇性移除之有機物質可包括丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂及其類似物。
在具體實例中,該半導體製程可係一半導體製造製程。該半導體製造製程通常包含氧化製程、曝光製程、蝕刻製程、離子植入製程、沈積製程、研磨製程、清潔製程及灰化製程。
在此情況中,使用該用於半導體製程的組成物來選擇性清潔一有機物質或無機物質之步驟可在選自於離子植入製程、蝕刻製程及灰化製程的至少一種製程期間進行。
也就是說,使用該用於半導體製程的組成物來清潔一有機物質或無機物質之製程可在半導體製造進程之離子植入製程、蝕刻製程及灰化製程每種前、後及/或期間進行。
在離子植入製程中,將摻雜離子植入晶圓中以將其製成半導體。在蝕刻製程中,選擇性移除上面已經形成光阻膜圖案的晶圓表面。在灰化製程中,碳化該變性的光阻材料,然後當移除光阻時移除。
在各別的製程中,當清潔不需要的組分,同時需要不損傷由金屬、包括金屬的有機物質、金屬的氧化物或其類似物質製得的部分時,可使用該用於半導體製程的組成物來進行該清潔製程。
此外,使用該用於半導體製程的組成物來選擇性移除一有機物質或無機物質之步驟可在選自於曝光製程、沈積製程及蝕刻製程的至少一種製程期間進行。
也就是說,使用該用於半導體製程的組成物來移除一有機物質或無機物質之製程可在半導體製造進程的曝光製程、沈積製程及蝕刻製程每種前、後及/或期間進行。
在曝光製程中,使用一具有電路影像的遮罩在晶圓表面上形成一電路圖案。在沈積製程中,將一具有電特徵的材料沈積在晶圓上。
在各別的製程中,當清潔不需要的組分,同時需要不損傷由金屬、包括金屬的有機物質、金屬的氧化物或其類似物質製得之部分時,可使用該用於半導體製程的組成物來進行該移除製程。
使用該用於半導體製程的組成物來選擇性清潔或移除一有機物質或無機物質之步驟可在溫度約20℃至約300℃,例如,約20℃至約70℃、例如,約150℃至約180℃下進行。該製程溫度可由該用於半導體製程的組成物之第一組分及第二組分的沸點而適當地設定。
[實施例]
[實施例]
於此之後,將描述本發明的特定具體實例。但是,下列所描述的具體實例僅意欲闡明或解釋本發明。本發明應該不限於此。
實施例及比較例
實施例及比較例
對每個配備有磁棒的實驗燒杯充入第一組分、第二組分、溶劑及添加劑,其種類及含量(重量%)如顯示在下列表1中;接著在室溫下,以500 rpm之速度攪拌其4小時以製備一用於半導體製程的組成物。
[表1]
第一組分
A-1:氫氟酸
A-2:硫酸
A-3:醋酸
A-4:草酸
A-5:磷酸
第二組分
B-1:四氯化鍺(上述式1-1之化合物)
B-2:二氯化鍺(上述式1-2之化合物)
B-3:二氧化鍺(上述式1-3之化合物)
B-4:四(三甲基矽烷氧基)鍺(上述式1-4之化合物)
B-5:三甲基甲鍺基三氯矽烷(上述式1-5之化合物)
B-6:3-(三羥基甲鍺基)丙酸(上述式1-6之化合物)
B-7:四乙氧基鍺(上述式1-7之化合物)
B-8:四甲氧基鍺(上述式1-8之化合物)
B-9:四異丙氧基鍺 (上述式1-9之化合物)
B-10:雙(倍半氧化2 -羧基乙基鍺)(上述式1-10之化合物)
添加劑
C-1:氟化銨
溶劑
D-1:水
D-2:二甲亞碸
D-3:NMP
評估
測試實施例1:清潔度之評估
[表1]
A-1:氫氟酸
A-2:硫酸
A-3:醋酸
A-4:草酸
A-5:磷酸
第二組分
B-1:四氯化鍺(上述式1-1之化合物)
B-2:二氯化鍺(上述式1-2之化合物)
B-3:二氧化鍺(上述式1-3之化合物)
B-4:四(三甲基矽烷氧基)鍺(上述式1-4之化合物)
B-5:三甲基甲鍺基三氯矽烷(上述式1-5之化合物)
B-6:3-(三羥基甲鍺基)丙酸(上述式1-6之化合物)
B-7:四乙氧基鍺(上述式1-7之化合物)
B-8:四甲氧基鍺(上述式1-8之化合物)
B-9:四異丙氧基鍺 (上述式1-9之化合物)
B-10:雙(倍半氧化2 -羧基乙基鍺)(上述式1-10之化合物)
添加劑
C-1:氟化銨
溶劑
D-1:水
D-2:二甲亞碸
D-3:NMP
評估
測試實施例1:清潔度之評估
評估在實施例1至18及比較例1至5中所製備之用於半導體製程的組成物每種其清潔度。
特別是,在矽晶圓上形成一具有厚度1000埃的鍺(Ge)膜及一具有厚度500埃的氧化鉿(HfO2
)膜。隨後,在上面均勻塗佈一光阻,然後將其維持在150℃下10分鐘以形成一薄膜。隨後,於大氣條件下,使用超高壓汞燈(USH-250D,Ushio Denki Co., LTD.),以200毫焦耳/平方公分之速率,將具有波長365奈米的光照射到該薄膜上。未使用分別的濾光器。
將該經紫外線照射之薄膜沈浸在氫氧化四甲基銨(TMAH)的水溶液顯影劑中80秒來顯影其。隨後,以蒸餾水沖洗其,以氮氣乾燥,及在150℃的加熱烘箱中加熱10分鐘以形成一圖案。隨後,讓其相繼地接受離子植入製程、蝕刻製程及灰化製程以製備樣品。
將實施例1至18及比較例1至5之用於半導體製程的組成物各者維持在固定溫度60℃下。然後,將所製備的樣品沈浸在其中2分鐘。然後,取出樣品及以水沖洗1分鐘。然後,以氮氣完全乾燥,及藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)檢查清潔效果。
於此,評估準則如下。結果如顯示在下列表2中。
<評估準則>
優良:移除99%或更多
好:移除90%至小於99%
正常:移除80%至小於90%
差:移除小於80%
測試實施例2:腐蝕之評估
<評估準則>
優良:移除99%或更多
好:移除90%至小於99%
正常:移除80%至小於90%
差:移除小於80%
測試實施例2:腐蝕之評估
評估實施例1至18及比較例1至5之用於半導體製程的組成物每種其腐蝕。
將實施例1至18及比較例1至5之用於半導體製程的組成物每種維持在固定溫度60℃下。然後,將根據測試實施例1所製備的樣品沈浸在其中10分鐘。然後,取出樣品及以水沖洗1分鐘。然後,以氮氣完全乾燥及藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)檢查腐蝕效果。藉由將每種膜物質的膜厚度變化除以時間來計算蝕刻速率。結果係顯示在下列表2中。
[表2]
測試實施例3:蝕刻能力之評估
[表2]
測試實施例3:蝕刻能力之評估
評估實施例19至28及比較例6至8之用於半導體製程的組成物每種其對氮化物膜之蝕刻能力。
藉由化學氣相沈積(CVD)方法在矽晶圓上形成一具有厚度2,000埃的氮化矽(Si3
N4
)膜來製備一樣品;使用化學氣相沈積(CVD)方法在矽晶圓上形成一具有厚度200埃的氧化矽(SiOx
)膜之樣品;及一具有厚度1500埃的矽單晶樣品。
隨後,於由石英製得的攪拌槽中,將每個樣品沈浸在實施例19至28及比較例6至8之用於半導體製程的組成物每種中,將其維持在160℃下及攪拌速度500 rpm來進行蝕刻製程。在完成蝕刻製程後,以超純水沖洗樣品,然後使用乾燥設備乾燥。
然後,使用掃描式電子顯微鏡(SEM)及偏振光橢圓計來測量每個樣品在蝕刻後之厚度。該蝕刻速率係測量在蝕刻製程前及後之膜厚度變化。結果如顯示在下列表3中。
藉由獲得氮化矽膜、氧化矽膜及矽單晶樣品每種之蝕刻速率比率來計算蝕刻選擇性比率。結果如顯示在下列表3中。
[表3]
[表3]
如上所述,就對金屬或金屬氧化物膜之保護來說,與比較例1至8之用於半導體製程的組成物比較,實施例1至28之用於半導體製程的組成物產生優良的效果。此外,它們在移除及蝕刻金屬氮化物膜上產生優良的效果。
Claims (13)
- 一種用於半導體製程之組成物,其包含一包括無機酸或有機酸的第一組分;及 一包括由下列式1表示之化合物或由下列式2表示之化合物的第二組分: [式1] [式2] 在上述式1及2中, R1 至R6 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團、氧化物(=O)基團及下列式3之基團: [式3] 在上述式3中, M係矽(Si)或鍺(Ge); A係選自於單鍵、經取代或未經取代的C1 -C30 伸烷基、經取代或未經取代的C2 -C30 伸烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 伸炔基、經取代或未經取代的二價C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的二價C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的二價C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的二價胺基團、-O-、-S-、-S(=O)2 -及-C(=O)-;及 R7 至R9 各自獨立地選自於氫、經取代或未經取代的C1 -C30 烷基、經取代或未經取代的C1 -C30 烷氧基、經取代或未經取代的C2 -C30 烯基、經取代或未經取代的C2 -C30 炔基、經取代或未經取代的C6 -C30 脂肪族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜脂肪族環基團、經取代或未經取代的C6 -C30 芳香族環基團、經取代或未經取代的C4 -C30 雜芳香族環基團、經取代或未經取代的胺基團、羥基、羰基、羧基、鹵素基團及氧化物(=O)基團。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其進一步包含該第一組分與該第二組分之一反應產物。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其進一步包含一溶劑,其中該溶劑包含水或極性有機溶劑。
- 如請求項3之用於半導體製程之組成物,其中該極性有機溶劑包含至少一種選自於由下列所組成之群:醇、二醇、內酯、內醯胺、亞碸、碸、醯胺、尿素、咪唑啶酮、腈及吡咯啶酮。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其中該無機酸包含至少一種選自於由下列所組成之群:硫酸、硝酸、磷酸、矽酸、硼酸、鹽酸、氫氟酸及過氯酸。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其中該有機酸包含至少一種選自於由下列所組成之群:醋酸、蟻酸、葡萄糖酸、乳酸、草酸及烴酸。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其所包含之第二組分的量係大於0.001重量%小於2重量%。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其所包含之第一組分的量係50重量%至99重量%。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其所包含之第一組分的量係0.5重量%至30重量%。
- 如請求項1之用於半導體製程之組成物,其具有200或更大之金屬氮化物膜對金屬膜之蝕刻選擇性比率;及 100或更大之金屬氮化物膜對金屬氧化物膜之蝕刻選擇性比率。
- 一種半導體製程,其包含一清潔製程,其中使用如請求項1至10中任一項之用於半導體製程之組成物來選擇性清潔一有機物質或一無機物質;一移除製程,其中使用該用於半導體製程之組成物來選擇性移除一有機物質或一無機物質;或其二者。
- 如請求項11之半導體製程,其中該清潔製程或該移除製程係在20℃至300℃溫度下進行。
- 如請求項11之半導體製程,其中該清潔製程或該移除製程係一選擇性清潔或移除非為金屬、包括該金屬之有機物質、該金屬之氧化物的其它物質的製程;及 該金屬包含至少一種選自於由下列所組成之群:鍺(Ge)、矽(Si)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)及鉭(Ta)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180026265A KR102069345B1 (ko) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 |
KR10-2018-0026265 | 2018-03-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201938622A true TW201938622A (zh) | 2019-10-01 |
TWI703170B TWI703170B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=67843726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108107297A TWI703170B (zh) | 2018-03-06 | 2019-03-05 | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190276778A1 (zh) |
JP (1) | JP6986526B2 (zh) |
KR (1) | KR102069345B1 (zh) |
CN (1) | CN110233101B (zh) |
TW (1) | TWI703170B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220159054A (ko) * | 2021-05-25 | 2022-12-02 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
KR20220160796A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-06 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
KR20230031592A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-07 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 선택적 식각액 조성물 |
KR102660254B1 (ko) * | 2021-09-01 | 2024-04-25 | 연세대학교 산학협력단 | 반도체 기판 세정용 조성물 및 세정방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL266513A (zh) * | 1960-07-01 | |||
JPH04353852A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH07109825B2 (ja) * | 1992-01-13 | 1995-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法 |
JPH0883792A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Motorola Ltd | エッチング剤及びエッチング方法 |
JP3941174B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2007-07-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 複合材料及びその製造方法 |
WO2002068183A1 (fr) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article presentant une forme de surface predefinie et son procede de preparation |
WO2003105206A1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | Amberwave Systems Corporation | Growing source and drain elements by selecive epitaxy |
US20050229947A1 (en) * | 2002-06-14 | 2005-10-20 | Mykrolis Corporation | Methods of inserting or removing a species from a substrate |
KR100607409B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2006-08-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
US20070048956A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Limited | Interrupted deposition process for selective deposition of Si-containing films |
US8207023B2 (en) * | 2009-08-06 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Methods of selectively depositing an epitaxial layer |
JP5716527B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2015-05-13 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
EP2674456B1 (en) * | 2011-02-09 | 2017-11-01 | JSR Corporation | Rubber composition, method for producing same, and tire |
JP5833492B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-16 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素化合物、ポリシロキサン化合物、これを含むレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
SG11201605003WA (en) * | 2013-12-20 | 2016-07-28 | Entegris Inc | Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist |
-
2018
- 2018-03-06 KR KR1020180026265A patent/KR102069345B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-04 CN CN201910161445.0A patent/CN110233101B/zh active Active
- 2019-03-05 JP JP2019039152A patent/JP6986526B2/ja active Active
- 2019-03-05 US US16/293,453 patent/US20190276778A1/en not_active Abandoned
- 2019-03-05 TW TW108107297A patent/TWI703170B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190105766A (ko) | 2019-09-18 |
TWI703170B (zh) | 2020-09-01 |
CN110233101A (zh) | 2019-09-13 |
US20190276778A1 (en) | 2019-09-12 |
JP6986526B2 (ja) | 2021-12-22 |
CN110233101B (zh) | 2023-05-30 |
JP2019165214A (ja) | 2019-09-26 |
KR102069345B1 (ko) | 2020-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI703170B (zh) | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 | |
JP7282938B2 (ja) | 窒化ケイ素含有基板をエッチングするための組成物および方法 | |
JP6550123B2 (ja) | エッチング組成物 | |
JP7452782B2 (ja) | 表面処理方法およびそのための組成物 | |
KR102499429B1 (ko) | 세정 제형 | |
TW200428512A (en) | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing | |
TWI746935B (zh) | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 | |
WO2009073596A2 (en) | Formulations for cleaning memory device structures | |
EP3599633B1 (en) | Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same | |
TW201840840A (zh) | 用來移除在半導體基材上的殘餘物之清潔組成物 | |
WO2015089023A1 (en) | Cleaning formulation for removing residues on surfaces | |
JP2023133294A (ja) | 洗浄用組成物 | |
JPWO2018174092A1 (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板 | |
WO2023192000A1 (en) | Surface treatment compositions and methods | |
KR102488503B1 (ko) | 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴 형성 방법 | |
TW202208607A (zh) | 清潔組成物 | |
TW202403032A (zh) | 清潔組成物 |