TW578196B - Photomask manufacturing method, and semiconductor device method using said photomask - Google Patents

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578196 A7 _________ B7_ 五、發明説明（2 ) 的尺寸改變而製造一光罩的習知方法。 光罩寫入系統的設計資料基本上等於初始設計資料，而 由光罩寫入系統繪出的圖案尺寸相當於想要的圖案尺寸。 惟應注意，其中成品尺寸已不同於設計資料，例如，因使 用VSB (可變形狀光束）方法的EB (電子束）曝光系統中減少 發射連接，及在圖案影像品質及尺寸準確度的改良，相對 於設計資料將一預設光罩資料偏移（更改尺寸）給予佈局資 料以用於光罩寫入系統。任何情況中，不管圖案縫隙比率 如何，相對一特定製程，光罩資料偏移皆為一致。 惟’例如由於在有關接觸孔的圖案與用於如閘極的線路 圖案間，在蝕刻面積上有很大的差異，這些圖案的蝕刻比 率各有不同，因而發生圖案形狀不同及成品尺寸中奈米刻 痕的差兴。為了克服此困難，過去慣於粗略地將圖案分為 接觸孔群組及一線路群組，並根據圖案種類，藉由控制製 程條件，如劑量、顯影時間及蝕刻時間而預備好光罩，俾 便控制製程尺寸。 如果所處理的光罩的成品尺寸位置準確度及χγ差異無 法滿足標準，即視此光罩為缺陷光罩而丟棄不用，再藉由 控制及改變製程條件重作一新光罩。以此方式，重覆相似 的步驟，直到得到滿足想要標準的光罩。 惟，即使是相同的線路群組圖案，如果圖案在線路寬度 =晶片面積中互異，縫隙比率仍— 是不同。而且，如果圖案 达度中的差兴有所不同，同樣亦會發生製程尺寸的改變。 在某些情泥中，增加圖案間的尺寸差異以達成奈米刻痕，

五、發明説明（3 A7 B7 製私尺寸的改變亦會影響 。單單藉由調整製程條件 而必須藉由調整製程條件 製程條件會降低製程利潤 果（虧損）。 位置準確度及XY差異中的準確度 ’很難控制此種尺寸的大差異， ’一再多次重覆此預備過程。依 ，如缺陷品的增加會帶來不利後

=別地是’如邏輯裝置等在密度上具大差異的圖案，名 、的改Μ是大的’而很難控制其製程條件。此情況下， 許多情況中所得到的首批新圖案皆是瑕H 率降低。 R 根據本發明第-概念，提供一種用以校正光罩佈局圖 的光罩製造方法，其中配置_光傳輸圖案部分及一光遮i 圖案邵分，用以在基板表面形成—光學影像圖案。此方; 包括計算-圖案面積比率’其為光傳輸圖案部分或光遮丨 圖案邵分與—光罩面積的比率，此光罩面積來自光罩-ί 知佈局圖案的設計資料’及一圖案密度，其為此區域内3 傳輸圖案邵分或光遮蔽圖案部分與由已知体局圖案抽取ό 區域面積的比率；由所算出的圖案面積比率及圖案密心 计圖案的尺寸、位置準確度紐差異，涵蓋藉由使用已全 佈局圖案的設計資料在光罩上形成圖案的㈣；及根㈣ 估計圖案尺寸、位置準確度或χγ差異，將校正量送至 佈局圖案的設計資料》 _ 、 根據本發明第二概念，提供一種用以校正光罩佈局圖驾 的光罩製造方法，其中配置一光傳輸圖案部分及一光遮裔

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圖案部分，用以在基板表 包括計算一圖案面積比率 圖案部分與一光罩面積的 知佈局圖案的設計資料 傳輸圖案部分或光遮蔽圖 區域面積的比率；由所算 計位置準確度，涵蓋藉由 光罩上形成圖案的情形； 正量送至已知佈局圖案。 面形成一光學影像圖案。此方法 ’其為光傳輸圖案部分或光遮蔽 比率’此光罩面積來自光罩一已 及圖案舍度’其為此區域内光 案部分與由已知佈局圖案抽取的 出的圖案面積比率及圖案密度估 使用已知佈局圖案的設計資料在 及根據所估計位置準確度，將校 根據本盔明第二概念，提供一種用以校正光罩佈局圖案 2光罩製造方法，其中配置一光傳輸圖案部分及一光遮圖 木部分，用以在基板表面形成一光學影像圖案。此方法包 括計算一圖案面積比率，其為光傳輸圖案部分或光遮圖案 邵分與一光罩面積的比率，此光罩面積來自光罩一已知佈 局圖案的設計資料，及一圖案密度，其為此區域内光傳輸 圖案邵分或光遮圖案部分與由已知佈局圖案抽取的區域面 積的比率；由所算出的圖案面積比率及圖案密度估計所形 成圖案的XY差異，涵蓋藉由使用所送出佈局圖案的設計資 料在光罩上形成圖案的情形；及根據所估計的XY差異，將 校正量送至所送出的佈局圖案。 附圖簡.單說明 圖1根據本發明第一實例，以甲意方塊圖說明一用以轉 換光罩設計圖案資料的裝置的結構； 圖2根據本發明第一實例，以流程圖說明如何導出_函 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 578196 A7 B7 五、發明説明（5 ) 數； 圖3 A以示意正視圖說明一用以評估的光罩的整體結構； 圖3B以示意正視圖說明圖3A所示光罩所形成的晶片區 的結構； 圖3C以示意正視圖說明圖3B所形成的晶片區用以測量 尺寸的圖案； 圖3D以示意正視圖說明圖3B所形成的晶片區用以測量 尺寸的圖案； 圖4以圖表說明圖案面積比率c、圖案密度^與成品尺寸 W (CD值）間的關係； 圖5以圖表說明圖案面積比率c、圖案密度D與成品尺寸 W (CD值）間的關係； 圖6根據本發明第一實例，以流程圖說明校正光罩佈局 圖案的方法； 圖7以圖表說明圖案面積比率c、圖案密度1)與位置準確 度L間的關係； 圖8為一函數h (c, d)圖表，說明案面積比率c、圖案密度 D與位置準確度l的χγ差s間的關係； 圖9根據本發明第二實例，以流程圖說明校正光罩佈局 圖案的方法； 圖10根據本發明第三實例，以流程圖說明校正光罩佈局 圖案的方法。 發明詳細說明 本發明實例將參照附圖詳加說明。 -8- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

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的記憶裝置的光 第一實例 第一實例指向一種製造由dram所代表 罩圖案，其中圖案密度幾乎是一致的。 圖1以示意方塊圖說明-用以轉換光罩佈局圖案 的結構’圖1中參考數字1()1指出即將校正的光罩佈局資料 二參考數字102指出一資料偏移轉換參數計算區段，用以計 异由光罩佈局資料1G1轉換成新資料所需參數；參考數字 嶋指出-圖案面積比計算區段：參考數㈣㈣出一圖 案密度計算區段；及參考數字1Q3指出—佈局資料轉換區段 ’精由資料偏移轉換參數計算區段1G2算出的參數，稍後將 參照的相關連104 ’及輸出已轉換光罩佈局資料1〇5，以校 正光罩佈局資料1 〇 1。 順帶-提’可利用硬體以實現資料偏移轉換參數計算區 段102及佈局f料轉換區段103的各功能（稍後將說明）。亦 可由程式說明各功能，並使用電腦來執行該程式。 用以改變光罩設計資料所需導出相關連104的方法，將 參照圖2加以說明，圖2以流程圖說明如何導出相關本發明 第一實例的函數。 將導出的相關連1 04為一函數，具有一資料偏移量 r = F(C，D)，已知光罩設計資料，與光罩圖案面積比率c及圖 案密度D成比例。 _ 附帶一提，成品尺寸（CD值）Wj戈表根據設計資料及設計 資料上的設計尺寸，在光罩上形成與製成的圖案尺寸間的 差異。光罩圖案面積比率C代表光罩中光傳輸圖案部分（光 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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。此外，圖案密 面積與由光罩 遮圖案部分)的面積與光罩的面積Am的比率 度D代表光傳輸圖案部分（光遮圖案部分）的 抽取區域的面積的比率。 步騾sioi 罘一步驟中，製造複數個用以評估的光罩，·其在圖案面 貝比率C上各異，各具有複數個圖案密度D,並在各光罩上 具有相同的随配置。K3A，3B,默31)示意說明用以評 估的光罩結構。圖3Αια示意正視圖說明用以評估的 隨:構；圖3B以示意正視圖說明圖3A所示光罩中形成的晶 片區，此外，圖3C及3D各以示意正视圖說明用以測量尺寸 的圖案，該圖案在圖3B所示晶片區中形成。 如圖3A所示，在用以評估的一光罩2〇1中配置複數個晶 片區202。如圖3B所示，將一尺寸測量圖案區2〇4安置在各 卵片區202的中央部分，.尺寸測量圖案區2〇4具有在其間形 成的尺寸測量圖案；及在尺寸測量圖案區2〇4周圍形成一縫 隙比改變區203，各光罩各具有不同的縫隙比率。 在尺寸測量圖案區204形成的尺寸測量圖案，與各晶片 形成區及各用以評估的光罩201共用。如圖冗及汕所示，依 區域而形成具不同圖案密度圖案的尺寸測量圖案2〇5，例如 ，如圖3C所示，改變線路圖案的圖案密度D ,或者如圖3d 所示，改變孔的圖案密度D。由Dn代表相關區域Pn的圖案密 度（η代表抽取區域的數目），在區-域pn中改變圖案密度。 在縫隙比改變區203中，每一光罩為評估而改變光遮膜 的面積。藉由縫隙比改變區的縫隙比率，可改變各光罩的 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 發明説明 平面圖案面積比率。 步騾S1 〇 2 下步银中’測量在各用以評估的光罩2 〇 1中所形成的 尺寸’則I圖案，並從測量值得到成品尺寸（CD值）W，成品尺 寸W為相關設計尺寸值的偏移量。應注意，測量圖案尺寸係 因區域圖案在圖案密度上互異。 步驟S103 安如圖4及5所示，測量所得結果乃是圖案面積比率c、圖 术在度D及成品尺寸w間的相關連。藉此所得的相關連由一 函數f (C，D)代表，應注意圖4及5說明的相關連是在不同條 件下執行製程所得。在此情形下執行複數個製程條件，為 各製程條件製造-用以評估的光罩，俾便得到各相關函數卜 步驟S104 下一步驟中，由步驟3103所得的相關連函數f(c，D)中， 得到函數r = F(C, D)供應一改變量1»至光罩設計資料。使用 成品尺寸W作為光罩資料偏移，成品尺寸〜代表從設計尺寸 值的偏移量。在此實例中，將光罩資料偏移= f (c，D)〆幻 定義為一側邊緣邵分的偏移量。順帶一提，光罩資料偏移r ，係由於在合成圖案資料上的定義，不需為二分之一。 圖3所π佈局圖案中，在區域2〇4中配置不同密度的圖案 ，因此，藉由使用特定光罩而使製程條件相同的情形下木 可得到共用佈局圖案的一函數卜_此佈局圖案在密度上有差 異，此類例子除記憶裝置外，還有邏輯裝置及記憶混合裝 置。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 578196 A7 __________B7_ 五、發明汹" —--— 、兹將參照至圖6說明，操作光罩設計資料轉換系統，用 以根據先前所得的資料偏移r=f(c，D)轉換一已知設計。 第一步驟中，在資料偏移轉換參數計算區域ι〇2中，計 2光罩平面中的圖案面積比率’其相㈣產品光罩的佈局 :、料101及（已抽取的）特定區域pn内的圖案密度Dn。 炫將首先說明由圖案面積比計算區段1〇2a測量圖案面 積比率c。 步驟S201 。第一步驟中，由佈局資料1〇1算出對設計開口部分的比 率，藉此所得比率即作為佈局圖案面積比率以。 步驟S202 之後根據曰曰片面積Aw及光罩基板面積^，將佈局圖案 面積比率Cw轉換成光罩基板上的圖案面積比率Ca。應注意 ，可由設計圖案面積比率Cw算出圖案面積比率Ca ,晶片面 積Aw及光罩基板面積已知如下：

Ca = Cw X Aw/Am 步驟S203 下一步驟中，藉由在圖案面積比率。加上安置在光罩上 不同周邊標記的面積比率C b，而得出光罩.上的圖案面積比 率Cm。 耠由上述步驟，圖案面積比計算區段1〇仏可得到圖案面 積比率cn。 _ 茲將說明由圖案密度計算區段1〇2b所執行圖案密度^勺 測量。 -12-

578196 A7 B7 五、發明説明（10 步驟S211 弟一步驟中’由佈局圖案中抽取一區域作為特定區域Pn ，此區域pn中包括需要高度尺寸準確度的圖案。特定區域 的尺寸可以選擇，惟此特定區域須真正小於晶片面積心 ’（Pn〈〈Aw) 0 由於此實例指向具有一致圖案密度的記憶裝置，所以抽 取记憶單7C部分作為特定區域。應注意，抽取區域的數目 為1即n— 1 ,及ρι =記憶單元部分。設定抽取區域的大小在 不大於一記憶單元單位的位準上。 步驟S212 (後，計算特定區域匕中的圖案密度ΜΡι内的縫隙比率）。 藉由上述步驟，圖案密度計算區段102b可得到圖案密度 Di 〇 順γ &，圖案面積比計算區段1 〇2a執行圖案面積比率 的汁异，與圖案密度計算區段1 〇2b執行圖案密度的計算， 可以同時或連續地進行，亦可首先執行任何圖案面積比率 的計算及圖案密度的計算。 茲將說明佈局資料轉換區段1 03的操作。 步驟S221 第一步驟中，藉由代入先前具有光罩資料偏移r的相 連中得到光罩圖案面積比率Cn及圖案密度Di，而得到光罩 資料偏移r。順帶一提，得―到光罩資料偏移r為： r = f (Cm, Di) /2。 · 步驟S222 -13-

578196 五、發明説明（11 精，使用精此得到的光罩資料H將 r(=(C»，D丨）/2)送至光罜徐a .fc ,, ，、竹偏移 罩佈局資料m。/ 〇1 ’俾輸出—已轉換光 、 &步驟即形成-新的光罩設計資料。 ’根據已轉換光罩佈局資料1〇5預備一光罩 可預備一光罩而得到想要的成品尺寸。 . a 由：資料尺寸已事先由上述方法所預準的光罩加以校 ’所以不^各Κ案㈣❹㈣製程條件 ，俾能確保製程利潤，以釋含 ^置 的變動。 製程執行處理’及降低良率 亦應注意，由於不㈣時判定多種圖案的個別條件 咸少製程條件的數目’俾有助於製程控制。亦可在不犧牲 ^呈利潤下’應用相同的製程條件，結果可以高穩定性製 造光罩而得到高良率。 此外’本發明第一實例中’以圖案面積比率及圖案密产 作為參數，而使用成品尺寸的函數。惟，亦可藉由前述二 寸的相同方法，如圖7所示’使用位置準確度函數 uwkd))，以圖案面積比率及圖案密度作為參數，u 圖8所示，使用XY差異準確度函數以5七 積比率及圖案度作為參數，而得到想要的位置準確 要的χγ差異準確度。 〜 第二實例 本發明第二實例指向-種為1憶體混合邏輯類的裝置 製造光罩圖案的方法，此類裝置具有複數個圖案密度互異 的單位裝置。 Μ 14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 裝 訂 線 578196 A7 B7 五、發明説明（12 ) 圖9根據本發明第二實例，以流程圖說明一光罩設計資 料的轉換方法。 第二實例中導出相關連函數f的步驟，與先前第一實例 參照圖2所說明者相同，因此省略關於第二實例中導出相關 連函數ί的步驟。圖9所示計算圖案面積比率匕的步驟S2〇i 至S203’亦與第一實例中相同，因此亦省略步驟“οι至S203 的說明。 步驟S311 在圖案密度計算區段l〇2b中，將光罩佈局資料1〇1分成 數個單位裝置區塊，俾得到特定區域匕至pn。 步驟S312 之後’計算特定區域Pi至pn的圖案密度^^至心。 步驟S321 將圖案密度DJDn及圖案面積比率匕代入圖 下一步驟中， 案資料改變區段的相關連1〇4中，俾在特定區域匕至匕中得 到光罩資料偏移n至r n。 順帶一提，特ί Γι = f (Cm, Dl) /2, r2 = f (C,, D2)/2, 特定區域P1至Pn中的光罩資料偏移 nSrn如下： Γη = f (Cm, Dn) / 2 步驟S322 1至η)輸入至光罩資料 並在合成之後使用資 之後，將對應單位裝置單位Pi(i：= 偏移r 1至rn，俾便再合成圖案資料，

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料以預備光罩。接著，可在_平面.上設計出相關於一記憶 體混合邏輯裝置的光罩上想要的成品尺寸，此裝置中且有 複數個圖案密度互異的單位裝置。' 順τ 一 k ,根據本發明第二實例的方法不僅可應用在混 合邏輯裝置上，亦可應用在光罩圖案上，其具有類似的佈 局圖案，並可依圖案密度分成數個區塊。 應/主意，由於資料尺寸已事先由上述方法所預備的光罩 加以^又正所以不需在各圖案的曝光步驟及製程條件中調 整劑I ,俾能確保製程利潤，以穩定製程執行處理，及降 低良率的變動。 此外，如前述本發明第一實例，藉由在位置準確度或^ 差異準確度的校正上應用第二實例的方法，可得到想要的 高良率位置準確度或ΧΥ差異準確度。 第三實例 本發明第三實例指向一種為邏輯裝置預備光罩圖案的 方法，此類裝置中平面中的圖案密度並不一致，且無法輕 易分割佈局圖案。 圖1 〇根據本發明第三實例，以流程圖說明一光罩設計資 料的改變方法。 在第三實例導出相關連函數f的步驟，與先前第一實例 參照圖2所說明者相同，因此在第三實例中省略關於導出相 關連函數f的步驟。圖10所示計多圖案面積比率匕的步驟 S201至S203’亦與第一實例中相同，因此亦省略步驟s2〇i 至S203的說明。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）

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線 578196 A7 ___ —_ B7 五、發明説明（14 ) 在計算特定區域的圖案密度汍上，相關佈局圖案而抽取 光罩内要求高度尺寸準確度的圖案，且由抽取的圖案在1〇〇 微米（# m)内的區域構成區域Pl，之後，計算區域ρι中的圖 案密度Di 〇 下一步驟中，在圖案資料轉換區段的相關連函數r中代 入圖案始、度及圖案面積比率Cn，而得到資料偏移 n(r丨=f (Cm, Di))。 輸入藉此所得到的光罩資料偏移η，俾便再合成圖案資 料，並在合成之後，使用資料預備一光罩。以此方式，可 持到想要的成品尺寸，其相關於邏輯裝置圖案，其中在光 罩平面的圖案密度並不一致。 順帶一提，上述第三實例中，抽取光罩内要求高度尺寸 準確度的單一圖案，俾便供應區域Ρι，或者，亦可在佈局 圖案中抽取複數個圖案，並由所抽取的圖案計算在丨〇〇微米 内週邊區域的圖案密度。此情形下，週邊區域的圖案密度 平均值即作為圖案密度，上述第三實例的週邊區域尺寸 即设定在1 〇〇微米。惟，以上指出的尺寸並不須限定至丄〇〇 微米。 本發明第三實例的方法亦不限於應用在邏輯裝置上，本 發明第三實例的方法可應用在多種佈局圖案上。此外，本 务月第一 5例的優點疋，由於各佈局圖案的資料偏移皆是 獨一的，所以可輕易再合成圖案資料。 亦應注意，如同上述根據第一及第二實例的方法，根據 本發明第二貫例的方法，藉由在位置準確度或Χγ差異準確 -17- 578196 A7 B7 五、發明説明（15 ) 度的校正上應用特定方法，而可得到想要的高良率位置準 確度或XY差異準確度。 順帶一提，本發明並不限於上述實例，換言之，在本發 明技術範疇内，本發明可以多種改良方法實作。 热磺此蟄者將可輕易明瞭另外的優點及改良，因此本發 明在其更寬廣的概念中，並不侷限在此處說明及展示的特 定細節及代表實例。因此，由後附申請專利範圍及其相等 物所界定的一般創新概念中，在不脫離其精神或範疇下， 可作多種不同的改良。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

Claims (1)

1. m.

   號專利申請案 利範圍替換本(92年12月)§ A8 B8 申請專利範圍 1. -種光罩製造方法，其係配置—料輸圖案部分及 遮蔽圖案部分，用以在-基板表面形成光學影像圖案， 包括下述步驟： ：十：一圖案面積比率及一圖案密度，該圖案面積比率 之計算係由已知光罩佈局圖案之設計資料，計算光傳輸 圖：邵分或光遮蔽圖案部分與光罩面積之比率，而該圖 案密度，係為該區域内光傳輸圖案部分或光遮蔽圖案部 分與由已知佈局圖案抽取之區域面積之比率； 田巧圖案係利用已知佈局圖案之設計資料形成在光 罩上之N況，由所算出之圖案面積比率及圖案密度，估 計圖案尺寸；及 根據所估計圖案尺寸，將校正量分配至已知怖 之設計資料。 2·如申請專利範圍第1項之光罩製造方法，其中由該佈局 圖案抽取之區域’包括在佈局圖案間要求最高尺寸準確 度之圖案。 以 3·如申請專利圍第1項之光罩製造方法，#中可利用 下任一函數，執行該圖案尺寸之估計·· 積 罘一函數代表由實際處理光罩所得出之該圖案面 比率與圖案尺寸間之關係； 第二函數代表由實際處理光罩所得出之該圖案密度 與圖案尺寸間之關係；及 第三函數代表由實際處理光罩所得出之該圖案面積 比率、圖案密度與圖案尺寸間之關係。 297公釐） 本紙張尺_巾_g^NS) Α4_2ι& 、申請專利範園 4·::請專利範圍第3項之光罩製造方法 二函數’係藉由測量用於評估製 ：：函數 而得出，其評估製程係藉由使 圖案尺寸 之圖案資科，該尺寸測 2尺寸測量圖案 且其圖案面積比率互異。S己置有複數個圖案密度， 5· 一種光罩製造方法，其係形成—光傳 遮蔽圖案部分，用以在一 A 案邵刀及一光 圖案，包括下•驟表面形成—預設光學影像 基於已知光罩#局圖案之 比率及—圖案密度，十异—圖案面積 圖案面積比率為光傳輸圖案部分 密度為在該區域内之光傳约圖罩案面比率，而該圖案 分之*接“ 邵分或光遮蔽圖案部 刀《面積與由已知佈局㈣抽取之區域面積之比率； 由所算出之圖案面積比車 案Μ ㈣度，料所形成圖 、置準確度，包括利用已知佈局圖案之設計資科， 在光罩上形成圖案之情況；及 根據所估計位置準確度，將校正量分配至已知佈局圖 案。 6·::光罩製造方法，其係配置一光傳輸圖案部分及一光 遮蔽圖案部分，用以在一基板表面形成一預設光學影像 圖案’包括下述步驟·· 、計算-圖案面積比率及一圖案密度，該圖案面積比率 〈計算係由已知光罩佈局圖案設計資料，計算光傳輸圖 案部分或光遮蔽圖案部分之面積與光罩面積之比率，該 々、申請專利範圍 圖 比 圖案密度為在該區域内之光傳輸圖案部分或光遮蔽 案邵分之面積與由已知佈局圖案抽取之區域面積之 由所算出之圖案面積比率及圖案密度，估計所形 案之XY差異’包括利用所分配佈局圖案之設計資料 在光罩上形成圖案之情況；及 根據所估計XY差異將一校正量分配至該分配之佈局 7. -種半導體裝置製造方法，其包括利用下述光罩，在— 基板表面形成一預設光學影像圖案之步驟； 該光罩’係藉由執行下述光罩製造方法所校正之光罩之 佈局圖案而形成者； 該光罩製造方法，係配置-光傳輸圖案部分及_光遮蔽 圖案部分’用以在一基板表面形成光學影像圖案，包括 下述步驟： 计算一圖案面積比率及一圖案密度，該圖案面積比率 之计算係由已知光罩佈局圖案之設計資料，計算光傳輸 圖f部分或光遮蔽圖案部分與光罩面積之比率，而該圖 案达度，係為Μ區域内光傳輸圖案部分或光遮蔽圖案部 分與由已知佈局圖案抽取之區域面積之比率； 當該圖案係利用已知佈局圖案之設計資料形成在光 罩上之情況，由所算出之圖案面積比率及圖案密度，估 計圖案尺寸，·及 根據所估計圖案尺寸，將校正量分配至已知佈局圖案 六、申請專利範圍 ^ ^ ^1 Η ψγ 〇 8. 一種半導心置製衫法，其 基板表面形成-預設光學影像圖案之步用;述光罩，在. =二係藉由執行下述光罩製造方法所校正之光罩 佈局圖案而形成者； ，仅止 < 先罩《： =製造方法’係形成-光傳輸圖案部分及—… =述::在—一成-一學影a 二 局二案案：？科，計算-圖_ 分之面積與光罩面積之比率，而該圖^ ::面：：區域内之光傳輸圖案部分或光遮蔽圖案部 \ 由已知佈局圖案抽取之區域面積之比率，· 案之：案面積比率及圖案密度’估計所形成圖 二上 案根據所估計位置準確度，將校正量分配至已知饰局圖 9. :種=導體裝置製造方法，其包括利用下述光罩，在— 基板表面形成一預設光學影像圖案之步驟； 該光罩’係藉由執行下述光罩製造方法所校正之光罩之 佈局圖案而形成者； 該光罩製造方法，係配置—㈣輸圖案部分及_光遮蔽 圖案部刀$以在-基板表面形成—預設光學影像圖案 ，包括下述步驟： 计算一圖案面積比率及一圖案密度，該圖案面積比率 之計算係由已知光罩佈局圖案設計資料，計算光傳輸圖 案部分或光遮蔽圖案部分之面積與光罩面積之比率，該 圖案全度為在該區域内之光傳輸圖案部分或光遮蔽圖 案部分<面積與由已知佈局圖案抽取之區域面積之比 率； 由所算出之圖案面積比率及圖案密度，估計所形成圖 案之XY差異’包括利用所分配佈局圖案之設計資料， 在光罩上形成圖案之情況；及 根據所估计XY差異將一校正量分配至該分配之佈局 圖案。