TW575789B - Positive photoresist composition - Google Patents
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Description
575789 五、 發明說明 (1: ) 技 術 領 域 本 發 明 係 有關 — 種製造半導體積體電路元件 、積體電 路 製 造 用 光 罩、 印 刷配線板、液晶顯示板等所使用的正 型 光 阻 劑 組 成物 〇 先 則 技 術 正 型 光 阻 劑組 成 物係爲美國專利4,4 9 1,6 2 8號 說明 書、 歐 洲 專 利 第 29, 139號說明書等記載的化學放大 系光 阻劑~ 組 成 物 〇 化 學放 大 系正型光阻劑組成物藉由遠紫 外光 等之 放射 線 眧 J \ \\ 射 、在 曝 光部生成酸、以該酸作爲觸媒 之反 應, 活性放 射 線 之照 射 部與非照射部對顯像液之溶解 度產 生變 化 > 在 基 板 上形成 圖案之圖案形成材料。 上 述 化 學 放大 系 正型光阻劑組成物可分爲鹼可 溶性 樹脂 Λ 藉 由 放 射 線曝 光 產生酸之化合物(光酸發生劑) 、及 對具 有 酸 分 解 性 基之 鹼 可溶性樹脂而言之阻溶性化合 物所 成的 3 成 分 系 , 與藉 由 與酸之反應分解而鹼可溶之基 的樹 脂與 光 酸 發 生 劑 所成的 2成分系,以及藉由與酸之反 應分 解、 具 有 驗 可 溶 之基 的 樹脂、具有酸分解性基之低分 子阻 溶性 化 合 物 、 及光酸 發 生劑所成的混合系。 上 述 化 學 放大 型 正型光阻劑組成物中混合2種 以上 所使 用 的 藉 由 酸 作用 分 解、增大對鹼顯像液之溶解性的樹脂( 酸 分 解 性 樹 脂)以改良性能之技術係爲已知。 而 且 有 關單 一 樹脂著重於樹脂之分散度的技 術係 爲已 知 〇 -3-
575789 五、發明說明(2) 然而’使用該技術有顯像缺陷性能與線蝕刻粗糙性之問 題。 因此’本發明之目的系提供一種可同時改良顯像缺陷性 能與線蝕刻粗糙性之化學放大型正型光阻劑組成物。 發明之揭示 本發明人有鑑於現狀、再三深入硏究的結果,發現使用 至少2種具有不同分散度之樹脂的正型光阻劑組成物可達 成上述目的,遂而完成本發明。 換言之,本發明之正型光阻劑組成物爲下述構成。 (1 ) 一種正型光阻劑組成物,其包含 (A )藉由活性光線或放射線產生酸之化合物, (B )對鹼而言爲不溶性或難溶性、藉由酸作用分解、增 大在鹼顯像液中之溶解度的樹脂, 其特徵爲(B)樹脂爲至少由(B1)與(B2)等2種樹脂之 混合物所形成,各分散度Mw/Mn爲(B1M)及(B2M)時 可滿足 9.92 (B1M)/(B2M )^1.3。 (2 )如(1 )記載之正型光阻劑組成物,其中(B 1 )或(B2 )中 至少一方之樹脂爲下述通式(I V )及(V )所示重複單位,
575789 五、發明說明(3) (其中L表示氫原子、可具取代基之直鏈、支鏈或 環狀;k基、或可具取代基之芳院基,Z表示可具取代 基之直鏈、支鏈或環狀烷基、或可具取代基之芳烷基 ’且Z與L可鍵結形成5或6碳環)。 (3 )如(1 )或(2 ) 載之正型光阻劑組成物,其中(b 1 )或 (Β2)兩方之樹脂爲下述通式(ιν)及(ν)所示重複單位
(其中L表示氫原子、可具取代基之直鏈、支鏈或 環狀烷基、或可具取代基之芳烷基,Ζ表示可具取代 基之直鏈、支鏈或環狀烷基、或可具取代基之芳烷基 ,且Ζ與L可鍵結形成5或6碳環)。 發明之實施形態- 於下述中詳細說明本發明。 [1 ]( Β )對鹼而言爲不溶性或難溶性、藉由酸作用分解、增 大在鹼顯像液中之溶解度的樹脂 本發明所使用的上述(Β)之樹脂係爲對鹼而言具不溶性 或難溶性、藉由酸作用分解、增大在鹼顯像液中之溶解度 575789 五、 發明說明 (4) 的 樹 脂。 該 對鹼 而 言具不溶性或難溶性、藉由酸作用 分 解 - 增 大 在 鹼 顯像 液 中之溶解度的樹脂,以使用具有羥 基 苯 乙 烯 之 重 複 單位 藉由酸作用分解、增加對鹼之溶解 性 的 樹 脂 較 佳 〇 此 處, 羥 基苯乙烯可以鄰-、間-、或對-羥 基 苯 乙 烯 > 或 部 分加 氫 。另外,亦可具有羥基外之取代基 〇 該 取 代 基、 例 如有烷 基 、院氧基、芳院基、芳基等。 本 發明 之 正型化學放大型光阻劑所使用的具 有 藉 由 酸 作 用 分 解、 增 大在鹼顯像液中溶解性之基(以下 稱 爲 厂 以 酸 分 解 之基 j )的樹脂,在樹脂之主鏈或側鏈、 或 在 主 鏈 及 側 鏈 兩方 上 具有以酸分解之基的樹脂。其中, 在 側 鏈 上 以 酸 分 解所 得 基的樹脂較佳。 以 酸分 解 所得的基以- COOA^、-〇-BG基較佳 以 及 含 此 等 之 基例 如 以-R°-COOAQ、或-Ar-0-BQ所示之基 〇 此 處, A0 表示-C(RQ1)(RQ2)(R°3)、-SiCR。1)。 >02 )(] R03 )或- C(R° 4) (R0 5) -0-RG6 基。BG 表示 A。或-CO_〇_A〇 基 〇 R0 1、R0 2 . R〇3、R〇4及R〇5可爲相同或不同的 氫 原 子 院 院基 儲基或芳基’ RM係表示院基或芳基, 惟1 ?01 R° 3 4 ]至少 > 二 :個爲氫原子外之基、或〜R〇3及 R04- -R06 中 二 個 基鍵 結 形成環。 R0 表示 可 具取代基之2價脂肪族或芳香族烴 基 -A r - 係 表 示 單環 或 多環之可具取代基的2價芳香族基 -6- 〇 575789 五、發明說明(5) 此處,烷基以甲基、乙基、丙基、正丁基、第2 -丁基、 第三丁基之碳數1〜4個者。環烷基以可具取代基之環丙 基、環戊基、環己基、金剛烷基之碳數3〜8個者較佳。 烯基以可具取代基之乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基之 碳數2〜4個者較佳。芳基以苯基、甲苯基、甲苯醯基、 枯基、萘基、蒽基之碳數6〜14個者較佳。 另外,此等之取代基以羥基、鹵素原子(氟、氯、溴、 ’ 碘)、硝基、氰基、醯胺基、上述烷基、甲氧基、乙氧基 、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、正丁氧基、異丁氧 基、第2 -丁氧基、第3 -丁氧基等之烷氧基、甲氧基羰基 、乙氧基羰基等之烷氧基羰基、甲醯基、乙醯基、枯基等 芳烷基、芳烷氧基、甲醯基、乙醯基、丁醯基、苯甲醯基 、氰醯基、戊醯基等之醯基、丁醯氧基等之醯氧基、上述 烯基、乙烯氧基、丙烯氧基、烯丙氧基、丁烯氧基等之烯 氧基、上述芳基、苯氧基等隻芳氧基、苯甲醯基等之芳氧 基羰基。 酸分解性基(-COOA^或-0-B”以甲矽烷醚基、枯酯基、 縮醛基、四氫吡喃醚基、乙醇醚基、乙醇酯基、3級烷醚 基、3級烷酯基、3級烷基碳酸酯基等較佳。更佳者爲3 級烷酯基、3級烷基碳酸酯基、枯酯基、縮醛基、四氫吡 喃醚基。更佳者爲縮醛基。 然後,此等以酸分解所得的基作爲側鏈鍵結時之母體樹 脂,係爲具有上述羥基苯乙烯之重複單位、在側鏈上具有 五、發明說明(6 ) -0H或-COOH、較佳者爲-R°-COOH或-Ar-OH基之鹼可溶性 樹脂。例如下述鹼可溶性樹脂。 而且,就可達成矩形外型而言,以對遠紫外光或準分子 雷射而言透射率高的鹼可溶性樹脂較佳。較佳者爲1 μιη膜 厚之248nm下透射率爲20〜90%。 就此點而言,更佳的鹼可溶性樹脂有鄰-、間-、對-聚( 羥基苯乙烯)及此等之共聚物、氫化聚(羥基苯乙烯)' 鹵 素或烷基取代的聚(羥基苯乙烯)、聚(羥基苯乙烯)部分鄰 -烷基化或鄰-醯基化物、苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物、α-甲基苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物及氫化酚醛淸漆樹脂。 本發明所使用的具有以酸分解所得基的樹脂,如歐洲專 利25485 3號、特開平2 - 25850號、同3 - 223 860號、同4-25 1 259號等揭示,藉由在鹼可溶性樹脂中使以酸分解所得 基之前驅體反應、或使以酸分解所得的基鍵結鹼可溶性樹 脂單體與各種單體共聚合予以製得。 本發明所使用的(Β )對鹼而言具不溶性或難溶性、藉由 酸作用分解、可增大鹼顯像液中之溶解度的樹脂具體例(1 ) 〜(1 8 )如下述所示,惟本發明不受此等所限制。 (1) :對··第3 -丁氧基苯乙烯/對-羥基苯乙烯共聚物 (2) :對-(第3 -丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/對-羥基苯乙 烯共聚物 (3) :對-(第3 -丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/對-羥基苯乙 烯共聚物 575789 五、發明說明(7 ) (4) :4-(第3 -丁氧基羰基甲氧基)-3 -甲基苯乙烯/ 4-羥 基-3-甲基苯乙烯共聚物 (5) :對-(第3 -丁氧基鑛基甲氧基)苯乙嫌/對··經基苯乙 烯(10%加氫物)共聚物 (6) :間-(第3-丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/間-羥基苯乙 烯共聚物 (7) :鄰-(第3 -丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/鄰-羥基苯乙 烯共聚物 (8) :對-(戊氧基羰基甲氧基)苯乙烯/對-羥基苯乙烯共 聚物 (9) :對-(第3-丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/對-羥基苯乙 烯/苯乙烯共聚物 (1 0 ):對-第三丁基丙烯酸酯/對-羥基苯乙烯/富馬腈共 聚物 (11) :對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚物 (12) :苯乙烯/對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚 物 (13 ):對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚物 (14) :苯乙烯/對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚 物 (15) :對-(第3 -丁氧基羰基甲氧基)苯乙烯/對-羥基苯 乙烯/ N-甲基馬來醯亞胺共聚物 (16):對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯/對-(第3 -丁 575789 五、發明說明(8) 氧基羰基甲氧基)苯乙烯共聚物 (1 7 ):對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯/對-(第3 - 丁 氧基羰基甲氧基)苯乙烯共聚物 (1 8 ):對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯/對-乙醯氧基 苯乙烯共聚物(參照下述構造式)。 —(CH 一 CH^) (CH 一 CH〇)-fCH — —
V 於本發明中,藉由酸作用分解、增大在鹼顯像液中溶解 度的樹脂(B)以含有下述通式(IV)及通式(V)所示重複構造 單位之樹脂較佳。藉此可更爲顯著本發明之效果。
(其中L係表示氫原子、可具取代基之直鏈、支鏈或環 狀烷基、或可具取代基之芳烷基,Z表示可具取代基之直 鏈、支鏈或環狀烷基、或可具取代基之芳烷基,且2與L 可鍵結形成5或6碳環) •10- 575789 五、發明說明(9) 通式(IV)中L與Z之烷基例如甲基、乙基、丙基、異丙 基正丁基、異丁基、第二丁基、戊基、環戊基、己基、王我 己基、半基、十二院基等碳數1〜20個直鏈、支鏈或環狀 者。 L及Z之烷基所具有的取代基例如烷基、烷氧基、羥基 、鹵素原子、硝基、醯基、醯氧基、醯胺基、磺基胺基、 烷硫基、芳硫基、芳烷基硫基、噻吩基羰氧基、噻吩基甲 基羰氧基、吡咯烷酮殘基等之雜環殘基等,較佳者爲碳數 1 2以下。 具有取代基之烷基例如有環己基乙基、烷基羰氧基甲基 或烷基羰氧基乙基、芳基羰氧基乙基、芳烷基羰氧基乙基 、烷氧基甲基、芳氧基甲基、芳烷氧基甲基、烷氧基甲基 、芳氧基甲基、芳烷基甲基、烷氧基乙基、芳氧基乙基、 芳烷氧基乙基、烷硫基甲基、芳硫基甲基、芳烷基硫化甲 基、烷硫基乙基、芳硫基乙基、芳烷基硫化乙基等。 此等之基中烷基沒有特別的限制,可以爲鏈狀、環狀、 支鏈狀,亦可以具有上述烷基、烷氧基等之取代基。 上述烷基羰氧基乙基例如環己基乙基、烷基羰氧基甲基 烷或烷基羰氧基乙基、芳基羰氧基乙基、芳烷基羰氧基乙 基、烷氧基甲基、芳氧基甲基、芳烷氧基甲基、烷氧基乙 基、芳氧基乙基、芳烷氧基乙基、烷硫基甲基、芳硫基甲 基、芳烷硫基甲基、烷硫基乙基、芳硫基乙基、芳烷硫基 乙基等。 -11- 五、發明說明(1〇) 此等之基中烷基沒有特別的限制,可以爲鏈狀、環狀、 支鏈狀、亦可以具有上述院基、院氧基等之取代基。 上述烷基羰氧基乙基例如環己基羰氧基乙基、第三丁基 環己基羰氧基乙基'正第三丁基環己基羰氧基乙基等。 方基沒有特別的限制,一般而言例如苯基、甲苯基、甲 苯醯基、枯基、萘基、i基之碳數6〜14者,亦可以具有 上述烷基、烷氧基等之取代基。 上述芳氧基乙基例如苯氧基乙基、環己基苯氧基乙基等 〇 芳烷基沒有特別的限制,例如苯甲基等。 上述芳烷基羰氧基乙基例如苯甲基羰氧基乙基等。 通式(I V )中L及Z之芳烷基例如經取代或未經取代的苯 甲基、經取代或未經取代的苯乙基等碳數7〜1 5個者。 芳烷基之較佳的取代基例如烷氧基、羥基、鹵素原子、 硝基、醯基、醯胺基、磺基胺基、烷硫基、芳硫基、芳院 硫基等,具取代基之芳院基例如院氧基苯甲基、經基苯甲 基、苯硫基苯乙基等。L或Z之芳烷基所具取代基的碳數 範圍以1 2以下較佳。 上述取代烷基或取代芳烷基,在末端上以導入苯基或環 己基之體積大的基,可提高蝕刻粗糙性。 L與Z互相鍵結形成的5或6碳環例如四氫吡喃環、四 氫呋喃環等。 上述樹脂中通式(IV)所示重複構造單位與通式(V)所示 -12- 575789 五、發明說明(1〇 重複構造單位之比例,以1 / 9 9〜6 0 / 4 0較佳、更佳者爲 5/95〜50/50、最佳者爲1〇/9〇〜4〇/6〇。 含有上述通式(IV)及(V)所示重複構造單位之樹脂中亦 可包含由其他單體所衍生的構造單位。 其他單體例如氫化羥基苯乙烯;鹵素、烷氧基或烷基取 代的經基苯乙燃;苯乙烯;鹵素、烷氧基、醯氧基或烷基取 代苯乙烯;馬來酸酐;丙烯酸衍生物;甲基丙烯酸衍生物 ;N -取代馬來醯亞胺等,惟不受此等所限制。 通式(IV)及通式(V)之構造單位與其他單體之構造單位 的比例’以莫耳比[(IV) + (V)]/[其他單體成分]=1〇〇/〇〜 50 / 50、較佳者爲100/0〜60/4〇、更佳者爲100/0〜7〇/3〇 〇 含有上述通式(IV)及通式(V)所示重複構造單位之齒脂 具體例如下述所示。 -13- 575789
575789 五、發明說明(13)
iso-Bu
-15- 575789 五、發明說明(14)
〇
-16- 575789 五、發明說明(15)
(IV-17)
(IV-18)
-17- 575789 五、發明說明(16)
(IV—24)
-18- 575789 五、發明說明(17)
ch3 -19- 575789 五、發明說明(18 )
-20- 575789 五、發明說明(19)
-21 - 575789 五、發明說明(20)
-22- 575789
575789 五、發明說明(22 ) 上述具體例中,Me係表不甲基、Et係表示乙基、n-Bu 係表示正丁基、i S0_Bu係表示異丁基、t - Bu係表示第三 丁基。 使用縮醛基作爲酸分解性基時,爲調整鹼可溶速度及提 高耐熱性時,於合成階段時添加聚羥基化合物使聚合物主 鏈導入以多官能基縮醛基鍵結的交聯部位。聚羥基化合物 之添加量對樹脂之羥基量而言爲0 . 0 1〜5莫耳%、較佳者、 爲0 · 05〜4莫耳%。聚羥基化合物例如具有2〜6個苯酚性 羥基或醇性羥基者,較佳者羥基數爲2〜4個、更佳者羥 基數爲2或3個。 於下述爲聚羥基化合物之具體例,惟不受此等所限制。 -24- 575789 五、發明說明(23 H〇 -fCH2)7r OH HO η = 2 〜8 Η〇^+〇-〇Η
Ο 1 OH
HO *1〜5 Ο
OH
HO
Me -°o〇
OH
OH
OH
Me Me H〇4-h^^>—1—〇H
Me
Me Η〇〇Ϊ〇-〇Η Me
OH
ch2oh
OH HO
HO
j〇ta0H 於本發明中,(B )樹脂中具有酸分解性基之重複單位元 的含量對全部重複單位元而言以5〜50莫耳%較佳、更佳 -25- 575789 五、發明說明(24 ) 者爲10〜40莫耳%。 於本發明中,(B)樹脂中羥基苯乙烯之重複單位元的含 量對全部重複單位元而言以5〜9 5莫耳%較佳、較佳者爲 1 0〜8 5莫耳%。 具有以酸分解所得基的樹脂之重量平均分子量(Mw )以 2, 000〜3 00,000較佳。若小於2,000時因爲曝光部顯像會 使膜減少情形變大,而若大於300, 000時對樹脂本身對鹼 而言溶解速度變慢、感度降低。此處,重量平均分子量以 凝膠滲透色層分析法之聚苯乙烯換算値予以定義。 此等樹脂可使用本發明(B1)及(B2)中任一種,於混合時 各分散度Mw/Mn爲(B1M)及(B2M)時,必須滿足9.9-(B1M) / (B2M) g 1 . 3、較佳者爲 7 . 0 ^ (B1M / (B2M) ) g 1 · 3 ο 爲滿足此點時,例如可使單分散樹脂與其他樹脂混合、 使單分散與更狹窄或稍廣者混合、使多分散與較廣的樹脂 混合等。 於上述中,以使單分散樹脂與其他樹脂混合較佳。 單分散樹脂可以陰離子活性聚合、陽離子活性聚合、遊 離基活性聚合等之活性聚合法合成。 而且,多分散樹脂以一般的遊離基聚合等合成。 另外,於此等聚合法中藉由調整其起始劑量或聚合溫度 等,可以調整其分散度。 此外’於本發明中單分散樹脂係表示分散度Mw/Μη爲 -26- 575789 五、發明說明(25 ) 1 . 0〜1 . 5之樹脂。 藉由混合如此所得滿足上述條件之2種樹脂,可改良顯 像缺陷、線蝕刻粗糙性及疏密相關性。 (B 1 M ) / ( B2M ) < 1 . 3時可確知顯像缺陷性能惡化、 (Β 1 M ) / ( Β2Μ )〉9 . 9時可確知線蝕刻粗糙性顯著惡化,故 不爲企求。 上述樹脂中樹脂(Β1 )與樹脂(Β2)之使用比例以1 / 99〜 99/1較佳、更佳者爲5/95〜95/5、最佳者爲10/90〜 90/ 10 〇 此等(Β )樹脂之添加量,以組成物中固成分爲基準通常 爲0.01〜99重量%,較佳者爲0.01〜90重量%、更佳者爲 0 . 1〜8 0重量%。 該組成物具有至少混合2種上述樹脂之特徵,亦可另外 混合樹脂。 另外,混合更多種樹脂時,其中至少一種必須與其他3 種之分散度不同者,即使構造不同、可僅考慮分散度、且 包含上述混合比。例如混合4種樹脂時,1種之分散度爲 1 . 1時、殘留的3種成分包含上述組成比,例如2 . 0、2 . 5 、2 · 8 等。 全部樹脂之分散度不同時,以原本分離的樹脂同志爲基 準比較,且判斷是否含有上述組成比。 [2 ](A )藉由活性光線或放射線照射產生酸之化合物(光酸 發生劑) -27- 575789 五、發明說明(26) 本發明所使用的(A)光酸發生劑係爲藉由活性光線或放 射線照射產生酸之化合物。 本發明所使用的光酸發生劑可使用適當地選擇光陽離子 聚合之光起始劑、光遊離基聚合之光起始劑、色素類之消 光劑、光變色劑、或藉由微光阻劑等所使用的習知光(400 〜200nm之紫外線、遠紫外線、更佳者爲g線、h線、i線 、KrF準分子雷射光)、ArF準分子雷射光、電子線、X線, 、分子線或離子束產生酸之習知化合物及此等之混合物。 其他本發明所使用的光酸發生劑例如二偶氮鐵鹽、銨鹽 、錢鹽、碘鏺鹽、毓鹽、硒鏺鹽、砷鐵鹽等之鏺鹽、有機 鹵化物、有機金屬/有機鹵化物、具有磷-硝基苯甲基型保 護基之化合物、二楓化合物、二偶氮酮m、二偶氮二碾化 合物等。 而且,可使用將此等藉由光產生酸之基、或化合物導入 聚合物之主鏈或側鏈之化合物。 另外,V.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(1980) 、 A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971) Λ D.H.R.Barton e t a 1, J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、美國專利第 3,779,778 號、歐洲專利第1 26,7 1 2號等亦記載的使用藉由光產生酸 之化合物。 於上述光酸發生劑中,於下述中說明特別有效者。 (1 )以三鹵化甲基取代、以下述式(PAG1 )所示噁唑衍生 -28- 575789 五、發明說明(27 ) 物或以通式(PAG2)所示S-三哄衍生物。 Μ— N r2D1,cvc、c ⑺3(PAG1) R202
C〇〇3 (PAG2) (其中R2()l表示經取代或未取代的芳基、烯基;R2 經取代或未取代的芳基、烯基、烷基、-C( Y)3。Y 氯原子或溴原子) 具體而言例如有下述化合物,惟不受此等所限制1 Q2表示, 係表不 -29- 575789
575789 五、發明說明(29 ) (2)下述通式(PAG3)所示之碘鏺鹽、或通式(PAG4)所年: 之毓鹽。
(PAG3)
(PAG4) (其中式A r1、A r2係各自獨立地表示經取代或未取代白勺 芳基。較佳的取代基例如有烷基、環烷基、芳基、烷氧基 、羧基、羥基、酼基。 R2()3、R2〇4、R2〇5係各自獨立地表示經取代或未取代的芳 基。較佳者爲碳數6〜14之芳基、碳數1〜8之烷基及此 等之取代衍生物。較佳的取代基例如有對芳基而言碳數1 〜8之院氧基、碳數1〜8之院基、殘基、經基,對院基而 言碳數爲1〜8之烷氧基、羧基、烷氧基羰基。 係表示對陰離子,例如有BF4-、AsF6_、PF,、SbF6-、 Sl^V、CIO,、CF3S(V等之過氟鏈烯基磺酸陰離子、五氟 苯磺酸陰離子、萘-1 -磺酸陰離子等縮合多核芳香族磺酸 陰離子、蒽磺酸陰離子、含磺酸基之染料等,惟不受此等 所限制。較佳者爲鏈烷基磺酸、過氟化鏈烷基磺酸、烷基 取代苯磺酸、五氟化苯磺酸之陰離子、糖精陰離子。 而且,R2Q3、R2Q4、R2Q5中2個及Ar1、Ar2可各爲單鍵或 經由取代基鍵結。 具體例如下述所示化合物,惟不受此等所限制。 1 575789
575789 五、發明說明(31
Or //Cf^ CF3SO3 (PAG3-12) COjCHzO^CHjO^ H3C〇0C α C00CH3 (PAG3-13)
(PAG3-19) Θ C4FgS〇3 (PAG3-21)
-33- 575789 五、發明說明(32 )
-34- 575789 五、發明說明(μ (PAG4-1)
π
Or 3 *S® AsF © (PAG4-3) 、Θ (PAG4-S)
Of
F F -S® F
F F (PA64-2) s cf3s〇3®
(PAG4-7) h3c〇hC^sC^0^ cf3so30 ·/ (PAG4-8)
Cl
CF3S〇3G (PAG4-9)
HO
Θ rCH^ S6F® CH3 CHa (PAG4-10) 〇4Hg CH3 (PAG4-11) hoO~*50 (PAG4-12) c4H9
SO h^co HO h3co
CO CF3S03 CPAG4-13) Θ -35- 575789 五、發明說明(34 pf« © ho^Q-€)
Bf4 Θ (n)C4Hg (n)C,K, (PAG4-14)
/=% 11 0 Y^^C-CHa—S—CH3 SbFe0
/=\ ° Θ CHa PFee (FAG4-1B) (PAG4-19)
SO- β (nJC.Hg PFq© (PAG4-23) (PAG4-24) ^2Η25 Q^sO~^fQ) \
so. ? (PAG4-25) -36- 575789 五、發明說明(35 )
-37- 575789 五、發明說明(36 )
-38- 575789 五、發明說明(37 )
cf3 一〇3S—(PAG4-38) CF3
S+ S+ S+ S+ S+ s+
Cl
Cl -〇3S—cf3 Cl . (PAG4-39) (PAG4-40) (PAG4-41) CF2CF2CF3 '03S-<^^ (PAG4-42) CF2CF2CF3
ch2ch2cf2cf2cf3 (PAG4-44) M ch2ch2cf2cf2cf3
ocf3 (PAG4-45) -39- 575789 五、發明說明(38 )
〇ch2cf3 ocf3 "〇3s-^J> f3co O3S—^ cf3〇3S-h^J) f3co-〇3s~^ "O3S—^^cf3
Cl
(PA64-46) (PAG4-47) (PAG4-48) (PAG4-49) (PAG4-50) (PAG4-51) (PAG4-52) (PAG4-53) (PAG4-54) (PAG4-55) -40- 575789 五、發明說明(39 )
cf3 〇3S-^^ (PAG4-56) cf3
Cl '〇3S CF3 (PAG4-57) cf2cf3 一〇3s-^^) (PA64-58) CF2CF3
OF 2〇F oOF 3 _ /=( 〇3S~\ / (PAG4-60) CF2CF2CF3 F3CH2CO O3S-^^ (PAG4-61) OCH2CF3 -41 - 575789 五、發明說明(4〇 cf3 _〇3s-^T"S-cf3 (PAG4-62) cf3 (~y f3ch2co f=\ ^ e_/ \ (PAG4-63) 〇3δΛ_( b Pb och2cf3 ocf3 (PAG4-64)
g "o3s F3C CF 3
(PAG4-65)
S+ "O3S
CF3 F (PAG4-66)
S 十 '〇3S
cf3 F F (PAG4-67) -42- 575789
575789 五、發明說明(42 )
(PAG4-74) (PAG4-75) (PAG4-76) (PAG4-77) -44- 575789 五、發明說明(43 )
cf3so30
C4F9S〇f
cf3s〇30 cf3 (PAG4-81) -45- 575789 五、發明說明(44 )
-46- 575789 五、發明說明(45 )
(PAG4-85)
通式(PAG3)、〖PAG4)所示之鏺鹽係爲習知。例如可藉由 J.W.Knapczyk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、 A.L.Maycok etal,J.Org.Chem. ,35,2532 ,(1970)、 E.Geothas etal,Bull.Soc.Chem.Belg., 73,546(1964)、 Η.M.Leicester.J.Ame.Chem.Soc·, 51,3587(1929)、 J.V.Crivello etal,J .Polym.Chem.Ed.,18,2677( 1980) -47- 575789 五、發明說明(46 ) 、美_專利第2,807,648號及同4,247,473號、特開昭 5 3 - 1 0 1 , 3 3 1號等所記載的方法予以合成。 (3)下述通式(PAG5)所示二楓衍生物或通式(PAG6)所示 亞胺基磺酸酯衍生物。
(PAG5) (PAG6) (其中Ar3、Ar4係各自獨立地表示經取代或未取代之芳 基。R2()6表示經取代或未取代之烷基、芳基。A表示經取 代或未取代之伸烷基、伸烯基、伸芳基) 具體例如下所示之化合物,惟不受此等所限制。 -48- 575789 五、發明說明(47) ciO^ -S〇2 (PAG5-1)
01 HnC—SOj— S02· (PAG5-2)
ch3 H3CO- SO — S〇2—OCHo H3 ^2-:
a
Hs〇2〇
(PAG5-3) SOj~ S〇2 (PAG5-5) S〇2— S〇2
cf3
a
ca 07 (PAG5-7) S〇2S〇2
ch3
^ y=v HC—ή — S02~ SOj' (PAG5-4) S〇2~~ S〇2" (PAG5-6) S〇2— S〇2* ⑽ 5-3) SO-
Cl
Cl
OCHn (PAG5-10) (PAG5-9) Cl
(PAG5-13)
H3C (PAG5-12)
H ;~\\ //~ S〇2— SOf (PAG5-14)
S〇2 S〇2·
(PAG5-1S) -49- 575789 五、發明說明(48 ) ch3 ο (PAG6-1) Ο (PAG6-2) Ο
Ν- Ο- S〇2^~^》^1 Ο Ο
(PAG6-3) Ν一 Ο" S〇2 Ο (PAG6-4) Ο CF〇 Ο
Ο n,。-s〇2、 (PAG6-5) 〇
〇 Ο
och3 ο 〇
〇 Ν- ο - so2- (¾¾ (PAM-7) 〇一 S〇2 Ο ,Ν-O - (PAG6-9)
〇 N - 0- S02- (CH2)15- GH3 ° (PAG6-11) Ο (PAG6-8)
-50- 575789 五、發明說明(49 )
〇 Ο
F F
N- ◦- δ02、\ /)— F Ο F F (PAG6-1S)
Ν — 0, S〇2 — CF3 〇 (PAG6-16)
CH3 Ο F F (PAG6-19)
0 H3C. H3C
I N- 0-S02—CF3 〇 (PA66-18)
〇 CO^CH^ N—〇-S02 O
(4 )下述通式(7 )所 (PAG6-20)氮二碾衍生物。 Ο Μ Ο II炉丨丨 R-S—u—s—R II II〇 ο (PAG7) (其中R各表示直鏈、支鏈或環狀烷基、或可具取代基 之芳基)具體例如下述所示之化合物,惟不受此等所限制。 -51 - 575789 五、發明說明(5〇 〇- 〇 II s- 〇 (PAG7-1) 0 II -S一 II 0
(PAG7-2) (PAG7-3) (PAG7-4) II II --S—LS--(PAG7 - 5) II II 〇 〇 (A )藉由活性光線或放射線照射產生酸之化合物,以至 少一種具有毓鹽構造之化合物及具有二偶氮二楓構造之化 合物較佳,更佳者爲倂用具有毓鹽構造之化合物及具有二 偶氮二楓構造之化合物兩者。藉此可更爲顯著本發明之效 果。 此等光酸發生劑之添加量,以組成物中之固成分爲基準 時通常爲0.001〜40重量%、較佳者爲0.01〜20重量%、 更佳者爲0 . 1〜5重量% °若光酸發生劑之添加量小於 0.0 01重量%時,或添加量大於40重量%時,光阻劑之光吸 收過高、外型惡化、或工程(尤其是烘烤)範圍狹窄’故不 爲企求。 -52- 575789 五、發明說明(51 ) 本發明之組成物中可使用藉由活性光線或放射線照射產 生羧酸之化合物(羧酸產生化合物)。藉此可更爲提高保存 時之安定性、且可更爲減少因PED之線寬變化、以及可提 高疏密相關性。 羧酸發生化合物例如具有上述光酸發生劑所例示的陽離 子(較佳者爲三苯基毓陽離子)、與羧酸之陽離子之鏺鹽。 具體例如二苯基碘鐵羧酸鹽、三苯基毓羧酸鹽、二苯塞碘 鏺苯羧酸鹽、三苯基銃苯羧酸鹽、以及此等中導入有取代 基者。其中,以三苯基毓羧酸鹽、三苯基毓取代苯羧酸鹽 更佳。 本發明組成物中羧酸發生化合物之添加量,通常對組成 物之全部固成分而言爲0.1〜40重量%、較佳者爲0.01〜 20重量%。 本發明之組成物中可使用有機鹼性化合物。藉此,另可 提高保存時之安定性、且可更爲減少因PED之線寬變化’ 故爲所企求。 本發明可使用的較佳有機鹼性化合物係爲比苯酚具有較 強的鹼性化合物。 其中,以含有(A )〜(E )所示構造之含氮鹼性化合物較佳 〇 R251 Κ250_^_Κ252 …(A) -53- 575789
R: 及R: 五、發明說明 2 5 0 可爲相同或不同的碳原子、碳數
(其中R 丄〜6之烷基、碳數 1〜6之胺基烷基、碳數1〜6之羥基或 碳數6〜20之經取代節+ 未經取代之芳基,且R25!與R252可 互相鍵結形成環。) …(B) 4 κτ ι -L—N==c_ …(c) …(D) j^254 r255 R253—C—N— C—R256 …(E) (其中R 2 5 3、R254、R255及r 2 5 6可爲相同或不同的碳數1 〜6之烷基。) 更佳者的化合物爲含氮之環狀化合物(稱爲環狀胺化合 物)或在一分子中具有2個以上不同化學環境之氮原子的 含氮鹼性化合物。 環狀胺化合物以多環構造更佳。環狀胺化合物之較佳具 體例如下述通式(F )所示化合物。 ΥΟΓΛ Ν (F) -54- 575789 五、發明說明(5 3 ) (其中y、z各獨立地表示可含雜原子、可具取代基之直 鏈、支鏈、環狀伸烷基) 此處,雜原子例如氮原子、硫原子、氧原子。伸烷基以 碳數2〜1 0個較佳、更佳者爲2〜5個。伸烷基之取代基 例如碳數1〜6個烷基、芳基、烯基、鹵素原子、鹵素取 代的烷基。另外’通式(F )所示化合物之具體例如下述所 示化合物。 '
一一 -,7 , 丄,」-—Ίι 氮—環[4,3,0]-壬-5-焴更佳。 -分子中具有2個以上不同化學環境之氮原子的細 性化合物以含有經取代或未經取代的胺基與含氮原子之, 構姐兩方的化口物或具烷基胺基之化合物更佳。較 體例如經取代或未_ FT7 /4^… „ J〆 一 ^取代的胍、經取代或未經取 吡啶、經取代或未經取代的胺脖“ 取_女3 取代的胺基吡咯烷、㈣ "乂代次未翁 未經取代的壯哩、押:代或未經取代的味哩、經輸 經取代的《、經:代2未經取代的啦哄、經取代或萍 代或未經取代的嘌呤、經取代或未經 -55- 575789 五、發明說明(54 取代的咪哩啉、經取代或未經取代的㈣、經 取代的義、經取代或未經取代的胺基嗎啉、經取代= 經取代的胺基院基嗎Π#等。較佳之取代基有胺基、胺基 基、烷基胺基、胺基芳基、芳基胺基、烷基、烷氧基、: 基、醯氧基、芳基、芳氧基、硝基、羥基、氰基。 更佳的化合物例如有胍、丨,^二甲基胍、四甲 基胍、2 -胺基吡啶、3 -胺基吡啶、4 _胺基吡啶、2 _甲s基胺 基吡啶、4 -二甲基胺基吡啶、2 _二乙基胺基吡啶、2 “胺基 甲基)吡啶、2-胺基-3_甲基吡啶、2_胺基-4_甲基壯陡、 2 -胺基-5 _甲基吡啶、2 -胺基-6 -甲基吡啶、3 _胺基乙基吡 啶、4_胺基乙基吡啶、3-胺基吡咯烷、哌畊、n-( 2-胺基乙 基)哌畊、N-(2-胺基乙基)哌啶、4_胺基-2,2,6,6-四曱基 哌啶、4 -吡喃基哌啶、2 -亞胺基哌啶、1 - ( 2 -胺基乙基) 吡咯烷、吡唑、3 -胺基-5 -甲基吡唑、5 -胺基-3 -甲基_ 1 _對 -三吡唑、吡D井、2 -(胺基甲基)-5 -甲基吡畊、嘧啶、2,4 -二胺基嘧啶、4,6 -二羥基嘧啶、2 -吡唑啉、3 -吡唑啉、N -胺基嗎啉、N - ( 2 -胺基乙基)嗎啉、三甲基咪唑啉、三苯基 咪唑啉、甲基二 '苯基咪唑啉等,惟不受此等所限制。 此等之有機鹼性化合物可單獨使用或2種以上組合使用 。有機鹼性化合物之使用量對1 〇〇重量份光阻劑組成物之 全部固成分而言通常爲0.001〜10重量份、較佳者爲0.01 〜5重量份。 若小於0 . 00 1重量份時無法得到上述效果。另外’大於 -56- 575789 五、發明說明(55 ) 1〇重量份時會有感度降低且非曝光部之顯像性惡化的傾向 〇 本發明化學放大型正型光阻劑組成物,視其所需可含有 界面活性劑、染料、顏料、可塑劑、光增感劑及對顯像液 而言促進溶解性之具有2個以上苯酚性0H基的化合物等 〇 本發明之正型光阻劑組成物中以在含有界面活性劑'較佳 〇 具體例如聚環氧乙烷月桂醚、聚環氧乙烷硬脂醚、聚環 氧乙烷十六烷醚、聚環氧乙烷油醚等之聚環氧乙烷烷醚類 ,聚環氧乙烷辛基苯酚醚、聚環氧乙烷壬基苯酚醚等之聚 環氧乙烷烷基芳醚類、聚環氧乙烷•聚環氧丙醚嵌段共聚 物類,山梨糖醇單月桂酸酯、山梨糖醇單棕櫚酸酯、山梨 糖醇單硬脂酸酯、山梨糖醇單油酸酯、山梨糖醇三油酸酯 、山梨糖醇單硬脂酸酯等之山梨糖醇脂肪酸酯類、聚環氧 乙烷山梨糖醇單月桂酸酯、聚環氧乙烷山梨糖醇單棕櫚酸 酯、聚環氧乙烷山梨糖醇單硬脂酸酯、聚環氧乙烷山梨糖 醇三油酸酯、聚屬氧乙烷山梨糖醇三硬脂酸酯等之聚環氧 基山梨糖醇脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑、耶部頓 普(譯音)EF301、EF30 3、EF3 52 (新秋田化成(股)製)、夫 羅拉頓FC430、FC431 (住友史理耶姆(譯音)(股)製)、梅卡 法克?171、卩173、?176、?189、1?〇8(大日本油墨(股)製) 、阿沙西卡頓(譯音)AG710、紗夫龍S-382、SC101、SC102 -57- 575789 五、發明說明(56 ) 、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(股)製)等之氟系 界面活性劑、有機聚矽氧烷聚合物KP-341(信越化學工業( 股)製)或丙烯酸系或甲基丙烯酸系(共)聚合聚福隆(譯音 )No . 7 5,No . 9 5 (共榮社油脂化學工業(股)製)、頓龍衣羅 魯(譯音)S- 3 66 (頓龍(譯音)化學(股)製)等。 界面活性劑的配合量對本發明之組成物中之全部組成物 之固成分而言通常爲〇.〇1〜2重量份以下、較佳者爲Μ·01 〜1重量%以下。 於此等之中,以含有氟原子及/或矽原子之界面活性劑 較佳。此等界面活性劑可單獨使用或2種組合使用。 本發明之正型光阻劑組成物中可使用的酸分解性阻溶性 化合物例如可使用特開平5 - 1 344 1 5號、特開平6-51519 號等之記載的低分子酸分解性阻溶性化合物。 另外,藉由添加下述列舉之分光增感劑,且不吸收所使 用的光酸發生劑、藉由紫外線在長波長範圍內予以增感, 可使本發明之化學放大型正型光阻劑對i或g線具有感度 〇 適合的分光增感劑之具體例如二苯甲酮、P , P ’ -四甲基 胺基二苯甲酮、p,p’-四乙基乙基胺基二苯甲酮、2-氯化 噻噸酮、蒽酮、9 -乙氧基蒽、蒽、芘、茈、吩噻畊、苯甲 基、吖啶橘、苯並黃素、乙醯黃素-T、9, 10-二苯基蒽、 9 -芴、苯乙酮、菲、芴、對苯醌、2 -氯-4 -硝基苯胺、N -乙醯基-對-硝基苯胺、對-硝基苯胺、N -乙醯基-4 -硝基- -58- 575789 五、發明說明(57 ) 1 -萘胺、苦味胺、蒽醌、2 -乙基蒽醌、2 -第三丁基蒽醌、 1,2-苯並蒽醌、3 -甲基-1,3-二偶氮-1,9 -苯並蒽酮、二苯 基丙酮、1,2-萘醌、3,3’ -碳基-雙(5,7 -二甲氧基碳基香 豆素)及六苯並苯等,惟不受此等所限制。 促進對鹼顯像液之溶解性的具有2個以上苯酚性〇H基 之化合物,例如聚羥基化合物,較佳的聚羥基化合物有苯 酚類、間苯二酚、間苯三酚、根皮葡酚、2,3,4 -三羥s基二 苯甲酮、2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮、α,α,,α,,-參(4-羥基 苯基)-1,3,5 -三異丙苯、參(4 -羥基苯基)甲烷、參(4 -羥 基苯基)乙烷、1,1’-雙(4 -羥基苯基)環己烷。 本發明之化學放大型正型光阻劑組成物係使上述各成分 溶解於溶劑中,塗覆於載體上。可使用的溶劑以二氯化乙 烯、環己酮、環戊酮、2 -庚酮、7 -丁內酯、甲基乙酮、 乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、2 -甲氧基乙基乙酸酯、乙 二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯 、甲苯、醋酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲 酯、乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸 丙酯、Ν,Ν -二甲’基甲醯胺、二甲基亞碾、Ν-甲基吡咯烷酮 、四氫 喃等較佳,此等之溶液可單獨或混合使用。 上述化學放大型正型光阻劑組成物係如在製造精密電子 積體電路時所使用的基板(例如矽/二氧化矽被覆)上藉由旋 轉器、塗覆器等適當的塗覆方法予以塗覆後,通過所定的 光罩予以曝光,且進行烘烤予以顯像,製得良好的光阻圖 -59- 575789 五、發明說明(58 ) 案。 本發明化學放大型正型光阻體組成物之顯像液可使用例 如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、甲基矽酸鈉、 銨水等無機鹼類,乙胺、正丙胺等一級胺,二乙胺、二正 丙胺等二級胺,三乙胺、甲基二乙胺等三級胺,二甲基乙 醇胺、三乙醇胺等醇胺類,甲醯胺或乙醯胺等之醯胺類, 四甲銨氫氧化物、三甲基(2 -羥基乙基)胺氫氧化物/四乙 銨氫氧化物、三丁基甲銨氫氧化物、四乙醇銨氫氧化物、 甲基三乙醇銨氫氧化物、苯甲基甲基二乙醇銨氫氧化物、 苯甲基二甲基乙醇銨氫氧化物、苯甲基三乙醇銨氫氧化物 、四丙銨氫氧化物、四丁銨氫氧化物等四級銨鹽,吡咯、 哌啶等環狀胺類等之鹼類水溶液。 實施例 於下述中更具體地說明本發明,惟本發明不受此等所限 制。 (1 )(樹脂之合成例) 樹脂之合成可使用有關縮醛化之使用乙烯醚的方法、使 用醇及烷基乙烯醚之縮醛交換法中任一方法予以合成。 而且,爲可有效地、安定地合成,以使用下述脫水共沸 法較佳。惟此等合成法僅爲例示,不受此等所限制。 合成例-1 (樹脂B - 1之合成) 使曰本曹達製VP15000(1800克)與丙二醇單甲酸乙酸酯 (PGMEA)( 8200克)在燒瓶中進行溶解、減壓蒸餾、共沸倉留 -60- 575789 五、發明說明(59) 去水與PGMEA。 確認含水極低後,將在環己烷乙醇( 576.2克)中添加溶 解有吡啶-對-甲苯磺酸酯(9 · 0克)之溶液溶解於反應液中, 另添加第三丁基乙烯醚(450.2克),在室溫下攪拌5小時 〇 然後,加入吡啶(1 42 . 2克)及醋酸酐(1 5 3 · 2克),在室 溫下攪拌2小時。在反應液中添加水(3 . 6L )與醋酸、乙酯 (7 · 2L)予以分液、及水洗後,藉由減壓餾去醋酸乙酯、水 、共沸成分之PGMEA,製得本發明具取代基之鹼可溶性樹 脂 B-1(30%PGMEA 溶液)。 所得樹脂之重量平均分子量爲1 7,000、分散度 (Mw/Μη) 1 · 08。保護率係經縮醛化的羥基苯乙烯單位爲20% 、環己基丙烯酸酯單位爲10%。 而且,調整第三丁基乙烯醚、環己烷乙醇及醋酸酐、吡 啶之加入量,製得下述所示樹脂Β-1ΗΗΗ、Β-1ΗΗ、Β-1Η、 Β-1L 、 Β-ILL 、 Β-1LLL ° -61- 575789 五、發明說明(60) 表1 縮醛化羥基 苯乙烯單位 乙醯氧基苯 乙稀單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) B-1 20% 10% 17,000 1 .08 B-1HHH 27% 12% 17,000 1.08 B-1HH 27% 10% 17,000 1.08 B-1H 23% 10% 17,000 1.08 ' B-1L 17% 10% 17,000 1.08 B-1LL 13% 10% 17,000 1.08 B-1LLL 13% 8% 17,000 1.08 合成例-2(樹脂B-2之合成) 使用第2,2 ’ -偶氮雙異丁酸二甲酯(A I BN )作爲起始劑、 使用對-乙醯氧基苯乙烯單體(或對-第3-丁氧基苯乙烯單 體)聚合,另以鹽酸等脫保護、製得R-1。 所得R-1之重量平均分子量爲17,000、分散度(Mw/Mn) 爲 1 . 6。 使樹脂 R· 1 ( 1 800 克)與丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA)( 8200克)在燒瓶中進行溶解、減壓蒸餾、共沸餾 去水與PGMEA。 確認含水極低後,將在環己烷乙醇( 576.2克)中添加溶 解有吡啶-對-甲苯磺酸酯(9.0克)之溶液溶解於反應液中, 另添加第三丁基乙烯醚( 450. 2克),在室溫下攪拌5小時 -62- 575789 五、發明說明(61 ) 然後,加入吡啶(142.2克)及醋酸酐(153.2克),在室 溫下攪拌2小時。在反應液中添加水(3 . 6L )與醋酸乙酯 (7 . 2L )予以分液、及水洗後,藉由減壓餾去醋酸乙酯、水 、共沸成分之PGMEA,製得樹脂B-2。 所得樹脂之重量平均分子量爲 1 7, 000、分散度 (Mw/Mu )1.6。保護率係經縮醛化的羥基苯乙烯單位爲20% 、環己基丙烯酸酯單位爲10%。 ' 而且,調整第三丁基乙烯醚、經縮醛化的羥基苯乙烯單 位、吡啶之加入量,製得下述所示樹脂B-2HHH、B-2HH、 B-2H、 B-2L、 B-2LL、 B-2HL ° 表2 縮醛化羥基苯 乙烯單位 乙醯氧基苯 乙烯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) B-2 20% 10% 17,000 1.6 B-2HHH 27% 12% 17,000 1.6 B-2HH 27% 10% 17,000 1.6 B-2H 23% 10% 17,000 1.6 B-2L 17% 10% 17,000 1.6 B-2LL 13% 10% 17,000 1.6 B-2LLL 13% 8% 17,000 1.6 -63- 575789 五、發明說明(62 ) 合成例-3 (樹脂B - 3之合成) 使日本曹達製VP1 5000( 1 00克)與丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA )( 400克)在燒瓶中進行溶解、減壓蒸餾、共沸餾去 水與PGMEA。 確認含水極低後,添加乙基乙烯醚(25 . 0克)與對-甲苯 磺酸(0 . 02克),在室溫下攪拌1小時。 在反應液中添加三乙胺(0 . 03克)以停止反應,添'加水 (4 0 0 m 1 )與醋酸乙酯(8 0 0 m 1 )予以分液、及水洗後,藉由減 壓餾去醋酸乙酯、水、共沸成分之PGMEA,製得本發明具 有取代基之鹼可溶性樹脂B-3(30%PGMEA溶液)。 所得樹脂之重量平均分子量爲1 7,000、分散度 (Mw / Mn ) 1 · 0。保護率係經縮醛化的羥基苯乙烯單位爲3 0% 〇 而且,調整乙基乙烯醚之加入量,製得下述所示樹脂Β- 3ΗΗ 、 β_3Η 、 B-3L 、已_31乙。 表3 — 縮醛化羥基苯乙烯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) Β-3 • 30% 17,000 1.08 Β-3ΗΗ ----- 40% 17,000 1.08 Β-3Η 一---- 35% 17,000 1.08 B-3L 25% 17,000 1.08 B-3LL 20% 17,000 1.08 -64- 575789 五、發明說明(63 ) 合成例-4 (樹脂B - 4之合成) 使用第2,2 ’ -偶氮雙異丁酸二甲酯(A I BN )作爲起始劑、 使用對-乙醯氧基苯乙烯單體(或對-第3 -丁氧基苯乙烯單 體)聚合,另以鹽酸等脫保護、製得R - 1 ° 使樹脂R-l(100克)與丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)(4〇〇 克)在燒瓶中進行溶解、減壓蒸餾、共沸餾去水與PGMEA。 確認含水極低後,添加乙基乙烯醚(25 · 0克)與對;甲苯 磺酸(0 . 02克),在室溫下攪拌1小時。 在反應液中添加三乙胺(〇.〇3克)以停止反應,添加水 ( 400ml)與醋酸乙酯( 800ml.)予以分液、及水洗後,藉由減 壓餾去醋酸乙酯、水、共沸成分之PGMEA,製得樹脂B-4 〇 所得樹脂之重量平均分子量爲1 7,000、分散度 (Mw / Mn ) 1 . 6。保護率係經縮醛化的羥基苯乙烯單位爲3 0% 〇 而且,調整乙基乙烯醚之加入量,製得下述所示樹脂Β- 4ΗΗ 、 Β-4Η 、 B-4L 、 B-4LL ° 表4 縮醛化羥基苯乙烯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) Β-4 30% 17,000 1.6 Β-4ΗΗ 39% 17,000 1.6 Β-4Η 34% 17,000 1.6 B-4L 26% 17,000 1.6 B-4LL 21% 17,000 1.6 -65- 575789 五、發明說明(64 ) 合成例-5 (樹脂B - 5之合成) 使用第2,2 ’ -偶氮雙異丁酸二甲酯(A I BN )作爲起始劑、 使用對-乙醯氧基苯乙烯單體(或對-第3 -丁氧基苯乙烯單 體)與第三丁基丙烯酸酯單體聚合,另以鹽酸等脫保護、 製得對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚物(90/ 10) R-2 〇 使樹脂R-2(100克)與丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEAh400 克)在燒瓶中進行溶解、減壓蒸餾、共沸餾去水與PGMEA。 確認含水極低後,添加乙基乙烯醚(25 . 0克)與對-甲苯磺 酸(0 . 02克),在室溫下攪拌1小時。 在反應液中添加三乙胺(0.03克)以停止反應,添加水 ( 400ml )與醋酸乙酯( 800ml )予以分液、及水洗後,藉由減 壓餾去醋酸乙酯、水、共沸成分之PGMEA ’製得本發明具 有取代基之鹼可溶性樹脂B-5(30%PGMEA溶液)。 所得樹脂之重量平均分子量爲1 3,000、分散度 (Mw/Mn )1.71。保護率係經縮醛化的羥基苯乙烯單位爲20% 、環己基丙烯酸酯單位爲1 〇%。 而且,調整乙·基乙烯醚之加入量,製得下述所示樹脂心 5HH 、 B-5H 、 B-5L 、 B-5LL 。 -66- 575789 五、發明說明(65 ) 表5 羥基苯乙烯 單位 第三丁基丙烯酸 酯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) Β-5 20% 10% 13,000 1.71 Β-5ΗΗ 30% 10% 13,000 1.71 Β-5Η 25% 10% 13,000 1.71 B-5L 15% 10% 13,000 1 .71 \ B-5LL 10% 10% 13,000 1.71 合成例-6 (樹脂B - 6之合成) 使用第2,2 ’ -偶氮雙異丁酸二甲酯(A I BN )作爲起始劑、 使用對-乙醯氧基苯乙继單體(或對-第3-丁氧基苯乙嫌單 體)與第三丁基丙烯酸酯單體聚合,另以鹽酸等脫保護、 製得對-羥基苯乙烯/第三丁基丙烯酸酯共聚物( 60/40 ) B-6 〇 所得樹脂之重量平均分子量爲1 4,000、分散度 (Mw/Mn)1 ·6 5 〇 而且’同樣地製得下述所不樹脂Β - 6 Η、Β - 6 L。 表6 . 羥基苯乙烯 第三丁基丙烯 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) 單位 酸酯單位 B-6 60% 40% 14,000 1.65 B-6H 55% 45% 14,000 1.65 B-6L 65% 35% 14,000 1.65 -67- 575789 五、發明說明(66 ) 合成例-7(樹脂B-7之合成) 使用第2 - 丁基鋰作爲起始劑、使用對-乙醯氧基苯乙烯 單體(或對-第3 -丁氧基苯乙烯單體)與第三丁基丙烯酸酯 單體聚合,另以鹽酸等脫保護、製得對-羥基苯乙烯/第三 丁基丙烯酸酯共聚物(60/40)B-7。 所得樹脂之重量平均分子量爲 13,000、分散度 (M w / Μ η ) 1 · 1 〇 、 而且,同樣地製得下述所示樹脂Β-7Η、B-7L。 表7 羥基苯乙烯 單位 第三丁基丙烯 酸酯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) Β-7 60% 40% 13,000 1.12 Β-7Η 55% 45% 13,000 1.12 B-7L 65% 35% ~—--J 13,000 1.12 合成例-8(樹脂Β-8、Β-9之合成) 進行與樹脂Β - 2之合成法相同的方法,製得僅分散度不 同的下述所示樹脂Β - 8及樹脂β 表』_—
縮醛化羥基苯 乙烯單位 乙醯氧基苯乙 烯單位 重量平均分子量 分散度(Mw/Mn) B-8 20% 10% 17,000 1.41 Β-9 20% 10% 17,000 2.80 --- —----J '68- 575789 五、發明說明(67 ) (2 )(正型光阻劑組成物之調整與評估) 實施例1〜16、比較例1、2 使下述表9所示各成分以表9所示之溶劑溶解,調製固 成分濃度18%之溶液,使其以0.1 μηι鐵氟隆過濾器過濾以 調整光阻劑組成物。 而且,界面活性劑對光阻劑溶液而言添加lOOppm之量 〇 此外,各樹脂之保護率可以在合成階段調整、亦可以藉 由混合2種以上不同樹脂予以調整。 -69- 575789 五、發明說明(68 ) NJ 1 〇> 二 CO s to ω -j σ> cn ω ro 一卬 ί^ώ f〇 ZD Ulg CD 樹脂1 (g) 巳一1 (5. 0) B— 1 (10. 0) 巳一 1 C5. 0) S CD B— Ί (5. 0) B-1 (5. 0) cn空 fO干 B-6 (5. 0) 巳一1 (5. 0) •r〇〒 \| ro亍 巳一Ί (5. 0) \1 •Ν)甲 B — 3 (5. 0) \1 N)甲 cn? n»? 巳一Ί (6. 0) 吵 CJl ^ Sr σι n SF cn n 一 P ro cp r^cp A· Q] Q) Gcd S CD ίϋ〇〇 cn CD ui x U) CD aiCD ΰίσ X? •ro亍 αϊ ro ϋϊ CD cn CD δί CB Si 1 2上 〇i si s上 Ul N^ s丄 si si * 1 gen si si \、 •ro? Sr^ 2ri QTQ rm w CCD crq彦 I 1 Si 1 1 I 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 m 〇 > o > p > P> p > o > P> o > r^· 。丄 〇> _Λ 1 P> _X I P> _x 1 P> _a 1 P> .,I P> 1 P> _U 1 9> 。丄 ο 1 \\ 。丄 P> -x 1 3丄 \\ 〇 i P> u 1 3總 ρΤ S 一 S」 3*"" m 一 ai-1 ^jcn cn-1 〇T 〇> I or-1 •〇T ο 1 01-1 〇 > _ 1 °T cn-1 1# ai co 二 K) §ω ^ ro σι ω §ω 匕ro 遭 磙 I 1 I 1 1 D~1 (2. 0; 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 I 骑 era, tm r厂 遭 p 〇 Q O O〇 〇〇 O〇 Sri 〇 1 ro P〇 〇〇 sn p〇 2丨 NJ -» 心丄 po So ^ 1 ro ^ o So j?薄 〇 〇 V Ν) _1 〇 I N>」 S丄 〇 1 ro _i 〇 1 ro _λ 〇 N) ^ 〇 1 h〇 js> \\ 〇 〇 CD SA s丄 〇 1 Κω 〇 1 ro -t o gi o 〇 〇 o o o o o 〇 o I §N CD ο o o ω I $ I $ I $ I $ I S I $ I $ I I ξ I $ I I $ I $ | I ξ 1 $ | $ j 01 部 1 1 I .a 1 -JL 1 I ro 1 ω 1 1 N> 1 1 —1 1 仁 N> ω N> —i ^-1 遭. Τ3 (D Ί3 Q Ό ID U Ω Tl Ω u 〇 〇 〇 o Ί3 〇 Tl CD Ό Q ·〇 o ID o "□ 〇 ID CD 二 2: 2 S S S 2: s: 3: S: 2: m TJ CD !? \ *n | PGMEA m < n m 之 τη "〇 T3 XJ 5 \ -〇 T7 磙 "D Ω S m ID Q *u o U 〇 Ω \J o D o \J o o CD o Q 2: Q 〇 o > S 2 2 s: S: s 2: 2: 2 2: 2: Ξ: 2: m 〇〇 m © m m 〇0 m 00 m 0〇 rn CO m OO m m 〇〇 m CD m S m 00 m 〇〇 m S rn 0〇 δ δ -70- 575789
五、發明說明(69) 胺: c-l : DBN(1,5-重氮雙環[4,3,0卜5-壬烯) C-2 : TPI(2,4,5-三苯基咪唑啉) 界面活性劑: w - 1 :梅卡法克(譯音)F176(大日本油墨(股)_ ^ \ 系) W-2 :梅卡法克(譯音)R〇8(大日本油墨(股)製)(氟及石夕 系) ' W - 3 :聚矽氧烷聚合物KP - 3 4 1 (信越化學工業(股)製〕(砂 系) w_4 :頓龍衣羅魯(譯音)S- 366 (頓龍衣(譯首)化孽(月又) 製)(氟系) 於下述中係爲使用的光酸發生劑(A-1)〜(A」)°
V -71 - 575789 五、發明說明(7〇) 於下述中係爲使用的阻溶劑(A - 1 )〜(A - 3 )。
使所得的正型光阻液利用旋轉塗覆器‘(東京電子公司製 Mark8)、使日產化學公司製有機BARC(DUV-42)塗覆於 7 0nm形成有塗膜之矽晶圓上,在120°C下乾燥90秒鐘、 形成約0.8 3 μπι之光阻膜,於其上以KrF準分子雷射(波長 248nm、ΝΑ = 0.60、σ = 0·50 之肯農製 FPA- 3000EX5)予以曝 光。於曝光後在100°C下進行加熱處理90秒鐘,以2.3 8% 四甲銨氫氧化物水溶液顯像、再以純水洗淨後,進行旋轉 乾燥、製得光阻式樣。 所得的光阻式樣藉由下述方法評估感度、解像力、顯像 缺陷性能、線邊緣粗糙性。 [感度] 感度係表示使0 . 1 6μιτι線與空間(1 / 1 )之光罩式樣再現的 照射能。 -72- 575789 五、發明說明(71 ) [解像力] 解像力係表示使0 . 1 6 μηΐ線與空間(1 / 1 )之光罩式樣再現 的照射能的臨界解像力。 [顯像缺陷數] 在6时之Bare Si基板上各塗覆〇.5μιτι光阻膜,且在真 空吸附式熱板上、140°C下乾燥60秒鐘。然後,經由 0 · 35μπι接觸孔式樣(Ho 1 e Du t y比zzl : 3 )之試驗光章、藉 由CANON FPA-3000EX5曝光後,於曝光後在120°C下進行 加熱90秒鐘。然後,以2.3 8%TMAH(四甲銨氫氧化物水溶 液)進行漿式顯像後,以純水洗淨3 0秒鐘予以旋轉乾燥。 如此所得試樣藉由肯耶魯耶•迪克魯(譯音)(股)製KLA -2 1 1 2機測定顯像缺陷數’以所得一次數據値作爲顯像缺陷 數。 [線邊緣粗糙性] 有關藉由使0 · 1 6 μΐΏ線與空間(1 / 1 )之光罩式樣再現的最 小曝光量所得的使0 . 1 6 μ m線式樣之長度方向5 μ Π1邊緣的 範圍,藉由日立製作所製S- 8840測定50個具有自邊緣基 準線之距離,且·求出標準偏差、算出3σ。値愈小時表示 性能愈佳。 此等結果如下述表1 0所示。 -73- 575789 五、發明說明(72) 表 10 __一 感度(mj / cm2) 解 顯像缺陷性能 線邊緣粗糙性 1 35 7 4.5 2 36 0.15 7 4.9 3 33 0.15 7 4.8 4 38 0.15 6 4.7 5 36 0.16 3 4.6 6 37 0.15 4 4.8 7 38 0.15 5 4.7 實 8 37 0.15 3 4.5 施 9 33 0.16 6 4.5 例 10 38 0.15 5 4.6 11 37 0.15 7 4.6 12 36 0.16 4 4.5 13 35 0.15 5 4.5 14 35 0.15 5 4.6 15 36 0.15 6 4.5 16 35 0.15 7 4.7 比 1 36 0.15 28 15.6 lx 例 2 38 0.16 36 1 16.4 由上述表1 0可知,本發明之組成物與比較例相比,顯 像缺陷性能及線邊緣粗糙性經顯著改善。 發明之效果 本發明可提供可同時改良顯像缺陷性能及線邊緣粗糙性的 化學增感型正型光阻劑組成物。 74-
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 1 · 一種正型光阻劑組成物,其包含 (A )藉由活性光線或放射線產生酸之化合物, (B )對鹼而言不溶性或難溶性、藉由酸作用分解、增大 在鹼顯像液中溶解度的樹脂, 其特徵在於(B )樹脂爲至少由(B 1 )與(B2 )等2種樹 脂之混合物所形成,各分散度Mw/Mn爲(B1M)及(B2M) 時滿足 9 . 9 2 ( B1M) / (B2M) 2 1 · 3。 ' 2 ·如申請專利範圍第1項之正型光阻劑組成物,其中(b }) 或(B2)中至少一方之樹脂爲下述通式(1¥)及(v)所示重 複單位,(其中L係表示氫原子、可具取代基之直鏈、支鏈或 環狀k基、或可具取代基之芳烷基,z表示可具取代基 之直鏈、支鏈或環狀烷基、或可具取代基之芳烷基,且 Z與L可鍵結形成5或6碳環)。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之正型光阻劑組成物,其中 (B1)或(B2)兩方之樹脂爲下述通式(Iv)及(v)所示重複 575789 六、申請專利範圍(其中L表示氫原子、 狀烷基、或可具取代基之 直鏈、支鏈或環狀烷基、 與L可鍵結形成5或6碳 (V) 可具取代基之直鏈、支鏈‘或環 芳烷基,Z表示可具取代基之 或可具取代基之芳烷基,且Z 環)。 -76-
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