TW574685B - Non-orthogonal MRAM device - Google Patents

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574685 A7 ___B7 五、發明説明（~Γ7" 本專利係聲明2001年1月24日提出之60/263,996號美國專利 暫時申請案之權利，在此納入參考。 技術範, 本發明大致上係關於半導體裝置之製造，且較特別的是 磁性隨機存取記憶體（MRAM)裝置。 發明背景 半導體係用於電子設備之積體電路，例如包括收音機、 電視機、及個人電腦裝置，其中一種半導體裝置為半導體 儲存裝置，例如動態隨機存取記憶體（DRAM)及快閃記憶體 ’其使用一電荷以儲存資訊。 近年來記憶體裝置之發展係關於旋轉電子，即結合半導 體科技與磁性，電子之旋轉而非荷電係用於表示一 ” 1 "或 〇 ’·。此一旋轉電子裝置係一磁性隨機存取記憶體（mram) ’包括在不同金屬層内相互垂直之導線，導線夾置一磁性 堆疊’導線相交之處即稱為一交叉點。流過其中一導線之 電流產生一磁場於導線周側，且令磁極沿著配線或導線而 朝向一特定方向。流過另一導線之電流則感應出磁場，且 亦以一部分繞過磁極。以或”丨，，表示之數位式資訊係儲 存於磁力矩之對準處，磁分量之阻力即取決於力矩之對準 ’健存狀態係藉由偵測分量之阻力狀態而讀自元件。一記 憶體單元可以藉由設置導線與交叉點於一具有行與列之矩 陣結構中而構成。 相較於傳統式半導體記憶體裝置如動態隨機存取記憶體 磁性Ik機存取έ己憶體之一優點在於磁性隨機存取記憶體 -4- 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公楚) -*--- 574685 A7 B7 所揭路者為一種半導體記憶體裝置，包含至少一第一導 電線，至5己憶體儲存單元，係位於第一導電線上，及 至少一第二導電線，係位於第一記憶體儲存單元上。第二 五、發明説明（2 ) 可以較小且提供一非揮發性記憶體。例如，一利用磁性隨 機存取€憶體之個人電腦（pc)並無使用動態隨機存取記憶 體之習知個人電腦所需之長”啟動，，時間，同樣地，一磁性 隨機存取記憶體不需要增強而即有”記憶”储存資訊之能力。 見有磁H卩通機存取記憶體設計上之一缺點在於需要大量 電流切換單元，例如，需通過位元線及字元線之電流量較 高，因此，需要大量電力。 在此技藝中所需者為一磁性隨機存取記憶體參考電路設 計’其只需要少量電流及電力，以切換記憶體單元之電阻 狀態或邏輯狀態。 發明概要 本發明係以一非正交磁性隨機存取記憶體裝置取得技術 性優點需要較少於先前技藝磁性隨機存取記憶體者之 電Μ及電力，以改變記憶體單元之邏輯狀態。位元線及字 元線係製成彼此非正交，亦即一非90度之角度，較佳為從 略大於0至小於90度之範圍内。 ，電線相對於第-導電線而呈非正交定位，及記憶體儲存 單兀具有根據一星狀曲線之材料性質。 々同樣揭露者為一種磁性隨機存取記憶體裝置，包含複數 第導電線，第二導電線，係位於第一導電線上，且相關 於第-導電線而以一非90度之角度定纟；及複數記憶體儲 裝 訂

574685 A7 B7 五 發明説明（ 存單兀，係介置於且相鄰於第一及第二導電線之間。 進步揭露者為一種製造一半導體記憶體裝置之方法， 衣成至少一第一導電線；製成至少一記憶體儲存單元 ’係位於第一導電線上；及製成至少一第二導電線於記憶 體儲存單元上，且相對於第一導電線而呈非正交定位，記 隐體健存單元具有根據一星狀曲線之材料性質。 同樣揭露者為一種製造一磁性隨機存取記憶體裝置之方 法，包含傳送一第一電流通過第一導電線，其中第一電流 產生一第一電磁場於第一導電線周側；及傳送一第二電流 通過第一導電線，其中第二電流產生一第二電磁場於第二 導電線周側，其中第二電磁場係不同於第一電磁場。 本發明之優點包括減少字元線及/或位元線内所需之電 机量，以切換儲存於記憶體單元内之電荷，減少電流則造 成筇省圮憶體裝置之電力。因為電徙動所致之記憶體裝置 損害與減低壽命亦可利用字元線及位元線上之較低電流而 消除。 圖式簡單說明 本發明之上述特性將由以下說明與相關之圖式而清楚瞭 解，其中： 圖1說明在一立體圖内之先前技藝磁性隨機存取記憶體 裝置’其具有字元線正交於位元線； 圖2、3說明具有字元線正交於位元線之先前技藝磁性隨 機存取記憶體裝置之頂視圖； 圖4說明一星狀曲線，其代表用於先前技藝磁性隨機存 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 574685 A7 B7 五、發明説明（4 ) 取记憶體裝置内之磁性材料之磁滯性質； 圖5a、5b係以頂視圖說明本發明較佳實施例之配置方式； 圖6a、6b係本發明較佳實施例之頂視圖，其具有改變之 長寬比及字元線對位元線之非正交角度； 圖7揭示本發明之一星狀曲線； 圖8說明本磁性隨機存取記憶體裝置之一實施例立體圖； 圖9說明本磁性隨機存取記憶體裝置之一截面圖；及 圖10說明本發明較佳實施例之一磁性隨機存取記憶體裝 置具有二或多磁性堆疊於非正交之導電線之間。 不同圖式中之對應數字及符號係指對應組件，除非另有 指不。圖式係用於清楚說明較佳實施例之相關觀點，而不 需依比例繪示。 較佳實施例之詳細說明 先前技藝正交磁性隨機存取記憶體設計將說明如下，接 著為本發明一些較佳實施例及一些優點之探討。 圖1說明一先前技藝磁性隨機存取記憶體裝置1〇之立體 圖’其具有字元線12且定位正交於位元線22，例如字元線 12及位元線22之間角度24係呈垂直，或等於9〇度。一磁性 堆疊14係設於且相鄰於字元線12及位元線22之間，磁性堆 疊14包括例如一軟層16、一穿隧層或穿隧結合丨8、及一硬 層20。如上所述，一邏輯狀態可藉由傳送一電流通過字元 線12及位元線22而儲存於磁性堆疊内之磁性力矩對準處。 圖2揭示一先前技藝磁性隨機存取記憶體1〇之頂視圖， 其具有字元線12且以一 90°角24正交於位元線22，所示之穿 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ' _______ 574685 A7 _____ B7 五、發明説明（5 ) 隧結合（TJ) 18具有1:1之長寬比。圖3揭示另一先前技藝磁 性隨機存取記憶體裝置，其具有字元線12且正交於位元線 22，及一穿隧結合18具有2:1之長寬比。 圖4揭示一星狀曲線30之圖表，其代表磁性堆疊14記憶 體單元材料之磁滯性質，且說明定址一磁性隨機存取記憶 體裝置之一先前技藝方法。Hx軸線代表藉由一電流通過位 元線22而由位元線22產生之一電磁場，電磁場係依電磁學 之”右手定律，，產生。相似地，Hy轴線代表當一電流通過字 兀線12而由字元線12產生之電磁場。沿著Hy軸線之向量32 代表由一通過一字元線12之正電流產生之電磁場，沿著Ηχ 軸線之向量34、38代表分別由通過位元線22之正、負電流 產生之電磁場，以利分別寫入一邏輯” 〇 ”或，，丨，，至一記憶體 單元（即磁性堆疊14)。在所示之先前技藝星狀曲線3〇中， 由向量32代表之字元線電流仍為正，且通常稱之為一致能 電流。 欲切換一記憶體單元14之一電阻狀態、或邏輯狀態時， 藉由添加向量34、32所產生且代表字元線與位元線所生二 電場重疊之合成向量36需到達象限I内之星狀曲線3〇上之一 點。例如，欲寫入一邏輯”至一磁性堆疊14時，由一電 磁場產生且以向量34代表之一電流即通過位元線22 ,及由 一電磁場產生且以向量3 2代表之一電流通過一字元線12 , .所示之合成向量36正好到達星狀曲線30，且此向量36代表 必須供給至字元線12與位元線22上以切換單元14之最小電 磁場（及相關電流）。相似地，欲寫入一邏輯”丨”至磁性堆 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574685 A7 ________ Β7 五、發明説明（6 ) 疊14時，由一電磁場產生且以沿著Ηχ軸線之向量％代表之 一電流即通過位元線22 ,及由一電磁場產生且以向量32代 表之一電流即沿著Hy軸線通過字元線π，其產生一合成向 量40到達象限II内之星狀曲線3〇β在先前技藝甲，由向量^ 、34代表之電磁場係相等振幅。 在圖示之星狀曲線30中，向量34、32係定位成彼此正交 ，由這些向量代表之電磁場出立正交，因為先前技藝磁性 隨機存取記憶體裝置10之字元線12與位元線22係延伸成彼 此正交。 字元線12延伸正交於位元線22之一問題在於需供給以切 換記憶體單元14之電流通常為高，例如5至1〇毫安，磁性隨 機存取記憶體裝置10需要極大電力，再者，因為字元線12 與位元線22通常極小，例如〇·丨微米寬，故其電徙動是一大 問題。字元線12與位元線22之金屬化材料會從流過之高電 流徙動，造成金屬積聚於特定位置，且在字元線12與位元 線22内產生短路或斷路。 本發明解決先前技藝中用於切換記憶體單元14之邏輯狀 態的問題，本發明配置之一實施例係揭示於圖5a中。字元 線112定位正交於位元線122，如頂視圖所示。較佳為，角 124為90度以外之角度，例如在大約〇與大約小於9〇度之間 ，例如圖示之大約60度。角124係揭示為一字元線112之中 線126與一位元線122之中線128間之角度，角124可在例如1〇 至80度範圍内。 在圖5a所示之實施例中，磁性堆疊U4之穿隧結合118較 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 574685 A7 ___ B7____^__ 五、發明説明（7 ) 佳為具有1 : 1與1 : 3之間之一長寬比。如圖所示，磁性堆疊 114具有一實質上呈長方形之形狀。此外，所示之實施例具 有字元線112且不會從字元線交錯至字元線，例如，中間字 元線112内之一穿隧結合118之右緣162不會疊覆或交錯於下 方字元線112内之一相鄰穿隧結合118之左緣166。 圖5b說明一磁性隨機存取記憶體裝置200之變換實施例， 其具有字元線212且定位非正交於位元線222，所示之角度 224係小於90度。在此實施例中，穿随結合218係揭示具有 一梯形，惟，圖5a所示之長方形穿隧結合118係本發明實施 例之穿隧結合之較佳形狀。 圖6a、6b說明本發明之變換實施例，其具有變化之長寬 比及非正交之角度324、424，穿隧結合318/418之尺寸及長 寬比係在角度324、424上有所作用。圖6a說明一實施例，其 中穿隧結合318之長寬比為1 :2，此造成一減小之非正交角 度324，且亦造成穿隧結合318之交錯。穿隧結合318之”交 錯”一詞在本文内係視為穿隧結合3 18可相關於鄰近字元線 内之穿隧結合318而變移。此穿隧結合318交錯係藉由觀察 中間字元線112内之穿隧結合318之右緣364及以此比較於底 字元線内之穿隧結合318之左緣366而闡釋之，中間穿隧結 合之右緣364疊覆於中間穿隧結合318之左緣366。 圖6b說明本發明之一磁性隨機存取記憶體裝置400，其中 穿随結合418具有一長寬比1:3，此造成一更小之非正交角 度424 ’例如較小於圖6中之角度324，且有較多列穿隧結合 418之父錯。穿隨結合418之交錯或疊覆例如可藉由檢查中 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 574685 A7 B7 發明説明(~~) 間字元線412内之穿隧結合418之右緣462及比較於下方字元 線412内之穿隧結合418之左緣466而觀察出。 圖7說明一星狀曲線130及由通過非正交字元線 112/212/312/412與位元線122/222/322/422之電流所生之向量 ，用於說明本發明定址一記憶體裝置之較佳方法。欲寫入 一邏輯’’ 1 ”至本發明之一非正交磁性隨機存取記憶體裝置 時，一正電流即通過一字元線112，且以向量132代表，一 負電流通過一位元線122，且以向量142代表。一合成向量 144揭示於圖中，其到達象限11内之星狀曲線13〇。復參閱 圖4所示之先前技藝星狀曲線30，請注意一較小量電流需 將非正交磁性隨機存取記憶體單元1〇〇切換成一邏輯” 1，，， 例如圖7中之9毫安對圖4中之11毫安，此可藉由比較較小 尺寸之位元線向量142於先前技藝向量38而觀察出。 復參閱圖7，相似地，一較小量電流需將一非正交磁性 隨機存取記憶體單元100之記憶體單元切換成一邏輯” 〇，，。 一以向量148代表之負電流通過一字元線112 ,及一以向量 146代表之正電流通過一位元線122，象限IV内之合成向量 150到達星狀曲線130，如圖所示。再者，比較圖7之向量 146於圖4之向量34，顯然位元線122上之一較小量電流需將 非正交磁性隨機存取記憶體單元1〇〇切換成一邏輯，，〇，，。當 使用一較小電流時’則改變記憶體單元1 1 8之邏輯狀態時記 憶體裝置100消耗較少電力。 圖7之星狀曲線中亦說明可使用位元線及字元線電流， 以產生不同之電磁場而編程一記憶體裝置。例如，由向量 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

装 訂

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142代表之電磁場係不同於由向量 里z代表之電磁場，例如 向量142較小於向量132。 請注意在圖7中，一負字元飧雷、士】^ 〇 貝干兀綠冤机148需用於改變一記憶 體單元之邏輯狀態成一丨’ 〇丨丨，+并 ^ ^ ^ υ此並不成問題，因為在先前 技藝磁性隨機存取記憶體裝置10中， τ 子兀線電流係週期性 地反相，mm為-電流固定通過導電線而使銅及導電 、：内其他導電金屬之電位累積所致之電徙動效應。例如， 字元線電流可在先前技藝中每秒切換時或每秒寫人時反相。 圖8揭示本發明之非正交磁性隨機存取記憶體裝置⑽之 立體圖’及圖9說明本磁性隨機存取記憶體裝置謂之載面 圖。 本發明用於製成非正交磁性隨機存取記憶體裝置 100/200/300/400之-製程流將說明於後，且參考圖9。 提供工作件11卜其通常包含氧化矽於單晶矽上，圖中 未不。工作件可包括其他導電層或其他半導體元件，例如 電晶體、二極體、通孔、等等。化合物半導體諸如GaAs、 InP、Si/Ge及SiC可用以替代石夕。 一介電質層111沉積於工作件上，介電質層丨丨i可包含氧 化矽，且亦可包含例如一低介電常數材料或其他介電質材 料。其他適合之介電質例子包括SilkTM、氟酸矽玻璃、及 FOX™。介電質層113可包含例如多層介電質材料。 第一導電線112係製成於介電質層U3内之工作件U1上， 第一導電線112較佳為包含鋼、鋁、其組合、或其他金屬， 第導電線112例如可製成於一第二金屬化（M2)層内，儘管 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公^-----~ 574685 A7 ___ B7 五、發明説明（1〇 ) 第一導電線112亦可製成於其他金屬化層内。 金屬堆疊114製成於導電線112上，金屬堆疊1丨4包含一底 金屬堆疊120、一穿隧結合ii8及一頂金屬堆疊116。底金屬 堆疊120在此技藝中亦稱為一硬層，其係沉積於第一字元線 112上，底金屬堆疊120較佳為包含複數金屬層，例如包含 PtMn、CoFe、Ru、及NiFe，儘管其他適當之磁性材料及金屬 層亦可使用，通常使用四至八層於底金屬堆疊12〇。多種技 術諸如物理氣體沉積（PVD)、離子束濺擊、蒸發、及化學氣 體沉積（CVD)皆可用於沉積底金屬堆疊14〇之磁性層。因為 各層極薄，例如其大部分小於1〇〇埃，因此諸層較佳為利用 物理氣體沉積。較佳為，底金屬層14〇係在2〇〇至4〇〇埃厚度 之間。 磁性堆疊114亦包含一薄介電質層118，通常稱之為一穿 隧層或穿隧結合，且沉積於底金屬堆疊120上，穿隧結合 118較佳為例如包含氧化链（八丨2〇3)，且較佳為埃厚。 磁性堆疊114亦包含一頂金屬層116，通常稱之為一軟層 ’且沉積於絕緣層118上。頂金屬層116例如包含複數磁性 層’且可包含用於製成底金屬層120之相似製程所沉積之相 似材料。磁性堆疊116之總厚度可為例如500埃。 第二導電線122係製成於磁性堆疊114及第一導電線π 2上 ’且係以一角度非正交於及非垂直於第一導電線丨12 ,第一 112及第二122導電線有如磁性隨機存取記憶體陣列之位元 線或字元線功能。第二導電線122例如可製成於一第三金屬 化（M3)層内，儘管第二導電線122亦可製成於其他金屬化層 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 574685 A7 _^_____B7 __ 五、發明説明(~~11) 内，隨後執行後續處理步驟。 本發明係以一非正交磁性隨機存取記憶體裝置 100/200/300/400取得技術上優點，其需要較少電流通過字元 線112/212/312/412及/或位元線122/222/322/422，以切換記憶 體單元114/214/314/414之邏輯狀態，結果，需要較少電力寫 至磁性隨機存取記憶體裝置，且字元線及位元線之電徙動 減少。因此，一磁性隨機存取記憶體裝置可較為堅固及具 有一比先前技藝磁性隨機存取記憶體者長之壽命。 本發明在文内主要揭述使用於一磁性隨機存取記憶體裝 置内，惟，非正交之第一及第二導電線亦有利於使用在一 具有根據磁滯迴路、或星狀曲線材料性質之任意記憶體儲 存單元。依本發明所示，含有穿隧結合TJ2 (518)之複數磁 性堆疊514可設於含有非正交字元線512及/或位元線之其他 金屬化（M3)層之間之位元線222上，如圖10所示。 儘管本發明已參考說明之實施例而揭述，但是此說明不 應視為侷限意味。說明實施例之多項變更型式及組合，以 及本發明之其他實施例將可由習於此技者參考本說明後瞭 解。此外，製程步驟之順序可由習於此技者重新安排，其 仍在本發明之範疇内，因此可以預期文後之申請專利範圍 應涵蓋任意此類變更型式或實施例。再者，本申請案之範 嘴不應侷限於說明書内所述製程、機器、製造、物項組合 物、裝置、方法及步驟之特定實施例。據此，文後之申請 專利範圍應涵蓋諸此製程、機器、製造、物項組合物、裝 置、方法、或步驟於其範疇内。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐）

裝 訂

Claims (1)

1. 574685 ：3 ：： ： ；p] Ί 第放g〇$4(7號專利申請案 A8 I 中文难翁h範圍替換太(92年7月） g

   1 · 一種半導體記憶體裝置包含： 至少一第一導電線； 至少一第一記憶體儲存單元，係位於第一導電線上， 第一記憶體儲存單元具有根據一星狀曲線之材料性質· 及 至少一第二導電線，係位於第一記憶體儲存單元上， 其中第二導電線相對於第一導電線而呈非正交定位。 2 ·如申請專利範圍第1項之記憶體裝置，其中第一導電線 與第二導電線之間角度係在10與80度之間。 3 ·如申請專利範圍第2項之記憶體裝置，其中記憶體裝置 係一磁性隨機存取記憶體（MRAM)，其中第一記憶體儲 存單元包含一磁性堆疊，磁性堆疊包括一穿隧結合。 4 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，其中穿隧結合具 有一長寬比於大約1 : 1與大約1 : 3之間。 5 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，其中第一導電線 包含冬元線及弟一導電線包含位元線。 6 .如申請專利範圍第5項之記憶體裝置，其中一儲存於穿 隧結合内之邏輯狀態係藉由改變一電流通過字元線及改 變一電流通過位元線而切換。 7 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，其中事隧結合包 含一長方形狀。 8 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，其中事隧結合包 含一梯形狀。 9 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，進一步包含： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 574685 Λ BCD 申請專利範圍 主少一 及 乐二記憶體儲存單元，係位於第二導電線上； 至少一第三導電線’係位於第二記憶體儲存單元上， 其中第三導電線相對於第二導電線而呈非正交定位。 ';!專:_9項之記憶體裝置，㈣第-記憶體 储存早兀包含一磁性堆疊，磁性堆叠包括—穿隨結合。 11.一種磁性隨機存取記憶體（Mram)裝置，包含： 複數第一導電線； 複數第二導電線，係位於第一導電線上，第二導 係相關於第-導電線而以—非90度之角度定位；及 複數第一記憶體儲存單元，係介置於且相鄰於第-及 第二導電線之間。 •如申請專圍第㈣之錄隨機存取記憶體裝置，其 中第-記憶體儲存單元具有根據—星狀曲線之材料性質。 13.如：請專利範圍第12項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中第-記憶體儲存單元包含第—磁性堆疊，第_磁性堆 疊包括穿隧結合。 Η·如申請專利難第㈣之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中穿隧結合具有一長寬比於大约1:1與大約ι:3之間。 15·如申請專利範圍第13項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中穿隧結合包含一長方形狀。 、 •如申請專利範圍第13項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中穿隧結合包含一梯形狀。 Π.如申請專利範圍第13項之磁性隨機存取記憶體裝置，進 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x 297公釐) —步包含： 複數弟二兒憶體儲存單元，係位於第二導電線上 ，數第三導電線，係位於第二記憶體儲存單元上，其 以導電線相對於第二導電線而呈非正交定位。、 •二申4專利範圍第17項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 田弟二請體儲存單元包含第二磁性堆疊，第二磁性 豐包括一穿隧結合。 3 I明專利範圍第13項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中第-導電線包含字元線及第二導電線包含位元線。〃 20·如申請專利範圍第13項之磁性隨機存取記憶體裝置，其 中一儲存於穿隧結合内之邏輯狀態係藉由改變一電流通 過字7C線及改變一電流通過位元線而切換。 21·—種製造一半導體記憶體裝置之方法，包含： 製成至少一第一導電線； 製成至少一記憶體儲存單元，係位於第一導電線上， 記憶體儲存單元具有根據一星狀曲線之材料性質；及 製成至少一第二導電線於記憶體儲存單元上，且相對 於第一導電線而呈非正交定位。 22.如申請專利範圍第21項之方法，其中記憶體裝置包含一 磁性隨機存取記憶體（MRAM)，其中製成儲存單元包含 製成具有穿隧結合之磁性堆疊。 2 3 ·如申凊專利圍第21項之方法，其中穿隧結合且有一長 寬比於大約1 : 1與大約1 : 3之間。 24·如申請專利範圍第21項之方.法，其中穿隧結合包含一長 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574685 ABC D 六、申請專利範圍 方形狀。 25. 如申請專利範圍第21項之方法，其中穿隧結合包含一梯 形狀。 26. 如申請專利範圍第21項之方法，其中第一導電線包含字 元線及第二導電線包含位元線。 27. —種寫錄一磁性隨機存取記憶體（MRAM)裝置之方法， 磁性隨機存取記憶體包括複數第一導電線，複數第二導 電線位於第一導電線上，及複數記憶體儲存單元，係以 其結合處位於第一及第二導電線之間，該方法包含·· 傳送一第一電流通過第一導電線，其中第一電流產生 一第一電磁場於第一導電線周側；及 傳送一第二電流通過第二導電線，其中第二電流產生 一第二電磁場於第二導電線周側，其中第二電磁場係不 同於第一電磁場，其中第二導電線相對於第一導電線而 呈非正交定位。 28. 如申請專利範圍第27項之方法，其中記憶體儲存單元具 有根據一星狀曲線之材料性質。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）