TW569266B - Plasma display panel - Google Patents

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569266 五、發明說明（1) 【發明領域】 本發明有關一種等離子顯示板。本發明要求享有曰本 第 2 0 01 — 213846 、第 2001 — 218297 和第2 0 0 2 — 0 1 3 3 2 0號申請的優先權，它們所公 開的内容在此引入以作參考。 【發明背景】 近年來，等離子顯示板作為一種細長而大型的彩色屏 幕顯示器已經引起了人們的注意，並且已經開始普遍用於 一般家庭等場合。 圖3 4至圖3 6是一種傳統結構的等離子顯示板的示 意圖。圖3 4是該傳統的等離子顯示板的正視.圖。圖3 5 是沿圖3 4中的V — V線所取的剖視圖。圖3 6是沿圖3

第6頁 569266 五 互成 明-說 明， 發X面 對 相形 ， 中 g示 隙顯 間陣 電矩 放在 一) 隔， 間YY， 和X /(\ X對 極極 電電 的行 >個 ,! 2)γ每 面 對 的 4 片 基 璃 玻 後 。於 L位 \)y τ-Η 行片 C基 線璃 示玻 顯前 有 間 者 後列 hr ο 与 體行 氣平 電互 放相 有們 充它 填， 間， 之D 4極 與電 1~•列 片個 基多 ，有 S設 間上 空4 電片 放基 開璃 隔玻 上伸 向延 方行 角平 直， 的D }極 ^¾ ， 驾 Y列 ’與 ， 個 X -C每 對們 極它 電它 行， 在5 都壁 個間 一 形 每帶 且； 並伸 ，延 Γ B /|\ ο 色和 h 藍 5 P和壁 S } 間 o G型 h C帶 P色鄰 {綠相 層、蓋 光}覆 螢R個 螢C 一 ;色每 間紅們 之由它 極 ， ， 電6成 列}形 個r料 兩 e 材 於y光 位 a螢 且 '~~- Λ)/ 並 成 隔 間 S 間 空 電 放 將 5 壁 間 中 L 。行 面示 側顯 的個 D每 極在 電 列 每，h ， Y C 域，S 區 .1 個 X d 元元 單單 對電電 極放放 電定些 行限這 與以， ， 用， D域C 極區} 電個 1 列多 1 於這 應， 對點 域叉 區交 個的 6

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第7頁 569266 五、發明說明（3) g e )的放電單元）未發光單元（其中在介電層2上沒有 形成一壁電荷的放電單元）根據要顯示的圖像分布在板表 面上。 在完成尋址周期之後，一放電持續脈衝同時交替地加 到每一個顯示行L中每一個行電極對的行電極X ’和Y ’ 上。每一次施加該放電持續脈衝，就通過形成於介電層2 上的壁電荷在每一個發光單元中行電極X ’和Y ’之間引 起持續放電。 每一個發光單元中的持續放電導致從放電氣體内所含 氙氣中產生紫外線。產生的紫外線激發每一個發光單元 C ’中的紅（R )、綠（G )或藍（B )螢光層6 ，由此 形成一顯示圖像。 在如上該這種傳統的二電極表面放電式父流型P D P 中，在同一個放電單元C’中產生尋址放電和持續放電。 因此.，在每一個放電單元C ’中，尋址放電開始於中間插 有紅（R )、綠（G )或藍（B )螢光層6的電極之間， 螢光層6用來在引起持續放電時發出色彩。 為此，放電單元C’中產生的尋址放電受到螢光層6 的影響，例如放電性能隨形成螢光層6的各色螢光材料而 變，當在製造過程總形成螢光層6時產生的各層厚度發生 變化等等。因此，傳統的P D P很難在每一個放電單元 C ’中得到相同尋址放電特性。 .在前述的三電極表面放電式交流型PDP中，需要在 每一個放電單元C’中有一個大的放電空間，用以提高發

第8頁 569266 五、發明說明（4) 光效率。因此，已有技術採用增加間壁5高度的方法。 但是，如果為了提高發光效率來增加間壁5的高度， 那麼其間產生尋址放電的行電極Y ’與列電極D ’之間的 間隔也增大。該增大的間隔產生尋址放電所用的起始電壓 增大的問題。 另外，在前述三電極表面放電式交流型P D P中，例 如通過將填充放電空間S’的放電氣體中氙氣含量增大1 〇％以上，能提高PDP的發光效率。但是，如果增大放 電氣體中氙氣含量，也增大了用於尋址放電和持續放電的 驅動電壓，導致產生P D P電功耗增大的問題。 【發明目的】 本發明用以解決如上該與傳統等離子顯示板有關的問 題。 因此，本發明的第一個目的在於提供一種等離子顯示 板，它能夠穩定每一個放電單元中的尋址放電性能，並且 能提高發光效率。 除了該第一個目的，本發明的第二個目的在於提供一 種等離子顯示板，它能夠降低尋址放電和持續放電的驅動 電壓。 【發明特徵】 為了達到第一個目的，根據本發明的第一特徵，一種 等離子顯示板包括：一前基片；多個行電極對，沿一列方 向排列在前基片的背面上，每一個沿一行方向延伸並且形 成一顯示行；一介電層，覆蓋前基片背面上的行電極對；

第9頁 569266 五、發明說明（5)

一後基片，置於前基片的對面，兩基片之間有一放電空間 ;多個列電極，沿該行方向排列在正對前基片的後基片那 個表面上，每一個列電極沿列方向延伸以與行電極對交叉 ，在各交叉點處的放電空間内形成單位發光區域，該等離 子顯示板包括：間壁，包圍每一個單位發光區域以限定單 位發光區域；一分隔壁，用來將每一個單位發光區域分成 第一放電區域和第二放電區域，第一放電區域與構成每一 個行電極對的各行電極的相對部分相互面對且用來在相對 的行電極之間產生放電，第二放電區域面對與列電極聯合 開始放電的行電極中一個行電極的一部分，並且，在列電 極與這一個行電極的一部分之間產生放電；和一連通部件 ，設置在第一放電區域與第二放電區域之間，它從第二放 電區域連通到第一放電區域。

有第一特徵的等離子顯示板中，當產生圖像時，在分 隔壁分開的單位發光區域中形成的第二放電區域（尋址放 電單元）中，在列電極與構成每一個行電極對中的一個行 電極之間引起放電（尋址放電）。通過設置在第一和第二 放電區域之間的連通部件，將第二放電區域中引起的放電 轉移給第一放電區域，並且擴散到第一放電區域中。這樣 ，其中形成有一壁電荷的第一放電區域（發光單元）和其 中沒有壁電荷形成的第一放電區域（沒有發光單元）根據 要產生的圖像分布在板表面上。 之後，在其中形成有壁電荷的每一個第一放電區域（ 發光單元）中，在構成每一個行電極對的各行電極相對部 1!

Ill I Ιί Μ 第ίο頁 569266 五、發明說明（6) 分之間引起另一放電。持續放電所產生的紫外線激發用於 發射彩色光的三原色紅（R)、綠（G)和藍（B)的螢 光層，以響應圖像信號在板表面上形成圖像。 根據第一特徵，在這種方式下，為了將其中形成有壁 電荷的單位發光區域和其中沒有壁電荷形成的單位發光區 域分配到板表面上，在第二放電區域中列電極與行電極對 中每一個行電極之間產生尋址放電，在完成尋址放電之後 ，第二放電區域形成於構成每一個行電極對的行電極之間 以便發光，這與其中產生持續放電的第一放電區域無關。 為此，即使將第一放電區域的放電空間設計得更大以提高 等離子顯示板的發光效率，並且，由此增大行電極與列電 極之間的距離，也可以將列電極置於比其在第一放電區域 中的位置更靠近第二放電區域的位置，用以減小列電極與 行電極之間的起始電壓。這樣，同時提高了發光效率和減 小了在列電極與行電極之間放電的起始電壓。 另外，獨立設計用來在行電極對的行電極之間產生放 電的第一放電區域和用來在列電極與行電極之間產生放電 的第二放電區域，無需在第二放電區域中形成借助放電發 光的螢光層。第二放電區域中列電極與行電極之間產生的 放電不受形成.螢光層的螢光材料顏色和螢光層厚度變化的 影響，因而在列電極與行電極之間提供穩定’的放電特性。 為了實現第一個目的，除了第一特徵的結構之外，一 種等離子顯示板有第二特徵，按第二特徵，構成每一個行 電極對的每一個行電極包括沿行方向延伸的電極本體和透

第11頁 569266 五、發明說明（7) 明電極，每一個透明電極在每一個單位發光區域中沿列方 向從電極本體上伸出，以面對構成行電極對的另一個行電 極併與之間隔一放電間隙；按第二特徵，至少一個行電極 的電極本體與第二放電區域相對，以在電極本體與每一個 第二放電區域中的列電極之間引起放電。 對於具有第二特徵的等離子顯示板來說，每一個行電 極包括在行方向上延伸的電極本體和透明電極，每一個透 明電極在每一個單位發光區域中接至電極本體。使與列電 極有關的放電開始的電極本體位於第二放電區域對面，以 在電極本體與每一個第二放電區域中列電極之間產生放電 〇 為了實現第一個目的，除了第一特徵的結構之外，一 種等離子顯示板具有第三特徵，按第.三特徵，構成每一個 行電極對的每一個行電極包括一沿行方向延伸的電極本體 和透明電極，每一個透明電極在每一個單位發光區域中沿 列方向從電極本體上伸出，以面對構成行電極對的另一個 行電極並於其間形成一放電間隙，每一個透明電極有一沿 與行電極對另一個行電極的透明電極方向相反的方向上從 其電極本體上伸出的延伸部分；按第三特徵，至少一個行 電極透明電極的延伸部分與第二放電區域相對，以在透明 電極延伸部分與第二放電區域内的列電極之間引起放電。 對於具有第三特徵的等離子顯示板來說，為每一個透明電 極設置延伸部分，每一個透明電極都接至在每一個單位發 光區域中沿行方向延伸的電極本體，並且與電極本體一起

第12頁 569266 五、發明說明（8) 形成一行電極。延伸部分從透明電極與電極本體的連接點 處沿與行電極對另一個行電極的透明電極方向相反的方向 延伸，以便與第二放電區域相對。按這種方式，在這樣一 個延伸部分與第二放電區域中的列電極之間產生放電。 為了實現第一個目的，除了第一特徵的結構之外，一 種等離子顯示板具有第四特徵，它還包括一附加部件，該 附加部件沿每一個第二放電區域的方向’從與該第二放電 區域相對的介電層的一部分上伸出，並且開始與限定相對 應單位發光區域的間壁接觸，以在第二放電區域和與其相 鄰但無關的單位發光區域之間形成阻隔。 對於具有第四特徵的等離子顯示板來說，附加部件設 置在覆蓋每一個第二放電區域相對行電極對的介電層的部 分上，並且與包圍每一個單位發光區域的間壁接觸，用以 將相鄰發光區域相互分隔開。由於有這樣一個附加部件， 所以把形成於一個單位發光區域中的第二放電區域和與其 相鄰但無關的單位發光區域分隔開。這樣，由第二放電區 域中列電極與行電極之間的放電產生的帶電粒子穿過連通 部件，僅僅流入所涉及單位發光區域所相對應的第一放電 區域中。 為了實現第一個目的，除了有第一特徵的結構之外， 一種等離子顯示板具有第五特徵，它還包括一黑色或深色 光吸收層，該光吸收層設置在與前基片一側上每一個第二 放電區域相對的區域上。 對於具有第五特徵的等離子顯示板來說，在前基片一

第13頁 569266 五、發明說明（9) 側上或在顯示一側上的第二放電區域表面上覆蓋有黑色或 深色光吸收層。該光吸收層防止因苐二放電區域中列電極 與行電極之間的放電產生的光漏向板的顯示面，由此防止 在將要形成於板顯示面上的圖像上產生不利影響。該光吸 收層遥防止環境光反射到第二放電區域相對的板顯不面上 ，從而消除了在圖像中對比度方面產生不利影響的可能性 ，每 外成 之構 構， 結徵 的特 徵六 特第 五，該 第按 有， 了徵 除特 ，六 的第 目有 個具 一板 第示 現顯 實子 了離 為等 種 極域 電區 的光 伸發 延位 向單 方個 行一 沿每 一在 括極 包電 極明 電透 行個 個一 一 每 每 ’ 的極 對電 極明 電透 行和 個體 一本 另少 的至 對， 極中 電徵 行特 成六 構第 對在 面 ·， 以隙 ，間 出電 伸放 上一 體隔 本間 極之 電與 從併 向極 方電 列行 沿個 中一 放徵 二特 第六 在第 以在 對電 相放 域起 區 弓 電間 放之 二極 第電 與列 體與 本體 極本 電極 的電 極的 電内 行域 個區 一 電 色一 深中 或域 色區 黑的 一對 的相 内域 體區 本電 極放 電二 極第 電上 行側 在一 括片 包基 由前 層與 收於 吸成 光形 ，和 中層 電位 行單 個個 一每 每至 •，接 說都 來個 板一 示每 顯和 子體 離本 等極 的電 徵的 。特伸 成.六延 構第向 層有方 色.具行 深於沿 或對括 色 包 黑 極 電二 放第 始在 開， 起樣 一 這 極。 電面 列對 與域 。 區 極電 電放 明二 透第 的於 體位 本體 極本 電極 中電 域極 區電 光行 發的 電由 放體 生本 產極 間電 之極 極電 電行 列的 與面 體對 本域 極區 電電 的放 中二 元第 單在 電 放 深 或 色

第14頁 569266 五、發明說明（ίο) 色層形成，或者一部分由一黑色或深色層構成。另外，其 中沒有形成行電極電極本體的前基片一側上第二放電區域 對面的一個區域覆蓋有一黑色或深色層。設置這樣的黑色 或深色層，防止了第二放電區域中列電極與行電極之間尋 址放電產生的光漏向板的顯示面，由此防止對將要形成於 板顯示面上的圖像有不利影響。另外，防止了環境光反射 到第二區域對面的板顯示面一區域上。因此，可消除對圖 像中對比度的不利影響。 為了實現第一個目的，除了第五特徵的結構之外，一 種等離子顯示板具有第七特徵，它還包括一附加部件，該 附加部件沿每一個第二放電區域的方向，從與該第二放電 區域相對的介電層的一部分上伸出，用以開始與限定相應 單位發光區域的間壁接觸，以在第二放電區域和與其相鄰 但無關的單位發光區域之間形成阻隔，該附加部件由一黑 色或深色材料形成以構成光吸收層。 對於具有第七特徵的等離子顯示板來說，附加部件設 置在覆蓋每一個第二放電區域相對行電極對的介電層的一 部分上，並且與包圍每一個單位發光區域的間壁接觸，用 以將相鄰發光區域相互分隔開。由於有這樣一個咐加部件 ，所以把形成於一個單位發光區域中的第二放電區域和與 其相鄰但無關的單位發光區域分隔開，這樣，由第二放電 區域中列電極與行電極之間的放電產生的帶電粒子穿過連 通部件，僅僅流入所涉及單位發光區域的相應第一放電區 域中。該附加部件還通過由黑色或深色材料形成光吸收層

第15頁 569266 五、發明說明（11) 。這樣一個光吸 極之間放 成於板顯 反射到第 除對圖像 為了 種等離子 放電區域 對於 光的螢光 的第二放 受形成螢 光層厚度 域中尋址 為了 一種等離 該凸起部 中，且在 第二放電 的一部分 對於 二放電區 列電極之 電區域中 電產生 示面上 二放電 上對比 實現第 顯示板 中的螢 具有第 層並不 電區域 光層的 變化所 放電的 實現第 子顯示 件設置 後基片 區域中 沿前基 按第九 域中， 間形成 列電極 收層防 的光漏 的圖像 區域對 度的不 一個目 具有第 光層， 八特徵 設置在 中。因 三原色 帶來的 放電特 一個目 板具有 在後基 與列電 ，以使 片的方 實施例 列電極 的凸起 與行電 止了 向板 產生 面的 利影 的， 八特 該螢 的等 列電 此， 螢光 不利 性。 的， 第二放 的顯示 不利影 板顯不 響。 除了第 徵，它 光層用 離子顯 極與行 第二放 材料產 影響， 電區域中列電極與行電 面，由此防止對將要形 響，它還防止了環境光 面 區域上，由此可消 一特徵的結構之外，一 還包括一僅設置在第一 來借助放電發光。 示板來說，用來放電發 電極之間產生尋址放電 電區域中的尋址放電不 生的放電特性差異和螢 由此穩定了第二放電區 除了有第一特徵的結構之外， 第九特徵，它還包括一凸起部件， 片一側上第二放電區域對面的區域 極之間’並且沿前基片的方向伸入 每一個第二放電電極對面的列電極 向伸出。 的等離子顯 從後基片上 部件更靠近 極之間的放 示板來說，在每一個第 昇高，以通過後基片與 行電極。因此，第二放 電間隔小於第一放電區

第16頁 569266 五、發明說明（12) 域中列電極與行電極之間的間隔。這可以通過縮短每一個 第二放電區域中列電極與行電極之間的放電間隔來減小放 電的起始電壓，同時第一放電區域中的大放電空間保持不 變 〇 為了實現第一個目的，除了有第一特徵的結構之外， 一種等離子顯示板具有第十特徵，它還包括一放電啟動（ p r i m i ng)顆粒產生層，該產生層設置在單位放電 區域的每一個第二放電區域中。 對於具有第十特徵的等離子顯示板來說，在第二放電 區域中列電極與行電極之間的尋址放電之前，在第一放電 φ 區域中復位放電，以形成（或消除）壁電荷，使放電氣體^ 中包括的氙氣發出紫外線。紫外線激發第二放電區域中形 成的放電啟動顆粒產生層，以使其發出紫外線。該紫外線 激發覆蓋介電層的保護層，以使它們發出放電啟動顆粒。 由於放電啟動顆粒產生層有餘輝特性，所以在第二放電區 域中尋址放電的過程中，保證在第二放電區域中有用來產 生尋址放電所需的足夠量的放電啟動顆粒，由此防止在完 成復位放電之後隨著時間過去發生誤放電或放電時間滯後 事件從而減少放電啟動顆粒數量。 為了實現第一個目的，除了具有第十特徵的結構之外 參 ，一種等離子顯示板具有第十一特徵，按該第十一特徵， 放電啟動顆粒產生層由一種紫外區發光材料形成，在該材 料受到預定波長紫外線的激發時，該材料有連續發射紫外 線的餘輝特性。

第17頁 569266 種 (13) 具有第 產生層 電區域 顆粒的 動顆粒 實現第 離子顯 發光材 十二特 的紫外 電極與 間的過 時間。 放電時 實現第 等離子 紫外區發光 對於具有第 啟動顆粒產生層 第二放電區域中 電啟動顆粒的量 更長時間的餘輝 啟動顆粒。這樣 粒量的誤放電或 板具 有1 特徵 外區 極與 間過 提供 進一 時間 顯不板 的餘輝 之間產 減少。 時間滯 第十一 徵’在 更長時 來說， 特性防 址放電 餘輝特 減少放 來說， 特性， 生尋址 而這又 後事件 特徵的 該第十 間的餘 形成放 止了在 時，放 性持續 電啟動 五、發明說明 對於 啟動顆粒 在第二放 放電啟動 少放電啟 為了 ，一種等 ，紫外區 對具有第 粒產生層 區域中列 粒量隨時 秒或更長 誤放電或 為了 外 中 Η--特徵 的紫外區 中列電極 量隨時間 量的誤放 一個目的 不板具有 料有〇· 徵的等離 區發光材 行電極之 去而減少 因此，能 間滯後事 一個目的 顯示 材料 十三 的紫 列電 隨時 特性 ，能 放電 的等離子 發光材料 與行電極 的過去而 電或放電 ，除了有 第十二特 1毫秒或 子顯示板 料的餘輝 間產生尋 。另夕卜， 完全防止 件的發生 ，除了具 有第十三 毫秒或更 的等離子 發光材料 行電極之 去而減少 了尋址放 步完全防 滯後事件 形成放電 能夠防止 放電時， 能防止減 的發生。 結構之外 二特徵中 輝特性。 電啟動顆 第二放電 電啟動顆 〇· 1毫 顆粒量的 有第十一特徵的結構之 特徵，在該第十三特徵 長時間的餘輝特性。 顯示板來說，形成放電 的餘輝特性，防止了在 間產生尋址放電時，放 。另外，持續1毫秒或 電期間大致所需的放電 止發生減少放電啟動顆

第18頁 569266 五、發明說明（14) 為了實現第一個目的，除了具有第十一特徵的結構之 外，一種等離子顯示板具有第十四特徵，按該第十四特徵 ，放電啟動顆粒產生層包括具有4 · 2 eV或更小功函數 的材料。

對於具有第十四特徵的等離子顯示板來說，形成放電 啟動顆粒產生層的紫外區發光材料的餘輝特性，允許被激 發材料連續發出放電啟動顆粒，被激發材料具有4 · 2 e V或更小的功函數（高τ材料）。因此，當在第二放電區 域中列電極與行電極之間產生尋址放電時，能防止放電啟 動顆粒量隨時間過去而減少，為尋址放電提供所需的足夠 量的放電啟動顆粒。這又能防止發生減少放電啟動顆粒量 的誤放電或放電時間滯後事件。 為了實現第一個目的，除了第一特徵的結構之外，一 種等離子顯示板具有第十五特徵，它還包括一介電層，該 介電層由一種具有5 0或更大的相對介電常數的材料形成 ，它設置在後基片一側上每一個第二放電區域中的位置中 ，其形式為插在列電極與一個行電極一部分之間，該行電 極一部分與列電極一起產生放電。

對於具有第十五特徵的等離子顯示板來說，具有5 0 或更大的相對介電常數的介電層設置在每一個第二放電區 域中，並且縮短了第二放電區域中列電極與行電極之間的 表面放電間隔，由此成功地降低了尋址放電的起始電壓。 為了實現第一個目的，除了具有第一特徵的結構之外，一 種等離子顯示板具有第十六特徵，按第十六特徵，通過確

第19頁 569266 五、發明說明（15) 定分開每一個單位發光區域中第一放電區域和第二放電區 域的分隔壁高度低於限定單位發光區域周邊的間壁高度， 由前基片與分隔壁之間形成的間隙構成連通部件。 定介 限的 使上 即片 ，基 說前 來在 板置 示設 顯觸 子接 離壁 等間 的的 徵邊 特周 六域 十區 第光 有發 具位 入、、Oulu 對個 - 每 阻基 互前 相在 域置 區設 光與 發壁 位隔 單分 鄰該 相於 將成 而形 從由 ，件 分部 部通 一連 的於 物由 似過 類不 或， 層開 電隔 壁區 隔電 分放 該二 ，第 供與 提域 間區 空電 的放 間一 之第 分開 部分 一且 物度 似高 類的 或壁 層間 電於 介低 的度 上古冋 片的 夠 能 粒 電 帶 的 生 產 所 電。 放域 中區 域電 區放 電 一 放第 二入 第流 得件 使部 以通 所連 ，過 域穿 外連 之， 構徵 結特 的七 徵十 特第 一按 第， 有徵 具特 了七 除十 ，第 的有 目具 個板 一 示 第顯 現子 實離 了等 為種 亥 成 構 槽 \ 由 件 部區 通電 壁 隔 分 的 分 域 放第 二和 第域 和區 域電 區放 電一 放第 一向 第朝 將有 於具 成且 形並 槽， D 開 端 兩 的 域 區 定介 限的 使上 即底 ,襯 說前 來在 板置 示設 顯觸 子接 離壁 等間 的的 徵邊 特周 七域 十區 第光 有發 具位 入、、σ0^! 夕 0" 電對個 放 一 二 每 開成電 隔形放 互中一 相壁第 域隔到 區分 光的 發開 位分 單域 鄰區 相電 將放 以二 ，第許 分和允 部一件 一第部 的將通 物於連 似由的 類，成 或是構 層但槽 電，的 通 域 區 電 放 二 第 從 該 外 過 之 穿 構 粒 結 顆 的 電 徵 帶 特 的 一 生 第 產 有 所。具 電中了 放域除 中區 ， 域電的 區放目 電一個 放第一 二入第 第引現 以而實 所件了 ，部為 域通 區連 第20頁 569266 五、發明說明（16) ，一種等離子顯示板具有第十八特徵，它還包括一附加部 件，該附加部件沿每一個第二放電區域的方向，從與該第 二放電區域相對的介電層的一部分上伸出，並且開始與限 定每一個單位發光區域的間壁接觸，以在第二放電區域和 與其相鄰但不接觸的單位發光區域之間形成阻隔，並且連 通部件形成於該附加部件中。 對於具有第十八特徵的等離子顯示板來說，當沿後基 片方向從介電層上伸出的附加部件接觸限定每一個單位發 光區域周邊的間壁和分開第一與第二放電區域的分隔壁時 ，形成於該附加部件.中的連通部件允許從第二放電區域連 @ 通到第一放電區域。這樣，通過第二放電區域中放電所產 生的帶電顆粒通過連通部件引入第一放電區域中。 為了實現第一個目的，除了具有那第一特徵的結構之 外，一種等離子顯示板具有第十九特徵，它還包括有需要 的相對介電常數的材料形成的高相對介電常數介電層，或 者包括導電材料形成的導電層，該層設置在每一個第二放 電區域中的後基片上。 在具有第十九特徵的等離子顯示板中，設置在每一個 第二放電區域中的具有高相對介電常數的介電層或導電層 ，縮短了其間引起尋址放電的列電極與該對行電極中一個 · 行電極一部分之間的放電間隔。因此，尋址放電開始於低 放電起始電壓。 根據第十九特徵，即使通過增大第一放電區域的空間 來增大行電極與列電極之間的間隔以增強等離子顯示板的

第21頁 569266 五、發明說明（17) 、 發光效率，也會通過在每一個第二放電區域中設置具有高 相對介電常數的介電層或導電層來縮短每一個第二放電區 域中列電極與一個行電極之間的放電間隔。這樣’同時實 現了降低尋址放電起始電壓和增強發光效率。 為了實現第一個目的，除了具有第十九特徵的結構之 外，一種等離子顯示板具有第二十特徵，按第二十特徵， 形成具有高相對介電常數的介電層的材料具有的相對介電 常數為5 0以上。 對於具有第二十特徵的等離子顯示板來說，借助在每 一個第二放電區域中插入具有5 0以上相對介電常數的介 電層，在列電極與行電極之間產生尋址放電。該設計縮短 了列電極與行電極之間尋址放電的表面放電間隔，從而降 之 構 結 的 徵 特 九 十 第 有 具 了 除 〇 ， 壓的 電目 始個 起一 的第 電現 放實 址了 尋為 了 低 特域 1 區 十一 二第 第 ， 按域 ， 區 徵二 特第 一和 十域 二區 第一 有第 具成 板分 示還 顯域 子區 離電 等放 種二 一第 外徵 分區數 部的常 1 外電 極之介 電域對 行區相 個一高 一 第有 的除成 電中形 放域中 起區域 一 電區 極放一 電二第 列第的 和有域 始具區 開域電 與區放 極二二 電第第 列，在 於間， 位之域 放 二 第 說 來 板 示 顯 子 韻 等 的 徵 特 - 。十 層三 電第 導有 或具 層於 電對 介 的 成電 形列是 中於就 域位也 區域。 一 區電 第一放 在第始 僅，開 僅yt起 ， 電 一 域導極 區或電 二層列 第電和 和介且 域的並 區數， 一 常間 第電之 成介極 分對電 域相行 區高與 電有極 第22頁 569266 五、發明說明（18) 說，介電層併不設置在無開始尋址放電的區域中。因此， 防止了等離子顯示板在相鄰列電極之間有不受歡迎的極間 電容，由此能防止它有反應功率。 為了實現第一個目的，除了具有第二十一特徵的結構 之外，一種等離子顯示板具有第二十二特徵，它包括設置 在每一個第二放電區域第二區域中的放電啟動顆粒產生層 對於 放電區域 放電區域 發射紫外 的放電啟 發覆蓋介 由於放電 域中尋址 所需的足 後發生隨 件滯後事 為了 之外，一 三特徵， ，在用預 射紫外線 對於 具有第二十二特徵的等離子顯示板來說，在第二 中列電極與行電極之間的尋址放電之前，在第一 中產生復位放電，以使放電氣體中所包括的氙氣 線。該紫外線激發第二放電區域第二區域中形成 動顆粒產生層，以使其發射紫外光。該紫外光激 電層的保護層等，以使它們發射放電啟動顆粒。 啟動產生層有餘輝特性，所以確保在第二放電區 放電期間，第二放電區域中有用來產生尋址放電 夠量放電啟動顆粒，由此防止在完成復位放電滯 時間過去減少放電啟動顆粒量的誤放電或放電事 件。 實現第一個目的，除了具有第二十二特徵的結構 種等離子顯示板具有第二十三特徵，按該第二十 放電啟動顆粒產生層由一種紫外區發光材料形成 定波長的紫外線激發該材料時，該材料有連續發 的餘輝特性。 具有第二十三特徵的等離子顯示板來說，形成放

第23頁 569266 五、發明說明（19) 電啟動顆粒產生層的紫外區發光材料的餘輝特性在第二放 電區域中列電極與行電極之間產生尋址放電時，能防止放 電啟動顆粒量隨時間的過去而減少。這又能防止發生減少 放電啟動顆粒置的誤放電或放電時間滯後事件。 為了實現第一個目的，除了具有第二十三特徵的結構 之外，一種等離子顯示板具有第二十四特徵，在該第二十 四特徵中，紫外區發光材料具有0 · 1毫秒或更長時間的 餘輝特性。

對於具有第二十四特徵的等離子顯示板來說，當第二 放電區域中列電極與行電極之間產生尋址放電時，形成放 電啟動顆粒產生層的紫外區發光材料的餘輝特性能防止放 電啟動顆粒量隨時間的過去而減少。 另外，餘輝特性持續0 · 1毫秒或更長時間。由此， 能完全防止發生降低放電啟動顆粒量的誤放電或放電時間 滯後事件。 為了實現第一個目的，除了具有第二十三特徵的結構 之外，一種等離子顯示板具有第二十五特徵，按該第二十 五特徵，紫外區發光材料具有1毫秒或更長時間的餘輝特 性。

對於具有第二十五特徵的等離子顯示板來說，當第二 放電區域中列電極與行電極之間產生尋址放電時，形成放 電啟動顆粒產生層的紫外區發光材料的餘輝特性能防止放 電啟動顆粒量隨時間的過去而減小。 另外，持續1毫秒或更長時間的餘輝特性提供了尋址

第24頁 569266 五、發明說明（20) 放電期間大致需要的放電啟動顆粒量。這樣，還能完全防 止發生減少放電啟動顆粒量的誤放電或放電時間滯後事件 為了 之外 特徵，放 函數的材 對於 電啟動顆 電啟動顆 受激發材 區域中列 啟動顆粒 足夠量放 量的誤放 為了 外 種 相對介電 區域中形 對於 二放電區 極與該對 間隔，由 上形成的 實現第 種等離 電啟動 料。 具有第 粒產生 粒產生 料連續 電極與 量隨時 電啟動 電或放 實現第 等離子 常數的 成的導 具有第 域中形 行電極 此降低 具有南 一個目的， 子顯示板具 顆粒產生層 二十六特徵 層的紫外區 層中包括的 發射放電啟 行電極之間 間的過去而 顆粒。這又 電時間滯後 一個 顯示 介電 電層 二十 成的 中一 了尋 相對 目的， 板具有 層，該 面對前 七特徵 導電層 個行電 址放電 介電常 除了具有第二十二特徵的結構 有第二十六特徵，按第二十六 包括具有4 · 2 eV或更小功 的等離 發光材 有4 · 動顆粒 產生尋 減少， 能防止 事件。 除了具 第二十 介電層 基片的 子顯 料的 2 e 。因 址放 以提 發生 有第 七特 設置 一面 的等離子顯 ，縮短了第 極之間產生 的起始電壓 數的介電層 示板來說，形成放 餘輝特性，允許放 V或更小功函數的 此，當在第二放電 電時，能防止放電 供尋址放電所需的 減少放電啟動顆粒 十九特徵的結構之 徵，它還包括有高 在每一個第二放電 上。 示板來說，通過第 二放電區域中列電 的尋址放電的放電 。通過導電層該面 ，縮短了導電層與

第25頁 569266 五、發明說明（21) 一個行電極之間的表面放電間隔，由此進一步降低了尋址 放電的起始電壓。 為了實現第一個目的，除了具有第十九特徵的結構之 外，一種等離子顯示板具有第二十八特徵，按第二十八特 徵，導電層形成於覆蓋列電極的列電極保護層上，並且隨 著插入列電極保護層，通過導電部件與列電極電連接。 對於具有第二十八特徵的等離子顯示板來說，由於有 隨著插入列電極保護層，通過導電部件在導電層與列電極 之間的電連接，所以進一步縮短了列電極與該對行電極中 一個行電極之間的放電間隔，從而顯著降低了尋址放電的 起始電壓。 為了實現第一個目的，除了具有第二十八特徵的結構 之外，一種等離子顯示板具有第二十九特徵，按第二十九 特徵，將導電層電連接至列電極的導電部件是形成於列電 極保護層中的通孔。 對於具有第二十九特徵的等離子顯示板來說，導電層 和列電極隨著插入有關的列電極保護層，通過形成於列電 極保護層中的通孔電連接，由此進一步縮短了列電極與該 對行電極中一個行電極之間的放電間隔，導致顯著降低尋 址放電的起始電壓。 為了實現第一個目的，除了具有第十九特徵的結構之 外，一種等離子顯示板具有第三十特徵，按該第三十特徵 :構成行電極對的一個行電極和另一個行電極沿列方向交 替排列在每一個顯示行中，以使相鄰行電極對的一個行電

第26頁 569266 五、發明說明（22) 極背對背棑列，而相鄰行電極對的另一個行電極背對背排 列；在各自與列電極一起引起放電的背對背一個行電極的 部分對面的第二放電區域中，形成具有高相對介電常數的 介電層或導電層；通過一肋部件，把高相對介電常數介電 層或導電層與覆蓋行電極對的介電層之間形成的空間分成 各自面對背對背排列的一個行電極各部分的區域，該肋部 件沿行方向延伸。 對於具有第三十特徵的等離子顯示板來說，在組成行 電極對的兩種行電極排列中，相同類型的相鄰各行電極對 的行電極沿列方向背對背排列。由於有這樣一種排列，所 以當把持續脈衝施加到行電極對兩端時，背對背設置的行 電極之間非顯示區域不形成放電電容，並且在各行電極之 間開始持續放電，由此防止產生反應功率。 為了實現第二個目的，除了具有第一特徵的結構之外 ，一種等離子顯示板具有第三十一特徵，按該第三十一特 徵’構成母一個行電極對且在其間開始放電的行電極各部 分相互面對，其間有一真空空間（empty spac

第27頁 569266 五、發明說明 形成的三 層，以使 像。 根據 分之間插 使行電極 ，所以縮 間隔，由 術的電場 增大放電 放電。 為了 之外，一 二特徵， 開始放電 對於 成於位於 (23) 原色中 其發光 第三十 入有在 對中行 短了引 此使得 強度。 氣體中 實現第 種等離 真空空 的行電 具有第 其間開 的紅（R )、綠（G )或 。由此響應於圖像信號在 一特徵，由於用行電極對 相關的相對部分之間形成 電極的相對部分之間引起 起持續放電時穿過介電層 電線力的電場強度增大得 為此，即使為增彊持續放 氤氣的含量，也可以在低 二個 子顯 間由 極中 始放 介電層的一部分中， 對部 二個 之外，一種等離子顯 島狀 放電的行電極相 為了實現第 三特徵，凹槽以 對於具有第三十 間引起持續放電的行 目的， 示板具 一凹槽 各部分 二特徵 電的行 並且凹 分之間 目的， 示板具 形成於 三特徵 電極各 除了具有 有第三十 構成，該 之間的介 的等離子 電極對中 槽中的真 第三 二特 凹槽 電層 顯示 行電 空空 藍（B )色螢光 板表面上形成圖 的行電極相對部 的真空空間，以 持續放電的設計 内部的電線力的 顯著強於已有技 電的發光效率而 驅動電壓下產生 十一特徵的結構 徵，按該第三十 形成於位於其間 一部分中。 板來說，凹槽形 極各部分之間的 間介於引起持續 除了具有第三十二特徵的結構 有第三十三特徵，按該第三十 每一個第一放電區域中。 顯示板來說，介於其 的凹槽以圓形或四邊 的等離子 部分之間

第28頁 569266 五、發明說明（24) 形島狀獨立形成於每一個第一放電區域中。 為了實現第二個目的，除了具有第三十二特徵的結構 之外，一種等離子顯示板具有第三十四特徵，按該第三十 四特徵，以沿行方向延伸的帶形形成凹槽，並且凹槽沿行 方向在相鄰的第一放電區域之間是連續的。 對於具有第三十四特徵的等離子顯示板來說，介於其 間引起持續放電的行電極對中行電極各部分之間的凹槽具 有沿行方向延伸的帶形，並且以跨越行電極中相鄰第一放 電區域的方式形成。 為了實現第二個目的，除了具有第三十一特徵的結構 φ 之外，一種等離子顯示板具有第三十五特徵，按該第三十 五特徵，構成每一個行電極.對以在其間開始放電的行電極 各部分以面對面的方式相對。 在具有第三十五特徵的等離子顯示板中，例如，使其 間引起持績放電的行電極對中母'^個行電極的各部分’沿 前基片或與前基片平行延伸的行電極一部分相關的後基片 的方向的任一方向彎折，使得這各部分成形，由此使行電 極的各部分以面對面的方式相對。 採用這種設計，當與相互首尾連接的行電極各部分之 間產生一持績放電的傳統情況相比’持績放電的電線力穿 過一縮短的放電間隔，由此增大了其電場強度。為此，甚 至在採用具有高氙氣含量的放電氣體時，也可能進一步降 低引起持續放電所需的驅動電壓。 為了實現第二個目的，除了具有第三十一特徵的結構

第29頁 569266 五、發明說明（25) 之外，一種等離子顯示板具有第三十六特徵，按該第三十 六特徵，構成每一個行電極對的每一個行電極包括沿行方 向延伸的電極本體和透明電極’母’ 個透明電極在母一個 單位發光區域中沿列方向從電極本體上伸出，以面對構成 行電極對的另一個行電極，二者之間有一放電間隙；按該 第三十六特徵，至少一個行電極的電極本體與第二放電區 域相對，以便在電極本體與每一個第二放電區域中列電極 之間引起放電。

對於具有第三十六特徵的等離子顯示板來說，每一個 行電極包括沿行方向延伸的行電極本體和透明電極，每一 個透明電極在每一個單位發光區域中接至電極本體。與列 電極一起開始放電的電極本體位於第二放電區域對面，以 便在電極本體與母一個苐二放電區域中電極列電極之間產 生尋址放電。

為了實現第二個目的，除了具有第三十一特徵之外， 一種等離子顯示板具有第三十七特徵，按該第三十七特徵 ，構成每一個行電極對的每一個行電極包括沿行方向延伸 的電極本體和透明電極’母* —個透明電極在母.個早位發 光區域中沿列方向從電極本體上伸出，以面對另一個行電 極，二者之間有一放電間隙，並且每一個透明電極有一沿 行電極對中另一個行電極的透明電極相反的方向從電極本 體上伸出的延伸部分；按第三十七特徵，至少一個行電極 的透明電極延伸部分在第二放電區域對面，以在該透明電 極延伸部分與每一個第二放電區域中列電極之間引起放

第30頁 569266 五、發明說明（26) 電。 對於具有第三十七特徵的等離子顯示板來說，為每一 個接至沿每一個單位發光區域中行方向延伸的電極本體， 並且與電極本體一起形成一行電極的透明電極設置的延伸 部分。該延伸部分從透明電極與電極本體的連接點處沿行 電極對的另一個行電極柜反的方向延伸，以位於第二放電 區域的對面。以這種方式，在這樣一個延伸部分與第二放 電區域中的列電極之間產生放電。 對於本領域的普通技術人員來說，根據下面的描述、 附圖和所附的權利要求書，本發明的這些和其他目的和優 點將變得很明顯。 .為了使貴審查員能更進一步了解本發明之特徵及技術 内容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，然而所 附圖示僅供參考與說明、並非用來對本發明加以限制者· 【發明内容詳細說明】 以下將參照附圖詳細描述根據本發明的最佳實施例。 圖1至圖3是根據本發明的等離子顯示板的第一實施例（ 下文稱為"P D Ρ π )的示意圖。圖1是第一實施例中單元 結構部分的正視圖。圖2是沿圖1中線V 1 — V 1所取的 剖視圖。圖3是第一實施例的透視圖。 圖1至3中所示的PDP包括用作顯示面的前玻璃基

第31頁 569266 五、發明說明（27) 每一個行電極X包括透明電極X a和黑色總線電極X b ，每一個透明電極X a由以T字形由I T〇或類似物製 成的透明導電膜形成，而黑色總線電極X b由沿前玻璃基 片1 0的行方向延伸的寬金屬膜形成，而且連接至透明電 極X a寬度更小的底端。

同樣地，每一個行電極Y包括透明電極Y a和一黑色 總線電極Y b ，每一個透明電極Y a由以T字形由I T〇 或類似物製成的透明導電膜形成，而黑色總線電極Y b由 沿前玻璃基片1 0的行方向延伸的寬金屬膜形成，並且連 接至透明電極Y a寬度更小的底端。 行電極X和Y沿前玻璃基片1 0的列方向（圖1中的 垂直方向和圖2中的左右方向）交替排列。透明電極Xa 和Y a沿相對應的總線電極X b和Y b按常規間隔排列， 並且成對的透明電極X a和Y a沿另一個行電極對的方向 以這樣一種方式延伸，即，各成對透明電極X a和Y a寬 度較大的前端彼此相對，其間設有所需寬度的放電間隙g 。每一個行電極對（X ，Y )形成沿行方向延伸的顯示行 L。

在前玻璃基片1 0的背面，形成一介電層1 1以覆蓋 行電極對（X ，Y)。在介電層1 1的背面，一附加介電 層1 2從介電層1 1的背面向後（在圖2中向下）伸出， 位於一預定區域的對面，如下文該，該預定區域包括相鄰 各行電極對（X，Y )的彼此相鄰的總線電極X b和Y b ，並且該附加介電層1 2與總線電極X b 、Y b平行延伸

第32頁 569266 五、發明說明（28) 。該附加介電層1 2還用作包括黑色或深色顏料的光吸收 層。介電層1 1和附加介電層1 2的背面覆蓋有Mg〇製 成的保護層（圖中未晝）。 前玻璃基片1 0與後玻璃基片1 3平行設置，後玻璃 基片1 3有一面對顯示面的表面，在該表面上有以一預定 間隔相互平行棑列的多個列電極D ，並且每一個列電極D 沿與每一個行電極對（X，Y )中成對透明電極X a和Y a彼此相對的位置上（列方向上）的總線電極X b 、Y b 成直角的方向延伸。

在顯示面一側的後玻璃基片1 3的表面上，一白色列 電極保護層（介電層）1 4覆蓋列電極D ，並且在列電極 保護層1 4上形成如下該形狀的間壁1 5 。

若從前玻璃基片1 0看去，間壁1 5由以下部分構成 :第一橫向壁1 5 A ，每一個第一橫向壁1 5 A沿與其成 對的行電極Y的總線電極Y b所面對的一側上每一個行電 極X的總線電極X b的邊緣按行方向延伸；每一個第二橫 向壁1 5 B和與之成對的行電極X的總線電極X b所面對 的一側上每一個行電極Y的總線電極Y b的邊緣平行延伸 ，並且距第一橫向壁1 5 A有一預定間隔；每一個垂直壁 1 5 C ，沿相鄰透明電極X a和相鄰透明電極Y a之間一 位置上的列方向延伸，這些透明電極X a和Y a沿行電極 X ，Y中相對應總線電極X b 、Y b以常規間隔排列。 第一橫向壁1 5A和垂直壁1 5 C每一個設計成高度 等於覆蓋附加介電層1 2背面的保護層與覆蓋列電極D的

第33頁 569266 五、發明說明（29) 列電極保護層1 4之間的距離。第二橫向壁1 5 B設計成 高度稍微小於第一橫向壁1 5A和垂直壁1 5 C的高度。 也就是說，第一橫向壁1 5A的正面（圖2中的上表面） 以及第一橫向壁1 5A與第二橫向壁1 5 B之間垂直壁1 5 C的正面接觸覆蓋附加介電層1 2的保護層背面，而第 二橫向壁1 5 B不接觸覆蓋附加介電層1 2的保護層背面 ，並且在橫向壁1 5 B與覆蓋附加介電層1 2的保護層之 間形成一間隙r 。 間壁1 5的第一和第二橫向壁1 5 A和1 5 B以及垂 直壁15 C把前玻璃基片10與後玻璃基片13之間的放 · 電空間分隔為多個區域，每一個區域位於相互成對的並且 相互面對的透明電極X a和Y a的對面，由此限定顯示放 電單元C1 。另外，垂直壁15C隔開第一橫向壁15A 與第二橫向壁1 5 B之間形成的空間，並且在相鄰行電極 對（X ，Y )的背對背總線電極X b和Y b的對面，由此 限定在列方向上與顯示放電單元C 1交替排列的尋址放電 單元C 2。 其間在列方向上有與第二橫向壁1 5 B的相鄰的顯示 放電單元C 1與尋址放電單元C 2之間通過間隙r相連， 間隙r形成於第二橫向壁1 5 B正面與覆蓋附加介電層1 _ 2的保護層之間。 螢光層1 6覆蓋每一個顯示放電單元C 1的所有五個 面，這五個面由列電極介電層1 4的一個面、間壁1 5第 一和第二橫向壁1 5A和1 5 B以及垂直壁1 5 C的四個

第34頁 569266 五、發明說明（30) 側面組成。三原色紅、綠和藍施加到螢光層1 6中，每一 個螢光層1 6設置在顯示放電單元C 1中，並且在行方向 上依照紅色（R )、綠色（G )和藍色（B )的順序排 列。 在每一個尋址放電單元C 2對面的後玻璃基片1 3的 一面上，凸肋1 7從顯示面一側上的基片1 3表面上伸出 ，伸入尋址放電單元C 2中，該凸肋1 7的高度低於第二 橫向壁1 5 B的高度，並且在行方向上按帶形延伸。

這樣，每一個尋址放電單元C 2對面的列電極D的一 部分與覆蓋列電極D的該部分的列電極保護層1 4通過凸 肋1 7從後玻璃基片1 3上抬高，以伸入每一個尋址放電 單元C 2中，由此尋址放電單元C2對面的列電極D的該 部分與總線電極X b和Y b之間的空間間隔s 2小於顯示 放電單元C 1對面的列電極D的一部分與透明電極X a ， Y a之間的空間間隔s 1 。 凸肋1 7可以由與列電極保護層1 4相同的介電材料 形成。另一方面，凸肋1 7可以通過借助喷砂或濕刻在後 玻璃基片13正面上形成凹凸來構成。

每一個顯示放電單元C 1和每一個尋址放電單元C 2 中填充有放電氣體。 這樣一種P D P通過以下過程產生圖像。 首先，在每一個顯示放電單元C 1中，在復位周期内 引起復位放電，以在介電層1 1的表面上形成壁電荷。 在復位周期之後的尋址周’期内，將一掃描脈衝施加到

第35頁 569266 五、發明說明（31) 行電極Y上，並且將數據脈衝施加到列電極D上。 於是，在電極Y與D之間施加有掃描脈衝的行電極Y 和施加有數據脈衝的列電極D交叉點處開始尋址放電。在 這點上，尋址放電主要產生於凸肋1 7伸入尋址放電單元 C 2中的列電極D的一部分與行電極Y的總線電極Y b之 間，因為尋址放電單元C 2中彼此相對的行電極Y的總線 電極Y b與列電極D之間的空間間隔s 2小於顯示放電單 元C 1中彼此相對的行電極Y的透明電極Y a與列電極D 之間的空間間隔s 1 。

尋址放電單元C 2中的尋址放電產生的帶電.顆粒穿過 第二橫向壁1 5 B與附加介電層1 2之間形成的間隙r ， 流入與尋址放電單元C 2鄰接的顯示放電單元C 1中，從 而消除面對顯示放電單元C 1的介電層1 1上形成的壁電 荷，放電單元C 1和C 2之間有第二橫向壁1 5 B 。這樣 ，發光單元（在介電層1 1上形成壁電荷的顯示放電單元 C 1 )和未發光單元（在介電層1 1上不形成壁電荷的顯 示放電單元C 1 )根據所要顯示的圖像分布在板表面上的 所有顯示行L中。

在完成尋址周期之後的持續發光周期中，同時將一放 電持續脈衝交替施加到每一個顯示行L中的每一個行電極 對（X，Y )上。每一次施加該放電持續脈衝，就在每一 個發光單元中的相對透明電極X a與Y a之間開始持續放 電，由此產生紫外線。所產生的紫外線激發面對顯示放電 單元C1的每一個紅（R)、綠（G)和藍（B厂螢光層

第36頁 569266 五、發明說明（32) 16。 對於以上的P D P來說，在各個放電單元中，分別獨 立產生尋址放電和持續放電，尋址放電用來根據所要顯示 的圖像將發光單元與未發光單元分布到板表面上，持續放 電用來使得螢光層1 6發出彩色光。該設計可以同時成功 地完成兩個目的：降低尋址放電的起始電壓，這是因為凸 肋1 7在尋址放電單元C 2中的列電極D與行電極Y的總 線電極Y b之間提供一個較小的空間間隔s 2 ;提高發光

效率，因為將顯示放電單元C 1中的放電空間設計得更大 (即，在透明電極X a ，Y a與列電極D之間有一更大的 空間間隔s 1 )。 另夕卜，在該PDP中，在沒有螢光層的尋址放電單元 C2中產生尋址放電，以便提供一穩定的尋址放電，而不 像其中在插有一螢光層的兩電極之間引起尋址放電的傳統 P D P那樣受以下情況的影響：隨形成螢光層和具有各種 顏色的螢光材料而變化的放電性能、螢光層的厚度變化等 〇

當確定尋址放電單元C 2中列電極D與總線電極Y b 之間的空間間隔s 2時，最好參見圖4中所示的P a s c h e η圖形中的一範圍，在該範圍中，由表示尋址放電起 始電壓的線ν 1所指的尋址放電起始電壓很低，並且表現 出正向特性（隨放電空間中壓力的增大而增大放電電壓值 的特性），該範圍即為線ν 1最低點周圍和最低點右側的 區域（圖4中π Ε π所指的區域）。

第37頁 569266 五、發明說明（33) 按此方式，當確定空間間隔S 2以使尋址放電起始電 壓落入線v 1的區域E中時，可以降低PDP中尋址放電 的起始電壓。另外，由於區域E中壓力引起的放電電壓小 變化允許凸肋1 7的高度變化（即空間間隔s 2變化）， 使其對尋址放電電壓的影響最小。 應當指出的是，在第一實施例中，將空間間隔s 2確 定為7 0微米。 在以上的PDP中，一個尋址放電單元C 2中尋址放 電所產生的帶電顆粒穿過附加介電層1 2與第二橫向壁1 5 B之間形成的間隙r ’流入顯示放電早元C 1 ’在顯示 放電單元C 1中，透明電極Y a從包含在開始尋址放電中 的總線電極Y b上延伸。在此點上，附加介電層1 2接觸 第一橫向壁1 5A和垂直壁1 5 C ，以使有關的尋址放電 單元C 2與其在相反的列方向上相鄰但不連接的顯示放電 單元C 1之間形成阻隔，並且使有關的尋址放電單元C 2 與其在行方向的兩側上相鄰的尋址放電單元C 2之間形成 阻隔。這樣，防止了帶電顆粒流入這樣一個未連接的顯示 放電單元C 1和與有關尋址放電單元C 2相鄰的尋址放電 單元C 2中。 通過附加介電層1 2 ，也防止了顯示放電單元C 1中 持續放電所產生的帶電顆粒流入與其相鄰的未連接的尋址 放電單元C 2中。 另外，用作包括黑色或深色顏料的光吸收層的附加介 電層1 2防止了尋址放電單元C 2中尋址放電所產生的光

569266 五、發明說明（34) 漏向前玻璃基片1 0的顯示表面，並且防止穿過前玻璃基 片1 0的環境光反射到與尋址放電單元C 2相對應的區域 上，由此改善了顯示圖像的對比度。 為了使一顯示放電單元C 1與相對應的尋址放電單元 C 2之間連通，在前述内容中，通過將第二橫向壁1 5 B 的高度確定為低於第一橫向壁1 5 A的高度，在附加介電 層1 2與第二橫向壁1 5 A中形成間隙r 。另一方面，可 以在與第一橫向壁1 5A高度相同的第二橫向壁1 5B的 頂部上形成在一顯示放電單元C 1與相對應尋址放電單元 C 2之間連通的槽。作為另一個變換，可以在與第二橫向 壁接觸的附加介電層1 2上形成顯示放電單元C 1與相對 應尋址放電單元C 2之間連通的槽，第二橫向壁1 5 B的 高度與第一橫向壁1 5A的高度相同。作為又一個變換， 可以從一附加介電層開始交替放置與第一橫向壁1 5A高 度相同的第二橫向壁1 5 B ，以形成在顯示放電單元C 1 與相對應的尋址放電單元C 2之間的連通間隙。 圖5和6是根據本發明的P D P第二實施例的示意圖 。圖5是第二實施例中P D P單元結構部分的正視圖。圖 6是沿圖5中V 2 — V 2線的剖視圖。 在第二實施例的P D P中，將一行電極X 1的總線電 極X 1 b置於第一橫向壁1 5 A對面的位置。接至總線電 極X 1 b的透明電極X 1 a底端X 1 a ’延伸到位於凸肋 1 7上的列電極D部分對面的位置，尋址放電單元C 2設 置於其中。

第39頁 569266 五、發明說明（35) 同樣地，將行電極Y 1的總線電極Y 1 b置於第二橫 向壁1 5 B對面的位置。接至總線電極Y 1 b的透明電極 Y 1 a的底端Y 1 a ’延伸到位於凸肋1 7上的列電極D 部分對面的位置，尋址放電單元C 2設置於其中。 第二實施例中其他部件的結構與第一實施例中P D P 的部件結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字。 第一實施例描述了尋址放電單元C 2中總線電極Y b 與凸肋1 7上列電極D之間產生的尋址放電，而第二實施 例描述了這樣一個P D P ，其中在凸肋1 7上的列電極D 與從總線電極延伸到尋址放電單元C 2對面位置的透明電 極Y a底端Y la’ 之間引起尋址放電。 圖7是按本發明第三實施例的P D P剖視圖，是在與 圖2中相同的位置處取的剖視圖。 第三實施例中的P D P具有與第一實施例中P D P相 類似的.結構’其中各行電極X , \的母一個總線電極X b ，Y b位於尋址放電單元C 2對面，並且有一黑色。在背 對背置放在相鄰顯示行L中，且在同一個尋址放電單元C 2對面的總線電極X b與Y b之間，黑色或深色光吸收層 2〇在行方向上延伸。總線電極X b和Y b的光吸收層2 〇和黑色或深色導電層覆蓋面對前玻璃基片10的尋址放 電單元C2的一面。 第三實施例中其他部件的結構與第一實施例中P D P 的部件結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。

對於根據第三實施例的P D P來說，尋址放電單元C

第40頁 569266 五、發明說明（36) 2中產生的光受到光吸收層2 0和總線電極X b和Y b之 黑色或深色導電層阻擋，並且被防止漏向前玻璃基片1 0 的顯示面。而且，防止穿過前玻璃基片1 0的環境光反射 到與尋址放電單元C 2相對應的區域上。因此，改善了顯 示圖像中的對比度。 圖8和圖9是示出根據本發明的P D P第四實施例的 示意圖。圖8是第四實施例中P D P的剖視圖，是沿與圖 2中相同的位置所取的剖視圖。圖9是第四實施例的透視 圖 類 P D P 中 ΪΠΊ 施 實- 第 與 有 具 P D P 的 中 例 施 實 四 第 A的 5 面 1對 壁極 向電 橫列 一在 第處 、不 4 C T—H LO 層 γ—Η 護壁 保直 極垂 電和 列Β 在5 是1 但壁 ’ 向 構橫 結二 的第 似、 粒 " 動 啟 電 放 置 設 2 C 元 單 電 放 址 尋 個- 每 。 在ο ， 3 上層 分生 部產 區波 外長 紫更 的或 性長 特波 暉定 餘預 有到 具受 由料 ο材 3該 層如 生例 產， 粒中 顆其 動， 啟成 電形 放料 該材 光 發 發， 激間 線時 外長 紫更 的或 長秒 备一) il 以 如 秒 毫 ο 有時 好長 最更 ，或 • 間 ο時 達長 長更 間或 時度 的長 線期 外周 紫址 射尋 。 發達} 續長間 毫例 LT 3 的 層 3 生小 產更 粒或 顆V ^ 6 啟2 電 · 放4 的如 成例 形C 料數 材函 光功 發低 區較 外有 紫具 由括 種包 這以 可 〇 ( 氧 Ύ/ 高 金 ( 鹼 料 ： 材 括 的 包 數 例 係 實 射 料 發 材 子 的 電 性 次 特 二 緣 的 絕 高 和 更 數 有。函 具}功 ，料小 即材有 ，}具 料馬 材伽

τΐτ —3/ i ί 11 I

第41頁 569266 五、發明說明（37) 化物（例如C s 2〇：功函數2 · 3 e V );鹼土金屬氧 化物（例如C a〇、S r〇、B a〇）；氟化物（例如C a F 2 、M g F 2 ):在晶體中產生晶格缺陷、雜質或類 似物以為二次電子發射的係數增大放電而產生不完善能級 的材料（例如，具有從1 : 1改變的M g :〇配比以產生 晶體缺陷的M g〇X ) ; T i〇2 ; Y 2〇3 ;等等。 另一種紫外區發光材料具有餘暉特性，其中，當這些 材料受到通過放電從放電氣體中包括的氣氣中發出的1 4 7納米波長的真空紫外光激發時，連續發射0 · 1毫秒或 更長時間的紫外線，最好是發射1 · 0毫秒或更長時間（ 即尋址周期的時長或更長時間）的紫外線。這種紫外區發 光材料的實例包括B a S i 2〇5 : P b 2 + (所發的光 波長：3 5 0納米），S r B 4〇7 F : E u 2 + (所發 的光波長：360 納米），（Ba，Mg，Zn)3Si 2 0 7* :Pb2+(所發的光波長：295納米），YF 3:Gd，Pr，等等。 第四實施例中其他部件的結構與第一實施例中P D P 的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。 在第四實施例的P D P中，通過同時復位周期的復位 放電，從放電氣體中包括的氙氣中發出1 4 7納米波長的 真空紫外光，其中在所有的顯示放電單元C 1中形成（或 消去）壁電荷，然後，激發設置在每一個尋址放電單元C 2中的放電啟動顆粒產生層3〇，以使其發出紫外光。該 紫外光激發覆蓋附加介電層1 2的保護層（M g〇層），

第42頁 569266 五、發明說明（38) 及激發高τ材料的放電啟動顆粒產生層3 0 (如果包括此 部分），以使它們發射放電啟動顆粒。 放電啟動顆粒產生層3 0連續發射紫外光長達至少 〇· 1毫秒或更長時間，因為有形成該層的紫外區發光材 料的餘暉特性。這樣，在同時復位周期之後的尋址周期期 間，可以確保在每一個尋址放電單元C 2内有足夠量的放 電啟動顆粒來引起尋址放電。因此，在完成復位放電之後 ，由於誤放電或放電時間滯後，而導致放電啟動顆粒量隨 時間而減少的情形，可以被防止。

圖1 〇和圖1 1是根據本發明的p D P第五實施例的 示意圖。圖1 0是沿與圖2相同位置所取的第五實施例中 P D P的剖視圖。圖1 1是第五實施例中的透視圖。 第五實施例中的P D P不同於第一至第四實施例中的 P D P之處在於，其並不設置凸肋以使在每一個尋址放電 單元中的列電極能更靠近總線電極。因此，即使在對應於 尋址放電單元C 2 ’的區域中，列電極D 1亦被製成直線 形。

在尋址放電單元C2’中，設置具有50或更高（5 〇至2 5 0 )的相對介電常數的南ε材料形成的介電層4 〇，以便縮小每一個尋址放電單元C 2 ’中的放電空間（ 總線電極Y b與介電層4 0之間的空間間隔）。 高ε材料的介電層4 0實例是S r T i〇3 。 第五實施例中其他部件的結構與第一實施例中P D P 的結構幾乎相同，所以採用相同的參考數字指示。

第43頁 569266 五、發明說明（39) 在第五實施例中的PDP中，在尋址放電單元C 2’ 中的電極D 1和Y b之間產生尋址放電，二電極之間插有 形成介電層4 0的南£材料’該南ε材料具有5 0或更南 的相對介電常數（ε )。因此，縮短了引起尋址放電的列 電極D 1與總線電極Y b之間的表面放電間隔’導致降低 了尋址放電的起始電壓。 圖1 2至圖1 5是根據本發明第六實施例的示意圖。 圖1 2是第六實施例中P D P的放電單元結構部分的正視 圖。圖1 3是沿圖1 2中V 3 — V 3線所取的剖視圖。圖 1 4是沿圖1 2中W 3 — W 3線所取的剖視圖。圖1 5是 第六實施例的透視圖。 圖1 2至圖1 5中所示的PDP基本結構配置與第一 實施例（圖1至3 )中P D P的結構大致相同，用相同或 相似的參考數字指示與第一實施例中P D P的那些相同或 相似的部件。 在第六實施例中的PDP尋址放電單元C 2中，一對 垂直肋5 0在列電極D兩側上的第一橫向壁1 5 A與第二 橫向壁1 5 B之間沿列方向延伸。這對垂直肋5 0還將尋 址放電單元C 2内部分成第一尋址放電單元C 2 a和第二 尋址放電單元C 2 b ，第一尋址放電單元C 2 a位於尋址 放電單元C 2的中央部分且在列電極D對面，第二尋址放 電單元C 2 b位於第一尋址放電單元C 2 a兩側。 每一個第一尋址放電單元C 2 a中設置有一介電層5 1 ，該介電層5 1由具有一高相對介電常數（例如ε = 5

第44頁 569266 五、發明說明（40) 0至250)的材料形成，如SrTi〇3 (下文稱為" 高ε材料π )。介電層5 1縮小了每一個第一尋址放電單 元C 2 a中的放電空間（總線電極Y b與介電層5 1之間 的空間間隔）。 在位於第一尋址放電單元C 2 a兩側的每一個第二尋 址放電單元C 2 b内部沒有形成任何東西，即，第二尋址 放電單元C2b是中空的。 每一個顯示放電單元C 1和尋址放電單元C 2中填充 有放電氣體。 在P D P上生成圖像如下。 首先，通過在復位周期中的復位放電，在每一個顯示 放電單元C1中的介電層1 1的表面上形成壁電荷。 在復位周期之後的尋址周期内，將掃描脈衝施加到行 電極Y上，併將數據脈衝施加到列電極D上。 在這一點上，由於在尋址放電單元C 2的第一尋址放 電單元C 2 a中有形成介電層5 1的高ε材料，所以列電 極D與總線電極Y b之間的虛擬放電間隔s 3小於列電極 D與透明電極Y a之間的間隔s 4 ，列電極D與透明電極 Y a相對，且其間有顯示放電單元C 1 。因此，在列電極 D與總線電極Y b之間引起尋址放電，列電極D與總線電 極Y b相對，且其間有第一尋址放電單元C 2 a 。 通過第一尋址放電單元C 2 a中尋址放電產生的帶電 顆粒穿過第二橫向壁1 5 B與第一附加介電層1 2A之間 的間隙r ，然後流入與其間的第二橫向壁1 5 B有關的單

第45頁 569266 五、發明說明（41) 元C 2 a鄰接的顯示放電單元C 1中，從而消除面對放電 單元C 1的介電層1 1部分上形成的壁電荷。這樣，發光 單元（其中在介電層1 1上形成壁電荷的顯示放電單元C 1 )和未發光單元（其中在介電層1 1上沒有形成壁電荷 的顯不放電早7L C 1 )根據所要顯不的圖像分布在板表面 之上。 在此點上，通過一個尋址放電單元C 2上的尋址放電 產生的帶電顆粒不流入與其間的第一橫向壁1 5 A有關的 單元C 2相鄰但不連接的顯示放電單元C 1中，因為設置 有第二附加介電層1 2 B ，以便將有關的單元C 2與不連 接的單元C 1阻隔開。 在完成尋址周期之後的持續發光周期中，同時將放電 持續脈衝交替施加到每一個顯示行L中的行電極對（X， Y )上。每一次施加該放電持續脈衝，就在每一個發光單 元中相對透明電極X a與Y a之間開始持續放電，由此產 生紫外線。所產生的紫外線激發面對顯示放電單元C 1的 紅（R )、綠（G )和藍（B )螢光層1 6 ，從而形成顯 示圖像。 對於以上的PDP來說，在獨立於顯示放電單元C 1 的尋址放電單元C 2中產生尋址放電，而在顯示放電單元 C 1中產生持續放電。電極Yb與D之間隨著在第一尋址 放電單元C 2 a中有形成介電層5 1的高ε材料插入而產 生尋址放電，因此縮短了列電極D與總線電極Y b之間的 表面放電間隔，從而與已有技術相比，顯著降低了尋址放

第46頁 569266 五、發明說明（42) 電的起始電壓。 另夕卜，在該PDP中，通過垂直肋5 0將尋址放電單 元C 2分成第一尋址放電單元C 2 a和第二尋址放電單元 C2b ，介電層5 1只形成於位於尋址放電單元C2中央 部分中列電極D對面的第一尋址放電單元C 2 a中，其中 ，不形成尋址放電開始不需要的介電層。這種設計不允許 P D P在相鄰列電極D之間有不利的極間電容，由此防止 的 r—Η C 元 單 電放 示 顯於 立 獨在 中 Ρ 。D 耗Ρ 功該 電在 的， 要外 必另 不 了 C 1—i 元C 單元 電單 放電 示放 顯示 在顯 而在 ，助 電借 放以 址可 尋’ 生此 產為 中 。 2電 C放 元續 單持 電生 放產 址中 尋 1—"_ 電影 列不 與併 a這 Y ， ， 率 a效 X光 極發 電古冋 明提 透來 (4 間 S 空隔 電間 放的 的長 大較 較一 一 間 定之 限D 中極 圖 視。 剖圖 的視 JMJ IMJ· 施的 實取 七所 第置 的位 P 的 D同 。 P 相 壓 一 4 電明1 始發圖 起本例 電據施 放根實 的是六 電6第 放^—^與 址圖沿 尋 是 響 ’ 電實 放六 址第 尋在 二， 第2 個 5 一 層 每生 在產 ，粒 中顆 P 動 D啟 P 電 的放 中一 例置 施設 實中 七b 第2 在C 元 單 區長 外波 紫長 。 的更 的性或 空特長 中暉波 為餘定 計有預 設具有 b由具 2 2 用 C 5 ， 元層如 單生例 電產， 放粒中 址顆其 尋動， 二啟成 第電製 將放料 中該材 例 光 施 發 秒例 毫C 1-間 •時 ο 長 達更 長或 線長 外時 紫的 射期 發周 續址。 連尋} 以達間 ，長時 料是長 材好更 該最或 發，秒 激間毫 線時ο 外長· 紫更 ^_ 的或如

第47頁 569266 五 括 包 以， 可料 2材 5 的 生小 產更 粒或 顆V 動e 啟2 電 · 放4 的如 成例 製C 料數 材函 光功 }發低 (43區較 明外有 懷紫具 明 發 。 物物 }化化 料氧氧 材屬屬 T金金 高驗土 C :鹼 料括； 15^1 包 的例V 數實 e 係料3 射材· 發的2 子性數 電特函 次緣功 二絕： 的和〇 高數2 更函 S 有功C 具小如 ，有例 即具{ 例 2 為 F物的 a似級 C類能 如或善 例質完 {雜不 物、有 化陷生 氟缺產 ; 格電 }晶放 〇生而 a產大 B中增 、體數 〇晶係 射 S ; 發 、)子 ο 2電 a F 次 c bo 二 如Μ使 晶 生 產。 以等 比等 配； 〇 3 :〇 g 2 Μ γ 的·’ 變2 改〇 ΊΧ .1 • ‘Τ ΊΧ ·， 從} 有 X 具〇 ， b〇 如Μ {?-的 C陷 料缺 材體 材7 些4 這1 當的 中出 其發 ’ 中 性氣 特氙 暉的 餘括 有包 具中 料體 材氣 光電 發放 區從 外電 紫放 種過 一通 另到 受 料 長址料 更尋材 或即光 秒{發 毫間區 1時外 • 長紫 ο更種 射或這 發秒。 續毫線 連ο外 ， · 紫 時1的 發射 激發間 光好時 外最長 紫，更 空線或 真外長 長紫時 波的的 米間期 納時周 :波 長光 波的 光發 的 所 發C 所+ (2 +U 2 E b : p F :7 5 〇 〇 4 2 B .1 Γ s S 3 ， B \)/ 括米 包納 例ο 實 5 的3 〇 3 2 F .'—- VI 5 ， 3 ) 米 η納 Ζ 5 ， CTD g 2 Μ : ’ 長 a波 B光 C的 ，發 \)y 所 米C 納 -Ίο 〇〇 6 b 3 p 長 7 p D p 中。 例示 施指 實字 六數 第考 與參 構的 結同 S 才 件用 部採 他此 。其因 等中， 等例同 ，施相 r 實乎 P 七幾 ，第構 d 結 G 的 位的 復長 的波 期米 周納 位7 復4 時 "~· 同出 過發 通中 ， 氣 中氣 P 的 D括 P包 的中 例體 施氣 實電 七放 第從 在， 電 放

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第49頁 569266 五、發明說明（45) 極Yb對面，並且共用於位於列方向上尋址放電單元C 2 ’兩側上的兩顯示放電單元C 1之間。介電層5 1只形 成於面對各行電極Y總線電極Y b的第一尋址放電單元C 2 a中。

在相鄰行電極對（X ，Y )背對背行電極Y的兩總線 電極Y b之間區域對面的一個位置上，第二附加介電層1 2 B ’沿行方向（垂直於圖1 7的方向）在第一附加介電 層12A的背面上延伸。第二附加介電層12 B’有接觸 介電層5 1的背面，並且將第一附加介電層1 2A與介電 層5 1之間的空間一分為二，以形成一對背對背置放的分 隔尋址放電單元C 2 a’ 。 分隔尋址放電單元C 2 a ’中的左邊一個通過間隙r 接至與其相鄰的顯示放電單元C 1 ，這兩個放電單元之間 有第二橫向壁1 5 B ，而該間隙r形成於第一附加介電層 12A與第二橫向壁15B之間。 分隔尋址放電單元C 2 a’中的右邊一個通過一間隙 r’接至一與其相鄰的顯示放電單元Cl ，這兩個放電單 元之間有第二橫向壁1 5 A ，而該間隙r ’形成於第一附 加介電層1 2 A與第一橫向壁1 5A之間。

背對背排列的各行電極X的總線電極X b對面的單元 C 2 ”是中空的。第三附加介電層1 2 C形成於第一附加 介電層1 2A幾乎整個的背面，並且接觸位於單元C 2” 兩側的第一和第二橫向壁1 5A和1 5 B前端面，用以在 單元C 2 ”和與其相鄰的顯示放電單元C 1之間形成阻隔

第50頁 569266 五、發明說明（46) ，第一橫向壁1 5A和第二橫向壁1 5 B位於這兩個單元 之間。 第八實施例中其他部件的結構與第六實施例中P D P 的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。

在第八實施例中的PDP中，在第一尋址放電單元C 2a’中的總線電極Y b與列電極D之間產生尋址放電， 第一尋址放電單元C2 a’被第二附加介電層12B’分 開且位於第一附加介電層1 2 A與介電層5 1之間。通過 尋址放電產生的帶電顆粒穿過第一附加介電層1 2A與第 二橫向壁1 5 B之間的間隙.r ，和第一附加介電層1 2 A 與第一橫向壁1 5 A之間的間隙r ’ ，流入與各分開的尋 址放電單元C 2 a’相鄰之對應的顯示放電單元Cl中。 按此方式，第八實施例中的P D P具有在列方向上背 對背設置的行電極X和背對背設置的行電極Y。對於這種 結構來說，當將放電持續脈衝施加到行電極對（X ’ Y ) 上以開始持續放電時，在行方向上背對背設置的行電極之 間的非顯不區域内沒有形成放電電容’由此避免一反應功 率（reactive power)。

圖1 8是根據本發明P D P的第九實施例的剖視圖， 它是沿與第六實施例圖1 3中位置相同的位置所取的剖視 圖。 替代第六實施例中高e材料製成的介電層5 1 ，第九 實施例中的P D P有由導電性材料如銀或類似物形成的導 電層6 1 ，並且，該導電層6 1設置在尋址放電單元的每

第51頁 569266 五、發明說明（47) 一個尋址放電單元C2a中。 第九實施例中其他部件的結構與第六實施例中P D P 的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。 在第九實施例的PDP中，也在尋址放電單元中產生 尋址放電，尋址放電單元與用於持續放電的顯示放電單元 C 1分開，兩單元之間插入在尋址放電單元的第一尋址放 電單元C 2 a中形成導電層6 1的導電性材料。因此，縮 短了列電極D與總線電極Y b之間的放電間隔，與已有技 術中的電壓相比，顯著降低了尋址放電的起始電壓。

圖1 9是根據本發明P D P的第十·實施例的剖視圖， 它是沿與第六實施例圖1 3中位置相同的位置所取的剖視 圖。 第十實施例中的P D P包括高ε材料形成的，並且， 設置在導電層6 1表面上的介電層6 2 ，它在第一附加介 電層1 2 Α的對面，導電層6 1由導電性材料如銀或類似 物製成，並且，設置在尋址放電單元的每一個尋址放電單 元C 2 a中。 第十實施例中其他部件的結構與第六實施例中P D P 的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。

如第六實施例的情況下那樣，在第十實施例的P D P 中，在與用來持續放電的顯示放電單元C 1分開形成的尋 址放電單元中，在電極Yd與D之間產生尋址放電，兩單 元之間插入形成介電層6 2的高ε材料和形成導電層6 1 的導電性材料。因此，通過導電層6 1縮短了列電極D與

第52頁 569266 五、發明說明（48) 總線電極Y b 縮短了列電極 而與已有技術 電壓。 圖2 0是 ，它是沿與第 圖。 如第八實 中的P D P具 相鄰行電極對 上位置有所變 式使相同類型 如第十實 的導電層6 1

之間的放 D與總線 中的電壓 根據本發 六實施例 施例中P 有這樣一 (X，Y 換，以X 的兩電極 施例中P 電間隔，並且通過介電層6 2大大 電極Y b之間的表面放電間隔，從 相比，顯著降低了尋址放電的起始 明的P D P第十一實施例的剖視圖 圖1 3位置相同的位置所取的剖視 D P的 種結構 )的行 情況下那 ，在這種 電極X和

Y 、Y 背對背 D P的 和局ε材料製成 電單元C 2 ·的每一個第一尋 第十一實 Ρ的結構幾乎 如在第八 例中P D Ρ具 Υ背對背設置 (X，Υ )上 方向上背對背 電容，由此防 D Ρ的情況下 施例中其 相同，因 實施例中 有在列方 的結構。 以開始持 設置的行 止一反應 那樣，在 他部件 此採用 P D Ρ 向上行 當將放 續放電 電極之 功率。 與用於 設置 情況 的介 址放 的結 相同 的情 電極 電持 時， 間的 另外 持續 X、 〇 下那 電層 電單 構與 的參 況下 X背 續脈 該結 非顯 ，如 放電 樣，第十一實施例 結構中，列方向上 Y在每一條顯示行 X - 樣， 6 2 元C 第八 考數 那樣 對背 衝施 構使 7f> 在第 的顯 γ 、… 導電材 設置在 2 a中 實施例 字指不 ，第·十 設置和 加到行 得P D 域内沒 十實施 示放電

…的方 料製成 尋址放 〇 中P D 〇 一實施 行電極 電極對 P在列 有放電 例中P 單元C

第53頁 569266 五、發明說明（49) 2分開的尋址放電單元C 2 ’中，在電極Y b與D之間產 生尋址放電，兩單元之間插入形成介電層6 2的高ε材料 和形成導電層6 1的導電材料。因此，通過導電層6 1縮 短列電極D與總線電極Y b之間的放電間隔9並且通過介 電層6 2又大大縮短了列電極D與總線電極Y b之間的表 面放電間隔，從而與已有技術相比，顯著降低了尋址放電 的起始電壓。 圖2 1是根據本發明P D P的第十二實施例的剖視圖 ，它是沿與第六實施例圖1 3位置相同的位置所取的剖視

圖。 第九實施例的P D P如此構成，即，導電層6 1電連 接到列電極D上，二者之間插入列電極保護層1 4 。在第 十二實施例的P D P中，如圖2 1所示，導電層6 1和列 電極D通過一通孔6 3電連接，該通孔6 3設置在一列電 極保護層1 4 ’中。

第十二實施例中其他部件的結構與第九實施例的P D P中的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。對 於第十二實施例的P D P來說，由於二者之間插有列電極 保護層1 4 ’的導電層6 1與列電極D之間存在電連接， 所以進一步縮短了列電極D與每一個總線電極Y b之間的 放電間隔，從而與已有技術相比，顯著降低了尋址放電的 起始電壓。 圖2 2是根據本發明P D P第十三實施例的剖視圖， 它是沿與第六實施例圖1 3中位置相同的位置所取的剖視

第54頁 569266 五、發明說明（50) 圖。 第十實施例P D P中的導電層6 1電連接到列電極D 上，二者之間插入列電極保護層1 4 。在第十三實施例中 的PDP中，如圖2 2所示，導電層6 1和列電極D通過 通孔6 3進行電連接，該通孔6 3形成於列電極保護層1 4 中。 第十三實施例中其他部件的結構與第十實施例的P D P中的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。 對於第十三實施例的P D P來說，由於二者之間插有 列電極保護層1 4 ’的導電層6 1與列電極D之間存在電 φ 連接，所以進一步縮短了列電極D與每一個總線電極Y b 之間的放電間隔，從而與已有技術相比，顯著降低了尋址 放電的起始電壓。 圖2 3是根據本發明P D P第十四實施例的剖視圖， 它是沿與第六實施例圖1 3中位置相同的位置所取的剖視 圖。 第十一實施例p D P中的導電層6 1電連接到列電極 D上·，二者之間插入列電極保護層1 4 。在第十四實施例 中的PDP中，如圖2 3所示，導電層6 1和列電極D通 過· 一通孔6 3電連接，該通孔6 3形成於一列電極保護層 | 14’ 中。 第十四實施例的P D P還包括背對背設置的行電極X 之間共用的總線電極X b 1和背對背設置的行電極Y之間 共用的總線電極Y b 1 。

第55頁 569266 五、發明說明（51) 第十四實施例中其他部件的結構與第Η —實施例的Ρ D Ρ中的結構幾乎相同，因此採用相同的參考數字指示。 對於第十四實施例的P D Ρ來說，由於二者之間插有列電 極保護層1 4 ’的導電層6 1與列電極D之間存在電連接 ，所以進一步縮短了列電極D與每一個總線電極Y b之間 的放電間隔，從而與已有技術相比，顯著降低了尋址放電 的起始電壓。 在第六到第十四實施例中的每一個實施例中，第一附 加介電層1 2 A用作黑色或深色光吸收層，以防止由每一 個尋址放電單元C 2中尋址放電所產生的光漏向顯示板的 顯示面。或者、不將第一附加介電層1 2 A用作光吸收層 ，而是將每一個總線電極X b ，Y b設計成包括一黑色層 的多層結構，並且還可以在背對背總線電極之間設置一黑 色或深色光吸收層，以防止由每一個尋址放電單元C 2中 尋址放電所產生的光漏向顯示板的顯示面。 圖2 4至圖2 6是根據本發明P D P第十五實施例的 示意圖。圖2 4是第十五實施例中P D P單元結構部分的 正視圖。圖2 5是沿圖2 4中V 4 — V 4線的剖視圖。圖 2 6是示出第十五實施例的透視圖。 圖2 4至圖2 6中P D P的基本結構與第一實施例（ 圖1至3 )中的結構幾乎相同，與第一實施例中的那些部 件相同或相似的各部件用相同的參考數字指代。 第十五實施例中P D P每一個行電極X 2由以下部分 構成·透明電極X 2 a ’每一個透明電極X2 a用I T〇

第56頁 569266 五、發明說明（52) 或類似物製成的由較大寬度前端X a 1和更小寬度底端X a 2組成的T字形透明導電膜形成，並且沿與前玻璃基片 1〇平行的列方向延伸；一黑色總線電極X 2 b ，它由一 金屬膜形成，沿前玻璃基片1 0的行方向延伸，並且連接 至透明電極X 2 a每一個更小寬度的底端。 同樣地，P D P的每一個行電極Y 2由以下部分構成 :透明電極Y 2 a ，它們每一個用I T〇或類似物製成的 由較大寬度前端Yal和更小寬度底端Ya 2組成的丁字 形透明導電膜形成，並且沿與前玻璃基片1 0平行的列方 向延伸；一黑色總線電極Y 2 b ，它由一金屬膜形成，沿 前玻璃基片1 0的行方向延伸，並且連接至透明電極Y 2 a每一個更小寬度的底端。 行電極X 2和Y 2交替排列在前玻璃基片1 0的列方 向（圖24中垂直方向，圖25中的左右方向）上。透明 電極X 2 a和Y 2 a沿相對應的總線電極X 2 b和Y 2 b 按常規間隔設置。透明電極X 2 a沿其配對的透明電極Y 2 a的方向延伸，反之亦然，以使各透明電極X 2 a和Y 2 a的前端Xa 1和Ya 1相互面對且二者之間有規定寬 度的放電間隙g 。 行電極X2 ，Y2的各透明電極X2a和Y2a的前 端Xa 1和Y a 1在前玻璃基片1 〇的方向上相對於與前 玻璃基片1 0平行延伸的各底端Xa 2和Ya 2彎曲，從 而如圖25中所見，從各底端Xa2 、Ya2的背面連續 伸出的前端面幾乎相互平行面對。

第57頁 示 背各 顯 的的 個。ο } 〆 中 1—-1 1—< 每形片Y 於帶基， 成的璃1 形伸玻X 立延前C 獨向在對 以方於極 可行成電 a於形行 1成接使 1形直來 槽者以用 凹或可 a ， ， cd lx 中IX 1 < ρ 1 1槽 D C槽凹 p元凹該 在單該， 電 上 放 面 569266 五、發明說明（53) 在透明電極X2b和Y2b相互面對的前端Xa 1與Ya 1之間位置上的介電層11’中設置一凹槽11 a，該凹 槽1 1 a作為真空空間插在透明電極X2 a和Y2 a的前 端Xal與Yal之間。 如第一實施例P D P中的情況下那樣，第十五實施例 的P D P中產生圖像。其間產生持續放電的行電極X 2 ， Y 2的透明電極X 2 a ，Y 2 a並不按傳統圖案設置，傳 統圖案中，電極的前端相互首尾相連（見圖3 5)。透明 電極X2a ，Y2a的前端Xal ，Yal相對於底端X a 2 ，Y a 2分別彎曲，幾乎平行地相互面對°在介電層 11’中，凹槽118形成於透明電極又23，丫23相 互面對前端X a 1和Y a 1之間的一個位置。凹槽1 1 a 具有一真空空間的功能，用以在發生持續放電時，縮短穿 過介電層1 1 ’内部的電線力的間隔，由此與已有技術相 比，增大了電線力的電場強度。 因此，即使在為提南發光效率而使放電氣體有南氣氣 含量時，這種P D P也能夠在低驅動電壓下啟動持續放電 透明電極X a和Y a相互面對’並且在透明電極X 2 a和 Y 2 a之間提供真空空間。

569266 五、發明說明（54) 圖2 7和圖2 8是根據本發明P D P第十六實施例的 示意圖。圖2 7是第十六實施例中P D P單元結構的部分 正視圖。圖2 8是沿圖2 7中V 5 — V 5線的剖視圖。 第十六實施例中的P D P如此構成，即，行電極X 3 的總線電極X 3 b位於第一橫向壁1 5 A的對面，而透明 電極X 3 a的底端X 3 a ’連接至總線電極X 3 b ，並且 延伸到置於凸肋1 7上的列電極D對面的一個位置，其間 有尋址放電單元C 2 。 同樣地，行電極Y 3的總線電極Y 3 b位於第二橫向 壁15B的對面，而透明電極Y3a的底端Y3a’連接 至總線電極Y 3 b ，並且延伸到置於凸肋1 7上的列電極 D對面的一個位置，其間有尋址放電單元C 2 。 第十六實施例中其他部件的結構與第十五實施例中P D P的結構幾乎相同’其採用相同的參考數字指不。

第十五實施例中的P D P構成為使每一個尋址放電單 元C 2中，在置於凸肋1 7上的總線電極Y 2 b與列電極 D之間產生尋址放電；而第十六實施例中的P D P構成為 使得在置於凸肋1 7上的列電極D與從總線電極Y 3 b延 伸到尋址放電單元C 2對面位置的透明電極Y 3 a的底端 Y 3 a’之間產生尋址放電。 該P D P的其他操作和優點與第十五實施例中P D P 的相同。 圖2 9是根據本發明第十七實施例的P D P剖視圖， 它是沿與圖2 5中位置相同的位置所取的剖視圖。

第59頁 569266 五、發明說明（55) 在第十七實施例中的P D P中，如第十五實施例中的 情況下那樣，置於尋址放電單元C 2對面一個位置上的各 行電極X 2 ，Y 2的總線電極X 2 b ’ ，Y 2 b ’每一個 都有黑色導電層。黑色或深色光吸收層7 0分別沿背對背 總線電極X 2 b ’與Y 2 b ’之間的行方向延伸，背對背 設置的總線電極位於相鄰的顯示行内，且面對相同的尋址 放電單元C 2 。面向前玻璃基片1 0的尋址放電單元C 2 的表面上有覆蓋有光吸收層7 0和總線電極X 2 b ’和Y 2b’的黑色或深色導電層。 第十七實施例中其他部件的結構與第十五實施例p D P中的結構幾乎相同，並且採用相同的參考數字指示。 對於根據第十七實施例的P D P來說，尋址放電單元 C 2中產生的光受到光吸收層7 0和總線電極X 2 b ’和 Y 2 b ’的黑色或课色導電層阻擋，以防漏向前玻璃基片 1 0的顯示面。另外，防止了穿過前玻璃基片1 0的環境 光反射到與尋址放電單元C 2相對應的區域上，由此提高 了顯示圖像中的對比度。 其他操作和優點與第十五實施例中的相同。 圖3 0和圖3 1是根據本發明P D P的第十八實施例 的示意圖。圖3 0是第十八實施例中P D P的剖視圖，它 是沿與圖2 5中位置相同的位置所取的剖視圖。圖3 1是 第十八實施例的透視圖。 第十八實施例中的P D P具有與第十五實施例中P D P結構相似的結構，但是該實施例在每一個尋址放電單元

第60頁 569266 五、發明說明（56) C 2中，在列電極D同側之列電極保護層1 4 、第一橫向 壁1 5A、第二橫向壁1 5B和垂直壁1 5C的各部分上 發 區 外 紫 的 性 特 ί Βί 餘 。有 ο 具 8 由 層〇 生8 產層 粒生 顆產 動粒 啟顆 電動 放啟 一 電 有放 置 設 長長秒 波更毫 長或 ο 更秒· 或毫^~_ 長 ^—^如 波·例 定〇C 預達間 到長時 受線長 如外更 例紫或 料出期 材發周 該續址 ，連尋 中以達 其，長 ，發是 成激好 形的最 料線， 材外間 光紫時 以 可 〇 8 層 生 產 粒 電 放 .的 成 製 料 材 光 發 。區 } 外 間紫 時種 長這 更 或 料} 材料 的材 \)y T 小古问 更C 或料 V材 e 的 2數 . 係 4 射 如發 例子 (電 數次 函二 功的 低古冋 較更 有有 具具 括， 包即 物物 化化 氣氧 金金 驗土 • ·驗 括； \)y 例V 實 Θ 料3 材· 的2 性數 特函 緣功 絕： 和〇 數2 函 S 功C 小如 有例 具 F 03 似 C 類 如或 例質 C雜 物、 化陷 氟缺 ;格 }晶數 〇生係 a產的 B中射 '體發 〇晶子 r 在電 S ; 次 、二 ο 2使 a F 了 c g為 如Μ以 例 、 ， C 2 物 善 不 有 生 產 而 電 放 大 增 以 比等 配； 〇 3 :〇 g 2 MY 的； 變2 改〇 1—I · 1 • · 丁 τ~Η ·， 從 有X 具ο ， S 如Μ #的 (陷 料缺 材體 的晶 級生 能產 等 Φ 材7 些4 這1 當的 中出 其發 ， 性氣 特氙 暉的 餘括 有包 具中 料體 材氣 光電 發放 區從 ΙΓ 夕 W 紫放 種過 一通 另到 受 料 長址料 更Φ哥材 或即光 秒{發 毫間區 1時外 • 長紫 ο更種 射或這 發秒。 續毫線 連ο外 ， · 時1的 發射 激發間 光好時 外最長 紫，更 空線或 真外長 長紫時 波的的 米間期 納時周

第61頁 569266 明包納 說例 明ί 發實 五的 o • ·波 長光 波的 光發 的所 發C 所+ (2 +U 2 E b : p F :7 5 〇 〇 4 2 B i r s s a， B ) :57括米 η米 Ζ納 ， 5 g 9 M2 a 長 B波 C光 ，的 3發 米所 納C 〇 + 6 2 3 b : P 一三人 · · 7 G 〇: 2 3 .1 F S Υ 採 此 因 同 相 構 結 的 .例 施 實 五 十 第 與 構 。結 等的 等件 ，部 r 他 P其 d 的 期 周 位 復 時 同 一 過 通 中 P D 。P 示的 指例 字施 數實 考八 參十 的第 同在 相 用

波成元 米形單 納中電 7 1放 4 C址 1元尋 出單個 發電 一 中放每 氣示在 氙顯置 的的設 括有發 包所激 中在後 體中然 氣其 ， 電，荷 放光電 從外壁 ， 紫 \)y 電空去 放真消 位的或 復長 C 〇 8 層 生 產 層 電 介 粒加 顆附 動蓋 啟覆顆 電發動 放激啟 的光電 中外放 2 紫及 C該， 的 〇 8 層 生 產 粒 。}括 光層包 外〇層 紫g該 出Μ果 發彳如 其層， 使護料 以保材 ， 的 Τ 2古冋 〇 少 至 達 ο光 粒外 顆紫 動射 啟發 電續 放連 射ο 發8 們層 它生 使產 以粒 ’ 0 話動 的啟 料電 材放 Τ 古冋 間 時。 長性 更特 或暉 秒餘 毫的 1料 因 榡 這 材期 光期 發周 區址 外尋 紫的 的後 ο之 8期 層周 該位 成復 形時 有同 為在 完 在 此 因 〇 電 尋放 個址 一 尋 每起 在引 保來 確粒 以顆 可動 ，啟 間電 2 C 元 單 電 放 址 _ 放後 的之 量電 夠放 足位 有復 内成 或 電 放 誤 \ fj / 減 生 發 去 過 間 時 隨 量 粒 賴 ，酌 〇 啟件 電事 放後 致滯 導間 止時 防電 ，放 例 施 。實 同九 相十 此二第 那P 的D 中 P 例中 施明 實發 五本 十據 第根 與是 點3 優 3 和圖 作和 操2 他3 其圖

第62頁 569266 五、發明說明（58) 的示意圖。圖3 2是第十九實施例中P D P的剖視圖，它 是沿與圖.2 5中位置相同的位置所取的剖視圖。圖3 3是 第十九實施例中的透視圖。 第十九實施例中的P D P與第十五至第十八實施例中 的PDP不同之處在於，為了使列電極在每一個尋址放電 單元中靠近總線電極，不設置凸肋，因此甚至在與尋址放 電單元C 2 ’相對的區域中，也將列電極D 1作成直線形 狀。 在尋址放電單元C2’中，設置具有50或更高（5 〇至250)的相對介電常數的高e材料形成的介電層9 φ 〇，以便縮小每一個尋址放電單元C 2 ’中的放電空間（ 總線電極Y b與介電層9 0之間的空間間隔）。 高ε材料的介電層9〇實例有S r T i〇3等等。 第十九實施例中其他部件的結構與第十五實施例中P D P的結構幾乎相同，所以採用相同的參考數字指示。 在第十九實施例中的PDP中，在尋址放電單元C 2’中的電極D1和Y2b之間產生尋址放電，二電極之 間插有形成介電層9 0的南ε材料’该南ε材料具有5〇 或更高的相對介電常數ε 。因此，縮短了引起尋址放電的 列電極D 1與總線電極Υ 2 b之間的表面放電間隔，導致 φ 尋址放電的起始電壓降低。 其他操作和優點與第十五實施例中的相同。 這裡所用的術語和描述只是為了說明，它們並不限制 本發明。本領域的那些技術人員會了解，在如下面權利要

第63頁 569266 五、發明說明（59) 求書中所限定的本發明實質和範圍内，可以有許多變換。

Mil 第64頁 569266 圖式簡單說明 圖1是根據本發明第一實施例的示意性正視圖。 圖2是沿圖1中線V 1 — V 1所取的剖視圖。 圖3是第一實施例的透視圖。 圖4是用來設定第一實施例中尋址放電間隔的P a s c h e η (培斯陳）特性圖。 圖5是根據本發明第二實施例的示意性正視圖。 圖6是沿圖5中線V 2 — V 2所取的剖視圖。 圖圖 視視 剖剖 性性 意意 示示 白 ΛΡ rnj, fnj, 施施 實實 三四 第第 明明 發發 本本 據 據 艮 艮 Ϊ^Ί 是是 7 8 圖圖 圖 視 剖 性 意 示 的 例 。施 圖實 視五 透第 的明 例發 施本 實據 四根 第是 是ο 9 1 圖圖 圖圖 圖圖圖 圖圖 視視 正剖 性的 意取 示所 的3 〇 例V 圖施 I 視實 3 透六V 的第線 例明中 施發C\3 實本 1 五據圖 第根沿 是是是 r—H CVI CO 1—Η Ίχ Ίχ 圖 視 剖 的 取 所 3W 。 I 圖 3視 W透 線的 中例 2施 1 實 圖六 沿第 是是 4 5 圖圖 視視 Φ 咅 性性 意意 示示 Aw /0W 1HJ- rnj, 合合 施施 實實 七八 第第 明明 發發 本本 據據 根根 是是 6 7 1—I 一—I 圖圖 圖圖 視視 剖剖 性性 意意 示示 A3. AO )ΜΊ ΪΗΜ^ 施施 實實 九十 第第 明明 發發 本本 據« 根根 是是 8 9 1-- IX 圖圖 第第 明明 發發 本本 ¾據 根根 是是 o_ 1~I 2 2 圖圖 圖圖 視視 ΊηΊ IWMJ. 咅咅 性性 意意 示示 Aw An. 例例 施施 實實 第第 明明 發發 本本 據據 根根 是是 2 3 2 2 圖圖 圖圖 視視 剖 剖 性性 意意 示示 的的 rnj. ΤΠΊ 施施 實實 三四

第65頁 569266 圖式簡單說明 圖2 4是根據 圖2 5是沿圖 圖2 6是第十 圖2 7是根據 圖2· 8是沿圖 圖2 9是根據 圖3〇是根據 圖3 1是第十 圖3 2是根據 圖3 3是.第十 圖3 4是一傳 圖3 5是沿圖 圖3 6是沿圖 〔圖式中之參

4 5 5 A 5 B 5 C 本發明 2 4中 五實施 本發明 2 7中 本發明 本發明 八實施 本發明 九實施 統P D 3 4中 3 4中 照號數 前玻 介電 附加 後玻 電極 間壁 第一 第二 垂直 螢光

第十 線V 例的 第十 線V 第十 第十 例中 第十 例中 P結 線V 線W

五實 4 一 透視，、Ά 5 - 七實 八實 的透 九實 的透 構的 -V 一 W 施例的示意性剖視圖 V 4所取的剖視圖。 圖。 施例的示意性正視圖 V 5所取的剖視圖。 施例的示意性剖視圖 施例的示意性剖視圖 視圖。 施例的示意性剖視圖 視圖。 示意性正視圖。 所取的剖視圖。 所取的剖視圖。 璃基片 層 介電層 璃基片 保護層 橫向壁 橫向壁 壁 層

第66頁 569266

圖式簡單說明 17 2 0 3〇 X 、Y

X a 、Y a X b、Y b Clc 2 D 〇

凸肋 光吸收層 放電啟動顆粒產生層 行電極 透明電極 總線電極 顯示放電單元 尋址放電單元 列電極 垂直肋 導電層 介電層 通孑L 7 〇 光 8 〇 放 9 〇 介 吸收層 電啟動顆粒產生層 電層

Claims (1)

1. 569266 六、申請專利範圍 1 · 一種等離子顯示板，包括： 一前基片； 複數個行電極對，沿一列方向排列在該前基片 的一背面上，該些行電極對皆沿一行方向延伸並且 形成一顯示行； 一介電層，覆蓋該前基片背面上的該些行電極 對； 一後基片，置於該前基片的對面，該後基片及 該前基片之間設有一放電空間，和

   複數個列電極，沿該行方向排列在該後基片面 向該前基片的一表面上，該些列電極皆沿列方向延 伸以與該些行電極對交叉，在各交叉點處的放電空 間内形成單位發光區域； 其中該等離子顯示板進一步包括： 複數個間壁，包圍每一個單位發光區域，以限 定該些單位發光區域；

   一分隔壁，用來將每一個該單位發光區域分成 一第一放電區域和一第二放電區域，該第一放電區 域與構成每一個行電極對的各行電極之相對部分相 互面對，並且，用來在相對的行電極之間產生放電 ，該第二放電區域面對與列電極一起開始放電的該 些行電極中之一個行電極的一部分，並且，用來在 列電極與該個行電極的一部分之間產生放電；和 一連通部件，設置在該第一放電區域與該第二

   第68頁 569266 六、申請專利範圍 放電區域之間，用來從該第二放電區域連通到該第 一放電區域。 2 · 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，其中

   ，構成毎一個行電極對的每一個行電極包括沿行方 向延伸的一電極本體和複數個透明電極，而每一個 透明電極在每一個單位發光區域中沿列方向從電極 本體上伸出，以面對構成行電極對的另一個行電極 ，並於其間有一放電間隙，並且其中至少一個行電 極的電極本體與該第二放電區域相對，以在該電極 本體與該苐二放電區域中的列電極之間引起放電。 3 · 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，其中

   ，構成每一個行電極對的每一個行電極包括一沿行 方向延伸的電極本體和複數個透明電極，而每一個 透明電極在每一個單位發光區域中沿列方向從電極 本體上伸出，以面對構成行電極對的另一個行電極 併與之間隔一放電間隙，每一個透明電極有一與行 電極對之另一個行電極的透明電極方向相反的方向 上從該電極本體上伸出的延伸部分，並且其中，至 少一個該行電極透明電極的延伸部分與該第二放電 區域相對，以在該透明電極延伸部分與該第二放電 區域内的列電極之間引起放電。 4 · 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一附加部件，該附加部件沿每一個該第二放電區 域的方向〃從與該弟二放電區域相對的該介電層的

   第69頁 569266 六、申請專利範圍 一部分上伸出，並且與限定其相對應之單位發光區 域的間壁接觸，以在第二放電區域和與其相鄰但無 關的單位發光區域之間形成阻隔。 5 · 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一黑色或深色光吸收層，該光吸收層設置在該前 基片與該第二放電區域相對之一每一區域上。 6 · 如申請專利範圍第5項所述之等離子顯示板，其中 構成每一個行電極對的每一個該行電極包括一沿行 方向延伸的電極本體和複數個透明電極，每一個透 明電極在每一個單位發光區域中沿列方向從電極本 體上伸出，以面對構成行電極對的另一個行電極併 與之間隔一放電間隙，其中，至少一個該行電極的 該電極本體與該苐二放電區域相對5以在苐^一放電 區域内的電極本體與列電極之間引起放電’並且其 中該光吸收層由包括在該行電極之電極本體内的黑 色或深色層和形成於與前基片一側上與該第二放電 區域相對的區域中的黑色或深色層所構成。 7 · 如申請專利範圍第5項所述之等離子顯示板，還包 括一附加部件，該附加部件沿每一個該第二放電區 域的方向，從與該第二放電區域相對的該介電層的 一部分上伸出，用以與限定其相對應之單位發光區 域的該間壁接觸，以在第二放電區域和與其相鄰但 •無關的單位發光區域之間形成阻隔，該附加部件由 一黑色或深色材料形成，以構成該光吸收層。

   第70頁 569266 六、申請專利範圍 8· 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括僅設置在該第一放電區域中的一螢光層，該螢光 層用來放電發光。 9 · 如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一凸起部件，該凸起部件設置在後基片之一側上 於該第二放電區域對面的區域中，並且在該後基片 與該列電極之間，並且，沿該前基片的方向伸入該 第二放電區域中，用以使該第二放電電極對面的該 列電極的一部分沿該前基片的方向伸出。 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一放電啟動（p r imi ng)顆粒產生層，該 產生層設置在該早位放電區域的該第二放電區域中 〇 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項所述之等離子顯示板，其 中，該放電啟動顆粒產生層由一紫外區發光材料形 成，在該材料受到預定波長紫外線激發時，該材料 有連續發射紫外線的餘輝特性。 12 ·如申請專利範圍第1 1項所述之等離子顯示板，其 中，該紫外區發光材料有長達0 · 1毫秒或更長時 間的餘輝特性。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之等離子顯示板，其 中，該紫外區發光材料有長達1毫秒或更長時間的 餘輝特性。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項所述之等離子顯示板，其

   第71頁 569266 t、申請專利範圍 中，該放電啟動顆粒產生層包括具有4 · 2 eV或 較小功函數的材料。 1 5 ·如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一介電層，該介電層由具有5 0或更大祖對介電 常數的材料形成，設置在後基片一側上每一個該第 二放電區域中的位置中，其形式為插在該列電極與 該一個行電極的一部分之間，該行電極的一部分與 列電極一起產生放電。 1 6…如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，其中 通過確定分開每一個單位發光區域中該第一放電區 域和該第二放電區域的分隔壁高度低於限定單位發 光區域周邊的該間壁高度，由前基片與該分隔壁之 間形成的間隙構成該連通部件。 1 7 ·如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，其中 ，該連通部件由一槽構成，該槽形成於將該第一放 電區域和該第二放電區域分開的該分隔壁中，並且 具有朝向該第一放電區域和該第二放電區域開口的 兩端。 1 8 ·如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括一附加部件，該附加部件沿每一個該第二放電區 域的方向’從與該苐二放電區域相對的該介電層的 一部分上伸出，並且與限定每一個單位發光區域的 該間壁接觸，以在該第二放電區域和與其相鄰但不 接觸的單位發光區域之間形成阻隔，其中該連通部

   第72頁 569266 六、申請專利範圍 件形成於該附加部件中。 1 9 ·如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，還包 括有規定相對介電常數的一材料形成的一高相對介 電常數介電層，或者包括一導電材料形成的一導電 層，該導電層設置在每一個該第二放電區域中的後 基片上。 2〇·如申請專利範圍第1 9項所述之等離子顯示板，其 中，形成該有高相對介電常數的介電層的該材料具 有50或更高的相對介電常數。

   2 1 ♦如申請專利範圍第1 9項所述之等離子顯示板，其 中該第二放電區域還分成一第一區域和一第二區域 ，該第一區域位於該列電極與和該列電極一起放電 的行電極的一部分之間，該第二區域具有該第二放 電區域中除該第一區域之外的區域，在該第二放電 區域的該第一區域中形成有該高相對介電常數介電 層或該導電層。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之等離子顯示板，還 包括設置在每一個該第二放電區域的該第二區域中 的一放電啟動顆粒產生層。

   2 3 ·如申請專利範圍第22項所述之等離子顯示板，其 中，該放電啟動顆粒產生層係由紫外區發光材料形 成，在用一預定波長的紫外線激發該材料時，該材 料有連續發射紫外線的餘輝特性。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項所述之等離子顯示板，其

   第73頁 569266 六、申請專利範圍 中，該紫外區發光材料有長達0 · 1毫秒或更長時 間的餘輝特性。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項所述之等離子顯示板，其 中，該紫外區發光材料有一 1毫秒或更長時間的餘 輝特性。 2 6 ·如申請專利範圍第2 2項所述之等離子顯示板，其 中，該放電啟動顆粒產生層包括具有4 · 2 e V或 幸父小功函數的材料。

   2 7 ·如申請專利範圍第1 9項所述之等離子顯示板，還 包括有高相對介電常數的一介電層，該介電層設置 在母一個該第二放電區域47形成的該導電層面對该 前基片的表面上。 2 8 ·如申請專利範圍第1 9項所述之等離子顯示板，其 中，該導電層形成於覆蓋該列電極的一列電極保護 .層上，並通過一導電部件與該列電極電連接，而該 導電部件係穿設於該列電極保護層中。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之的等離子顯示板，

   其中，將該導電層電連接至該列電極的該導電部件 是形成於列電極保護層中的一通孔。 3 0 ·如申請專利範圍第1 9項所述之等離子顯示板，其 中’構成行電極對的該一個行電極和該另一個行電 極沿列方向交替排列在每一個顯示行中，以使相鄰 行電極對中的該一個行電極背對背排列，而相鄰行

   第74頁 569266 六、申請專利範圍 電極對中的該另一個行電極亦背對背排列，其中， 在各自與該列電極一起引起放電的該背對背的一個 行電極的部分對面的該第二放電區域中，形成該有 高相對介電常數的介電層或該導電層，並且其中通 過一肋部件，把該有高相對介電常數的介電層或該 導電層與覆蓋行電極對的介電層之間形成的空間分 成各自面對背對背排列的該一個行電極該部分的區 域，該肋部件沿行方向延伸。 3 1 •如申請專利範圍第1項所述之等離子顯示板，其中 ，構成每一個行電極對並且在其間開始放電的該行 電極各部分相互面對，其間有一真空空間（e m p t y space) 〇 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項所述之等離子顯示板，其 中，該真空空間由一凹槽構成，該凹槽形成於位於 其間開始放電的行電極中之各部分之間的該介電層 的一部分中。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項所述之等離子顯示板，其 中該凹槽以島狀形成於每一個該第一放電區域中。

   第75頁 569266 六、申請專利範圍 電極的 3 6 ·如申請 中，構 行方向 透明電 極本體 電極’ 該行電 便在該 電極之 3 7 ·如申請 中，構 該行方 一個透 從電極 面對面的方式相對。 3 1項所述之等離子顯示板，其 成每一個行電極對的每一個該行電極包括沿 延伸的電極本體和複數個透明電極，每一個 極在每一個單位發光區域中沿列方向從該電 面對構成該行電極對的另一個行 一放電間隙，並且其中至少一個 該各部分以 專利範圍第 上伸 二者 極的 電極 間引 專利 成母 向延 明電 本體 有一放電間 中該另 本體上 極的透 ，以在 中歹|丨電 一個 伸出 明電 該透 極之 出，以 之間有 該電極 本體與 起放電 範圍第 一個行 伸的一 極在每 上伸出 隙，並 行電極 的延伸 極之該 明電極 間引起 本體與該第二放電區域相對’以 每一個該第二放電區域中之該列 3 1項所述之等 電極對的母一個 電極本體和 複數 個單位發光區 個行 明電 相反 其中 以面對另 且每一 的透明 部分， 延伸部 延伸部 放電。 個透 電極 並且 分在 分與 該第 每一 離子顯示板，其 該行電極包括沿 個透明電極’母 域中沿該列方向 電極，二者之間 極有沿行電極對 的方向從該電極 至少一個該行電 二放電區域對面 個第二放電區域

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